Fall 2008 EE 410/510:

Microfabrication and Semiconductor Processes

M W 12:45 PM – 2:20 PM
EB 239 Engineering Bldg.

Instructor: John D. Williams, Ph.D.

Assistant Professor of Electrical and Computer Engineering
Associate Director of the Nano and Micro Devices Center
University of Alabama in Huntsville
406 Optics Building
Huntsville, AL 35899
Phone: (256) 824-2898
Fax: (256) 824-2898
email: williams@eng.uah.edu

Nonreferenced images taken from Madou: Fundamentals of Microfabrication 2nd ed. CRC Press 2002
 Thin Film Wet Etches:  SiO2, Si3N4
• Si3N4 Etching
– 1% HF etches at about 60 nm/min
– 10% HF etches at about 0.500 nm/min
– Buffered HF (BHF) etches at 0.5 – 1 nm/min
– H3PO4 etches at 10 nm/min at 180oC
• Selective to oxides and silicon
• SiO2 etching
– BHF etches at 100 ‐250 nm/min
– HF etches extremely fast
• Etch rates vary depending on film quality

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 2
UAHuntsville
 Common Wet Etches for Metals
• Titanium • Chromium
– 1% HF etches at 30 nm/min – Chrome etch (commercial)
• KMnO4 : NaOH : H2O 
• Copper
– 5% HCl in H20 works
– HNO3 5% in H20 works well
– HCl in H2O2 1:1
– NH4OH/H2O2 1:1
• Gold
• Nickel
– KI, I2, H20
– HNO3 5% in H20 works well
• Silver
• Aluminum – HNO3
– HCl  5% in H20 works well – NH4OH/H2O2 1:1
– H3PO4 /HNO3/HAc
– NaOH  5% in H20 works well

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 3
UAHuntsville
 Standard Silicon Clean
• Prepares silicon for use as a  • Step 1 ‐ Piranha/SPM
substrate – 4:1 H2SO4 (40%):H2O2 (30%) @ 90 C for 15 min
• Performed immediately before  – Removes organic contaminants
LPCVD or oxidation processes to  • Step 2 ‐ DI water rinse
remove contaminants • Step 3 ‐ DHF
• SC1 – HF (2%) for 30 sec
– Etches silicon and leaves a thin oxide  • Step 4 ‐ DI water rinse
surface.
– Oxide surface combined with alkaline pH 
• Step 5 (SC‐1/APM)
value of SC1 solution produces negative  – 1:1:5 NH4OH (29%):H2O2 (30%) H2O at 70 C for 10 
charges on the surface.  min
– Electrostatic repulsion between the  – removes particulate contaminants
removed particle and the oxide surface 
will prevent particle redeposition. – desorbs trace metals (Au, Ag, Cu, Ni, etc.)
– Some materials such as alkalis, Fe, Al, Mg  • Step 6 ‐ DI water rinse
remain insoluble
• Step 7 ‐ SC‐2
• SC2 – 1:1:5 HCl (30%):H2O2 (30%):H2O at 70 C for 10 min
– Removes metals, hydroxides, and 
complexing residuals from the surface. – dissolves alkali ions and hydroxides of Al3+, Fe3+, 
Mg3+
• Can be followed by a quick HF rince 
to remove all oxide from the  – desorbs by complexing residual metals
surface prior to step 8 • Step 8 ‐ DI water rinse
• Step 9 ‐ Spin rinse dry
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 4
UAHuntsville
 Etching Mechanisms for Bulk 
Micromachining

SF6

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 5
UAHuntsville
 Silicon Wafer Crystal Orientation

Crystal orientation effects

the direction of an
anisotropic etch

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 6
UAHuntsville
 Isotropic vs. Anisotropic Wet Bulk 
Etching of Silicon
• Cr/Au can be
used as a mask
material, however
pinholes in PVD
films will lead to
mask etched pits
under mask

•SixNy has a near infinite selectivity to most silicon etchants. Stochiometric nitrides are often too
stressy for membranes, so engineers have developed a low stress LPVCD nitride that is
commonly used. PECVD nitrides have pinholes in the deposited film.
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 7
UAHuntsville
 Isotropic Etches
• Etches used in silicon 
primarily for generating bowl 
shaped structures.
• Good for:
– Electrostatic isolation
– Microfluidics
– Coupled with vias at base of 
hole, these shapes are often 
used for DNA sensing

• Also note that the low selectivity of SiO2 
to HF etches make these isotropic etches 
a viable glass etchant as well.  
• Etch rates are approx. 1/20 of the silicon 
etch rate, but prove quite useful glass 
etching applications.
• Surface roughness of glass etched under 
these conditions is 1‐5 um.
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 8
UAHuntsville
 Anisotropic Etching

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 9
UAHuntsville
 Determination of Common
Silicon Etch Angle
• Proper alignment leads to {111} 
sidewalls, (100) bottom, <110> 

L = a* 2
directed edges and <211> directed  L
ribs tan α =
a 2
• Consider the unit cube and the off‐
normal angle α of the intersection 
of a (111) sidewall and a (110)  L = a* 2 = 35.26°or
α =arctan
cross‐secting plane 2
54.74° for the complementary angle
Flat [110] (111)
L
(110)
a
α
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 10
UAHuntsville
 Overview of Anisotropic <100> Silicon 
Etching

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 11
UAHuntsville
 Vertical Wet Etches in Silicon
(100) planes
• {100} planes perpendicular to the wafer 
surface (at a 45° angle with the wafer flat 
i.e.the {110} direction) Flat [110]
• Anisotropic wet etching along these planes 
provides vertically etched structures
• Manufacturing errors of approximately 1‐2o
are prominent in flat orientation
• Thus pre‐etches must be performed to 
identify exact crystal axis prior to device 
patterning
• Inexact orientation of the pattern has 
significant effects on deep etches

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 12
UAHuntsville
 Wagon Wheel Map of 
Si Anisotropic Etching

Simulated wheel for

1 um wide beams
after several minutes
of etching

<100>
<111>
<110>
Tabata, “Anisotropy and Selectivity
Control of TMAH”, Proc. Of MEMS 98,
Q. D. Nguyen, Electrochemistry in anisotropic etching of
silicon in alkaline solutions – A kinematic wave analysis, Heidelberg, Germany, 229-233
Ph.D. thesis, University of Twente, Enschede, The
Netherlands (2007). JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 13
UAHuntsville
 Creating Complex Shapes: Corner 
Compensation
• Geometrical limitations of the etch must be 
considered when creating complex shapes

Circular mask
shape etches as
an octagonal
hole (ref. on next slide)

Cross
Structures etch
as deformed
polygons (Bruce Gale
Univ. Utah MEMS Lectures)

• Image on the right provides three different 
attempts to compensate for angular 
dependence when etching convex 
structures.
• Variations in the lithographic geometry at 
the corner result in rounding or flattening  Lithographic Pattern Etched Silicon
of the silicon sidewall. Gupta et al.: “Corner Compensation
in Silicon Micro Machining for Sensor Fabrication”
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 14
UAHuntsville
 Simple Approach to Corner 
Compensation

WEI FAN (1) ; DACHENG ZHANG (1) ;

Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, CHINA ????
http://www.paper.edu.cn/download_feature_paper.php?serial_number=AgilentF-03
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 15
UAHuntsville
 Electrochemical Etch Stops

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 16
UAHuntsville
 Undercutting and Release of Wet 
Etched Devices
N-doped silicon
layers provide
thickness to
silicon cantilevers

http://pkukmweb.ukm.my/~imen/Notes/MEMS%20Fabrication_Seminar.pdf
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 17
UAHuntsville
 High Q-factor CMOS-MEMS inductor
Ching-Liang Dai, Jin-Yu Hong and Mao-Chen Liu
Department of Mechanical Engineering,
National Chung Hsing University,
Taichung, 402 Taiwan, R.O.C.

Fig. 3 Fabrication flow of the spiral

inductor; (a) after the COMS process, (b)
oxide layer etched by an anisotropic dry
etching, (c) silicon substrate etched by an
anisotropic wet etching with TMAH.
 Wet Bulk Micromachining of InP
• Indium phosphide (InP) is a direct 
bandgap III–V semiconductor 
• Important for optoelectronics. 
• InGaAsP and InGaAlAs are grown on InP to 
form heterostructures that provide the 
basis for lasers, photodetectors, 
transistors, waveguides, gratings, lenses 
and mirrors 
• Anisotropic etching of this material is 
crucial for the development of micro‐
opto‐electromechanical systems
• InGaAs mask used
• 3HCl:1H3PO4 at 16 ◦C ± 0.05 ◦C in light 
without agitation.
• Approx.. 15 um/min etch rate.  Mask 
thickness used to was roughly 0.1 um
• Directional dependence based on time in 
etch.  This is important because secondary 
facets define corners.

J. Micromech. Microeng. 14 (2004) 1205–1214

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 19
UAHuntsville
 3‐D Micro channels using KOH
• Combination of DRIE and KOH Etching
• Dry etch trench
• Fill with KOH and etch out diamond 
shape
• Fill Diamond with TMAH oxide 
(LPCVD)
• Supply appropriate mask geometry to 
provide inlets from top surface

Therkstra et.al, “Etching Technology for Microchannels,” IEEE MEMS, 1997, 147-152.

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 20
UAHuntsville
 Porous Silicon
• Electrochemically etched silicon
– Pores : nm  μm sized
– Pore nucleation – many models [1,2]
– Suggests defects near surface play 
primary role
• Discovered in 1956 by Arthur Uhlir at Bell 
Labs, during electropolishing experiments

Lehmann, J. Electrochem. Soc., 140, 2836-43, 1993

http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/poren/eccv.html
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 21
UAHuntsville
 Thin Film Etches:  SiO2, Si3N4
• Si3N4 Etching
– 1% HF etches at about 60 nm/min
– 10% HF etches at about 0.500 nm/min
– Buffered HF (BHF) etches at 0.5 – 1 nm/min
– H3PO4 etches at 10 nm/min at 180oC
• Selective to oxides and silicon
• SiO2 etching
– BHF etches at 100 ‐250 nm/min
– HF etches extremely fast
• Etch rates vary depending on film quality

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 22
UAHuntsville
 Standard Silicon Clean
• Prepares silicon for use as a  • Step 1 ‐ Piranha/SPM
substrate – 4:1 H2SO4 (40%):H2O2 (30%) @ 90 C for 15 min
• Performed immediately before  – Removes organic contaminants
LPCVD or oxidation processes to  • Step 2 ‐ DI water rinse
remove contaminants • Step 3 ‐ DHF
• SC1 – HF (2%) for 30 sec
– Etches silicon and leaves a thin oxide  • Step 4 ‐ DI water rinse
surface.
– Oxide surface combined with alkaline pH 
• Step 5 (SC‐1/APM)
value of SC1 solution produces negative  – 1:1:5 NH4OH (29%):H2O2 (30%) H2O at 70 C for 10 
charges on the surface.  min
– Electrostatic repulsion between the  – removes particulate contaminants
removed particle and the oxide surface 
will prevent particle redeposition. – desorbs trace metals (Au, Ag, Cu, Ni, etc.)
– Some materials such as alkalis, Fe, Al, Mg  • Step 6 ‐ DI water rinse
remain insoluble
• Step 7 ‐ SC‐2
• SC2 – 1:1:5 HCl (30%):H2O2 (30%):H2O at 70 C for 10 min
– Removes metals, hydroxides, and 
complexing residuals from the surface. – dissolves alkali ions and hydroxides of Al3+, Fe3+, 
Mg3+
• Can be followed by a quick HF rince 
to remove all oxide from the  – desorbs by complexing residual metals
surface prior to step 8 • Step 8 ‐ DI water rinse
• Step 9 ‐ Spin rinse dry
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 23
UAHuntsville
 Common Metal Etches
• Titanium • Chromium
– 1% HF etches at 30 nm/min – Chrome etch (commercial)
• KMnO4 : NaOH : H2O 
• Copper
– 5% HCl in H20 works
– HNO3 5% in H20 works well
– HCl in H2O2 1:1
– NH4OH/H2O2 1:1
• Gold
• Nickel
– KI, I2, H20
– HNO3 5% in H20 works well
• Silver
• Aluminum – HNO3
– HCl  5% in H20 works well – NH4OH/H2O2 1:1
– H3PO4 /HNO3/HAc
– NaOH  5% in H20 works well

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 24
UAHuntsville