Οπτικός Χαρακτηρισμός - 1644304617

Σωτήριος Βες
Πρόγραμμα
Μεταπτυχιακών Σπουδών
Φυσική Υλικών
Σημειώσεις
Οπτικός Χαρακτηρισμός Υλικών
200 250 300 350 400 450 500 550
3000 Data: SIREF2.PRN_B

Model: Voigt Exp
Chi^2 = 125.15452
y0
xc
138.69082
520.56549
±1.83339
±0.00858
Gauss
19641.13099 ±101.55783
A
Voigt
2000 wG
wL
3.33764
2.56927
±0.05571
±0.06019
1000
Si
515 520 525
Raman Intensity (a.u.)
0
Data: PSA61F.PRN_B
300
Model: Gauss
Chi^2 = 35.83987
y0
xc1
0 ±0
484.73816 ±0.32989
poly-Si
w1 74.95793 ±0.7244
A1 5281.75379 ±42.48265
200 xc2
w2
522.57842
4.32898
±0.01029
±0.02252
A2 1745.83362 ±9.11547
100
0 Data: MC468L.PRN_B
Model: Gauss
80 Chi^2 = 17.49491
 -Si
y0 32 ±0
xc1 390.69896 ±8.45195
w1 211.16741 ±17.88137
A1 4604.9583 ±372.47899
xc2 480.74704 ±0.8448
60 w2
A2
49.69229 ±2.35781
2094.90823 ±153.67693
40
80 Data: SIREF2.PRN_B
Model: Voigt
-Si
Chi^2 = 259017.41268
y0 135.77118 ±158.919
xc 517.65765 ±1.65391
A 2000 ±15005.03916
60 wG
wL
0.05 ±2184.75758
13.21221 ±18.03668
40
200 250 300 350 400 450 500 550

-1
Raman Shift ( cm )
Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2021

Πρόλογος
Οι παρούσες σημειώσεις καλύπτουν το τμήμα που αφορά τον Οπτικό Χαρακτηρισμό

των Υλικών και αποτελούν ένα μέρος της ύλης του μαθήματος Χαρακτηρισμός των Υλι-
κών, που διδάσκεται στο Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών, Φυσικής Υλικών.
Δεδομένου ότι το μάθημα απευθύνεται και σε μη Φυσικούς, κατεβλήθη προσπάθεια
εφ΄ ενός μεν να δίδονται όλες οι εισαγωγικές έννοιες που περιγράφουν το φαινόμενο της
αλληλεπίδρασης της "οπτικής" ακτινοβολίας με την ύλη, αφ΄ ετέρου δε να μελετηθούν οι
βασικότερες εφαρμογές και τεχνικές που αποσκοπούν στον χαρακτηρισμό των υλικών.
Και αυτό μέσα σε εξαιρετικά περιορισμένη έκταση ύλης.
Η υλοποίηση των δύο παραπάνω στόχων προσεγγίζεται, παραθέτοντας αρχικά μια
φαινομενολογική ερμηνεία μέσω των εξισώσεων Maxwell και των εξισώσεων υλικού,
της αλληλεπίδρασης της οπτικής ακτινοβολίας με διάφορα υλικά, κυρίως ισότροπα, και
στη συνέχεια αίρονται επαγωγικά οι διάφοροι περιορισμοί ώστε βαθμιαία να τείνουν
προς τις πραγματικές συνθήκες. Αυτό γίνεται φανερό στο δεύτερο κεφάλαιο, όπου υπει-
σέρχεται η έννοια των ηλεκτρονικών σταθμών και η πιθανότητα ηλεκτρονικών μεταπτώ-
σεων. Στη συνέχεια το ενδιαφέρον επικεντρώνεται στις τεχνικές χαρακτηρισμού που βα-
σίζονται στην αλληλεπίδραση της οπτικής ακτινοβολίας, είτε με τα ηλεκτρόνια ( απορ-
ρόφηση, ανάκλαση, Φωταύγεια, Ελλειψομετρία, και σκέδαση συντονισμού Raman), είτε
με το πλέγμα ( Raman, IR, Ελλειψομετρία), παραθέτοντας και αναλύοντας φάσματα δια-
φόρων υλικών. Τέλος παρατίθεται ένας ενδεικτικός πίνακας " καταλληλότητας" των ως
άνω τεχνικών..
Προφανώς, οι εν λόγω σημειώσεις δεν ανταποκρίνονται στο να χρησιμοποιηθούν
αυτοτελώς για την ενδελεχή ποσοτική αποτίμηση πειραματικών φασμάτων, είναι όμως
σε θέση να παράσχουν την ποιοτική ερμηνεία των εν λόγω φασμάτων ως επίσης και το
πρώτο βήμα για την επέκτασή των ή κατανόηση εκφράσεων που εφαρμόζονται σε πειρα-
ματικά δεδομένα για τον χαρακτηρισμό των υλικών..
Το κατά πόσον οι παραπάνω σημειώσεις ανταποκρίνονται στους στόχους και στις
απαιτήσεις των φοιτητών, επαφίεται στην κρίση των διδασκομένων ως και παντός ανα-
γνώστου. Η κριτική γνώμη επιζητείται και είναι ανά πάσα στιγμή ευπρόσδεκτος.
Σωτήριος Βες
Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2021

ΠΙΝΑΚΑΣ ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΩΝ
Πίνακας περιεχομένων
1. Αλληλεπίδραση του φωτός με την ύλη ......................................................... 6
1.1 Εισαγωγή ........................................................................................................... 6
1.2 Βασικές Έννοιες- Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό................................... 6
1.3 Ηλεκτρομαγνητικά κύματα σε Ημιαγωγούς. .................................................. 11
1.4 Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα και απορρόφηση ...................................... 18
1.4.1 Ανάκλαση μόνο από την εμπρόσθια επιφάνεια του υλικού ............................ 19
1.4.2 Ανάκλαση από εμπρόσθια και οπίσθια επιφάνεια του υλικού ........................ 19
2 Οπτικές Ιδιότητες Ημιαγωγών.................................................................... 23
2.1 Ημιαγωγοί ....................................................................................................... 23
3 Φασματοσκοπία δονήσεων .......................................................................... 38
3.1 Φασματοσκοπία Raman .................................................................................. 38
3.1.1 Βασικές αρχές ................................................................................................. 38
3.1.2 Μακροσκοπική περιγραφή σκεδάσεως Raman............................................... 40
3.1.3 Μικροσκοπική θεώρηση σκεδάσεως Raman .................................................. 43
3.2 Σκέδαση Raman σε κρυσταλλικούς ημιαγωγούς ............................................ 44
3.3 Περιγραφή της διατάξεως Raman Φωτοφωταύγειας ...................................... 47
3.4 Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Raman ....................................... 49
3.5 Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Υπερύθρου. ............................... 53
Βιβλιογραφία ........................................................................................................ 59
Ευρετήριο Όρων .................................................................................................. 61
Ευρετήριο Εικόνων και σχημάτων ..................................................................... 63
1.
Κεφ. Αλληλεπίδραση του φωτός
1 με την ύλη
1.1 Εισαγωγή
Η μελέτη των υλικών βασίζεται κατά κύριο λόγο σε διάφορες πειραματικές τεχνικές
οι οποίες με τη σειρά τους στη μεγάλη πλειοψηφία τους χρησιμοποιούν την ηλεκτρομα-
γνητική ακτινοβολία (ΗΜΑ). Π.χ. ΗΜΑ πολύ μικρού μήκους κύματος, όπως οι ακτίνες
Χ, χρησιμοποιείται για την μελέτη μικρών αποστάσεων και συνεπώς είναι κατάλληλη για
τη μελέτη της δομής των υλικών. ΗΜΑ με μήκη κύματα από το υπεριώδες έως το υπέρυ-
θρο και ακόμη πέρα στη περιοχή χιλιοστομετρικών κυμάτων είναι κατάλληλη για τη με-
λέτη σχεδόν όλων των βασικών ιδιοτήτων των στερεών και ειδικότερα των ημιαγωγών
και μονωτών. Όπως π.χ. το κρυσταλλικό τους πλέγμα μέσω των ταλαντώσεων του (φω-
νόνια), την ηλεκτρονική τους δομή μέσω των διαταινιακών είτε ή ενδοταινιακών μετα-
πτώσεων, τους ελεύθερους φορείς μέσω της κίνησής των ίδιων των φορέων, τα σφάλμα-
τα και προσμίξεις μέσω φαινομένων ιονισμού ή ταλαντώσεων των στο πλέγμα. Όλα τα
παραπάνω φαινόμενα συνδέονται άμεσα με την αλληλεπίδραση των επιμέρους διεργα-
σιών με την ΗΜΑ, προκαλώντας είτε την απορρόφηση είτε την ανάκλαση είτε τη διαπε-
ρατότητα είτε τη σκέδαση της ΗΜΑ. Ακόμη και αν τα υλικά αναπτύσσονται σε μικροδο-
μές, οι οποίες με τη σειρά τους βρίσκουν όλο και μεγαλύτερη εφαρμογή σε μικροδιατά-
ξεις, η ΗΜΑ χρησιμοποιείται κατά κόρο για τον έλεγχο τόσο των διεπιφανειών των όσο
και των διαστάσεων των.
Συνεπώς το "φως" "αισθάνεται" και "ερευνά" τις περισσότερες από τις ιδιότητες των
υλικών, ή με άλλα λόγια για να καταλάβουμε το πως αλληλεπιδρά το "φως" με ένα υλικό
ή ακόμη και να προβλέψουμε το πως θα αντιδράσει θα πρέπει να έχουμε καταλάβει τις
βασικές ιδιότητες και των δύο. Και της ΗΜΑ και του υλικού. Έτσι θα ήμαστε σε θέση να
εικάσουμε αν ένα υλικό ή ΗΜΑ συγκεκριμένης ενέργειας μπορεί να έχει μια επιθυμητή
εφαρμογή ή όχι. Αυτός θα είναι και ο απώτερος στόχος στα παρακάτω. Πρώτα να κατα-
νοηθούν οι βασικές αρχές και στη συνέχεια να μελετηθούν ορισμένες εφαρμογές. Ο στό-
χος αυτός είναι βέβαια αρκετά φιλόδοξος ώστε να επιτευχθεί μέσα σε λίγα μαθήματα.
Όμως ακόμη και η πρώτη "γνωριμία" με τέτοιου είδους έννοιες και αντιμετώπιση των
αποτελεί σημαντικό κέρδος για τους σπουδαστές, αφού θα μπορούν να ανατρέξουν σε
εκτενέστερη βιβλιογραφία, σε περίπτωση που χρειασθεί.
1.2 Βασικές Έννοιες- Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό.

Η μελέτη των οπτικών ιδιοτήτων των υλικών, όπως προκύπτει και από το όνομά της,
συνίσταται στην ανάλυση των ιδιοτήτων μιας φωτεινής δέσμης μετά την αλληλεπίδρασή
της με ένα υλικό, σε σχέση μ΄ αυτές πριν από την αλληλεπίδραση. Βέβαια το αντίστοιχο
Βασικές Έννοιες- Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό. 7
μπορεί να γίνει και με το υλικό. Όμως επειδή οι μεταβολές του υλικού είναι, κατά κανό-
να, πολύ μικρότερες ή και δεν επιθυμούμε καν την τροποποίηση του υλικού, εκτός και αν
αναφερόμαστε σε αλληλεπιδράσεις με εξαιρετικά ισχυρές δέσμες, συνήθως προτιμούμε
την μελέτη της ακτινοβολίας.
Γενικά για να αποκομίσει κανείς όσο το δυνατόν περισσότερες και δη αξιοποιήσιμες
πληροφορίες για μια τέτοιου είδους αλληλεπίδραση, θα πρέπει να γνωρίζει όσο το δυνα-
τόν καλύτερα την χρησιμοποιούμενη ακτινοβολία, το υπό μελέτη υλικό και τον τρόπο
αλληπιδράσεώς των. Επίσης θα πρέπει να είμαστε σε θέση να συσχετίσουμε μικροσκοπι-
κές ιδιότητες (συχνοτική εξάρτηση διηλεκτρικής συνάρτησης, συντελεστής απορρόφη-
σης, πόλωση, τοπικά πεδία, κλπ) των εμπλεκομένων μεγεθών με τις συνήθως μετρούμε-
νες μακροσκοπικές (ανακλαστικότητα, απορρόφηση, σκέδαση, φωτοφωταύγειας, κλπ.).
Στα παρακάτω θα μελετήσουμε ορισμένους απ΄ αυτούς τους παράγοντες.
Ο πλέον πρόσφορος τρόπος μελέτης της αλληλεπίδρασης ακτινοβολίας με την ύλη
είναι μέσω των εξισώσεων Maxwell, οι οποίες προσδιορίζουν την βασική συμπεριφορά
μιας ΗΜΑ. Σε όλους μας είναι γνωστό ότι οι λύσεις των στο κενό προσδιορίζουν αμείω-
τη εγκάρσια ΗΜΑ, συνιστάμενη από αμοιβαία κάθετα μεταξύ των ταλαντούμενα ηλε-
κτρικά και μαγνητικά πεδία, διαδιδόμενα με τη ταχύτητα της ΗΜΑ στο κενό. Αντίθετα
στο περίπλοκο περιβάλλον ενός υλικού η ΗΜΑ αλληλεπιδρά με τα υπάρχοντα φορτία (ε-
λεύθερα ή δέσμια) και παράγει φαινόμενα που δεν εμφανίζονται στον ελεύθερο χώρο
(πολαριτόνια, φαινόμενο απορρόφησης, εξάρτηση της ταχύτητας διάδοσης από την συ-
χνότητα, διαμήκη κύματα, κλπ). Οι εξισώσεις του Maxwell στο SI σύστημα έχουν τη
μορφή:
  H = j + D
t
 E = − B
t (1.2.1)
  D = free
 B = 0
όπου E και H είναι αντίστοιχα οι εντάσεις της ηλεκτρικής και μαγνητικής συνιστώσας
της ΗΜΑ, ρfree και j είναι η χωρική πυκνότητα ελευθέρων (ή μη δέσμιων φορτίων ) και η
πυκνότητα ρεύματος που οφείλεται στα ελεύθερα φορτία, ενώ τέλος τα D και B είναι η
διηλεκτρική μετατόπιση και η μαγνητική επαγωγή.
Όπως φαίνεται από τις παραπάνω εξισώσεις η δεύτερη και τέταρτη εξίσωση περι-
λαμβάνουν μεγέθη που χαρακτηρίζουν μόνο την ΗΜΑ, ενώ οι υπόλοιπες περιέχουν με-
γέθη που αναφέρονται και τόσο στην ΗΜΑ όσο και στον "χώρο" μέσα στον οποίο γίνε-
ται η αλληλεπίδραση. Συνεπώς, εμπεριέχουν και την μορφή αλληλεπιδράσεως. Αυτή σύ-
ζευξη των επί μέρους μεγεθών φαίνεται καλύτερα από τις παρακάτω δύο εκφράσεις, οι
οποίες "συνδέουν" αναλυτικά αυτά τα μεγέθη και γι' αυτό ονομάζονται και εξισώσεις
υλικού.
D=0E+P=0E
(1.2.2)
B=0 (H+M)=0H
Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

8 Αλληλεπίδραση του φωτός με την ύλη
όπου εο (= 8,85 10-12 C2 N-1m-2) και μο ( = 4π 107 Ν s2 C-2) είναι αντίστοιχα η ηλεκτρική
διαπερατότητα και μαγνητική επιδεκτικότητα του κενού, ενώ τα P και M παριστούν α-
ντίστοιχα την ηλεκτρική και μαγνητική διπολική ροπή ανά μονάδα όγκου. Τα μεγέθη ε
και μ παριστούν αντίστοιχα την ηλεκτρική διαπερατότητα και μαγνητική επιδεκτικότητα
του υλικού. Ως εκ τούτου περιέχουν όλες τις πληροφορίες για το υλικό. Η αναλυτική
έκφραση αυτών των μεγεθών δεν μπορεί να γραφεί αν δεν είναι γνωστές οι αναλυτικές
πληροφορίες σε μικροσκοπικό επίπεδο για το υλικό. Άπαξ όμως και την ξέρουμε τότε
είμαστε σε θέση να υπολογίσουμε την αλληλεπίδραση ΗΜΑ-υλικού.
Από την εξ. (1.2.2) βλέπουμε ότι τα μεγέθη ε και μ συνδέουν δύο διανύσματα. Συ-
νεπώς αυτά στην γενική τους μορφή θα είναι τανυστές δευτέρας τάξεως. Γι΄ αυτό και
 
σωστότερα συμβολίζονται ως ε και μ. Η μορφή τους θα εξαρτάται άμεσα από την συμ-
μετρία του υλικού. Στα περισσότερα κρυσταλλικά συστήματα τα ιδιοδιανύσματα είναι
παράλληλα προς τους αμοιβαία κάθετους άξονες συμμετρίας. Έτσι αν η ΗΜΑ διαδίδεται
κατά μήκος ενός κυρίου άξονα το πρόβλημα ουσιαστικά μπορεί να αναχθεί με μονοδιά-
στατο. Επίσης σε υλικά με κυβική συμμετρία οι τρεις κύριοι άξονες είναι ίσοι μεταξύ
 
τους και το υλικό ονομάζεται "οπτικά" ισότροπο και συνεπώς τα μεγέθη ε και μ θεω-
ρούνται ότι είναι βαθμωτά μεγέθη. Επίσης, όπως αντιλαμβάνεται κανείς, η απόκριση ε-
νός υλικού σε μια ΗΜΑ δεν θα είναι η ίδια, ανεξάρτητα από το εάν αυτή εξαρτάται από
τον χρόνο ή όχι· και ότι ούτε θα είναι η ίδια ανεξάρτητη από την συχνοτική εξάρτηση της
  
ακτινοβολίας. Αυτό μ΄ άλλα λόγια σημαίνει ότι τα ε και μ (ιδιαίτερα το ε ) θα εξαρτάται
από τη συχνότητα και σε μικρότερο βαθμό από το κυματοδιάνυσμα q ή k ( βλέπε παρα-

κάτω) δηλ. θα είναι ε (ω, q). Στα παρακάτω θα επικεντρωθούμε στην μελέτη μη μαγνη-
τικών υλικών, αν και τελευταία εμφανίζονται υλικά, όπως οι "μαγνητικοί ημιαγωγοί"
(Zn(Mn,Co)xCd1-x(S,Se,Te)) που συνδυάζουν ημιαγωγικές και μαγνητικές ιδιότητες. Επί-
σης θα επικεντρωθούμε σε οπτικά ισότροπα υλικά, δηλ. θα θεωρήσουμε μόνο την συχνο-

τική εξάρτηση του ε (ω) = ε(ω).
Θα αρχίσουμε την μελέτη μας από το απλούστερο "υλικό", το κενό. Στο κενό δεν
υπάρχουν ελεύθερα φορτία, ροή ρευμάτων ούτε ηλεκτροστατική και μαγνητική διπολική
ροπή. Έτσι οι εξισώσεις υλικού μεταπίπτουν στις:
D = 0 E D = 0 E
 ύ (1.2.3)
B = 0 H B = 0 H
Αν αντικαταστήσουμε τις εξ.(1.2.3) στις (1.2.1) και εκτελέσουμε τις πράξεις βρί-
σκουμε ότι τα ηλεκτρικό και το μαγνητικό πεδίο ικανοποιούν αντίστοιχα τις εκφράσεις,
2 E = 00  2E
2
(1.2.4)
t
και
2 B = 00  2B
2
(1.2.5)
t
οι οποίες δεν είναι τίποτε άλλο παρά οι συνήθεις εκφράσεις ενός οδεύοντος κύματος
διαταραχής. Δεδομένης της συμμετρίας των εκφράσεων (1.2.4) και (1.2.5) και του γεγο-
ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

Βασικές Έννοιες- Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό. 9
νότος ότι θεωρούμε κυρίως μη μαγνητικά υλικά, συνεπώς οι οιασδήποτε αλληλεπιδρά-

σεις θα γίνονται μέσω ηλεκτρικών πεδίων, επικεντρωνόμαστε στη μελέτη της ηλεκτρικής
συνιστώσας.
Μία λύση της (1.2.4) δίνεται γενικά από την
E = E0e−i(t −qr ) (1.2.6)
όπου ο εκθετικός παράγοντας εξασφαλίζει την περιοδικό χαρακτήρα. Η παραπάνω λύση

παριστά εγκάρσια επίπεδα οδεύοντα κύματα (οι ισοφασικές επιφάνειες είναι επίπεδα
όπως προκύπτει από τη λύση της ωt - qr = 0) και δεν αποτελεί την γενική της λύση. Το
γεγονός ότι η παραπάνω λύση παριστά εγκάρσια οδεύοντα κύματα προκύπτει αμέσως αν
λάβει κανείς υπ΄ όψη του την τελευταία εξίσωση του Maxwell και θεωρήσει ρ = 0, οπότε
αμέσως προκύπτει  = q = 0. Και άλλες μορφές κυμάτων αποτελούν επίσης λύσεις
π.χ. σφαιρικά, κυλινδρικά κλπ. Επειδή όμως κάθε περιοδική συνάρτηση μπορεί να ανα-
λυθεί σε σειρά Fourier και εν κατακλείδι σε άθροισμα όρων της μορφής της σχέσεως
(1.2.6), συνήθως δίνεται ως λύση η (1.2.6). Η (1.2.6) παριστά την ένταση του ηλεκτρικού
πεδίου σ΄ ένα επίπεδο κάθετο στο διάνυσμα q η φορά του οποίου δηλώνει την διεύθυνση
διαδόσεως του κύματος και το οποίο ονομάζεται κυματοδιάνυσμα (βλ. Σχ. 1-1). Το r πα-
ριστά την απόσταση από την αρχή των συντεταγμένων και το Ε0 το πλάτος. Ένα σημείο
Χ
ωt - q·r = σταθ
Υ q
Σχ. 1-1 Επίπεδα κύματα σταθερού πλάτους που διαδίδονται κατά μήκος του άξονα Ζ. Το πλάτος
το κύματος είναι σταθερό πάνω στα επίπεδα που είναι ταυτόχρονα και οι ισοφασικές ε-
πιφάνειες. Η τελευταία ιδιότητα δεν απαντάται κατά κανόνα σε άλλες μορφές κυμάτων,
π.χ. σφαιρικά, κυλινδρικά κλπ.

που πρέπει να αναφέρουμε ακόμη είναι ότι η λύση που υιοθετείται μέσω της (1.2.6) είναι
ότι η αρχική φάση είναι μηδενική. Αυτό δεν ισχύει γενικά. Και αν αυτή η "παραχώρηση"
φαίνεται παντελώς ακίνδυνη δημιουργεί αρκετά προβλήματα όταν κανείς επικεντρώνεται
σε προβλήματα συμφωνίας της ΗΜΑ. Επίσης η αρχική φάση είναι διαφορετική για την
συνιστώσα της μαγνητικής επαγωγής. Βρίσκεται ότι και οι δύο αρχικές φάσεις φθίνουν
με την απόσταση από το σημείο παραγωγής της ΗΜΑ και ότι τείνουν στο μηδέν για α-
ποστάσεις αρκετών μηκών κύματος. Και οι δύο αυτές φάσεις μεταβάλλονται διαφορετικά
αν η ακτινοβολία διαπεράσει μια διαχωριστική επιφάνεια με διαφορετικά μέσα από κάθε
πλευρά της. Εμείς όμως εδώ θα παραβλέψουμε αυτά τα φαινόμενα και θα τα αναφέρουμε
μόνο όταν παίζουν σημαντικό ρόλο. Τα υπόλοιπα μεγέθη της (1.2.6) συνδέονται με τις
γνωστές παραμέτρους του κύματος μέσω των:
2
| q |= λ το μήκος κύμτος

 = 2 ν η συχνότητα (1.2.7)
1 
|c| = = ταχύτητα φάσεως κύματος στο κενό
 00 |q|
Αν υποθέσουμε ότι η ΗΜΑ διαδίδεται κατά μήκος του +z-άξονα η (1.2.6) γράφεται:
E(z, t) = E0e−i(t −qz) (1.2.8)
Αν αντικαταστήσουμε τη σχέση (1.2.8) στην (1.2.7) βρίσκουμε
2
q 2 =002 = 2 ή  =cq
 (1.2.9)
c
Σχέσεις ω = ω(q) δηλ. μεταξύ της συχνότητος ω και του κυματοδιανύσματος ονομά-
ζονται σχέσεις διασποράς και παίζουν βασικό ρόλο στη κατανόηση των οπτικών ιδιοτή-
των των υλικών. Συνήθως έχουμε την δυνατότητα να μετρούμε πειραματικά τις σχέσεις
διασποράς και συνεπώς να ελέγχουμε τα διάφορα θεωρητικά πρότυπα βάσει των οποίων
σε αρκετές περιπτώσεις υπολογίζουμε τις σχέσεις διασποράς. Επ΄ αυτού όμως θα επα-
νέλθουμε στα παρακάτω.
Με τη βοήθεια της (1.2.9) η σχέση (1.2.8) γράφεται:
E=E0e−i(t−z 00 )
(1.2.10)
Από τη σχέση (1.2.10) συνάγεται ότι το πλάτος του κύματος παραμένει αναλλοίωτο κατά
την διάδοσή του στο κενό.
Ένα άλλο μέγεθος που θα πρέπει να ορίσει κανείς είναι η ενέργεια που μεταφέρει η
ΗΜΑ. Αυτή, για ένα (μη μαγνητικό) υλικό με δ.δ. βρίσκεται ότι δίδεται από την έκφραση
1 q 1
S=E×H= E×B=0 E×B=0c 2 E 2 =0ncE 2 (1.2.11)
0  u

Ηλεκτρομαγνητικά κύματα σε Ημιαγωγούς. 11
όπου το διάνυσμα S ονομάζεται διάνυσμα Poynting και το μέτρο του παριστά την ενέρ-
γεια ανά μονάδα επιφανείας η οποία διαπερνά μια επιφάνεια κάθετη στο q. Η μέση χρο-
νική τιμή του S ονομάζεται ισχύς της ακτινοβολίας και συμβολίζεται με Ι. Αν λάβουμε
υπόψη μας την ημιτονοειδή εξάρτηση του Ε από τον χρόνο, από την (1.11) βρίσκουμε
1 1 2 0ncE 2
I S= EB=c 0 E =
2
(1.2.12)
20 2u 2
1.3 Ηλεκτρομαγνητικά κύματα σε Ημιαγωγούς.

Αντίθετα με το κενό όπου τα πράγματα ήταν σχετικά απλά, η μελέτη της ΗΜΑ στο
εσωτερικό ενός ημιαγωγού, Si ή GaAs καθίσταται σημαντικά πολυπλοκότερη. Αυτό ο-
φείλεται στο γεγονός της υπάρξεως φορτίων, τόσο ελευθέρων όσο και δέσμιων, τα οποία
είτε ως φορτία, είτε ως ρεύμα, είτε ως πόλωση (Ρεύματα μετατόπισης) επηρεάζουν τις
εξισώσεις Maxwell και τις καθιστούν περίπλοκες. Ως ελεύθερα φορτία θεωρούνται αυτά
των ταινιών αγωγιμότητος (ηλεκτρόνια) και σθένους (οπές). Ως δέσμια φορτία θεωρού-
νται αυτά που είναι "προδεδομένα" στο πλέγμα του υλικού. Τέτοια είναι τα εσωτερικά
ηλεκτρόνια (= αυτά που δεν μετέχουν στον σχηματισμό των χημικών δεσμών) των ατό-
μων ως και τα φορτία των πυρήνων. Βέβαια αυτός ο διαχωρισμός είναι πολύ γενικός και
πάντα υπάρχουν επιμέρους διαβαθμίσεις σχετικά με τον βαθμό ελευθερίας ή μη των φορ-
τίων στο υλικό, ο οποίος κατά κανόνα διαφοροποιείται ανάλογα με την συχνότητα της
ΗΜΑ που δρα στο υλικό. Έτσι ένα φορτίο μπορεί να θεωρείται ελεύθερο σε υψηλές συ-
χνότητες και δέσμιο σε χαμηλές, ανάλογα με τον "βαθμό αδράνειας" που εμφανίζει στη
ΗΜΑ. Για την περίπτωση ΗΜΑ στην οπτική περιοχή ( 1012-1015 Hz) ο παραπάνω διαχω-
ρισμός θεωρείται ικανοποιητικός.
Ας αρχίσουμε να μελετάμε την επίδραση των φορτίων ξεκινώντας από αυτή των δέ-
σμιων φορτίων. Αυτά δημιουργούν δίπολα των οποίων η χωρική πυκνότητα αποτελεί
την πόλωση P.
1
V 
P= δέσμιαr dV =
V
1
i ni
δέσμια
i ri (1.3.1)
όπου r η απόσταση των δέσμιων φορτίων και V ο όγκος. Προφανώς η δεύτερη ισότητα
αναφέρεται σε διακριτή κατανομή φορτίων.
Γενικά η πόλωση μπορεί να γραφεί σαν μια σειρά δυνάμεων της εντάσεως του ε-
φαρμοζομένου ηλεκτρικού πεδίου. Συνήθως για μικρές εντάσεις πεδίου ( ~104 V/cm) οι
ανωτέρας τάξεως όροι μπορούν να παραληφθούν. Οι ανωτέρας τάξεως όροι είναι απα-
ραίτητοι όταν στο υλικό επενεργούν Lasers υψηλής εντάσεως ή αν το υπό μελέτη υλικό
εμφανίζει υψηλή μη γραμμικότητα. Για τη δική μας περίπτωση ο γραμμικός όρος έχει τη
μορφή
P=0E (1.3.2)
η ποσότητα  ονομάζεται ηλεκτρική επιδεκτικότητα και ισχύουν και γι΄ αυτήν όσα α-
ναφέρθηκαν για την διηλεκτρική σταθερά ε, δηλ. τανυστική μορφή και εξάρτηση από

συχνότητα, το χώρο, κυματοδιάνυσμα κλπ. Εμείς εδώ θα κρατήσουμε για το  όπως και
για τα ε, μόνο την εξάρτηση από την συχνότητα ω.
Με τη βοήθεια της σχέσεως (1.3.2) η πρώτη από τις εξισώσεις υλικού γράφεται
D=0 E+P=0 (1+())E=lat ()0 E (1.3.3)
όπου η ποσότητα εlat παριστά το μέρος της διηλεκτρικής συνάρτησης που προέρχεται
από την πόλωση των δέσμιων φορτίων. Το lat μπήκε για να υποδηλώνει ότι τα δέσμια
φορτία έχουν κατά κάποιο τρόπο να "κάνουν με το πλέγμα".
Το επόμενο βήμα είναι να εστιάσουμε την προσοχή μας στην συνεισφορά των ελευ-
θέρων φορτίων. Βέβαια η συνεισφορά των θα μπορούσε να είχε ενσωματωθεί στη σχέση
(1.3.1), όπου αντί των δέσμιων φορτίων να είχαμε το συνολικό φορτίο. Όμως ο παραπά-
νω διαχωρισμός μας επιτρέπει να διαφωτίζουμε καλύτερα τις επί μέρους συνεισφορές.
Στην βιβλιογραφία πάντως εμφανίζονται και οι δύο τρόποι περιγραφής. Γι΄ αυτό κανείς
πρέπει να είναι προσεκτικός όταν εφαρμόζει τις διάφορες εκφράσεις, ώστε να ξέρει κάτω
από ποιες προϋποθέσεις έχουν εξαχθεί. Όπως είναι γνωστό η επίδραση ενός ηλεκτρικού
πεδίου σ΄ ένα φορτίο είναι η δημιουργία ενός ηλεκτρικού ρεύματος. Η ποσοτική σχέση
μεταξύ των δύο μεγεθών εκφράζεται μέσω του νόμου του Ohm, ο οποίος υποθέτουμε ότι
ισχύει και σε μικροσκοπική περιγραφή.
j = ()E (1.3.4)
όπου σ(ω) είναι η αγωγιμότητα. Όσον αφορά τη φύση του σ(ω) ισχύουν τα ίδια με αυτά
για το ε(ω) και (ω). Και εδώ θα παραλείψουμε φαινόμενα ανώτερης τάξης, όπως μη
γραμμικότητα, τανυστική φύση, χωρική εξάρτηση, τοπικότητας κτλ.
Αντικαθιστώντας τις σχέσεις (1.3.3) και (1.3.4) στις εξισώσεις του Maxwell και κά-
νοντας τις απαραίτητες πράξεις βρίσκουμε:
 2E E
    E = (  E) − 2E = lat00 2 + 0 (1.3.5)
t t
Η εξίσωση (1.3.5) διαφέρει από την αντίστοιχη έκφραση (1.2.4) για τον ελεύθερο
χώρο σε δύο σημεία:
• Περιλαμβάνεται και ο μη μηδενικός όρος  , ο οποίος είναι υπεύθυνος
για την δυνατότητα ύπαρξης διαμήκων κυμάτων.
E ,
• Περιλαμβάνεται όρος  ()0 ο οποίος περιγράφει φαινόμενα που
t
οφείλονται σε ρεύματα ελευθέρων φορτίων.
Ο ρόλος των δύο αυτών όρων γίνεται περισσότερο κατανοητός αν θεωρήσουμε αρ-
μονικά κύματα της μορφής (1.2.6) και αντικαταστήσουμε αυτή στη σχέση (1.3.5). Τότε
με τη βοήθεια της ταυτότητας 𝛻(𝑨 ⋅ 𝑩) = (𝑨 ⋅ 𝛻)𝑩 + (𝑩 ⋅ 𝛻)𝑨 + 𝑨 × (𝛻 × 𝑩) +
𝑩 × (𝛻 × 𝑨), που παραμένει μόνο οπ πρώτος όρος, βρίσκουμε την έκφραση
q2 E − q( q  E) = l at 002 E + i0()  E = 2()00 E (1.3.6)

όπου
()  () 
() = lat () + i = 1lat () + i  lat
2 () + =  () + i2 ()
0  1
(1.3.7)
0 
Η σχέση (1.3.7) αποτελεί τον γενικευμένο ορισμό της διηλεκτρικής συνάρτησης
και καταδεικνύει τον κεντρικό της ρόλο όσον αφορά την περιγραφή της αλληλεπίδρασης
μιας ΗΜΑ με ένα υλικό, στην γραμμική προσέγγιση. Επίσης είναι φανερό ότι περιλαμ-
βάνει φαινόμενα που οφείλονται τόσο στα δέσμια και ελεύθερα φορτία όσο και την εξάρ-
τηση της αλληλεπίδραση από την συχνότητα. Τέλος ο μιγαδικός χαρακτήρας υποδηλώνει
ότι λαμβάνονται υπ΄ όψη και φαινόμενα απωλειών. Εδώ θα πρέπει να σημειωθεί ότι και η
lat () περιλαμβάνει φανταστικό μέρος, εφόσον υπάρχουν απώλειες.
Ένα επιπλέον χαρακτηριστικό στοιχείο της σχέσεως (1.3.5) είναι, ότι σε σχέση με
την (1.2.4), δεν είναι δυνατή η άμεση λύση της (1.3.6) και την εύρεση της σχέσεως δια-
σποράς. Ο λόγος γι΄ αυτό είναι η ύπαρξη του διαμήκους όρου q(qE). Η λύση στο πρό-
βλημα αυτό δεν είναι απλή είναι όμως δυνατή αν θεωρήσει κανείς ότι το Ε μπορεί να
αναλυθεί στο άθροισμα μιας εγκάρσιας (Et )και μιας διαμήκους (Eq) συνιστώσας.
E=Et tˆ+Eqqˆ tˆ qˆ=0 (1.3.8)
όπου ^t και q^ είναι τα αντίστοιχα μοναδιαία διανύσματα. Βέβαια η παραπάνω ανάλυση

όσο και αν φαίνεται αυτονόητη δεν είναι πάντα δυνατή από μαθηματικής σκοπιάς. Καθί-
σταται όμως δυνατή λόγω της φύσεως των εξισώσεων Maxwell και του μετασχηματι-
σμού βαθμίδας Coulomb ( Coulomb gauge),  A= 0 (βλέπε ένα βιβλίο θεωρητικής
μελέτης ΗΜΑ. π.χ. Loudon (Quantum Theory of Light). Έτσι η (1.3.6) με την βοήθεια
της (1.3.8) γράφεται:
()
 2 2
()
 ()E qˆ = 0
2
 c () − q  t
E ˆ
t + (1.3.9)
 
q
c
Λόγω της ορθογωνιότητας δηλ. της γραμμικής των ανεξαρτησίας των πεδίων, συνά-
γεται ότι καθένας από τους όρους της (1.3.9) θα πρέπει να ισούται με μηδέν, δηλ.
()
q2 =  ()
2
c (1.3.10)
και
 Δεν έχουμε ΗΜ - κύματα

() = 0 (1.3.11)
E  EL || q B=0 αλλά καθαρά κύματα πόλωσης!!
Η σχέση (1.3.10) είναι η γενικευμένη σχέση διασποράς για εγκάρσια επίπεδα αρμο-
νικά κύματα διαδιδόμενα μέσα σ΄ ένα στερεό διηλεκτρικής συνάρτησης ε(ω). Η σχέση
(1.3.11) θέτει τις προϋποθέσεις υπάρξεως διαμήκων κυμάτων. Οι σχέσεις (1.3.10) και
(1.3.11) είναι οι βασικές σχέσεις με την βοήθεια θα περιγράψουμε τις οπτικές ιδιότητες

του υλικού. Στην ουσία βέβαια θα μελετούμε τις ιδιότητες της ε(ω) η οποία θα πάρει συ-
γκεκριμένη μορφή για ανάλογα με το υλικό ή με την πειραματική μέθοδο η οποία βέβαια
και θα ανιχνεύει καθορισμένο φαινόμενο ή φαινόμενα Ειδικότερα θα δούμε ότι η δεύτε-
ρη παίζει σημαντικό ρόλο στη αλληλεπίδραση ΗΜΑ με ελεύθερους φορείς ή με LO φω-
νόνια σε ημιαγωγούς μέσω της φασματοσκοπίας υπερύθρου (IR) ή Raman .
Μια επιπλέον παρατήρηση είναι ότι όπως προκύπτει από τη σχέση (1.3.10) το κυμα-
τοδιάνυσμα q~ είναι μιγαδικό. Αν δε θέσουμε q~ = q1 + i q2 στη λύση των επιπέδων(1.2.6)
για την (1.3.5) βρίσκουμε την,
−q 2 z −i(t −q1z)
E = E0e e (1.3.12)
Από την (1.3.12) συνάγεται ότι το φανταστικό μέρος q2 του κυματανύσματος σχετί-
ζεται με το πλάτος του ηλεκτρικού πεδίου (κύματος) που διαδίδεται μέσα στο υλικό.
Βρίσκεται δε ότι το πλάτος αυτό φθίνει με την απόσταση βάσει της σχέσεως
E = E0e−q2z (1.3.13)
Στην οπτική γενικά χρησιμοποιείται η έννοια του μιγαδικού δείκτη διαθλάσεως n~.
Ο δείκτης διαθλάσεως σχετίζεται με την διηλεκτρική συνάρτηση και το κυματοδιάνυσμα
μέσω της σχέσεως
n = n + ik = ~
~  () (1.3.14)
οπότε η εξίσωση (1.3.12) με τη βοήθεια της (1.3.14) παίρνει την μορφή
E = E0e−kq 0 ze−i(t −nq 0 z) (1.3.15)
όπου με qo = ω/c συμβολίζεται το μέτρο του κυματοδιανύσματος στο κενό. Η σχέση

(1.3.14) δίνει αμέσως τη φυσική σημασία του μιγαδικού δείκτη διαθλάσεως. Το πραγμα-
τικό του μέρος καθορίζει την ταχύτητα διαδόσεως της φάσεως της ΗΜΑ στο υλικό. Η
ταχύτητα αυτή ονομάζεται ταχύτητα φάσεως.
  c
u phas = = = (1.3.16)
q1 n1q 0 n1
Το μιγαδικό μέρος του δείκτη διαθλάσεως συνδέεται με την μείωση του πλάτους της
ΗΜΑ και συνεπώς έχει να κάνει με την εξασθένηση της ακτινοβολίας.
Τέλος με τη βοήθεια των σχέσεων (1.3.7) και (1.3.14) μπορούμε να βρούμε διάφο-
ρες σχέσεις που συνδέουν τις διάφορες ποσότητες (απορρόφηση, ανακλαστικότητα, δια-
περατότητα, κλπ) σ΄ ένα ομογενές απορροφούν μέσο.
1
1=n2 −k 2 n=  +  21 + 22
2 1
(1.3.17)
1
2 =2nk k= −1+  21 + 22
2

Ένα άλλο μέγεθος που πρέπει ακόμη να ορισθεί είναι ο συντελεστής απορροφήσε-
ως (ω). Γενικά αν έχουμε μια ακτινοβολία εντάσεως Ι η οποία διαδίδεται κατά μήκος
της z διευθύνσεως ο (ω) ορίζεται ως
1 dI()
() = −  ή I(z) = I(0)e−()z (1.3.18)
I() dz
και επειδή η ένταση της ακτινοβολίας σχετίζεται με το τετράγωνο της εντάσεως του ηλε-
κτρικού πεδίου βρίσκουμε από τη (1.3.15) ότι
() = 2kq0
2 2k 4k 4k (1.3.19)
() = 2kq0 = = = =
nc c vac n med
Στο σημείο αυτό νομίζουμε ότι θα πρέπει να αποκτήσουμε μια εποπτική εικόνα της
εξάρτησης των παραπάνω μεγεθών. Για τον σκοπό αυτό θεωρούμε ότι η διηλεκτρική συ-
νάρτηση ενός υλικού περιγράφεται από την έκφραση
 2p,f (0 −  )02 j 
() = () + − 2 + 2 
  + if  j 0 j −  − i j
2
(1.3.20)
N e2
2p,f = f *
0me
όπου η ποσότητα ω0 είναι οι ιδιοσυχνότητες ή φυσικές συχνότητες συντονισμού.

m και ωp είναι αντίστοιχα η ενεργός μάζα και η συχνότητα πλάσματος, Από φυσικής
e
απόψεως η ωp σημαίνει την φυσική συχνότητα ταλαντώσεως του "πλάσματος" που δη-
μιουργείται από το αρνητικό φορτίο των φορέων ( ελεύθεροι ή δέσμιοι) και του αντίστοι-
χου θετικού φορτίου των πυρήνων των φορέων. Όπως θα δούμε αμέσως παρακάτω η εν
λόγω συχνότητα παίζει σημαντικό ρόλο στη "οπτική" συμπεριφορά των μετάλλων. Ο ό-
ρος ε() παριστά την συνεισφορά στη διηλεκτρική συνάρτηση περιοχών απορρόφησης
σε υψηλότερες ενέργειες. Τέλος τα γ υποδηλώνουν την ύπαρξη μη αντιστρεπτών απω-
λειών ενέργειας προκαλουμένων είτε από κρούσεις από άλλους μηχανισμούς. Γι΄ αυτού
του είδους τις απώλειες θεωρούμε ότι οι αναπτυσσόμενες δυνάμεις είναι ανάλογες της
ταχύτητος (συχνότητος). Ο όρος αυτός δεν αποδίδει πάντοτε ποσοτικά σωστά την πραγ-
ματικότητα, όμως περιγράφει σωστά την ποιοτική συμπεριφορά των περισσοτέρων συ-
στημάτων και γι΄ αυτό και είναι αρκετά δημοφιλής. Από τη σχέση (1.3.20) μπορούμε κα-
τά τα γνωστά να υπολογίσουμε τις επί μέρους συνιστώσες, οι οποίες έχουν την έκφραση:
 2   2 (2 −2 ) 
1 () = n2 − 2 = 1− 2 p,f 2  + () −1+  2 p,b 20 j2 2 2 
  + f   j (0 j − ) +  j  

 p,f f
2
0, j j
2

2 () = 2n =  +  2 2
 ( + f ) j (0 j − ) +  j  
2 2 2 2 2
(1.3.21)
 2p,b = (0 − )02 j

Τέλος από τις σχέσεις (1.3.21) με τη βοήθεια των (1.3.17) μπορούμε να υπολογίσου-
με αναλυτικά τις οπτικές σταθερές. Στο Σχ. 3-15 παριστάνονται τα παραπάνω μεγέθη.
Οι παραπάνω εκφράσεις είναι γνωστές ως " πρότυπο εξαναγκασμένου ταλαντωτή"
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
16 16 20 6
ε(0) ωL ά ε(ωL) = 0 ε1_b 0
12 ε2_b 12 -20 ε1pl 4
e2_f
ε() -40
ε2pl () = 1
e2_f
8 8
ε1_f
ε1_f
-60 free = 0,02
4 4 2
-80 pl_b = 5,6 eV
0 0 -100
-120 0
-4 -4
-140
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
4 4 1,0 12
n_b ε() = 3
γbound = 1 0,8 npl 10
3 k_b 3
ω0 = 4,05 kpl 8
kb
kf
ωpl_b = 6.0 eV 0,6
nb
nf
2 2
pl
6
0,4
pl 4
1 1
0,2 2
0 0 0,0 0
Absorption Coefficient (cm -1)
Absorption Coefficient (cm -1)
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
6
2,5x10 0,6
1,2x106
Absorption _b 0,5 Reflectancepl 1,0
2,0x106 1,0x106 pl
Reflectance
Reflectance
Reflectance_b Absorbancepl 0,8
0,4
1,5x106 8,0x105
0,3 0,6
6,0x105
1,0x106 0,4
0,2 4,0x10 5
5,0x105 0,1 5 0,2

2,0x10
0,0 0,0 0,0 0,0
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
Ενέργεια (eV) Ενέργεια (eV)
Σχ. 1-2 Γραφική παράσταση του πραγματικού και φανταστικού μέρους διηλεκτρικής συνάρ-
τησης, του δείκτη διαθλάσεως ως επίσης και του συντελεστού απορροφήσεως και της
ανακλαστικότητος για κάθετη πρόσπτωση (βλέπε σχέση (1.4.1)) για την απλούστερη
περίπτωση που ο δέσμιοι φορείς παρουσιάζουν μία μόνο ιδιοσυχνότητα. Αριστερά α-
πεικονίζεται η περίπτωση των "δέσμιων φορέων" και δεξιά των "ελευθέρων". Επίσης
φαίνεται ο ρόλος των διαφόρων μεγεθών και οι αριθμητικές τιμές των επί μέρους πα-
ραμέτρων που υπεισέρχονται στους υπολογισμούς.
στο οποίο ως χρονικά μεταβαλλόμενη δύναμη δρα το ηλεκτρικό πεδίο της εξωτερικής
ΗΜΑ επί των φορτίων. Δηλ. ουσιαστικά εξομοιώνει τους φορείς φορτίου στο εσωτερικό
ενός υλικού με "υλικά σημεία" ενεργού μάζας me .
Από το Σχ. 1-2 φαίνεται ότι στην ενεργειακή περιοχή των ιδιοσυχνοτήτων οι οπτικές
σταθερές εμφανίζουν σημαντική εξάρτηση από την ενέργεια (δέσμιοι φορείς) ή από συχνό-
τητα πλάσματος (ελεύθεροι φορείς). Αντίθετα για ενέργειες μικρότερες ή μεγαλύτερες πα-
ραμένουν σχεδόν σταθερές. Ειδικότερα βλέπουμε ότι σε υψηλές ενέργειες όλα τα υλικά εί-
ναι διαφανή, ενώ για χαμηλότερες τα μεν μέταλλα παρουσιάζουν σχεδόν τέλεια ανακλα-
στικότητα ( R  100 %) και υψηλό συντελεστή απορρόφησης οι δε ημιαγωγοί πεπερασμέ-
νη ανακλαστικότητα ( R  20 %) και πολύ μικρό συντελεστή απορρόφησης. Τέλος το εύ-
ρος των καμπυλών ε2 και k εξαρτάται σημαντικά από τα γ ( = μηχανισμούς απόσβεσης ).
Τέλος παρατηρείστε ότι η απορρόφηση και η ανάκλαση εμφανίζουν σημαντικές τιμές
σε κοντινές ενεργειακές περιοχές. (Η ανάκλαση λίγο υψηλότερα). Αυτό αιτιολογεί την
πειραματική διαπίστωση , ότι τα υλικά ανακλούν σημαντικά όπου απορροφούν σημαντικά.

Στη περίπτωση που συνυπάρχουν και τα δύο είδη φορέων, τότε προφανώς θα πρέ-
πει να ληφθούν υπ΄ όψη και οι δύο όροι. Αυτή η περίπτωση παριστάνεται στο Σχ.1-3 το
οποίο ουσιαστικά αποτελεί την επαλληλία των δύο επιμέρους σχημάτων του Σχ. 1-2. Τα
γενικά συμπεράσματα εξακολουθούν να ισχύουν. Η όποια διαφοροποίηση οφείλεται στη
σχετική θέση επί μέρους παραμέτρων, δηλ. πόσο κοντά είναι οι ιδιοσυχνότητες και η συ-
χνότητα πλάσματος κλπ. Η περίπτωση της παρουσίας και των δύο όρων παρουσιάζεται
στην περίπτωση του Ag και Cu όπου συνυπάρχουν διαταινιακές μεταπτώσεις των d ται-
νιών με το πλάσμα.
Στο σημείο αυτό μπορούμε να ορίσουμε μια ακόμη βασική παράμετρο της αλληλε-
πίδρασης ΗΜΑ και των υλικών. Είναι το μήκος διεισδύσεως δ. Αυτό ορίζεται ως η α-
πόσταση που πρέπει να διανύσει μια ΗΜΑ σ΄ ένα υλικό, ώστε η έντασή της να πέσει στο
1/e της τιμής που είχε στην επιφάνεια του υλικού.
Σχ.1-3 Η γραφική εξάρτηση των

οπτικών "σταθερών" στη
περίπτωση συνύπαρξης και
των δύο ειδών φορέων. (
Ουσιαστικά πρόκειται για
τη γραφική παράσταση της
(1.3.20)). Οι παράμετροι
που χρησιμοποιήθηκαν εί-
ναι:
0= 15  = 10
pf=7 eV 0b= 5 eV
b = 0.4 eV f = 2 eV
Οι κατακόρυφες γραμμές
υποδηλώνουν τις ενεργει-
ακές θέσεις τόσο των αρχι-
κών, όσο και των υπολογι-
σμένων παραμέτρων. Έτσι
παρατηρείστε ότι εμφανί-
ζονται δύο διαμήκεις συ-
χνότητες στα 4,05 και 8,13
eV και μια εγκάρσια 4,97 .
(Οι ακριβείς των θέσεις
εξαρτώνται από τις παρα-
μέτρους και ειδικότερα από
τους λόγους γ/ω) Επίσης
παρατηρείστε ότι οι δύο
βρίσκονται εκατέρωθεν της
εγκάρσιας συχνότητας και
η μία (η μεγαλύτερη) κο-
ντά στη συχνότητα πλά-
σματος των ελευθέρων φο-
ρέων.

Από την έκφραση (1.3.19) προκύπτει ότι
1 
() = = vac (1.3.22)
() 4k
( Μερικές φορές το μήκος διεισδύσεως ορίζεται με βάση την ένταση του ηλεκτρικού πε-
δίου, οπότε σ΄ αυτή τη περίπτωση το μήκος διεισδύσεως θα είναι διπλάσιο). Εμείς θα
κρατήσουμε τον πρώτο ορισμό. Για να έχει κανείς μια αίσθηση του μεγέθους του δ ανα-
φέρουμε ότι για το GaAs και για την περιοχή του ορατού ( λ  4000 - 8000 Å ) το δ κυ-
μαίνεται από 1000 - 10000 Å. Για την υπέρυθρη περιοχή το δ είναι ακόμη μεγαλύτερο.
Συνεπώς η υπέρυθρη ακτινοβολία εισέρχεται βαθύτερα μέσα σ΄ ένα υλικό και συνεπώς η
πληροφορία την οποία μεταφέρει εξερχόμενη δεν προέρχεται από τα επιφανειακά στρώ-
ματα, όπως συμβαίνει με την ορατή ή την υπεριώδη ακτινοβολία. Για τα μέταλλα το δ
είναι μερικές εκατοντάδες Å. Για τον χρυσό π.χ. για λ = 5000 Å, k = 2 οπότε δ = 200 Å.
Για το νερό, γυαλί και γραφίτη το δ είναι αντίστοιχα, 32 cm, 29 cm και 0,6 μm.
1.4 Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα και απορρόφηση

Από τα προηγούμενα είναι φανερό, ότι αν γνωρίζει κανείς την διηλεκτρική συνάρ-
τηση ενός υλικού, τότε γνωρίζει τα πάντα όσον αφορά την μικροσκοπική απόκριση του
υλικού στην ΗΜΑ. Στην πράξη όμως οι μετρήσεις γίνονται σε μακροσκοπικές συνθήκες.
Π.χ. σε τυπικές φασματοσκοπικές μετρήσεις απορροφήσεως μια δέσμη ΗΜΑ προσπίπτει
σ΄ ένα δείγμα υλικού και μετρείται η ποσότητα της ΗΜΑ που είτε ανακλάται από την
εμπρόσθια επιφάνεια του υλικού είτε αυτή που διαπερνά το υλικό. Η σχηματική διάταξη
φαίνεται στο Σχ. 1-4.
Η ανακλαστικότητα και η διαπερατότητα εξαρτώνται από τη γωνία προσπτώσεως
καθώς επίσης και από την κα-
II τάσταση πολώσεως της προ-
IR σπίπτουσας ΗΜΑ. Οι εκφρά-
φι φR σεις που περιγράφουν τη γε-
n1+ik1
νική περίπτωση είναι αρκετά
περίπλοκες και το αποτέλεσμα
εξαρτάται από τις σχετικές τι-
μές των οπτικών σταθερών (n
και k του κάθε στρώματος) γι΄
αυτό περιοριζόμαστε μόνο
n2+ik2 φT d στην περίπτωση της κάθετης
πρόσπτωσης και επιπλέον θε-
ωρούμε ότι τα περιβάλλοντα
n3+ik3 IT μέσα 1 και 3 είναι αέρας και
συνεπώς ο δείκτης διαθλάσεως
του θα ισούται με τη μονάδα.
Σχ. 1-4 Υμένιο πάχους d μεταξύ των υλικών 1 και 3. Κάθε Θα διακρίνουμε επίσης δύο
υλικό περιγράφεται από τον δικό του δείκτη δια- περιπτώσεις.
θλάσεως n~ = n + ik. Το πάχος κάθε ακτίνας υπο-
δηλώνει (κατά προσέγγιση) την ένταση της δέσμης.

Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα και απορρόφηση 19
1.4.1 Ανάκλαση μόνο από την εμπρόσθια επιφάνεια του υλικού

Αυτή η περίπτωση υλοποιείται όταν το υλικό να έχει άπειρο πάχος (στη πράξη πολύ
μεγάλο) ή απορροφά πολύ ισχυρά. Τότε η ανακλαστικότητα για κάθετη πρόσπτωση1 δί-
νεται από τη σχέση
R() =
 n() −1 + k2 ()
2
(1.4.1)
n() +12 + k2 ()
Από την (1.4.1) βλέπουμε ότι η ανακλαστικότητα μπορεί να γίνει μέγιστη ( R = 1)
σε δύο περιπτώσεις: ι) όταν k, n >> 1 (περί την εγκάρσια συχνότητα) ή κ >> n ή n >> κ
και ιι) όταν ε~ (ω)  0 δηλ πλησίον (συνήθως λίγο πιο κάτω) ενός διαμήκους τρόπου ή δη-
λ. όταν ε1(ω) = 0 και ε2(ω)  0 δηλ όταν n = k ~ 0. (Βλέπε Σχ. 1-2 και Σχ.1-3 ). Ας δού-
με δύο εφαρμογές. Έστω ότι η διεπιφάνεια αποτελείται από αέρα (n = 1) και γυαλί (n =
1.5, κ = 0). Τότε από τη σχέση (1.4.1) βρίσκουμε ότι R = 4 % . Το παραπάνω ποσοστό
είναι σημαντικό όταν έχουμε να "περάσουμε" μια φωτεινή δέσμη από ένα οπτικό σύστη-
μα το οποίο να περιέχει Ν τέτοιες διαχωριστικές επιφάνειες. Έτσι για Ν = 10 ( = 5 φακοί)
Τ = 1- ΝR = 1- 0.0410 = 60%. Δηλ. το μισό χάνεται. Ας πάρουμε τώρα μια διεπιφάνεια
αέρα /Si και για λ= 6200 Å έχουμε αέρα (n= 1) και Si (n=3.906, κ =0.022) βρίσκουμε R =
35% σημαντικά μεγαλύτερο.
1.4.2 Ανάκλαση από εμπρόσθια και οπίσθια επιφάνεια του υλικού
Αυτή η περίπτωση υλοποιείται όταν το υλικό εμφανίζει μικρή απορρόφηση ή γενι-
κότερα αν το γινόμενο του συντελεστή απορροφήσεως και του πάχους του υλικού, α(ω)d
είναι πολύ μικρό. Τότε ένα μέρος της ΗΜΑ φθάνει στη οπίσθια επιφάνεια του υλικού
όπου ένα μέρος ανακλάται προς το εσωτερικό και ένα μέρος εξέρχεται. Αν αθροισθούν
κατάλληλα όλα αυτά τα μέρη βρίσκεται ότι το ανακλώμενο και το διαδιδόμενο μέρος της
ΗΜΑ δίδεται από τις εκφράσεις
4R()sin 2 ()
R '() =
1− R()2 + 4R()sin 2 ()
T '() =
1− R()
2 (1.4.2)
1− R()2 + 4R()sin 2 ()

( ) = n( )d/c
όπου θ η φάση της δέσμης κατά την πορεία της μέσα στο υλικό και R η ανακλαστικότητα
από την εμπρόσθια επιφάνεια, όπως δίνεται από τη σχέση (1.4.1). Η γραφική παράσταση
της σχέσεως (1.4.2) παριστάνεται στο Σχ. 1-5.
Όπως φαίνεται από το Σχ. 1-5 για την διαφανή περιοχή, δηλ. ο δείκτης διαθλάσεως
εμφανίζει αμελητέο διασκεδασμό, τόσο η ανακλώμενη όσο και η διαδιδόμενη δέσμη εμ-
1 Για τη περίπτωση της πλάγιας πρόσπτωσης απαιτείται η χρήση των σχέσεων Fresnel, οι οποί-
ες είναι εξαιρετικά πολύπλοκες και η επίλυσή των δεν είναι πάντα μονοσήμαντη.

Διαπερατότητα d = 2000 A Διαπερατότητα d = 4000 A

Ανακλαστικότητα n =1,5 Ανακλαστικότητα n =1,5
1,0 1,0
Διαπερατότητα
Διαπερατότητα
0,9 0,9
0,1 0,1
0,0 0,0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
Ενέργεια (eV) Ενέργεια (eV)
Σχ. 1-5 Σχηματική παράσταση της ανακλώμενης και διαδιδόμενης δέσμης που διαπερνά ένα
υλικό με δείκτη διαθλάσεως n = 1.5 ( R = 4 %) και d = 2000 Å και περιβάλλεται
από αέρα. Το δεξιό σχήμα αντιστοιχεί σε υλικό με διπλάσιο πάχος. Παρατηρείστε ότι
το ελάχιστο της διαπερατότητας δεν είναι μηδέν, ούτε το μέγιστο της ανακλαστικότη-
τας είναι μονάδα ( Γιατί ; Πώς θα μπορούσαμε να αυξήσουμε (μειώσουμε) το μέγιστο
(ελάχιστο) της ανακλαστικότητας (διαπερατότητας). Παρατηρείστε ότι οι ακραίες τι-
μές των δεν επηρεάζονται από το πάχος (Γιατί ;)
φανίζουν μέγιστα και μάλιστα συμπληρωματικά, σε θέσεις όπου ικανοποιείται η σχέση
sinθ = 0. Η συχνοτική απόσταση (Δν) μεταξύ διαδοχικών μεγίστων είναι,
c 1 12398 1
 = ή n= =  (1.4.3)
2nd 1 1 E (eV ) 2d ( Å)
2 −  d
 1  2 
από την οποία είναι δυνατόν να υπολογισθεί το πάχος αν είναι γνωστός ο δείκτης δια-
πλάσεως και αντίστροφα. Ο τρόπος αυτός προσδιορισμού του πάχους βρίσκει μεγάλη
εφαρμογή στα λεπτά υμένια, στα οποία αξιοποιώντας τη σχέση (1.4.3) μπορεί κανείς να
προσδιορίσει είτε το πάχος d είτε τον δείκτη διαθλάσεως n, αν είναι γνωστό το ένα από
τα δύο. Τα πράγματα αρχίζουν να δυσκολεύουν αν το "οπτικό πάχος" του υλικού nd είναι
αρκετά μεγάλο σχετικά με το μήκος κύματος της ΗΜΑ που μας ενδιαφέρει, και αυτό
γιατί δεν μπορούμε τότε να προσδιορίσουμε την "τάξη" συμβολής. Κάτι τέτοιο υποδηλώ-
νεται στο Σχ. 1-5, όπου τότε τα μέγιστα και τα ελάχιστα θα βρίσκονται πολύ κοντά μετα-
ξύ των.
Απομένει μία ακόμη περίπτωση. Αυτή, στην οποία η απορρόφηση είναι πεπερασμέ-
νη. Σ΄ αυτή τη περίπτωση οι εξισώσεις (1.4.2) γίνονται εξαιρετικά πολύπλοκες, βλέπε ε-
ξισώσεις (1.4.4), και μόνο αριθμητικές λύσεις είναι δυνατόν να βρεθούν. Όμως στη περί-
πτωση που η διακριτική ικανότητα του φασματόμετρου είναι μεγαλύτερη από την από-
σταση μεταξύ των κροσσών συμβολής (μέγιστα και ελάχιστα) τότε είναι δυνατόν να θε-
ωρήσουμε μόνο μια γωνία φάσεως και να καταλήξουμε στην έκφραση (1.4.5). Προφανώς
για να ισχύει αυτό το k θα πρέπει να είναι πολύ μικρό. Επίσης σημαντικό ρόλο παίζει και

Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα και απορρόφηση 21
το πάχος γιατί αν είναι μεγάλο "καταστρέφει" τη ενισχυτική συμβολή των κροσσών, με

αποτέλεσμα να παρουσιάζεται μια πιο "ομαλή" μεταβολή της διαπερατότητας. Τέλος με-
γάλο ρόλο παίζει και βαθμός συμφωνίας του προσπίπτοντος φωτός.
[(1− R)2 + 4Rsin2 ]e−d R[(1− e−d )2 + 4e−d sin2 ]

T' = , R' =
[1− Re−d ]2 + 4Re−d sin2 (+) [1− Re−d ]2 + 4Re−d sin2 (+)
2k 2 n()d (1.4.4)
όπου  = tan−1 , =
n + k −1
2 2

2k
και  = ο συντελεστής απορρόφησης
c
Συχνά οι όροι sinφ και sin(φ+θ) είναι αμελητέοι και παραλείπονται και ολοκληρώ-
νοντας σε όλους τους κροσσούς συμβολής, οι αντίστοιχες σχέσεις καταλήγουν στις
(1 − R)2 e− d R(1 − e− d )2

T = R' = (1.4.5)
1 − R2e−2 d 1 − R2e−2 d
Η τελευταίες σχέσεις βρίσκουν μεγάλη εφαρμογή στις πρώτες εκτιμήσεις χαρακτη-
ρισμού του υλικού, όσον αφορά την διαπερατότητά του στην ΗΜΑ.
Στο Σχ.1-6 παριστάνεται, για δύο πάχη ενός υλικού, η γραφική παράσταση της σχέ-
0.8
Σχ.1-6 Εξάρτηση της διαπερατότη-

0.6 τος ( Τ ) για τη περίπτωση
Transmitance
λεπτού υμενίου για δύο δια-

0.4
φορετικά πάχη (2 μm πάνω
και 0,2 μm κάτω). Ουσια-
στικά οι καμπύλες αποτελούν
d 2 μm
0.2
No Mul. Refl . τις γραφικές παραστάσεις
With Mul. Refl των σχέσεων (1.4.4) και
0.0 (1.4.5). Οι παράμετροι είναι
0 2 4 6 8 10 12 14 αυτές του Σχ.1-3. και ο υπο-
Frequency in eV λογισμός έγινε με τη βοήθεια
2.0 της Mathematica.
Παρατηρείστε ότι για μεγάλα
1.5 πάχη η επίδραση των πολλα-
πλών ανακλάσεων περιορίζε-
Transmitance
ται σημαντικά. Γενικά η επί-

1.0
δραση του οπτικού πάχους
είναι η δημιουργία κροσσών
0.5 συμβολής. Οι κροσσοί αυτοί
d 0.2 μm
No Mul. Refl . είναι σημαντικοί στη διαφα-
With Mul. Refl νή περιοχή του υλικού. (
0.0
0 2 4 6 8 10 12 14
βλέπε Σχ. 1-5), αλλά και ε-
Frequency in eV κτός αυτής για μικρά πάχη.

σεως (1.4.4), δηλ. για υλικό το οποίο εμφανίζει απορρόφηση τόσο από ελεύθερους φο-
ρείς όσο και λόγω διαταινιακών μεταπτώσεων (δηλ. η διηλεκτρική του συνάρτηση περι-
γράφεται από την σχέση (1.3.21). Παρατηρείστε την απουσία περιοδικών μεγίστων και
ελαχίστων σε μικρές ενέργειες, σε αντίθεση με το Σχ. 1-5 όπου δεν λήφθηκε υπόψη η
ύπαρξη απορροφήσεως, δηλ. βρισκόμασταν στη διαφανή περιοχή. Εδώ η διαφανής πε-
ριοχή βρίσκεται σε υψηλές ενέργειες και όχι σε μικρές και συνεπώς είναι αναμενόμενη η
παρουσία κροσσών συμβολής στις υψηλές ενέργειες. Αντίθετα, στις χαμηλές ενέργειες,
επειδή έχουμε θεωρήσει κα ελεύθερους φορείς, οι οποίοι απορροφούν ισχυρά όσο μειώ-
νεται η ενέργεια (βλέπε μεσαίο πλαίσιο του δεξιού τμήματος του Σχ. 1-2) και συνεπώς
υποβαθμίζουν αισθητά το ρόλο των πολλαπλών ανακλάσεων. Ο συντελεστής απορροφή-
σεως υπολογίζεται με τη βοήθεια της σχέσεως (1.3.19).
Όπως φαίνεται από το Σχ.1-6 για μεγάλα πάχη (d >> λ, ασύμφωνες πολλαπλές ανα-
κλάσεις), ακριβέστερα η εξάρτηση της διαπερατότητας από την ενέργεια είναι σχετικά
ανάλογη με αυτή, αν δεν ληφθούν υπόψη οι πολλαπλές ανακλάσεις, με μόνη αισθητή ε-
πίδραση των πολλαπλών ανακλάσεων την μετατόπιση της καμπύλης της διαπερατότητας
προς μικρότερες ενέργειες. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα να αυξάνεται η διαπερατότητα, συ-
νεπώς οι πολλαπλές ανακλάσεις μειώνουν την ανακλαστικότητα ( αντιανακλαστικά).
Αντίθετα για μικρά πάχη (d << λ, σύμφωνες πολλαπλές ανακλάσεις) είναι αισθη-
τή η παρουσία πολλαπλών ανακλάσεων σε όλο το ενεργειακό εύρος, οπότε επιλέγοντας
τα πάχος μπορούμε να τροποποιήσουμε όπως επιθυμούμε τη ανακλαστικότητα και δια-
περατότητα του στρώματος.
Πέραν του πάχος σημαντικό ρόλο στη δημιουργία κροσσών συμβολής παίζει και ο
βαθμός συμφωνίας της δέσμης. Ακριβέστερα για παχέα υμένια, δηλαδή αυτά για τα ο-
ποία το οπτικό πάχος είναι πολύ μεγαλύτερο από το μήκος συμφωνίας της δέσμης lcoh
το πάχος θα πρέπει να ικανοποιεί τη σχέση 2nd  lcoh /  = 2 / () . Η διαίρεση με
το π εξασφαλίζει μεγαλύτερο βαθμό συμφωνίας. Προφανώς η ανάστροφη ανισότητα
d  lcoh /  = 2 / (2n) ισχύει για λεπτά υμένια.
Παρατηρείστε ότι έχουμε διαπερατότητες μεγαλύτερες της μονάδος. Αυτό δεν ση-
μαίνει ότι παραβιάζουμε την αρχή της διατήρησης της ενέργειας. Απλά, επειδή εμφανί-
ζονται ενεργειακές περιοχές με χαμηλή ή μηδενική διαπερατότητα αυτό έχει ως αποτέ-
λεσμα την εμφάνιση υψηλών τιμών διαπερατότητας, δηλ. έχουμε μια ανακατανομή της
ενέργειας λόγω του φαινομένου της συμβολής. Θυμηθείτε ότι και στη συμβολή έχουμε
εντάσεις μεγαλύτερες από το άθροισμα των συμβαλλουσών εντάσεων, όμως οι ολοκλη-
ρωμένες εντάσεις, δηλ. σε όλη τη φασματική περιοχή, ισούνται με αυτή της αρχικής δέ-
σμης.
Γενικά η εν λόγω ανάλυση είναι επισφαλής αν εφαρμόζεται σε μεγάλη ενεργειακή
περιοχή, καθόσον προκύπτουν εξαιρετικά πολύπλοκες σχέσεις και τα μετρούμενα πειρα-
ματικά μεγέθη αποτελούν μέτρα των εμπλεκομένων ποσοτήτων (μιγαδικών), με αποτέ-
λεσμα να χρειαζόμαστε ανεξάρτητα προσδιοριζόμενα μεγέθη, π.χ. το πάχος, τον δείκτη
διαθλάσεως στη διαφανή περιοχή, ενώ είναι απαραίτητη η μέτρηση τόσο της ανακλαστι-
κότητας όσο και της διαπερατότητας. Όμως αυτό δεν πάντα εύκολο από πειραματικής
σκοπιάς. Συνεπώς θα πρέπει να έχουμε κατανοήσει πολύ καλά τις φυσικές αρχές του
φαινομένου.

Κεφ.2 Οπτικές Ιδιότητες Ημια-
2 γωγών
2.1 Ημιαγωγοί
Όπως ήδη αναφέραμε και στο κεφ.1, η ΗΜΑ επιδρά σ΄ όλα τα φορτισμένα σωματί-
δια που απαρτίζουν ένα υλικό και κατά συνέπεια έναν ημιαγωγό, π.χ., τα άτομα του
πλέγματος (πυρήνες), ηλεκτρόνια των ηλεκτρονικών ταινιών (κυρίως σθένους και αγωγι-
μότητος), τις προσμίξεις (σκόπιμες ή παρείσακτες) και γενικά ότι φορτισμένη ποσότητα
είναι σε θέση ν΄ ανταλλάξει ενέργεια με την ακτινοβολία. Αυτή η ανταλλαγή ενέργειας,
συνήθως την ονομάζουμε αλληλεπίδραση και είναι δυνατόν να περιγραφεί είτε κλασσικά
είτε κβαντομηχανικά. Η κλασσική περιγραφή στηρίζεται στη έννοια του χρονικά μετα-
βαλλόμενου πεδίου σ΄ ένα φορτίο (δίπολο, δεν υπάρχει η έννοια του χάσματος και η α-
νταλλαγή ενέργειας γίνεται κατά συνεχή τρόπο) και η κβαντομηχανική, όπου υπεισέρχε-
ται η έννοια του χάσματος, των φωνονίων ως και διαφόρων άλλων αλληλεπιδράσεων:
τόσο μεταξύ των όσο και με την ακτινοβολία. Κάθε μια περιγραφή έχει πλεονεκτήματα
και μειονεκτήματα. Βέβαια η κβαντομηχανική περιγραφή είναι σαφώς η ορθότερη, όμως
δεν είναι πάντα άμεση η φυσική σημασία των υπεισερχομένων εννοιών, π.χ. οπές, ενερ-
γός μάζα, επίσης απαιτεί περίπλοκους υπολογισμούς, οι οποίοι δεν είναι πάντα εφικτοί.
Πάντως όπου έχει εφαρμοσθεί, έχει επιλύσει το πρόβλημα. Από την άλλη πλευρά η
κλασσική περιγραφή εμπλέκει μεν ευκολοκατανόητους όρους, όμως συχνά αποτυγχάνει,
π.χ. φωτοηλεκτρικό φαινόμενο, αγωγιμότητα, κλπ. Στις επόμενες παραγράφους θα πα-
ρουσιασθούν συνοπτικά οι έννοιες που απαιτούνται για την ερμηνεία των πληροφοριών
(= φάσματα) που προέρχονται από αλληλεπίδραση της ακτινοβολίας με τους ημιαγω-
γούς. Και μάλιστα θα περιοριστούμε σε περιοχές της ακτινοβολίας που γειτνιάζουν με
την οπτική περιοχή, δηλ από την υπέρυθρη έως το εγγύς υπεριώδες (0,3 έως 100 μm).
Αυτή η περιοχή έχει καθιερωθεί να ονομάζεται "οπτική περιοχή ακτινοβολιών", παρόλο
που δεν είναι ακριβώς μόνο η καθαρή οπτική περιοχή ( 0,4 έως 0,8 μm ). Η σπουδαιότη-
τα της περιοχής αυτής οφείλεται στο γεγονός, ότι καλύπτει τόσο τις ενέργειες των δονή-
σεων του πλέγματος και των ελευθέρων φορέων (50 – 3000 cm-1 ή 200 – 3 μm), όσο και
τις διαταινιακές ηλεκτρονικές μεταπτώσεις (4000 – 40000 cm-1 ή 2,5 – 0,25 μm).
Όπως ήδη αναφέραμε και πιο πάνω κεντρικής σημασίας έννοια για την μελέτη των
υλικών είναι η έννοια του ενεργειακού χάσματος, το οποίο με τη σειρά του οφείλεται
στην γειτνίαση των δομικών μονάδων των υλικών (αλληλεπιδράσεις άμεσης γειτονίας).
Βέβαια το μέγεθός του και τα επιμέρους χαρακτηριστικά του εξαρτώνται τόσο από τον
βαθμό κρυσταλλικότητας όσο και από τις επιμέρους ιδιότητες των απαρτιζόντων το υλι-
κό ατόμων. Στο Σχ. 2-1 παριστάνεται διαγραμματικά η διάταξη των ταινιών σθένους και
αγωγιμότητας στις τρεις μεγάλες κατηγορίες υλικών, αν και τώρα τελευταία ο διαχωρι-
σμός των υλικών σε ημιαγωγούς και διηλεκτρικά αρχίζει να γίνεται όλο και πιο ασαφής,
24 Οπτικές Ιδιότητες Ημιαγωγών
καθόσον ένα πολύ μεγάλο μέρος των διηλεκτρικών χαρακτηρίζεται ως ημιαγωγοί ευρέ-
ως χάσματος. Βέβαια υπάρχουν και άλλες κατηγορίες υλικών όπου η διάταξη των ται-
νιών είναι ενδιάμεση ή μεικτή. Για παράδειγμα υπάρχουν τα ημι-μέταλλα, τα οποία προς
μια κατεύθυνση συμπεριφέρονται ως μέταλλα και σε άλλη ως ημιαγωγοί. Το φαινόμενο
αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι η διάταξη των ταινιών στη μια κατεύθυνση αντιστοιχεί
σ΄ αυτή των μετάλλων και στην άλλη σ΄ αυτή των ημιαγωγών. Τέλος, είναι δυνατόν και
Ταινία
αγωγιμότητος
Ενέργεια
Eg
Eg
Ταινία
σθένους
Μονωτής Ημιαγωγός Μέταλλο
Σχ. 2-1 Σχηματική παράσταση της σχετικής θέσης των ταινιών σθένους και αγωγιμότητας για
τις τρεις βασικές κατηγορίες κρυσταλλικών στερεών.
αρκετοί άλλοι ενδιαφέροντες συνδυασμοί, όπως π.χ. μαγνητικοί ημιαγωγοί, διαφανείς
αγωγοί, υπεραγωγοί.
Κλείνοντας την παράγραφο αυτή θα πρέπει να πούμε, ότι εκτός από τις ταινίες αγω-
γιμότητας και σθένους υπάρχουν και άλλες ταινίες σε υψηλότερες ενέργειες. Οι ταινίες
αυτές παρουσιάζουν μεγάλες ομοιότητες με τις ατομικές στάθμες των απαρτιζόντων το
υλικό ατόμων και δεν εμφανίζουν μεγάλη αλληλεπίδραση με το φως. Όσο όμως αυξάνει
η ενέργεια της χρησιμοποιούμενης ακτινοβολίας ( υπεριώδες, σύγχροτρον) τόσο θα πρέ-
πει να λαμβάνονται και αυτές υπόψη. Ένα άλλο σημείο που θα πρέπει να τονισθεί, είναι
ότι οι ταινίες σε πραγματικά υλικά δεν είναι παράλληλες γραμμές, όπως σχηματικά απει-
κονίζονται στο Σχ. 2-1, αλλά είναι εξαιρετικά πολύπλοκες τρισδιάστατες επιφάνειες. Λό-
γω αυτής της πολυπλοκότητας, παριστούμε συγκεκριμένες κατευθύνσεις κατά μήκος της
πρώτης ζώνης του Brillouin. Το διάγραμμα αυτό ονομάζεται ηλεκτρονική δομής και υ-
πολογίζεται θεωρητικά. Βέβαια με διάφορες μεθόδους, όπως οπτικές, μαγνητικές, ακτί-
νων Χ, φασματοσκοπία φωτοηλεκτρονίων κλπ, είναι δυνατόν να υπολογισθούν ορισμέ-
νες παράμετροι και έτσι να ελεγχθεί η θεωρία. Περιττό να πούμε ότι, όσον αφορά στον
προσδιορισμό των ιδιοτήτων των ταινιών σθένους και αγωγιμότητας, βασικό ρόλο παίζει
η οπτική φασματοσκοπία.
Για παράδειγμα στο Σχ. 2-2 απεικονίζεται η θεωρητικά υπολογισμένη ηλεκτρονική
δομή του Ge. Κατ΄ αρχή παρατηρείστε ότι σε όλες τις κατευθύνσεις εμφανίζεται μια πε-
ριοχή ενεργειών όπου δεν εμφανίζεται καμία κατάσταση. Επίσης παρατηρείστε την ύ-
παρξη διαφόρων χασμάτων τόσο μεταξύ των ταινιών σθένους και αγωγιμότητας όσο και

Ημιαγωγοί 25
μεταξύ κάθε μιας ταινίας. Το μικρότερο από όλα τα χάσματα μεταξύ ταινίας σθένους και
Germanium
Ενέργεια(eV)
Σχ. 2-2 Σχηματική παράσταση των ενεργειακών ταινιών των βασικών ημιαγωγών σε ο-
ρισμένες κύριες κατευθύνσεις. Παρατηρείστε τη διαφοροποίηση των χασμάτων
κατά μήκος επιμέρους κατευθύνσεων συμμετρίας.
αγωγιμότητας ονομάζεται θεμελιώδες. Τέλος, παρατηρείστε ότι οι επιμέρους υποταινίες

στη ζώνη αγωγιμότητας "τέμνονται", ενώ στη ζώνη σθένους όχι. Ένα άλλο χαρακτηρι-
στικό των ταινιών είναι ότι κοντά στα ελάχιστα (μέγιστα) η μορφή των ταινιών πλησιάζει
αυτή της παραβολής. Αυτό εκμεταλλευόμαστε πολύ συχνά και το ονομάζουμε παραβολι-
κή προσέγγιση.
Στο Σχ. 2-3 παρουσιάζονται τμήματα των ενεργειακών ταινιών των βασικών ημια-
γωγών. Και εδώ ισχύουν όσα αναφέρθηκαν για το Ge. Ένα σημείο που ίσως θα πρέπει να
αναφερθεί, είναι ότι η ενεργός μάζα των φορέων (ηλεκτρονίων, οπών) συνδέεται αντί-

στροφα με την καμπυλότητα των ενεργειακών ταινιών. Έτσι για παράδειγμα ταινίες με
μικρή καμπυλότητα (μεγάλη ακτίνα καμπυλότητας) εμφανίζουν μεγάλη ενεργό μάζα, δηλ
το φορτίο δεν ανταποκρίνεται "γρήγορα" σε πεδία, δηλ. εμφανίζει μεγάλη αδράνεια. Γι
αυτό και πολλές φορές χαρακτηρίζουμε τους αντίστοιχους φορείς "βαρείς" ή "ελαφρείς".
Ge Si GaAs
Σχ. 2-3 Θεωρητική ηλεκτρονική δομή του γερμανίου. Η ταινία σθένους αποτελείται από τέσ-
σερις υποταινίες. Τα επιμέρους χαρακτηριστικά της ταινίας σθένους οφείλονται κυρίως
στην αλληλεπίδραση τροχιακών και spin [ Κατά C.Y. Fong].
Το μέγεθος και το είδος του χάσματος εξαρτάται από τα διάφορα χαρακτηριστικά
του υλικού. Αυτό φαίνεται καθαρά στον Πίνακας 1.
Πίνακας 1 Μεταβολή του χάσματος Eg με το μέγεθος της κυψελίδας και την
ηλεκτραρνητικότητα χ.
Στοιχείο Μοναδιαία  Eg 
κυψελίδα eV nm
Å
C 3,57 0,0 5,5 (230) Μονωτής
Si 5,43 0,0 1,1 (1100) Ημιαγωγός
Ge 5,66 0,0 0,66 (1900) Ημιαγωγός
-Sn 6,49 0,0 < 0,1 (12000) Αγωγός
Ge 5,66 0,0 0,66 (1900) Μαύρο
GaAs 5,65 0,4 1,42 (890) Μαύρο
ZnSe 5,67 0,8 2,70 (460) Κίτρινο
CuBr 5,69 0,9 2,91 (430) Διαφανές

Από τον Πίνακα 1 προκύπτει ότι για τα τετρασθενή στοιχεία το χάσμα αυξάνεται με το
μέγεθος της κυψελίδας. Το ίδιο ισχύει και για τις ενώσεις Ι-VII με την αύξηση της ηλε-
κτροαρνητικότητος.
Από το Σχ. 2-2 φαίνεται ότι υπάρχουν αρκετά χάσματα. Για την υλοποίηση της με-
τάπτωσης ενός ηλεκτρονίου από τη μια στάθμη στην άλλη δεν απαιτείται μόνο η επαρκής
τιμή της ενέργειας του φωτονίου αλλά παίζει σημαντικό ρόλο και συμμετρία των εμπλε-
κομένων καταστάσεων.
Η ύπαρξη καθορισμένων ταινιών απορροφήσεως οφείλεται στη διαδικασία του φαι-
νομένου της απορροφήσεως. Όπως αποδεικνύεται, τα φαινόμενα της απορρόφησης και
εκπομπής καθορίζονται από το μέγεθος fi που δίνεται από την έκφραση
μfi =  *f μˆEi d (2.1.1)
όπου μ είναι η επαγόμενη διπολική ροπή κατά την μετάπτωση από την κατάσταση i στην
f,  οι κυματοσυναρτήσεις των αντίστοιχων καταστάσεων και Ε η ένταση του ηλεκτρι-
κού πεδίου. Από την (2.1.1) προκύπτει επίσης ότι τα φαινόμενα της απορροφήσεως και
εκπομπής είναι εντελώς ισοδύναμα, (εναλλαγή των i και f ) αν βέβαια δεν εμπλέκεται με-
ταξύ απορροφήσεως και εκπομπής κανένας άλλος μηχανισμός π.χ. αλληλεπίδραση με
φωνόνια (θα τα συναντήσουμε πιο κάτω) οι άλλες στοιχειώδεις διεγέρσεις.
Ένα άλλο στοιχείο που προκύπτει από την (2.1.1) είναι οι λεγόμενοι κανόνες επι-
λογής. Αυτοί μας λέγουν πότε η σχέση (2.1.1) είναι διάφορος του μηδενός. Αυτό συ-
νήθως είναι δυνατόν να διαπιστωθεί και χωρίς τον ακριβή υπολογισμό της (2.1.1), απλά
βασιζόμενοι σε επιχειρήματα συμμετρίας του υλικού και κυματοσυναρτήσεων (π.χ.
σφαιρικότητα, αξονική συμμετρία κυματοσυναρτήσεων ή κρυσταλλική συμμετρία του
υλικού (σφαιρικά άτομα, επίπεδα μόρια, κυβική συμμετρία κρυστάλλου). Μια ποιοτική
ερμηνεία παρουσιάζεται στο Σχ. 2-4. Η αριθμητική τιμή του fi είναι εξαιρετικά δύσκολο
να υπολογισθεί επακριβώς. Μόνο σε ορισμένες περιπτώσεις (απλά άτομα, Η, C, μόρια,
Σχ. 2-4 Κανόνες επιλογής. Απαγορευμένη και επι-

2s τρεπτή μετάπτωση
1s (α) Όταν ένα 1s ηλεκτρόνιο "γίνεται" ένα 2s
ηλεκτρόνιο, τότε λαμβάνει χώρα μια
μεταφορά φορτίου.
Κατ΄ αυτή μεταφορά φορτίου δεν επάγεται
καμία διπολική ροπή.
Αυτή η μετάπτωση είναι απαγορευμένη
λόγω ηλεκτρικής διπολικής ροπής.
2p (b) Όταν ένα 1s ηλεκτρόνιο "γίνεται" ένα 2p
1s ηλεκτρόνιο, τότε επάγεται (=δημιουργείται)
διπολική ροπή
Αυτή η μετάπτωση είναι επιτρεπτή λόγω
ηλεκτρικής διπολικής ροπής.

Η2, ή κρύσταλλοι υψηλής συμμετρίας με μικρό αριθμό ατόμων στη στοιχειώδη κυψελίδα,
Si) με έχει επιτευχθεί. Η αριθμητική τιμή χαρακτηρίζει το "πόσο ισχυρή" είναι μια τέτοια
μετάπτωση και συνεπώς πόση έντονη είναι και η εκπεμπόμενη ή απορροφούμενη γραμμή
ή ταινία.
Ένα άλλος παράγοντας του οποίου ο ρόλος είναι βασικής σημασίας είναι το γεγονός
ότι το κυματοδιάνυσμα κ
2
κ= qˆ (2.1.2)

του φωτονίου είναι πού μικρό (της τάξεως του 105 cm-1) σε σχέση με τις διαστάσεις της
ζώνης του Brillouin (της τάξεως του 108 cm-1). Έτσι ο νόμος της διατήρησης της ορμής
k f = ki + κ (2.1.3)
επιβάλλει ότι μόνο "κάθετες" μεταπτώσεις ( kf = ki) είναι επιτρεπτές (Σχ. 2-5).
Ταινία αγωγι-
Σχ. 2-5 Σχηματική παράσταση
μότητος
μιας αμέσου μεταπτώσεως
(αριστερά) και του αντι-
Ενέργεια στοίχου συντελεστού α-
πορροφήσεως για το InSb.
hn =Eg Παρατηρείστε την εξαιρε-
τικά απότομη αύξηση του
k α(ω) για ενέργειες περί τα
0,2 eV, ως επίσης και τις
πολύ μεγάλες τιμές του (~
Ταινία σθένους
10 4 cm-1).
Αντίθετα για τη περίπτωση που συμμετέχουν και φωνόνια (έμμεση μετάπτωση) η

παραπάνω σχέση τροποποιείται στην
k f = ki + κ  q (2.1.4)
Με τη βοήθεια της κβαντομηχανικής θεώρησης είναι δυνατόν σε αρκετές περιπτώ-

σεις να υπολογίσουμε αναλυτικά, έως κάποιο βαθμό βέβαια, τη συναρτησιακή μορφή του
συντελεστού απορρόφησης. Χωρίς να μπούμε σε λεπτομέρειες βρίσκεται ότι για την πε-
ρίπτωση των αμέσων χασμάτων αυτά δίδονται από τις εκφράσεις
() = A(,T,m)  ( − Eg )1/2  ( − Eg )1/2

(2.1.5)
(επιτρεπτό άμεσο χάσμα)

Σχ.2-6 Γραφική παράσταση του (α(ω))1/2

συναρτήσει της ενέργειας  του
προσπίπτοντος φωτονίου για τον
GaAs για θερμοκρασία δωματίου.
Παρατηρείστε ότι προκύπτει ευθεία.
Ανάλογη γραφική παράσταση
προκύπτει και για το Σχ. 2-5 περί τα
0,2 eV.
() = A(,T,m)  ( − Eg )3/2  ( − Eg )3/2

(2.1.6)
(Απαγορευμένο άμεσο χάσμα)
Για την περίπτωση των εμμέσων χασμάτων οι παραπάνω εκφράσεις καθίστανται:
2 ()=Cabs −1 ( + q − Eg )2  nq + Cem −1 ( − q − Eg )2  (nq +1)

(2.1.7)
(επιτρεπτό έμμεσο)
2 ()=Cabs −2 ( + q − Eg )3  nq + C"em −2 ( − q − Eg )3  (nq +1)

(2.1.8)
(απαγορευμένο έμμεσο)
όπου για την περιοχή Eg − q   Eg + q ισχύει μόνο ο πρώτος όρος ενώ για την
περιοχή  Eg + q ισχύουν και οι δύο οι όροι. Παρατηρείστε ότι οι εκθέτες των απα-
γορευμένων μεταπτώσεων είναι αυξημένοι κατά μια μονάδα των αντιστοίχων επιτρε-
πτών.
Στο Σχ. 2-7 παριστάνεται η αντίστοιχη διαδικασία μια έμμεση μετάπτωση ενώ στο
Σχ. 2-8 παριστάνονται τα πειραματικά αποτελέσματα για το Ge. Στο Ge μάλιστα παρου-
Ταινία αγωγιμότητος
Σχ. 2-7 Σχηματική παράσταση της
διαδικασίας μιας εμμέσου δια-
ταινιακής μετάπτωσης. Παρα-
τηρείστε την απαραίτητη συμ-
Ενέργεια
photon μετοχή του φωνονίου το οποίο
κphonon προσφέρει και την απαιτούμε-
~Eg νη ορμή. Αντίθετα όσον αφο-
ρά την ενέργεια του, μπορεί
k είτε να την "προσφέρει" ( κα-
ταστρέφεται ένα φωνόνιο) είτε
να " κερδίζει" (= δημιουργεί-
ται ένα φωνόνιο)

σιάζεται και η ενδιαφέρουσα περίπτωση να εμφανίζονται αρκετά πλησίον τόσο το άμεσο

όσο και το έμμεσο χάσμα. Από την ανάλυση του σχήματος Σχ. 2-8 προκύπτει ότι το θε-
μελιώδες χάσμα είναι έμμεσο και το αμέσως μεγαλύτερο άμεσο. Αυτό το πειραματικό
αποτέλεσμα βρίσκεται σε αντίθεση με τις ενεργειακές ταινίες που παριστάνονται στο Σχ.
2-2 , όπου ως δεύτερο ενεργειακό χάσμα δίδεται ότι αντιστοιχεί είτε στη μετάπτωση Γ→
0.75Χ είτε στο άμεσο χάσμα 8+ →7− . Αργότερα ο Fong το διόρθωσε, λαμβάνοντας
υπόψη του λεπτομερέστερα την αλληλεπίδραση τροχιακών spin ως και βαθύτερες κατα-
στάσεις της ταινίας σθένους, με το Σχ. 2-3.
Σχ. 2-8 α: Συντελεστής απορροφήσεως α(ω) για το Ge για θερμοκρασία υγρού αζώτου
και θερμοκρασία περιβάλλοντος.
b: Γραφικές παραστάσεις των α(ω) και α2(ω) σαν συνάρτηση της ενέργειας του
προσπίπτοντος φωτονίου.
Η ορθή ηλεκτρονική δομή του Ge φαίνεται στο Σχ. 2-9. Από τα παραπάνω φαίνεται
καθαρά ο σημαντικός ρόλος των πειραματικών δεδομένων και η στενή συνεργασία θεω-
ρητικών και πειραματικών δεδομένων για τη σωστή κατανόηση και χαρακτηρισμό των
υλικών.
Σχ. 2-9 Ορθός θεωρητικός υπολογισμός

των ηλεκτρονικών ταινών του Ge.
Παρατηρείστε τις αποκλίσεις με
την δομή του Σχ. 2-3) και τη
συμφωνία της με το πείραμα.

Στο Σχ. 2-10 παριστάνονται οι συντελεστές απορροφήσεως των κυριοτέρων ημια-

γωγών από απόψεως τεχνολογικών εφαρμογών. Από τη μελέτη των καμπυλών απορρο-
φήσεως εξάγονται τόσο επιστημονικά ενδιαφέροντα, π.χ. την υφή των διαταινιακών με-
ταπτώσεων, προσφέροντας έτσι απαραίτητες παραμέτρους για τον έλεγχο των θεωρητι-
κών αποτελεσμάτων, ως επίσης υποδείξεις για την κατασκευή των απαιτουμένων διατά-
ξεων. Π.χ. από το Σχ. 2-10 συνάγεται ότι η προσθήκη Η στο άμορφο πυρίτιο μετακινεί το
χάσμα προς μεγαλύτερες ενέργειες και συνεπώς φωτοηλεκτρικές κυψελίδες από άμορφο
υδρογονωμένο Si, θα έχουν καλύτερη απόδοση, καθόσον θα απορροφούν περισσότερο
στο ηλιακό φως (μέγιστο ~0,5μm). Τα ίδια ισχύουν για τους τριμερείς (InGaAs) ( InGaN)
και τετραμερείς ( InGaAsP) για την δημιουργία διόδων και Lasers στερεών στην ορατή
περιοχή.
Photon energy (eV)
5 4 3 2 1 0.7
0.9 0.8
108
Ge
107 In0.7Ga0.3As0.64P0.36
In0.53Ga0.47As
Si
106
GaAs
a(m -1)
InP
105
a-Si:H
104
103
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Wavelength (m)
Σχ. 2-10 Συντελεστές απορροφήσεως για διάφορους ημιαγωγούς τεχνολογικού ενδιαφέροντος.
Παρατηρείστε ότι όσο αυξάνεται η ενέργεια του προσπίπτοντος φωτονίου τόσο
αυξάνεται και η τιμή του α(ω). Επίσης παρατηρείστε ότι με την ανάπτυξη μεικτών
κρυτάλλων είναι δυνατόν να "τροποποιηθεί"το χάσμα, ώστε να ανταποκρίνεται στις
απαιτήσεις μας.
Σε μεγάλη συσχέτιση με την απορρόφηση βρίσκεται και το φαινόμενο της εκπο-

μπής. Αν δεν υπάρχουν ενεργειακές ταινίες μέσα στο ενεργειακό χάσμα, τότε τα δύο
φαινόμενα είναι πλήρως ισοδύναμα, εκτός ίσως ορισμένων περιπτώσεων που η διέγερση

γίνεται με πολύ υψηλές εντάσεις, με αποτέλεσμα να εμφανίζονται φαινόμενα κορεσμού ή

άλλα μη γραμμικά φαινόμενα, ή μεσολαβούν άλλες αλληλεπιδράσεις, π.χ. πλέγμα οπότε
εμφανίζεται μια ισχυρή ενεργειακή μετατόπιση (προς μικρότερες ενέργειες) της ενέρ-
γειας εκπομπής σε σχέση με την απορρόφηση. Το τελευταίο φαινόμενο παρουσιάζεται
ευρέως στα μόρια ή στους μοριακού κρυστάλλους.
Όμως στους πραγματικούς κρυστάλλους πάντα υπάρχουν καταστάσεις μέσα στο χά-
σμα. Είτε σκόπιμα (=πρόσμιξη, άμορφοι) είτε λόγω αδυναμίας αναπτύξεως τέλειου κρυ-
στάλλου (παρείσακτες προσμίξεις, σφάλματα δομής, τάσεις, ανομοιογένειες, κλπ). Στο
φαίνονται διαγραμματικά οι διάφορες δυνατότητες.
Σχ. 2-11 Σχηματική παράσταση των

διεργασιών δημιουργίας και
επανασύζευξης ζευγών ηλε-
κτρονίου–οπής. Παρατηρεί-
στε τη δυνατότητα πολλα-
πλών επιλογών επανασύζευ-
ξης, ως επίσης και τη παρου-
σία μη ακτινοβόλων μετα-
πτώσεων.
Η ακριβής ποσοτική έκφραση της φασματικής μορφής της εκπεμπόμενης ακτινοβο-

λίας είναι εξαιρετικά πολύπλοκη (διεργασία εκτός ισορροπίας), γιατί πρέπει να είναι
γνωστή η ακριβής κατανομή των πυκνοτήτων καταστάσεων, η οποία με τη σειρά της με-
ταβάλλεται επίσης με την ένταση της διεγείρουσας ακτινοβολίας δηλ.
R = Ni Nf P (2.1.9)
όπου Ν οι πυκνότητες καταστάσεων και Ρ η πιθανότητα ακτινοβόλου μεταπτώσεως

Επιπλέον, ένας σημαντικός παράγοντας είναι και οι διεργασίες που λαμβάνουν χώρα
από το σημείο πραγματοποίησης της επανασύζευξης (συνήθως στο εσωτερικό του υλι-
κού) ως την "έξοδο" της ακτινοβολίας στον ελεύθερο χώρο. Θεωρώντας αμελητέα τα υ-
πόλοιπα φαινόμενα και θεωρώντας παραβολική προσέγγιση για τις εμπλεκόμενες ηλε-
κτρονικές ταινίες, βρίσκεται ότι για την περίπτωση της απευθείας διαταινιακής επανα-
σύζευξης η μορφή της εκπεμπόμενης ακτινοβολίας δίνεται από την έκφραση
IPL ( )  ( − Eg )1/ 2 e−( −Eg )/(kT) (2.1.10)
ενώ για την περίπτωση μιας (μικρής συγκέντρωσης) πρόσμιξης ενέργειας ΕΑ μέσα στο
χάσμα από την έκφραση
IPL ( )  ( − Eg + EA )1/ 2 e−( −Eg +EA )/(kT) (2.1.11)
Εδώ θα πρέπει να πούμε ότι οι σταθερές αναλογίας για τις παραπάνω περιπτώσεις
δεν είναι ίδιες. Από τις σχέσεις (2.1.10) και (2.1.11) διαπιστώνεται αμέσως ότι ο πρώτος
παράγοντας (ριζικό) εκφράζει την παραβολική προσέγγιση της συνδυασμένης πυκνότη-
τας καταστάσεων ενώ ο εκθετικός παράγοντας την επίδραση της κατανομής Fermi Dirac

στις πυκνότητες καταστάσεων των ηλεκτρονίων στις επιμέρους στάθμες. Οι παράμετροι

που χαρακτηρίζουν το συγκεκριμένο υλικό περιέχονται στις σταθερές αναλογίας που πα-
ραλείπονται. Στο Σχ. 2-12 παριστάνονται πειραματικά αποτελέσματα φωτοφωταύγειας
Wavelength (nm)
700 680 660 640 620 600 580
(  − Eg ) 1/2
1,0 InP(3ml)/InGaP/GaAs
−( −Eg )/ KT P =0.67 GPa T = 9 K
Intensity ( arb. units)

e 0,8
I = 2 mW Sp = 150um
Fitting
0,6
0,4
0,2
0,0
1,75 1,80 1,85 1,90 1,95 2,00 2,05 2,10 2,15

Energy (eV)
Σχ. 2-12 Αριστερά: Φωτοφωταύγεια GaAs στους 100 Κ. Δεξιά: PL της υπερδομής
InP(3ml)/InGaP/GaAs στους 9 Κ (δεξιά). Παρατηρείστε την ύπαρξη δύο κορυφών
στην υπερδομή. Η μία οφείλεται στο λεπτό στρώμα InP (τρεις κυψελίδες !) και η
άλλη στον μεικτό κρύσταλλο InGaP (S. Ves et al, PRB 52, 12212, (1995) .
για δύο ημιαγωγούς. Η προσαρμογή και τα δυο φάσματα έγινε με τη βοήθεια της εξισώ-
σεως (2.1.10), θεωρώντας μια κορυφή για το ένα και δύο για το άλλο. Παρατηρούμε ότι
η μορφή (2.1.10) περιγράφει πολύ καλά τα πειραματικά αποτελέσματα. Το γεγονός αυτό
υποδηλώνει την ισχύ των υποθέσεων για την εξαγωγή των σχέσεων (2.1.10).
Το μέγιστο της κορυφής της καμπύλης φωταύγειας βρίσκεται παραγωγίζοντας τη
σχέση (2.1.10) και θέτοντας την παράγωγο ίση με το μηδέν. Η λύση της σχέσεως δίδει,
1
EPLmax = Eg + kT (2.1.12)
2
από την οποία μπορούμε να προσδιορίσουμε το ενεργειακό χάσμα Eg. Παρατηρούμε ότι
στις χαμηλές θερμοκρασίες το μέγιστο της καμπύλης συμπίπτει με την τιμή του ενερ-
γειακού χάσματος, ενώ στις υψηλότερες θερμοκρασίες υπάρχει κάποια απόκλιση.
Ο ρόλος των προσμίξεων στην φωτοφωταύγειας είναι πολύ βασικός. Μπορούμε με-
ταβάλλοντας είτε το είδος των είτε την συγκέντρωσή των να τροποποιήσουμε (μέσα σε
ορισμένα όρια βέβαια) κατ΄ επιθυμία τις ιδιότητες της εκπεμπόμενης φωτεινής δέσμης ή
και αντίστροφα να χαρακτηρίσουμε το υπό μελέτη δείγμα αναλύοντας την φωταύγειά
του. Άλλη επίδραση έχουν αν είναι σε χαμηλή συγκέντρωση και άλλη αν είναι σε υψηλή.
Παρομοίως άλλες ιδιότητες έχει η δέσμη αν η πρόσμιξη αντικαθιστά ένα ιόν του μητρι-
κού πλέγματος (Substitutional Impurity), η εγκαθίσταται ανάμεσα στα ιόντα (Interstitial
Impurity), αν δημιουργεί κενό κλπ.

Για παράδειγμα στο Σχ. 2-13 παριστάνονται διαγραμματικά εντός του ενεργειακού
χάσματος του ZnS οι ενεργειακές θέσεις των ιόντων χαλκού και αργύρου. Από το σχήμα
συνάγεται ότι και τα δύο δρουν ως αποδέκτες. Εδώ θα πρέπει να αναφέρουμε ότι τα ιό-
ντα αυτά δεν δρουν πάντα ως αποδέκτες αλλά εξαρτάται από τι ιόντα "αντικαθιστούν"
και ποια είναι η ηλεκτραρνητικότητά τους ως
προς το αντικαθιστούμενο ιόν. Ομοίως το Σχ. 2-13 Ενεργειακές θέσεις των ιόντων
χρώμα τον πολυτίμων λίθων ως και η λει- Cu και Ag στον κρύσταλλο του
ZnS. Παρατηρείστε ότι η φω-
Ταινία αγωγιμότητος ταύγειά τους αντιστοιχεί σε δια-
e- e- φορετικά χρώματα.
h
Και τα δύο ιόντα αντικαθιστούν
h ιόντα Zn και γι΄ αυτό συμπερι-
ZnS φέρονται ως αποδέκτες.
Cu+ Ag+
τουργία των εγχρώμων οθονών οφείλεται στην παρουσία προσμίξεων στο πλέγμα του ξε-
νιστή. Τέλος θα πρέπει να αναφερθεί ότι οι Laser στερεών βασίζονται στην φωταύγεια
καθορισμένων ιόντων που έχουν εισαχθεί στον ξενιστή. Π.χ. ο Laser ρουμπινίου ή Ti:
Sapphire, βασίζονται αντίστοιχα στην εκπομπή ατόμων Cr3+ ή Ti τα οποία έχουν εισαχθεί
στον κρύσταλλο A2O3.
Η παρουσία ανεπιθύμητων ή σκόπιμων προσμίξεων είναι εύκολα ανιχνεύσιμη στο
φάσμα φωτοφωταύγειας, όπως φαίνεται στο Σχ. 2-14.
Όπως ήδη αναφέραμε και στα προηγούμενα η μορφή της ηλεκτρονικής δομής του
υλικού, και συνεπώς της κρυσταλλικής συμμετρίας του υλικού, παίζει βασικό ρόλο στη
φωταύγεια. Επομένως, αν διαμορφώσουμε κατάλληλα τη συμμετρία (= δομή) του κρυ-
σταλλικού μας υλικού, είναι δυνατόν να πάρουμε και την επιθυμητή μορφή φωταύγειας.
Σχ. 2-14 Διακεκομμένη γραμμή.

Φάσμα φωταύγειας "καθαρού " Si στους
Si
25 Κ. Φαίνεται καθαρά η οξεία κορυφή στα
As : 81016 at/cm-3 1,1 eV η οποία οφείλεται σε επανασύζευξη
στο έμμεσο ενεργειακό χάσμα με συμμετο-
χή ενός οπτικού φωνονίου του άκρου της
ZB ( Χ4, L1). Παρατηρείστε ότι στους 25
Κ η τιμή του θεμελιώδους χάσματος (Ε0)
είναι 1,156 eV
Συνεχής γραμμή:
Φάσμα μετά την εισαγωγή 81016 /cm-3
ατόμων As (δρουν ως αντικαταστάτες). Οι
νέες κορυφές στα 1,0991 και 1,149 eV ο-
φείλονται στην επανασύζευξη ηλεκτρονίων
και οπών προσδεδεμένων στα άτομα του As.

Παραπάνω είδαμε πως μπορούμε, εν μέρει, να πετύχουμε διαφοροποίηση της φωταύγειας

εμφυτεύοντας διάφορα είδη ατόμων στον ξενιστή. Ένας άλλος τρόπος είναι να διαμορ-
φώσουμε κατάλληλα αυτόν τον ίδιο τον τανυστή. Αυτές τις νέες μορφές υλικών (κυρίως
ημιαγωγών) τις λέμε τεχνητές δομές (artificial structures) καθόσον δεν απαντούν από
μόνες τους στη φύση.
Στο Σχ. 2-15 παρουσιάζεται σχηματικά η επίδραση της μορφολογίας ενός υλικού
στην εκπεμπόμενη φωταύγεια. Παρατηρούμε ότι όσο μειώνονται οι διαστάσεις του υλι-
κού τόσο τροποποιείται και η μορφή της εκπεμπόμενης φωταύγειας. Ο λόγος βρίσκεται,
ότι για να περιορίσουμε το υλικό το αναπτύσσουμε σε μήτρες, των οποίων η ηλεκτρονική
δομή είναι διαφορετική απ΄ αυτή του υλικού. Δεν είναι όμως τυχαία επιλεγμένη. Το απο-
τέλεσμα είναι να δημιουργούνται περιοχές κβαντικών διαστάσεων που να λειτουργούν
είτε ως "Φρέατα, πηγάδια" δυναμικού (Well) είτε ως "φράγματα" δυναμικού (βλ. Σχ.
2-15), με αποτέλεσμα τα ηλεκτρόνια να παγιδεύονται στα πηγάδια και οι οπές από τα
φράγματα. Αυτός ο περιορισμός των ηλεκτρονίων και των οπών έχει ως αποτέλεσμα την
εμφάνιση νέων σταθμών (κατ΄ αναλογία των νέων σταθμών που εμφανίζονται αν ένα
σωματίδιο περιοριστεί σ΄ ένα κουτί). Συνεπώς η διέγερση των ηλεκτρονίων και η επανα-
σύζευξη των με τις οπές θα εμπλέκει αυτές τις καινούργιες στάθμες με αποτέλεσμα να
εμφανίζονται νέες κορυφές. Επειδή τώρα το εύρος των νέων σταθμών είναι πολύ μικρό,
τόσο η απορρόφηση όσο και η φωταύγεια θα εμφανίζουν οξείες κορυφές.
CB
Περιορισμένες ηλε-
κτρονικές καταστά-
σεις
Περιορισμένες κα-
ταστάσεις οπών
VB
Φράγμα Φρέαρ Φράγμα
Τελεία
Σχ. 2-15 Δεξιά: Επίδραση της μορφολογίας (= συμμετρίας) ενός κρυσταλλικού υλικού
στις ηλεκτρονικές του στάθμες (μόνον ο πυθμένας της ταινίας αγωγιμότητος, η
κορυφή της ταινίας σθένους και οι περιορισμένες στάθμες απεικονίζονται) Κάτω
αριστερά: Σχηματική μορφή της εκπεμπόμενης φωταύγειας. Η περίπτωση των
κβαντικών νημάτων (Quantum wires) είναι μεταξύ των κβαντικών υμενίων (quan-
tum films) και κβαντικών τελειών. ( quantum dots).
Βέβαια από απόψεως υλοποιήσεως των παραπάνω ιδεών δεν έχουμε φθάσει σε ση-
μείο που να μπορούν να αναπτυχθούν υλικά που να έχουν απόλυτες διεπιφάνειες ούτε το
μέγεθος των δομών που αναπτύσσονται να είναι παντελώς πανομοιόμορφο. Αυτό δη-
μιουργεί προς το παρόν προβλήματα στην εμπορική εκμετάλλευση αυτών των υλικών,
όμως τα αδρά χαρακτηριστικά που συζητήθηκαν παραπάνω εμφανίζονται ήδη στα πει-
ραματικά φάσματα. Όμως θεωρείται σχεδόν σίγουρο ότι στο άμεσο μέλλον θα υλοποιη-
θεί και αυτή η απαίτηση καθόσον αυτού του είδους οι διατάξεις παίζουν σημαντικό ρόλο
στην ανάπτυξη νέων διατάξεων και συσκευών. Στο Σχ. 2-16 παρουσιάζονται τα πειραμα-
τικά για κβαντικές ετεροδομές υμενίων GaAs.

Σχ. 2-16 Φάσματα φωτοφωταύγειας

(α) Φάσματα φωταύγειας ενός μονού
υμενίου GaAs (single quantum
well) εγκιβωτισμένου μεταξύ υμε-
νίων Al0.5Ga0.5As.
(b). Το ίδιο με το (α) αλλά εγκιβωτ-
ισμένου εντός μιας μικρής περιό-
δου υπερδομής GaAs/AlAs. (Short
Period Superlattice)
Το πλήρες εύρος ημίσεως μεγίστου
(FWHM) του βασικού μεγίστου (
~ 800 nm ) συσχετίζεται με την με-
τάπτωση n =1 του ηλεκτρονίου με
τις ΗΗ (= βαριές οπές). Προφανώς
αυτό βελτιώνεται στη δεύτερη πε-
ρίπτωση, FWHM =11 meV από 19
meV στο (α).
Η κορυφή (CAS) στα 831 nm και ο
"ώμος" στα 821 nm σχετίζονται με
εκπομπές από το στρώμα προσαρ-
μογής (buffer) GaAs πάχους 200
nm. Το βέλος ΒΒ υποδηλώνει τη
θέση της διαταινιακής μετά-
πτωσης στο υλικό όγκου του GaAs.

Κεφ.3 Φασματοσκοπία δονήσεων
3
3.1 Φασματοσκοπία Raman

3.1.1 Βασικές αρχές
Με τον όρο "Σκέδαση Raman" υποδηλώνεται η μη ελαστική σκέδαση του φωτός
από στοιχειώδεις διεγέρσεις ενός υλικού. Ως στοιχειώδεις διεγέρσεις μπορούν να θεωρη-
θούν: ταλαντώσεις ή περιστροφές μορίων ενός υγρού ή αερίου, οπτικά φωνόνια (ταλα-
ντώσεις πλέγματος), μαγνόνια (κύματα spin), πλασμόνια (συλλογική διέγερση ηλεκτρο-
νίων), εντοπισμένες καταστάσεις κλπ. στα στερεά. Συνήθως, η ενέργεια του προσπίπτο-
ντος φωτός κυμαίνεται από 1,2 έως 3 eV (104-2.5x104cm-1 ) και η ενέργεια της στοιχειώ-
δους διέγερσης από 10 - 2000 cm-1 (1 - 250 meV). Αν δημιουργείται μια στοιχειώδης διέ-
γερση τότε μιλάμε για διαδικασία Αnti-Stokes ενώ αν καταστρέφεται μια ήδη υπάρχουσα
στοιχειώδης διέγερση τότε έχουμε τη διαδικασία Stokes. Εδώ θα περιοριστούμε στο να
θεωρήσουμε ως μοναδικό είδος στοιχειώδους διέγερσης τα οπτικά φωνόνια. Τέλος, ανα-
φέρουμε ότι αν στη διαδικασία σκέδασης συμμετέχει μόνο ένα φωνόνιο, τότε η σκέδαση
Raman χαρακτηρίζεται σαν πρώτης τάξης ενώ ένα συμμετέχουν περισσότερα του ενός
τότε η σκέδαση Raman χαρακτηρίζεται σαν ανώτερης τάξης. Επίσης, ειδικά η σκέδαση
από ακουστικά φωνόνια ονομάζεται σκέδαση Brillouin.
Στο Σχ. 3-1 παριστάνεται γραφικά το φαινόμενο της σκέδασης Raman όπου μια μο-
νοχρωματική δέσμη φωτός, συνήθως Laser συχνότητας ωL, κυματοδιανύσματος kL και
πόλωσης eL προσπίπτει πάνω στο δείγμα. Εκτός από το ελαστικά σκεδαζόμενο φως (της
ίδιας συχνότητας με το προσπίπτον), σκεδάζεται και φως με συχνότητα ωs ωL.
Σχ. 3-1 Σχηματική παράστα-

ση του φαινομένου
της σκεδάσεως
Παρατηρείστε ότι τόσο τα κυματοδιανύσματα kL και kS όσο και οι πολώσεις eL

και eS είναι διαφορετικές. Στο σκεδαζόμενο φως εμπεριέχονται σημαντικές πληροφορίες
σχετικά με τις ιδιότητες της στοιχειώδους διέγερσης που προκάλεσε την μη ελαστική
σκέδαση.
Η απόκριση του δείγματος στο μονοχρωματικό ηλεκτρομαγνητικό κύμα E(kL,ωL)
είναι η εμφάνιση μιας πόλωσης p(kS,ωS). H p(kS,ωS) όμως σχετίζεται με την ένταση του
ηλεκτρικού πεδίου μέσω της σχέσεως:
Φασματοσκοπία Raman 39

p(kS , S ) = x(Q, S , L )  E(k L , L ) , (3.1.1)

όπου x(Q,S,L ) είναι η ηλεκτρονική επιδεκτικότητα εξαιτίας των ηλεκτρονικών
μεταπτώσεων ενώ Q είναι η κανονική συντεταγμένη της στοιχειώδους διέγερσης (φωνο-
νίων στην περίπτωσή μας). Η ηλεκτρονική πολωσιμότητα, x , εξαρτάται από τις συντε-
ταγμένες των πυρήνων των ατόμων ενός στερεού και επειδή οι πυρήνες μετατοπίζονται
εξαιτίας των ταλαντώσεων μπορούμε γενικά να θεωρήσουμε ότι το x εξαρτάται από το
Q του φωνονίου το οποίο δεν είναι τίποτε άλλο παρά οι αποκλίσεις των πυρήνων από τη
θέση ισορροπίας τους.
Για τη σκέδαση Raman 1ης τάξεως (μόνο μια διέγερση παρούσα) και για τη πε-
ρίπτωση άπειρου κρυστάλλου θα πρέπει να ισχύουν οι νόμοι διατήρησης της ενέργειας
και της ψευδό-ορμής :
L = S   , (3.1.2)
k L = kS  q + G , (3.1.3)
όπου το πρόσημο + αναφέρεται στη σκέδαση Stokes και το πρόσημο – στην σκέδαση
anti-Stokes. Επίσης με q συμβολίζουμε το κυματοδιάνυσμα του φωνονίου ενώ με G ένα
διάνυσμα του αντιστρόφου πλέγματος.
Εάν λάβουμε υπόψη μας ότι για ένα φωνόνιο ισχύει η σχέση:

| k |= () (3.1.4)
c
όπου  ο δείκτης διάθλασης, βρίσκουμε εύκολα ότι το q καθορίζεται (υποθέτοντας ότι G
= 0) από τη γωνία θ μεταξύ του προσπίπτοντος και του σκεδασθέντος φωτονίου για τα
κυματοδιανύσματα των οποίων ισχύει ότι:
q 2 = k 2L + kS2 − 2 k S k L cos (3.1.5)
Για τη περίπτωση, που συνήθως ισχύει με μεγάλη ακρίβεια στην πράξη,
L − S
 1 και (S )  (L ) , (3.1.6)
L
προκύπτει
L
| q |= ()(2 − 2 cos )1 2 , (3.1.7)
c
Η μέγιστη μεταβίβαση ορμής συμβαίνει για θ=180 (οπισθοσκέδαση) και ισούται
με:
2L
| q |= () , (3.1.8)
c

40 Φασματοσκοπία δονήσεων
Αν θέλουμε να έχουμε μια αίσθηση το κυμαίνεται η τιμή του q, π.χ. για το Si και αν
o
υποθέσουμε ότι ωL  41015 s-1 ( λ = 5145 A) και n = 3.5 τότε βρίσκουμε ότι q  106
cm-1. Για τυπικά πειράματα Raman οι τιμές του q κυμαίνονται :
0  q  106 cm−1 , (3.1.9)
Αν τη τιμή αυτή τη συγκρίνουμε με το εύρος της ζώνης Brillouin (2/α0  108 cm-1)
βλέπουμε ότι κυρίως στη σκέδαση Raman του κρυσταλλικού υλικού λαμβάνουν μέρος
κυρίως φωνόνια από το κέντρο της ζώνης Brillouin.
3.1.2 Μακροσκοπική περιγραφή σκεδάσεως Raman
Στη παράγραφο αυτή θα μελετήσουμε τη μακροσκοπική περιγραφή του φαινομένου
Raman. Η περιγραφή αυτή μας επιτρέπει να κατανοήσουμε ποιοτικά τα βασικότερα χα-
ρακτηριστικά των πειραματικών φασμάτων και έχει το πλεονέκτημα ότι μπορεί σχετικά
εύκολα να αναχθεί στην μικροσκοπική περιγραφή.
Όπως αναφέρθηκε και προηγουμένως, η σκέδαση Raman οφείλεται στη "δια-
μόρφωση" της ηλεκτρικής επιδεκτικότητας από τις δονήσεις του πλέγματος (=φωνόνια).
Αν αναπτύξουμε την επιδεκτικότητα ως προς το κυματοδιάνυσμα ενός φωνονίου τότε
παίρνουμε:
X  2X
X (Q, S , L ) = X 0 +  Qi + 
1
Q Q + .... (3.1.10)
i  Qi 2 i ,i  Qi  Qi i i
1 2 1 2
1 2
Στην εξίσωση (3.1.10) ο πρώτος όρος δίνει την στατική επιδεκτικότητα ενώ ο δεύτε-
ρος το γραμμικό όρο που είναι υπεύθυνος για το φαινόμενο Raman. Ο τρίτος όρος λαμ-
βάνει υπόψη του την εξάρτηση των διακυμάνσεων από το Q και ο οποίος προκαλεί την
σκέδαση Raman δευτέρας τάξης.
Αν υποθέσουμε ότι το προσπίπτον φωνόνιο αντιπροσωπεύεται από ένα επίπεδο
ηλεκτρομαγνητικό κύμα:
EL = EL,oei(kr−t ) (3.1.11)
και ότι οι αποκλίσεις του πλέγματος από τη θέση ισορροπίας Q περιγράφεται από τη
σχέση:
Q j = Q j,oei (q j r−t ) (3.1.12)
Αν αντικαταστήσουμε τις εξισώσεις(3.1.10), (3.1.11) και (3.1.12) στην (3.1.1)) όπου

από την(3.1.10) θα χρησιμοποιήσουμε μόνο τους δύο πρώτους όρους, βρίσκουμε ότι:
 
p(kS , S ) = x0Ebei(kLr−Lt) + x1Ebei(kLr−Lt) (3.1.13)
Όπου Eb είναι η ένταση του πεδίου στη θέση (χώρο) που λαμβάνει χώρα η σκέδαση και
x1 =  x1jQj =  x1jQj ,oei(qr− jt ) (3.1.14)

j j

και
X
x1 = (3.1.15)
j Q
j
Αν υποθέσουμε ότι έχουμε μόνο τη j συνιστώσα των φωνονίων (=διάδοση κατά μή-
κος ενός άξονα) και ότι δεν έχουμε εξασθένηση της δέσμης του Laser τότε από την εξί-
σωση (3.1.13) παίρνουμε:
p = xoEo,Lei(kr−Lt ) + xo1Qj,oei(qor−t )  Eo,Lei(kLr−Lt ) (3.1.16)
Η εξίσωση (3.1.16) περιγράφει μια χρονικά μεταβαλλόμενη διπολική ροπή. Είναι

όμως γνωστό ότι μια χρονικά μεταβαλλόμενη διπολική ροπή εκπέμπει ακτινοβολία της
οποίας η ένταση ανά στοιχειώδη στερεά γωνία dΩ δίνεται από τη σχέση:
dIs  L4
= ocs E*s Es = s 2 s 3  es  p  EL2
2
(3.1.17)
d 32 oc
Όπου L είναι το μήκος της σκεδάζουσας επιφάνειας. Αν αντικαταστήσουμε την
(3.1.16) στην (3.1.17) και μετά από αρκετές πράξεις καταλήγουμε στο ότι η ένταση της
σκεδασθείσας ακτινοβολίας αποτελείται από τρεις συνιστώσες:
I(S ) = IR (L ) + IS (L − ) + IA (L + ) , (3.1.18)
δηλ. εντάσεις στις συχνότητες S = L , S = L −  και AS = L + , οι οποίες ως

γνωστόν ονομάζονται αντίστοιχα Rayleigh, Stokes και anti-Stokes. Προφανώς οι εντάσεις
Rayleigh, Stokes και anti-Stokes δεν είναι ίδιες. Το πειραματικά προσδιοριζόμενο μέγε-
θος ενός πειράματος σκέδασης Raman είναι ο λόγος της σκεδασθείσας εντάσεως ακτι-
νοβολίας ΙS προς την προσπίπτουσα ισχύς ΙΡ ανά μονάδα επιφανείας. Ο λόγος αυτός εί-
ναι γνωστός με τον όρο ενεργός διατομή σκεδάσεως dσ/dω. Ενώ ο ορισμός αυτός έχει
επικρατήσει στα αέρια και στα μόρια ωστόσο στην περίπτωση των στερεών συνήθως
χρησιμοποιούμε τον όρο βαθμός σκέδασης (scattering efficiency) και ο οποίος ορίζεται
ως ο λόγος της σκεδασθείσας ανά μονάδα στερεάς γωνίας dΩ ισχύος προς την προσπί-
πτουσα ισχύ ανά μονάδα μήκους. I = cns0EL / 2 . Μεταξύ των δύο παραπάνω ποσοτή-
2
των ισχύει η σχέση:

dS 1 dIS 1 Lss4 EL2 2
= =  es  p 
d LIi d L(cs0 EL / 2) 32 oc
2 2 3
, (3.1.19)
ss4 2
=  es  p 
(4o )2 c4
Αν στην (3.1.19) αντικαταστήσουμε την (3.1.17) στην οποία θα πρέπει να υπολογί-
σουμε τη μέση τιμή του πλάτους  Qi,o  με τη βοήθεια του θεωρήματος κατανάλωσης

ισχύος λόγω διακύμανσης (fluctuation dissipation theorem) και του παράγοντα καταλή-
ψεως Boltzmann n καταλήγουμε στις εκφράσεις:
dSS LS3 S 2
= eS  x1j  eL (n(R ) +1) (3.1.20)
d (4o ) c I
2 4
2R
dSAS L3AS AS 2

= eS  x1j  eL n(R ) (3.1.21)
d (4o ) c I
2 4
2R
dSR L4 2
= e  x oj  eL (3.1.22)
d (4 o ) c
2 4 S
1
n=  (3.1.23)
e KT −1
οι οποίες χαρακτηρίζουν αντίστοιχα τις συνιστώσες Stokes, anti-Stokes και Rayleigh,
ενώ με eL και eS συμβολίζονται τα μοναδιαία διανύσματα κατά μήκος της πόλωσης και
R παριστά την συχνότητα Raman.
Στις εκφράσεις (3.1.20) και (3.1.21) έχει ληφθεί υπόψη ότι S  L και
(S )  (L ) . Επίσης σημειώνουμε ότι οι βαθμοί σκέδασης που προσδιορίζονται από
τις σχέσεις (3.1.20)-(3.1.22) αναφέρονται σε μεγέθη στο εσωτερικό του υλικού. Επειδή
όμως εμείς μετράμε απέξω απαιτείται κάποια μετατροπή. Αν λάβουμε υπόψη μας ότι η
στερεά γωνία dΩ' έξω από το υλικό ισούται με d = S2  d και ότι ο χώρος, εντός του
υλικού, από τον οποίο προέρχεται το σήμα ισούται, στην περίπτωση της οπισθοσκέδα-
σης, περίπου με:
1
L = (3.1.24)
L + S
όπου αL και αS είναι οι αντίστοιχοι συντελεστές απορρόφησης τότε βρίσκουμε:
IL  T T L  dS
IS =  A   L 2S  (3.1.25)
L  S  d
όπου Α είναι η συνάρτηση απόκρισης του ανιχνευτή ενώ ΤL και ΤS είναι οι δια-
περατότητες του δείγματος στις συχνότητες ωL και ωS. Τέλος, πολλές φορές η σκεδα-
ζόμενη ένταση εκφράζεται με την παράγωγο της επιδεκτικότητας με τη σχέση:
     
eS R  eL = Vc eS  x1j  eL (3.1.26)


Ο R ονομάζεται τανυστής Raman και οι εκφράσεις του έχουν προσδιοριστεί και
για τις 32 κρυσταλλικές ομάδες συμμετρίας σημείου. Vc είναι ο όγκος του υλικού ο ο-
ποίος συντελεί στη σκέδαση Raman.
3.1.3 Μικροσκοπική θεώρηση σκεδάσεως Raman
Όπως είδαμε και στη προηγούμενη παράγραφο, η μακροσκοπική περιγραφή μας ε-
πιτρέπει την ποιοτική κατανόηση του φαινομένου. Ο μηχανισμός όμως του φαινομένου
Raman αποκαλύπτεται εάν μελετηθεί όλο το φαινόμενο κβαντομηχανικά. Βέβαια, η πλή-
ρης περιγραφή εκφεύγει των στόχων της παρούσας θεώρησης, κρίνεται όμως απαραίτητο
να αποσαφηνιστούν εκείνα τα στοιχεία που αφορούν το μηχανισμό του φαινομένου, α-
ποφεύγοντας τις πολύπλοκες εκφράσεις.
Η μικροσκοπική θεώρηση περιγράφει τη σκέδαση Raman 1ης τάξης σαν μια διαδι-
κασία κατά την οποία το φως (φωτόνιο) αλληλεπιδρά μόνο εμμέσως, μέσω των ηλεκτρο-
νίων, με τα φωνόνια του υλικού. Συνεπώς, τόσο οι ηλεκτρονικές καταστάσεις της ταινίας
σθένους και αγωγιμότητας όσο και οι διάφοροι μηχανισμοί μεταξύ ηλεκτρονίου-φω-
τονίου παίζουν εξαιρετικά σπουδαίο ρόλο.
Ο μηχανισμός της αλληλεπίδρασης ηλεκτρονίου-φωτονίου περιγράφεται μέσω της p
A σύζευξης. Μια πρώτης τάξης σύζευξη μεταξύ των φωτονίων και των ιόντων μπορεί σε
πρώτη προσέγγιση να θεωρηθεί αμελητέα εξαιτίας της μεγάλης μάζας των ιόντων και της
μικρής συχνότητας των φωνονίων ως προς τη συχνότητα του φωτός   q (Αδιαβατι-
κή προσέγγιση). Με άλλα λόγια τα ιόντα δεν ανταποκρίνονται στο μικρό χρόνο ταλά-
ντωσης του ηλεκτρικού πεδίου του φωτός. Αυτό προφανώς δεν ισχύει όταν το ωc γίνεται
συγκρίσιμο με το Ω.
Σχ. 3-2 (Αριστερά) Συνεισφορές διαφόρων διαδικασιών στη σκέδαση Raman. Προσέξτε τη
σειρά με την οποία λαμβάνουν χώρα ως επίσης και τις εμπλεκόμενες διεργασίες. Απ΄
αυτές η α) είναι η ισχυρότερη καθόσον οι άλλες δύο περιλαμβάνουν ενδοταινιακά πι-
νακοστοιχεία της ορμής p ( intraband matrix elements)
(Δεξιά) Το διάγραμμα Feynman του α) όρου.
Το δημοφιλέστερο πρότυπο που επικρατεί σήμερα είναι αυτό που προτάθηκε από
τον Loudon και το οποίο φαίνεται στο Σχ. 3-2:
α) Ένα φωτόνιο ενέργειας L και ορμής kL προσπίπτει σε ένα κρύσταλλο και μέ-
σω της αλληλεπίδρασης ηλεκτρονίου-φωνονίου διεγείρει ένα ηλεκτρόνιο από μια ηλε-

κτρονική κατάσταση Ψο μέσω μιας άμεσης ηλεκτρονικής μετάπτωσης σε μια κατάσταση

Ψα. Το φωτόνιο που απορροφείται, δημιουργεί προφανώς μια οπή στην αρχική κατάστα-
ση Ψο. Αυτή την κατάσταση του κρυστάλλου τη χαρακτηρίζουμε με το όρο " κατάσταση
α". Σημειώνουμε ότι η "κατάσταση α" μπορεί να είναι πραγματική ή δυνατή (virtual).
β) Η ηλεκτρονική κατάσταση Ψα μέσω της αλληλεπίδρασης ηλεκτρονίου-πλέγμα-
τος (ηλεκτρονίου - φωνονίου) σκεδάζεται σε μια άλλη κατάσταση Ψb. Στο κλασσικό
φαινόμενο Raman και οι δύο καταστάσεις Ψα και Ψb είναι δυνατές. Αν μια από αυτές εί-
ναι πραγματική, δηλ. αποτελούν ηλεκτρονικές καταστάσεις του κρυστάλλου τότε έχουμε
τη συντονισμένη σκέδαση Raman (Resonant Raman Scattering).
γ) Το σκεδασθέν ηλεκτρόνιο επανασυζεύγνυται με την οπή εκπέμποντας ένα φω-
τόνιο ενέργειας S και ορμής kS ενώ το ηλεκτρόνιο επανέρχεται στην ίδια αρχική κα-
τάσταση.
Όσον αφορά τους νόμους διατήρησης της ενέργειας και της ορμής αναφέρουμε ότι ο
πρώτος ισχύει μόνο μεταξύ της αρχικής και της τελικής κατάστασης ενώ ο δεύτερος ι-
σχύει σε κάθε επιμέρους στάδιο.
3.2 Σκέδαση Raman σε κρυσταλλικούς ημιαγωγούς

Γενικά σ' ένα τρισδιάστατο κρύσταλλο με r άτομα στη στοιχειώδη κυψελίδα εμ-
φανίζονται 3r κλάδοι διασποράς για κάθε διεύθυνση του κυματανύσματος Q. Απ΄ αυτούς
οι 3 κλάδοι αποτελούν τους λεγόμενους ακουστικούς, για τους οποίους για Q  0 όλα τα
διαφορετικά υποπλέγματα κινούνται με το ίδιο πλάτος, ενώ στα άκρα της ζώνης του
Brillouin κινείται κατά κανόνα μόνο ένα υπόπλεγμα. Δηλ. στους οπτικούς κλάδους τα-
λαντούται το κέντρο μάζης της κυψελίδος. Οι υπόλοιποι 3r-3 ονομάζονται οπτικοί. Σ΄
αυτούς εδώ το κέντρο μάζης παραμένει σταθερό, ενώ το ένα υπόπλεγμα ταλαντούται σε
σχέση με το άλλο. Αν οι μάζες των ταλαντούμενων δομικών μονάδων των επιμέρους υ-
ποπλεγμάτων είναι διαφορετικές, (π.χ. GaAs) μεταξύ των ακουστικών και των οπτικών
κλάδων εμφανίζεται ένα χάσμα. Τέλος επειδή η επαγόμενη διπολική ροπή είναι αρκετά
μικρότερη στα ακουστικά φωνόνια απ΄ ότι στα οπτικά, τόσον η συχνότητα όσο και η έ-
νταση των πρώτων είναι μικρότερες απ΄ αυτών των οπτικών. Γενικά, οι ενέργειες των
φωνονίων αυξάνουν με τις ενέργειες συνδέσεως των ατόμων μεταξύ των. (Συνέκρινε τι-
μές φωνονίων αδάμαντα, Si, Ge, GaAs κ.τ.λ.). Επίσης τα φωνόνια τα διακρίνουμε σε
διαμήκη ή εγκάρσια, ανάλογα με το αν η διεύθυνση ταλαντώσεώς των είναι παράλληλη
ή κάθετη στη διεύθυνση με τη διεύθυνση διαδόσεώς των. Σήμερα με την εξέλιξη των υ-
πολογιστών υπάρχουν αρκετά πρότυπα υπολογισμού των φωνονίων ενός στερεού ή μο-
ρίου. Η απαιτούμενη υπολογιστική ισχύς όμως εξακολουθεί να είναι αρκετά μεγάλη. Τα
πρότυπα αυτά τα διακρίνουμε σε μακροσκοπικά, όπου το είδος (rigid ion model, Shell
model, Bond Charge model) και οι τιμές των δυνάμεων μεταξύ των ατόμων εισάγονται
μακροσκοπικά ως παράμετροι προσαρμογής και στα απ΄ αρχής (ab initio) στα οποία οι
δυνάμεις υπολογίζονται από την αλληλεπίδραση "ηλεκτρονίου – ηλεκτρονίου" και "ηλε-
κτρονίου – πλέγματος" (δηλ ουσιαστικά υπολογίζουν τους τελεστές αλληλεπίδρασης HeL
και HeR). Οι τιμές των φωνονίων μεταβάλλονται αν μεταβληθούν οι δυνάμεις που συ-
γκρατούν τα επί μέρους άτομα, συνεπώς είναι ευαίσθητα σε εξωτερικές παραμέτρους π.χ.
πίεση, θερμοκρασία, πεδία κτλ. τις οποίες εξωτερικές παραμέτρους είναι δυνατόν να τις

Σκέδαση Raman σε κρυσταλλικούς ημιαγωγούς 45
χρησιμοποιήσουμε τόσο για τον έλεγχο των θεωρητικών μοντέλων όσο και αντίστροφα
για τον χαρακτηρισμό των υλικών.
Στο Σχ. 3-3 παριστάνονται η θεωρητικά υπολογισμένη πυκνότητα καταστάσεων και
οι καμπύλες διασποράς του Si. Η μοναδιαία κυψελίδα του Si (αλλά και πολλών ημιαγω-
γών με δομή σφαλερίτου ή βουρτσίτου π.χ. GaAs, ZnSe, CuCl, CdS, BN κτλ) περιέχει 2
άτομα, συνεπώς είναι δυνατοί 23 = 6 τρόποι δονήσεως, εκ των οποίων 3 ακουστικοί και
3 οπτικοί. Οι τρεις οπτικοί αποτελούνται από έναν διπλά εκφυλισμένο εγκάρσιο τρόπο
και από έναν διαμήκη. Επειδή το Si είναι καθαρά ομοιοπολικός κρύσταλλος το εγκάρσιο
και το διάμηκες φωνόνιο είναι Si εκφυλισμένα και συνεπώς πειραματικά θα μετρείται
ένα μόνο φωνόνιο. Για τους πολικούς ημιαγωγούς αντί για μια τριπλά εκφυλισμένη κο-
ρυφή θα παρατηρούνται δύο κορυφές. Η μία αντιστοιχεί στο διπλά ΤΟ εκφυλισμένο και
η άλλη στο LO. Λόγω του επαγόμενου διαμήκους πεδίου η ισχύς του οποίου επιπροστί-
θεται στη ισχύ των δυνάμεων μεταξύ των ατόμων, η συχνότητα των LO φωνονίων (στο
κέντρο της ζώνης του Brillouin είναι κατάτι μεγαλύτερη αυτής του ΤΟ).
Σχ. 3-3 Θεωρητικές καμπύλες δια-

σποράς και πυκνότητος
καταστάσεων για το Si υ-
πολογισμένα με το πρότυ-
πο Bond Charge Model
(BCM) Weber et al (Phys.
Rev.B15, 1977)
Παρατηρείστε την απουσία
χάσματος μεταξύ των α-
κουστικών και των οπτι-
κών κλάδων (γιατί συμβαί-
νει αυτό ;)
Επίσης παρατηρείστε ότι ο
εκφυλισμός των LO και
TO αίρεται στο άκρα Χ και
W της ζώνης του Brillouin.
(Γιατί ;)
Οι κορυφές της πυκνότητας καταστάσεων αντιστοιχούν σε σημεία της ζώνης του

Brillouin για τα οποία, όπως και στην περίπτωση των ηλεκτρονικών διεγέρσεων, η ταχύ-
τητα ομάδος dω/dk είναι μηδενική (τουλάχιστον κατά μία διεύθυνση του κυμα-
τανύσματος). Επίσης είναι προφανές ότι μεγάλη πυκνότητα καταστάσεως συνεπάγεται
και αυξημένη πιθανότητα να συμμετάσχει ένα φωνόνιο σε μια διαδικασία και συνεπώς
αυξάνει η έντασή του αντιστοίχου φαινομένου ( π.χ κορυφή Raman ). Επίσης από το πα-
ραπάνω σχήμα φαίνεται εκ νέου ότι η πυκνότητα καταστάσεως των οπτικών φωνονίων
είναι μεγαλύτερη αυτής των ακουστικών, καθόσον τα πρώτα παρουσιάζουν κατά κανόνα
μικρότερη διασπορά από τα ακουστικά. Το ποιο από τα φωνόνια θα παρατηρηθεί και
ποιο θα είναι ισχυρότερο πειραματικά εξαρτάται εκτός των άλλων κυρίως από τη γεωμε-
τρία του πειράματος (= τρόπος διέγερσης και ανίχνευσης των φωνονίων).

Στο Σχ. 3-4 παριστάνονται οι καμπύλες διασποράς για το GaAs κατά μήκος των
διευθύνσεων [100] και [111]. Εδώ φαίνεται καθαρά ο διαχωρισμός του οπτικού από τον
ακουστικό κλάδο, (λόγω της ύπαρξης δύο διαφορετικών ατόμων) ως και η μικρή διασπο-
ρά του οπτικού κλάδου σε σχέση μ΄ αυτή του ακουστικού.
Σε αντίθεση με τους κρυσταλλικούς ημιαγωγούς όπου τα φάσματα Raman αποτε-
λούνται από μερικές οξείες κορυφές, τα φάσματα Raman των άμορφων υλικών περιλαμ-
βάνουν αισθητά διευρυμένες κορυφές που εκτείνονται σε μια πολύ ευρύτερη ενεργειακή
περιοχή. Όπως είδαμε, στην μακροσκοπική περιγραφή, στο φαινόμενο Raman ο νόμος
LO LO Σχ. 3-4 Σχέσεις διασπο-

8 ράς των δονητι-
TO TO κών τρόπων του
Hz)
GaAs.
6 GaAs Παρατηρείστε
12
Frequency (10
ότι, σε αντίθεση
LA LA με το Si, στο κέ-
4 ντρο της ζώνης
του Brillouin εμ-
φανίζονται δύο
2 TA διακριτοί τρόποι.
TA
Παρατηρείστε
0 την παρουσία
0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 χάσματος μεταξύ
L (111) Direction Ka/ (100) Direction X
των ακουστικών
και των οπτικών
κλάδων .
διατήρησης της ορμής ισχύει σε κάθε επιμέρους στάδιο και αυτό έχει σαν αποτέλεσμα τη
δημιουργία οξέων κορυφών. Η κατανόηση των φασμάτων Raman στους άμορφους ημια-
γωγούς μπορεί να γίνει με τη βοήθεια των παρακάτω συλλογισμών:
α) η διατήρηση της ψευδό-ορμής κατά τη σκέδαση Raman είναι άμεση συνέπεια

της κρυσταλλικής περιοδικότητας του πλέγματος. Εξαιτίας της απουσίας τάξης ευρείας
Σχ. 3-5 Φάσμα Raman ενός α-Si

(α) Πειραματικό
(b) Δίπλωση της καμπύλης (c) με μια συ-
νάρτηση Gauß εύρους 25cm-1 (FWFM)
(c) Θεωρητική πυκνότητα καταστάσεων
ενός c-Si.

Περιγραφή της διατάξεως Raman Φωτοφωταύγειας 47
κλίμακος (για παράδειγμα στο α- Si, αυτή είναι της τάξης των 10-15 Å), ο νόμος διατή-
ρησης της ορμής παύει να αποτελεί ένα "καλό" κβαντικό νόμο περιγραφής της συμπερι-
φοράς των πινακοστοιχείων. Αυτό είναι γνωστό ως "χαλάρωση" του νόμου της διατηρή-
σεως των κυματοδιανυσμάτων. ( q-vector relaxation rule) Αυτό σημαίνει ότι η σκέδαση
Raman δεν περιορίζεται στα φωνόνια q = 0, αλλά εκτείνεται σχεδόν σε όλη τη ζώνη του
Brillouin, αφού η τελευταία " συρρικνούται" σε μια περιοχή γύρω από το κέντρο Γ. Έτσι
τα φάσματα Raman των άμορφων υλικών αποτελούν την κατά Raman ενεργό πυκνότητα
καταστάσεων η οποία είναι η δίπλωση του πραγματικού φάσματος με τα από το κυμα-
τοδιάνυσμα εξαρτώμενα πινακοστοιχεία.
β) οι πυκνότητες καταστάσεων σε ένα κρυσταλλικό και ένα άμορφο υλικό, εκτός
από μια ορισμένη διεύρυνση και κάποια μικρή μετατόπιση στην περίπτωση του αμόρ-
φου, συμπίπτουν. Αυτό οφείλεται κυρίως ι) στο γεγονός ότι τόσο στο α-Si όσο και στο c-
Si η τάξη μικρής έκτασης είναι τετραεδρική και ιι) ότι η πυκνότητα καταστάσεων των
φωνονίων καθορίζεται κυρίως από τις αλληλεπιδράσεις μικρής εμβέλειας.
Η συνέπεια των προηγούμενων συλλογισμών είναι ότι το μετρούμενο φάσμα Raman
ενός άμορφου ημιαγωγού είναι το αντίγραφο της πυκνότητας καταστάσεων των φωνονί-
ων. Στο Σχ. 3-5 παριστάνεται (α) το φάσμα Raman του α-Si και η κατά Brodsky θεωρη-
τικά υπολογισμένη πυκνότητα καταστάσεων (c). Η καμπύλη (b) παριστά τη δίπλωση της
(c) με μια συνάρτηση Gauss με FWHM=25 cm-1 .
Για την ενδιάμεση περίπτωση που έχουμε μικροκρυσταλλικά υλικά ή υλικά με διά-
φορες πλεγματικές ατέλειες μπορούμε να ορίσουμε ένα χωρικό μήκος συσχέτισης L 
αL, όπου αL, η πλεγματική σταθερά, το οποίο ουσιαστικά αντιπροσωπεύει την "μη κατε-
στραμμένη" κρυσταλλική περιοχή οπότε όλα τα φωνόνια με 0  Q 2π/L μπορούν να
συνεισφέρουν στη σκέδαση Raman. Προφανώς, όπως ήδη αναφέραμε και προηγουμέ-
νως, η συνεισφορά στην ένταση της σκεδαζόμενης ακτινοβολίας σχετίζεται με την αντί-
στοιχη τιμή της πυκνότητος καταστάσεως.
3.3 Περιγραφή της διατάξεως Raman Φωτοφωταύγειας

Το γενικό διάγραμμα της διατάξεως Φασματοσκοπίας Raman παριστάνεται στο Σχ.
3-6. Η διεγείρουσα ακτινοβολία προέρχεται, κατ΄ επιλογήν, από δύο πηγές Laser ιόντων
Ar+ ή Kr+ αντίστοιχα, ώστε να είναι δυνατή η διέγερση από δύο διαφορετικά μήκη κύμα-
τος, το οποίο με την σειρά του, μας επιτρέπει είτε τη συλλογή πληροφοριών από διαφο-
ρετικά πάχη του υλικού, καθόσον το βάθος διεισδύσεως, δ, μεταβάλλεται με το μήκος
κύματος της ακτινοβολίας, είτε η διέγερση λαμβάνει χώρα πλησίον διαφορετικών ηλε-
κτρονικών χασμάτων και συνεπώς έχουμε σημαντική μεταβολή του λαμβανομένου σή-
ματος (εξάρτηση του τανυστού Raman από την συχνότητα ).
Η προσπίπτουσα δέσμη μετά από διαδοχικές ανακλάσεις στα κάτοπτρα, και αφού
διέλθει από το συμβολομετρικό φίλτρο και τα διάφορα διαφράγματα, εστιάζεται μέσω
του φακού εστίασης ( κυλινδρικός ή σφαιρικός ανάλογα με τις συνθήκες του πειράματος
και ιδιότητες υλικού) πάνω στο δείγμα. Επειδή η σχισμή εισόδου του μονοχρωμάτορα
είναι λεπτή σχισμή διαστάσεων περίπου 100μm 4mm κατά κανόνα για της εστίαση της
διεγείρουσας ακτινοβολίας χρησιμοποιείται κυλινδρικός φακός αποφεύγοντας κατ΄ αυτόν
τον τρόπο αφ΄ ενός μεν την τοπική θέρμανση του υλικού, αφ΄ ετέρου δε έχουμε την δυ-
νατότητα απεικόνισης μεγαλυτέρου τμήματος του δείγματος στην σχισμή εισόδου που
ισοδυναμεί με συλλογή μεγαλυτέρου σήματος και συνεπώς τη λήψη φασμάτων μειωμέ-

νου θορύβου. Έχει διαπιστωθεί μάλιστα ότι αν χρησιμοποιήσουμε σφαιρικό φακό και το
είδωλο της διεγείρουσας δέσμης έχει διάμετρο περίπου 20 μm πάνω σε δείγμα Si, τότε
για ισχύ διεγείρουσας δέσμης περί τα 100 mW λαμβάνει χώρα τοπική ανόπτηση ( κρυ-
σταλλοποίηση του υλικού).
Στη συνέχεια η σκεδασθείσα ακτινοβολία συλλέγεται με τη βοήθεια του φακού συλ-
λογής και εστιάζεται στην σχισμή εισόδου. Στην διαδρομή της δέσμης είναι δυνατόν να
τοποθετηθούν πολωτές ( ένας στην προσπίπτουσα και ένας στην σκεδαζόμενη) , ώστε να
είναι δυνατή η λήψη φασμάτων σε καθορισμένες καταστάσεις πολώσεως. Η λήψη φα-
Σχ. 3-6 Τυπική πειραματική διάταξη Raman / φωτοφωταύγειας με σύστημα απαρίθμηση φω-
τονίων. Για τη φασματοσκοπία Raman απαιτείται τουλάχιστον διπλός μονοχρωμάτορας,
ενώ για τη φασματοσκοπία φωταύγειας αρκεί και ένας μονός, εκτός βέβαια αν απαιτεί-
ται υψηλή διακριτική ικανότητα.
σμάτων με συγκεκριμένες πολώσεις των ακτινοβολιών διέγερσης και σκεδάσεως σε συν-
δυασμό με τις διευθύνσεις πρόσπτωσης των είναι βασική διάταξη προσδιορισμού των
διαφόρων συνιστωσών του τανυστή Raman. (Υπό την προϋπόθεση βέβαια ότι το δείγμα
είναι κρυσταλλικό και οι σκεδάζουσες επιφάνειές του αποτελούν καθορισμένες κρυ-
σταλλογραφικές έδρες).
Στη σχισμή εξόδου του διπλού μονοχρωμάτορα έχει τοποθετηθεί ένας τρίτος μονο-
χρωμάτορας. Η προσθήκη του τρίτου μονοχρωμάτορα αυξάνει σημαντικά το λόγο απόρ-
ριψης, ο οποίος ισούται με τον λόγο της προσπίπτουσας φωτεινής ισχύος προς τον λόγο
της εξερχομένης ισχύος σε μια φασματική περιοχή πλησίον της συχνότητας διέγερσης
(συνήθως από 5 έως 10 Å). Βέβαια ο λόγος αυτός εξαρτάται ισχυρά από τα γεωμετρικά
χαρακτηριστικά του μονοχρωμάτορα, τα χρησιμοποιούμενα φράγματα, το εύρος των
σχισμών κτλ. Τυπικές τιμές του είναι περίπου 10-4 για μονό, 10-9 για διπλό και 10-15 για
τριπλό. Έτσι η χρήση τριπλού μονοχρωμάτορα είναι σχεδόν απαραίτητη για λήψεις φα-
σμάτων Raman για φασματικές περιοχές κοντά ση γραμμή διέγερσης (Δω  50 cm-1 ),
όπου η συνεισφορά της ελαστικής σκέδασης Rayleigh είναι σημαντική.
Η όλη διάταξη είναι πλήρως αυτοματοποιημένη και παρέχει τη δυνατότητα στον
χρήστη να καταγράφει φάσματα Raman με επιθυμητές παραμέτρους, όπως π.χ. το βήμα,
τη διάρκεια κάθε σημείου μέτρησης ή τη λήψη αλλεπάλληλων φασμάτων, ώστε ο λόγος

Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Raman 49
σήμα / θόρυβος να είναι ικανοποιητικός. Στη συνέχεια τα πρωτογενή φάσματα αποθη-

κεύονται υπό ψηφιακή μορφή και είναι δυνατόν να αναλυθούν με τη βοήθεια διαφόρων
προτύπων κορυφών, ώστε να αποκτηθούν οι επιδιωκόμενες πληροφορίες για το υπό με-
λέτη υλικό, είτε οι επιπτώσεις διαφόρων εξωτερικών διαταραχών π.χ. θερμοκρασίας, πιέ-
σεως κτλ.
200 250 300 350 400 450 500 550

Σχ. 3-7 Φάσματα Raman
3000 για διάφορους
Data: SIREF2.PRN_B
Model: Voigt
Chi^2 = 125.15452
B
B
βαθμούς κρυσταλ-
y0 138.69082 ±1.83339
xc 520.56549 ±0.00858
19641.13099 ±101.55783
A
B
2000 wG
wL
3.33764
2.56927
±0.05571
±0.06019 λικότητας του Si.
1000
Si Παρατηρείστε ότι
από τη μορφή του
φάσματος μπο-
515 520 525
Raman Intensity (a.u.)
0
Data: PSA61F.PRN_B ρούμε να βγά-
300
Model: Gauss
Chi^2 = 35.83987
y0
xc1
0 ±0
484.73816 ±0.32989
poly-Si λουμε αμέσως συ-
w1
A1
74.95793 ±0.7244
5281.75379 ±42.48265 μπεράσματα για το
200 xc2 522.57842 ±0.01029
w2
A2
4.32898 ±0.02252
1745.83362 ±9.11547 βαθμό κρυσταλλι-
100 κότητας του πυρι-
τίου.
0 Data: MC468L.PRN_B
Model: Gauss Η εμφάνιση της
80
φαρδιάς κορυφής
Chi^2 = 17.49491
 -Si
y0 32 ±0
xc1 390.69896 ±8.45195
οφείλεται την "χα-

w1 211.16741 ±17.88137
A1 4604.9583 ±372.47899
xc2 480.74704 ±0.8448
60 w2
A2
49.69229 ±2.35781
2094.90823 ±153.67693
λάρωση" των κα-
νόνων επιλογής
40 λόγω της υποβαθ-
μίσεων της κρυ-
80
σταλλικής συμμε-
Data: SIREF2.PRN_B
Model: Voigt
-Si
Chi^2 = 259017.41268
τρίας και την ε-

y0 135.77118 ±158.919
xc 517.65765 ±1.65391
A 2000 ±15005.03916
60 νεργό συμμετοχή
wG 0.05 ±2184.75758
wL 13.21221 ±18.03668
ακουστικών φωνο-
40 νίων από τα άκρα
της ζώνης του
200 250 300 350 400 450 500 550 Brillouin (βλέπε
Σχ. 3-5)
-1
Raman Shift ( cm )
3.4 Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Raman

Στα παρακάτω συζητούνται συνοπτικά ορισμένες εφαρμογές της φασματοσκοπίας
Raman στον χαρακτηρισμό των υλικών. Ειδικότερα στο Σχ. 3-7 παρουσιάζεται ο χαρα-
κτηρισμός μέσω της φασματοσκοπίας Raman πυριτίου διαφόρου βαθμού κρυσταλλικό-
τητας.
Μια ανάλογη εφαρμογή της φασματοσκοπίας Raman παριστάνεται στο Σχ. 3-8, ό-
που εκτός της ταυτοποίησης των συγκεκριμένων υλικών μέσω της εμφανίσεως των χα-
ρακτηριστικών κορυφών π.χ. 521 και 296 cm-1 για το Si και GaAs αντίστοιχα, μπορούμε

να μελετήσουμε το βαθμό πολικότητας ενός υλικού μέσω της διασπάσεως των συχνοτή-
των ΤΟ και LO και στη συνέχεια να υπολογίσουμε το ενεργό φορτίο.
Αν η διεγείρουσα ακτινοβολία έχει ενέργεια μεγαλύτερη απ΄ αυτή του ενεργειακού
χάσματος του υλικού τότε ταυτόχρονα έχουμε και απορρόφηση και συνεπώς φωταύγεια.
Αυτή η περίπτωση παρουσιάζεται στον μεικτό κρύσταλλο ZnxMn1-xSe, όπου το χάσμα
του είναι 2,08 eV και η ενέργεια του Laser ( 2,14 eV =πράσινη γραμμή του Laser του
Ar). Με βάση όσα είπαμε παραπάνω η φωταύγεια θα υπερτερεί του Raman. Πράγματι το
φάσμα του ZnxMn1-xSe είναι πολύ φαρδύτερο και ισχυρότερο και δεν εμφανίζεται το φά-
σμα Raman. Αυτό όμως δεν σημαίνει ότι και δεν υπάρχει κιόλας ! Πράγματι στο δεξί μέ-
ρος του Σχ. 3-8 η μεγεθυμένη περιοχή δείχνει καθαρά το φάσμα Raman του υλικού, το
οποίο είναι σχεδόν ίδιο μ΄ αυτό του ZnSe, μια και η συγκέντρωση του Mn είναι πολύ μι-
κρή
5
Si 5x10
2000
0
R+Lum
510 515 520 525 530
4000
200 5
GaAs 4x10
100
0 3000
Raman signal (arb. units)
260 280 300

Scattered Intensity (a.u.)
1000
GaP 5
500 3x10
2,375 2,380 2,385
0
360 380 400 420
4000
2000 5
ZnSe 2x10
0
100 200 300
1000 Zn0.96Mn0.04Se
5
1x10
0
180 200 220 240 260 280
Zn0.96Mn0.04Se ( Luminescence)
5000
0
0
1000 2000 3000 4000 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
-1
Frequency cm Energy (eV)
Σχ. 3-8 Αριστερά

Φάσματα Raman διαφόρων ημιαγωγών και φωτοφωταύγειας για το Zn0.96Mn0.04Se.
Παρατηρείστε τη διάσπαση των εγκαρσίων οπτικών τρόπων σε ΤΟ και LO για τους
ετεροπολικούς ημιαγωγούς (διαφορετικά είδη ατόμων). Επίσης παρατηρείστε την αύ-
ξηση της διάσπασης των ΤΟ και LO τρόπων όσο αυξάνεται η διαφορά σθενών (
=μέτρο της πολικότητας του δεσμού). Τέλος σημειώστε την εμφάνιση του φάσματος
δευτέρας τάξεως των ακουστικών συχνοτήτων στον ZnSe.
Δεξιά
Φάσμα φωτοφωταύγειας του Zn0.96Mn0.04Se ως προς τις απόλυτες τιμές της ενέργειας.
Σημειώστε το πολύ μεγαλύτερο ενεργειακό εύρος και ένταση της φωταύγεια απ΄ ότι το
φάσμα Raman. Το τελευταίο φαίνεται καθαρά στο ένθετο.

Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Raman 51
Στο φάσμα του ZnSe στη περιοχή συχνοτήτων 100-200 cm-1 εμφανίζεται μια πολύ
φαρδιά ταινία. Αυτή οφείλεται στη σκέδαση Raman δευτέρας τάξεως. Η πρώτη τάξεως
από ακουστικά φωνόνια δεν συνεισφέρουν, καθόσον στο κέντρο της ζώνης του Brillouin
έχουν μηδενική συχνότητα. Το δευτέρας τάξεως ( = δύο φωνόνια ταυτόχρονα) μπορεί να
σαρώνει όλη τη ζώνη του Brillouin (= δύο φωνόνια με περίπου αντίθετα κυματο-
διανύσματα των οποίων το άθροισμα q1+q2 ~ κ φωτονίου). Η ακραία περίπτωση αυτού του
φαινομένου, όπως είδαμε παραπάνω, εμφανίζεται στα άμορφα υλικά. Τέλος παρατηρεί-
στε ότι τα φάσματα Raman του ZnSe στο αριστερό και δεξιό τμήμα του Σχ. 3-8 εμφανί-
ζονται κατοπτρικά. ( = Γιατί ; →συγκρίνετε τους αντίστοιχους Χ άξονες ).
0-50mins, 532nm Laser, 30mW
50-70mins, cooling down
240000 70-72mins, 532nm Laser, 3mW
74-76mins, 532nm Laser, 30mW BN Powder, d ~ 3m
76.0 min
74.0 min
72.0 min
Intensity (arb.units)
180000
70.0 min
50.0 min
46.0 min
120000 42.0 min
41.0 min
40.5 min
40.0 min
60000
16.0 min
12.0 min
4.0 min
2.0 min
0 0 min
800 1000 1200 1400
-1
Raman shfit (cm )
Σχ. 3-9 Φάσματα Raman BN για διάφορες φάσεις (κυβική ή εξαγωνική) κατά τη διαδικασία
θέρμανσης (25 0C /min) και ψύξεως. Η εξαγωνική χαρακτηρίζεται από την εμφάνιση
μόνο μιας κορυφής Raman στα 1367 cm-1, ενώ η κυβική από δύο στα 1052 (ΤΟ) και
1304 (LO). Παρατηρείστε ότι για θερμοκρασίες πάνω από 500 0C επικρατεί η εξαγω-
νική φάση ως επίσης και η μετάπτωση από τη μία φάση στην άλλη είναι αντιστρεπτή.
Στο Σχ. 3-9 παρουσιάζεται ο χαρακτηρισμός της μετάπτωσης σκόνης BN από την
κυβική στην εξαγωνική φάση κατά τη διαδικασία θέρμανσης κατά το σχήμα
Ενέργεια+ c-ΒΝ → h-ΒΝ (3.3.1)

Η εμφάνιση της εξαγωγικής φάσεως πιστοποιείται αμέσως από την εμφάνιση της
κορυφής στα 1367 cm-1. Η μέγιστη θερμοκρασία ήτανε 1540 0C. Επίσης η μικρή μετατό-
πιση προς μεγαλύτερες ενέργειες και ελάττωση του εύρους των κορυφών Raman οφείλε-
ται στην αύξηση του μεγέθους των κρυσταλλιών.
Ο χαρακτηρισμός των υλικών με φασματοσκοπία Raman έχει ήδη περάσει και σε
ευρείας κλίμακας εφαρμογές. Ήδη διάφορες εταιρείες ανάπτυξης υμενίων τύπου διαμα-
ντιού ( =diamond like films) ή σκονών διαμαντιού τη χρησιμοποιούν ευρύτατα. Στο Σχ.
3-10 φαίνεται ο χαρακτηρισμός διαφόρων "τύπου διαμαντιού" που αναπτύσσονται με τη
μέθοδο CVD ( Chemical Vapor Deposition). Δεδομένου ότι οι σημερινές διατάξεις εξο-
πλισμένες με ανιχνευτές CCD είναι σε θέση να καταγράφουν το φάσμα Raman σε πολύ

diamond
Raman Intensity [arb.units]
Nano diamond
Amorphous Carbon
1000 1200 1400 1600 1800
Raman Shift [cm-1]
Σχ. 3-10 Χαρακτηρισμός διαφόρων τύπων υμενίων άνθρακος

Αριστερά Παρατηρείστε την παρουσία της λεπτής ισχυρής κορυφής στα 1331 cm-1 όταν έχουμε
καλά διαμορφωμένους κρυσταλλίτες.
Δεξιά Παρατηρείστε τη αύξηση της εντάσεως της κορυφής Raman συναρτήσει του πάχους του
υλικού
μικρούς χρόνους, μερικά sec, μπορούμε καταγράφοντας τα αντίστοιχα φάσματα να πα-
ρακολουθήσουμε την διεργασία ανάπτυξης ενός υλικού και ταυτόχρονα να το χαρακτη-
ρίζουμε. Επίσης από τον λόγο των εντάσεων Stokes και Anti-Stokes μπορούμε να υπολο-
γίσουμε και τη θερμοκρασία που πραγματικά έχει το δείγμα όταν ακτινοβολείται ή υφί-
σταται κάποιας μορφής κατεργασία.
Πράγματι από τις σχέσεις (3.1.20) - (3.1.23) βρίσκουμε ότι αυτή η ιδιότητα χρησι-
μοποιείται γα να προσδιοριστεί η θερμοκρασία πάνω στο δείγμα του C60, όπως φαίνεται
στο Σχ. 3-11.
Tbath = 300 K
P = 0.5 mW C60 Σχ. 3-11 Προσδιορισμός της θερμοκρασίας του C60
Tspot = 529 K με τη βοήθεια του λόγου των εντάσεων των
κορυφών Anti - Stokes προς Stokes.
(K.P Meletova E. Liarokapis J. Arvanitidis, K. Pa-
Intensity (arb. units)
pagelis D. Palles G. A. Kourouklis and SVes.

Tbath = 300 K Chemical Physics Letters Volume 290, Pages 125-
P = 0.15 mW 130, 1998.)
Tspot = 401 K
Παρατηρείστε ότι, ανάλογα με την ισχύ της
διεγείρουσας δέσμης Laser, η διαφορά θερ-
μοκρασίας μεταξύ του περιβάλλοντος και του
Tbath = 300 K δείγματος μπορεί να υπερβεί το 50%.
P = 0.06 mW
Tspot = 340 K Σημειώστε τις εξαιρετικά χαμηλές ισχύες της
προσπίπτουσας δέσμης. Αυτό επιβάλλεται
επειδή το συγκεκριμένο έχει πολύ μικρό συ-
ντελεστή θερμικής αγωγιμότητας και συνε-
-400 -200 0 200 400
-1
πώς επειδή απορροφά το συγκεκριμένο μή-
Raman Frequency (cm ) κος κύματος, καταστρέφεται λόγω υπερθέρ-
μανσης.
Fig. 2 K.P. Meletov et al., On the nature of the laser irradiation...(Ms # BG6355)

Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Υπερύθρου. 53
4 
IAS  0 +   n −
=    e KT (3.3.2)
IS  0 −  n +1
Η μέθοδος αποδίδει καλύτερα στις χαμηλές θερμοκρασίες, καθόσον οι εντάσεις των
κορυφών Anti – Stokes μειώνονται πολύ γρήγορα όσο αυξάνεται η συχνότητά των.
3.5 Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία Υπερύθρου.

Στο Σχ. 3-12 παριστάνονται διαγραμματικά και οι βασικότεροι μηχανισμοί αλληλε-
πίδρασης της ακτινοβολίας με ένα υλικό. Προφανώς αν το υλικό βρίσκεται στην στερεά
κατάστασης (πλην εξαιρετικών περιπτώσεων π.χ. C60 ή άλλων μοριακών κρυστάλλων),
τότε οι στάθμες περιστροφής δεν θα είναι διαθέσιμες. Επίσης οι ηλεκτρονικές στάθμες
είναι δυνατόν να αντιστοιχούν στις στάθμες της ταινίας αγωγιμότητος (ή και ανώτερης)
και η θεμελιώδης κατάσταση σε στάθμες της ταινίας σθένους (ή και βαθύτερης). Από το
Σχ. 3-12 συνάγεται ότι η διαφορά μεταξύ φωταύγειας και φθορισμού συνίσταται στην
S2 Μετάπτωση
Διηγερμένες Triplet→ Singlet
Ηλεκτρονικές S1
καταστάσεις
Φωταύγεια
Δυνατές κα-
ταστάσεις
Στάθμες
Αρμονικές Περιστροφής
ho ho- h1
Ενέργεια
=3
 =2
 =1
Θεμελιώδης h1
κατάσταση
UV-Vis Raman Φθορισμός NIR / IR FIR
Απορρόφηση Σκέδαση Απορρόφηση Απορρόφηση
μεσολάβηση στον φθορισμό της μετάπτωσης από μονή σε τριπλά (singlet to triplet) εκ-
φυλισμένη κατάσταση. Και επειδή αυτή η μετάπτωση είναι απαγορευμένη ( Δs = 1) είναι
"αργή", η εκπεμπόμενη ακτινοβολία εκπέμπεται με κάποια χρονική καθυστέρηση (~
μsec- msec).

Ένα άλλο σημείο που προκύπτει από το Σχ. 3-12 είναι το γεγονός, ότι αν και η φα-
σματοσκοπία Raman και η απορρόφηση στο υπεριώδες μελετούν τις στάθμες ταλαντώ-
σεως του υλικού (μορίου ή στερεού), βασίζονται σε εντελώς διαφορετικά φαινόμενα. Η
φασματοσκοπία Raman βασίζεται στη σκέδαση, ενώ η απορρόφηση IR στο φαινόμενο
της απορρόφησης. Ως εκ τούτου έχουν και διαφορετικές ιδιότητες, αν και οι δύο μετρούν
ταλαντώσεις πλέγματος. Η βασικότερη είναι ότι έχουν διαφορετικούς κανόνες επιλογής.
Ειδικότερα για κρυστάλλους με κέντρο αντιστροφής είναι αλληλοαποκλειόμενες. Δηλ.
αν είναι επιτρεπτή η σκέδαση Raman δεν είναι επιτρεπτή η IR απορρόφηση (π.χ. Si). Το
αντίθετο συμβαίνει στο NaCl, όπου είναι επιτρεπτή η IR απορρόφηση και απαγορευμένη
η σκέδαση Raman. Η τελευταία ιδιότητα είναι ένας πολύ καλός, αποτελεσματικός και
εύκολος τρόπος να διαπιστωθεί αν ένα κρυσταλλικό υλικό κρυσταλλούται σε μια δομή η
οποία έχει ή όχι κέντρο συμμετρίας.
Όσον αφορά λοιπόν τη φυσική της IR απορρόφησης είναι πανομοιότυπη μ΄ αυτή
που αναπτύχθηκε για τις ηλεκτρονικές μεταπτώσεις. Βέβαια υπάρχουν ορισμένες διαφο-
ροποιήσεις, π.χ. αντί για τη μάζα των ηλεκτρονίων θα πρέπει να λάβουμε υπόψη μας τη
Σχ. 3-13 Φάσματα IR διαπερατότητας

550 0C σκόνης που περιέχει κυβικό και
εξαγωνικό BN που αναπτύχθηκε
με βάση την αντίδραση
BBr3+Li3N = BN+3LiBr σε
480 0C διάφορες θερμοκρασίες.
Παρατηρείστε ότι η περιεκτικό-
τητα της κυβικής φάσεως παίρ-
νει τη μέγιστη τιμή και Τ = 480
0
C και κατόπιν μειώνεται.
380 0C Συγκρίνετε το φάσμα αυτό μ΄
αυτό του Σχ. 3-9. Παρατηρεί-
στε ότι εδώ ανιχνεύεται μόνο η
χαμηλότερη συνιστώσα της κυ-
βικής φάσεως (ΤΟ). Αυτό οφεί-
250 0C λεται σε λόγους συμμετρίας.
Σημειώστε επίσης την παρουσία
ριζών υδροξυλίων.
Σχ. 3-12 Συνολική διαγραμματική παράσταση της αλληλεπίδρασης της " οπτικής" ακτινοβολίας
με την ύλη. Παρατηρείστε ότι αν και το φαινόμενο Raman όσο και η απορρόφηση υπε-
ρύθρου μελετούν τις ίδιες στάθμες (ταλαντώσεων) βασίζονται σε διαφορετικούς μηχα-
νισμούς.
μάζα του πυρήνα (ή καλύτερα την ανοιγμένη μάζα των ατόμων που ταλαντούνται σ΄ ένα
ορισμένο τρόπο). Έτσι και εδώ θα έχουμε μεταπτώσεις μεταξύ των διαφόρων δονητικών
καταστάσεων ή την παρουσία πλάσματος.
Στο Σχ. 3-13 παριστάνονται φάσματα απορροφήσεως σκόνης BN που περιείχε και
τις δύο φάσεις του BN και η οποία αναπτύχθηκε σε διάφορες θερμοκρασίες. Η ύπαρξή

των καθίσταται αμέσως εμφανής από την παρουσία των αντιστοίχων κορυφών απορρό-
φησης στο φάσμα διαπερατότητας.
Ανάλογα συμπεράσματα για τον χαρακτηρισμό των υλικών μπορούμε να εξαγάγου-
με μελετώντας τα φάσματα ανακλαστικότητος. Για παράδειγμα στο Σχ. 3-14 παρουσιά-
ζεται το φάσμα IR ανακλαστικότητος του τριαδικού ημιαγωγού AlxGa1-xAs και ενός ι-
σχυρά προσμεμειγμένου κρυστάλλου Si. Η ομοιότητα των φασμάτων αυτών με τα φά-
Σχ. 3-14 Αριστερά: Φάσματα ανακλαστικότητος υπερύθρου του ημιαγωγού Al0.14Ga0.86As για
τέσσερες διαφορετικές συγκεντρώσεις φορέων Α =3,2 1016 , Β =1,8 1018, C =2.8 1018,
D = 4.8 1018 φορείς / cm3.
Δεξιά: Φάσμα ανακλαστικότητος υπερύθρου ενός n –τύπου Si. ( n = 1.1 1017 cm-3 )
Παρατηρείστε την σαφή μετατόπιση του ελαχίστου της ανακλαστικότητος προς μεγα-
λύτερες συχνότητες με την συγκέντρωση n των φορέων.
Οι συνεχείς γραμμές παριστούν προσαρμογές των πειραματικών δεδομένων με τη βοή-
θεια εξισώσεων αναλόγων των (1.3.20) και (1.4.1)
σματα των Σχ.1-3 και Σχ.1-6 είναι εμφανής. Ειδικότερα στο αριστερό μέρος του Σχ.
3-14 η σταδιακή επίδραση της συμμετοχής των ελευθέρων φορέων είναι εύγλωττος. Στη
χαμηλότερη συγκέντρωση το φάσμα ανακλαστικότητος είναι αυτό του καθαρού υλικού.
Τα δύο μέγιστα της ανακλαστικότητος στα 270 και 370 cm-1 οφείλονται στα ΤΟ φωνόνια
των δυαδικών ενώσεων GaAs και AlAs. Τα δύο αυτά μέγιστα διευρύνονται σημαντικά (
χωρίς να μετατοπίζονται σημαντικά) όσο αυξάνεται η συγκέντρωση. Μια άλλη επίδραση
της αύξησης της συγκέντρωσης των φορέων είναι και η τροποποίηση του φάσματος α-
νακλαστικότητος στις χαμηλές συχνότητες, περί τα 200 cm-1, ως επίσης και την ανάπτυξη
ελαχίστων στις υψηλές συχνότητες ( ~ 500 cm-1 ) λόγω της αλληλεπίδρασης πλασμονίων
– φωνονίων.
Αντίθετα το δεξιό τμήμα του Σχ. 3-14 προσομοιάζει ισχυρά μ΄ αυτό των ελευθέρων
φορέων (βλέπε δεξιό τμήμα του Σχ. 1-2). Από την προσαρμογή των πειραματικών δεδο-
μένων με τις εξισώσεις (1.3.20), (1.4.1), ή (1.4.2) είναι δυνατόν να προσδιορίσουμε τη
(τις) συχνότητα (τες) πλάσματος και το (τα) γ και εν συνεχεία αν είναι γνωστή η συγκέ-
ντρωση n, να προσδιοριστεί η ενεργός μάζα m* και εν συνεχεία η ευκινησία μ = e/(m*).

Σχ. 3-15 Μορφή και επιμέρους συνεισφορές στη φασματική εξάρτηση του συντελεστή α-
πορρόφησης.
Αυτού του είδους οι δυνατότητες της φασματοσκοπίας υπερύθρου είναι που μαζί με τη
φασματοσκοπία Raman τις κάνουν τις πλέον κατάλληλες οπτικές τεχνικές για τον χαρα-
κτηρισμό των υλικών.
Στο Σχ. 3-15 παρουσιάζεται ο συντελεστής απορρόφησης για μια πολύ μεγάλη πε-
ριοχή ενεργειών. Από το σχήμα αυτό συνάγεται ότι η συνεισφορά των διαφόρων συστα-
τικών του υλικού (πυρήνες, άτομα, μόρια, πλέγμα, ελεύθεροι φορείς, προσμίξεις) όλα
μαζί συνθέτουν μια αρκετά ποικιλόμορφη εξάρτηση του συντελεστή απορρόφησης ( και
προφανώς και άλλων "οπτικών σταθερών"). Επίσης είναι αυτονόητο ότι δεν είναι κατάλ-
ληλες όλες οι προαναφερθείσες τεχνικές για τη μελέτη σ΄ όλο το εύρος των ενεργειών.
Σε μια περιοχή πλεονεκτεί η μια και σε μια άλλη περιοχή μια άλλη. Επίσης μια ακόμη
οπτική τεχνική, η οποία και αυτή γνωρίζει ανάπτυξη τα τελευταία χρόνια είναι η Ελλει-
ψομετρία. Κατά βάση είναι και αυτή μια τεχνική ανακλάσεως. Δηλ. μετρά τις πολωτικές
ιδιότητες του ανακλωμένου φωτός. Αυτές όμως εξαρτώνται από την διαφορά φάσεως και
πλατών των δύο συνιστωσών (κάθετης και παράλληλης πολωμένης προς το επίπεδο προ-
σπτώσεως). Με τη σειρά τους αυτές οι διαφορές εξαρτώνται απ΄ το πραγματικό και φα-
νταστικό μέρος των δεικτών διαθλάσεως, δηλ. την διηλεκτρική συνάρτηση). Συνεπώς και
η ελλειψομετρία μπορεί και πράγματι εφαρμόζεται με επιτυχία στον χαρακτηρισμό των
υλικών.
Κλείνοντας αυτή τη σύντομη παρουσίαση των οπτικών μεθόδων χαρακτηρισμού θα
ήθελα να προσθέσω ότι η εφαρμογή των άνω τεχνικών δεν έχει πάντοτε το ίδιο βαθμό
ευκολίας. Υπάρχουν περιπτώσεις όπου είναι δυνατόν να εφαρμοστούν όλες οι ως άνω τε-
χνικές χωρίς κανένα πρόβλημα και περιπτώσεις όπου δεν μπορούν. Αυτό καθορίζεται εν
πολλοίς και από το δείγμα. Π.χ. αν το δείγμα είναι διαθέσιμο σε πολύ μικρές ποσότητες
(πλεονεκτεί Raman), από την κατάσταση του δείγματος (υγρό, στερεό ή αέριο), αν χρήζει
επί πλέον επεξεργασίας και αν το " σήμα" είναι εύκολο να ανιχνευτεί. Ένας άλλος παρά-
γοντας είναι κατά πόσο η ποσότητα είναι άμεσα μετρούμενη ή προκύπτει από προσαρμο-
γή των πειραματικών αποτελεσμάτων σε θεωρητικά πρότυπα. Ανεξάρτητα όμως από όλα

τα παραπάνω, ο σωστός και έγκυρος χαρακτηρισμός των υλικών (ιδίως αν εφαρμόζεται

στην έρευνα) απαιτεί την άριστη γνώση της αντιστοίχου περιοχής της φυσικής. Και αυτό
γιατί συχνά οι διαδικασίες προσαρμογής δεν παρέχουν μονοσήμαντες παραμέτρους (οι
συναρτήσεις δεν είναι μονοσήμαντα αντιστρέψιμες) με αποτέλεσμα να καλείται πολλές
φορές ο ερευνητής να αποφασίσει υπέρ της μιας ή της άλλης ομάδας τιμών παραμέτρων,
που συχνά είναι και αντιφατικές. Συνεπώς το άριστο υπόβαθρο γνώσεων φυσικής είναι
εκ των ων ουκ άνευ. Δεν είναι τυχαίο ότι μόνο όπου έχουμε καταλάβει την αιτία (= φυσι-
κή ) των φαινομένων, μπορέσαμε να τα βελτιώσουμε αισθητά (= ημιαγωγοί). Αντίθετα,
όπου έχουμε αισθητές αδυναμίες (= υπεραγωγοί) έχουμε παλινδρομήσεις.
Έχοντας πάντα υπόψη μας ότι μια ιδιότητα (π.χ. κρυσταλλικότητα) θα μπορούσε να
προσδιοριστεί, ίσως και ακριβέστερα ή ευκολότερα, με μια άλλη μη οπτική τεχνική (
σκέδαση ακτίνων Χ), θα μπορούσε να κατατάξει κανείς, με γνώμονα τα παραπάνω και τη
διεθνή πρακτική, τις διάφορες τεχνικές οπτικού χαρακτηρισμού ως εξής:
Πίνακας 2 Ιδιότητες ενός ημιαγωγού οι οποίες θα μπορούσαν να προσδιοριστούν με τη βοήθεια
οπτικών μεθόδων.
Ιδιότητα Οπτική μέθοδος

Φωτοφωταύγεια Raman IR Ελλειψομετρία
Ηλεκτρονική Δομή
Χάσμα • • •
Ενεργός μάζα •
Μετατόπιση ταινιών
(band offset) • •
Ελεύθεροι Φορείς
Συγκέντρωση • •
Ευκινησία • •
Χρόνος σκέδασης • •
Αντίσταση • •
Πλέγμα
Σύσταση • • • •
Προσανατολισμός •
Κρυσταλλικότητα • • •
Τάση • • •
Προσμίξεις και
Σφάλματα
Ύπαρξη και είδος • • •
Συγκέντρωση • • •
Μικροδομές
Πάχος υμενίου • •

Επιφάνεια • • •
Διεπιφάνεια • • •
Άλλα
Απεικόνιση ομοιογέ-
νειας • • • •

Βιβλιογραφία
1. Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman and Photoluminescence

Spectroscopy.
S. Perkowitz
Academic Press, 1993
2. Raman scattering in Materials Science

W.H. Weber and R. Merlin
Springer Series in Material Science, Vol. 42 CH. 1,2,7
3. Optical Characterization of Solids

D. Dragoman, M. Dragoman
Springer Verlag, 2002
4. Optical Properties of Nanostructured Materials

V. M. Shalaev
Springer Verlag, Topics in Applied Physics, Vol. 82, 2001
5. Fundamental of Semiconductors. Physics and Material Properties

P. Y. Yu and M. Cardona
Springer Verlag, 1999
6. Optical Processes in Solids

Y. Toyozawa
Cambridge University Press, 2003
Ευρετήριο Όρων
Διηλεκτρική συνάρτηση ................................... 13

Δίπλωση φάσματος ........................................... 47
A
Anti-Stokes ................................................. 38, 39 Ε
Εκπομπή............................................................ 31
O Ελεύθεροι φορείς ................................................ 6
Ohm .................................................................. 12 Ελλειψομετρία .................................................. 56
Έμμεσο χάσμα .................................................. 29
Ενδοταινιακά πινακοστοιχεία ........................... 43
R Ενδοταινιακές μεταπτώσεις ................................ 6
Resonant Raman Scattering .............................. 44 Ενεργός διατομή σκεδάσεως............................. 41
Ενεργός μάζα .............................................. 15, 26
Εξισώσεις Maxwell ............................................ 7
S Εξισώσεις υλικού. ............................................... 7
Επαγόμενη διπολική ροπή ................................ 27
Stokes ............................................................... 38
Επανασύζευξη ζευγών ηλεκτρονίου–οπής ....... 32
Επιτρεπτή μετάπτωση ....................................... 27
Α
Αγωγιμότητα ..................................................... 12 Ζ
Αδιαβατική προσέγγιση .................................... 43
Ζώνη Brillouin .................................................. 44
Αλληλεπίδραση πλασμονίων – φωνονίων ........ 55
Άμεσο χάσμα .................................................... 28
Ανάκλαση από εμπρόσθια και οπίσθια επιφάνεια Η
του υλικού .................................................... 19
Ανάκλαση μόνο από την εμπρόσθια επιφάνεια Ηλεκτρική επιδεκτικότητα ................................ 11
του υλικού .................................................... 19 Ηλεκτρομαγνητικά κύματα σε Ημιαγωγούς ..... 11
Απαγορευμένη μετάπτωση ............................... 27 Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό .................. 6
Απευθείας διαταινιακή επανασύζευξη .............. 32 Ηλεκτρονική δομή του γερμανίου .................... 26
Ηλεκτρονική επιδεκτικότητα ............................ 39
Ημι μέταλλα ...................................................... 24
Β Ημιαγωγοί ......................................................... 23
Βαθμίδα Coulomb............................................. 13
Βαθμός σκέδασης ............................................. 41 Ι
Ιδιοσυχνότητες .................................................. 15
Δ Ισοφασικές .......................................................... 9
Ισοφασικές επιφάνειες. ....................................... 9
Δέσμια φορτία .................................................. 11
Διάγραμμα Feynman......................................... 43
Διαμήκεις συχνότητες ....................................... 17 Κ
Διάμηκες φωνόνιο ............................................ 45
Διαμήκη κύματα ............................................... 12 καμπύλες διασποράς για το GaAs ..................... 46
Διαμήκης όρος .................................................. 13 Κανόνες επιλογής ............................................. 27
Διάνυσμα Poynting ........................................... 11 Κβαντικά υμένια ............................................... 35
Διάταξη Raman Φωτοφωταύγειας .................... 47 Κβαντικές τελείες ............................................ 35
Διηλεκτρική συνάρτηση ................................... 12 Κρυσταλλικό πλέγμα .......................................... 6
Κυματάνυσμα ................................................... 28
62 Ευρετήριο Όρων
Κυματοδιάνυσμα ................................................ 9 Σκέδαση Raman σε κρυσταλλικούς ημιαγωγούς

Κυματοδιανύσματα ........................................... 38 ..................................................................... 44
Σκέδαση Stokes ................................................ 39
Συντελεστής απορροφήσεως ................. 15, 30, 31
Μ Συντελεστής απορρόφησης ............................... 56
Μαγνόνια .......................................................... 38 Συντελεστής απορρόφησης. .............................. 28
Μακροσκοπικά πρότυπα Raman....................... 44 Συντονισμένη σκέδαση Raman ......................... 44
Μακροσκοπική περιγραφή σκεδάσεως Raman . 40 Συχνότητα πλάσματος....................................... 15
Μη ελαστική σκέδαση ...................................... 38 Σχέσεις Fresnel ................................................. 19
Μήκος διεισδύσεως .......................................... 17 Σχέσεις διασποράς των δονητικών τρόπων του
Μηχανισμούς απόσβεσης .................................. 16 GaAs ............................................................ 46
Μιγαδικός δείκτης διαθλάσεως......................... 14 Σχέση διασποράς............................................... 10
Μικροσκοπική θεώρηση σκεδάσεως Raman .... 43
Τ
Ξ Τανυστής Raman ........................................ 42, 47
Ξενιστής............................................................ 34 Ταχύτητα ομάδος .............................................. 45
Τεχνητές δομές ................................................. 35
Ο
Φ
Οδεύον κύμα ....................................................... 8
Οπισθοσκέδαση ................................................ 39 Φάσμα Raman ενός α-Si ................................... 46
Οπτικά ισότροπο ................................................. 8 Φάσμα φωτοφωταύγειας Zn0.96Mn0.04Se ........... 50
Φάσματα Raman BN......................................... 51
Φάσματα Raman διαφόρων ημιαγωγών ............ 50
Π Φάσματα απορροφήσεως BN ........................... 54
Πειραματική διάταξη Raman ............................ 48 Φασματοσκοπία Raman .............................. 14, 38
Πλασμόνια ........................................................ 38 Φασματοσκοπία υπερύθρου .............................. 14
Πολικοί ημιαγωγοί ............................................ 45 Φράγματα.......................................................... 35
Πόλωση ............................................................ 11 Φυσικές συχνότητες συντονισμού .................... 15
Πρότυπο εξαναγκασμένου ταλαντωτού ............ 16 φωνόνια............................................................. 38
Πρώτυπα Raman πρώτης αρχής ........................ 44 Φωνόνια ........................................................ 6, 28
Πρώτυπο Loudon .............................................. 43 Φωνόνιο ............................................................ 39
Πυκνότητα καταστάσεων και οι καμπύλες Φωτοφωταύγεια GaAs ...................................... 33
διασποράς Si ................................................ 45 Φωτοφωταύγεια υπερδομής .............................. 33
Ρ Χ
Ρεύμα ελευθέρων φορτίων ................................ 12 Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία
Raman .......................................................... 49
Χαρακτηρισμός υλικών με φασματοσκοπία
Σ Υπερύθρου ................................................... 53
Σκεδαζόμενο φωνόνιο....................................... 39
Σκέδαση Raman .......................................... 38, 43 Ψ
Σκέδαση Raman δευτέρας τάξης ...................... 40
Ψευδό-ορμή ...................................................... 46

Ευρετήριο Εικόνων και σχημάτων
Σχ. 1-1 Επίπεδα κύματα σταθερού πλάτους που διαδίδονται κατά μήκος του
άξονα Ζ. Το πλάτος το κύματος είναι σταθερό πάνω στα επίπεδα που
είναι ταυτόχρονα και οι ισοφασικές επιφάνειες. Η τελευταία ιδιότητα δεν
απαντάται κατά κανόνα σε άλλες μορφές κυμάτων, π.χ. σφαιρικά,
κυλινδρικά κλπ. ................................................................................................... 9
Σχ. 1-2 Γραφική παράσταση του πραγματικού και φανταστικού μέρους
διηλεκτρικής συνάρτησης, του δείκτη διαθλάσεως ως επίσης και του
συντελεστού απορροφήσεως και της ανακλαστικότητος για κάθετη
πρόσπτωση (βλέπε σχέση (1.4.1)) για την απλούστερη περίπτωση που ο
δέσμιοι φορείς παρουσιάζουν μία μόνο ιδιοσυχνότητα. Αριστερά
απεικονίζεται η περίπτωση των "δέσμιων φορέων" και δεξιά των
"ελευθέρων". Επίσης φαίνεται ο ρόλος των διαφόρων μεγεθών και οι
αριθμητικές τιμές των επί μέρους παραμέτρων που υπεισέρχονται στους
υπολογισμούς..................................................................................................... 16
Σχ.1-3 Η γραφική εξάρτηση των οπτικών "σταθερών" στη περίπτωση
συνύπαρξης και των δύο ειδών φορέων. ( Ουσιαστικά πρόκειται για τη
γραφική παράσταση της (1.3.20)). Οι παράμετροι που χρησιμοποιήθηκαν
είναι: .................................................................................................................. 17
Σχ. 1-4 Υμένιο πάχους d μεταξύ των υλικών 1 και 3. Κάθε υλικό περιγράφεται
από τον δικό του δείκτη διαθλάσεως n ~ = n + ik. Το πάχος κάθε ακτίνας
υποδηλώνει (κατά προσέγγιση) την ένταση της δέσμης. .................................. 18
Σχ. 1-5 Σχηματική παράσταση της ανακλώμενης και διαδιδόμενης δέσμης που
διαπερνά ένα υλικό με δείκτη διαθλάσεως n = 1.5 ( R = 4 %) και d =
2000 Å και περιβάλλεται από αέρα. Το δεξιό σχήμα αντιστοιχεί σε υλικό
με διπλάσιο πάχος. Παρατηρείστε ότι το ελάχιστο της διαπερατότητας
δεν είναι μηδέν, ούτε το μέγιστο της ανακλαστικότητας είναι μονάδα (
Γιατί ; Πώς θα μπορούσαμε να αυξήσουμε (μειώσουμε) το μέγιστο
(ελάχιστο) της ανακλαστικότητας (διαπερατότητας). Παρατηρείστε ότι οι
ακραίες τιμές των δεν επηρεάζονται από το πάχος (Γιατί ;) ............................. 20
Σχ.1-6 Εξάρτηση της διαπερατότητος ( Τ ) για τη περίπτωση λεπτού υμενίου για
δύο διαφορετικά πάχη (2 μm πάνω και 0,2 μm κάτω). Ουσιαστικά οι
καμπύλες αποτελούν τις γραφικές παραστάσεις των σχέσεων (1.4.4) και
(1.4.5). Οι παράμετροι είναι αυτές του Σχ.1-3. και ο υπολογισμός έγινε
με τη βοήθεια της Mathematica. ........................................................................ 21
Σχ. 2-1 Σχηματική παράσταση της σχετικής θέσης των ταινιών σθένους και
αγωγιμότητας για τις τρεις βασικές κατηγορίες κρυσταλλικών στερεών.......... 24
64 Ευρετήριο Εικόνων και σχημάτων
Σχ. 2-2 Σχηματική παράσταση των ενεργειακών ταινιών των βασικών

ημιαγωγών σε ορισμένες κύριες κατευθύνσεις. Παρατηρείστε τη
διαφοροποίηση των χασμάτων κατά μήκος επιμέρους κατευθύνσεων
συμμετρίας. ........................................................................................................ 25
Σχ. 2-3 Θεωρητική ηλεκτρονική δομή του γερμανίου. Η ταινία σθένους
αποτελείται από τέσσερις υποταινίες. Τα επιμέρους χαρακτηριστικά της
ταινίας σθένους οφείλονται κυρίως στην αλληλεπίδραση τροχιακών και
spin [ Κατά C.Y. Fong]. .................................................................................... 26
Σχ. 2-4 Κανόνες επιλογής. Απαγορευμένη και επιτρεπτή μετάπτωση ........................ 27
Σχ. 2-5 Σχηματική παράσταση μιας αμέσου μεταπτώσεως (αριστερά) και του
αντιστοίχου συντελεστού απορροφήσεως για το InSb. Παρατηρείστε την
εξαιρετικά απότομη αύξηση του α(ω) για ενέργειες περί τα 0,2 eV, ως
επίσης και τις πολύ μεγάλες τιμές του (~ 10 4 cm-1). ......................................... 28
Σχ.2-6 Γραφική παράσταση του (α(ω))1/2 συναρτήσει της ενέργειας  του
προσπίπτοντος φωτονίου για τον GaAs για θερμοκρασία δωματίου.
Παρατηρείστε ότι προκύπτει ευθεία. Ανάλογη γραφική παράσταση
προκύπτει και για το Σχ. 2-5 περί τα 0,2 eV. ................................................... 29
Σχ. 2-7 Σχηματική παράσταση της διαδικασίας μιας εμμέσου διαταινιακής
μετάπτωσης. Παρατηρείστε την απαραίτητη συμμετοχή του φωνονίου το
οποίο προσφέρει και την απαιτούμενη ορμή. Αντίθετα όσον αφορά την
ενέργεια του, μπορεί είτε να την "προσφέρει" ( καταστρέφεται ένα
φωνόνιο) είτε να " κερδίζει" (= δημιουργείται ένα φωνόνιο) ........................... 29
Σχ. 2-8 α: Συντελεστής απορροφήσεως α(ω) για το Ge για θερμοκρασία υγρού
αζώτου και θερμοκρασία περιβάλλοντος. ......................................................... 30
Σχ. 2-9 Ορθός θεωρητικός υπολογισμός των ηλεκτρονικών ταινών του Ge.
Παρατηρείστε τις αποκλίσεις με την δομή του Σχ. 2-3) και τη συμφωνία
της με το πείραμα. ............................................................................................. 30
Σχ. 2-10 Συντελεστές απορροφήσεως για διάφορους ημιαγωγούς τεχνολογικού
ενδιαφέροντος. Παρατηρείστε ότι όσο αυξάνεται η ενέργεια του
προσπίπτοντος φωτονίου τόσο αυξάνεται και η τιμή του α(ω). Επίσης
παρατηρείστε ότι με την ανάπτυξη μεικτών κρυτάλλων είναι δυνατόν να
"τροποποιηθεί"το χάσμα, ώστε να ανταποκρίνεται στις απαιτήσεις μας. ......... 31
Σχ. 2-11 Σχηματική παράσταση των διεργασιών δημιουργίας και επανασύζευξης
ζευγών ηλεκτρονίου–οπής. Παρατηρείστε τη δυνατότητα πολλαπλών
επιλογών επανασύζευξης, ως επίσης και τη παρουσία μη ακτινοβόλων
μεταπτώσεων. .................................................................................................... 32
Σχ. 2-12 Αριστερά: Φωτοφωταύγεια GaAs στους 100 Κ. Δεξιά: PL της
υπερδομής InP(3ml)/InGaP/GaAs στους 9 Κ (δεξιά). Παρατηρείστε την
ύπαρξη δύο κορυφών στην υπερδομή. Η μία οφείλεται στο λεπτό στρώμα
InP (τρεις κυψελίδες !) και η άλλη στον μεικτό κρύσταλλο InGaP (S.
Ves et al, PRB 52, 12212, (1995) . .................................................................... 33
Σχ. 2-13 Ενεργειακές θέσεις των ιόντων Cu και Ag στον κρύσταλλο του ZnS.
Παρατηρείστε ότι η φωταύγειά τους αντιστοιχεί σε διαφορετικά
χρώματα. ............................................................................................................ 34
Σχ. 2-14 Διακεκομμένη γραμμή. ...................................................................................... 34

Ευρετήριο Εικόνων και σχημάτων 65
Σχ. 2-15 Δεξιά: Επίδραση της μορφολογίας (= συμμετρίας) ενός κρυσταλλικού

υλικού στις ηλεκτρονικές του στάθμες (μόνον ο πυθμένας της ταινίας
αγωγιμότητος, η κορυφή της ταινίας σθένους και οι περιορισμένες
στάθμες απεικονίζονται) Κάτω αριστερά: Σχηματική μορφή της
εκπεμπόμενης φωταύγειας. Η περίπτωση των κβαντικών νημάτων
(Quantum wires) είναι μεταξύ των κβαντικών υμενίων (quantum films)
και κβαντικών τελειών. ( quantum dots). ......................................................... 35
Σχ. 2-16 Φάσματα φωτοφωταύγειας ................................................................................ 36
Σχ. 3-1 Σχηματική παράσταση του φαινομένου της σκεδάσεως ................................... 38
Σχ. 3-2 (Αριστερά) Συνεισφορές διαφόρων διαδικασιών στη σκέδαση Raman.
Προσέξτε τη σειρά με την οποία λαμβάνουν χώρα ως επίσης και τις
εμπλεκόμενες διεργασίες. Απ΄ αυτές η α) είναι η ισχυρότερη καθόσον οι
άλλες δύο περιλαμβάνουν ενδοταινιακά πινακοστοιχεία της ορμής p (
intraband matrix elements) ................................................................................ 43
Σχ. 3-3 Θεωρητικές καμπύλες διασποράς και πυκνότητος καταστάσεων για το Si
υπολογισμένα με το πρότυπο Bond Charge Model (BCM) Weber et al
(Phys. Rev.B15, 1977) ....................................................................................... 45
Σχ. 3-4 Σχέσεις διασποράς των δονητικών τρόπων του GaAs. Παρατηρείστε
ότι, σε αντίθεση με το Si, στο κέντρο της ζώνης του Brillouin
εμφανίζονται δύο διακριτοί τρόποι.................................................................... 46
Σχ. 3-5 Φάσμα Raman ενός α-Si .................................................................................. 46
Σχ. 3-6 Τυπική πειραματική διάταξη Raman / φωτοφωταύγειας με σύστημα
απαρίθμηση φωτονίων. Για τη φασματοσκοπία Raman απαιτείται
τουλάχιστον διπλός μονοχρωμάτορας, ενώ για τη φασματοσκοπία
φωταύγειας αρκεί και ένας μονός, εκτός βέβαια αν απαιτείται υψηλή
διακριτική ικανότητα. ........................................................................................ 48
Σχ. 3-7 Φάσματα Raman για διάφορους βαθμούς κρυσταλλικότητας του Si.
Παρατηρείστε ότι από τη μορφή του φάσματος μπορούμε να βγάλουμε
αμέσως συμπεράσματα για το βαθμό κρυσταλλικότητας του πυριτίου. ........... 49
Σχ. 3-8 Αριστερά ............................................................................................................ 50
Σχ. 3-9 Φάσματα Raman BN για διάφορες φάσεις (κυβική ή εξαγωνική) κατά τη
διαδικασία θέρμανσης (25 0
C /min) και ψύξεως. Η εξαγωνική
χαρακτηρίζεται από την εμφάνιση μόνο μιας κορυφής Raman στα 1367
cm-1, ενώ η κυβική από δύο στα 1052 (ΤΟ) και 1304 (LO). Παρατηρείστε
ότι για θερμοκρασίες πάνω από 500 0C επικρατεί η εξαγωνική φάση ως
επίσης και η μετάπτωση από τη μία φάση στην άλλη είναι αντιστρεπτή. ......... 51
Σχ. 3-10 Χαρακτηρισμός διαφόρων τύπων υμενίων άνθρακος ...................................... 52
Σχ. 3-11 Προσδιορισμός της θερμοκρασίας του C60 με τη βοήθεια του λόγου των
εντάσεων των κορυφών Anti - Stokes προς Stokes. (K.P Meletova E.
Liarokapis J. Arvanitidis, K. Papagelis D. Palles G. A. Kourouklis and
SVes. Chemical Physics Letters Volume 290, Pages 125-130, 1998.)............. 52
Σχ. 3-12 Συνολική διαγραμματική παράσταση της αλληλεπίδρασης της " οπτικής"
ακτινοβολίας με την ύλη. Παρατηρείστε ότι αν και το φαινόμενο Raman
όσο και η απορρόφηση υπερύθρου μελετούν τις ίδιες στάθμες
(ταλαντώσεων) βασίζονται σε διαφορετικούς μηχανισμούς. ............................ 54

66 Ευρετήριο Εικόνων και σχημάτων
Σχ. 3-13 Φάσματα IR διαπερατότητας σκόνης που περιέχει κυβικό και εξαγωνικό
BN που αναπτύχθηκε με βάση την αντίδραση BBr3+Li3N = BN+3LiBr
σε διάφορες θερμοκρασίες................................................................................. 54
Σχ. 3-14 Αριστερά: Φάσματα ανακλαστικότητος υπερύθρου του ημιαγωγού
Al0.14Ga0.86As για τέσσερες διαφορετικές συγκεντρώσεις φορέων Α =3,2
1016 , Β =1,8 1018, C =2.8 1018, D = 4.8 1018 φορείς / cm3. ............................. 55
Σχ. 3-15 Μορφή και επιμέρους συνεισφορές στη φασματική εξάρτηση του
συντελεστή απορρόφησης. ................................................................................ 56

Οπτικός Χαρακτηρισμός - 1644304617

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Οπτικός Χαρακτηρισμός - 1644304617

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Σωτήριος Βες

Οπτικός Χαρακτηρισμός Υλικών

200 250 300 350 400 450 500 550

3000 Data: SIREF2.PRN_B

200 250 300 350 400 450 500 550

Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2021

Οι παρούσες σημειώσεις καλύπτουν το τμήμα που αφορά τον Οπτικό Χαρακτηρισμό

Θεσσαλονίκη, Δεκέμβριος 2021

1.2 Βασικές Έννοιες- Ηλεκτρομαγνητικά κύματα στο κενό.

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

νότος ότι θεωρούμε κυρίως μη μαγνητικά υλικά, συνεπώς οι οιασδήποτε αλληλεπιδρά-

E = E0e−i(t −qr ) (1.2.6)

όπου ο εκθετικός παράγοντας εξασφαλίζει την περιοδικό χαρακτήρα. Η παραπάνω λύση

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

E(z, t) = E0e−i(t −qz) (1.2.8)

Αν αντικαταστήσουμε τη σχέση (1.2.8) στην (1.2.7) βρίσκουμε

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

1.3 Ηλεκτρομαγνητικά κύματα σε Ημιαγωγούς.

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

D=0 E+P=0 (1+())E=lat ()0 E (1.3.3)

q2 E − q( q  E) = l at 002 E + i0()  E = 2()00 E (1.3.6)

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

E=Et tˆ+Eqqˆ tˆ qˆ=0 (1.3.8)

όπου ^t και q^ είναι τα αντίστοιχα μοναδιαία διανύσματα. Βέβαια η παραπάνω ανάλυση

 Δεν έχουμε ΗΜ - κύματα

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

οπότε η εξίσωση (1.3.12) με τη βοήθεια της (1.3.14) παίρνει την μορφή

E = E0e−kq 0 ze−i(t −nq 0 z) (1.3.15)

όπου με qo = ω/c συμβολίζεται το μέτρο του κυματοδιανύσματος στο κενό. Η σχέση

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

 2p,b = (0 − )02 j

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

Absorption Coefficient (cm -1)

5,0x105 0,1 5 0,2

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

Σχ.1-3 Η γραφική εξάρτηση των

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

Από την έκφραση (1.3.19) προκύπτει ότι

1.4 Ανακλαστικότητα, διαπερατότητα και απορρόφηση

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

1.4.1 Ανάκλαση μόνο από την εμπρόσθια επιφάνεια του υλικού

1− R()2 + 4R()sin 2 ()

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

Διαπερατότητα d = 2000 A Διαπερατότητα d = 4000 A

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

το πάχος γιατί αν είναι μεγάλο "καταστρέφει" τη ενισχυτική συμβολή των κροσσών, με

[(1− R)2 + 4Rsin2 ]e−d R[(1− e−d )2 + 4e−d sin2 ]

(1 − R)2 e− d R(1 − e− d )2

Σχ.1-6 Εξάρτηση της διαπερατότη-

λεπτού υμενίου για δύο δια-

ται σημαντικά. Γενικά η επί-

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

Μονωτής Ημιαγωγός Μέταλλο

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

αγωγιμότητας ονομάζεται θεμελιώδες. Τέλος, παρατηρείστε ότι οι επιμέρους υποταινίες

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

ΠΜΣ- Φυσικής Υλικών Οπτικός χαρακτηρισμός Σωτήριος Βες

μfi =  *f μˆEi d (2.1.1)

Σχ. 2-4 Κανόνες επιλογής. Απαγορευμένη και επι-

Σωτήριος Βες Οπτικός χαρακτηρισμός ΠΜΣ-Φυσικής Υλικών

Αντίθετα για τη περίπτωση που συμμετέχουν και φωνόνια (έμμεση μετάπτωση) η