Infineon FS450R17KE4 DS v02 - 01 EN

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R17KE4
EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT4undEmitterControlled³Diode
EconoPACK™+modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled³diode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1700 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 450 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 600 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 900 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 2500 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,95 2,30 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,35 V
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,45 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 18,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 4,60 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 1,7 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 36,0 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,15 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 3,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 900 V Tvj = 25°C 0,21 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,26 µs
RGon = 3,3 Ω Tvj = 150°C 0,26 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 900 V Tvj = 25°C 0,11 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,12 µs
RGon = 3,3 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 900 V Tvj = 25°C 0,80 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,95 µs
RGoff = 3,3 Ω Tvj = 150°C 1,00 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 900 V Tvj = 25°C 0,30 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,50 µs
RGoff = 3,3 Ω Tvj = 150°C 0,60 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 450 A, VCE = 900 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C 105 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 3900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 135 mJ
RGon = 3,3 Ω Tvj = 150°C 145 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 450 A, VCE = 900 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C 98,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 155 mJ
RGoff = 3,3 Ω Tvj = 150°C 170 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 2300 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,06 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,048 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:HS dateofpublication:2013-11-04
approvedby:WR revision:2.1
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1700 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 450 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 900 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 20000 A²s
I²t-value

Durchlassspannung IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,80 2,20 V
Forwardvoltage IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,90 V
IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,95 V
Rückstromspitze IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 480 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 900 V Tvj = 125°C IRM 550 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 585 A
Sperrverzögerungsladung IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 95,0 µC
Recoveredcharge VR = 900 V Tvj = 125°C Qr 170 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 190 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 60,0 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 900 V Tvj = 125°C Erec 110 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 125 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,10 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,08 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 14,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 18,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 12,5
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,005 K/W
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,10 mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 150 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 916 g
Weight
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
900 900
Tvj = 25°C VGE = 20V
Tvj = 125°C VGE = 15V
Tvj = 150°C VGE = 12V
750 750 VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
600 600
IC [A]
IC [A]
450 450
300 300
150 150
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=900V
900 500
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C 450 Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C
750 Eoff, Tvj = 150°C
400
350
600
300
E [mJ]
IC [A]
450 250
200
300
150
100
150
50
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 150 300 450 600 750 900
VGE [V] IC [A]
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=450A,VCE=900V
800 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eon, Tvj = 150°C
700 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
600
500
ZthJC [K/W]
E [mJ]
400 0,01
300
200
i: 1 2 3 4
100 ri[K/W]: 0,002 0,0092 0,0426 0,0063
τi[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6
0 0,001
0 5 10 15 20 25 30 35 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C
1050 900
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip Tvj = 125°C
900 Tvj = 150°C
750
750
600
600
IC [A]
IF [A]
450
450
300
300
150
150
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=3.3Ω,VCE=900V IF=450A,VCE=900V
180 150
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C 140 Erec, Tvj = 150°C
160
130
140 120
110
120
100
100 90
E [mJ]
E [mJ]
80 80
70
60
60
40 50
40
20
30
0 20
0 150 300 450 600 750 900 0 5 10 15 20 25 30 35
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)
1 100000
ZthJC : Diode Rtyp
0,1 10000
ZthJC [K/W]
R[Ω]
0,01 1000
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0063 0,0238 0,0629 0,007
τi[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6
0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [°C]
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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