TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode
62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlleddiode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 200 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 320 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  400  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  1100  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,75 2,15 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,05 V
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,10 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  1,80  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  3,8  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  14,0  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,50  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,16 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,17  µs
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C 0,18 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,04 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,045  µs
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C 0,50 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,45 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,52  µs
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C 0,54 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,10 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,16  µs
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C 0,16 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 10,0 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon  15,0  mJ
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C 17,0 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 14,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff  20,0  mJ
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C 23,0 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 800 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,135 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,034 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  200  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  400  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 7800 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 7400 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,15 V
Forwardvoltage IF = 200 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 200 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 200 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 230 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  250  A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 260 A
Sperrverzögerungsladung IF = 200 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 20,0 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  32,0  µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 45,0 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 200 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 9,00 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  16,0  mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 17,5 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   0,20 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,05 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
   Cu  
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al2O3  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 29,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 23,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 23,0
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 400  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH  0,01 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
 LsCE  20  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  0,70  mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 2,5 - 5,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  340  g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

400 400
Tvj = 25°C VGE = 19V
360 Tvj = 125°C 360 VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
VGE = 13V
320 320 VGE = 11V
VGE = 9V
280 280

240 240
IC [A]

IC [A]
200 200

160 160

120 120

80 80

40 40

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=600V

400 50
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
360 Tvj = 125°C 45 Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
320 40

280 35

240 30
E [mJ]
IC [A]

200 25

160 20

120 15

80 10

40 5

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 50 100 150 200 250 300 350 400
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=200A,VCE=600V

100 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
90 Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80

70
0,1
60

ZthJC [K/W]
E [mJ]

50

40
0,01
30

20
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0081 0,04455 0,0432 0,03915
10 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1

0 0,001
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=150°C
450 400
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip 360 Tvj = 125°C
400 Tvj = 150°C

320
350

280
300
240
250
IC [A]

IF [A]

200
200
160
150
120

100
80

50 40

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF200R12KT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=2.4Ω,VCE=600V IF=200A,VCE=600V

24 22
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C 20 Erec, Tvj = 150°C

20 18

16
16
14

12
E [mJ]

E [mJ]
12
10

8
8
6

4 4

0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

1
ZthJC : Diode

0,1
ZthJC [K/W]

0,01

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,012 0,066 0,064 0,058
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

j n

j n

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.

Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

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