Infineon FP100R06KE3 DS v02 - 00 en - de

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP100R06KE3
EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT³undEmitterControlled3Diode
EconoPIM™3modulewithfasttrench/fiedstopIGBT³andEmitterControlled3diode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 600 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 200 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 335 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,45 1,90 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,60 V
IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,70 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,10 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,10 µs
RGon = 24 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,06 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,065 µs
RGon = 24 Ω Tvj = 150°C 0,07 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,60 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,65 µs
RGoff = 24 Ω Tvj = 150°C 0,70 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,10 µs
RGoff = 24 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 4,85 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 5,70 mJ
RGon = 24 Ω Tvj = 150°C 6,00 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 3,70 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 4,40 mJ
RGoff = 24 Ω Tvj = 150°C 4,60 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 700 A
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 500 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,45 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,14 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS revision:2.0
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 600 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 100 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 200 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 1100 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 990 A²s

Durchlassspannung IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,55 1,95 V
Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,50 V
IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,45 V
Rückstromspitze IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 50,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 60,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 65,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 3,00 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 6,30 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 7,50 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,50 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 1,05 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 1,30 mJ
proDiode/perdiode RthJC 0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,25 K/W
Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM 100 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM 100 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 740 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 580 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 2750 A²s
I²t
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 1700 A²s

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 100 A VF 1,10 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Reversecurrent
RthCH 0,155 K/W
Tvj op -40 150 °C
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 600 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 100 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 190 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,45 1,90 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,60 V
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,70 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,10 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,10 µs
RGon = 43 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,06 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,065 µs
RGon = 43 Ω Tvj = 150°C 0,07 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,60 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,65 µs
RGoff = 43 Ω Tvj = 150°C 0,70 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,04 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGoff = 43 Ω Tvj = 150°C 0,06 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 2,30 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 2,75 mJ
RGon = 43 Ω Tvj = 150°C 2,90 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 1,75 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 2,10 mJ
RGoff = 43 Ω Tvj = 150°C 2,15 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 350 A
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 250 A
proIGBT/perIGBT RthJC 0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,25 K/W
Tvj op -40 150 °C
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Dauergleichstrom
IF 30 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 60 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 90,0 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 82,0 A²s

Durchlassspannung IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 22,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 24,0 A
Tvj = 150°C 27,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,15 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 2,30 µC
Tvj = 150°C 2,70 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,12 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,30 mJ
Tvj = 150°C 0,36 mJ
RthCH 0,56 K/W
Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 7,5
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 225
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,009 K/W
Modulstreuinduktivität
LsCE 60 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 4,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 2,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper 175 °C
Tvj max
Maximumjunctiontemperature Gleichrichter/rectifier 150 °C
TemperaturimSchaltbetrieb Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper -40 150 °C
Tvj op
Temperatureunderswitchingconditions Gleichrichter/rectifier -40 150 °C
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 300 g
Weight
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
200 200
Tvj = 25°C VGE = 19V
180 Tvj = 125°C 180 VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
VGE = 13V
160 160 VGE = 11V
VGE = 9V
140 140
120 120
IC [A]
IC [A]
100 100
80 80
60 60
40 40
20 20
0 0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=24Ω,RGoff=24Ω,VCE=300V
200 20
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
180 Tvj = 125°C 18 Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
160 16
140 14
120 12
E [mJ]
IC [A]
100 10
80 8
60 6
40 4
20 2
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VGE [V] IC [A]
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V
26 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
24 Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
22 Eoff, Tvj = 150°C
20
18
16
ZthJC [K/W]
14
E [mJ]
0,1
12
10
4 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,027 0,1485 0,144 0,1305
2 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0 0,01
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF) Erec=f(IF)
RGon=24Ω,VCE=300V
200 1,6
Tvj = 25°C Erec, Tvj = 125°C
180 Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C 1,4
160
1,2
140
1,0
120
E [mJ]
IF [A]
100 0,8
80
0,6
60
0,4
40
0,2
20
0 0,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V] IF [A]
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
switchinglossesDiode,Inverter(typical) transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Erec=f(RG) ZthJC=f(t)
IF=100A,VCE=300V
2,8 1
Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode
2,6 Erec, Tvj = 150°C
2,4
2,2
2,0
1,8
1,6
ZthJC [K/W]
E [mJ]
1,4 0,1
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0,2
0,0 0,01
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF) IC=f(VCE)
VGE=15V
200 100
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
180 Tvj = 150°C 90 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
160 80
140 70
120 60
IC [A]
IF [A]
100 50
80 40
60 30
40 20
20 10
0 0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VF [V] VCE [V]
8
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
IF=f(VF) R=f(T)
60 100000
Tvj = 25°C Rtyp
54 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
48
42
10000
36
IF [A]
R[Ω]
30
24
1000
18
12
0 100
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 0 20 40 60 80 100 120 140 160
VF [V] TC [°C]
9
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fineon
10
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
11

Infineon FP100R06KE3 DS v02 - 00 en - de

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