Fall 2008 EE 410/510:

Microfabrication and Semiconductor Processes

M W 12:45 PM – 2:20 PM
EB 239 Engineering Bldg.

Instructor: John D. Williams, Ph.D.

Assistant Professor of Electrical and Computer Engineering
Associate Director of the Nano and Micro Devices Center
University of Alabama in Huntsville
406 Optics Building
Huntsville, AL 35899
Phone: (256) 824-2898
Fax: (256) 824-2898
email: williams@eng.uah.edu
Notes developed from J.D. Williams and L. Rathbun 1999 CNF Nanocourses on Dry Etch Technologies with updated additions for LSU-CAMD and UAH-NMDC
 Outline

• Pattern Transfer
• Plasmas for Materials Processing
• Mechanisms Associated w/ Plasma Etching
• Plasma Etching Tools and Methods
• Etch Processes 
• Artifacts and Effects

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 2
UAHuntsville
 Pattern Transfer

Also known as Etching
 Some Important Subtractive 
Processes in Microfabrication
„ Wet chemical etching (isotropic, anisotropic)
„ Electrochemical etching
„ Dry chemical etching
„ Physical/Chemical dry etch
„ Physical dry etch
„ Focused ion-beam milling
„ Laser machining
„ Ultrasonic drilling
„ Electrostatic discharge machining
„ Mechanical turning, drilling, milling, polishing, etc.
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 4
UAHuntsville
 Pattern Transfer

• Transfer (etch) pattern 
defined by resist layer into 
substrate
• Unprotected areas 
removed
• “Resist” is typically 
photoresist but may be any 
other patterned layer.
• Chemical processes
• Physical processes
• Wet or dry
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 5
UAHuntsville
 Why Not Wet Etching? 

• Many viable wet etching processes
– Acids, etc
• Dimensional control
– Directional vs. isotropic
– Etching of single crystals
• Commonly used for larger 
structures or exotic films
• Not all wet processes are non‐
directional and not all dry 
processes are directional, but dry 
processes generally give more 
control

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 6
UAHuntsville
 Dry Pattern Transfer
• Dry etching
– Generic term covering everything using a gas in vacuum to 
etch
• Plasma etching
– Generic term covering dry etching involving plasma 
excitation. 
• Essentially most dry etching but not all
• Reactive ion etching
– The specific type of plasma etching we most commonly 
use. 
• More later

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 7
UAHuntsville
Plasmas for Materials Processing

What is a plasma and why do we use 
it and how do we make it
 What is a Plasma?

• A plasma is an ionized gas
– Ions
– Electrons
– Molecular fragments
• Electrically neutral
• Generally electrically excited
– Various types of EM excitation
• Weakly ionized plasma
– Only a small fraction excited species
– Small but important
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 9
UAHuntsville
 Various Processes Using Plasmas
• DC, RF, and LF Plasmas for Deposition
– Sputtering
– Plasma CVD
• DC for Ion Milling and CAIBE
• Reactive Ion Etching (RIE)
• Magnetically Enhanced Ion Etching (MIE)
• Electron Cyclotron Resonance Etching (ECR)
• Inductively Coupled Plasma Etching (ICP)

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 10
UAHuntsville
 Role of the Plasma
• Gas by itself is not very reactive
– CF4+Si = zip
– CF4 plasma + Si = etching
– SiH4 plasma +O2 plasma = SiO2 deposition
• Create ions
• Create electrons
• Create excited species and radicals

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 11
UAHuntsville
 Weakly Ionized Plasmas : 
The Plasma Discharge

• Electrically driven
• Charge particle collisions (e‐) with neutral gas 
molecules are important
• Surface losses at boundaries are important
• Ionization of neutrals sustains plasma in steady 
state
• Electrons are not in thermal equilibrium with ions
• Weakly ionized and excited
– Generally <1% ions and radicals
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 12
UAHuntsville
 Plasma Body and Sheaths

• The body is a quasineutral
– Equipotential
• Electrons can escape more rapidly at 
edges than ions
• A potential barrier develops to 
suppress electron escape
• All potential drop is across these 
sheaths (dark spaces) at each 
electrode 
• Plasma body is more positive than 
either electrode !!!
• Ions are accelerated by the sheath to 
the electrodes
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 13
UAHuntsville
 Electrode Area and Sheath 
Voltages
• Sheath voltages not necessarily the 
same on both electrodes
• Depends inversely on the 4th power of 
the electrode area
• Smaller electrode has highest bias and 
most voltage drop across the sheath
– Highest energy ion bombardment
• In most RIE processes, sample is on the 
smaller electrode, getting significant 
high energy ion bombardment. This is 
typically also the cathode, the driven 
electrode

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 14
UAHuntsville
 What Do These Ions Do to the 
Material?

• Samples on the electrodes (either electrode) get 
bombarded by ions
• Inert Ions bombard the surface supplying enough energy 
to break chemical bonds and/or dislodge atoms
• Reactive Ions bombard the surface and bond with atoms 
creating volatile species 
– Various mechanisms
• Etched atoms, ions and molecules are then pumped out of 
the chamber

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 15
UAHuntsville
 DC Diode Plasmas 

• Introduction of a large DC bias 
across two plates of unspecified 
geometry with a low pressure gas 
between them (.001 ‐ 1 Torr)
• Voltage is greater than the 
breakdown voltage causing an 
ionization cascade that leads to a 
plasma
• Generally used for deposition and 
inert milling of materials
• Requires conducting electrodes and 
samples

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 16
UAHuntsville
 RF Diode Plasmas

• RF power is driven 
across two plates
• Electrons oscillate at the RF 
frequency causing ionization  
• Electrodes not necessarily 
conductors
• Constraint: No time average 
current of the plasma
• But the electrons respond faster than ions
• ====> a DC offset (bias) results so that the positive and negative swing 
voltages are unequal but the positive and negative swing currents are equal.

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 17
UAHuntsville
 RF Plasma Potentials

• Concerned w/ three 
potentials
– average and instantaneous 
Plasma Potential (Vp)
• Body of plasma
– RF input voltage (Vrf )
– (ave) DC bias (Vdc )

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 18
UAHuntsville
 RF Plasma Potentials (Cont.)

• In RF diode Low Pressure 
RIE
– Sample on Driven 
Electrode
– Ave ion energy = eVdc 
– Instantaneous Ion energy 
at cathode = e(|Vdc|+Vp )
– Instantaneous ion energy 
at anode = eVp 

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 19
UAHuntsville
Mechanisms Associated with 
Plasma Etching
 Etching Mechanisms
• Range of mechanisms
– Completely chemical
– Completely physical
– Everything in between
• All important to various extents in different 
processes
– Control by choice of configuration and process 
parameters

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 21
UAHuntsville
 Physical Etching 

• “Inert” Ions bombard the 
surface
– Sputter threshold ~ 10 eV
• Ions dislodge atoms from 
surface 
• Surface and sub‐surface 
damage
• Momentum transfer‐‐no 
chemistry
• Sputtered atoms generally 
redeposited elsewhere
• A significant part of many 
etch processes JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009
UAHuntsville
22
 Ion Bombardment Effects

• Adverse effects of  Redeposition
excessive physical 
sputtering
• Caused by
– Re‐deposition of material
– Angular dependence
– Sputter yield

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 23
UAHuntsville
 Ion Stimulated Chemical Reactions

• Gas adsorbs but does not 
fully react
• Ion bombardment supplies 
reaction energy

Alternatively
• Gas reacts fully but doesn’t 
have enough energy to 
desorb
• Ion bombardment supplies 
desorption energy
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 24
UAHuntsville
 Volatile Products

• In the end, you generally need  Fluorine Chlorine

a volatile product to remove  Compounds Compounds
material  Silicon Volatile Volatile
• Desorb either naturally or 
under ion bombardment GaAs Not Volatile Volatile
• i.e. a reaction product with a 
Aluminum Not Volatile Volatile
high vapor pressure so it will 
desorb and stay in gas phase Copper Not Volatile Not Volatile
• e.g  F atoms reacting to make   
SiF4, a gas

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 25
UAHuntsville
 Directionality
• For the most part, ion bombardment is 
directional
• Ion stimulated chemical reactions result in 
directional etching ! !
– One of several mechanisms that promote 
directionality
• Isotropic and anisotropic are poor word 
choices

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 26
UAHuntsville
 Plasma Passivation
• Etch reaction may leave something behind
– Often a carbon or fluorocarbon residue
• May arrest reaction
• Ion bombardment can remove this passivation on 
exposed surfaces
– Exposed means exposed to ion bombardment
– Sidewalls are generally NOT exposed.

• A mechanism to prevent sidewall etching

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 27
UAHuntsville
 Ion Stimulated Removal of 
Passivation

• Ion bombardment on 
bottom
– Passivation removal
– Etching
• Little ion bombardment 
on sidewalls
– No passivation removal
– Little lateral etching

• DIRECTIONALITY !!
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 28
UAHuntsville
Plasma Etching Tools and 
Configurations
 Dry Etching Tools
• Various tools have been devised to etch 
materials in plasmas
– Different Physical Configurations
– Different Power sources
– Different gases

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 30
UAHuntsville
 Ion Milling

• Plain physical sputtering from an 
ion beam source
– Kaufman Ion Source
• Plasma based
• Typically
– Ar+
– 500 eV
– Current  100 mAmp
– Rate 300‐1000 A/min
• When you don’t have a reactive 
chemical process
– Magnetic materials
– Superconductors
– Hard oxides
10/16/2009
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
31
UAHuntsville
 Generic Plasma Reactor

• Vacuum System
• Controlled pressure
– Millitorr range
• Controlled flow of gas
• Power
– RF, DC, µwave
• Coupling
– Capacitive
– Inductive
• Different configurations of geometry, pressure, power, etc give 
you different effects, different techniques
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 32
UAHuntsville
 Matching Network (RF)

• RF Power Supply 
impedance = 50 Ohms
• Plasma Impedance
– Complex (non‐resistive)
– Not 50 Ohms
• Matching Network 
required to facilitate
power coupling
– Unmatched impedance = 
Large Reflected Power
• Variable LC network
– Auto‐tune to minimize 
reflected power JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 33
UAHuntsville
 Plasma Etching

• Barrel Reactor
• Wafers immersed in 
plasma
– Little ion 
bombardment
• Generally isotropic
– Highly “chemical” 
process
• Plasma Cleaning/ 
Resist Stripping

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 34
UAHuntsville
(Low Pressure) Reactive Ion Etching (RIE)

• Etching with reactive ions 
generated in an RF plasma
• RF Capacitive Diode 
Configuration
– 13.56 MHz
– 50‐200 Watts
– 5 ‐ 50 mTorr
– 2‐100 sccm gas flow
– Rates ~ 100 ‐ 1500 A/min.
• Various gases depending on 
material to be etched
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 35
UAHuntsville
 High Density Plasmas
• Various ways to increase ionization
– MIE, ECR, ICP, etc
• More elections ====>
• More ions =====>
• More ion current=====>
– Lower voltage at same power
– Lower ion bombardment energy but more ion current
– More Ionization and more reactive radicals
– Less damage but higher etch rate

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 36
UAHuntsville
 RF Plasmas in Magnetic Fields:
Magnetron
• Magnetic confinement
• F = q(E+v x B) ===> Increased electron path length before wall loss
• More ionization=======> Larger number of reactive species
• Yields higher etch rates ( ex. 2000 A/min  oxide)

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 37
UAHuntsville
 Electron Cyclotron Resonance RIE 
(ECR)

• Excitation tuned to the 
electron’s natural 
rotational resonance in a 
magnetic field
– 2.45 GHz microwaves
– 875 Gauss
• Power coupled directly 
into the electron motion
– More efficient
– Higher ionization 

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 38
UAHuntsville
 ECR Etching

• Only a very small region (a 
flat disk) has the 
appropriate resonant 
condition
• All power is adsorbed in 
small volume
• Ions stream along 
magnetic field lines
• Additional directionality 
provided by lower RF bias

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 39
UAHuntsville
 Reactive Ion Etching

• Plasma Therm 790 in NMDC
– O2, CF4, SF6, N2, CHF3
• Oxford Inst. System 100 ECR 
at CAMD
– O2, CF4, SF6, N2
• Capable of etching 
– SiO2, Si3N4, Si, Ti, Organics 

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 40
UAHuntsville
 Inductively Coupled Plasmas
( ICP )

• Power coupled into 
plasma inductively
• Separate RF substrate bias
• Ionization separated from 
the acceleration
• High Density Plasma
– KiloWatts

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 41
UAHuntsville
 ICP etching for DRIE

• Unaxis SLR 770
• Chlorine etching of Silicon
• Deep RIE (Boschtm)
• STS DRIE etch tool
– Deep RIE (Boschtm)
– glass
• Oxford Instruments System 100 
with ICP with 180 or 380 head
– Deep RIE (Boschtm)
– 3:5 materials
– glass
– cryosilicon etch
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 42
UAHuntsville
 CAIBE
• Chemically Assisted Ion Beam Etching (and its 
relative Reactive Ion Beam Etching)
• Pure ion stimulated chemical reactions
• Ion Milling(Ar+) + Chlorine
– Ar+ ion beam
– Chlorine background gas adsorbs on sample
• Almost exclusively for 
GaAs/GaAlAs

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 43
UAHuntsville
 CAIBE

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 44
UAHuntsville
 CAIBE Using the Oxford 
Instruments System 300+
• RIB 160
• Typical parameters
– 500 eV
– 50 ma
– 0.25 µm/min  GaAs
• Good control of vertical 
sidewalls  to a few 
microns deep
• Selectivity of 6:1 for   
GaAs/GaAlAs
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 45
UAHuntsville
Etch Processes and Their 
Characteristics
 Examples of Plasma Etching

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 47
UAHuntsville
 Deep Silicon Etches

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 48
UAHuntsville
 Commonly Etched Materials

• Many different materials  • Materials commonly 
are dry etched using  etched
plasmas – Si
• Many Gases – SiO2
– Poly Si
– CF4
– Si3N4
– CHF3
– Glass
– SF6
– Al
– Cl2
– W
– BCl3
– Ti
– Oxygen
– TiW
– Hydrogen
– GaAs 
– SiC
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009
UAHuntsville – Resist 49
 Common Masks

Plasma Mask
• CF4 Resist, metals
• SF6 Oxide, Nitride, Al, Resist
• Cl2 Oxide, Nitride, Resist ( poor)
• O2 Inorganic materials

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 50
UAHuntsville
 Etchant Gases

Etchant Material Etched
• BCl3 Al2O3, GaAs
• CxHyFz SiO2, Si3N4, Ti
• SF6 Si, Poly Si
• Cl2 Si, Poly Si, SiC, Al, GaAs, 
Cu (will discuss in detail)
• O2 Organic material

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 51
UAHuntsville
 Choices of Gases :
Effects on the Etch Process

• Etchant Gases 
– Provide primary etch species
– Make a volatile compound
• Additive Gases 
• Modify selectivity
• Modify directionality
– Promote/remove passivation
– Increase / reduce etch species concentration
– Promote plasma stability
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 52
UAHuntsville
 Etch Gases
• Generally Halogen containing gas
– CF4, CHF3, SF6, Cl2
• Other etch gases
– NF3, Br2, HBr, XeF2

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 53
UAHuntsville
 Halocarbon Naming

• Most halocarbons go by their Dupont trade name
• Freontm 14, Freontm 13, Freontm 23, aka  Halocarbon 14, etc.
• Right Digit= Number of F atoms
• Next Digit = one more than the number of H atoms
• 3d digit if used= one less than number of C atoms
• All other atoms are Cl unless otherwise noted
– Freon 14= CF4
– Freon 23=CHF3
– Freon 12=CCl2F2

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 54
UAHuntsville
 Additive Gases

• Oxide Removal BCl3
– To remove Surface native oxide
• PasivatorsO2, CxHyFz
– Used to protect sidewalls during etching
• Inert Gases (Ar, etc) used for:
– Plasma Stability
– Ion Bombardment
• Plasma Inhibitors O2, BCl3, CxHyFz, H2
– Chemically modify plasma species
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 55
UAHuntsville
 Inhibiting a CF4 etch

• Adjusting C,H,O balance by adding small amounts of H2
and O2
• Add H
– Reduces free F
– Polymer formation increases
• Add O
– Ties up CF3 radicals
– Reduces free F
– Polymer formation decreases
• Important for control of passivations and directionality

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 56
UAHuntsville
 Pressure / Energy Considerations
• General rules to follow
– Increasing Pressure, 
reduces sputtering, 
and promotes isotropy
– Decreasing Power, 
reduces sputtering, 
increases Isotropy
– Decreasing Power also 
reduces etch rate

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 57
UAHuntsville
 Temperature Control

• Lots of power into wafer
• “Wafer temperature” is important
– Chemical reaction
• Wafer temperature is generally unknown and difficult to 
control or measure
• Extremely poor heat conductivity TO THE WAFER in 
vacuum
• Small problem with low powers (100 W)
• BIG PROBLEM with high powers (1000 W)

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 58
UAHuntsville
 Heat Transfer in Vacuum

• What happens to energy driven into wafer?
– Poor heat transfer out of wafer in vacuum
– Few point contacts
– This is true for all vacuum processes
– Easy to get 100 C temperature difference even if you are actively 
cooling the electrode ! ! ! ! 
– Easily melt resist (damaging resist mask)

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 59
UAHuntsville
 Backside He Heat Transfer

• Bleed small amount of inert gas 
(He) into cavity behind wafer ( 
1‐10 torr). 
• Molecular heat transfer medium
– ( mfp > wafer gap)
• Many, many bounces each 
carrying small amount of energy
• Wafer clamp
• Used on all high power etch and 
deposition systems

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 60
UAHuntsville
Typical Plasma Etch Processes
 Ion Milling
• Oxford Instruments System 300 
• Kauffman Ion Gun
• 4‐6” inch wafers
• Typical rates using Ar 
– 1KeV at 1mA/cm2
– C  400+ A/min
– Al  440 A/min
– W  380 A/min
– Ti  300 A/min
– Si  160 A/min
– Cu          1000 A/min
• Rates fairly uniform across 
materials
• A purely physical sputtering, 
momentum transfer technique 
using Argon
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 62
UAHuntsville
 Resist Stripping with Branson 
Plasma Ashers
• Bransen Plasma Asher 
– Plasma Etching tool
• Oxygen
• 600 Watts
• Resist strip and descum
• approx. 0.2 µm/min 
• Don’t use after halogen 
plasma or barrel will be 
etched by halogen residuals
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 63
UAHuntsville
 Resist Stripping With the Parallel Plate RIEs

• Low pressure RIE in Oxygen
• O2 plasmas break down organic 
materials
– Typical pressure
– Typical flow
• Resist etch rates are about 0.1 µm / 
min
• The addition of a small percentage of 
CF4 to the plasma for the first two 
minutes of the etch can help remove a 
burned polymer layer produced in 
Fluorine based plasmas
• Plasma Therm PT 72 shown.  NMDC 
version is the Plasma Therm 790 RIE
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 64
UAHuntsville
 SiO2 Etch

• CF4 and CHF3 plasmas are best suited for oxide etching

• The addition of H2 to CF4 plasmas reduces the number of 
Fluorine radicals in the chamber 
– Increases passivation
– Increases selectivity to Silicon
• Etch rates in the MIE are greater than 200 nm/min
• Etch rated in our RIE systems vary from 30 to 60 nm / min

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 65
UAHuntsville
 Cl2 Etching process for Si ‐‐
silicon directional etch

• Cl2 etches Silicon
• Cl2 doesn’t etch silicon dioxide
– Oxide makes a good mask
• Must remove surface oxide
• Multistep Process
– Step 1:  Dehydrogenate w/ H2 at 
low power
– Step 2:  Native oxide etch with BCl3
– Step 3:  Etch with Cl2 using BCL3, H2
additives
• Rates 
– < 0.35 µm/min with ICP
– < 0.1 µm/min with RIE
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 66
UAHuntsville
 Isotropic Si Etching w/ SF6

• SF6 w/ very little O2 or Ar 

for stability mask
• Low power to produce 
chemically dominated 
etch  (50‐100 W)
• Oxford ECR
– >0.5 µm/min
• PT 72
– 0.1 µm/min

MacDonald Group

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 67
UAHuntsville
 Bosch Etching‐ Deep RIE

• Isotropic Fluorine etch driven into 
directional etch by a cyclic process 
deposition/etch process
• Argon for plasma stability and to 
some ion bombardment on the 
flat surface
• Etch rates from 1.6 to 10* µm/min
• Typically Vertical
• Shaped profiles possible by 
increasing the time cycle ratio 
between the etch and deposition 
steps

From Oxford Instrument web page

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 68
UAHuntsville
 Bosch Process continued

• Aspect ratios as high as 
40:1 can be achieved with 
some process 
development
• 50 µm diameter via holes 
through 3” wafers can be 
etched in nearly 4 hrs
• Silicon only*

John Williams
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 69
UAHuntsville
 Titanium DRIE (MARIO Process)
• Metal Anisotropic 
Reactive Ion Etching 
(MARIO)
• Uses formation of Oxide 
to promote passivation 
and allows for Deep 
Reactive Ion Etching of 
Titanium

N. MacDonald, UC Santa Barbra

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 70
UAHuntsville
 Al Reactive Ion Etching

• Cl2 etch process
• BCl3 for oxide removal
• H2 assists in sidewall passivation for directionality
• Resist mask typically used
• Significant lateral etching when you hit the silicon 
substrate

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 71
UAHuntsville
 Copper Etch Process  

• Trion Technology developed etch process for Copper using an

ICP tool
• Substrate is heated during etch process
• Heating promotes volatility
• Now previously nonvolatile CuClx compounds do not
redeposit

• Etch rate of 5200Å/min at a temperature of 150º C. Compare

this to the other system with an etch rate of 2200Å/min at
250º C. How is this the case? Lower chamber pressure,
Higher power, Good control over gas mixture

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 72
UAHuntsville
 Experimental Results from Copper 
Etch Process

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 73
UAHuntsville
 Lots of Process Parameters
• Type of instrument (Basic RIE, ECR, ICP)
– Increased ionization energy typically produces higher etch rates
– Artifacts to do ion bombardment, become more prevalent and constrain the 
process window
• Different etch processes often require different input power from the RF 
generator
– Nearly pure chemical etching of Silicon in RIE occurs at 100 W or less
– Cl2 ICP etching of silicon can be performed at 450 W
– Bosch Etching of Silicon in ICP uses 600 W
– Increasing the power of a particular process typically increases the etch rate 
– To much power leads to poor etches
• Ion bombardment
• Redeposition of non‐volatile byproducts

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 74
UAHuntsville
 Lots of Process Parameters (Cont.)

• Pressure
– Pressures required to produce a plasma decrease with increasing 
ionization
• Barrel Ashers operate near 500 mTorr
• ECR etchers operate at 40 mTorr
• Temperature
– Decreasing the temperature decreases volatility
– Some processes like SF6/O2 deep silicon etch which produce highly 
volatile species work better at lower temperatures.  This occurs because 
the oxide generated on the sidewalls is harder to etch at lower 
temperatures
– Other processes such as Cl2 etching of Copper require high temperatures 
to induce the volatility and produce a viable etch process

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 75
UAHuntsville
 Lots of Process Parameters (Cont.)
• Gas mixtures are often used for etch processes
– Some SF6 plasmas require the addition of Ar to help stabilize the plasma and 
reduce the amount of reflected power sent back into the RF generator
– CF4 is often added at the end of a O2 etch when etching resist to ensure a 
clean surface
– H2 is added to CF4 and CHF3 plasmas to inhibit some of the free radicals and 
improve uniformity and etch quality
• Gas flow rates
– Gas is continuously released into the chamber to generate and maintain the 
plasma
– Vary depending on the chamber size and system used
– Typical gas flow rates are in the 10’s of standard cubic centimeters per min 
(sccm)

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 76
UAHuntsville
 Extra Things to consider
• Fixed recipes will generally get one close to the correct etch 
however
– Chamber history does matter
– Plasma uniformity in the chamber can cause variations in the etch 
across the substrate
– Imperfections in the mask layer require extra care in choosing etch 
depths that can be achieved
– Some resist selectivity may vary slightly

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 77
UAHuntsville
 Quantitative Etch Characteristics

• Etch Rate 
– Typical etch rates are between 100 Angstroms to a few microns per 
minute
• Selectivity to mask
– etch rate of material/etch rate of mask
• Best if > 1   One always wants some mask material remaining after the etch
• Typical values
– 4:1 oxide to resist using CF4
– 7:1 aluminum to resist using Cl2
– 10:1 silicon to oxide using Cl2
– 150:1 silicon to oxide using Bosch
– 75:1 silicon to resist using Bosch

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 78
UAHuntsville
 Quantitative Etch Characteristics
• Selectivity to the substrate
– Etch rate of material / etch rate of substrate
– Typically want to stop at the base of the material being etched 
– High selectivity between the desired etch material and the layer 
underneath generally sought after to protect the device while 
completing the etch step
• Uniformity across the wafer
– Note: etches will not always be uniform
– Loading effects and non‐uniformities in the plasma cause some areas 
to etch faster than others
– Maintain high selectivity between the material to be etched and the 
layer underneath

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 79
UAHuntsville
 Qualitative Etch Characteristics

• Sidewall and Base Quality
– Residual material deposited on the sidewall during an etch 
produces poor quality etches
– Is the sidewall or material at the base of the etch rough?
• Notching of mask / undercut
– Was the bias at the mask edge sufficient to produce milling of the 
mask material?    
• If so reduce the DC bias by changing the RF Power at the substrate
– Was the chemical nature of the etch so great that layer under the 
mask was etched underneath the mask? 
• Add additives to passivate the sidewall

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 80
UAHuntsville
 Qualitative Etch Characteristics 
(cont.)
• Directionality  / Anisotropy
– Does ion damage appear to have created trenches? 
• Decrease the power
– Does there appear to be redposition?
• Change the chemistry (gas mixture and pressure)
– Did the mask layer maintain it’s shape?
• Reduce the Power change the chemistry

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 81
UAHuntsville
Artifacts and Effects
 “Loading” ‐‐ Various Kinds

• One wafer may not etch the same another wafer 
– Various geometries on the different wafers
– Chamber history
• Etching large areas can lead to excess consumption of reactants causing slower etch 
rates and area loading
– Middle of the wafer may not etch the same as the outside (note: this can also be due to 
non‐uniformity of the etch tool itself.  Care must be taken to determine which is 
responsible)
• Small features don’t often etch at the same rate as large features
• Diffusion of reactants and products in the gas can have significant effects
– Etch rates may not constant as you go VERY deep due to difficulty associated with 
pumping the products out of the hole.
– Dense patterns not same as sparse patterns

A classical chemical engineering problem
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 83
UAHuntsville
 Loading Examples

John Williams John Williams

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 84
UAHuntsville
 “Grass”

• “Black Silicon”
• Wafer looks black to the eye
• Very rough “spikes” in etched area 
in SEM picture
• Micromasking by sputtered , non‐
etching contamination
– Mask
– Electrode or chamber
• Either a process problem or a 
system malfunction
– Excessive ion bombardment of 
non‐etchable stuff
• Ugly‐‐VERY BAD John Williams
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 85
UAHuntsville
 Grass‐‐Micromasking

Micro-masking

Micromask may come from sample or from chamber walls

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 86
UAHuntsville
 Other Unwanted Etch Effects

• Redeposition
– Production of a large number of non  Redeposition
volitile products
– Production of products at a rate to 
great to pump out
– Not always due to ion bombardment 
but can be
• Trenching: scattering of ions off 
sidewall causing excess etching at the 
base of the wall (typically due to ion 
bombardment)
• Faceting: excess etching of the mask 
near the pattern edge (excess DC bias 
leading to ion bombardment)
• Poor selectivity: due to ion 
bombardment, and/or gas mixture
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 87
UAHuntsville
 Residue

• Due to a mixture of the 
following:
– Polymer residue from etch gases
– Polymeric  residue from resists
– Redeposited etch materials
• Very difficult to remove in 
standard solvents
• Very aggressive solvent mixtures 
might remove residue if you 
know the exact chemical 
composition

John Williams
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 88
UAHuntsville
 Faceting/Trenching/Sidewall Taper
• A signature of excessive 
ion bombardment
– Too much bias voltage
– Not enough “chemistry”

John Williams
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 89
UAHuntsville
 Resist Mask Wear Out

• Resist wear out caused early oxide 
mask wear out.  This lead to etched 
groove in the sidewall
• Complete mask wear out leads to 
uneven top surface.  Micromasking 
now plays a dominant role in the 
top of the etch step.

John Williams

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 90
UAHuntsville
 Things to Remember

• “Plasma Etching” (broad sense) is one of the most heavily used 
techniques in MEMS
• Many variables effect results
– Pressure, Ionization, RF power, DC bias, Gas flow rates, Chamber history
• Processes may not transfer well from one tool to the next because 
chamber history can have a large effect on the process
• Most plasma processes need to be tuned to the specific selectivity, 
etch rate, etch profile, and loading characteristics needed at that 
time.  Thus what works for one process may need to be tuned slightly 
for another.

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 91
UAHuntsville