Insulator ( ฉนวน า

Conductorc ว ง

Week 1 Material •

a Semiconductor ( สาร ง ว )

Semiconductor -

Material

# 1.) Diode and Power Diode ญ กษ

โครงส าง •

A K g.
• •
( i ) =
0.7 V
,
Ptype Ntype 0.3 V
Depletion region VDC 6 e) ะ

t
p
+

N
Cathode " ¥ "" Anode

เ อ ใ ใ ใ
-
+

x
าย c+ ง A และ าย c→ K Depletion region แคบลง

ใ
ประ ยาว สามไป ง N ไ และ
ประ C- า สามไป P ไ

E ไหล น ใ Semiconductor ไฟ า
1

Depletion region
t Depletion region = บ เวณ พาหะ ใน Diode เ ด การ แลกเป ยน น

¥
N P
Cathode c ง chae > Anode
๋ -

เ อ าย c + ง ใ k าย ยา ใ A ใ Depletion region ขยาย น ใ า ความ

หนา แ นบ เวณ ขา A และ k ง ใ Semiconductor ไ ไฟ า

c -
± -

n n
E ไหล ามไป ง P ไ ไ
าย
Diode 0N
Vsource VD iode
→
>

Diode Breakdown → าย ด มา แ ใน สภาวะ Diode ง กระแสไ

ผล กระทบ
ณห อ Diode

ณห มาก น ใ Vp ลด ลง

และ า มาก จน Vp =
0 V. จะ ใ Diode

ระเ ด

VREVERSE VFORWARD
นำ
ตั
สั
ษั๋
งื้
จ่
จ่
ทำ
ทำ
ฝั่
ทั
ทำ
นำ
ที่
จ่
ริ๋ฮื๋
ยั
กั
จ่
ทำ
ทำ
ฃึ้
มีค่
ทำ
จึ
นำ
ฝั่
ข้
ผิ
จ่
จ่
นำ
ยั
นี้
อุ
อุ
ต่
ทำ
สึ้
ทำ
ถ้
กิ
มื่
มื่
น่
ด้
ด้
ม่
ม่
ห้
ด้
ห้
ด้
ริ
ห้
ห้
ห้
ห้
ห้
ต่
ริ
ห้
ห้
ห้
ห้
ห้
ฟ้
ฟ้
ที
บิ
จุ
กึ่
ลั
จุ
ภู
ลี่
ตั
ภู
มิ
ร้
มิ
นำ
ณ์
 Diode
Symbols

Switching Waveforms .

ช ด ของ Power Dicde

Standavd
2. ง
redovery
บ ความ 50-60 HZ .
ใส ใน งาน แรง น ง และ กระแส
ง
,

2. ง Fast and Ultra - fast recovery

Trr อย บ ความ
C 0.1
-5µs > Fast switching Frequency เอ MHZ 2 ออ KHZ
-

, ,

3. ง
Schottky recovery เห อน Fastand UH r a

low
vevylow voltage drop , very reverse
recovery
time
ถี่
รั
น้
สู
สู
ดั
ที่
ถี่
รั
นิ
มื
 2 ¢ Rectifier
AC →
DC ะ
Rectifier Ac →
AC ะ

Cyclodonvevter
Dd →
DC ะ
Convevter Dd →
Ad ะ
Invertev

2. 2. # Half Wave rectifier RL CDI ode เ ว ง

Vavg
=

# fvmsinodo ; Vmax
=

Vrms โ
o

=
Vm
T

-
-0-13
reakdown

voltaye
\ •

2. 2.) # Funwave rectrifier RL < Resistor

Bridge)
ตั
 1. 3 # Full Wave dentev Tap

l
2. 4) # Half Wave redtifier Load RL

โหลด Rh เ น หลอด ฟ ออเรสเซน ,

มอเตอ ,
ห อ ปกร ขดลวด
ฬึ๊
อุ
ที่มี
ช่
รื
ลู
ณ์
ร์
ต์
2.) Power MOSFET
เ"น $ปกร( )เ*กทรอ-ก. /0ง ประเภทใ5 แรง 7น ใน การ
ควบ<ม

ประเภท ลอง MOSFET

MOSFET เ"น $ปกร( ? @ 3 ำ Bอ 1.) Source :S 2.) Drain :D 3. Gate :b

แCง ออก เ"น 2 ประเภท

2.) Depletion MOSFET เDยก Fน Hา Iมาฟท

ๆ
2.) Enhancement MOSFET เDยกFน ๆ Hา Kมอส 1ฟท
แMละ ประเภท ประกอบ Nวย 2 แบบ Bอ ท Channel และ dhannel
p
-
-

•
D ID

RD
G
t
•
VDD
๒
Q↳ • s
_

Symbol
n -
channel depletion type -

•
D ID

RD
6 a
-

•
VDD
-

- -

#
+
s
• S
•
②
-

Symbol

p
-
channel
depletion type -
 โครงสSาง ของ D- MOSFET แบบ n -
Channel จะ ประกอบ Nวย สาร Vง Wว X ช-ด
p
[ง สSาง จาก Silidon

เDยกHา แ\น ผ^ก

ฐาน pcp
-

type Substrate ง โดย `้ว D และ S Mอ bน บcเวณ? @ การ กระeน หgอไป

ใiเ"น บcเวณ สาร VงWวX n Cnt ) สาร Vง WวX n jง สอง kวน จะlก Mอ bบ mสn oว นอก ? เ"นโลหะ โดย@
Silicon oxide CS i 0วง pนระหHาง แชนเนล n bบ q G CS i
02 เ"น ฉนวน ประเภท Dielectri d)

sา kวนใน Channel สSาง บcเวณ ปลอด พาหะ ใน uน ออกไซw ใi

VG g C- ง บาง n จะ จะ x
-

ภาย

Channel แคบ ลง Rps เyม @ zา {ง เ|อ % @ zา ลบ เ}ยงพอ Channel จะ หาย ไป RDS จะ @ zา

{ง มาก
x ใi ~ เDยกHา
1ps
= 0
% จะ
Vp i.
Pinch -
off Voltage
ใน ทาง ตรง สาม sา
Vแ Ct ] xใi dhannel ก€าง •น 1ps เ‚ม มาก•น เƒอง จาก
RDs @ zา ลด ลง
ห0กการ ~ จใส bบ โดย Wว
D- MOSFET แบบ
p
- dhannel
VD s 1ps Vgs เป„ยน
, ,

เ"น …ว ตรง†าม bบ กร‡ D- MOSFET แบบ n - channel

•
D ID

ˆ่ ๆ Š๋s
RD
°
t
•

๒ t VDD
s
_

VGs
•

Symbol

n -
channel enhancement -

type

•
D ID

Œ%
RD
° s
-

•
VDD
-

- -

VG s
+
• S
+
②
-

Symbol

p
-
dhannel enhandement -

type
 sา 7น เห•ยวX จะ Žง•ด • แ\น ผ^ก รวบรวมไ€ ภาย ใน uน ออกไซw
Vcsct ง แรง จาก
ฐาน p
sา
VG VT Voltag e) เ‘ด IDS •น
> CT hreshold จะ
_

ใ5 ไN bบ E- MOSFET แบบ
p
-
channel โดย ’ว VD s 2ps Vds เป„ยน เ"น “วตรง†าม
,
,

bบ กร‡ E- MOSFET แบบ n -

channel

Mos FET Characteristid

SFET เ"น$ปกร( ? ใ5 แรง 7นใน การ

ควบ<ม และ @ zา
)น”ต ) ม } แดน• {ง มาก น 6 จะ Žง กระแส

A. C 1 ˜ ) เ"น ™ตรา kวน ของ ID Mอ

–วไหล —า มาก แz n และ Transconductance ะ
gm VG เ"นWว /หนด
<ณ0กษณะ การ ›ายโอน ของ MOSFET

œป (a), (b) แสดง การ •นอน ของ E- MOSFET

n-channelandp.channd
[ง @บcเวณ
œป C C) แสดง 0กษณะ Output ของ E- MOSFET
type n -
channel
x งาน 3 บcเวณ อ
Cutoff เ‘ด •นเ|อ
2. ง -

Region %€ VT
2) Pinch - Off or Satuvation
Region เ‘ด •น เ|อ VD s EVGg- VT
เ‘ด •นเ|อ
3.) Lineav -

Region VD s t
X
บcเวณ เžง เŸน
Zp เป„ยนแปลง ตาม ดkวน VD s เƒอง @ zา {ง
VD @ zา ¡ง
จะ และ จาก
ID ขณะ

E- MOSFET ¢งไN บcเวณ ? เ"น Linev -

Region £ห¤บ แสดง ป¥‘cยา การ ส¦ท§

£ห¤บ D- MOSFET เ"น หgอ ¨ไN แM ?

VG อาจ Ct า < → E- MOSFET จะตอบสนอง

แรง Nาน บวก อ©าง เIยว ตาม ปกª มอส เมท /0ง «กเ"น ประเภท E- MOSFET

ประโยช¬ และ การ ใi งาน Power MOSFET

Power MOSFET @ความ เ-วใน การ ส¦ท§ {ง มาก เ"น nanosecond C เอง ¢ง เหมาะ bบ การ แปลง ®น
? @ ความ ¯ {ง @ /0งไฟ°า —า
และ และ E- MOSFET จะ @ ±ญหาใน การ คาย
ประ³ไฟ°า ส´ตµ
ภาย ใน Wว เอง ¢ง ¶อง ·¸ง¤กษา เ"น ¹เศษ
 Switching dharacteristics
ผล กระทบ ?เ‘ด จาก Capaiaton บcเวณ รอย Mอ ของ Sem Idondvdter ภาย ใน E- MOSFET

xใi เ‘ด œป ค»น 7ง~

เ|อ ¼อน VG เ‚ม จาก 0 ½ง V เวลา ? ไN ใน การ ™ด ประ³ คา ปาสเตอ¾ c ภายใน

,

ใi @ zา ½ง ระ7บ เDยกHา ¿วง เวลา Iเลµ ใน

"

VT เÀด
"
E- MOSFET CTurn
เรา การ on
Delag Time
-

ะ
tdcon ) และ ¿วง เวลา ขา•น ctp เ"น เวลา ™ด ประ³ จาก ระ7บ Vi จนกระÁง @ zา Vg เÂม?
ง c Full Gate
Voltage
[งใ5 ใน การ `บ Mos FET ไป Ã บcเวณ Linear region
Vg )
ะ -

? คา ปาสเตอ¾ ใน การ ไป ½ง Pinch เDยก Hา

"

¿วง เวลา
เวลา คาย
ประ³ จาก Ä Off
region
-

Iเลµ ใน การÀด c Tuvn off

Delay Time ะ
tdcoff ) ง และ¿วง เวลา มา ลง ct f) เ"นเวลา ?

คา ปาสเตอ¾ ใ5 ใน การ คาย

ประ³ จาก Pinch -

Off
region ½ง VT C sา
%E VT MOSEET จะ OFF)
3.) IGBT C Insulate bate Bipolar Junction Transistor ง

< "ณสม&' >

-
( ความ ,านทาน /าน
0น1ต3ง แ5 จะ ( ความ ,านทาน เอา:1ต เ;อ < กระแส ?า
ควบ"ม การ เCด Cด ของ กระแส ไฟHา แรง Iน
ใA CV
oltage control Cuvrent souc e)
-

ใA งานใน Jาน ความ K L งาน ระหNาง 1kHz 100kHz OPด กระแส และ แรง Iน 500A / 2000 V
3ง
- -

< โครงสSาง >

-
( 3 ตรา Tอ ขา Gate .
มา dollector ขา Emitter
,

0น1ต E MOSFET ,
เอา:1ต ¥ Transistor

< V -

I Characteristic >

เUม 4 LใV W ไหลXาน

VGE กระแส IGBT

3ง
Yน /วย cic )

[วน วงจร /วย ขา G และ ขา E Tอ วงจร

W โหลด \]ง 5อ อ^ วงจร /าน ขา G Tอ

Input IGBT W _บ `ญญาณ การ

ควบ"ม
เCด Cด จาก วงจร \เbด `ญญาณ ภาย นอก
-
<
Appication >
bยม < มาไช ใน วงจร \]ง มอง Invertev WใV Cspeed ) แรง Cด c Ts
ควบ"ม
ท

ของ มอเตอe ไฟHา ค_บ เคfอน มอเตอe gห_บ รถไฟHา วงจร

ป_บปjง k Powerfactor ใน ระบบ
lหmาย
 4.) SCR ะ
Silicon Controlled Rectifier
Common Cathoad

f Eimk อ
บ อา 6

ม
,
, เ

i G. เ
l
_
i

A-
เป ยน สา ความเ อย สถานะ จาก OFF → 0N C )

ใ ใน ความ ไ
งไ 1kHz
C
ง ด )
-
.

- ใ บ ภาค High Power l

High Voltage → Conductor ห อ Invater
การ ไ งาน

อง มาก ก า Cathoad ห อ
}
1.) VA >
Vn C แรง น ตรา Anode มา ) VA k > 0 SCR .

ใ Current
Gate Positive าย แรง น บ Gate Sd Rา
2.)
Apply C <+ ง ขา ของ

กราฟ ณ กษณะ Sd R

งาน 2 Quadrant เ อ Apply มา Gate แ วแ า การ

.it งไ เ น 2
> 1 m A. µ
=L
SCR จะ งไ กระแส เ อ ii > z แ ว Sd R เ ม
Cf
µ

กระแส แ ว แ งไ เ ม อง i > IL
= Sd R
,
_

ไCป
/
•
กระแส ไ เ ม ณ วง
VA k ของ SCR า า ด
IH MA
ญเ ย า มาก
=

า การ
•

* การ กระแส

อใ Apply Gate แ ไหน แ ง ใ

* มา มาก
Vak =/ 0 vak มาก
นก าเ ม

ป บ า 1 IL ไ เ ม ว านทานป บ า ไ Gatec
* สามารถ
µ ,
ขา
Rp
กั
มี
ถี่สู
สุ
สู
กั
ต้
ที่
ดั
ดั
จ่
คุ
นำ
กั
ทำ
ยั
ค่
ยั
นำ
นำ
ยั
นำ
พี่ต้
สู
ค่
สุ
ตั่
ค่
นี้
ช่
ต่
ตั่
นำ
ทำ
ยิ่
ฃึ้
ค่
ต้
ตั
ค่
ที่
พิ่
ดิ
กิ
ริ่
ด้
มื่
ต็
มื่
ต็
ด้
ต่
ค่
ม่
ด้
ว่
ม่
ล้
ล้
ม่
ห้
ด้
ยู่
ม่
ด้
ต่
รั
ล้
ห้
ต่
ว่
รั
ห้
ช้
ช้
รื
รื
ลี่
ลั
ที่
สี
ฉื่
 4. 1) The controlled /
10 Half Wave-
rectifier Load R

SCR
ม ด ชนวน
ของ

gp

ระยะ เวลา 21T

I

VA
มาก
ก า
VK

ลอง การ าย มา Gate T าย มา Gate องการ

Ea E การ
→

อ
ง งก
→

งไ bate ด ง
Apply มา

t
I 1T
2

Gate แ ว ใ Vdtage
Apply มา

ปค น
V 2
µ และ RL

VRL
VRL
t
f
\
ฐํ๋ % % v.

× ×* ×* •
.im#aaontnn ③
←
9
9
ZRL
ZRL

อ ด มอง Sd R อไ สามารถ
ด
ชนวน
,
18 36อ ไ ไ ทาง เ น
Half Wave ไ สม ร แบบ
ที่ต้
จ่
ที่มื๋
จ่
จำ
อุรุวุ๋
จุ
มุ
ฮฺฐู่รู
มี
ทำ
นี้
นี้ถึ
จุ
ยั
ฬํ๋
ษื๋
จำ
ข้
หํ่
ศุ๋
คื
อุ้
ที่อํ
จุ
มี
ว่
ห้
ล้
ม่
ลื่
ป็
ณั้
ด้
ม่
ด้
ม่
พู่
กั
ฬื๊
บู
ณ์
 1 ¢ Full have Full Control with R Load

ำ
% ำ
3 tio y
ก
✓7✓
+
•
t
>

ญ
•
Ii ig t
ำ4 ำ2 -
,

i. II.บกบกบก t

~~~ก
• •

v.
+ t

Vmsino
VI.ว I 1 t

cg
" 3- 4
_

yythlnnnhytn t

1.
¢ Full Wave half dontrd with RL Ioad
รุ๋ริ๋รํ๋ฎํ๋
 V
"

ป บ ความ ก าง
ไ
f มาก
ด า ton toff 50 % บ
=

5อน
=
.

. . . .
เ า บ Dc
. .
.

ton <
a- D) T
>
i.
ton ะ
DT **

t toff C 1- D) T * *
ะ

>

fำ t
|
""
|
¥
D
ญญาน Pluse tonxf
ส าง
to
=
=

เ
T เ t #
Pluse width Medulation .
. PWM
-
กั
ถ้
สุ
บู๋บุ๋
กั
สั
ท่
ด้
ร้
ว้
รั
 Buck Converter c วงจร ทอน ระ บ แรง น )

↳
5า
กวด
< เ อนไข การ Switch >
• <
+
Switch 0N

V t
Di Ro 0 < < DT
G แ
Switch OFF
-
o <t < ( เ -

D) T
.
• <

Step 1.

จารณา จาก
" "

หา มา State 0N
Lเ
* D,
Open * <
Voltage >

5เ t _

DILC 0N )
กวด • <

KVL Y Vin Vout CVL

§ )
+
;
= -

=L
*

Vin L.de Vin Vout

-

Ro
-
=

d.
-

R Vout
4 t t

ntn
,

• <

Dii0 ขา
¥
i.
=

Vin Vout C di =
dt =
Dt (อนา )
[
,

^ ILC อนา Vin CD tcon DT )

IV
ont
=

,
=

Dt [ 0N )

**

①
Cn IV ) ont nnre
" ^ ILC อก ะ
DT

step 2
" "

2.) State OFF D, = Close *

Lเ
หา
St -

ณด • <
*
Di t
Vc =
-

Vout ; Ldi ะ
-

Vout
LC off ] *
dt
V in
Ro
-

D, d. Vout

# ฐ Dinoff
และ t = -
ut =

+
า ratio
-

Dtoff
• <

Vout **
-

Vin Diuoff CD toff [ 1- D) T )

Yut
=
i.
Atoff
-
= .

ะ -

Vqut
'

( 1- D) T
โอวาท ๐
2.
ดั
ค่
ฑั่
พิ
งื่
ดั
 Kd L i
ihcoff
ะ
0
LC 0 ลง
=
+ ]

① ② มาแทน า ; hco N ง IL [ offs

f f

Cn Yont ) DT t
CVeut.CI -
D) T
) = 0

Fodus D Vin Vout i. า # มา ณ ตลอด

ง สม การ
, ,

DCV in -

Vat ) -

Vai C 1- D)
=
0
-
/
/

DVin-DY.it
-

Vattt ?%ut ะ
°

DV in -

Vout = 0

**

[
3.
gg
i. D =

Vat
C D=
Duty dirde )

""
อ า Conversion Ratio of Buck Conuerter

< จารณา จาก Curvent >

KCL Ic ipdzic
ะ
=

Lา i.
, ,
i
แ า อย
Ro
กวด า ic จะ มาก
•
,
ๆ
ส ปไ
ic
i. อาจ า i ~ i
C า
แ Rout
Rout
h ะ
Iut
Rout
•

ทาง D. C. IL =

IR =
Vet
Rout
พิ
ค่
คื
ทั้
คุ
น้
ค่
นำ
น้
มีค่
ค่
ว่
ต่
ด้
รุ
 Ecus 1L max IL min Lmin
÷
^
, , า

Step 3. k
^
ำา

|l H
"
" °

หา อ
.
> t
DT
IL max eent

IL min
Imax
dildt IL min _ _ _

=
-

- -
- -

- -
-

-
-

- -
- -
- -

"
-

"
- -

""
- - - - Io =

µ
-
s i.

0 • µ
BCM
c
Emin

Duty -5
-

ออ •
>
t
|
hmin
0 •
n t
f DCM i. Discontinous dcnduction Mode

Mode การ งาน 1.) Continous Conduction Mode :C CM เ อ 1L > o

2.)
Boundarg Conduction Mode :B CM เ อ 1L = 0

3.) Discontinous Conduction Mode ะ DCM เ อ ะ < o

IL max
=

IL t
DIL off IL min =
IL '
Di

|
Loff
2 -2

ะ CIL
#
T
Ihtt
( Veuti C 1- D) T
) Ih t
( Veut ( 1- D) T
)
=
= ะ
) ะ
'

, _

2 2

ะ
" " " =
-
" ""

④ ⑤
** } **
{
hmax Vcut
| (
ง|
IL Vcut
| (
ง|
= =
"
-

+ min
µ µ
ทำ
หุ๊
หู๋
ยู่
สู่
ฬั๋
ษั๋
ญู๋
ษั๋
ญู๋
บฺษู๋
หํ๊
ษู๋
มื่
มื่
มื่
หู่
หื๋
 Step Lmin IL min 0

|
สมการ
ส ป Mode
=
4. หา
j การ งาน จาก
E
หา Lmin L ะ
Lmin =
BCM
จะไ
Vat
| (
ง|
= 0 L >> Cd M
-

Lmin ะ

µ
L <<
Lmin ะ Dcm

๐
+ nm =

Raet 2L f
6C
**
๙
i.
Lmin = C 1- D) i

Rout f = C 1- D) '

Rout
2 f 2- Lmin

ic
^

toe-nsf.at
Step 5

1 |
Y

หา AV out i L
Q
มา

Vout ว

>

.
t
.
>
อ

0
2. 2.0 Dihoff มา ด Dihoff ะ

Veut
'

( 1- D) T

|
Q = C. Vout
AQ = C- SV
at AVoutVout.CI -
D)

พ" "" ×
ฐาน × ง h 8C
=

**
~
⑦
AVout.mn
DQ
} # C 1- D)
i.
=
× × น .
.
. =

2
Vout 8 Ldf
DQ
T.Y.mn
=

DV out ( T Dih Vout C 1- D) T )

2ns
-
ะ =
= -

,
off าE
นำ
ทำ
สู่
งู
วู๋
รึ
สู
ที่
ลี่
คิ
นำ
ฮ๊
ษั๋
สู๋
ฮิ
ด้
รุ
Example
↳
5า
กวด • <
i.
"
Io
}
-

tic +

V
Di d. Ro Vo

.
• I
Vs
=
100 V ,
D ะ 0.6
,
L =
200
µ H ง
C ะ
100µF ,
f = 25kHz ,
R ะ 10 R

Vo
จง หา
ง
Ibmin ง
Ibmax )
÷ ง Lmin

Step เ State Sw =

↳
0N
5า + _

o -
o
กวด • <

| i.
"
Io
}
-

tic +

t
Vs
o

Di d. Ro Vo
d.
|
-

⇐
_

KVL ะ
Vs t
VL t Vo 0
-
=

Vh
=

Vg Vo
-

j VL = L -

d-:c
dt

L.cl#=Vs-Vo;dt=DT;diL=biL,ondtDiL,oN=Vs'VO.DT L

State
Step 2. Sw =
OFF

↳
5า + _

o.to กวด • <

| i.
"
Io
}
-

tic +

t
Vs
o

|
0
Di d. Ro Vo

|
-
-

⇐ _
 KVL ะ
Vc = -

Vo j Y =
L.dk
dt
li
¥ Vo dih dt C 1- D) T
Diyoff
-
= = =

j j

DI =
-
VO "

( 1- D) T
boff
L

จาก สภาวะ
อ ว
Dibon t DI
boff
= °

แทน า DIL ,
อก
และ DIL ,
off

Vo 0
Vs Vo DT (เ D) T =
- -
-
-

L
L
ง สม การ
# ณตลอด
ใน
~ นา
( D) 0
Vs Vo ) D- Vo C 1-
-
=

Vs D-V.Df-V.tv/-- 0

Vs D= Vo
1 ทน า D และ Vs
0.6 100 60 V. #
Vo ×
= =
i.

Step 3 I
↳ min
i
1
bmax
i
Lmin

%
_
Ibma ×

}
_ _
u _ _ .

^
.
- - _ _ _ _ .

. . . . . . . .
. . . . . . E "

_ _ _ _
-
- - - - - - - - - IL ง min

st
ค่
ทั้
คู
นำ
ค่
ตั
ยู่
 หา า IL จาก KCL In
=

Io เพราะ ใน สภาวะ อ ว Ic ะ 0

I. vc
=

Ro

ใ
i.
Ihmax IL t 'L DIL
=

off
,
_

"
( { )
= "

+ .

Iymax ( 60 (1-0.6)
) 8.4 A. #
=
=
+

200 × เอ
°
× 25×103

1
Ibmin
=
{ -

¥
"
( { )
"

ะ -

Zymin f- H )
=
6อ .

(เ - อ 6).
ะ 3.6 A. #

200 × เอ
°
× 25×103

า Lmin Zbmin
า
= °
หา

¥
" 0
( { )
"

=
-

=
✓
V. .
( เ -
D)

2 Lf

C 1- D) Ro (1-0.6)×10
Lmin
= =
i.
.

2 f 2 × 25×103
ค่
กุ
ตั
ษั๊
วุ่
น้
ค่
วุ่
มั่
ษื๊
ฑิ๋
วุ่
ษื๊
ยู่
ห้
 i.
Lmin ะ
80
µ
H

Step 4 หา
ripplefactor =
Io
Vo

ค น

idicso.IE
จาก

t
>
t
E- 1

|
C V.
Ti.IQ fx Ig
จาก Q =
JQ ะ × =

C- DV =

i. DV = T '

Di L แทน า Diyoff j
T= t
o
f
8d

V 0 °C 1- D)
DV =

o
2
8C Lf

=
(1-0.6)
nn

" 2
8×100×1 × 200×1 × (2.5×103)

#
ญ
=
0.4 %
อู
อื
อิ์
ค่
วื้
ป่
ลื่
 V
Boost donverter ( วงจร ทบ ระ บ แรง น ง A

L D
กวด • •

C . . . .
. .
.

Vs Sw
R
rn
ton <
a- D) T
>

>
t

• •
:
t E. t. ;
.

|
DT ง
|
e

T
Stept .
จาก สภาวะ SW :O N เ i

หา
Dinon L D
กวด •
e -
อ o •

c
Vs I R
!
~
sw

• •

KVL Vs CVL
¥
ง
VL L
ะ ะ '

Vs =L #
dt

Vf
di = Cdt
^
=
DT )

Tt

ห อ กาย ①
Dion ¥ V
i. = '

DT .

Step 2.) จาก สภาวะ SW ะ

OFF

หา
Dicoff L D
กวด •e n o o •

และ า
C
Ratio Boost Vs •
z n R
,
Converter
/
•

๒
c ง
÷ • •
ดั
ขู
ค่
ษู๋
รื
ดั
 kv L ะ
Vg -

%
-

Vc =
0 CV
c
=
Vo )

Vg =
VL +
Vo Ch = L
§ )

Vs L Vo Cdt
¥
C D) T
Dihoff )
1-
di
=
= .
+ =
;

Dinoff =
CV s -

Vo ) ( 1- D) T =
CV g- ro 1- D) ~ 2.0
,
i.

จาก Di DIL off °

=
t
Lon

¥
DT t CV s Vo ) ( เ D) T 0
า
-

,
-
'
i =

แทน
'

โอโย
น
ของ
¥ Vs D t CV C 1- D) 0
ณ ตลอด
=
ะ
g-
. -

ee

vsibft Vg /
ง -
]
1 -

Vo Vo D + ะ 0

Vs
-

Vot Vo D ะ 0

1- D)
Vs Vo C 0
=
-

Vs =
Vo C 1- D)

± =
C 1- D)
Vo

Vo า Ratio
! D)
i. =
ของ วงจร

Ts ( เ
Boost Converter

dheck า Vo จาก สมการ Ratio

fix Vg =
12 V

า Duty 1 อะ

%
5

:}
1.) =
.

ฅฺ; ÷
"

3. ] 50 V.

# า
Duty ะ
0 i. า Vo -
-

Vs # ในทาง ป ใ
จะ า Duty ไ เ น 60 ห อ 0.6

# สา Dutg =
100 % า Vo = • #
ถ้
ค่
ค่
คุ
นำ
กั
ค่
ค่
ถ้
ขู้
ษื๊
ค่
ค่
กิ
ม่
ห้
รื
ฏิ
บั
ติ
ฬั๋
วุ
 ( 1- D) l
VL Kotl
^

l| H
" "
step 3 . อ
.
> t
DT
หา า IL min <
- >

IL max ง Lmin

Imax
dildt IL min _ _ _

=
-

- -
- -

- -
-

-
-

- -
- -
- -

"
-

"
- -

""
- - - - Io =

µ
-
s i.

0 • µ
BCM
c
Iunin

Duty -5
-

ออ •
>
t
|
hmin
0 •
n t
f DCM i. Discontinous dcnduction Mode

2
จาก สมการ Power i.
Pout =

Vo Io .
ะ

¥
R

Pin =
Vs Is '

จาร ณ จาก วงจร า Ic า อยมาก

จาก Is Dihoff ๆ
i.
Is ะ IL

i. Pin =

Vs E '

เ อไ Plosg ใน ไ
ระบบ จ า Pin =
Pout

Vg IL.
=
Voi Io

ญื๋ Yp g)
CV o
Vs Ih
- = =

;
(

Vs '

IL ะ
( Vs 1C 1- D) )
Ro
2
Vs Vo
IL
=
=
i.

C D) 2. Ro Vs Ro
'

เ -
น้
มีค่
ค่
พิ
คำ
หุ๊
หู๋
ยู่
ค่
มี
ว่
มื่
ม่
ด้
 า
Di
Dihow
Sfnn
i.

Lmax
=
IL t แทน 1h และ

ไ า Vs lfi
Dhmax
จ .
= + DT

2h
a- D) 2. Ro

IL A. า
ะ
DIL แทน IL และ
Dihon
-

ะ L

min

ไ า Vs Ii
Dhmin
จ .
= _ DT

2h
a- D) 2. Ro

า Di °
หา
Lmin จาก =

Lmin

Vs
¥
้
'

DT =
o

D) 2.
2
( เ -
Ro
E # DT
I.
apgpto
ะ

2. 2.
i.
Lmin =
( เ -

D) Roi DT ะ ( เ -

D) Roi D

2 2 f

I
^

modei DCM nr Peak Cuvrent มาก

ด
แ Mode จะ กระแส งใน Switah
l

'
า เฉ ย ง 3 mode
,

mode i. Cd M
1
เ า นแ ใส
"
เวลา ไ เ า น
MO de
ะ
BCM t
>

t
ค่
ค่
ว่
สุ
ค่
ว่
ค่
สู
มี
นี้
ทั้
กั
กั
ท่
ท่
ด้
ด้
ม่
ต่
ต่
ลี่
 Id .

Step 4 ID '

หา

ripplefactor

p
DT T

¥
C ^ ) Q
DT T -

#
R •

}
Q C. V SQ
;
=
จาก

sQ = c.
svo
I.
Ro

AE Vo .

DT

Rod

i.
^ ะ ะ

d -

ญหา วงจร Boost donvevter า องการ Step -

up
อง เ ม d

า G C2 C3 dy
=
จาก =

ำ d

§
C

¥
R 3
d. 11dg
C2 C4 d 3 lld 4
I
F

Ci
Citd
=

ใน อง เ ม
งาน ความ
ง จะ
RE sp

ใน ความจ

|
แ
ำ นะ " " d 2 ง

C2
{ Ea C า

i.
Vc า
Vo ะ
=

2
Vd 2
Vd
d. า
F
Vd 2
ง มาจาก ผล ของ การ
I

อ กรม น ของ Coutput

Vo Vd า + VREspt Vd 2
=

Vo Vct VRE VRE 2 Vd Vo

~น
i.
=
2 ะ -

sR gp
ญู
คำ
ต้
ต้
ด้
ปั
ญู๊
มี
ต้
ถี่สู
ที่มี
ถ้
ยู่
ซึ่
ถ้
กั
พิ่
พิ่
ริ
ตู่
นุ
ยุ๊
 L D
กวด • •

c
Vs Sw
R
Example ~

• •

Vout
l า D
ะ
เออ V.
Vs = 40 V. หา

l
DV out E 1 %
fs ะ 25kHz . R =
50 SL .

,
หา Lmin
Vout l หา า d = 1 %

5 ^
Step 1. ง
LSW State
gN
+ "

กวด • /
e -
อ o
-
•

c
Vs +
z •
R
1
n

• •

KUL
Vs VL CVL L
d-Ih )
i =
ะ

dt

Vg =

L.fi , ( dt ะ
DT dil =
DI a)
,

dt

Ls
Vg =

Dih .
อ N

DT

Aisa Vs DT ④
น
i. ะ nr

State off
Step 2.) SW
L D
+ กวด
้

• e -
•
-0
-
•

_
C +
Vs + 1
R
g n

-
+
0 -

• •

KVL
Vg +
VL +
Vo
0
=
ะ -

C
VL
=

Vs Vo Y ะ L
#-)
-
-

i.

dt
หั่
ที่ญู
ค่
ค่
มี
 L -
=

Vs Vo-

Cdih =D inoff ,
dt ะ
( 1- D) T

L DI
hgff
ะ
Vs Vo
-

C 1- D) T

DI
=
CV 5 ของ C 1- D) I กบ
๐
2.
[
"
boff

Ai แทน า
DIL , 0
" t
=

on Lgoff

( Vs
} )
T + c Vs ของ
-

[
Ct D) I = 0

ณ สว
E ตลอด

งาน
ftp.
Vgi Dt CV g- Vo ) .

( 1- D) =
0

vrneVsDftVgVsDf.ro +
Vo D= 0

ๆgไไไไfgggeg
ญ
→

า งง
1- D) 0
"C
=

i. หา
,
0 - 100C 1- D) =
0

i. D =
0.6 #
ค่
คุ
ค่
รุ
 ( 1- D) l
VL Kotl
^

tin

l| H
-

ขอ
อ
.
> t
DT
e-

1L

Imax t
dildt IL min _ _ _

=
-

- -
- -

- -
-

-
-

- -
- -
- -

"
-

"
- -
-

""
- - - Io =

µ
-
s i.

0 • µ
BCM
c
Emin

Duty -5
-

ออ •
>
t
|
hmin
0 •
n t
f DCM i. Discontinous dcnduction Mode

Step 3 จาก สมการ Power i.

Pin =

Pout
uew

Vg Ig C Is ะ
{ Ic
=
× เพราะ

o า อย มาก )
ๆ

Vsx I. ะ
VI
Ro

า Vo
Vsc
แทน =

เ -
D)
2

Vgfx IL
=
( Vs / C 1- D) )

Ro
2
i.
In
ะ C Vs 1C 1- D) 2) =
Vo

Ro Vs -

Ro

ใ Dil on
i
Iymax =
IL +
Ainnil ,

2
ค่
น้
ค่
ญั๋
หุ๊
หู๋
ยู่
ช้
 i.li
~ .
.
.
..
= "
5
" " "
ร
-

i.
bing.im
ะ
E- =

in
2

"
i = CV 1C 1- D) 2) _
Vsi D
-
s
L
min
,
2 f L
µ

หา า IL า IL = °
,
min ,
min

CV 1C 1- D) 2) _
Vsi D =
0
s

Ro 2 fL

แทน

( 40/(1-0.6)2) -
(40×0.6) = 0

50 ( 2 25K×
×
t.mn )

"
Iymin 96 mtl #
=
'

Id .

ID '

|
DT T
AQ
DT T _

µ
R •

Steper : หา Io
Vo
คำ
น่
ค่
นำ
หั๋
 จาก
Q =
d. vo

DQ = C- D V.

และ DQ
¥i DT
ะ

VEDT C. svo
=

Tะ
¥
a
d. /
¥ ญ
DT 0 า
#
' =
แทน = 1. 100

1 " 0 =
d. t
100
0
25k

d
i. ะ

48µF #
วั้
ค่