‫‪ -2‬اساسيات تصنيع الدوائر المتكامله‬

‫تعتمد فكرة صناعة الدائرة المتكاملة على خطوات متوالٌة‪:‬‬

‫‪ -1‬تكوٌن سبٌكة سٌلكون إسطوانٌة مصمتة من النوع‪( P-‬النمو البلورى)‬
‫‪ -2‬تمطٌع اإلسطوانة إلى ألراص)‪(wafer‬‬
‫‪ -3‬ترسٌب طبمة رفٌعة من النوع‪N-‬‬
‫‪ -4‬حمن مادة شوائب من النوع ‪ P-‬لصنع لاعدة الترانزستور والمماومات‬
‫‪ -5‬ترسٌب طبمة من مادة حساسة للضوء‬
‫‪ -6‬تعرٌض المناطك المراد حمنها للضوء‬
‫‪ -7‬حمن مادة شوائب من النوع ‪P-‬‬
‫‪ -8‬تكرار نفس الخطوات ولكن بمادة شوائب من النوع ‪ N‬لصنع باعث الترانزستورات‬
‫‪ -9‬تكرار نفس الخطوات للحمن بمادة شوائب من النوع ‪ P-‬للعزل بٌن الترانزستو رات‬
‫‪ -10‬ترسٌب طبمة أوكسٌد للعزل‬
‫‪ -11‬ثمب طبمة األوكسٌد فً أماكن التوصٌل وصب األلمونٌوم بها كأبر توصٌل‪.‬‬

‫‪Figure 16: Various steps in IC manufacture. (a) Conversion of sand to polycrystalline Si (b) Poly‬‬
‫‪Si to single crystal wafers. (c) IC fabrication (d) Packaging for _nal use (e) Electrical testing.‬‬
‫‪Adapted from Microchip fabrication - Peter van Zant.‬‬

‫‪1‬‬
 ‫‪ 1-2‬تكوين قالب سيلكون إسطوانی مصمت من النوع‪( P-‬النمو البلورى الحجمى)‬
‫وٌتم ذلن على ثالث مراحل‬
‫(أ) تحويل الرمله والكوارتز الى سيليكون تجارى‬

‫ٌتم الحصول على السٌلٌكون والجرمانٌوم تبعا للمصادر الطبٌعٌة الشائعة فً الغالب من بلورات الكوارتز‬
‫‪ quarts‬والرمل ‪ sand‬مثل ‪ . SiHCL- SiCL4 – SiO2‬وتعالج فً أفران مع الكربون وبدرجة حرارة‬
‫عالٌة ومثال لذلن ٌتفاعل ‪ SiO2‬مع الكربون عند درجة حرارة ‪ 1600‬درجة مئوٌة مكون أوال ‪ SiC‬الذى‬
‫ٌتفاعل مع ‪SiO2‬عند درجة حرارة ‪ 1780‬درجة مئوٌة مكون سٌلٌكون ‪ Si‬سائل‪.‬تسمى هذة العلمٌة بعملٌة‬
‫المطب الكهربائى المغمور ‪ ،‬المعادلة الكٌمٌائٌة الكلٌة لهذا التفاعل كالتالً‬

‫‪Figure 1: Schematic of the submerged arc electrode process. SiO2 is mixed with coke and heated.‬‬
‫‪It _rst forms SiC, which further reacts with the remaining SiO2 forming silicon. The temperature‬‬
‫‪is maintained above the melting point of silicon so that the molten semiconductor is removed‬‬
‫‪from the bottom. Adapted from Synthesis and puri_cation of bulk semiconductors - Barron and‬‬
‫‪Smith‬‬

‫ٌتم بهذة الطرٌمة الحصول على سٌلٌكون نمً بنسبة ‪ 98%‬وٌسمى بالسٌلٌكون التجارى‪ ،‬إال أن هذه الكمٌة‬
‫من الشوائب التً تكون موجودة فٌه تعتبر عالٌة بالنسبة إلستخدامه كمادة شبه موصلة حٌث أن درجة نماوة‬
‫السٌلٌكون المستعملة فً صناعة الدوائر المتكاملة ٌجب أن تكون عالٌة وبحدود ذرة شوائب واحدة ممابل‬
‫بلٌون ذرة من السٌلٌكون (جزء من البلٌون) ‪.‬‬

‫(ب) تحويل سيليكون التجارى الى سيليكون نقى متعدد البلورة‬

‫‪2‬‬
 ‫أحد التمنٌات المستخدمة لتحمٌك درجة النماوة المطلوبة لصناعة الدوائر المتكاملة هى عملٌة سٌمٌنز‬
‫‪ ،process Seimens‬وٌتم هذا اوالَ بتفاعل السٌلٌكون مع ‪( HCl‬غاز) لٌنتج ‪ tricholorosilane‬فى‬
‫الحاله الغازٌة‬

‫فى هذا التفاعل ٌتم التخلص من الشوائب وٌمكن أعادة التفاعل للتأكد من درجة النماوه العالٌة‪.‬‬
‫وبعد هذا ٌتم تمرٌر غاز الهٌدروجٌن على ‪ SiHCl3‬خالل مفاعل ٌسمى مفاعل ترسٌب سٌمٌنز فى درجة‬
‫حراة ‪ 300‬درجة مئوٌة للحصول على لالب من السٌلٌكون النمى‪.‬‬

‫الشكل أدناه ٌبٌن مفاعل ترسٌب سٌمٌنز‪.‬‬

‫‪Figure 3: The Siemens deposition reactor where the purified Si is condensed. This is the‬‬
‫‪electronic grade Si, same purity level as Si wafers, but polycrystalline. Adapted from Synthesis‬‬
‫‪and purification of bulk semiconductors - Barron and Smith‬‬

‫الجدول بين مقارنة بين كمية الشوائب لبعض العناصر فى السيليكون المستخلص بالعمليتين السابقتين‬

‫التنمٌة بعملٌة سٌمٌنز‬ ‫العنصر التنمٌة المطب الكهربائى المغمور‬

‫التركٌز جزءلكل بلٌون‬ ‫التركٌز جزءلكل بلٌون‬
‫< ‪0.1‬‬ ‫‪60 - 40‬‬ ‫‪B‬‬
‫‪0.1‬‬ ‫‪45 - 15 Cu‬‬
‫< ‪0.3‬‬ ‫‪50 - 20‬‬ ‫‪P‬‬

‫التركٌب البلورى للسٌليكون المنتج بهذه الطرٌمة هو تركٌب بلورى متعدد البلور ات )‪)polycrystalline‬‬
‫ففً هذه المرحلة ٌكون لدٌنا جامد متعدد البلور ات ٌتكون من عدة بلورات صغٌرة المماسات لها إتجاهات‬
‫عشوائٌة وتحتوي على عٌوب كثٌرة فً الشبٌكة البلورٌة ‪ .‬وحٌث أن من شروط المادة المستخدمة فى‬
‫صناعة الدوائر المتكاملة أن تكون ذو تركٌب بلورى واحد )‪ ، (Crystalline‬فٌجب تحوٌل السٌلٌكون‬
‫المنتج بعملٌة سٌمٌنز الى سٌلٌكون بلورى‪.‬‬

‫‪3‬‬
 ‫(ج) تحويل السيليكون متعدد البلورات الى سيليكون بلورى واحد‬

‫هنان طرٌمتان رئٌسٌتان لتحوٌل السٌلٌكون متعدد البلورات إلى لالب )‪ (Ingot‬سٌلٌكون بلورى واحد‪ ،‬والذى‬
‫تستخدم للحصول على رلائك )‪ (Wafer‬السٌلٌكون النهائٌة الجاهزة للتصنٌع‪:‬‬
‫‪ .1‬طريقة تشكرالسكى (‪– )Czochralski‬‬
‫هذه هً التمنٌة السائدة لصناعة سٌلٌكون ذو تركٌب بلورى واحد‪ .‬وهً مناسبة بشكل خاص للرلائك الكبٌرة‬
‫المستخدمة حالٌا ً فً تصنٌع الدوائرالمتكاملة ‪.IC‬‬
‫‪.2‬طريقة المنطقة العائمة (‪– )Float zone technique‬‬
‫وهً مناسبة بشكل أساسً للرلائك الصغٌرة الحجم‪ٌ .‬تم استخدام تمنٌة المنطمة العائمة إلنتاج رلائك خاصة‬
‫لدٌها تركٌز منخفض من شوائب األكسجٌن‪.‬‬
‫‪ -1‬طريقة النمو البلورى لتشكرالسكى‪.‬‬
‫ٌبٌن الشكل أدناة مخطط للجهاز المستخدم فى هذة الطرٌمة‬

‫تمنٌة تشونرالسكً للنمو البلوري‬ ‫شكل (‪3‬ـ‪: )2‬‬

‫‪4‬‬
 ‫المادة األولٌة لعملٌة تشكرالسكى هى مادة السٌلٌكون النمٌة ذو تركٌب متعدد البلورة الموضوعة فى بوتمة‬
‫مصنوع من مادة الجرافٌت كما هو موضح بالشكل‪ٌ.‬تم تسخٌن البوتمة لدرجة حرارة فوق ‪ 1500‬درجة‬
‫مئوٌة وهى درجة حرارة أعلى من درجة أنصهار السٌلٌكون ‪ 1412‬درجة مئوٌة‪ .‬عملٌا تغمر بلورة البذرة‬
‫(بلورات البذور تساعدنا فً الحصول على بلورات كبٌرة ذو تركٌب بلورى واحد‪ .‬تحتوي البذور على نفس‬
‫التركٌب الكٌمٌائً كما فً البلورة األكبر‪.‬تعمل بلورة البذرة كنواة لنمو البلورة كبٌرة لها نفس التركٌب‬
‫الكٌمٌائى والبنٌة البلورٌة كبلورة البذرة‪ .).‬فى مصهور السٌلٌكون ثم يسحب ببطء بواسطة آلٌة سحب‬
‫ضا أثناء سحبها لضمان التماثل عبر السطح‪ .‬وٌتم تدوٌر الفرن فً االتجاه‬ ‫البلورة‪ٌ .‬تم تدوٌر بلورة البذرة أٌ ً‬
‫المعاكس ألتجاة دوران بلورة البذرة‪ . .‬فإذا تم التحكم فى معدل السحب و درجة الحرارة بشكل صحٌح فإن‬
‫عملٌة التحول (من مصهور الى جامد ) والتداخل(من متعدد البلورة الى تركٌب بلورى واحد) بٌن السائل‬
‫والجامد تبمً لرٌبة من السطح المنصهر حٌث ٌحدث سحب طولً ونحصل على لالب ذو تركٌب بلورى‬
‫واحد‪ .‬هذه المعالجة ٌجب أن تتم ضمن محٌط من الغازات الخاملة مثل األرجون او الهٌلٌوم وذلن لمنع‬
‫حدوث األكسدة‪ .‬إن التحكم فً سرعة السحب وسرعة دوران آللٌة سحب البلورة من العوامل الحاسمة‬
‫لنوعٌة البلورة أحادٌة التركٌب البلورى الجٌدة‪.‬‬

‫مشوبة نوع – ‪ٌ ، P‬تم إضافة المواد الشائبة البورون إلى مصهور السٌلٌكون ‪Si‬‬‫ألنتاج بلورات شبة موصل َ‬
‫بحٌث ٌمكن دمجها فً البلورة النامٌة‪ .‬وبما ان عند منطمة التداخل (الحد الفاصل بٌن المصهور والجامد)‬
‫ٌكون تركٌز الشوائب فً البلورة بحالتها الجامد مختلف من تركٌز الشوائب للبلورة فً حالتها السائلة فإن‬
‫انسبة بٌن هذٌن التركٌزٌن ٌعرف ب معامل التوزٌع ٌرمز له بالرمز‪ Ko‬وٌعطى بالعاللة‬

‫‪ .‬وتكمن اهمٌة معامل التوزٌع فى تحدٌد كمٌة الشوائب الالزم خلطها مع السٌلٌكون المنصهر العطائنا‬
‫التركٌز الشوائب المطلوبة فً السٌلٌكون الجامد‪ ،‬كون تركٌز الشوائب فً البلورة الجامدة تحدد لنا معامل‬
‫المماومة منه تحدد لنا مدي التوصٌلٌة الكهربائٌة لتلن البلورة األحادٌة التركٌب البلورى‪.‬‬

‫ٌالحظ ان الطار لوالب السٌلٌكون التى امكن تصنٌعها بطرٌمة تشنرالسكً وصلت فً نهاٌة ‪1985‬الً‬
‫حدود ‪ 160‬ملم بطول ٌصل الً ‪ 350‬ملم ‪ ،‬ومع بداٌة هذا انقشٌ تًكٍ يٍ انحصىل عهٍ قىانة سُهُكىٌ‬

‫‪5‬‬
‫تقطش ‪ 300‬يهى وطىل حىانٍ انىاحذ يتش تفضم تطور اسالٌب التصنٌع وإدخال الحاسب اآللكترونً بصورة‬
‫مباشرة فً التنفٌذ التكنولوجً العملً‪.‬أما األن ‪ 2012‬تم صناعة لالب السٌلٌكون بمطر ‪ 450‬مم ووزنه ‪450‬‬
‫كجم‪ .‬الشكل أدناه ٌبٌن صورة لمثل هذا المالب السٌلٌكونى‪ .‬والشكل الذى ٌلٌة بٌن تطور الزٌادة فى لطر‬
‫ووزن لالب السٌلٌكون من سنة ‪ 1959‬الى ‪.2015‬‬

‫‪Figure 5: Single crystal Si ingot. This is further processed to get the wafers that are used for‬‬
‫‪fabrication. Source http://www.chipsetc.com/silicon- wafers.html‬‬

‫‪6‬‬
 ‫مثال‬

‫َشاد أَتاج قانة سُهُكىٌ تطشَقح تشكشانسكً تحُث َكىٌ تشكُض انثىسوٌ فً انقانة ‪ 610‬رسج \سى‪( .2‬أ) كى‬
‫َكىٌ تشكُض انثىسوٌ فً انًصهىس نكً َعطً انتشكُض انًطهىب فً انقانة؟ (ب) وارا كاٌ وصٌ انسُهُكىٌ‬
‫فً انثىتقح ‪ 60‬كجى‪ ،‬كى جشاو يٍ انثىسوٌ ( انىصٌ انزسي ‪10.8‬جشاو\يىل) َجة أٌ َضاف انً‬
‫انًصهىسعهًا ً تأٌ يعايم انتىصَع نًادج انثىسوٌ ‪ ، 0.8‬وكثافح انسُهُكىٌ انًصهىس ‪ 2.53‬جشاو\سى ‪،‬‬
‫‪3‬‬

‫وعذد افىجادسو ‪ 310 × 6.02‬رسِ\يىل‪.‬‬

‫انحم‬
‫(أ) تًا أٌ ‪ Ko= 0.8‬و ‪ Cs=106 atom/cm3‬فٌمكن اٌجاد التركٌز فى المصهور كالتالى‬

‫أذا ً تركٌز شوائب البورون فى المصهور هو ‪ 610 × 1.25‬ذره بورون\سم‪.3‬‬

‫(ب)جحم ‪ 60‬كجم من السٌلٌكون المصهور نصل علٌة كاألتى‬

‫ويُها فئٌ انعذد انكهً نزساخ انثىسوٌ فً انًصهىس هً‬

‫‪1.25‬‬

‫ومنها نجد ان عدد الجرامات الواجب أضافتها للمصهور لتعطى التركٌز المطلوب فى الجامد هو‬

‫‪2.96 × 10‬‬
‫‪6.02‬‬

‫‪ -2‬طريقة المنطقة العائمة (‪)Float zone technique‬‬

‫ااج انًتحشكح يا هى يىضح تانشكم ( ‪3‬ـ‪ًَ )1‬كٍ أٌ َؤدٌ إنً تحىَم قانة انسُهُكىٌ‬
‫إٌ إستعًال انًُطقح الع و‬
‫انعانً انُقاوج يتعذد انثهىساخ انً سُهُكىٌ عانً انُقاوج رو تشكُة تهىسي واحذ‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫شكل (‪3‬ـ‪ : )1‬جهاز تنمٌة المنطمة العائمة‬

‫َستحسٍ أستخذاو هزج انطشَقح نهحصىل عهً قىانة سُهُكىٌ صغُشج انحجى خانُح يٍ شىائة األكسجٍُ‬
‫ٌوضع لالب السٌلٌكون بشكل طولً وٌسخن بواسطة ملف ات ترددات رادٌوٌة لابلة للحركة‬
‫رأسٌاً‪ ،‬للحصول على ممطع منصهر ‪ ،‬وتحت تأثٌر لوة الشد السطحٌة فإن السٌلٌكون المنصهر‬
‫لن ٌنفصل عن الغالب ‪.‬‬
‫وبما أن معظم جزٌئات الشوائب المتواجدة فً السٌلٌكون تمٌل إلى المسم المنصهر فبالتالً‬
‫ٌمكن أن تجمع فً منطمة منصهرة ضٌمة ‪ ،‬فإذا تحرن ملف التسخٌن ببطء على طول المالب‬
‫فإنها تأخذ المنطمة المنصهرة معها بإستمرار وبالتالً تسحب معها الشوائب إلى إحدى نهاٌات‬
‫المالب ‪.‬‬
‫‪ 2-2‬تقطیع القالب )‪ (ingot‬الى اقراص رقیقة (رقائق) )‪. (wafer‬‬

‫‪8‬‬
 ‫بعد النمو البلورى لمالب السٌلٌكون العالى النماوة الوحٌد البلورة تتم عملٌة أزالة البذرة من أحد اطراف‬
‫المالب ونهاٌة الطرف األخر من المالب‪ .‬ثم ٌتم جلل المالب حتى ٌكون لطر المالب معروف تماما ً‪ .‬العملٌة‬
‫التى تلٌها هى صمل المالب فى منطمة معٌنة لكى تكون مسطحة على طول المالب كما هو مبٌن بالشكل‪.‬‬

‫هذة المنطمة تشٌر الى أتجاه بلورى معٌن للمالب ونوع توصٌلٌة المادة‪ ،‬وهى شفرة ٌتعرف بها لسم تصنٌع‬
‫الرلائك على األتجاه الواجب أتخاذة عند تصنٌع الدوائر المتكامله وممدار توصٌلٌتها‪.‬‬

‫بعد التمطٌع‪ ،‬تُعالج الرلائك كٌمٌائٌة للتأكد من خلوها من أى األضرارأو تلوثات وذلن بغمرها فى أحواض‬
‫بها خلٌط من حمض الهٌدورفلورٌن ‪ ،‬حمض النترٌن و حمض الخلٌن ‪ .‬وبعد أن ٌعالجة كٌمٌائٌاً‪ ،‬نموم‬
‫بتلمٌع أسطح الرلائك )‪ . (wafers‬نموم بتلٌع سطحً الرلالة للرلائك المثالٌة التى لطرها ‪ 450‬أو ‪300‬‬
‫مٌللٌمتر والتى تستخدم فى صناعة الدوائر المتكاملة‪ .‬أما الرلائك ذات ألطار أصغر من ذلن والتى تستخدم‬
‫فى المعامل فٌلمع سطح واحد فمط‪ .‬أخٌرا ً تختبر الرلائك كهربائٌا ثم تغلف جاهزة لألستخدام‪.‬تستخدم رلائك‬
‫المشوبه نوع ‪ P-‬كماعدة أساسٌة (ركٌزة) لشرائح الدوائر المتكاملة‪.‬‬
‫َ‬ ‫السٌلٌكون‬

‫‪9‬‬