N 沟道增强型场效应晶体管

R N-CHANNEL MOSFET

JCS9N50F
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package

ID 8 A
VDSS 500 V
Rdson-max
0.8 Ω
（@Vgs=10V）
Qg-typ 59 nC

用途 APPLICATIONS
 高频开关电源  High efficiency switch
 电子镇流器 mode power supplies
 UPS 电源  Electronic lamp ballasts
based on half bridge
 UPS

产品特性 FEATURES
 低栅极电荷  Low gate charge
 低C rss (典型值 35pF)
B B
 Low C rss (typical 35pF )
B B

 开关速度快  Fast switching

 产品全部经过雪崩测试  100% avalanche tested
 高抗 dv/dt 能力  Improved dv/dt capability
 RoHS 产品  RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

订 货 型 号 印 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量
Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight
JCS9N50F-O-F-N-B JCS9N50F TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ)
JCS9N50F-O-F1-N-B JCS9N50F TO-220MF-K1 否 NO 条管 Tube 1.78 g(typ)

版本：201604C 1/8
 R JCS9N50F
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项 目 符 号 Value 单
Parameter Symbol JCS9N50F JCS9N50F 位
(TO-220MF) (TO-220MF-K1) Unit
最高漏极－源极直流电压
V DSS B B 500 V
Drain-Source Voltage
ID 8.0* A
连续漏极电流
B

T=25℃
B

Drain Current -continuous 5.1* A

T=100℃
最大脉冲漏极电流（注 1）
I DM 32* A
（note 1）
B B

Drain Current - pulse

最高栅源电压
V GSS B B ±30 V
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note E AS B B 320 mJ
2）
雪崩电流（注 1）
I ARB B 8.0 A
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩能量（注 1）
E AR 13.4 mJ
Repetitive Avalanche Current（note 1）
B B

二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3） dv/dt 3.5 V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
PD B 53 48 W
T C =25℃
耗散功率
B B B

-Derate
Power Dissipation 0.42 0.39 W/℃
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature T J ，T STG
B B B B -55～+150 ℃
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for TL B B 300 ℃
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature

版本：201604C 2/10
 R JCS9N50F
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项 目 符 号 测试条件 最小 典型 最大 单位
Parameter Symbol Tests conditions Min Typ Max Units
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
BV DSS B B I D =250μA, V GS =0V
B B B B 500 - - V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBV DSS /Δ I D =250μA, referenced to
B B B B

Breakdown Voltage Temperature - 0.55 - V/℃

TJ B 25℃
B

Coefficient
V DS =500V,V GS =0V,
零栅压下漏极漏电流
B B B B

- - 10 μA
I DSS
B B T C =25℃
B B

Zero Gate Voltage Drain Current

V DS =400V,
B B T C =125℃ B B - - 100 μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, I GSSF
B B V DS =0V, V GS =30V
B B B B - - 100 nA
forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, I GSSR
B B V DS =0V, V GS =-30V
B B B B - - -100 nA
reverse
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
V GS(th)
B B V DS = V GS , I D =250μA
B B B B B B 2.0 - 4.0 V
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source R DS(ON)B B V GS =10V , I D =4.0A
B B B B - 0.65 0.8 Ω
On-Resistance
正向跨导 V DS = 40V, I D =4.0A（note
B B B B

g fsB B
- 7.3 - S
Forward Transconductance 4）
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容 V DS =25V,
B B

C iss B B - 1400 1800 pF

Input capacitance V GS =0V,
B B

输出电容 f=1.0MH Z B B

C oss B B - 145 190 pF

Output capacitance
反向传输电容
C rss B B - 35 45 pF
Reverse transfer capacitance

版本：201604C 3/10
 R JCS9N50F
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time t d (on)
B B V DD =250V,I D =8.0A,R G =25
B B B B B B - 22 55 ns
上升时间 Turn-On rise time tr B B
Ω - 65 140 ns
延迟时间 Turn-Off delay time t d (off)
B B
（note 4，5） - 125 260 ns
下降时间 Turn-Off Fall time tf B B - 75 160 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg B B V DS =400V ,
B B - 59 70 nC
栅－源电荷 Gate-Source charge Q gs B B
I D =8.0A
B B

- 6.5 - nC
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Q gd B B
V GS =10V （note 4，5）
B B

- 28 - nC

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain IS B B - - 8.0 A
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source I SMB B - - 32 A
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward V SD B B V GS =0V,
B B I S =8.0A
B B - - 1.4 V
Voltage
反向恢复时间
t rrB B - 390 - ns
Reverse recovery time V GS =0V, I S =8.0A
B B B B

反向恢复电荷 dI F /dt=100A/μs (note 4)

B B

Q rr B BBB - 4.2 - μC
Reverse recovery charge
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项 目 符 号 Max 单 位
Parameter Symbol JCS9N50F JCS9N50F Unit
(TO-220MF) (TO-220MF-K1)
结到管壳的热阻
Rth(j-c) 2.36 2.59 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-A) 35.2 42.3 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient

注释： Notes:
1：脉冲宽度由最高结温限制 1 ： Pulse width limited by maximum junction
2：L=9.0mH, I AS =8.0A, V DD =50V,
B B B B R G =25 Ω,起始
B B
temperature
结温T J =25℃ B B
2：L=9.0mH, I AS =8.0A, V DD =50V, R G =25 Ω,Starting B B B B B B

3：I SD ≤8.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV DSS ,起始结温

B B B B
T J =25℃B B

T J =25℃
B B
3 ： I SD ≤8.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV DSS , Starting
B B B B

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ T J =25℃ B B

5：基本与工作温度无关 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201604C 4/10
 R JCS9N50F
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
On-Region Characteristics Transfer Characteristics

VGS
Top 15V
10V
8V
7V 10
6.5V
6V
10 5.5V 150℃

I D [A]
Bottom 5V
ID [A]

25℃
Notes： Notes：
1. 250μs pulse test 1.250μs pulse test
2. TC=25℃ 2.VDS=40V
0.1
1 2 4 6 8
1 10
VDS[V] V GS [V]

On-Resistance Variation vs. Body Diode Forward Voltage Variation

Drain Current and Gate Voltage vs. Source Current and Temperature

1.00
10
0.95
R DS (on ) [ Ω ]

I DR [A]

0.90
VGS=10V
25℃
0.85

0.80 VGS=20V 1

0.75

150℃ Notes：
0.70
1. 250μs pulse test
Note ：Tj=25℃
0.65 2. VGS=0V
0.1
0 5 10 15
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
I D [A]
V SD [V]

Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics

12

VDS=400V
10
VGS Gate Source Voltage[V]

VDS=250V
8 VDS=100V

0
0 10 20 30 40 50 60
Qg Toltal Gate Charge [nC]

版本：201604C 5/10
 R JCS9N50F
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
1.2 3.0

2.5

RD (on ) (Normalized)
BV DS (Normalized)

1.1

2.0

1.0 1.5

1.0

0.9
Notes： Notes：
1. VGS=0V 1. VGS=10V
0.5
2. ID=250μA 2. ID=4.0A

0.8 0.0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150

T j [℃ ] T j [ ℃]

Maximum Safe Operating Area Maximum Safe Operating Area

For JCS9N50F（TO-220MF） For JCS9N50F（TO-220MF-K1）

Operation in This Area

2
is Limited by RDS(ON)
10
ID Drain Current [A]

10μs
1
10
100μs
1ms

0 10ms
10
Note: 100ms
1 TC=25℃
-1
2 TJ=150℃ DC
10
3 Single Pulse
0 1 2 3
10 10 10 10
VDS Drain-Source Voltage [V]

Maximum Drain Current

vs. Case Temperature

版本：201604C 6/10
 R JCS9N50F
Transient Thermal Response Curve
For JCS9N50F（TO-220MF）

Transient Thermal Response Curve

For JCS9N50F（TO-220MF-K1）

版本：201604C 7/10
 R JCS9N50F
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF 单位 Unit：mm

版本：201604C 8/10
 R JCS9N50F
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF-K1 单位 Unit：mm

版本：201604C 9/10
 R JCS9N50F
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版本：201604C 10/10