วิชา 01205242 Electronic Circuits and Systems I

ภาคปลาย ปีการศึกษา 2564

Exercise No: 1
เรื่อง: Basic knowledge on semiconductor

1. จงวาดแบบจาลองอะตอมของ Neils Bohr พร้อมทั้งอธิบายว่าอะไรเป็นตัวกาหนดคุณสมบัติทางเคมีของ

สารชนิดต่างๆ โดยให้ยกตัวอย่างธาตุที่มีการทาปฏิกริยาเคมีได้ดี และธาตุที่มีการทาปฏิกริยาเคมีได้ไม่ดี
ประกอบการอธิบาย
2. จงอธิบายความหมายของคาว่าอิเล็กตรอนอิสระ (free electron) และอธิบายว่าอิเล็กตรอนอิสระมีผลต่อ
คุณสมบัติการนาไฟฟ้าของสารชนิดต่าง ๆ อย่างไร
3. จงวาดโครงร่างผลึกของซิลิกอนแบบบริสุทธิ์ (intrinsic Silicon) พร้อมทั้งอธิบายว่าเหตุใดอะตอมของ
ซิลิกอนต้องมีการจับตัวเป็นโครงร่างผลึกในลักษณะดังกล่าว
4. จงอธิบายว่าเหตุใด Intrinsic Silicon จึงไม่นาไฟฟ้าเมื่ออุณหภูมิต่ามาก
5. จงอธิบายการเกิด electron-hole pair generation ใน intrinsic silicon ว่ามีผลต่อการนาไฟฟ้าของโครง
ร่างผลึกซิลิกอนอย่างไร พร้อมทั้งอธิบายด้วยว่าโครงร่างผลึกของซิลิกอนควรจะนาไฟฟ้าได้ดีขึ้นหรือ
น้อยลงเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น และเพราะเหตุใด
6. อิเล็กตรอนอิสระและโฮลเป็นพาหะนาไฟฟ้าในสารต่างๆ โดยที่อิเล็กตรอนมีประจุเป็นลบ อย่างไรก็ตามเรา
สามารถมองได้ว่าโฮลมีประจุเป็นบวก จงอธิบายว่าเหตุใดเราจึงสามารถมองว่าโฮลมีประจุเป็นบวกได้ ให้
วาดแผนภาพของโครงร่างผลึกของซิลิกอนในการอธิบาย
7. จงอธิบายว่าโฮลสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างไรเมื่อมีสนามไฟฟ้ามากระทา อธิบายถึงกลไกโดยละเอียด
8. จงอธิบายความหมายของ bandgap พร้อมทั้งอธิบายว่า bandgap มีผลต่อคุณสมบัติการนาไฟฟ้าของ
สสารอย่างไร โดยการวาด bandgap ของสสารที่จาแนกตามคุณสมบัติการนาไฟฟ้าทั้งสามแบบ
9. ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนใน intrinsic silicon สามารถอธิบายง่ายๆ ด้วยสมการ
 โดยที่ เป็นขนาดของ bandgap ซึ่งมีค่าเท่ากับ 1.12 eV สาหรับ intrinsic Silicon คือความ
หนาแน่นของ state ใน conduction band มีค่าประมาณ cm-3 และ เป็นความ
หนาแน่นของ state ใน Valence band ซึ่งมีค่าประมาณ cm-3 จงคานวนหาความหนาแน่น
ของอิเล็กตรอนอิสระใน intrinsic silicon ที่อุณหภูมิห้อง (300 K) (The Boltzmann’s constant:
J/K)
10. จากที่เราทราบว่าโครงร่างผลึกของซิลิกอนมีความหนาแน่นของซิลิกอนอะตอมเท่ากับ cm-3
จงอธิบายว่าที่อุณหภูมิห้อง โครงร่างผลึกของซิลิกอนนาไฟฟ้าได้ดีหรือไม่

หมายเหตุ: ให้ส่งคาตอบของทุกข้อรวมเป็นไฟล์ pdf เพียงไฟล์เดียวทาง

https://forms.gle/SWz6cwHeZprf9Txe9 ก่อนวันที่ 14 ม.ค. 2565 เวลา 23:59 น.
 เค
ว หนด ณสม ทาง ของสาร ช ด างๆ อ เ กตรอน วงนอก ด

ป ก ยา เค ไ
•

CValence electron ) โดย

P+ก
ธา การ

• •

•
อ
ธา ห 1A และ ห 2A เ น Li Na และ
ธา การ
ป ก ยา
ไ เ น
อ
ธา ห
•
8A H e. Ne
e-

เ กตรอน สระ อ เ กตรอน ไ ก ด บ อะ ตอ

ใด
ๆ
สามารถ เ อน ไ สระ

า เ กตรอน สระ เยอะ จะ ใ สามารถ ไฟ าไ เพราะ า สาใด

ๆ เ กตรอน เค อน

ไ เยอะใน เวลาห ง ห อย จะ ไ าไ ก า เ กตรอน เค อน ไ อย

เ น Valence eletron เ อมา ส าง นธะ

ธา ห
. . . . . . Si 4 4

' - ๆ . . .

. . . . . . บ Si ก อะตอม จะ เ ดเ น นธะไอ แลน โดยใ เ กตรอน วม น

- _ \ t ' _
ง า Si หลาย เ ด นธะ แบบ ไปเ อย เ ด เ น ผ ก
เ < / / , ' ๆ อะตอม จะ
ๆ
, _ / _ / i

เ กตรอน นธะไ อย เ อ ณห ง ใ อย ง อ าในำไ า

ห ด จาก พาหะ

ณห า
ๆ
คุ
กำ
ฮั้ตั
อิ
คื
ต่
ยั
สุ
ทำ
ที่มี
ยัคื
ดียั
ทำ
ที่มี
ยั
ดีคื
อิ
อิ
คื
อิ
กั
ยึ
ถู
ที่
มีอิ
ถ้
อิ
ที่
ทํ
ก็
อิ
นำ
มีอิ
ถ้
ดี
ที่
ดี
ฟ้
นำ
ก็
ที่อิ
น้
ที่
มี
ก็
อี
กั
พั
พั
อิ
ก็
มี
ถ้
ซึ่
กั
ร่
นี้
พั
อิ
พั
น้
อุ
ทำ
ตํ่
ที่อุ
ฟ้
ว่
ถื
จึ
น้
มี
ตํ่
ป็
ช่
มื่
กิ
ป็
ป็
กิ
ช่
กิ
รื่
มื่
ลื่
ด้
ม่
ด้
ว่
ร้
น่
ด้
ด้
ห้
ช้
นิ
นึ่
ลึ
มู่
ลุ
ฏิ
ห้
มู่
ฏิ
มู่
ล็
มู่
ล็
ล็
ลื่
ล็
ล็
ล็
ล็
ลื่
ตุ
ล็
มี
ฟ้
มี
ตุ
ตุ
ตุ
ตุ
ด์
ริ
ริ
ภู
ภู
มิ
บั
มิ
ติ
 electromhdepair เ ด จาก ผ ก Si
ณห ง มาก พอ จะ
ห ดออก จาก นธะ

เ น สระ และ นธะ ตรง แห ง ห ด ออก มา

เ ย สภาพ ความเ น กลาง ทาไฟ า เ ด เ น
จะ

hole โดย า
ณห งน จะ สามารถ ไ
ห ด จาก นธะ มาก นเ ด ,
มาก น งเ น

ไป ห ด ออกไ อย
ใ ไ
พาหะ กระแส มาก จะ และ หาก
ณห า e- จะ

ง ใ ei , ti ห อ า พาหะ กระแส อย ง ใ ไ าไ

- . ขณะ เ กตรอน งไห ด ออก จาก นธะ บ เวณ น จะ

ht
, . . .

' r ,
สภาพ ทาง ไฟ า เ นกลาง และ เ อ เ กตรอน
ห ด ออก
จาก นธะ
|

บ เวณ นจะ ญเ ย สภาพ ไฟ า ทาง ง น ง สามารถมอง าโล

ประ บวก ไ

s ④
เ อ สนามไ า มา กระ โรล จะ เค อน ใน ศ เ ยว น สนามไฟ า
_ / , ร

. .ir เพราะ โรล เห อนเ น ประ บวก งตรง าม บ เ กตรอน แนวโ ม

| ' r .

เค อน สวน ทาง บ สนา ไป า ง ใ ei เ า มา แทนโฮลใน ศ สวน ทาง สนามไฟ า

>
E
น ใ โฮล เค อน ตาม สนาม ไฟ า
ที่มีอุ
มียั
สู
พั
ตำ
ที่พั
ยัอิ
ที่ฮั
มีอุ
ถ้
ยั
ขึ้
สู
พั
ขึ้
ซึ่
ขึ้
ท๋
ยั
ทํ
มี
นำ
ทำ
นำ
อุ
ดี
ตํ่
ทำ
จึ
น้
ทํ
จึ
มีน้
นำ
ว่
อิ
ศั๋
ดี
ฟ้
นำ
ยั
พั
มี
นั้
อิ
พั
สู
นั้
มี
ว่
จึ
นั้
ดั
ฟ้
มี
ทิ
ที่
กั
ท๋
ซึ่
อิ
กั
ที่มี
ทำ
จึ
ฟ้
กั
ที่
ทิ
ก็ทำ
นั่
ที่
ข้
ป็
กิ
ป็
มื่
ป็
ป็
ป็
กิ
ดี
สี
กิ
ป็
มื่
ด้
ด้
ด้
ลุ
รื
ลุ
ลุ
ลึ
ริ
ลุ
ห้
ลุ
ห้
ห้
ห้
ลุ
ริ
ห้
มื
ลื่
ล็
ล็
ล็
ลื่
ฟ้
ลื่
ฟ้
ฟ้
ฟ้
ข้
ทำ
ฟ้
ฟ้
จุ
จุ
สี
น่
น้
ภู
ภู
ภู
มิ
มิ
มิ
 ใ เ กตรอน ห ด เ น สระ
Bandgap งบอก ง นวน พ งงาน

งหาก Bandgap แคบ เ กตรอนห ดไ าย ง ไป ไ ง หาก Bamdgap ก าง

จะ ไฟ าไ ไ

CB

CB
| Eg > 5 ev
CB

} Eg 0-5 c- V

VB VB VB

ว ฉนวน สาร ง ว

ป 2.8
" " "

)
Mi 1.12×1.6×10
(
า × 10 1.83×10 e
xp
= × -

2×1.38×1 23×3 ออ

Ri =
9.04 ✗ 109 c
3

จาก อ 9 ni ะ
9.09 × 109 am
"
เ อเ ยบ บ ความหนาแ น Si อะตอม

อ า อย มาก เ กตรอน ห ดจาก นธะไ อยมาก เ อ

"
5×10 c จะ

เ ยบ บ Si อะตอม งหมด ง ส ปไ า ผ ก คอนไ ไปำ ณห อง

จำ
ถึ
บ่
ที่ทำ
อิ
อิ
ซึ่
อิ
ฟ้
นำ
จึ
ง่
ดีซึ่
นำ
ก็
อั
นำ
ตั
กึ่
นำ
ตั
ดี
ข้
กั
อิ
น้
ว่
ถื
ทำ
พั
น้
จึ
ที่มีทั้
กั
ว่
ซิ
ที่อุ
นำ
ห้
ป็
ที
มื่
มื่
ที
ท้
ด้
ด้
ด้
ม่
ว้
ด้
ลุ
ลั
รุ
ลุ
ลุ
ลึ
ห้
ลิ
ล็
ล็
ล็
ฟ้
ภู
น่
มิ