N 沟道增强型场效应晶体管

R N-CHANNEL MOSFET

JCS7N60
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package

ID 7.0 A
VDSS 600 V
Rdson（@Vgs=10V） 1.2 Ω
Qg 54 nC

用途 APPLICATIONS
z 高频开关电源 z High efficiency switch
z 电子镇流器 mode power supplies
z UPS 电源 z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS

产品特性 FEATURES
z 低栅极电荷 z Low gate charge
z 低 Crss (典型值 23pF) z Low Crss (typical 23pF )
z 开关速度快 z Fast switching
z 产品全部经过雪崩测试 z 100% avalanche tested
z 高抗 dv/dt 能力 z Improved dv/dt capability
z RoHS 产品 z RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

无卤素
订 货 型 号 印 记 封 装 包 装 器件重量
Halogen
Order codes Marking Package Packaging Device Weight
Free
JCS7N60S-O-S-N-B JCS7N60S TO-263 否 NO 条管 Tube 1.37 g(typ)
JCS7N60B-O-B-N-B JCS7N60B TO-262 否 NO 条管 Tube 1.71 g(typ)
JCS7N60C-O-C-N-B JCS7N60C TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.15 g(typ)
JCS7N60F-O-F-N-B JCS7N60F TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ)

版本：201006A 1/12
 R JCS7N60
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项 目 符 号
Value 单 位
Parameter Symbol
JCS7N60S/B/C JCS7N60F Unit
最高漏极－源极直流电压
VDSS 600 600 V
Drain-Source Voltage
ID 7.0 7.0* A
连续漏极电流
T=25℃
Drain Current -continuous 4.4 4.4* A
T=100℃
最大脉冲漏极电流（注 1）
IDM 28 28* A
Drain Current - pulse （note 1）
最高栅源电压
VGSS ±30 V
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
EAS 420 mJ
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注 1）
IAR 7.0 A
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩能量（注 1）
EAR 14.7 mJ
Repetitive Avalanche Current（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
dv/dt 5.5 V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
PD 147 48 W
TC=25℃
耗散功率
-Derate
Power Dissipation 1.18 0.38 W/℃
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature TJ，TSTG -55～+150 ℃
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for TL 300 ℃
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature

版本：201006A 2/12
 R JCS7N60
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项 目 符 号 测试条件 最小 典型 最 大 单 位
Parameter Symbol Tests conditions Min Typ Max Units
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
BVDSS ID=250μA, VGS=0V 600 - - V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
Breakdown Voltage Temperature - 0.65 - V/℃
TJ 25℃
Coefficient
VDS=600V,VGS=0V,
零栅压下漏极漏电流 - - 10 μA
IDSS TC=25℃
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=480V, TC=125℃ - - 100 μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 nA
forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA
reverse
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 4.0 V
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source RDS(ON) VGS =10V , ID=3.5A - 1.0 1.2 Ω
On-Resistance
正向跨导
gfs VDS = 40V, ID=3.5A（note 4） - 8.2 - S
Forward Transconductance
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容 VDS=25V,
Ciss - 1380 1800 pF
Input capacitance VGS =0V,
输出电容 f=1.0MHZ
Coss - 115 150 pF
Output capacitance
反向传输电容
Crss - 23 30 pF
Reverse transfer capacitance

版本：201006A 3/12
 R JCS7N60
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time td(on) VDD=300V,ID=7A,RG=25Ω - 30 70 ns
上升时间 Turn-On rise time tr （note 4，5） - 80 170 ns
延迟时间 Turn-Off delay time td(off) - 125 260 ns
下降时间 Turn-Off Fall time tf - 85 180 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg VDS =480V , - 54 65 nC
栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs ID=7A - 6.8 - nC
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VGS =10V （note 4，5） - 23 - nC

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain IS - - 7.0 A
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source ISM - - 28 A
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward VSD VGS=0V, IS=7.0A - - 1.4 V
Voltage
反向恢复时间
trr - 415 - ns
Reverse recovery time VGS=0V, IS=7.0A
反向恢复电荷 dIF/dt=100A/μs (note 4)
Qrr - 4.6 - μC
Reverse recovery charge
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项 目 符 号 单 位
Max
Parameter Symbol Unit
JCS7N60S/B/C JCS7N60F
结到管壳的热阻
Rth(j-c) 0.85 2.6 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-A) 62.5 62.5 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient

注释： Notes:
1：脉冲宽度由最高结温限制 1 ： Pulse width limited by maximum junction
2：L=15.7mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始 temperature
结温 TJ=25℃ 2：L=15.7mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
3：ISD ≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃
TJ=25℃ 3 ： ISD ≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ TJ=25℃
5：基本与工作温度无关 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature

版本：201006A 4/12
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特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

On-Region Characteristics Transfer Characteristics

VGS
Top 15V
10V
8V 10
10 7V
6.5V 25℃
6V
5.5V

ID [A]
Bottom 5V
ID [A]

150℃

Notes：
Notes：
1 1. 250μs pulse test
1.250μs pulse test
2. TC=25℃
2.VDS=40V
0.1
1 10 2 4 6 8 10

VDS [V] VGS [V]

On-Resistance Variation vs. Body Diode Forward Voltage Variation

Drain Current and Gate Voltage vs. Source Current and Temperature
1.40

1.35 10

1.30
VGS=10V
RDS (on ) [ Ω ]

1.25
IDR [A]

1.20
25℃
1.15 1

1.10
VGS=20V 150℃
Notes：
1.05
1. 250μs pulse test
1.00 Note ：T j=25℃ 2. VGS=0V

0.95 0.1
0 2 4 6 8 10 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

ID [A] VSD [V]

Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics

12

VDS=480V
10
VDS=300V
VGS Gate Source Voltage[V]

8 VDS=120V

0
0 10 20 30 40 50 60

Qg Toltal Gate Charge [nC]

版本：201006A 5/12
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特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Breakdown Voltage Variation On-Resistance Variation

vs. Temperature vs. Temperature
1.2 3.0

2.5
BVDS (Normalized)

1.1

RD (on ) (Normalized)
2.0

1.0 1.5

1.0

0.9
Notes： Notes：
0.5 1. VGS=10V
1. VGS=0V
2. ID=250μA 2. ID=3.5A
0.0
0.8 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj [ ℃ ]
T j [℃ ]

Maximum Safe Operating Area Maximum Safe Operating Area

For JCS7N60S/B/C For JCS7N60F

Maximum Drain Current

vs. Case Temperature

版本：201006A 6/12
 R JCS7N60
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Transient Thermal Response Curve

For JCS7N60S/B/C

Transient Thermal Response Curve

For JCS7N60F

版本：201006A 7/12
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外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-262 单位 Unit：mm

版本：201006A 8/12
 R JCS7N60
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-263 单位 Unit：mm

版本：201006A 9/12
 R JCS7N60
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220C 单位 Unit：mm

版本：201006A 10/12
 R JCS7N60
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220MF 单位 Unit：mm

版本：201006A 11/12
 R JCS7N60
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为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
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2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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版本：201006A
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12/12