Ebook Circuits Alta Frequencia

Creative Commons License Deed
Reconeixement-No comercial-Sense obres derivades 2.5 Espanya
Vostè és lliure de:
Copiar, distribuir i comunicar públicament l’obra.
Sota els següents condicionants:
Reconeixement.
S’ha de referenciar aquesta obra a Miquel Ribó i F. Javier Pajares - Enginyeria
La Salle (Estudis Semipresencials).
No comercial.
No es pot utilitzar aquesta obra per a finalitats comercials.
Sense obres derivades.

No es pot alterar, transformar o generar una obra derivada a partir d’aquesta.
• Quan reutilitzeu o distribuïu l'obra, heu de deixar ben clar els termes de la
llicència de l'obra.
• Alguna d'aquestes condicions pot no aplicar-se si obteniu el permís del titular

dels drets d'autor.
• No hi ha res en aquesta llicència que menyscabi o restringeixi els drets morals

de l'autor.
Els drets derivats d'usos legítims o altres limitacions reconegudes per llei no
queden afectats per l'anterior
Això és un resum fàcilment llegible del text legal (la llicència completa) disponible en els idiomes
següents:
Català Castellà Basc Gallec
CRÈDITS
Autors: Miquel Ribó i F. Javier Pajares
Editor: Lluís Vicent
Coordinació lingüística: Sara Laso
Revisió lingüística: Cristóbal Cabeza
Revisió científica: Miquel Ribó i F. Javier Pajares
Maquetació: Sara Laso
Disseny de portada: Marc Segarra
Aquesta edició ha comptat amb el suport de l’Agència de Gestió

d’Ajuts Universitaris i de Recerca (AGAUR) de la Generalitat de
Catalunya en la Convocatòria d’ajuts a l’edició i la difusió de llibres
de text o manuals universitaris i llibres cientificotècnics, en suport
paper o en suport electrònic, escrits en llengua catalana (DILL 2008).
ISBN: 978-84-935665-3-1
ÍNDEX
SESSIÓ 1 ..................................................................................................................... 5
1. La línia de transmissió. Comportament general ...................................................... 5
1.1. Model i equacions ....................................................................................................... 6
1.2. Comportament en règim permanent sinusoïdal ........................................................ 10
1.3. Impedància, coeficient de reflexió i relació d’ona estacionària .................................. 12
1.3.1. Impedància en una línia de transmissió .................................................................................. 12
1.3.2. Coeficient de reflexió en una línia de transmissió ................................................................... 13
1.3.3. Relació d’ona estacionària en una línia de transmissió ........................................................... 17
SESSIÓ 2 ................................................................................................................... 19
1.4. Potència propagada en una línia de transmissió ........................................................ 19
1.5. Càlcul dels valors de les ones de tensió en una línia de transmissió ........................... 20
1.6. Línies de transmissió amb pèrdues ............................................................................ 22
1.6.1. Línies de transmissió amb pèrdues. Caracterització ................................................................................ 23
1.6.2. Línies amb pèrdues baixes ....................................................................................................... 25
1.6.3. Potència transmesa i pèrdues en una L.T. no ideal ........................................................................... 26
1.7. Dispersió en una línia de transmissió ........................................................................ 27
1.8. Línies de transmissió físiques .................................................................................... 35
1.8.1. Línies de transmissió pròpiament dites (propaguen modes TEM) .......................................... 35
1.8.2. Guies d’ones amb comportament molt similar a línies de transmissió (propaguen modes
Quasi‐TEM) ........................................................................................................................................ 38
SESSIÓ 3 ................................................................................................................... 41
2. Anàlisi de circuits de microones ............................................................................ 41
2.1. Xarxes de microones. Definició ................................................................................. 41
2.2. Xarxes d’un port. Coeficient de reflexió generalitzat (Γ) ............................................ 42
2.2.1. Introducció ............................................................................................................................... 42
2.2.2. Ones normalitzades de tensió i coeficient de reflexió generalitzat ......................................... 45
2.2.3. Potència ................................................................................................................................... 51
SESSIÓ 4 ................................................................................................................... 53
2.3. Paràmetres S d’una xarxa d’n ports ........................................................................... 53
2.4. Càlcul dels paràmetres S ........................................................................................... 60
2.4.1. Càlcul de paràmetres S a partir de tensions i de corrents ....................................................... 60
2.4.2. Càlcul de paràmetres S per descomposició en mode parell/mode senar ............................... 63
SESSIÓ 5 ................................................................................................................... 65
2.5. Problemes del Capítol 2 (i) ........................................................................................ 65
SESSIÓ 6 ................................................................................................................... 69
2.6. Xarxes de dos ports ................................................................................................... 69
2.6.1. Coeficient de reflexió d’entrada i de sortida en una xarxa de dos ports ................................. 69
2.6.2. Coeficient de reflexió de sortida .............................................................................................. 71
1
2.6.3. Paràmetres S per a una xarxa passiva i sense pèrdues ................................................................................ 71
2.6.4. Altres maneres de caracteritzar xarxes de dos ports ............................................................................... 73
2.7. Relació entre paràmetres Z, Y, S, ABCD i T ................................................................. 75
2.7.1. Relació entre matrius de paràmetres Z, Y, S per a una xarxa d’N ports .................................. 76
2.7.2. Relació entre paràmetres S, T, i ABCD per a una xarxa de dos ports ...................................... 76
2.8. Paràmetres S en absència de sentit físic .................................................................... 77
SESSIÓ 7 ................................................................................................................... 81
SESSIÓ 7 ................................................................................................................... 81
2.9. Problemes del Capítol 2 (ii) ....................................................................................... 81
SESSIÓ 8 ................................................................................................................... 83
2.10. Problemes del Capítol 2 (iii) ..................................................................................... 83
SESSIÓ 9 ................................................................................................................... 87
3. Circuits passius de microones ................................................................................ 87
3.1. Transformadors λ4 .................................................................................................... 87
3.1.1. Transformadors λ/4. Anàlisi .................................................................................................... 87
3.1.2. Ample de banda d’un transformador λ/4................................................................................ 88
3.2. Tapers ....................................................................................................................... 90
3.2.1. Tapers. Anàlisi descriptiva ....................................................................................................... 90
3.2.2. Resposta freqüencial d’un taper .............................................................................................. 92
3.3. Divisors de potència .................................................................................................. 92
3.3.1. Divisors de potència. Introducció ............................................................................................ 92
3.3.2. Divisors de potència resistius .................................................................................................. 94
3.3.3. Divisors de Wilkinson ............................................................................................................... 96
SESSIÓ 10 ............................................................................................................... 101
3.4. Anells híbrids i acobladors direccionals ................................................................... 101
3.4.1. Característiques generals d’anells híbrids i acobladors direccionals ..................................... 101
3.4.2. Anells híbrids de 180º ............................................................................................................ 102
3.4.2. Anells híbrids de 90º .............................................................................................................. 105
3.4.3. Acobladors direccionals ......................................................................................................... 109
SESSIÓ 11 ............................................................................................................... 115
3.5. Problemes del Capítol 3 (i) ...................................................................................... 115
SESSIÓ 12 ............................................................................................................... 117
3.6. Circuladors .............................................................................................................. 117
3.6.1. Circuladors. Descripció .......................................................................................................... 117
3.6.2. Simbologia i funcionament .................................................................................................... 117
3.6.3. Factors de mèrit en circuladors ............................................................................................. 119
3.7. Filtres ...................................................................................................................... 119
3.7.1. Filtres passabaix ..................................................................................................................... 119
3.7.2. Filtres passabanda i de banda eliminada ............................................................................... 124
SESSIÓ 13 ............................................................................................................... 127
3.8. Problemes del Capítol 3 (ii) ..................................................................................... 127
2
SESSIÓ 14 ............................................................................................................... 135
3.9. Díodes PIN .............................................................................................................. 135
3.9.1. Díodes PIN. Descripció ........................................................................................................... 135
3.9.2. Funcionament a baixa freqüència ......................................................................................... 136
3.9.3. Funcionament a RF (amb una baixa freqüència superposada) .............................................. 136
3.9.4. Polarització del díode ............................................................................................................ 137
SESSIÓ 15 ............................................................................................................... 143
3.8. Problemes del Capítol 3 (iii) .................................................................................... 143
SESSIÓ 16 ............................................................................................................... 147
4. Circuits passius en guies d’ones .......................................................................... 147
4.1. Guies d’ona cilíndriques .......................................................................................... 147
4.1.1. Guies d’ona rectangulars ....................................................................................................... 150
4.1.2. Guies d’ones circulars ............................................................................................................ 160
4.1.3. Guies d’ones corrugades ....................................................................................................... 161
SESSIÓ 17 ............................................................................................................... 163
4.2. Modelatge amb línies de transmissió ...................................................................... 163
4.3. Elements circuitals en guia d’ones ........................................................................... 166
SESSIÓ 18 ............................................................................................................... 173
4.4. Circuits passius en guia d’ones ................................................................................ 173
4.4.1. Transicions guia‐coaxial ......................................................................................................... 173
4.4.2. Càrregues adaptades ............................................................................................................. 174
4.4.3. Filtres ..................................................................................................................................... 174
4.4.4. T de pla E (combinador‐divisor de potència) ......................................................................... 175
4.4.5. T de pla H (combinador‐divisor de potència) ........................................................................ 175
4.4.6. T màgiques (híbrids de 180º) ................................................................................................. 176
4.4.7. Acobladors direccionals ......................................................................................................... 177
4.4.8. Aïlladors ................................................................................................................................. 178
SESSIÓ 19 ............................................................................................................... 181
5. Amplificadors de microones ................................................................................ 181
5.1. Introducció ............................................................................................................. 181
5.2. Transistors de microones ........................................................................................ 183
5.2.1. Transistors bipolars ................................................................................................................ 183
5.2.2. Transistors FET ....................................................................................................................... 184
5.2.3. Polarització d’un transistor .................................................................................................... 188
Fig. 204. Circuit de polarització d’un transistor bipolar.SESSIÓ 20 ........................... 189
SESSIÓ 20 ............................................................................................................... 191
5.3. Estabilitat d’un quadripol ........................................................................................ 191
5.3.1. Condicions generals d’estabilitat ........................................................................................... 191
5.3.2. Cercles d’estabilitat ............................................................................................................... 194
5.3.3. Estabilitat incondicional ......................................................................................................... 201
5.3.4. Estabilització de transistors ................................................................................................... 204
SESSIÓ 21 ............................................................................................................... 205
3
5.4. Guany en quadripols ............................................................................................... 205
5.4.1. Definicions de guany .............................................................................................................. 205
5.4.2. Relació entre guany en un transistor i en un amplificador .................................................... 212
SESSIÓ 22 ............................................................................................................... 215
5.4.3. Cercles de guany constant per adaptació a l’entrada/sortida ............................................... 215
5.4.4. Cercles de guany (de potència) G P constant ...................................................................... 217
5.4.5. Cercles de guany disponible ( G A ) constant ........................................................................ 221
SESSIÓ 23 ............................................................................................................... 227
5.5. Problemes del Capítol 5 (i) ...................................................................................... 227
SESSIÓ 24 ............................................................................................................... 229
5.6. Soroll en transistors de microones .......................................................................... 229
5.6.1. Tipus de sorolls ...................................................................................................................... 229
5.6.2. Factor de soroll ...................................................................................................................... 230
5.6.3. Cercles de soroll constant ...................................................................................................... 231
5.6.4. Factor de soroll de l’amplificador total .................................................................................. 234
SESSIÓ 25 ............................................................................................................... 237
5.7. Problemes del Capítol 5 (ii) ..................................................................................... 237
SESSIÓ 26 ............................................................................................................... 243
5.8. Problemes del Capítol 5 (iii) .................................................................................... 243
BIBLIOGRAFIA BÀSICA ............................................................................................ 247
BIBLIOGRAFIA COMPLIMENTÀRIA .......................................................................... 249
GLOSSARI ............................................................................................................... 251
4
SESSIÓ 1
Nom: Introducció a les línies de transmissió (i)
Tipus: teòrica
Format: no presencial
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Treball a lliurar: no
Material:
• Bibliografia complementària:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió repassarem de manera breu part de la teoria bàsica de línies de
transmissió, ja adquirida en altres assignatures de la titulació, a fi que puguem
continuar l’estudi de la matèria de l’assignatura amb els conceptes bàsics frescos.
CONTINGUTS
En aquesta sessió repassarem els conceptes bàsics de propagació d’ones de tensió i
corrent en una línia de transmissió, tant des del punt de vista temporal com fasorial.
Definirem també els conceptes de coeficient de reflexió, impedància i relació d’ona
estacionària.
1. La línia de transmissió. Comportament

general
Definició i comportament temporal

En aquest apartat revisarem els conceptes bàsics de propagació d’ones per línies de
transmissió des del punt de vista temporal i circuital. En particular veurem les
equacions del telegrafista i com a partir d’elles es modela la propagació d’ones de
tensió i de corrent en una línia de transmissió.
Definició
Una línia de transmissió (L.T.) està formada per dos conductors de secció arbitrària
immersos en un medi dielèctric homogeni (on hi ha camp), amb una secció recta
constant en una direcció de l'espai (z) i que propaga una ona TEM.
5
εR
constant
μc
z
L.T arbitrària
εR = 1
εR
L.T coaxial (secció) L.T Bifilar (secció)
Fig. 1. Diversos tipus de línia de transmissió.
A efectes d'estudi, totes les L.T. es comporten igual, i les simbolitzem tal i com es
mostra a la figura següent.
i(t,z)
i(t,z0)
v(t,z) es pot demostrar que a z = z0
i(t,z0)
i(t,z)
z
Fig. 2. Simbologia utilitzada per a una línia de transmissió.
1.1. Model i equacions

Un diferencial de L.T. podem modelar-lo tal com es mostra a la figura següent:
dz
∂i (t , z ) Ldz
i(t,z) i (t , z ) + dz
∂z
v(t,z) ∂v(t , z ) ><
v (t , z ) + dz Cdz
∂z
Fig. 3. Circuit equivalent per a una línia de transmissió de longitud dz.
6
Aplicant les lleis de la teoria de circuits (aquí sí que podem fer-ho perquè dz << λ )
arribem a les següents equacions:
∂v ∂i ⎫ ⎧∂ 2v ∂ 2v
= −L ⎪ ⎪⎪ 2 = LC
∂z ∂t ⎪ ∂z ∂t 2
⎬ ⎨ 2 Equacions dÁlembert
∂i ∂v ⎪ ∂ i = LC ∂ i
2
= −C ⎪
∂z ∂t ⎪⎭ ⎪⎩ ∂z 2 ∂t 2
Es pot demostrar que aquestes equacions permeten dues solucions, una anomenada
d’ona progressiva (superíndex +) i una anomenada d’ona regressiva (superíndex -):
v( z , t ) = v + (t − z c ) + v − (t + z c )⎫⎪ 1
⎬ c=
i ( z , t ) = i + (t − z c ) + i − (t + z c ) ⎪⎭ LC
on v+, v-, i+ i i- són en principi funcions arbitràries que quedaran fixades per les
condicions de contorn que presenti la línia, així com per altres restriccions que ja
analitzarem més endavant.
Interpretació
+ −
Suposem que v( z, t ) = v (t − z c ) , v (t + z
c ) = 0 . Suposem un voltímetre que es mogui
a velocitat ‘c’ al llarg de la línia (Fig. 4).
v(t,z)
z
v c
Fig. 4. Voltímetre movent-se a velocitat c per una línia de transmissió.
La tensió mesurada a cada indret serà:
v( z = z o + ct, t ) = v + (t − zo + ct c ) = v + (− zo c ) = constant
La tensió mesurada serà constant. Per tant, això només pot voler dir que la tensió v +
viatja a velocitat ‘c’ cap a z creixents ⇒ v + és una ona de tensió que es propaga cap a
z creixents a velocitat ‘c’. És per això que s’anomena ona progressiva de tensió.
−
Si v( z, t ) = v (t + z c ) , veurem que passa el mateix, però en sentit de propagació cap a
z decreixents. És per això que s’anomena ona regressiva de tensió.
7
Per tant, anomenem i simbolitzem:
+
v+ t − z ona progressiva de tensió (z creixents) v
c
z
+
i
i+ t − z ona progressiva de corrent (z creixents)
c
z
-
v− t + z ona regressiva de tensió (z decreixents) v
c
z
-
i
i− t + z ona regressiva de corrent (z decreixents)
c
z
Fig. 5. Sentits de definició d’ones de tensió i de corrent en una línia de transmissió.
Càlcul del corrent en funció de la tensió

∂i ∂v ∫ ∂v ⎫
= −C ⎯⎯→ i = −C ∫ dz + K ⎪⎪
∂z dt ∂t
⎬
∂v
+ −
v(t , z ) = v (t - c ) + v (t + c ) ⎯
z z ∂
⎯→ = v (t - c ) + v (t + c ) ⎪
+' z −' z
∂t ⎪⎭
Oblidant-nos de les constants:
' dv ± d (t m z c ) dv ±
v± = ⋅ =
d (t m z c ) dt d (t m z c )
⎧t − z = u → dz = −c ⋅ du ⎫
+' −' ⎪ c ⎪
i (t , z ) = −C ∫ v (t − c )dz − C ∫ v (t + c )dz = ⎨
z z
⎬=
⎪⎩t + z = ω → dz = c ⋅ dω ⎪
c ⎭
' '
[
= c ⋅ C ∫ v + (u )du −c ⋅ C ∫ v − (ω )dω = c ⋅ C v + (t − z c ) − v − (t + z c ) ]
Definim c ⋅ C = Yo , admitància característica de la línia:
C C
Yo = C ⋅ c = =
LC L
8
Definim Z o , impedància característica de la línia:
1 L
Zo = =
Yo C
Per tant:
v(t , z ) = v + (t − z c ) + v − (t + z c )
⎧+ v + (t − z c )
⎪ i (t − z ) =
c
Zo
i (t , z ) = i + (t − z c ) + i − (t + z c ) =
1 +
Zo
( ) ⎪
v (t − z c ) − v − (t + z c ) ⎨ −
⎪i − (t + z ) = − v (t + z c )
⎪⎩ c
Zo
v − (t + z c )
El signe de i − = − és lògic, atès que hem definit i+ i i- cap a z creixents (Fig.
Zo
6), però atès que i- avança cap a z decreixents, sembla que és en aquest sentit que
hauríem d’haver definit el corrent i-.
+ -
i i i
-
Z0 Sentit de propagació del corrent i
Fig. 6. Definició de corrents en una línia de transmissió.
A partir de L,C (paràmetres primaris de la línia) hem obtingut:
L ⎫
Z = → Impedància característica ⎪
o C ⎪
⎬Paràmetres secundaris de la línia.
1
c= → Velocitat de propagació ⎪
LC ⎪⎭
Cal recordar que:

v+ v − v( t , z )
Zo = = − ≠
i+ i− i( t , z )
Comportament temporal
Començant pel modelatge circuital d’un tram diferencial de línia de transmissió,
deduirem les equacions del telegrafista, les de D’Alembert i a partir d’elles establirem
la necessitat de la propagació d’ones en una línia de transmissió, la relació entre ones
9
de tensió i de corrent i la relació entre elles definint el concepte d’impedància
característica.
1.2. Comportament en règim permanent

sinusoïdal
En aquest apartat estudiarem com les expressions genèriques de propagació d’ones
temporals per una línia de transmissió es transformen en les seves equivalents
fasorials, vàlides en règim permanent sinusoïdal.
Comportament en règim permanent sinusoïdal

Un sistema lineal està en règim permanent sinusoïdal (RPS) quan:
1. Totes les excitacions del sistema són sinusoïdals i a la mateixa freqüència
ω
f = .
2π
2. Els transitoris que s’hagin generat, s’han esvaït ja a t → −∞ .
ω
3. Totes les respostes del sistema són sinusoïdals a f = .
2π
Si ens preguntem si són possibles senyals sinusoïdals iniciats a t → −∞ (en RPS)

com a solucions de les equacions d’ona que defineixen una L.T:
jω (t − z ) ⎤
v + (t , z ) = Re ⎡V + ⋅ e
⎢⎣
c
⎥⎦
(
= V + cos ω (t − z c ) + ∠(V )
+
)
jω (t + z ) ⎤
v − (t , z ) = Re ⎡V − ⋅ e
⎢⎣
c
⎥⎦
(
= V − cos ω (t + z c ) + ∠(V − ) )
jω (t − z ) ⎤
i + (t , z ) = Re ⎡ I + ⋅ e
⎢⎣
c
⎥⎦
(
= I + cos ω (t − z c ) + ∠( I )
+
)
jω (t + z ) ⎤
i − (t , z ) = Re ⎡ I − ⋅ e
⎢⎣
c
⎥⎦
(
= I − cos ω (t + z c ) + ∠( I − ) )
∂ 2v ∂ 2i
Substituint v + (t , z ) + v − (t , z ) a l’equació
= LC , veurem que són solució (es
∂z 2 ∂t 2
veu directament a través de les dependències (t m z c ) ).
10
ω
Definint β = , i recordant que si x (t ) = Acos (ωt + φ ) és un senyal en RPS,
c
[ ] [
X = Ae jφ és el seu fasor i que x(t ) = Re Xe jωt = Re Ae jφ e jωt , podem definir els ]
següents fasors:
− jβ z ⎛ jωt ⎤ ⎞
V + ( z) = V + e fasor associat a v + (t , z ) ⎜ v + (t , z ) = Re ⎡V + ( z )e
⎝ ⎢
⎣ ⎥⎦ ⎟⎠
jβ z ⎛ jωt ⎤ ⎞
V − ( z) = V − e fasor associat a v − (t , z ) ⎜ v − (t , z ) = Re ⎡V − ( z )e
⎝ ⎢
⎣ ⎥⎦ ⎟⎠
− jβ z ⎛ jωt ⎤ ⎞
I + ( z) = I + e fasor associat a i + (t , z ) ⎜ i + (t , z ) = Re ⎡ I + ( z )e
⎝ ⎢
⎣ ⎥⎦ ⎟⎠
jβ z ⎛ jωt ⎤ ⎞
I − ( z) = I −e fasor associat a i − (t , z ) ⎜ i − (t , z ) = Re ⎡ I − ( z )e
⎝ ⎢
⎣ ⎥⎦ ⎟⎠
V ( z) fasor associat a v(t , z )
I ( z) fasor associat a i (t , z )
A partir de les relacions que han de complir v + , v − , i + , i − , v i i , podem veure fàcilment

que es compleixen les següents relacions:
V ( z ) = V + ( z ) + V − ( z ) = V + e − jβz + V − e jβz
V + ( z ) V + e − jβ z V + V − ( z) V − e jβ z V−
Z0 = + = = + Z0 = − − = − − jβ z = − −
I ( z ) I + e − jβ z I I ( z) I e I
V + ( z ) V − ( z ) V + e − jβ z V − e jβ z
I ( z ) = I + ( z ) + I − ( z ) = I + e − jβz + I − e jβz = − = −
Z0 Z0 Z0 Z0
Definim la longitud d’ona com:
2π 2π c
λ= = ⋅c =
β ω f
Es comprova que λ és la periodicitat espacial de v + , v − , i + , i − :

v + (t , z ) = V + cos(ωt o + ∠(V ) − ωc z ) ⇒ “Fotografia” de la tensió en l'instant to en tots
−
els punts (z) de la L.T. ⇒ Valors sinusoïdals que es repeteixen cada λ (que és la
longitud d'ona).
ω ω 2π ω 2π
cos( − ωc z + k ) = cos( − ωc ( z + λ ) + k ) ⇔ λ = 2π ⇔ = ⇔ = =β.
c c λ c λ
11
1.3. Impedància, coeficient de reflexió i relació
d’ona estacionària
En aquest apartat definirem les eines bàsiques per a caracteritzar els fenòmens
elèctrics en una línia de transmissió: el concepte d’impedància, de coeficient de
reflexió i de relació d’ona estacionària.
1.3.1. Impedància en una línia de transmissió

Es defineix com la relació entre tensió i corrent en un punt d’una L.T. mirant en sentit
de definició del corrent en el terminal situat per definició amb més tensió.
I(z)
V ( z) V + ⋅ e − jβz + V − ⋅ e jβz
V(z) Z (z) = = Z 0 + − jβz
I (z) V ⋅e − V − ⋅ e jβz
z
Z(z)
Fig. 7. Impedància en una línia de transmissió.
S’ha d’anar alerta amb el sentit de la definició del corrent i de la tensió. La definició
anterior és vàlida si mirem la impedància en el sentit del corrent en el terminal a més
tensió.
Relació entre la impedància entre dos punts

Z(z1) Z(z2)
Z(z 2 ) + jZ 0 tg(βl)
Z(z1 ) = Z 0
l Z 0 + jZ(z 2 ) tg(βl)
z1 z2
z
z1<z2
Fig. 8. Relació entre impedàncies a dos punts diferents d’una línia de transmissió.
12
Impedància d’entrada d’una L.T.
Z(z1)≡ZIN Z(z2)≡ZL
IL=I(z2)
Z0, β ZL VL=V(z2)
Z L + jZ 0 tg (βl)
Z(z1 ) = Z IN = Z 0
Z 0 + jZ L tg (βl)
z1 z2
z
Impedància d’entrada d’una L.T
seminfinita ZIN=Z0 (No hi ha ona reflectida)
Fig. 9. Impedància d’entrada d’una línia de transmissió.
1.3.2. Coeficient de reflexió en una línia de

transmissió
Es defineix com el quocient entre el fasor de l’ona de tensió que viatja en sentit contrari
al que mirem i el que viatja en el sentit que mirem.
I(z)
Fasor d ' ona de tensió que viatja
V+(z) Δ en sentit contrari al que mirem
V − (z) V − e jβz
V(z)
V-(z) ρ ( z) = = + =
Fasor d ' ona de tensió que viatja V (z) V + e − jβz
en el mateix sentit que mirem
ρ(z) z
Fig. 10. Definició del coeficient de reflexió en una línia de transmissió.
Relació entre Z(z) i ρ(z)

I(z)
+
V (z)
V(z) -
V (z)
Z(z) z
ρ(z)
Fig. 11. Impedància i coeficient de reflexió en un punt d’una línia de transmissió.
13
V − ⋅ e jβ z
1+
V + ⋅ e − jβ z + V − ⋅ e jβ z V + ⋅ e − jβz = Z 1 + ρ ( z )
Z ( z) = Z 0 = Z0
V + ⋅ e − jβ z − V − ⋅ e jβ z V − ⋅ e jβz 1 − ρ ( z)
0
1 − + − jβ z
V ⋅e
Per tant:
Z ( z) − Z 0
ρ ( z) =
Z ( z) + Z 0
Els valors importants de ρ en funció de Z seran:
Z = 0 ⇔ ρ = −1 ⇒ V − = V +
Z → ∞ ⇔ ρ =1⇒ V − = V +
Z = Z 0 ⇔ ρ = 0 ⇔ V − ( z) = 0
Si Z 0 ∈ ℜ, ρ ∈ ℜ :
Z = jX ⇔ ρ = 1 ⇒ V − = V +
1
Z 1 = − Z 2 ⇔ ρ1 =
ρ2
Re[Z ] > 0 ⇔ ρ < 1
Relació entre el coeficient de reflexió entre dos punts

ρ(z1) ρ(z2)
V − ⋅ e jβz1 V − ⋅ e jβz 2 ⋅ e − jβd

ρ( z 1 ) = + − jβz1
= + − jβ z 2 jβ d
= ρ(z 2 ) ⋅ e − j2βd
d V ⋅e V ⋅e ⋅e
z1 z2
z
z1=z2- d
Fig. 12. Relació entre coeficient de reflexió a dos punts diferents d’una línia de
transmissió.
Veiem que ρ és una magnitud molt més adient per a operar o per a caracteritzar una
L.T. perquè que té un comportament molt més senzill que Z(z): el seu mòdul és
constant i la seva fase varia linealment amb la freqüència.
14
Coeficient de reflexió d'una càrrega terminal
I(z) IL
+
V (z)
V (z)
- V(z) VL ZL
z
z1
Fig. 13. Tensions i corrents per al càlcul del coeficient de reflexió de càrrega.
V ( z)
Atès que = Z ( z1 ) ≡ Z L per força, això també ens forçarà una relació entre
I ( z) z = z1
V − (z) (ona reflectida) i V + (z) (ona incident):

ZL − Z0
ρ L = ρ ( z1 ) =
Z L + Z0
Una càrrega terminal força una ona regressiva de valor V − ( z1 ) = ρ LV + ( z1 ) .
Coeficient de reflexió d’entrada en una L.T.

ρIN
I(z)
+
V (z)
- V(z) ZL, ρL
V (z)
+
z1 = 0 zL = l z
Fig. 14. Línia de transició carregada per al càlcul del coeficient de reflexió d’entrada.
Z (l ) − Z 0 Z L − Z 0
ρ IN = ρ (0 + ) ρ (l ) = = = ρL
Z (l ) + Z 0 Z L + Z 0
Definint ρIN a 0+ ens assegurem que el definim en un punt on té sentit, en un punt on hi

ha ones V + (z) i V − (z) (no sabem què pot haver-hi a 0-).
ρ IN = ρ L ⋅ e − j 2 βl
15
Canvi de medi
Suposem que al punt z1 s’uneixen dues línies de transmissió d’impedàncies
característiques diferents, Z 01 i Z 02 .
Z(z1 ),ρ(z1 )
- -
Z(z1 ),ρ(z1 )
+ +
- +
I(z1 ) I(z1 )
Z01, β1 Z02, β2
- - + - - + - + + +
V (z1 ) V (z1 ) V(z1 ) V(z ) V (z ) V (z1 )
1 1
z1
z
Fig. 15. Interfície entre dues línies de transmissió diferents.
És evident que a z = z1 es compleix V z1 ( ) = V (z ) i I (z ) = I (z ). Per tant, es

−
1
+
1
−
1
+
compleix també:
Z (z ) =
− ( ) = V (z ) = Z (z )
V z1
−
1
+
+
I (z ) I (z )
1 − + 1
1 1
Per tant, tensions, corrents i impedàncies no noten el canvi d’impedància característica

(es conserven en un canvi d’impedància característica o de medi), de tal manera que
podem escriure en general:
( ) = Z (z ) = Z (z )
Z z1
−
1
+
1
V (z ) = V (z ) = V ( z )
− +
1 1 1
I (z ) = I (z ) = I ( z )
− +
1 1 1
D’altra banda, sabem que donada la impedància d’una línia de transmissió podem
trobar-ne el coeficient de reflexió aplicant la transformació:
Z ( z) − Z 0
ρ ( z) =
Z ( z) + Z 0
Per tant:
Z ( z1 ) − Z 01 ⎫
−
ρ ( z1 − ) = − ⎪
Z ( z1 ) + Z 01 ⎪ − +
+ ⎬ ⇒ ρ ( z1 ) ≠ ρ ( z1 )
Z ( z1 ) − Z 02 ⎪
ρ ( z1 + ) =
Z ( z1 ) + Z 02 ⎪⎭
+
16
I com que:
V − ( z1 ) ⎫
−
ρ ( z1 − ) = − ⎪
V + ( z1 ) ⎪
+ ⎪
V − ( z1 ) ⎪ ⎧⎪V ( z1 ) ≠ V ( z1 )
− − − +
+
ρ ( z1 ) = + + ⎬ ⇒ ⎨ + −
V ( z1 ) ⎪ ⎪⎩V ( z1 ) ≠ V + ( z1 + )
ρ ( z1 − ) ≠ ρ ( z1 + ) ⎪⎪
⎪⎭
Aleshores, ones de tensió i coeficients de reflexió no es conserven (canvien) en un

canvi d’impedància característica o de medi.
1.3.3. Relació d’ona estacionària en una línia de

transmissió
Aquest concepte, tot i tenir poca utilitat analítica, és molt utilitzat a la pràctica. Cal
conèixer-lo.
V ( z ) = V + ⋅ e − jβ z + V − ⋅ e jβ z ⎫
⎪
1 + − jβ z − jβz ⎬ Funcions periòdiques de període λ.
I ( z) = (V ⋅ e − V ⋅ e )⎪
Z0 ⎭
V ( z ) ⎫⎪ ⎧V(z + λ 2 ) = −V ( z )
⎬ Funcions periòdiques de període λ/2 perquè ⎨
I ( z ) ⎪⎭ ⎩I(z + λ 2 ) = − I ( z )
Si mirem com varia V (z ) o I (z ) en funció de la posició obtindrem gràfiques del tipus:
Z0 , β V(z)
ZL
0 z
|V(z)|,|I(z)|
VMAX
IMAX
VMIN
IMIN
z2 z1 0 z
Fig. 16. Variació dels fasors de tensió i corrent en una línia de transmissió.
17
A z = z2 :
V max
⇔ fase(V + ⋅ e − jβz ) = fase(V − ⋅ e jβz )
⇔V max
= V+ +V− ⇔ I min
= I V max
=
1
Z0
(V+ −V− )
Im
+
V (z) V(z)
βz βz -
V (z)
0 Re
Fig. 17. Comportament vectorial dels fasors d’ona progressiva i regressiva en funció de
la posició z.
A un màxim de tensió correspon un mínim de corrent. A z = z1 :
V min
⇔ fase(V + ⋅ e − jβz ) = fase(V − ⋅ e jβz ) ± π
⇔V min
= V+ −V− ⇔ I max
= I V min
=
1
Z0
(V+ +V− )
Definim la relació d’ona estacionària (ROE, VSWR o S) com:
V−
1+
V V V+ +V− V+ 1+ ρ
S = max ≥ 1 S = max = + = =
Vmin Vmin V − V − V −
1− ρ
1−
V+
És fàcil veure que:
Z (z2 ) = Z 0 ⋅ S → z2
1
Z ( z1 ) = Z 0 ⋅ → z1
S
18
SESSIÓ 2
Nom: Introducció a les línies de transmissió (ii)
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
o Bibliografia complementària:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió mirarem de completar el repàs de conceptes bàsics sobre línies de
transmissió, parlant de temes com potència i línies de transmissió amb pèrdues.
CONTINGUTS
En aquesta sessió repassarem altres conceptes bàsics del comportament de les línies
de transmissió, com són ara la potència, el càlcul dels valors de les ones, les línies de
transmissió amb pèrdues i la dispersió. Finalment donarem un cop d’ull a alguns tipus
de línies de transmissió utilitzats per a construir circuits de microones.
1.4. Potència propagada en una línia de

transmissió
En aquest apartat veurem com es defineix i calcula, i què significa, el concepte de
potència en una línia de transmissió.
Potència propagada en una línia de transmissió

Cal definir el concepte de potència associada a ones de tensió i de corrent per a poder
avaluar els processos de propagació i trasbals energètic que es realitzen en una línia
de transmissió.
I(z)
V(z)
z
ρ
Fig. 18. Definicions de tensions i corrents per al càlcul de la potència.
19
Per ser V ( z ) i I ( z ) fasors, la potència mitjana “consumida” al punt z ha de ser:
P(z) =
1
2
[
Re V ( z ) ⋅ I( z ) * ]
Ara bé, a partir del model equivalent L-C per a un tram diferencial de línia de
transmissió de longitud dz, veiem que una L.T. ideal no té pèrdues ⇒ NO pot consumir
potència ⇒ l’ha de propagar en el sentit de les z creixents.
P=
1
2
[ ] 1 ⎡
(
Re V ( z ) ⋅ I * ( z ) = Re ⎢ V + ⋅ e − jβz + V − ⋅ e jβz ⋅
2 ⎣
) (
1 + * jβ z
Z0
*
) ⎤
V ⋅ e + V − ⋅ e − jβ z ⎥ =
⎦
1 ⎛ +2
− V − ⎞⎟
2
= ⎜V
2Z 0 ⎝ ⎠
1 2
P+ = V + → Potència associada a l’ona progressiva, que es propaga cap a z
2Z 0
creixents.
1 2
P− = V − → Potència associada a l’ona regressiva, que es propaga cap a z
2Z 0
decreixents.
P = P + − P − → Potència neta propagada cap a z creixents.
V + ⎛⎜ V − ⎞
2
P( z ) = 1−
2Z 0 ⎜⎜ V + 2
⎟
⎟ = P ⋅ 1− ρ
⎟
+
( 2
)
⎝ ⎠
(
P( z) = P + ⋅ 1 − ρ
2
)
1.5. Càlcul dels valors de les ones de tensió en

una línia de transmissió
En aquest apartat estudiarem com les ones de tensió en una línia de transmissió
connectada a un generador i a una càrrega queden determinades a partir de les seves
característiques i les de generador i càrrega.
Càlcul dels valors de les ones de tensió en una línia de transmissió

Les ones de tensió en una línia de transmissió connectada a un generador i a una
càrrega queden determinades a partir de les seves característiques i les de generador
i càrrega. Aquesta anàlisi que fem és del tot genèrica atès que el generador pot ser
20
l’equivalent de Thevenin de qualsevol circuit capaç de subministrar senyal, i la càrrega
el de qualsevol circuit capaç de captar aquest senyal.
Som davant una situació:

Poden ser equivalents de Thevenin
de circuits anteriors i posteriors.
Zg I I(z)
Vg V Z0, β V(z) ZL
z
0 l
ρ1=ρ(0)
Fig. 19. Línia de transmissió connectada a un generador i càrrega arbitraris.
V g , V , I són fasors
V ( z ) = V + ⋅ e − jβz + V − ⋅ e jβz
V + − jβ z V − jβ z
I ( z) = ⋅e − ⋅e
Z0 Z0
A z = 0:
V (0) = V = V + + V − ⎫ ⎧ + 1
⎪ ⎪⎪V = 2 (V + I ⋅ Z 0 )
V +
V ⎬⇔⎨
−
I (0) = I = − ⎪V − = 1 (V − I ⋅ Z )
Z 0 Z 0 ⎪⎭ ⎪⎩ 0
2
Aplicant les condicions de contorn que ens fixa el generador:
Zg Z0 Z − Z0
Vg = I ⋅ Z g + V = (V + − V − ) + (V + + V − ) ⇔ V + = Vg +V − g
Z0 Z0 + Z g Zg + Z0
Zg
On :
Z0
Vs = Vg → Tensió que el generador entregaria a una càrrega Z 0 . Vs Z0
Z0 + Z g
Z g − Z0 V-.ρg
ρg = → Coeficient de reflexió del generador. Zg
Z g + Z0 V-(z)
V − (0) V −
D’altra banda, a z = 0, ρ i = ρ (0) = ρ L ⋅ e − j 2 βl = =
V + (0) V +
21
Per tant:
VS VS ⋅ ρ i
V+ = V− =
1 − ρ g ⋅ ρi 1 − ρ g ⋅ ρi
V + = VS + ρ g ⋅ V − ⎫⎪ − j 2 βl
⎬ ⇔ ρi = ρ L ⋅ e
V = ρi ⋅V
− +
⎪⎭ Z0 Z x − Z0
VS = V g ρx = , x = L, g
Z g + Z0 Z x + Z0
Casos especials:
Z0
1. Si Z g = Z 0 , ρ g = 0 → V + = VS = V g . En aquest cas, V + (z ) és
Z0 + Z g
independent de la càrrega. Controlem perfectament l’ona que injectem a la
càrrega perquè no en depèn.
2. Un generador amb Z g = Z 0 s’anomena canònic. (Això és el que fan en general
la majoria de generadors de RF, solen tenir una Z g = 50Ω que coincideix amb
Z 0 = 50Ω .
Z0
3. Si Z L = Z 0 , ρ L = 0 → ρ IN = 0, V + = VS = V g , V− =0.
Z0 + Z g
4. Si Z g = Z IN
*
( ρ g = ρ IN
*
) → Màxima transferència de potència entre el
generador i el conjunt format per la L.T. i la càrrega. Com que la L.T. no té
pèrdues, per força la màxima transferència de potència és entre generador i
càrrega.
5.
VS VS
V+ = =
1 − ρ g ⋅ ρ IN 1− ρ
2
V S ⋅ ρ IN
V− = 2
1− ρ
Per tant, absència de reflexió i màxima transferència de potència no estaran

relacionades en general.
1.6. Línies de transmissió amb pèrdues

En aquest apartat estudiarem com es modifica el comportament en règim permanent
sinusoïdal d’una línia de transmissió quan aquesta no és ideal i té pèrdues.
22
1.6.1. Línies de transmissió amb pèrdues. Caracterització
Començarem veient com es modifiquen els paràmetres elèctrics d’una línia de
transmissió quan considerem que té pèrdues, i veurem com això afecta la seva
caracterització en règim permanent i sinusoïdal. També veurem com el comportament
genèric de línies de transmissió amb pèrdues se simplifica per al cas realista que les
pèrdues siguin baixes.
Una línia de transmissió real estarà formada per conductors amb una determinada
resistivitat immersos en un medi dielèctric amb una determinada conductivitat. Un
model més acurat d’un diferencial de longitud de la mateixa serà:
dz
Rdz Ldz
>< Cdz Gdz
z z+dz z z+dz
Fig. 20. Model circuital per a un diferencial de línia de transmissió amb pèrdues.
on R és la resistència per unitat de longitud del conductor i G és la conductivitat per

unitat de longitud del dielèctric.
Per a analitzar-la recorrerem al model genèric d’un sistema que propagui ones (en
RPS):
Zdz ∂i (t , z )
i(t,z) i (t , z ) + dz
∂z
v(t,z) ∂v (t , z )
Ydz v (t , z ) + dz Implícitament estem suposant RPS
∂z
z z+dz
Fig. 21. Model genèric per a un diferencial d’estructura que propagui ones.
Els fasors V ( z ) i I ( z ) que compleixen amb aquest sistema són:
V ( z ) = V + ⋅ e −γz + V − ⋅ e γz ⎡1⎤
γ = Z ⋅ Y ⎢ ⎥ = α + jβ , α ≥0
⎣m⎦
I ( z) =
1
Z0
(
V + ⋅ e − γz − V − ⋅ e γz )
Z
Z0 = [Ω] = R0 + jX 0
Z = R + jω L Y
Y = G + jω C
On α és el coeficient d’atenuació i β és el coeficient de propagació.
23
Tornant a calcular tots els paràmetres de les línies:
Coeficient de reflexió
ρ(z1) ρ(z2)
⎧ V − 2αz
⎪ ρ = ⋅ e ≠ ctant
V − ⋅ e γz ⎪ V+
ρ (z) = ⎨
V + ⋅ e −γz ⎪ϕ ρ = ϕ V − + 2 βz
l ⎪⎩ V+
z1 z2
ρ ( z1 ) = ρ ( z2 ) ⋅ e −2γl
z
z1=z2-l
Fig. 22. Coeficient de reflexió en una línia de transmissió amb pèrdues.
Impedància
Z(z1) Z(z2)
V ( z) 1 + ρ (z)
Z ( z) = = Z0
I ( z) 1 − ρ ( z)
l Z ( z1 ) + Z 0 ⋅ th(γl )
Z ( z1 ) = Z 0
z1 z2 Z 0 + Z ( z1 ) ⋅ th(γl )
z
z1<z2
Fig. 23. Impedància en una línia de transmissió amb pèrdues.
Significat d’ α
|V| |V|
+ -
V (z) V (z)
z z
Fig. 24. Comportament dels fasors de tensió en una línia de transmissió amb pèrdues.
Veiem que, a mesura que l’ona avança, perd energia (en disminueix el mòdul,
l’amplitud).
24
Per tant, α està relacionada amb les pèrdues de la línia:
P( z ) =
1
2
[ ]
Re V ( z ) ⋅ I * ( z ) ≠
1 ⎛ +
⎜V
2Z 0 ⎝
2
− V − ⎞⎟
2
1.6.2. Línies amb pèrdues baixes

En una L.T. amb pèrdues:
⎧ Z
Z = R + jω L ⎫ ⎪ Z 0 =
⎬ ⎨ Y
Y = G + jω C ⎭ ⎪
⎩γ = Z ⋅ Y
El problema és que Z 0 ∈ C , i les expressions surten complicades. Per a la major part

de les línies de transmissió utilitzades en circuits de microones es complirà
l’aproximació de pèrdues baixes:
⎧R
R << ωL ⎫ ⎪⎪ωL << 1
⎬ →⎨
G << ωC⎭ ⎪ G << 1
⎪⎩ωC
Llavors:
R
1− j
R + jωL j ωL ωL ≅ ⎯(⎯
1+ x ) K ≅1+ Kx L ⎛ 1 R ⎞ ⎛ G ⎞
Z0 = = ⋅ ⎯⎯ ⎯→ ≅ ⋅ ⎜1 − j ⎟ ⋅ ⎜1 + j ⎟≅
G + j ωC j ωC G C ⎝ 2 ωL ⎠ ⎝ ωC ⎠
1− j
ωC
L ⎛ 1⎛ G R ⎞⎞ L
≅ ⋅ ⎜⎜1 + j ⎜ − ⎟⎟ ≅ ∈ℜ
C ⎝ 2 ⎝ ωC ωL ⎠ ⎟⎠ C
Aquesta expressió coincideix amb la d’una L.T. sense pèrdues.

⎛ R ⎞ ⎛ G ⎞
γ = (R + j ω L ) ⋅ (G + j ω C ) = ( j ω )2 LC ⋅ ⎜1 − j ⎟ ⋅ ⎜1 − j ⎟ =
⎝ ωL ⎠ ⎝ ωC ⎠
⎛ R G ⎞ R G ⎛ 1⎛ R G ⎞⎞
= ± j ω LC ⋅ 1 − j ⎜ + ⎟− ⋅ ≅ ± j ω LC ⋅ ⎜⎜ 1 − j ⎜ + ⎟ ⎟⎟ =
⎝ ωL ωC ⎠ 1ω42
L ω4
3C ⎝ 2 ⎝ ωL ωC ⎠⎠
despreciab le
⎧ R ⎫
⎪ R=
1⎛ L ⎞ Z 0 ⎪⎪ 1
= ⎜⎜ R
C
+G ⎟ + j ω LC = ⎪⎨
C ⎟⎠
⎬= 1424
(
R + G + j ω LC
3
)
2⎝ L ⎪G = G ⎪ 1 242 4 3 β
⎪⎩ Y 0 ⎪⎭ α
R⎫
αc = ⎪
2⎪
⎬ → α = α c + α d = pèrdues al conductor + pèrdues al dielèctric
G⎪
αd = ⎪
2⎭
25
1.6.3. Potència transmesa i pèrdues en una L.T. no ideal
Seguidament estudiarem quina potència és transmesa a través d’una L.T. no ideal i
quina part és dissipada per la pròpia L.T.
I(z)
V(z) Z 0, γ
z
P(z) = Potència neta propagada cap a z creixents.
Fig. 25. Definicions de tensió i corrent per al càlcul de potència.
PT ( z ) =
1
2
[ ] 1 ⎡
( )1
( * *
Re V ( z ) ⋅ I * ( z ) = Re ⎢ V + ⋅ e −γz + V − ⋅ e γz ⋅ * V + ⋅ e −γz + V − ⋅ e γz ⎥ =
2 ⎣ Z0
*
)
* ⎤
⎦
1 ⎡
( ) 1
(* *
)⎤
= Re ⎢ V + ⋅ e ( −α − jβ ) z + V − ⋅ e (α + jβ ) z ⋅ * V + ⋅ e ( −α + jβ ) z + V − ⋅ e (α − jβ ) z ⎥ = L
2 ⎣ Z0 ⎦
Si la L.T. té pèrdues baixes, Z 0 ∈ ℜ ⇒ Z 0* = Z 0 :
⎡ ⎤
PT ( z ) =
1
2Z 0
⎢ + 2
Re V ⋅ e
⎢
− 2αz − 2
+ V ⋅e − 1 2αz + − * − j 2 βz
V4V 4e44 42 −4 ( + * − j 2 βz ⎥
V 4V4e44 3⎥
= )
⎣ Δ − Δ = 2 Im [Δ ]
*
⎦
1 ⎛ + 2 − 2αz
+ V − ⋅ e 2αz ⎞⎟
2
= ⎜V ⋅e
2Z 0 ⎝ ⎠
1 ⎛ + 2 − 2α z
+ V − ⋅ e 2αz ⎞⎟
2
PT ( z ) = ⎜V ⋅e
2Z 0 ⎝ ⎠
On:
2
P + ( z ) = V + ⋅ e −2αz
2
P − ( z ) = V − ⋅ e 2αz
Aquesta potència correspon a la potència neta “dissipada” en z. Ara correspondrà a la

potència dissipada realment (que serà petita) i a la potència neta transmesa cap a la z
creixents. Veiem que tant P + (z ) com P − (z ) decreixen en el sentit de propagació. Això
és coherent amb el fet que la línia de transmissió tingui pèrdues.
PT ( z ) =
1 ⎛ + 2 − 2αz
⎜V
2Z 0 ⎝
⋅e
⎠
2
( )
− V − ⋅ e 2αz ⎞⎟ = P + ( z ) 1 − ρ ( z ) = P + (0) ⋅ e − 2αz 1 − ρ ( z )
2 2
( )
26
La potència dissipada per un tram de línia la calcularem:
Fig. 26. Càlcul de la potència dissipada per una línia de transmissió.
1.7. Dispersió en una línia de transmissió

En aquest apartat analitzarem de forma rigorosa el concepte de dispersió, velocitat de
grup i velocitat de fase.
Dispersió en una línia de transmissió

Veurem com la dispersió és originada per un comportament no ideal d’una línia de
transmissió, i quin efecte té sobre la propagació d’ones. Analitzarem també els
conceptes importants de velocitat de fase i de velocitat de grup.
Plantejament del problema

Suposem la següent situació per a una línia de transmissió general:
v(0,t) Z0,γ v(l,t)

ZL=Z0
0 l z
Fig. 27. Línia de transmissió carregada amb Z0.
Volem calcular la relació (temporal) que tenim entre la tensió en els dos extrems de la
línia de transmissió, v(0, t ) i v(1, t ) per tal d’analitzar com ens afecta el paràmetre
γ (ω) de la línia a la propagació d’ones.
Expressions en RPS
Començarem, però, la nostra anàlisi en RPS (en règim fasorial).
27
ρ (l ) = ρ L = 0 ⇒ ρ ( z ) = 0 ∀z ⇒ V − ( z ) = 0
Per tant, només tenim ona progressiva i el fasor tensió valdrà:
V ( z ) = V + ( z ) = V + e −γz γ = Z(ω )Y(ω ) = α (ω ) + jβ (ω )
Analitzem aquesta situació perquè, en estalviar-nos l’ona reflectida, se’ns simplifica

l’anàlisi. Suposem, també per a simplificar, que α (ω ) = 0 en qualsevol cas ⇒
γ = jβ (ω ) .
Per tant :
V ( z ) = V + e − jβ ( ω ) z
V ( 0) = V +
V (l ) = V + e − jβ (ω ) l = V + e − jβ (ω ) l = V (0)e − jβ (ω )l
V (0) és el fasor de tensió d’entrada i V (l) el fasor de sortida del nostre sistema.
Per tant, la funció de transferència del nostre sistema serà:
V (l )
H (ω ) = = e − jβ (ω ) l
V (0)
Per continuar endavant, però, ens caldrà meditar sobre el sentit que té H (ω) .
Sentit d'H(ω)
Sigui un sistema lineal i invariant en el temps o sistema LTI (una línia de transmissió
ho és):
LTI
h(t)
x(t) y(t)
Fig. 28. Representació esquemàtica d’un sistema lineal i invariant en el temps (LTI).
+∞
y (t ) = h(t ) * x (t ) =
−∞
∫ h(τ ) x(t − τ )dτ
Si transformem aquesta expressió per Fourier:
Y (ω ) = F {y (t )} ⎫
⎪
H (ω ) = F {h(t )}⎬ ⇒ Y (ω ) = H (ω ) X (ω )
X (ω ) = F {x(t )}⎪⎭
Sabent això, tornem a la caracterització temporal del sistema LTI. Suposem un senyal
d’entrada de la forma:
28
x(t ) = X 0 e j (ωt +φ ) , X 0 real
A través de la fórmula de la convolució podem demostrar que:
y (t ) = H (ω ) X 0 e j (ωt +φ ) = H (ω ) X 0 e j (ωt +φ +∠H (ω )) = H (ω ) x(t )
Suposem ara que introduïm al sistema un senyal d’entrada:
e j (ωt +φ ) + e − j (ωt +φ )
x' (t ) = Re[x(t )] = X 0 cos(ωt + φ ) = X 0
2
Podem demostrar a partir de la linealitat que la sortida del sistema serà:
y ' (t ) = Re[ y (t )] = H (ω ) X 0 cos(ωt + φ + ∠H (ω )) = h(t ) * x' (t )
Per a arribar a aquest resultat cal tenir en compte que la transformada de Fourier d’un
senyal real és hermítica i que, atès que v(0, t ) i v(l, t ) són reals, per força h(t) ha de
ser real:
⎧ H (ω ) = H ( −ω )
h(t ) real ⇒ H (ω ) hermítica ⇒ H (ω ) = H * ( −ω ) ⇒ ⎨
⎩∠H (ω ) = −∠H ( −ω )
Si comparem aquests resultats amb les hipòtesis que es fan per deduir expressions
fasorials en RPS, veurem que són les mateixes:
1. Excitació sinusoïdal en una pulsació determinada ω.

2. Resposta sinusoïdal a la mateixa freqüència ω.
3. Inici de l’excitació en t→-∝ i, per tant, absència de transitoris.
Per tant, x ' ( t ) i y ' ( t ) són senyals en regim permanent (3) i sinusoïdal (1 i 2), i podem
caracteritzar-los a partir dels seus fasors:
x' (t ) ⇒ X ' = X 0 e jφ ⎫⎪ Y ' y (t ) x ( t ) = X 0e j (ωt +φ )

⎬ ⇒ H (ω ) = =
y ' (t ) ⇒ Y ' = H (ω ) X 0 e jφ ⎪⎭ X ' x(t ) x ( t ) = X e j ( ωt +φ )
0
Ara bé, H (ω) és la transformada de Fourier de la resposta impulsional del sistema, i

per tant, per a qualsevol parell de senyals x ( t ), y( t ) = h ( t ) * x ( t ) es complirà que:
Y (ω ) F {y (t )}
H (ω ) = =
X (ω ) F {x(t )}
Per tant, d’aquestes expressions deduïm que la relació entre un parell de fasors, el
d’entrada i el de sortida d’un sistema, és igual que la relació de transformades de
29
Fourier entre un parell de senyals x (t ) i y (t ) = h(t ) * x (t ) , amb x ( t ) arbitrari. Per tant,
treballant amb fasors, obtenim informació general sobre el comportament del sistema
davant altres tipus de senyals.
Considerem, per a β (ω ) , dos casos:
(a) Línia de transmissió ideal

ω − j ωc l
β (ω ) = (Línia de transmissió ideal) ⇒ H (ω ) = e
c
fase(H(ω))
Fig. 29. Variació de la fase d’H(ω) en una línia de transmissió ideal.
Si a l’entrada de la línia de transmissió injectem un senyal arbitrari v(0, t ) , a la sortida

n’obtindrem un, v(1, t ) , relacionat amb el d’entrada a través de la resposta impulsional
de la línia de transmissió:
V (0, ω ) = F {v(0, t )}⎫

⎪
v(l , t ) = h(t ) * v(0, t ) V (l , ω ) = F {v(l , t )} ⎬ ⇒ V (l , ω ) = H (ω )V (0, ω )
H (ω ) = F {h(t )} ⎪⎭
on H(ω) ja sabem que és també la que hem obtingut de l’anàlisi fasorial de la línia de
transmissió. Per tant:
− j ωc l
V (l , ω ) = e
V (0, ω )
l
Atès que la línia de transmissió és ideal t P = ⇒ temps de propagació del senyal a
c
través de la línia:
V (l , ω ) = e − jt PωV (0, ω )
Aplicant les propietats de la transformada de Fourier, podem recuperar el senyal

temporal:
V (l , ω ) = e − jt PωV (0, ω ) ⎫
⎪
m(t ) ←⎯→F
M (ω ) ⎫⎪⎬ ⇒ v(l , t ) = v(0, t − t p )
⎬
m(t − t p ) ←⎯→
F
e − jt Pω M (ω )⎪⎭⎪⎭
30
v(0,t) v(l,t)
t t
tp
Fig. 30. Formes d’ona d’entrada i de sortida per a la línia de transmissió ideal.
Cosa que ja podíem suposar que s’esdevindria en el cas d’una línia de transmissió
ideal: el senyal que tenim a la sortida és una còpia endarrerida del senyal que tenim a
l’entrada. La línia de transmissió ideal no distorsiona el senyal en transmetre’l, i el
transmet a una velocitat:
ω
c= .
β
(b) Línia de transmissió dispersiva
ω
β (ω ) ≠ (Línia de transmissió dispersiva) ⇒ H (ω ) = e − jβ (ω ) l :
c
fase(H(ω))
Fig. 31. Funció de transferència per a una línia de transmissió dispersiva.
Seguint els mateixos passos que en l’apartat anterior:
V (l , ω ) = e − jβ (ω ) lV (0, ω ) ⇒ v(l , t ) =
1
2π
{ }
v(0, t ) * F −1 e − jβ (ω ) l ≠ v(0, t − t p ) ∀t p
v(0,t) v(l,t)
t t
Fig. 32. Formes d’ona d’entrada i de sortida per a la línia de transmissió dispersiva.
31
Atès que la fase − β (ω )l no és lineal, en aquest cas no recuperem el senyal temporal
endarrerit, sinó una tensió diferent a la d’entrada. Com menys lineal sigui la fase, més
diferent serà la tensió de sortida respecte de la d’entrada. En aquest cas direm que la
línia de transmissió dispersa el senyal, ja que es pot demostrar que la durada
temporal de la tensió de sortida ha de ser major que la del senyal d’entrada:
v(0, t ) * F −1 {e − jβ (ω ) l }
1
v(l , t ) =
2π
⇓
Durada{v (l , t )} = Durada{v (0, t )} + Durada{F {e }}
−1 − jβ (ω ) l
Velocitat de grup a línies de transmissió dispersives

Encara que una línia de transmissió dispersiva deformi un senyal d’entrada arbitrari, el
seu comportament és molt millor quan a l’entrada posem un senyal molt concret, un
senyal de banda estreta. Un senyal de banda estreta és un senyal la transformada de
Fourier del qual només ocupa una franja estreta del marge freqüencial.
V(0,ω)
ω
−ω0 ω0
Fig. 33. Senyal d’entrada de banda estreta.
En general, un senyal de banda estreta podem escriure’l de la següent forma:
v(0, t ) = a(t ) cos(ω 0 t + θ (t ))
Si descomponem aquest senyal en dos senyals exponencials:
⎧ 1
v ( 0, t ) = a(t )e j (ω0t +θ (t ))
⎪⎪ 1
2
v(0, t ) = v1 (0, t ) + v 2 (0, t ) ⎨
⎪v (0, t ) = 1 a (t )e − j (ω0t +θ ( t ))
⎪⎩ 2 2
Analitzarem per separat com evoluciona cadascun d’aquests senyals en propagar-se

per la línia de transmissió. Finalment reconstruirem el senyal de sortida com a suma
de les sortides obtingudes per a v1 (0, t ) i v2 (0, t ) , aprofitant les propietats de linealitat
del sistema línia de transmissió.
32
(a) Comportament de v1 (0, t )
v1 (0, t ) correspon a la part positiva de l’espectre de v (0, t ) . Per tant, freqüencialment,
ocuparà una banda de freqüències estreta al voltant de ω0 . Si desenvolupem β(ω) en
sèrie de Taylor al voltant de ω0 i ens quedem amb el terme lineal aprofitant que si el
senyal és de banda estreta (ω − ω 0 → 0) :
dβ (ω 0 )
β (ω ) = β (ω 0 ) + (ω − ω 0 )
dω
Sota aquesta aproximació, la funció de transferència que veu el senyal d’entrada

v1 (0, t ) pren la forma:
⎛ dβ ( ω 0 ) ⎛ dβ (ω 0 ) ⎞
− j ⎜ β (ω 0 ) + (ω −ω0 ) ⎞⎟ l − j ⎜ β (ω 0 ) − ω0 ⎟ l −j
dβ (ω 0 )
lω
− jβ ( ω ) l dω dω
e =e ⎝ ⎠
=e ⎝ ⎠
e dω
Anomenant:
⎛
⎜ dβ (ω 0 ) ⎞⎟
α = −⎜⎜ β (ω 0 ) − ω 0 ⎟⎟l
⎝ dω ⎠
podem escriure:
dβ ( ω 0 )
−j lω
− jβ ( ω ) l jα
H (ω ) ω →ω = e =e e dω
0
i per tant, podem calcular la transformada de Fourier del senyal de sortida v1 (l, t )
com:
dβ (ω0 )
−j lω
V1 (l , ω ) = H (ω )V1 (0, ω ) = e jα e dω
V1 (0, ω )
Aplicant les propietats de la transformada de Fourier:
⎛ ⎛ d β ( ω 0 ) ⎞ ⎛ dβ ( ω 0 ) ⎞ ⎞
jα dβ (ω 0 ) 1 dβ (ω 0 ) j ⎜⎜ ω 0 ⎜ t −
dω
l ⎟ +θ ⎜ t −
dω
l ⎟ ⎟⎟
v1 (l , t ) = e v1 (0, t − l ) = e jα a (t − l )e ⎝ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎠
dω 2 dω
(b) Comportament de v2 (0, t )

v2 (0, t ) correspon a la part negativa de l’espectre de v (0, t ) . Per tant, freqüencialment,
ocuparà una banda de freqüències estreta al voltant de − ω0 . Si desenvolupem β(ω)
33
en sèrie de Taylor al voltant de − ω 0 i ens quedem amb el terme lineal aprofitant que si
el senyal és de banda estreta (ω + ω 0 → 0) :
dβ (−ω 0 )
β (ω ) = β (−ω 0 ) + (ω + ω 0 )
dω
Ara bé, atès que H (ω) és la transformada de Fourier d’ h(t ) , i h(t ) ha de ser real
perquè ens permet calcular la sortida real d’un sistema amb entrada real, aleshores:
h(t ) real ⇒ H (ω ) hermítica ⇒

⎧ H (ω ) = H (−ω )
⎪
⎪ ⎧β (ω ) = − β (−ω )
⇒ H (ω ) = H (−ω ) ⇒ ⎨
*
⎪
⎪∠H (ω ) = −∠H (−ω ) ⇒ ⎨ dβ (ω 0 ) dβ ( −ω 0 )
⎪⎩ ⎪ dω = dω
⎩
Tenint en compte l’anterior:
dβ ( ω 0 )
−j lω
H (ω ) ω → −ω = e − jβ (ω ) l = e − jα e dω
0
Per tant:
dβ (ω0 )
−j lω
− jα
V2 (l , ω ) = H (ω )V2 (0, ω ) = e e dω
V2 (0, ω )
⇓
⎛ ⎛ dβ (ω0 ) ⎞ ⎛ dβ (ω0 ) ⎞ ⎞
dβ (ω 0 ) 1 dβ (ω 0 ) − j ⎜⎜⎝ ω0 ⎜⎝ t − dω l ⎟⎠ +θ ⎜⎝ t − dω l ⎟⎠ ⎟⎟⎠
v 2 (l , t ) = e − jα v 2 (0, t − l ) = e − jα a(t − l )e
dω 2 dω
(c) Sortida total al sistema
v(l , t ) = v1 (l , t ) + v 2 (l , t ) =
dβ (ω 0 ) ⎛ ⎛ dβ (ω 0 ) ⎞ ⎛ dβ (ω 0 ) ⎞ ⎞
= a(t − l ) cos⎜⎜ ω 0 ⎜ t − l ⎟ + θ ⎜t − l ⎟ + α ⎟⎟
dω ⎝ ⎝ dω ⎠ ⎝ dω ⎠ ⎠
Per tant, veiem que si el senyal d’entrada és un senyal de banda estreta, el senyal de
sortida, exceptuant un terme de fase α, és idèntic al senyal d’entrada però endarrerit
un temps:
dβ (ω 0 )
tP = l.
dω
En aquest temps, t P , el senyal haurà recorregut un espai l entre l’entrada i la sortida.
34
Per tant, l’ona s’haurà desplaçat per l’interior de la línia de transmissió dispersiva a una
velocitat, anomenada velocitat de grup, v G , de valor:
1
vG =
dβ (ω 0 )
dω
En una línia de transmissió no dispersiva (ideal), ja sabem que la velocitat de

propagació del senyal en la línia és:
ω
c= = velocitat de fase
β
En una línia de transmissió dispersiva, però, la velocitat de fase no ens dóna cap mena
d’informació sobre la velocitat de propagació d’un senyal en ella, i pot ser fins i tot
major que la de la llum en el buit, cosa impossible per a una velocitat real de
propagació.
1.8. Línies de transmissió físiques

En aquest apartat veurem de manera resumida les característiques físiques i
elèctriques de les línies de transmissió més usuals en circuits de microones i/o
sistemes d’RF.
1.8.1. Línies de transmissió pròpiament dites

(propaguen modes TEM)
Veurem com les característiques físiques de les línies de transmissió determinen el
comportament elèctric, l’aspecte i les característiques de línies de transmissió tan
importants com el cable coaxial i la línia micropista.
35
Cable coaxial
Dielèctric
Metal·lització
E
H
z
εR
a
Fig. 34. Estructura i forma dels camps per a una línia de transmissió o cable coaxial.
60 ⎛b⎞
Z0 = ln⎜ ⎟ γ = α + jβ
εR ⎝ a⎠
ω ω
β= = εR = ω με
c c0
Rs ⎛ 1 1 ⎞ 1
α = αC + α D αC = ⎜ + ⎟ α D = β tg (δ )
Z0 ⎝ 2πa 2πb ⎠ 2
1 1
RS = δ=
σδ πfμσ
1 2 ⎛b⎞
fT ≈ PMAX = 44 E R a 2 ε R ln⎜ ⎟
π ε R ( a + b) ⎝a⎠
R S és la resistència superficial dels conductor i δ la profunditat de penetració dels

camps en un conductor. f T és la freqüència màxima d’utilització monomode del cable
coaxial. A partir d’ f T comencen a propagar-se modes no-TEM dispersius. PMAX és la
potència màxima que pot propagar el cable coaxial. És funció del camp elèctric de
ruptura de dielèctric E R (màxim camp elèctric que pot suportar el dielèctric sense que
s’arrenquin electrons de les últimes capes atòmiques que el tornin conductor).
Les seves característiques fonamentals són:
• Marge de freqüències de 0 a 100 GHz, depenent de les dimensions i de la

qualitat del coaxial.
• Baixes pèrdues.
• Baixa radiació (els camps estan confinats entre els dos conductors.
36
• Baixa dispersió.
• Gran dificultat per a muntar-hi elements en sèrie (en el conductor central) o
en paral·lel (entre el conductor central i l’exterior).
• Es dissenyen bé per a pèrdues mínimes, bé per a potència transmesa
màxima.
Línia triplaca
És una línia de transmissió formada per una tira conductora situada simètricament
entre dos plans conductors (infinits en teoria) i immersa en un medi dielèctric de
permitivitat relativa ε R . A la pràctica, els plans metàl·lics i el dielèctric es prenen
d’amplada finita.
Dielèctric
Metal·lització
E εR
z
b
w b/2 εR
Fig. 35. Línia de transmissió triplaca.
⎧ 30 ⎛ 1 + k' ⎞
⎪ ln⎜⎜ 2 + ⎟
⎟ 0 ≤ k ≤ 0.7
ε
⎪⎪ R ⎝ 1 − k ' ⎠ ⎛ πW ⎞
Z0 = ⎨ −1 k = th⎜ ⎟ k'= 1− k
2
⎪ 30π 2 ⎛⎜ ⎛ 1 + k ⎞ ⎞⎟ ⎝ 2b ⎠
⎪ ln⎜⎜ 2 + ⎟ 0.7 ≤ k ≤ 1
⎪⎩ ε R ⎜⎝ ⎝ 1 − k ⎟⎠ ⎟⎠
ω ω
β= = ω με = εR c0 = 3 ·10 8 m / s
c c0
• Atenuació i dispersió baixes.

• Impedàncies característiques de 10 a 100 Ω aproximadament.
• Dificultat per a muntar-hi elements en sèrie (en el conductor central) o en
paral·lel (entre el conductor central i els exteriors).
37
1.8.2. Guies d’ones amb comportament molt similar a
línies de transmissió (propaguen modes Quasi-TEM)
Línia micropista
Formada per una tira conductora i un pla de massa (infinit en teoria) sobre una làmina
dielèctrica (infinita en teoria). Per tant, globalment el dielèctric no és homogeni i no
propaga un mode TEM. És propaga un mode Quasi-TEM. No és, per tant, una línia de
transmissió pròpiament dita, però es comporta pràcticament com si ho fos. És
l’estructura guiant més utilitzada per a fer circuits de microones, tot i que és impossible
d’analitzar teòricament de manera rigorosa. S’usen expressions semiempíriques dels
seus paràmetres fonamentals.
w
Dielèctric
Metal·lització
E εR
z
h εR
Fig. 36. Línia de transmissió micropista.
⎧ 60 ⎛ h w⎞ w
⎪ ln⎜ 8 + ⎟ ≤1
⎪⎪ ε Re ff ⎝ w 4h ⎠ h
Z0 = ⎨ 120π 1 w
⎪ >1
⎪ ε Re ff w + 1.4 + 0.66 ln⎛ w + 1.4 ⎞ h
⎜ ⎟
⎪⎩ h ⎝h ⎠
ω ω
β= = ε Re ff c0 = 3 ·10 8 m / s
c c0
ε R +1 ε R −1 1
ε Re ff = +
2 2 h
1 + 10
w
• Pèrdues i dispersió baixes.

• Impedàncies característiques de 15 a 110 Ω aproximadament.
• Molt fàcil de fabricar.
38
• És molt fàcil el muntatge d’elements en sèrie amb el conductor central. El
muntatge d’elements en paral·lel entre el conductor central i el pla de massa
requereix la perforació de substrat.
Línia de pistes coplanars

És una línia uniplanar, donat que només té metal·lització en una cara del dielèctric.
Usualment, en el marge de freqüències d’utilització és multimodal: propaga dos modes
alhora, el mode parell (Quasi-TEM i que per tant dóna lloc a un comportament típic de
Línia de Transmissió) i el mode senar (No-TEM i que per tant dóna lloc a un
comportament típic de Guia d’ones).
E
s w s Dielèctric
Metal·lització
εR
Mode Parell
z
E
h εR
εR
Mode senar
Fig. 37. Línia de transmissió de pistes coplanars.
• Gran facilitat de connexió d’elements en sèrie (en el conductor central) i en

paral·lel (entre el conductor central i els conductors laterals). Si no volem
excitar el mode senar cal que quan connectem impedàncies en paral·lel, ho
fem de manera simètrica a banda i banda del conductor central.
• Gran facilitat de fabricació.
• Mode parell:
• Atenuació i dispersió moderades.
• Impedàncies característiques entre 25 i 125 Ω aproximadament.
• Mode senar:
• Alta atenuació (per radiació) i dispersió.
39
Línia de ranura
És una línia uniplanar, atès que només té metal·lització en una cara del dielèctric.
d Dielèctric
Metal·lització
H
E
z εR
h εR
Fig. 38. Línia de transmissió de ranura.
• Alta dispersió (propaga un mode No-TEM i per tant té un comportament de

guia d’ones) i altes pèrdues (per radiació).
• Facilitat de connexió d’elements en paral·lel (entre els dos plans
conductors).
• Facilitat de fabricació.
40
SESSIÓ 3
Nom: Xarxes d’un port
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió aprendrem els conceptes bàsics de xarxa de microones, d’ona
normalitzada i de coeficient de reflexió generalitzat
CONTINGUTS
Aquesta sessió comença definint el que entendrem de moment per xarxa de
microones. A continuació, defineix els conceptes d’ones normalitzades de tensió i de
coeficient de reflexió generalitzat en xarxes de microones d’un port. Finalment aplica
aquests conceptes a l’anàlisi d’un circuit genèric de microones i a l’anàlisi del balanç
de potència en una càrrega.
2. Anàlisi de circuits de microones
2.1. Xarxes de microones. Definició

De moment, per a nosaltres una xarxa de microones serà una xarxa accedida a través
de línies de transmissió. Més endavant, ja generalitzarem aquest concepte a altres
tipus de xarxes.
Xarxes de microones. Definició

Una xarxa de microones bàsicament està formada per línies de transmissió (L.T.) que
interconnecten diferents elements discrets. Per tant, els ports del nostre sistema
habitualment es realitzaran sobre L.T. d’una determinada impedància característica.
Aquest valor d’impedàncies característiques sovint l’anomenarem impedàncies de
referència dels ports.
41
I1
V1
Z
o1
In Vn
0
z
on
Z
0
I2
z
XARXA DE
MICROONES
V2
Zo2
0 z
Zo3
0 z
I3
Fig. 1. Esquema d’una xarxa de microones.
A partir de la representació fasorial de tensions i corrents als diversos ports, podríem

modelar la xarxa a partir dels seus paràmetres Z o dels paràmetres Y . Per tant, per a
mesurar una xarxa, únicament hauríem de mesurar els seus paràmetres Z o Y . Això,
però, ens presenta una sèrie de problemes. Per a il·lustrar-los, veurem què passa en
una xarxa d’un únic port.
2.2. Xarxes d’un port. Coeficient de reflexió

generalitzat (Γ)
En aquest apartat començarem estudiant les xarxes de microones més simples
possibles, les d’un port, perquè amb elles podrem definir tots els conceptes necessaris
(ones normalitzades, coeficients de reflexió generalitzats, generadors canònics o càlcul
de potències) per caracteritzar després xarxes més complexes.
2.2.1. Introducció
Justificació d’anàlisi mitjançant ones en comptes de

tensions i corrents
Quan una xarxa és accedida a través d’una línia de transmissió, la manera més adient
de caracteritzar-la és a través d’ones i de coeficients de reflexió, perquè tenen un
comportament més predictible i regular que no pas les tensions, els corrents i les
impedàncies.
42
Suposem una xarxa de microones d’un port:
Impedància de la L.T que usem per permetre

láccés des de léxterior cap a la xarxa.
XARXA Z, Y
ZO
Pla de la L.T en que comença el

nostre circuit.
Fig. 2. Xarxa de microones d’un port.
Aquest circuit podem caracteritzar-lo a partir de la seva impedància Z , o de la seva

impedància Y . Si el connectem a través d’una L.T. d’impedància Z 0 a un generador:
Zg l
Vg + -
V (z) V (z) Z0 Z, Y
-l 0
ρ(z)
Z(z)
Fig. 3. Caracterització d’una xarxa de microones d’un port.
V + Z − Z0
ρ ( z ) = ρ ⋅ e − j 2 βz ρ ( z) = ρ ρ = ρ (0) = =
V − Z + Z0
Z + jZ 0 tg ( βz )
Z ( z) = Z 0
Z 0 + jZtg ( βz )
Ja sabem que és ρ i no Z el que ens dóna informació fàcil sobre el comportament de

l’ona generada en la línia. També sabem que els valors de V+ i V- ens vénen
directament expressats en funció de ρ g i ρ L .
43
D’altra banda, ens fixem en el sistema de definició i de mesura per als paràmetres Z o
Y:
+
I V Z V Y
Mesura dímpedància Mesura dádmitància

Fig. 4. Excitacions per a la mesura d’impedància i d’admitància en xarxes d’un port.
Suposem generadors ideals, sense impedància (admitància) de sortida i connectats

directament a la càrrega. Una situació més real de mesura d’un circuit de microones
seria:
Zi
Zg l
Vg Z0, β
Punt de mesura
Fig. 5. Circuit de mesura d’una xarxa de microones d’un port.
Evidentment, coneixent Z g podríem corregir el valor de Z i mesurat (No seria

Vg
directament Vg I sinó − Z g ). A més a més, hauríem de desfer la transformació:
I
Z + jZ 0 tg ( βl )
Zi = Z0
Z 0 + jZtg (βl )
cosa que podem fer matemàticament. El valor de Zi, però, no ens dóna directament
cap informació clara sobre el valor de Z, cosa que sí que fa el valor de ρi sobre el de
ρ:
ρi = ρ
.
ϕ ρ = ϕ ρ − 2 βl
i
A més, en molts elements guiats de microones és problemàtic definir no ja tant sols

impedàncies, sinó tensions i corrents (per exemple en una guia d’ones). El que sí que
pot definir-se són els coeficients de reflexió sobre camps elèctrics. Per tant, una
caracterització d’aquests circuits a partir de tensions, corrents i impedàncies sembla
menys adequada que una a partir d’ones i coeficients de reflexió.
44
2.2.2. Ones normalitzades de tensió i coeficient de
reflexió generalitzat
Una vegada constatada la idoneïtat de treballar amb ones i coeficients de reflexió,
caldrà definir les noves eines matemàtiques que ens permetran dur a terme l’anàlisi de
circuits de microones: les ones normalitzades de tensió i el coeficient de reflexió
generalitzat, així com les relacions entre aquests nous conceptes i els ja coneguts de
tensió, corrent i impedància. També caldrà veure com aquestes eines ens permetem
analitzar circuits genèrics (representats per un divisor de tensió, que és la forma més
general en què es pot veure un sistema: connexió entre l’equivalent de Thevenin d’un
circuit generador de senyal/informació i l’equivalent de Thevenin d’un circuit que
aprofita aquest senyal/informació(càrrega)). Per tant, sabent resoldre aquest circuit
amb les noves eines matemàtiques, en teoria hem de ser capaços de resoldre’n
qualsevol altre, perquè sempre el podrem reduir, mitjançant equivalents de Thevenin,
al divisor de tensió.
Suposem una xarxa d’un port d’accés la qual es realitza sobre una L.T. d’impedància
característica Z 0 .
En aquest punt hi ha una L.T., el

port el realitzem sobre aquesta L.T.
Zg I
Vg V Z0 ZL
L.T
z
0
Fig. 6. Representació de l’accés a una xarxa de microones d’un port.
Definim a i b com les mostres de les ones que circulen per la L.T. en el punt z = 0 ,
on hi ha el port:
V+ Ona incident (positiva) normalitzada. Si no hi hagués una

a= → L.T. d’impedància característica Z0 al port, Z0 fóra una
Z0 constant real arbitrària.
(1)
V−
b = → Ona reflectida (negativa) normalitzada.
Z0
Els valors de V + i V − els obtenim de la configuració de la L.T:
V ( z ) = V + e − jβz + V − e jβz ⎫ V = V(0) = V + + V − ⎫

⎪ ⎪
V + − jβ z V − jβ z ⎬ V+ V−⎬
I ( z) = e − e ⎪ I = I (0) = −
Z0 Z0 ⎭ Z0 Z 0 ⎪⎭
45
1
V+ = (V + Z 0 I )⎫⎪
2 ⎪
⎬ (2)
1
V = (V − Z 0 I )⎪⎪
−
2 ⎭
V+ i V- tenen sentit físic en una L.T., però matemàticament tenen sentit sempre, en
qualsevol pla d’un circuit en què puguem establir una tensió i corrent. Simplement
representaran una transformació lineal matemàtica de variables:
⎡V + ⎤ 1 ⎡1 Z 0 ⎤ ⎡V ⎤
⎢ −⎥ = ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎣V ⎦ 2 ⎣1 − Z 0 ⎦ ⎣ I ⎦
Relació entre a, b, V i I
Segons el conjunt de variables definides fins ara i substituint (2) en (1):
1 ⎛ V ⎞ V+ ⎫
a= (V + Z 0 I ) ⋅ 1 = 1 ⎜⎜ + Z0 I ⎟ =
⎟
⎪
2 Z0 2 ⎝ Z0 ⎠ Z0 ⎪⎪
⎬
1 1 1⎛ V ⎞ V− ⎪
b = (V − Z 0 I ) ⋅ = ⎜ − Z0 I ⎟ = ⎪
2 Z 0 2 ⎜⎝ Z0 ⎟
⎠ Z0 ⎪⎭
D’aquí podem extreure la relació entre a, b i V , I :
V = V + + V − = a Z 0 + b Z 0 = Z 0 (a + b )⎫
⎪
V+ V−
I= − =
a
−
b
=
1
(a − b ) ⎬⎪
Z0 Z0 Z0 Z0 Z0 ⎭
Significat físic d’ ai i bi
Si al port connectem una L.T. d’impedància característica Z 0 (la de referència del
i
circuit),
Vi + Vi −
ai = bi =
Z0 Z0
i i
46
i
V+ ai
Z0
i V− bi
0 z
Fig. 7. Ones reals i normalitzades al port d’una xarxa de microones d’un port.
a i b tindran sentit físic i les definim a partir d’una tensió i d’un corrent en una L.T. En
qualsevol altre cas, només tindran sentit matemàtic.
Si al port ‘i’ no connectem una L.T., o la impedància característica de la L.T. que hi
connectem no és Z 0 , ai i bi no tenen sentit físic, només matemàtic. Tindran sentit físic
i
Vi i I i , els quals podem obtenir mitjançant una transformació lineal a partir d´ ai i bi :
⎡a ⎤ 1 ⎡1 Z 0 ⎤ ⎡V ⎤
⎢b ⎥ = ⎢1 − Z ⎥ ⎢ I ⎥
⎣ ⎦ 2 Z0 ⎣ 0 ⎦⎣ ⎦
Coeficient de reflexió generalitzat (Γ)

Definim el coeficient de reflexió generalitzat Γ com:
a
V b Z, Γ
Fig. 8. Sentits de les ones normalitzades per al càlcul del coeficient de reflexió
generalitzat.
ona normalitza da que es propaga

en sentit contrari al que mirem
Γ=
ona normalitza da que es propaga
en el mateix sentit que mirem
Per a les definicions d’ones de la Fig. 46 podem calcular el coeficient de reflexió

generalitzat com:
b
Γ=
a
47
Evidentment, si ens trobem en una situació en què el punt on considerem que
comença el nostre port és una línia de transmissió, haurem de considerar com a
coeficient de reflexió:
V−
b Z0 V −
Γ= = + = + = ρ ≡ coeficient de reflexió del port.
a V V
Z0
En un cas més general (b i a només tenen sentit matemàtic perquè no tenim clarament
cap V + i V − físiques:
1 ⎛⎜ V ⎞
− Z0 I ⎟
b 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟
⎠ V − Z0I
V −Z
Z − Z0
= I
0
Γ= = = =
a 1⎛ V ⎞ V + Z0I V + Z0 Z + Z0
⎜ + Z0 I ⎟ I
2 ⎜⎝ Z 0 ⎟
⎠
1+ Γ Y0 − Y
Z = Z0 Γ=
1− Γ Y0 + Y
Expressions anàlogues a Z i ρ pel cas en què les definicions tinguin sentit físic.
Càlcul d’a i b
Considerem un circuit genèric format per un generador i una càrrega qualssevol, que
podem representar pels seus respectius equivalent S de Thevenin:
Zg I
ai
Vg V ZL
bi
Fig. 9. Circuit genèric per al càlcul d’a i b.
Operant:
V = Z 0 (a + b)
Vg = Z g I + V ⎫
1 ⎬ (3)
I= (a − b ) V = Vg − Z g I ⎭
Z0
48
Si substituïm els valors de V i I a l’equació (3), tindrem:
Zg
Z 0 (a + b ) = V g − (a − b )
Z0
Aïllant a en funció de b:
Vg Z0 Z g − Z0
a= ⋅ +b⋅ =b S +bΓg
Z0 Z g + Z0 Z g + Z0
1442443 1424 3
bS Γg
D’altra banda, la càrrega ens fixa la relació:
Z L -Z 0
b = ΓL ⋅ a ΓL =
ZL + Z0
Tenim, per tant, un sistema de dues equacions amb dues incògnites. Operant:
1 ΓL
a = bs b = bs
1− Γg ΓL 1 − Γg ΓL
on:
Z L − Z0 Z g − Z0
Γ= Γg =
Z L + Z0 Z g + Z0
⎛ Z0 ⎞ 1
bs = ⎜ ⋅Vg ⎟ ⋅
⎜Z +Z ⎟ Z
⎝ g 0 ⎠ 0
Si la càrrega conté una L.T., b s és l’ona progressiva que el generador entregaria a la

càrrega en l’instant inicial:
Zg Z 0 (En léstat inicial)
Z0, β
Fig. 10. Generador connectat a la càrrega en l’instant inicial.
49
Casos particulars
1. Generador canònic ( Γg = 0 ): Generador capaç de generar a (l’excitació),
independentment de la càrrega Γ L :
Z0 Γg = 0
a 1 Vg
a = bs =
Vg 2 Z0
Fig. 11. Generador canònic.
2. No tenim ona reflectida ( ΓL = 0 ):
Zg
1 Vg
ΓL = 0 a = bs = (1 − Γ g )
a 2 Z0
Vg Z0
b b=0
Fig. 12. Circuit amb ZL=Z0.
3. Màxima transferència de potència:

Zg
*
Vg Zg
Fig. 13. Circuit amb màxima transferència de potència (ZL=(Zg)*).
⎧ 1
⎪ a = b s 2
Z L − Z0 Z g − Z0
*
⎪ 1− Γg
ΓL = = * = Γg ⇒ ⎨
*
ZL + Z0 Z g + Z0 Γ *g
⎪b = bs
⎪ 1− Γg
2
Per tant, màxima transferència de potència i absència de reflexió (b=0) són en general
fenòmens diferents.
50
2.2.3. Potència
Una vegada hem definit els conceptes d’ones normalitzades, hem de veure com
aquests conceptes ens aporten informació sobre potència consumida en un port.
Veurem que obtenim relacions similars a les que ja coneixem de línies de transmissió:
La potència que consumeix un port és la diferència entre la potència que li arriba en
forma d’ona incident i la potència que retorna en forma d’ona reflectida.
a
V Z,Γ
b
Fig. 14. Definicions de V, I, a i b per al càlcul de la potència consumida per la xarxa d’un
port.
La potència P consumida per la càrrega Z la podem calcular com:

1 ⎡ ⎤ 1 2 1 2⎫
P=
1
2
[ ]
Re V ⋅ I * = Re ⎢ Z 0 (a + b )
2 ⎣⎢
1
(
a * − b* ⎥ = a − b ⎪
2 ⎪
)
Z0 ⎦⎥ 2 ⎬⇒
1 2 1 2 ⎪
P+ = a P− = b ⎪
2 2 ⎭
1 2
[ 2
]
⇒ P = P+ − P− = a ⋅ 1− Γ = P+ 1− Γ
2
2
[ ]
on P+ és la potència associada a l’ona progressiva (incident) i P- és la potència
associada a l’ona reflexiva (reflectida).
51
52
SESSIÓ 4
Nom: Paràmetres S
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
PRECEDENTS
A la sessió anterior hem desenvolupat una metodologia basada en ones per a analitzar
xarxes d’un port. En aquesta sessió generalitzarem els conceptes de la sessió anterior
per al cas de xarxes de més d’un port.
OBJECTIUS
En aquesta sessió aprendrem què són els paràmetres S i com podem calcular-los.
CONTINGUTS
En aquesta sessió, primerament definirem els paràmetres S i analitzarem el seu sentit i
propietats per a, a continuació, estudiar dos mètodes diferents per a calcular-los: a
partir de tensions i corrents i per divisió en mode parell i mode senar.
2.3. Paràmetres S d’una xarxa d’n ports

En aquest apartat definirem, com a generalització del coeficient de reflexió
generalitzat, els paràmetres S d’un circuit, i n’estudiarem el significat i propietats.
Paràmetres S: concepte i sentit

Una matriu de paràmetres S no és més que la generalització, per al cas de més d’un
port, del concepte de coeficient de reflexió generalitzat: ens relaciona totes les ones
normalitzades sortints d’un circuit amb les ones entrants. El significat dels paràmetres
S ens vindrà donat per una reflexió sobre els paràmetres que es relacionen i per com
podem aïllar, de manera matemàticament rigorosa, un sol paràmetre S.
53
I1
V1
In Vn
I2
V2
I3
Fig. 15. Xarxa d’n ports.
Aquesta xarxa la podem caracteritzar com:
⎡V1 ⎤ ⎡ I1 ⎤
V = ⎢⎢ M ⎥⎥ I = ⎢⎢ M ⎥⎥
⎢⎣Vn ⎥⎦ ⎢⎣ I n ⎥⎦
V = Z ⋅I I = Y ⋅V
Aquesta fóra la manera clàssica de caracteritzar el nostre circuit. A la vista del que
hem fet per a una xarxa d’un port, definim:
ai =
1
2 Z0
( V+
Vi + Z 0 I i = i
i
Z0
)
i i
(V − Z I ) =
−
1 Vi
bi = i 0i i
2 Z0 Z0
i i
Definim a i i b i en funció d’una Z 0 diferent en cada port. En la immensa majoria dels

i
casos:
Z0 = Z0 = Z0 .
i j
Criteri de signes. Així com Vi i I i es defineixen segons uns determinats criteris (corrent
entrant a la xarxa pel terminal del biport en què la tensió és major), també ai i bi
requereixen uns criteris de definició perquè es compleixin les relacions anteriors:
54
• a i sempre entrant al circuit.
• b i sempre sortint del circuit.
a1
b1 b2
a2
an
bn
b3
a3
Fig. 16. Sentits de les ones a i b per a cada port de la xarxa.
Definim:
⎡ a1 ⎤ ⎡ b1 ⎤
a = ⎢⎢ M ⎥⎥ b = ⎢⎢ M ⎥⎥
⎢⎣a n ⎥⎦ ⎢⎣bn ⎥⎦
La matriu de paràmetres S (o de dispersió, o d’scattering) de la xarxa es defineix com
b = S ⋅a
Significat físic dels paràmetres S
[b] = [S ] ⋅ [a]
bi = S11 a1 + L + S ii a i + L + S ij a j + L + S in a n
55
Si dibuixem esquemàticament aquestes equacions per al cas senzill de dos ports:
S21
a1 b2
S11 S22
b1 a2
S12
Fig. 17. Camins de les ones entrants en una xarxa de dos ports fins que en surten en
forma d’ones reflexives.
Els paràmetres S indiquen els diversos camins que fan les ones incidents per arribar a
un punt de sortida:
• S ii ⇒ Reflexions
• S ij ⇒ Transmissions
Podem obtenir S ij de manera anàloga a com obteníem Z ij o Yij :
Vi bi
Z ij = → S ij =
Ij I K =0 aj aK =0
K≠ j K≠ j
Primerament, analitzem què implica la condició a K = 0 :
IK IK − IK
VK VK
Fig. 18. Interpretació física de la condició aK=0.
56
Per tant, per a aconseguir a K = 0 només ens cal connectar al port k la impedància de
referència del port. Físicament això equivaldria a connectar una línees semiinfinita de
Z 0 = Z 0 al port K:
K
z 0
bK Com que és semiinfinita, aquesta ona mai es

Z0 reflexarà donant lloc a una ona aK
K
Fig. 19. Situació equivalent a carregar el port k amb Z0k.
D’aquesta situació (a K = 0) se’n sol dir “tenir el port k adaptat o acabat”. Això no fa
cap referència a que hi hagi màxima transferència de potència, simplement indica que
al port k hi ha el valor adient per a l’operació (càlcul d’algun S ij ) que nosaltres
desitgem:
bi Coeficient de reflexió a la porta i que com la resta
S ii = =Γ⇒ de ports estan carregats amb la seva impedància
ai aK =0
K ≠i de referència Z0K.
Part de l’ona incident al port j que es propaga per

b la xarxa fins sortir pel port i quan tots els ports
S ij = i ⇒
aj aK =0 menys el d’entrada j estan carregats amb la seva
K≠ j
impedància de referència Z0K.
Propietats dels paràmetres S

A través d’una anàlisi de les característiques que presenten alguns circuits, establirem
com aquestes ens fixen una sèrie de propietats per a les seves matrius de paràmetre
S. En particular veurem la propietat de canvi de pla de referència, molt important per a
la resolució de problemes.
Xarxes recíproques: Són totes les xarxes que no contenen elements no recíprocs, com
transistors, ferrites i díodes en funcionament no lineal. La seva matriu de paràmetres S
és simètrica
(S ij = S ji ∀i ≠ j)
.
Xarxes passives i sense pèrdues: Són aquelles que ni amplifiquen (passives) ni

atenuen (sense pèrdues) les potències dels senyals que hi incideixen. La seva matriu
de paràmetres S és unitària:
S ⋅S+ = S+ ⋅S = I
on I és la matriu identitat i S+ és la matriu hermítica (transposada conjugada) d’S
S + = (S ⊥ )
*
57
Demostració
Per a una xarxa passiva (no amplifica) i sense pèrdues (no dissipa), tota la potència
que entra a la xarxa ha de sortir (en règim permanent).
Potència entrant:
n n
1
PIN = ∑ Pi = ∑ + 2
ai
i =1 i =1 2
Potència sortint:
n n
1
POUT = ∑ Pi − = ∑
2
bi
i =1 i =1 2
Nosaltres volem que PIN − POUT = 0 , aleshores:
n n
∑a = ∑ bi
2 2
i (4)
i =1 i =1
Per resoldre aquests sumatoris és necessari saber que:
⎡ a1 ⎤
a = ⎢⎢ M ⎥⎥ a + = a1* [ a 2* K a n* ]
⎢⎣a n ⎥⎦
⎡ b1 ⎤
b = ⎢⎢ M ⎥⎥ b + = b1* [ b2* K bn* ]
⎢⎣bn ⎥⎦
⎡ a1 ⎤
[ ]
n
K a ⋅ ⎢⎢ M ⎥⎥ = a1 ⋅ a1* + a 2 ⋅ a 2* + L + a n ⋅ a n* = ∑ ai
+ 2
a ⋅a = a *
1 a *
2
*
n
i =1
⎢⎣a n ⎥⎦
⎡ b1 ⎤
[ ]
n
b + ⋅ b = b1* b2* * ⎢ ⎥
K bn ⋅ ⎢ M ⎥ = b1 ⋅ b1 + b2 ⋅ b2 + L + bn ⋅ bn = ∑ bi
* * * 2
i =1
⎢⎣bn ⎥⎦
Substituint a (4) tenim:
a+ ⋅ a = b+ ⋅ b
58
Tenint en compte que b = S ⋅ a i que (A ⋅ B) = B + ⋅ A + :
+
b+ = a+ ⋅ S +
a+ ⋅ a = b+ ⋅ b = a+ ⋅ S + ⋅ S ⋅ a ⇔
⇔ S+ ⋅S = I ⇔
⇔ S + ⋅ S ⋅ S −1 = S −1 ⇔ S + = S −1
S ⋅ S −1 = I ⇔ S ⋅ S + = I
S+ ⋅S = S ⋅S+ = I
Xarxa passiva i sense pèrdues:
∑S
2
ij =1 ∀j = 1L n ⇒ S ij ≤ 1 ∀i, j
i =1
No podem treure ones amb més energia de les que entren.
Demostració
⎡ S 11 S 12 S 13 L⎤ ⎡ S 11* ⎤ ⎡1 0 L ⎤
⎢ ⎥ ⎢ * ⎥ ⎢ ⎥
S ⋅S = I → ⎢
+ ⎥ ⋅ ⎢ S 12 ⎥ = ⎢0 O ⎥
⎢ ⎥ ⎢ S 13* ⎥ ⎢M ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ ⎦ ⎣⎢ M ⎦⎥ ⎣ ⎦
n
∑S
2
ij =1 ∀j ⇔ S ij ∀i, j < 1
i =1
Canvi de pla de referència:

Sigui una xarxa caracteritzada per S. Construïm una nova xarxa (S’) afegint línies de
transmissió a cada port d’impedància característica igual a la de referència del
port, Z 0 i . Els nous ports que obtenim els prenem amb impedància de referència Z 0 i
igual a la dels ports antics.
59
li ln
Z
0i
, β ,β
Z 0n
Z i n
0i
Z 0n
XARXA
[S]
2
1
Z 02
l2 Z
01
l1
β
Z 02
, Z
01 ,β
Fig. 20. Canvis de pla de referència en una xarxa d’n ports.
Aleshores es compleix:
' (
− j β i li + β j l j )
S ij = S ij ⋅ e
S ii = S ii ⋅ e − j 2 βili
'
2.4. Càlcul dels paràmetres S

En aquest apartat veurem les dues metodologies més habituals per a calcular matrius
de paràmetres S: el càlcul a partir de tensions i de corrents, i la descomposició en
mode parell/mode senar.
2.4.1. Càlcul de paràmetres S a partir de tensions i de

corrents
El càlcul de paràmetres S a partir de tensions i de corrents és una de les maneres més
efectives de calcular paràmetres S en circuits que puguem analitzar a partir de
tensions i corrents.
60
Càlcul de
S ii
Z0
n
Z0
1
ai
Z0
i
bi
ΓINi
Z0
2
Fig. 21. Xarxa amb tots els ports excepte l’i carregat amb la seva impedància de
referència.
Carreguem la resta de ports amb la seva impedància de referència i calculem Γin :
bi
Γin = = S ii
ai a K =0
K ≠i
Z INi − Z 0i
ΓINi podem calcular-lo calculant Z INi i després fent ΓINi =
Z INi + Z 0i
61
S ij
Càlcul d’
Z0 Z0
n
1
Ij j i Ii
aj ai
Vj Vi Z0
i
bj bi
Fig. 22. Ones normalitzades als ports i i j d’una xarxa d’n ports carregats amb la seva
impedància de referència.
bi
S ij =
aj a K =0
K≠ j
Carreguem tots els ports amb la seva impedància de referència (excepte el j). Fer el
càlcul directament és difícil. Habitualment es fa a partir del càlcul de tensions:
ai =0
Vi = Z 0 (ai + bi ) ⎯⎯ ⎯→Vi = Z 0 bi
i i
V j = Z 0 (a j + b j )
j
bj
Vi Z 0 bi Z0 aj Z0 S ij
i i i
= = = ⋅ ⇒
Vj Z 0 (a j + b j ) ⎛ b ⎞
Z 0 ⎜1 + j a j ⎟ Z0 1 + S jj
j j
j
⎝ ⎠
Z0
⋅ (1 + S jj )
Vi j
S ij = ⋅
Vj Z0
i a K =0
K≠ j
62
on S jj l’hem calculat prèviament amb el mètode descrit:
bj
S jj = Γin j aK =0 =
K≠ j aj
aK =0
K≠ j
2.4.2. Càlcul de paràmetres S per descomposició en

mode parell/mode senar
La descomposició en mode parell/mode senar no és pròpiament una metodologia de
càlcul de paràmetres S, sinó una manera de reduir la complexitat de càlcul per a
circuits simètrics. Tingueu present que perquè un circuit pugui ser considerat simètric,
ha de ser físicament i elèctricament, però a més a més, els ports han de tenir una
numeració adequada, “simètrica”, i les impedàncies de les línies de transmissió amb
les quals s’accedeix també han de ser simètriques.
Sigui la següent xarxa simètrica (física o elèctricament) de microones, amb la següent

numeració de ports:
Z 0N N 2N Z 02 N = Z 0 N Z 0N N 2N Z 02 N = Z 0 N
S
Z 02 2 N+2 Z 0 N + 2 = Z 02 Z 02 2 N+2 Z 0 N + 2 = Z 02
Z 01 1 N+1 Z 0 N +1 = Z 01 Z 01 1 N+1 Z 0 N +1 = Z 01
Pla de simetria
M connexions internes entre les dues
meitats simètriques del circuit. NO són ports
perquè no hi accedim des de léxterior!!
Fig. 23. Descomposició d’un circuit simètric en dos subcircuits units per una sèrie de
connexions internes.
Per a calcular S, podem fer-ho directament o a través de la descomposició en mode

parell-mode senar:
1. Mode parell: calculem la matriu de paràmetres S de la descomposició en

mode parell de la xarxa S e (meitat de la xarxa amb els ports 1K n del
circuit, amb les M connexions internes en circuit obert).
63
Deixem les M connexions internes en circuit obert.
Se Xarxa dŃ ports Matriu de paràmetres S = Se N × N

2
Fig. 24. Descomposició en mode parell del circuit original.
2. Mode senar: calculem la matriu de paràmetres S de la descomposició en

mode senar (S o ) (meitat de la xarxa amb els ports 1K n , amb les M
connexions internes curtcircuitades).
Deixem les M connexions internes en curtcircuit.
So Xarxa dŃ ports Matriu de paràmetres S = So N × N

2
Fig. 25. Descomposició en mode senar del circuit original.
3. Finalment, calculem la matriu de paràmetres S original com:
1 ⎡S e + S o Se − So ⎤
S=
2 ⎢⎣ S e − S o S e + S o ⎥⎦
64
SESSIÓ 5
Nom: Sessió de problemes
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió afermarem els conceptes teòrics apresos en la sessió anterior
mitjançant una sèrie de problemes senzills de càlcul i manipulació de paràmetres S.
CONTINGUTS
Aquesta sessió s’estructura al voltant d’una sèrie de problemes amb dificultat gradual
que ens han de fer comprendre la metodologia de càlcul dels paràmetres S, així com
el seu sentit.
2.5. Problemes del Capítol 2 (i)

Aquest apartat s’estructura al voltant d’una sèrie de problemes amb dificultat gradual
que ens han de fer comprendre la metodologia de càlcul dels paràmetres S, així com
el seu sentit.
Problema 2.1 (a) i (b)

En aquests apartats del problema 2.1 calcularem els paràmetres S de dos circuits molt
senzills, però que ens donaran idea de la mecànica i possibilitats de càlcul dels
mateixos.
Admitància en paral·lel referida a Z0 en ambdós ports.
Fig. 26. Admitància paral·lel.
65
Impedància en sèrie referida a Z0 en ambdós ports.
Fig. 27. Impedància sèrie.
Problema 2.1 (c)

En aquest apartat del problema 2.1 calcularem els paràmetres S d’una connexió entre
dues línies de transmissió d’impedància característica diferent. Aquest cas té una
impedància conceptual molt gran, i en farem ús al llarg del curs.
Canvi d’impedàncies de referència (o unió entre línies de transmissió de diferent

impedància característica).
Fig. 28. Canvi de medi.
Problemes 2.1 (d) i (e)

En aquest apartat del problema 2.1 calcularem els paràmetres S d’una línia de
transmissió accedida a través de dues línies de transmissió de la mateixa impedància
característica i d’impedància característica diferent. Veurem que, per a l’apartat (d) el
resultat és molt senzill i predictible. Intenteu aplicar aquest resultat per a comprendre la
propietat del canvi de pla de referència.
Línia de transmissió d’impedància característica Z0 referida a Z0 en ambdós

ports.
Fig. 29. Línia de transmissió sense canvi de medi.
Línia de transmissió d’impedància característica Z01 referida a Z0 en ambdós

ports (calculeu-la per tres mètodes diferents).
66
Fig. 30. Línia de transmissió amb canvi de medi.
Problema 2.1 (f)

En aquest apartat del problema 2.1 calcularem els paràmetres S d’una connexió entre
una impedància en paral·lel i una línia de transmissió de la mateixa impedància que la
dels ports. Aquest serà un bon cas per aplicar propietats de les matrius de paràmetres
S.
Impedància en sèrie amb una línia de transmissió d’impedància característica

Z0, referida a Z0 en ambdós ports.
Fig. 31. Impedància sèrie amb línia de transmissió.
67
68
SESSIÓ 6
Nom: Xarxes de dos ports. Absència de sentit físic
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió acabaren la part teòrica d’aquest capítol, analitzant altres maneres
de caracteritzar xarxes de dos ports, estudiant la relació entre els diversos tipus de
paràmetres que permeten caracteritzar xarxes i, finalment, reflexionant sobre els
paràmetres S quan és obvi que no representen relacions entre ones reals.
CONTINGUTS
Primerament trobarem alguns resultats útils per a xarxes de dos ports i analitzarem
maneres de caracteritzar les alternatives als paràmetres Z, Y o S. Estudiarem per tant
els paràmetres ABCD, basats en tensions i corrents i el paràmetre T, basat en ones
normalitzades. A continuació establirem les relacions entre les diverses
caracteritzacions de circuits que coneixem (paràmetres Z, Y, S, T i ABCD). Finalment,
reflexionarem sobre els paràmetres S en situacions on no podem assignar-los-hi cap
mena de sentit físic.
2.6. Xarxes de dos ports

En aquest apartat presentarem una sèrie de resultats importants que s’apliquen a
xarxes de dos ports: Expressions per als seus coeficients de reflexió d’entrada i de
sortida, i les caracteritzacions alternatives a partir de paràmetres S i ABCD
2.6.1. Coeficient de reflexió d’entrada i de sortida en

una xarxa de dos ports
Coeficient de reflexió d’entrada

L’expressió de coeficient de reflexió d’entrada o de sortida d’una xarxa de dos ports
caracteritzada per una matriu de paràmetres S és un concepte important des del punt
de vista de l’ús futur que en farem.
69
Situació:
Z02 Z0L
Z01 I2 IL
a1 a2 aL
b1
S b2 V2 VL b ΓL
L
Γin
Fig. 32. Xarxa de dos ports amb el port 2 carregat amb un coeficient de càrrega arbitrari.
El quadripol, juntament amb la càrrega ΓL , es comporta com una nova càrrega que
b1
podem modelar a partir del seu coeficient de reflexió Γin = .
a1
bL Z L − Z 0 L
La càrrega compleix que ΓL = = (la seva impedància de referència és
aL Z L + Z 0L
Z0L).
Ara bé, l’ona incident a ΓL per força ha de provenir (sortir) del biport ⇒ si les
impedàncies de referència del port de sortida (Z02) i de la càrrega (Z0L) són la mateixa,
aleshores a L = b2 . Comprovem-ho:
1 ⎧I L = − I 2 ⎫ 1
aL = (VL + Z 0 L I L ) = ⎨ ⎬= (V2 − Z 02 I 2 ) = b2
2 Z 0L ⎩Z 0 L = Z 02 ⎭ 2 Z 02
Això ho podem raonar dient que una ona que surt del port 2 no veu cap canvi de medi
en aquesta situació i, per tant, entra en la càrrega sense modificar-se. Si les
impedàncies de referència fossin diferents, l’ona a2 veuria un canvi de medi: en part es
transmetria cap a la càrrega i en part es reflectiria al canvi de medi. Per tant, ja no es
compliria que a L = b2 .
Anàlogament, si Z02=Z0L, aleshores bL = a2 .
Per als càlculs que segueixen, i quan apliquem les formules a què arribarem,
Z L − Z 02
suposarem precisament que es compleix Z02=Z0L i que, per tant, ΓL = .
Z L + Z 02
bL a 2
Aplicant les igualtats anteriors ΓL = = ⇒ a2 = ΓL b2 .
a L b2
b1 = S11 a1 + S12 a 2 = S11 a1 + S12 ΓL b2

S 21 a1
b2 = S 21 a1 + S 22 a 2 = S 21a1 + S 22 ΓL b2 ⇒ b2 =
1 − S 22 ΓL
70
S 21a1 b1 S S Γ
b1 = S11a1 + S12 ΓL ⇒ Γin = = S11 + 12 21 L
1 − S 22 ΓL a1 1 − S 22 ΓL
Evidentment, si Z L = Z 0 2 ⇒ ΓL = 0 , Γin = S11 (per definició de S11 ). Si S 12 = 0, Γin = S 11

(circuit unilateral entre entrada i sortida).
2.6.2. Coeficient de reflexió de sortida
ag a1 a2
Γg bg b1
S b2
Γout
Fig. 33. Xarxa de dos ports amb el port 1 carregat amb un coeficient de càrrega arbitrari.
Aplicant raonaments anàlegs als del cas anterior, arribem a:
S12 S 21Γg
Γout = S 22 +
1 − S11Γg
2.6.3. Paràmetres S per a una xarxa passiva i sense pèrdues
b1 = S11a1 + S12 a2
1 S 2
b2 = S 21a1 + S 22 a2
Fig. 34. Paràmetres per a una xarxa de dos ports.
71
Per ser passiva i sense pèrdues:
S11 S12 ⎤ ⎡ S11∗ S12 ⎤ ⎡1 0⎤

∗
[S ]⋅ [S ]+ = I d ⇔ ⎡⎢ ⎥⎢ ∗ ∗⎥
=⎢ ⎥
⎣S21 S22 ⎦ ⎣ S21 S 22 ⎦ ⎣0 1⎦
2 2
S11 + S12 = 1 (1)
2 2
S21 + S22 = 1 ( 2 )
∗ ∗
S11S21 + S12 S22 = 0 → Láltra equació és aquesta, conjugada.
No podem tenir 4 equacions amb 4 incògnites
linealment independents perquè hi ha infinits
circuits possibles.
La 3a condició podem posar-la en mòdul i fase:
S11 S 21 = S12 S 22 ( 3)
ϕ11 − ϕ 21 = ϕ12 − ϕ 22 ± π ( 4)
Elevant ( 3)
al quadrat i substituint els termes Sij i ≠ j a partir de (1)
i ( 2)
:
2
(
S11 1 − S 22
2
) = S (1 − S ) ⇔
22
2
11
2
S11 = S 22
No cal que la xarxa sigui simètrica, només que sigui passiva i sense pèrdues.
( 3)
Substituint en :
2 2
S12 = S 21 = 1 − S11 = 1 − S 22
Anomenant S11 = K :
⎡ Ke jϕ11 1 − K 2 e jϕ12 ⎤
[S ] = ⎢ 2 jϕ
⎥ amb ϕ11 + ϕ 22 = ϕ12 + ϕ 21 ± π
⎢⎣ 1 − K e 21 Ke jϕ 22 ⎥⎦
Hem reduït els paràmetres inicials de 8 a 4. Si a més a més de passiva i sense

pèrdues la xarxa és recíproca:
S12 = S 21 ⇒ ϕ12 = ϕ 21 ⇒ ϕ11 + ϕ 22 = 2ϕ12 ± π
I si a més a més és simètrica físicament, ϕ11 = ϕ 22 .
72
2.6.4. Altres maneres de caracteritzar xarxes de dos ports
Els paràmetres S són molt útils per a caracteritzar biports aïllats. Ara bé, per a
caracteritzar connexions en cascada de biports, no són del tot adients.
a1A a2A a1B a2B

A B
b1A S b2A b1B S b2B
Z 0A1 Z 0A2 Z 0B1 Z 0B2
TOT
S
Fig. 35. Connexió en cascada de dues xarxes de dos ports.
Si tenim cada quadripol caracteritzat per la seva matriu de paràmetres S, SA i SB, no hi

ha cap manera elemental de posar la matriu de paràmetre S del circuit resultant, STOT
en funció de SA i SB. Hi ha, però, altres caracteritzacions dels circuits (els paràmetres T
i els paràmetres ABCD) que sí que ens permetran trobar de manera senzilla informació
sobre el circuit total resultant de la connexió en cascada.
Paràmetres T
Els paràmetres T expressen no ones de sortida en funció d’ones d’entrada, com els S,
sinó ones en un port en funció d’ones en l’altre:
a1A a2A a1B a2B

A B
b1A T b2A b1B T b2B
Z 0A1 Z 0A2 Z 0B1 Z 0B2
TOT
T
Fig. 36. Connexió en cascada de dos quadripols caracteritzats amb paràmetres T.
⎡b1A ⎤ A ⎡a 2 ⎤
A
⎫
⎢ A⎥ = T ⋅ ⎢ A⎥ ⎪
⎣a1 ⎦ ⎣b2 ⎦ ⎪
⎪
⎡b1B ⎤ B ⎡a 2 ⎤ ⎪
B
⎡T α T12α ⎤
⎢ B⎥ =T ⋅⎢ B⎥ ⎬ T α = ⎢ 11α ⎥ α = A, B, TOT
⎣a1 ⎦ ⎣b2 ⎦ ⎪ ⎣T21 T22α ⎦
B ⎪
⎡b1A ⎤ TOT ⎡ a 2 ⎤ ⎪
⎢ A⎥ = T ⋅⎢ B⎥
⎣a1 ⎦ ⎣b2 ⎦ ⎪⎭
73
T és la matriu de paràmetres T del quadripol α.
Si es compleix que la impedància de referència del port 2 del quadripol A és igual a la

impedància de referència del port 1 del quadripol B, aleshores hi haurà continuïtat
d’ones entre ambdós quadripols, perquè una ona que surti del quadripol A entrarà
íntegra al quadripol B pel fet de no veure cap canvi de medi que pugui fer-la reflectir-se
(tal com s’ha raonat a l’apartat “Coeficient de reflexió d’entrada”).
⎧⎪a 2A = b1B ⎫⎪ ⎡a 2A ⎤ ⎡b1B ⎤

Z A
02 =Z ⇔⎨ A
B
01 ⎬ ⇔ ⎢ A⎥ = ⎢ B⎥
⎪⎩b2 = a1B ⎪⎭ ⎣b2 ⎦ ⎣a1 ⎦
Aleshores, si i només si es compleix la condició anterior:
⎡b1A ⎤ A ⎡a 2 ⎤
A
A ⎡b1 ⎤
B
B ⎡a 2 ⎤
B
⎢ A ⎥ = T ⋅ ⎢ A ⎥ = T ⋅ ⎢ B ⎥ = T ⋅T ⋅ ⎢ B ⎥ ⇔ T
A TOT
= T A ⋅T B
⎣a1 ⎦ ⎣b2 ⎦ ⎣a1 ⎦ ⎣b2 ⎦
La relació entre paràmetres S i T és:
− S11 S 22 + S12 S 21 T12

T11 = S11 =
S 21 T22
S T12T21
T12 = 11 S12 = T11 −
S 21 T22
S 1
T21 = − 22 S 21 =
S 21 T22
1 T
T22 = S 22 = − 21
S 21 T22
Si la xarxa és recíproca, S12 = S 21 :
T12T21 1
T11 − = ⇔ T11T22 − T12T21 = 1
T22 T22
Si la xarxa és simètrica, S11 = S 22 ⇔ T21 = −T12 .
Paràmetres ABCD
Són útils per a caracteritzar biports en cascada, tot i que depenen de tensions i
corrents. Per tant, seran menys idonis que els T per a caracteritzar xarxes de
microones per tots els motius esmentats al principi del tema. A més a més, seran més
costosos de transformar en paràmetres S que els T. Expressen tensions i corrents en
un port en funció de tensions i corrents en l’altre:
74
A A B B
I1 I2 I1 I2
a1A A
a2A a1B B
a2B
V1
A
ABCD V 2A V1
B
ABCD V2
B
b1A b2A b1B b2B

Z 0A1 Z 0A2 Z 0B1 Z 0B2
TOT
ABCD
Fig. 37. Connexió en cascada de dos quadripols caracteritzats amb matrius de
paràmetres ABCD.
⎡V1A ⎤ A ⎡ V2 ⎤
A
⎫
⎢ A ⎥ = ABCD ⋅ ⎢ A ⎥ ⎪
⎣ I1 ⎦ ⎣− I 2 ⎦ ⎪
⎪
⎡V1B ⎤ B ⎡ V2 ⎤ ⎪
B
⎡ Aα Bα ⎤
⎢ B⎥= ABCD ⋅⎢ B⎥ ⎬ ABCD α = ⎢ α ⎥ α = A, B, TOT
⎣ I1 ⎦ ⎣− I 2 ⎦ ⎪ ⎣C Dα ⎦
⎪
⎡V1A ⎤ TOT ⎡ V2 ⎤ ⎪
B
⎢ A⎥ = ABCD ⋅ ⎢ B ⎥⎪
⎣ I1 ⎦ ⎣− I 2 ⎦ ⎭
ABCD és la matriu de paràmetres ABCD del quadripol α. Si la xarxa és recíproca,

aleshores A ⋅ D − B ⋅ C = 1 . Si la xarxa és simètrica: A = D .
Operant de manera anàloga al cas dels paràmetres T:
⎡V1A ⎤ A ⎡ V2 ⎤ A ⎡V1 ⎤ B ⎡ V2 ⎤
A B B
⎢ A⎥ = ABCD ⋅ ⎢ A⎥ = ABCD ⋅ ⎢ B⎥ = ABCD A

⋅ ABCD ⋅ ⎢ B⎥
⎣1I 14⎦444444 ⎣−4
I2 ⎦
4444424 ⎣ I4
1 ⎦
4444444444 ⎣−4
I2 ⎦
3
c
ABCD TOT = ABCD A ⋅ ABCD B
2.7. Relació entre paràmetres Z, Y, S, ABCD i T

En aquest apartat es presenten fórmules que relacionen els diversos paràmetres que
podem utilitzar per a caracteritzar xarxes de microones. Els resultats es presenten a
nivell de referència i no cal que els memoritzeu.
75
2.7.1. Relació entre matrius de paràmetres Z, Y, S per
a una xarxa d’N ports
Sigui una xarxa d’N ports que tenim caracteritzada per les seves matrius de
paràmetres Z, Y i S. Suposem que la impedància de referència dels N ports de la
xarxa és la mateixa i val Z0. Aleshores:
S = ( Z + Z 0 ⋅ I d ) −1 ⋅ ( Z − Z 0 ⋅ I d ) = ( Z − Z 0 ⋅ I d ) ⋅ ( Z + Z 0 ⋅ I d ) −1
S = (Y0 ⋅ I d + Y ) −1 ⋅ (Y0 ⋅ I d − Y ) = (Y0 ⋅ I d − Y ) ⋅ (Y0 ⋅ I d + Y ) −1
Z = Z 0 ⋅ ( I d − S ) −1 ⋅ ( I d + S ) = Z 0 ⋅ ( I d + S ) ⋅ ( I d − S ) −1
Z = Y −1
Y = Y0 ⋅ ( I d + S ) −1 ⋅ ( I d − S ) = Y0 ⋅ ( I d − S ) ⋅ ( I d + S ) −1
Y = Z −1
Per a alguns circuits, les matrius de paràmetres Z o Y poden no existir.
2.7.2. Relació entre paràmetres S, T, i ABCD per a una

xarxa de dos ports
Sigui una xarxa de dos ports amb impedàncies de referència que poden ser diferents
per a cada port, Z01 i Z02.
S
Z01 T Z02
ABCD
Fig. 38. Xarxa genèrica caracteritzada amb paràmetres S, T i ABCD.
76
Aleshores:
AZ 02 + B − CZ 01 Z 02 − DZ 01 ⎫ ⎧ (1 + S11 − S 22 − Δ S ) Z 01 / Z 02
S11 = ⎪ ⎪A =
AZ 02 + B + CZ 01 Z 02 + DZ 01 ⎪ 2 S 21
⎪
2( AD − BC ) Z 01 Z 02 ⎪ ⎪ (1 + S11 + S 22 + Δ S ) Z 01 Z 02
S12 = ⎪B =
AZ 02 + B + CZ 01 Z 02 + DZ 01 ⎪⎪ ⎪ 2S 21
⎬ ⎨
S 21 =
2 Z 01 Z 02 ⎪ ⎪C = (1 − S11 − S 22 + Δ S )
AZ 02 + B + CZ 01 Z 02 + DZ 01 ⎪ ⎪ 2S 21 Z 01 Z 02
− AZ 02 + B − CZ 01 Z 02 + DZ 01 ⎪⎪ ⎪
S 22 = ⎪ D = (1 − S11 + S 22 − Δ S ) Z 02 / Z 01
AZ 02 + B + CZ 01 Z 02 + DZ 01 ⎪⎭ ⎪⎩ 2S 21
Δ S = S11 S 22 − S12 S 21
T12 ⎫ − S11 S 22 + S12 S 21

S11 = ⎪ ⎧
T22
⎪ ⎪T11 = S 21
T21T12 ⎪ ⎪
S12 = T11 − ⎪T = 11S
T22 ⎪⎪ ⎪ 12 S 21
⎬ ⎨ − S 22
1 ⎪ ⎪T21 =
S 21 =
T22 ⎪ ⎪ S 21
⎪ ⎪ 1
T21 ⎪ ⎪T22 =
S 22 = − S 21
T22 ⎪⎭ ⎩
2.8. Paràmetres S en absència de sentit físic

En aquest apartat veurem que els paràmetres S poden seguir-se utilitzant fins i tot
quan no tenen cap mena de sentit físic, quan no es corresponen a ones reals en un
sistema.
Paràmetres S en absència de sentit físic

Els paràmetres S tenen sentit físic clar (relacions entre ones incidents i reflectides
(normalitzades) en un circuit quan la impedància característica que hem utilitzat per a
definir-los (que a partir d’ara anomenarem impedància de referència) correspon a la
impedància característica de les línies de transmissió sobre les quals realitzem els
ports (accedim al circuit). Si no (si en el(s) port(s) no hi ha una línia de transmissió, o la
impedància característica d’aquesta línia de transmissió no correspon a la que hem
utilitzat per a definir les ones normalitzades i els paràmetres S), els paràmetres S
deixen de tenir sentit físic. Podem seguir-los utilitzant, però perquè són
matemàticament correctes.
77
Els paràmetres S tenen sentit físic quan:
1. Els definim en una interfície amb una L.T.

2. La L.T. té la impedància característica que utilitzem per a definir els
paràmetres a i b .
Zg, Γg I
V + ( 0) V+
a a= =
bs, Vg V ZL, ΓL Z0 Z0
b
V − (0) V−
L.T b= =
Z0 Z0
z
0
Fig. 39. Connexió entre un generador i una càrrega realitzada sobre una línea de
transmissió d’impedància característica Z0 igual a la de referència.
Per a resoldre aquest circuit, podem fer-ho, bé a través de tensions i corrents, bé a

través d’ones incidents i reflectides normalitzades.
ZL
V= Vg
Zg + ZL
V
I=
ZL
Vg , Zg , ZL V, I
Vg Z0 2 Z0
bs = Vg = bs
Z0 g + Z0 1
Z 1 − Γg a= (V + Z 0I )
Zg − Z0 1 + Γg 2 Z0 V= Z 0 (a + b )
Γg = Z = Z
Zg + Z0 g 0
1 − Γg b=
1
(V − Z 0I ) I= Z 0 (a − b )
Z − Z0 1 + ΓL 2 Z0
ΓL = L Z L = Z 0
ZL + Z0 1 − ΓL
bs , Γg , ΓL a, b
bs
a=
1 − ΓgΓL
b = ΓL ⋅ a
Ambdós mètodes de resolució són vàlids i ens podem moure de l’un a l’altre a través
d’expressions de transformació, bé del conjunt de dades, bé de la solució, que ens
depenen de Z 0 . Les expressions de transformació són bijectives: donat Z 0 , per a
cada conjunt {V , Z
g g , Z L } n’obteníem un i només un {bs , Γg , ΓL }, i a l’inrevés.
Igualment passa amb {V , I }i {a, b} .
Què passaria si Z 0 no fos una impedància característica d’una línia de transmissió

física en la interfície entre el generador i la càrrega? Òbviament, les transformacions
{ } { }
entre V g , Z g , Z L , {V , I } i bs , Γg , ΓL , {a, b} seguirien sent matemàticament
correctes i per tant, portant-nos a resultats correctes.
78
On hi hauria el problema?
Si Z 0 ja no és la impedància característica de la L.T. amb què es realitza la interfície
(bé perquè no hi ha L.T., bé perquè té impedància característica Z 0/ ≠ Z 0 ), aleshores
ja no pot ser cert que:
V+
a=
Z0
V−
b=
Z0
En el cas que la interfície no es realitzi a través d’una L.T., l’únic que tindrà sentit seran
tensions i corrents (tot i que a i b siguin correctes matemàticament, no ens diuen res
sobre el comportament físic del circuit). Caldrà passar a tensions i corrents per a
recuperar la visió física.
En el cas que la interfície es realitzi a través d’una L.T. d’impedància característica
Z 0/ ≠ Z 0 , tot i que hi tindrem ones progressives i reflexives, aquestes no tindran res a
veure amb a i b :
I V = V (0) = V + + V − ⎫ ⎫
⎪ ⎪
1
(
I = I (0) = ' V + − V − ⎪)
⎬ sentit físic clar ⎪
⎪
Z´ 0 V Z0 ⎭ ⎬
V = Z 0 (a + b )⎫⎪ ⎪
⎬ sense sentit físic ⎪
0 z
I = Z 0 (a − b ) ⎪⎭ ⎪
⎭
Fig. 40. Tensions i corrents en funció d’ones reals i normalitzades.
⎧ + Z 0 + Z 0' Z 0 − Z 0' ⎫
⎪V = a + b⎪
⎪ 2 Z0 2 Z0 ⎪
⎨ ⎬
⎪V − = Z 0 − Z 0 a + Z 0 + Z 0 b ⎪
' '
⎪
⎩ 2 Z0 2 Z 0 ⎪⎭
Les ones progressives i reflectides reals no tenen res a veure amb les normalitzades.
79
80
SESSIÓ 7
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
En aquesta sessió aprofundirem mitjançant la realització de problemes en la
comprensió dels conceptes apresos fins el moment.
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem dos problemes d’una certa complexitat per veure
l’aplicació dels paràmetres S a l’anàlisi de circuits de microones.
2.9. Problemes del Capítol 2 (ii)

En aquesta sessió analitzarem, a través de problemes, la dependència dels
paràmetres S amb la impedància característica/de referència dels ports, i analitzarem
connexions en cascada de xarxes caracteritzades pels seus paràmetres S.
Problema 2.2
En aquest problema analitzarem com canvien els paràmetres S d’un circuit quan
canviem les seves impedàncies de referència.
Un quadripol té, a una freqüència determinada i referit a 50Ω, la següent matriu de

paràmetres S:
⎡ 0.5 j 0.866⎤
S=⎢
⎣ j 0.866 0.5 ⎥⎦
Calculeu la seva matriu de paràmetres S referida a 75Ω.
Problema 2.6
Un sistema per a millorar l’adaptació a l’entrada d’un circuit consisteix a posar un
atenuador a l’entrada (Fig. 79). Aquest sistema pressuposa que ens trobem en el cas,
poc freqüent, que el circuit al qual volem accedir no té problemes de nivell de potència
d’entrada, ni de soroll).
81
Fig. 41. Millora de l’adaptació d’entrada d’un dispositiu.
La matriu de paràmetres S d’un atenuador ideal és:
⎡0 α ⎤
S=⎢ ⎥ α ∈ ℜ, 0 < α < 1
⎣α 0 ⎦
Si el coeficient de reflexió d’entrada del circuit és ΓC,
(a) Calculeu el coeficient de reflexió d’entrada, ΓIN, del conjunt atenuador-circuit.

Millora l’adaptació?
(b) Calculeu la pèrdua relativa de potència a l’entrada del circuit, P1/P2, pel fet
d’afegir-hi l’atenuador a l’entrada.
(c) Calculeu els paràmetres S del conjunt atenuador-circuit en funció dels
paràmetres S genèrics del circuit.
Fig. 42. Conjunt atenuador-circuit.
82
SESSIÓ 8
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
comprensió dels conceptes apresos fins al moment.
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem dos problemes d’una certa complexitat per veure
l’aplicació dels paràmetres S a l’anàlisi de circuits de microones.
2.10. Problemes del Capítol 2 (iii)

En aquesta sessió analitzarem el comportament de dos circuits molt simples de
microones, com ara són un atenuador resistiu i un ressonador.
Problema 2.12
En aquest problema analitzarem una estructura típica d’atenuador resistiu, i
compararem els paràmetres S ideals amb els mesurats per a implementar-lo. La
solució la trobareu a la carpeta Documents. Intenteu resoldre el problema pel vostre
compte abans de mirar-ne la solució.
L’integrat RF2421 d’RF MICRO-DEVICES (Fig. 81) és un atenuador monolític

commutat realitzat sobre GaAs, pensat per a aplicacions de comunicacions mòbils.
Aquest integrat cobreix un espectre de 500 MHz a 3 GHz i pot suportar potències d’RF
de fins a 16 dBm. En funció d’un senyal de control (G10) l’atenuador pren un dels seus
dos estats possibles: (a) no atenuació, i (b) 10 dB d’atenuació (-20 log(|S21|)=10 dB).
(a) (b)
83
(c)
Fig. 43. (a) Esquema funcional d’un RF2421. (b) Exemple de connexió. (c)
Descripció dels pins de l’integrat.
A la Fig. 82 es mostra un diagrama simplificat de la seva estructura interna (R0 és la

impedància de referència Z0). Els commutadors (realitzats amb transistors MESFET),
que suposarem ideals, en funció del seu estat de commutació (S1 ON i S2 OFF, o S1
OFF i S2 ON), redueixen el circuit a un dels dos que mostra la Fig. 83.
Fig. 44. Esquema simplificat de l’atenuador amb els commutadors S1 i S2.
1 2 1 RB 2
RA=Z0(N+1)/(N-1)
Z0 Z0 Z0 RA RA Z0
2
RB=Z0(N -1)/(2N)
(a) (b)
Fig. 45. (a) Circuit equivalent de l’atenuador quan S1 OFF i S2 ON. (b) Circuit
equivalent de l’atenuador quan S1 ON i S2 OFF.
84
Calculeu, per descomposició en mode parell i mode senar els paràmetres S de
l’atenuador en l’estat d’atenuació (Fig. 83 (b)), referits a Z0, i trobeu N. Compareu els
resultats teòrics amb els mesurats per a aquest integrat, que es mostren en la Fig. 84, i
justifiqueu-ne les diferències.
(a) (b)
Fig. 46. (a) |S11| en forma de VSWR. La referència vertical s’indica amb un petit
triangle al marge esquerre de la gràfica, i correspon a un valor VSWR=1. Les
divisions de l’eix d’ordenades són d’una unitat per divisió. (b) |S21| en dB. La
referència vertical correspon a un valor |S21|=0dB. Les divisions de l’eix
d’ordenades són de 5 dB per divisió.
Nota:
N 2 − 1 = ( N + 1)( N − 1)
( N + 1) 2 = N 2 + 2 N + 1
( N − 1) 2 = N 2 − 2 N + 1
Problema 2.15
En aquest problema analitzarem el comportament d’un ressonador realitzat sobre una
línia de transmissió poc habitual, la línia de ranura.
El ressonador de línia de ranura de la Fig. 85(a) pot se modelat circuitalment segons el

model circuital de la Fig. 85(b). Z0s és la impedància característica del mode de línia
de ranura d'excitació. Z0e i Z0o són, respectivament, les impedàncies característiques
dels modes coplanars parells i senars del tram de guia d'ones coplanar que forma
pròpiament el ressonador. Com es pot veure al circuit equivalent, els modes d'excitació
de línia de ranura es transformen en modes coplanars senars a les interfícies entre
guies d'ones coplanars i una guia d'ones de línia de ranura. Aquests modes coplanars
senars es transformen en part en modes coplanars parells al curtcircuit asimètric que
hi ha a la guia d'ones coplanar, i queden confinats (i per tant poden ressonar en certes
freqüències) en aquesta guia d'ones coplanar perquè no poden transformar-se, com el
85
mode coplanar senar, en mode de línia de ranura (queden en circuit obert a la transició
entre guia d'ones coplanar i guia d'ones de línia de ranura).
1 1:1 2:1 1: 2 1:1 2
Z0s Z0o,βo Z0o,βo Z0s
1 2 d1 d1
d1 d1 1: 2 2:1
Z0e,βe Z0e,βe
(a) (b)
Fig. 47. Ressonador de línia de ranura (a) i model circuital equivalent (b).
(a) Suposant que es compleix que Z0s=Z0o calculeu els paràmetres S del
ressonador, referits a Z0s.
(b) Identifiqueu per a quines freqüències el ressonador deixarà passar tot el senyal
entre els seus ports 1 i 2, i per a quines freqüències n'impedirà totalment el pas.
86
SESSIÓ 9
Nom: Adaptadors de línia i divisors de potència
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
L’objectiu d’aquesta sessió serà introduir-nos als subcircuits més habituals en sistemes
de microones, començant pels més elementals. En sessions posteriors en
presentarem de més complexos.
CONTINGUTS
En aquesta sessió analitzarem dos tipus molt elementals d’adaptació d’impedàncies de
línia de transmissió, el transformador lambda/4 i el taper. A continuació presentarem
diversos tipus de divisors de potència o combinadors de senyal.
3. Circuits passius de microones
3.1. Transformadors λ4
El transformador λ/4 és un dels circuits de microones més elementals. Té una gran
aplicació en adaptacions d’impedàncies, sobretot reals. És el primer circuit que tractem
perquè en podem analitzar de manera analítica el comportament freqüencial, cosa
que serà en general impossible (o si més no, molt difícil) per a la resta de circuits que
estudiarem.
3.1.1. Transformadors λ/4. Anàlisi

El transformador λ/4 és un dels circuits de microones més elementals. Té una gran
aplicació en adaptacions d’impedàncies, sobretot reals. És el primer circuit que tractem
perquè en podem analitzar de manera analítica el comportament freqüencial, cosa que
serà en general impossible (o si més no molt difícil) per a la resta de circuits que
estudiarem.
S’utilitzen per fer adaptacions d’impedàncies de banda estreta (centrades en una

freqüència central f0 per a la qual λ=λ0).
87
A la figura següent es mostra l’esquema d’un transformador λ/4 adaptant una
impedància de càrrega ZL, a una línia de transmissió amb impedància característica
Z0.
Fig. 48. Esquema d’un transformador d’impedàncies λ/4 adaptant una càrrega
d’impedància ZL a una línia de transmissió amb impedància característica Z0.
Si calculem la impedància d’entrada que presenta en la freqüència de disseny f0,

veurem que és inversament proporcial a la impedància de càrrega ZL i que el nostre
paràmetre de disseny serà precisament la impedància característica de la línia del
transformador: Z01.
⎛ 2π λ0 ⎞
Z L + jZ 01tg ⎜⎜ ⎟
Z + jZ 01tg (βd ) ⎝ λ0 4 ⎟⎠ Z 012
Z IN ( f 0 ) = Z 01 L = Z 01 =
Z 01 + jZ L tg (βd ) ⎛ 2π λ0 ⎞ Z L
Z 01 + jZ L tg ⎜⎜ ⎟
⎝ λ0 4 ⎟⎠
Si Z 01 = Z 0 Z L (cosa que només s’aconseguirà si ZL és real) llavors ZIN (f0)=Z0, és a

dir, observem que la impedància de càrrega s’ha adaptat a la impedància de la línia Z0.
3.1.2. Ample de banda d’un transformador λ/4

Hem vist a l’apartat anterior que per a f=f0 tenim que ZIN (f0)=Z0.. Ara estudiarem quina
impedància d’entrada i quin coeficient de reflexió veiem a freqüències diferents (f≠f0).
Això ens servirà per determinar en quin marge de freqüències al voltant de f0 encara és
útil el nostre transformador per adaptar en impedàncies (que ZIN (f)≈Z0):
Fig. 49.
88
Z L + jZ 01 tg (β d )
Z IN (f ) = Z 01
Z 01 + jZ L tg (β d )
Z L + jZ 01tg ( βd )
Z 01 − Z0
Z 01 + jZ Ltg ( βd ) 2
Z 01Z L + jZ 01 tg ( β d ) − Z 01Z 0 − jZ 01Z L tg ( βd )
ΓIN = = =
Z L + jZ 01tg ( β d ) Z Z + jZ 2
tg ( β d ) + Z Z + jZ Z tg ( β d )
Z 01 + Z0 01 L 01 01 0 01 L
Z 01 + jZ L tg ( βd )
Z 01Z L − Z 01Z 0 Z L − Z0
= {Z 01 = Z 0 Z L } = =
Z 01Z L + Z 01Z 0 + j 2 Z 01 Z 0 Z L tg ( β d ) Z L + Z 0 + j 2 Z 01Z L tg ( β d )
Z L − Z0 ⎧⎪(Z L + Z 0 )2 = ⎫⎪ 1
ΓIN = = ⎨ ⎬= =
(Z L + Z 0 ) + 4Z 0 Z Ltg ( βd ) ⎪⎩(Z L − Z 0 ) + 4Z 0 Z L ⎪⎭ 1 +
2 2 2 4 Z Z
0 L
(1 + tg ( βd ))
2
(Z L − Z 0 )2
⎧ 1 ⎫ 1
⎨ 2 = 1 + tg 2 ( x)⎬ =
⎩cos ( x) ⎭ 4Z 0 Z L
1+
(Z L − Z 0 )2 cos2 ( βd )
A la freqüència del disseny:
2π λ0 ⎧ vPr op ⎫ π f π
βd = = ⎨λ = ⎬= = ⇒ cos( β d ) = 0
f = f0
λ 4 f = f0 ⎩ f ⎭ 2 f0 f = f0
2
A freqüències diferents a la de disseny:
π f π π Δf ⎛ π π Δf ⎞ ⎛ π Δf ⎞
β d == = { f = f 0 + Δf } = + ⇒ cos( βd ) = cos⎜⎜ + ⎟⎟ = − sin ⎜⎜ ⎟⎟
2 f0 2 2 f0 ⎝ 2 2 f0 ⎠ ⎝ 2 f0 ⎠
A freqüències properes a la de disseny:
⎛ π Δf ⎞ 4Z 0 Z L
f → f 0 ⇒ Δf → 0 ⇒ cos( β d ) = − sin ⎜⎜ ⎟⎟ → 0 ⇒ >> 1
⎝ 2 f0 ⎠ (Z L − Z 0 )2 cos 2 ( βd )
89
Per tant:
1 Z − Z0 ⎛ π Δf ⎞
ΓIN = ≈ L sin⎜⎜ ⎟⎟
4Z 0 Z L 2 Z LZ0 ⎝ 2 f0 ⎠
1+
(Z L − Z 0 ) cos2 ( βd )
2
Fig. 50. Aproximació, al voltant d’f0, de la resposta en freqüència d’un transformador λ/4,
per a diferents impedàncies de càrrega ZL.
Com es pot observar a la figura:

A mesura que ens allunyem de la freqüència central, la desadaptació augmenta.
Com més properes Z0 i ZL, més ample de banda d’adaptació.
3.2. Tapers
Els tapers són transicions suaus entre dos tipus de línia de transmissió, que
aconsegueixen adaptacions força bones amb grans amples de banda. En farem una
anàlisi descriptiva, ja que analitzar-los de forma analítica és força enrevessat. En
aquest apartat en descriurem el funcionament.
3.2.1. Tapers. Anàlisi descriptiva

Els tapers permeten realitzar adaptacions de banda ampla basant-se en el canvi suau
de impedància característica entre el valor d’entrada i el de sortida de tal manera que
no es vegi un canvi de medi brusc i per tant, pràcticament sense reflexions.
S11 ≈ 0 ⇒ Z IN 1 a2 = 0
≈ Z 01
90
S 22 ≈ 0 ⇒ Z IN 2 a1 = 0
≈ Z 02
Per exemple, com es pot veure a la figura següent, en línies micropista o en línies de
ranura, es realitza una adaptació progressiva canviant l’ample de pista (en la
micropista) o l’ample de la ranura (en la de ranura), paràmetres que determinen la
impedància característica d’aquestes línies de transmissió.
Fig. 51. Diferents configuracions de tapers.
Un possible model equivalent per al taper és, a la freqüència central, un transformador,

on canviant la relació d’espires es canvia la impedància que veu:
Z 02
k≈ d1 + d 2 ≈ d
Z 01
Fig. 52. Model equivalent d’un taper, a la freqüència central.
91
3.2.2. Resposta freqüencial d’un taper
Z 02 − Z 01
Z 02 + Z 01
d d
βd = 2π = 2π f
λ c
Fig. 53. Paràmetre d’adaptació d’un taper, en funció de βd.
Fixeu-vos que:
Per a d fixa, com major és la f, millor funcionament.
Per a f fixa, com major és la d, millor funcionament.
Si d/λ és petit (d petita o f baixa), és com si el taper no hi fos (connexió directa entre
línies de transmissió).
3.3. Divisors de potència

Els divisors de potència són dispositius que divideixen la potència d’una ona d’entrada
entre dues (o més ones de sortida) o, alternativament, combinen diverses ones
d’entrada en una sola ona de sortida. En aquest apartat en veurem diversos tipus, amb
propietats força diferents.
3.3.1. Divisors de potència. Introducció

Els divisors de potència són dispositius que divideixen la potència d’una ona d’entrada
entre dues (o més ones de sortida) o, alternativament, combinen diverses ones
d’entrada en una sola ona de sortida. Les configuracions més habituals d’aquests
dispositius són la de divisor resistiu i, sobretot, la de divisor de Wilkinson.
A la següent figura podem observar les característiques desitjables que ha de tenir un

divisor de potència ideal. S’ha posat com a exemple un divisor de tres ports. Per al cas
de funcionar com a divisor de potència, el port 1 és el port d’entrada i els altres dos, de
sortida. Per al cas de funcionar com a combinador de senyal, els ports d’entrada serien
els ports 2 i 3, i el port de sortida, el port 1.
92
Fig. 54. Esquema d’un divisor de potència ideal.
Les fletxes amb línia contínua marquen el pas de senyal. Les línies trencades, els camins
que no haurien de ser.
Característiques desitjables:
• Adaptació (Sii=0).
• Aïllament entre ports de sortida – Una reflexió en un port de sortida no ha
d’afectar directament els altres ports de sortida.
• Sense pèrdues, passiva i recíproca.
⎡0 S 21
S⎤ 31
S = ⎢S 0 0⎥
⎢ 21
⎥
⎢⎣ S 31
0 0 ⎦⎥
Normalment volem també que divideixin la potencia de manera equitativa. Per al cas
més habitual de tres ports (sortides al 2 y 3):
P1+ 2 1 2 2 1 2 11 2
P2− = P3− = ⇒ S 21 a1 = S 31 a1 = a1 ⇒
2 2 2 22
1
S 31 = S 21 =
2
93
Per tant, la matriu de paràmetres S ideal d’un divisor de potència que compleixi amb
totes les propietats anteriors és:
⎡ 0 jθ jϕ
⎤
⎧
⎪b1 = 2
(
1 jθ
)
e a 2 + e jϕ a 3 ⇒ Combinador
e e
1 ⎢ jθ ⎥ ⎪⎪ 1 jθ ⎫
S= e 0 0 ⎥ ⇒ ⎨b2 = e a1 ⎪
2 ⎢ jϕ ⎪ 2 ⇒ Divisor
⎢e 0 0 ⎥⎦ 1 jϕ ⎬
⎣ ⎪b = e a1 ⎪
⎪⎩ 3 2 ⎭
Problema
La matriu anterior no podrem aconseguir-la amb una xarxa passiva, recíproca sense
pèrdues.
3.3.2. Divisors de potència resistius

L’esquema d’un divisor resistiu de 3 ports i la seva matriu de paràmetres S es
presenten a continuació:
Fig. 55. Divisor resistiu.
⎧ 1
⎪ b1 = (a 2 + a3 ) ⇒ Sumador
⎡0 1 1 ⎤ 2
1 ⎪⎪ 1
S = ⎢1 0 1⎥ ⇒ ⎨b2 = (a1 + a 3 )⎫
2 ⎢ ⎥ 2 ⎪
⎢⎣1 1 0⎥⎦ ⎪ ⎬ ⇒ Divisor ?
⎪b = 1 (a + a )⎪
⎪⎩ 3 2 1 2
⎭
Com es pot observar, els ports estan perfectament adaptats (Sii=0). Però
malauradament, els ports 2 i 3 no estan aïllats (S23≠0, S32 ≠0), i a més a més la xarxa
presenta pèrdues (el senyal, per passar del port 1 als ports 2 i 3 ha de fer-ho a través
de resistències que impliquen pèrdues).
Presenten un gran avantatge però un ample de banda infinit en teoria (si es fa molt bé,
pot arribar als 50 GHz).
94
Anàlisi del divisor de potència resistiu
Tot seguit, analitzarem com afecta la falta d’aïllament en els ports de sortida i
quantificarem les pèrdues que es produeixen en el divisor.
Fig. 56. Ones en un divisor de potència resistiu.
ΓL 3 ⎫
1+ ⎪
1 2
b2 = a1 ⎪ ⎧
( )
2
2 ΓL 2 ΓL 3 ⎪ b2
1 − ΓL 2 = f (ΓL 2 , ΓL 3 )
2
1−
⎪ ⎪⎪ PL 2 =
4 2
ΓL 2 ⎬⇒⎨
( )
2
1+ b
⎪ ⎪ P = 3 1 − Γ 2 = f (Γ , Γ )
1 2 a ⎪ ⎪⎩ L3 L3 L3 L2
b3 = 2
2 ΓL 2 ΓL 3 ⎪
1
1− ⎪
4 ⎭
Observem que si ΓL2≠ΓL3, la sortida d’un port depèn de la càrrega de l’altre perquè no
estan aïllats. Només no es nota l’efecte de la falta d’aïllament si ΓL2=ΓL3 (divisió
equitativa).
Ara calcularem la potència dissipada pel divisor PD, i per tant, no aprofitada. Ho farem
per al cas, per exemple, ΓL2=ΓL3=0:
1 1 2 PIN+ 1 ⎫
PL 2 = PL 3 = a1 = ⎪ + − PIN+ 1
42 4 ⎬ ⇒ PD = PIN 1 − PIN 1 − PL2 − PL3 =
− ⎪ 2
b1 = 0 ⇒ PIN 1 = 0 ⎭
Com podem observar, la meitat de la potència d’entrada es dissipa en el divisor.
95
3.3.3. Divisors de Wilkinson
L’estructura d’un divisor de Wilkinson és el que es pot veure a la figura següent, i el
seu comportament (l’ideal a f0) s’indica amb la matriu de paràmetres S:
Fig. 57. Estructura d’un divisor de Wilkinson.
⎧ −j
⎪ b1 = (a 2 + a 3 ) ⇒ Sumador
⎡0 1 1 ⎤ ⎪ 2
− j⎢ ⎪ −j ⎫
S= 1 0 0⎥ ⇒ ⎨b2 = a1
2 ⎢ ⎥
⎪ 2 ⎪ ⇒ Divisor
⎣⎢1 0 0 ⎥⎦ ⎬
⎪b = − j a ⎪
⎪⎩ 3 2 ⎭
1
Com es pot veure:

• És una xarxa passiva, recíproca, amb pèrdues, perfectament adaptada i amb
els ports 2 i 3 aïllats (S23=S32=0).
• La fase global de –π/2 (–j=e–jπ/2) pot canviar-se amb un canvi de pla de
referència o amb implementacions diferents del divisor, és a dir, no és
important per al funcionament del divisor. En general podem suposar un terme
ejθ en lloc d’e–jπ/2 .
• La mateixa funcionalitat (matriu de paràmetres S) es pot aconseguir de
maneres bastant diferents al divisor presentat.
96
Divisió de potència
Si analitzem ara amb més deteniment com realitza la divisió de potencia, veurem que:
Fig. 58. Anàlisi d’un divisor de Wilkinson carregat amb càrregues arbitràries als ports 2 i
3.
⎧ b2
2
a
2
1 a1
2
a
2
1 a
2
⎪ PL 2 = − 2 = − 2 = P1+ − 2 =
⎪ 2 2 2 2 2 2 2
b2 =
−j ⎫ ⎪
a1
2 ⎪ ⇒ ⎪⎪
1 +
(
= P1 1 − ΓL 2
2
)2
−j ⎬ ⎨ 2 2 2 2 2
b3 = a1 ⎪ ⎪ b3 a3 1 a1 a3 1 + a3
2 ⎭ ⎪ PL 3 = 2 − 2 = 2 2 − 2 = 2 P1 − 2 =
⎪
⎪
⎪⎩
1
(
= P1+ 1 − ΓL 3
2
)2
• De la potència incident en el port 1, entrega la meitat a cada port 2 i 3 en forma

d’ones sortints, independentment de si aquesta potència s’aprofita en aquests
ports o no (reflexions a2 i a3). Això és una conseqüència de l’aïllament.
• Una reflexió en el port 2 només pot afectar el port 3 a través d’una re-reflexió
en el port d’entrada.
• Si ΓL2=ΓL3 el divisor no presenta pèrdues. Si no, sí que en presenta.
Comportament en freqüència
A la figura següent es pot observar el comportament ideal que ha de tenir el divisor de
Wilkinson en freqüència. Es pot veure que els ports estan ben adaptats (Sii≈0) i que hi
ha un bon aïllament entre els ports de sortida (S23≈0).
97
Fig. 59. Resposta en freqüència d’un divisor de Wilkinson.
Factors de mèrit en divisors

Els divisors reals (i els ideals fora de la freqüència de disseny f0) degraden les
prestacions respecte de la matriu de paràmetres S ideal. Per a poder caracteritzar-los
es defineixen les següents figures de mèrit:
• Pèrdues de retorn: RL= - 20log(|Sii|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.
• Pèrdues d’inserció: IL= - 20log(|S12 o S13 |). Idealment 3dB a la freqüència
central f0.
• Aïllament = - 20log(|S23|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.
Divisors de Wilkinson amb elements discrets

Depenent de l’aplicació, no sempre serà possible implementar un divisor de Wilkinson
amb línies de transmissió. Per aquest motiu s’han cercat altres formes d’implementar
divisors que tinguin la mateixa resposta que el de Wilkinson, però amb elements
discrets.
98
Una forma d’implementar divisors de Wilkinson amb elements discrets (sense utilitzar
línies de transmissió), és la que es mostra a la figura següent:
⎡0 1 1 ⎤
e − jπ / 4 ⎢
S= 1 0 0⎥
2 ⎢ ⎥
⎣⎢1 0 0⎥⎦
Fig. 60. Divisor de Wilkinson amb elements discrets i la seva matriu de paràmetres S.
Una altra manera d’implementar-ho sense línies de transmissió és utilitzant

transformadors, com es pot observar a la figura següent:
Z0
1
Z0 3
Z0
⎡0 1 1 ⎤
1 ⎢
S= 1 0 0⎥
2 ⎢ ⎥
⎣⎢1 0 0 ⎥⎦
Fig. 61. Divisor de Wilkinson amb transformadors i la seva matriu de paràmetres S.
99
100
SESSIÓ 10
Nom: Anells híbrids i acobladors direccionals
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió continuarem amb l’estudi d’uns circuits de microones, els anells
híbrids i els acobladors direccionals que, tot i tenir estructures molt diferents entre ells,
tenen, pel que fa a propietats, molta relació.
CONTINGUTS
Després d’estudiar les característiques comunes a tots aquests circuits, estudiarem les
característiques particulars de cadascun d’ells (anells híbrids de 90º, de 180º i
acobladors direccionals
3.4. Anells híbrids i acobladors direccionals

En aquest apartat veurem les característiques generals d’anells híbrids i acobladors
direccionals, que particularitzarem tot seguit per als anells híbrids de 180º, descrivint-
ne el funcionament, construcció i propietats més rellevants.
3.4.1. Característiques generals d’anells híbrids i

acobladors direccionals
Tots aquests circuits són xarxes de 4 ports passives, recíproques, sense pèrdues,
perfectament adaptades i amb alguns dels seus ports aïllats.
Una possible xarxa amb les característiques anteriors, tindria la següent matriu de
paràmetres S:
⎡ 0 0 τe jϕ1 ke jθ1 ⎤
⎢ ⎥ ⎧k ,τ ∈ [0,1]
0 0 ke jθ 2 τe jϕ2 ⎥ ⎪ 2
S = ⎢ jϕ ⎨k + τ = 1
2
⎢τe 1 ke jθ 2 0 0 ⎥ ⎪θ + θ = ϕ + ϕ ± π
⎢ jθ1 ⎥ ⎩ 1 2 1 2
⎣ke τe jϕ2 0 0 ⎦
101
On tenim que:
• Si k=τ , existeix una divisió equitativa de potència i tindrem el que s’anomena

un “anell híbrid”.
• Si k<<τ , no existeix una divisió equitativa de potència (a un port li arriba molta
més senyal que a l’altre) i tindrem un “acoblador direccional”.
3.4.2. Anells híbrids de 180º

Els anells híbrids de 180º es caracteritzen per aconseguir divisions equitatives de
senyal i poder actuar com a sumadors/restadors.
Estructura (micropista) i funcionament ideal a f0

Un exemple d’anell híbrid de 180º implementat amb L.T. micropista és el que es
mostra a la figura següent:
Fig. 62. Anell híbrid de 180º.
⎧ −j
⎪b1 = 2 (a3 + a 4 ) ⇒ Sumador
⎡0 0 1 1⎤ ⎪
⎢ ⎪b = − j (a − a ) ⇒ Re stador
− j ⎢0 0 1 − 1⎥ ⎪ 2 2
3 4
S= ⎥ ⎨
2 ⎢1 1 0 0⎥ ⎪b3 = − j (a1 + a 2 ) ⇒ Sumador
⎢1 − 1 0 0 ⎥⎦ ⎪ 2
⎣
⎪ −j
⎪b4 = (a1 − a 2 ) ⇒ Re stador
⎩ 2
102
Mirant la matriu de paràmetres S podem observar per exemple que si entrem una ona
pel port 1, aquesta es divideix equitativament entre els ports 3 i 4, i el port 2 queda
aïllat; i que si entrem pel port 2, la potència es divideix equitativament també entre els
ports 3 i 4, però amb un canvi de fase de 180º, amb el port 1 aïllat. Aquest canvi de
fase de 180º serà el que ens permetrà fer-lo servir com a restador.
La fase global de –π/2 (–j=e–jπ/2) pot canviar-se amb un canvi de pla de referència o
amb implementacions diferents de l’anell, és a dir, no és important per al funcionament
de l’anell.
Divisió de potencia
Anem a veure com efectivament es divideix la potència. Per exemple, entrarem el
senyal pel port 1, i l’analitzarem:
Fig. 63. Anell híbrid de 180º. Port 2 carregat amb Z0, ports 3 i 4 carregats amb
impedàncies arbitràries.
⎫ ⎧
2 2 2 2 2
−1 b3 a3 1 a1 a3 1 + a3
b1 = a1 (ΓL 3 + ΓL 4 ) ⎪ ⎪ PL 3 = − = − = P1 − =
2 2 2 2 2 2 2 2
⎪ ⎪
−1
b2 =
2 ⎪ 2
(
a1 (ΓL 3 − ΓL 4 )⎪ ⎪⎪ = P1+ 1 − ΓL 3
1
) 2
⎬⇒ ⎨ 2 2 2 2 2
− j ⎪ ⎪ b4 a4 1 a1 a4 1 + a4
b3 = a1 P = − = − = P1 − =
2 ⎪ ⎪ L4 2 2 2 2 2 2 2
− j ⎪ ⎪
b4 =
2
a1 1
(
⎪ ⎪ = P1+ 1 − ΓL 4 2
⎭ ⎩ 2
)
En aquest cas concret es comporta de manera anàloga a un divisor de Wilkinson, pel

que fa a l’aïllament i a la divisió de potència entre els ports 1 i els 3 i 4.
Si considerem ara, ΓL2 part del circuit i ΓL3 i ΓL4 càrregues (dispositiu funcionant com a
divisor de potència: port 1 d’entrada, ports 3 i 4 de sortida), veiem que si ΓL3=ΓL4 ,
tenim que b2=0 i per tant el sistema, com a divisor de potència, no presenta pèrdues.
103
Si, per contra, ΓL3≠ΓL4, tindrem que b2 ≠ 0 i per tant el sistema, com a divisor de
potència, si que presentarà pèrdues (la càrrega del port 2 la considerem part del nostre
sistema).
Funcionament intuïtiu
Observem, per a la implementació que es mostra a la figura següent, que per a un
senyal que entri pel port 1, aquest sortirà pels ports 3 i 4 i no pel port 2. Això és a
causa que a aquest port, les ones que hi arriben, se sumen en contra fase. El mateix
passa si injectem senyal pel port 2, aquest sortirà pels ports 3 i 4 i no pel port 1,
perquè a aquest port les ones que arriben se sumen també en contra fase.
a1 -jπ/2 -j π/2
b3=kAe ·a1=-jkA·a1 -j2π/2 -j4π/2 b3=kAe ·a2=-jkA·a2
b1=kB e ·a2+kBe ·a2=
3 3
1 =-kB·a2+kB·a2=0 1
-π/2 -π/2
-jπ/2 -j3π/2
b4=kAe ·a1= -π/2 b4=kAe ·a2= -π/2
-π/2 -π/2
=-jkA·a1 =jkA ·a2
2
Desfassatge 2 Desfassatge
4 4 a2
-j2π/2 -j4π/2
b2=kB e ·a1+kBe ·a1=
=-kB ·a1+kB ·a1=0
-3π/2 -3π /2
Fig. 64. Funcionament intuïtiu d’un anell híbrid de 180º.
Comportament ideal en freqüència

A les gràfiques de la figura següent es mostra el comportament ideal que tindrà un
anell híbrid dissenyat per a la freqüència f0, funcionant com a divisor de potència.
104
Fig. 65. Comportament en freqüència d’un anell híbrid de 180º.
Factors de mèrit en anells híbrids de 180º

Els anells híbrids de 180º reals (i els ideals fora de la freqüència de disseny f0)
degraden les prestacions respecte de la matriu de paràmetres S ideal. Per tant, per a
poder caracteritzar la seva bondat, es defineixen una sèrie de figures de mèrit:
• Pèrdues de retorn: RL= - 20log(|Sii|). Idealment ∞ a la freqüència central f0

• Pèrdues d’inserció: IL= - 20log(|S13 o S14 o S23 o S24|). Idealment 3dB a la
freqüència central f0
• Aïllament = - 20log(|S12 o S34|). Idealment ∞ a la freqüència central f0
• Desfasatge entre ports. Idealment serà el que indiqui la matriu de paràmetres
S. El que és interessant és la fase relativa entre ports. Com per exemple es
mostra a les dues gràfiques inferiors de la figura anterior: Si s’injecta senyal pel
port 1, el senyal que surti pels ports 3 i 4 haurà de tenir la mateixa fase. El
mateix succeeix si s’injecta senyal pel port 2.
3.4.2. Anells híbrids de 90º

En aquest apartat veurem les característiques dels anells híbrids de 90º, descrivint-ne
el funcionament, construcció i propietats més rellevants.
Els anells híbrids de 90º es caracteritzen per aconseguir divisions equitatives de

senyal i poder actuar com a sumadors en quadratura.
105
Estructura (micropista branch-line) i funcionament ideal a f0

Fig. 66. Estructura micropista d’un anell híbrid de 90º.
⎧ −1
⎪b1 = 2 ( ja 3 + a 4 ) ⇒ Sumador en quadratura
⎪
⎡0 0 j 1 ⎤ ⎪b = − 1 (a + ja ) ⇒ Sumador en quadratura
⎢
− 1 ⎢0 0 1 j ⎥⎥ ⎪ 2 2
3 4
S= ⎨
2 ⎢ j 1 0 0⎥ ⎪b = − 1 ( ja + a ) ⇒ Sumador en quadratura
⎢1 j 0 0 ⎥ ⎪ 3 2
1 2
⎣ ⎦
⎪ −1
⎪b4 = (a1 + ja 2 ) ⇒ Sumador en quadratura
⎩ 2
Mirant la matriu de paràmetres S podem observar, per exemple, que si entrem una ona
pel port 1, aquesta es divideix equitativament entre els ports 3 i 4, amb una diferència
de fase de 90º, i el port 2 queda aïllat; i que si entrem pel port 2, la potència es divideix
equitativament també entre els ports 3 i 4, però amb un canvi de fase de -90º, amb el
port 1 aïllat. Aquest canvi de fase de 90º serà el que ens permetrà fer-lo servir com a
sumador en quadratura.
La fase global de –π (–1=e–jπ) es pot canviar amb un canvi de pla de referència o amb
implementacions diferents de l’anell, és a dir, no és important per al funcionament de
l’anell.
Observació: Un anell de 90º es pot transformar en un de 180º amb els canvis apropiats
de pla de referència.
Divisió de potencia
Vejam com efectivament es divideix la potència. Per exemple, entrarem senyal pel port
1, i l’analitzarem:
106
Fig. 67. Anell híbrid de 90º. Port 2 carregat amb Z0, ports 3 i 4 carregats amb impedàncies
arbitràries.
⎫ ⎧
2 2 2 2 2
1 b3 a3 1 a1 a3 1 a3
b1 = a1 (ΓL 4 − ΓL 3 ) ⎪ ⎪ PL 3 = − = − = P1+ − =
2 2 2 2 2 2 2 2
⎪ ⎪
j ⎪ 1
(
b2 = a1 (ΓL 3 + ΓL 4 )⎪ ⎪ = P1+ 1 − ΓL 3
2 ⎪ 2
)
2
⎬⇒ ⎨ 2 2 2 2 2
− j ⎪ ⎪ b4 a4 1 a1 a4 1 a4
b3 = a1 PL 4 = − = − = P1+ − =
2 ⎪ ⎪ 2 2 2 2 2 2 2
−1 ⎪ ⎪
b4 =
2
a1 1
(
⎪ ⎪ = P1+ 1 − ΓL 4 2
⎭ ⎩ 2
)
En aquest cas concret, també es comporta de manera anàloga a un divisor de

Wilkinson, pel que fa a l’aïllament i a la divisió de potència entre els ports 1 i els 3 i 4.
Si considerem ara, ΓL2 part del circuit i ΓL3 y ΓL4 càrregues (dispositiu funcionant com a
divisor de potència: port 1 d’entrada, ports 3 i 4 de sortida), veiem que si ΓL3=ΓL4, tenim
que no hi ha reflexió en el port d’entrada 1, ja que b1=0. Si ara els ports 3 i 4 no estan
ben adaptats i són diferents(ΓL3≠ΓL4), les reflexions dels ports 3 i 4 les consumeix la
càrrega del port 2 (ΓL2=0). Per tant, si bé existeix divisió de potència i aïllament, tenim
pèrdua de potència en el sistema (la càrrega del port 2 la considerem part del nostre
sistema).
Comportament ideal en freqüència

A les gràfiques de la figura següent es mostra el comportament ideal que tindrà un
anell híbrid dissenyat per a la freqüència f0, funcionant com a divisor de potència. Aquí
també es pot observar com efectivament la diferència de fase entre els senyals que
surten pels ports 3 i 4 és de 90º a la freqüència f0.
107
Fig. 68. Resposta en freqüència d’un anell híbrid de 90º
Factors de mèrit en anells híbrids de 90º

Els anells híbrids de 90º reals (i els ideals fora de la freqüència de disseny f0) degraden
les prestacions respecte de la matriu de paràmetres S ideal. Per tant, per a poder
caracteritzar la seva bondat, es defineixen una sèrie de figures de mèrit (les mateixes
que per a l’anell híbrid de 180º):
• Pèrdues de retorn: RL= - 20log(|Sii|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.

• Pèrdues d’inserció: IL= - 20log(|S13 o S14 o S23 o S24|). Idealment 3dB a la
freqüència central f0.
• Aïllament = - 20log(|S12 o S34|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.
• Desfasatge entre ports. Idealment serà el que indiqui la matriu de paràmetres
S. El que és interessant és la fase relativa entre ports. Com per exemple es
mostra a les gràfiques de la figura anterior: Si s’injecta senyal pel port 1, el
senyal que surti pels ports 3 i 4 haurà d’estar en quadratura (90º de diferència).
Anells híbrids de 90º amb elements discrets

Depenent de l’aplicació, no sempre serà possible implementar un anell híbrid de 90º
amb línies de transmissió. Per aquest motiu s’han cercat altres formes d’implementar-
los que tinguin la mateixa resposta, però amb elements discrets.
Una forma d’implementar l’anell híbrid de 90º amb elements discrets (sense utilitzar
línies de transmissió), és la que es mostra a la figura següent:
108
Fig. 69. Anell híbrid de 90º implementat amb elements discrets.
Del qual, la matriu de paràmetres S i les equacions de disseny són:
1
C1 =
ω0 Z 0 ⎡0 0 j 1 ⎤
Z0 ⎢ ⎥
− j ⎢0 0 1 j ⎥
Lh = S=
2ω0 2 ⎢ j 1 0 0⎥
2 −1 ⎢1 j 0 0 ⎥
C2 = ⎣ ⎦
ω0 Z 0
3.4.3. Acobladors direccionals

En aquest apartat veurem les característiques dels acobladors direccionals, descrivint-
ne el funcionament, construcció i propietats més rellevants.
Acobladors direccionals. Descripció

Els acobladors direccionals es caracteritzen pel fet de ser capaços d’extreure
informació de senyals que viatgen (superposades) en sentits diferents en una línia de
transmissió.
Un acoblador direccional queda caracteritzat, a la freqüència de disseny f0, per:
⎡ 0 0 τe jϕ1 ke jθ1 ⎤
⎧k ,τ ∈ [0,1]
⎢
0 0 ke jθ 2 τe jϕ2 ⎥⎥ ⎪ 2
S = ⎢ jϕ ⎨k + τ = 1 k << 1 τ → 1
2
⎢τe 1 ke jθ 2 0 0 ⎥ ⎪θ + θ = ϕ + ϕ ± π
⎢ jθ ⎥ ⎩ 1
τe jϕ 2
2 1 2
⎣ke 1 0 0 ⎦
109
Funcionament
Observem com efectivament amb aquesta matriu de paràmetres S podem distingir
entre un senyal que viatgi en un sentit en un línia de transmissió i un altre que viatgi en
sentit contrari. Concretament per una banda injectarem senyal pel port 1, i veurem com
pràcticament resta inalterat sortint pel port 3 i n’obtenim una petita mostra pel port 4.
D’altra banda, injectarem senyal pel port 3, que sortirà pràcticament inalterat pel port 1,
i n’obtenim una petita mostra pel port 2.
Fig. 70. Esquema de funcionament de l’acoblador, injectant senyal pels ports 1 i 3.
b1 = τe 1 a3 ≈ e 1 a3
jϕ jϕ
jθ
b2 = ke 2 a3 << a3
b3 = τe 1 a1 ≈ e 1 a1
jϕ jϕ
jθ
b4 = ke 2 a1 << a1
Per tant:
• Les ones que viatgen del port 1 cap al port 3 i viceversa, passen per l’acoblador
sense modificar-se pràcticament (es desfasen de manera igual i pràcticament
no pateixen pèrdues).
• De l’ona que viatja cap a la dreta, del port 1 al port 3 (a1 o b3), surt una petita
mostra acoblada (afectada de k i una fase) pel port 4.
• De l’ona que viatja cap a l’esquerra, del port 3 al port 1 (a3 o b1), surt una petita
mostra acoblada (afectada de k i una fase) pel port 2.
• Per tant, l’acoblador direccional ens treu mostres de senyals que viatgen
superposades en direccions diferents per ports diferents, de manera que
podem fer-nos una idea de com són aquests senyals que, sense l’acoblador
direccional, només podríem mesurar de manera conjunta en el port 1 o 3.
• Respecte el senyal a1, els ports es denominen: d’entrada (1), de sortida (3),
aïllat (2) i acoblat (4). Respecte a a3, d’entrada (3), de sortida (1), aïllat (4) i
acoblat (2).
Implementació d’un acoblador

Els acobladors direccionals s’acostumen a realitzar amb línies acoblades.
Unes línies de transmissió acoblades consisteixen en dos línies de transmissió
pròximes de manera que hi hagi interacció electromagnètica entre elles.
110
Unes línies de transmissió acoblades constitueixen un nou tipus de línia de transmissió
multimodal, que propaga dos modes a la vegada (dos configuracions de camps
diferents) de manera independent, denominats mode parell (amb simetria elèctrica, i
caracteritzat per una impedància característica Z0e i una constant de propagació βe) i
mode imparell (amb simetria elèctrica, i caracteritzat per una impedància característica
Z0o i una constant de propagació βo).
Per a un entorn micropista:
Fig. 71. Descomposició modal (mode parell i mode senar) per un entorn micropista
acoblat.
Construïm l’acoblador direccional connectant a un tram de longitud λ0/4 (on f0 és la

freqüència de disseny) de línies acoblades els quatre ports del circuit, realitzats sobre
línies normals.
Fig. 72. Acoblador direccional implementat amb línies micropista acoblades.
Perquè el circuit es comporti com un acoblador direccional cal que:
Z0 = Z0e Z0o
Z0e − Z0o
k=
Z 0e + Z 0o
111
A partir de Z0 i k trobem els valors necessaris de Z0e i Z0o, i a partir d’aquests valors,
les dimensions físiques del tram de línies acoblades (separació entre pistes i amplada
de pistes).
Si es compleixen les condicions anteriors, l’adaptació i l’aïllament entre ports és
perfecte i es compleix:
1− k 2
S11 = 0 S 31 =
1 − k cos( βd ) + j sin( βd )
2
jk ⋅ sin( βd )
S 21 = 0 S 41 =
1 − k cos( βd ) + j sin( βd )
2
Comportament en freqüència
A continuació es mostren els paràmetres S d’un acoblador direccional dissenyat amb
k2=0.1:
Fig. 73. Comportament freqüencial d’un acoblador direccional per a k2=0.1
Com es pot observar a les gràfiques, el pas de senyal entre els ports 1 i 3 pràcticament
és perfecte i no té pèrdues a la freqüència de disseny f0 (|S13|≈0dB). L’acoblament és
de 10dB (|S14|≈-10dB). L’aïllament recordem que ve donat pel paràmetre |S12| i que en
aquest cas és ∝dB i per això no s’ha representat.
112
Factors de mèrit en acobladors direccionals
Els acobladors direccionals reals (i els ideals fora de la freqüència de disseny f0)
degraden les prestacions respecte de la matriu de paràmetres S ideal. Per tant, per a
poder caracteritzar la seva bondat, es defineixen una sèrie de figures de mèrit:
• Pèrdues de retorn: RL= - 20log(|Sii|). Idealment ∞.

• Pèrdues d’inserció: IL= - 20log(|S13 o S24|). Idealment - 20log(|τ |) ≈0dB a la
freqüència central f0.
• Acoblament= - 20log(|S14 o S23|). ÉS EL PARÀMETRE DE DISSENY.
S’ESPECIFICA PER A UN VALOR DETERMINAT (10dB, 20dB, ...). Idealment
- 20log(|k|) a la freqüència central f0.
• Aïllament = - 20log(|S12 o S34|) = quantitat de senyal que es desvia cap el port
aïllat (cal que sigui molt major que l’acoblament per no emmascarar el senyal
acoblat). Idealment ∞.
• Directivitat = Aïllament- Acoblament. Cal que sigui el més gran possible (com
més gran, millor l’acoblador). Idealment ∞.
Acobladors direccionals amb elements discrets

Depenent de l’aplicació, no sempre serà possible implementar un acoblador amb línies
de transmissió. Per aquest motiu s’han cercat altres formes d’implementar-los que
tinguin la mateixa resposta, però amb elements discrets.
Una forma d’implementar un acoblador direccional amb elements discrets (sense
utilitzar línies de transmissió), és la que es mostra a la figura següent:
Fig. 74. Acoblador direccional amb elements discrets.
Del qual, la seva matriu de paràmetres S és:
⎡ 1 2n 2 − 1 2n 2 − 1 1 ⎤
⎢ 2n 2 2n 2 2n 2 n ⎥
⎢ −1 −1 −1 2n − 1⎥
2
⎢ ⎥
S ( n ≥ 3) ≈ ⎢ 22n 2n n 2n 2 ⎥
3 2
⎢ 2n − 1 −1 −1 −1 ⎥
⎢ 2n 2 n 2n 2
2n 3 ⎥
⎢ 1 2n − 1
2
−1 1 ⎥
⎢⎣ n 2n 2
2n 3
2n 2 ⎥⎦
113
Per a n≥3
Pèrdues d’inserció ≤ 0.5dB

Pèrdues de retorn ≥ 25dB
Acoblaments assolibles ≥ 9.5dB
Aïllament ≥ 34.5dB
Directivitat ≥ 25dB
114
SESSIÓ 11
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
comprensió dels conceptes apresos fins ara.
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem dos problemes per veure algunes de les aplicacions
dels circuits estudiats fins ara.

En aquesta sessió analitzarem el comportament de divisors de Wilkinson i anells
híbrids en combinació amb altres elements.
Problema 3.1
En aquest problema analitzarem un repartidor d’antena realitzat amb quatre divisors de
Wilkinson i línies de transmissió (en un entorn micropista).
Per a alimentar una agrupació de quatre antenes micropista a 1 GHz s’usa un divisor
de potència com el de la Fig. 113.
l1,Z0 l2,Z0
5
Div.
Wilk.
4
Div.
1 l2,Z0
Wilk.
3
Div.
Wilk.
2
Fig. 75. Divisor de potència micropista
115
Aquest divisor s’ha realitzat a partir de divisors de Wilkinson de matriu de paràmetres
S:
⎡0 1 1 ⎤
e jθ ⎢
S= 1 0 0⎥⎥
2 ⎢
⎢⎣1 0 0⎥⎦
(a) Trobeu la matriu de paràmetres S global del divisor a la freqüència d’1 GHz.
(b) Quins desfasaments aconsegueix subministrar a cada antena si l1=λ/2 i l2=λ/4?
(c) Proposeu una manera alternativa d’aconseguir el mateix que en l’apartat (b),
utilitzant elements que no siguin divisors de potència.
(d) Raoneu qualitativament (no ho calculeu) com canviaria la matriu de paràmetres
S global si eliminéssim les resistències dels divisors de Wilkinson. En què afectaria
això la configuració d’antenes que ha d’alimentar el divisor?
Problema 3.16
En aquest problema analitzarem el comportament d’un circuit que incorpora dos
amplificadors iguals i dos anells híbrids.
Per a millorar l’adaptació d’un amplificador de microones, es pot utilitzar una

configuració balancejada com la de la Fig. 114. Demostreu, calculant els paràmetres S
globals del sistema, que efectivament s’aconsegueix millorar l’adaptació.
Amplif.
2 4 2 4
90º 90º
Z0
Z0 0º 0º
Amplif. 0º 0º
1 3 1 3
90º 90º
Fig. 76. Configuració balancejada d’amplificadors.
Les matrius de paràmetres S dels anells híbrids i amplificadors són:
⎡0 0 j 1 ⎤
⎢ ⎥
− 1 ⎢0 0 1 j ⎥ ⎡α 0⎤
S hibrid = S amplif = ⎢
2 ⎢ j 1 0 0⎥ ⎣γ β ⎥⎦
⎢ ⎥
⎣1 j 0 0 ⎦
116
SESSIÓ 12
Nom: circuladors i filtres
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquesta sessió estudiarem dos tipus de circuits de natura i comportament força
diferents, els circuladors i els filtres.
CONTINGUTS
En aquesta sessió descriurem el comportament dels circuladors, sense entrar en el
perquè del seu funcionament, i de diversos tipus de filtres, analitzant amb detall només
una metodologia de realització de filtres passabaix.
3.6. Circuladors
Els circuladors són circuits de microones basats en elements anisotròpics (ferrites), de
característiques externes (paràmetres S) senzilles. L’explicació detallada del seu
funcionament intern és complicada, però, i no l’abordarem.
3.6.1. Circuladors. Descripció

Els circuladors són circuits de microones no recíprocs, sense pèrdues, perfectament
adaptats i amb alguns dels seus ports aïllats.
Son xarxes de tres ports passives, no recíproques (Sij≠Sji, es fabriquen utilitzant

ferrites) i sense pèrdues.
Es dissenyen i s’ajusten per a funcionar a una determinada freqüència central f0.
3.6.2. Simbologia i funcionament

El símbol que s’utilitza per a descriure un circulador és el que es mostra a la figura
següent. S’ha representat un circulador de tres ports. El sentit de la circulació del
senyal (a la freqüència central f0) ve marcat per la fletxa. En el primer cas, el senyal
circularà en el sentit de les agulles del rellotge: el senyal que entri pel port 1, passarà
al port 2 (i no al port 3); el senyal que entri pel port 2, passarà al port 3 i el que entri pel
117
port 3, passarà cap al port 1. El segon dibuix de la figura representa el sentit contrari
de gir: el senyal circula en sentit antihorari.
Fig. 77. Símbols del circulador, amb les fletxes que mostren el sentit de circulació del
senyal.
Matriu de paràmetres S del circulador on el senyal gira en sentit horari:
e 1 ⎤ ⎧b1 = e a3 ⎫
jϕ
1
jϕ
⎡ 0 0
⎢ jϕ ⎥ ⎪ jϕ
⎪
S = ⎢e 2 0 0 ⎥ ⇒ ⎨b2 = e 2 a1 ⎬ ⇒
⎢⎣ 0 0 ⎥⎦ ⎪b = e jϕ3 a ⎪
jϕ
e 3
⎩ 3 2⎭
⎧3 ⎫ ⎧1 ⎫
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⇒ El que entra per ⎨1 ⎬ surt per ⎨2⎬ ⇒" gira"
⎪2 ⎪ ⎪3 ⎪
⎩ ⎭ ⎩ ⎭
Matriu de paràmetres S del circulador on el senyal gira en sentit antihorari:
0 ⎤ ⎧b1 = e a 2 ⎫
jϕ
1
jϕ
⎡ 0 e 1
⎢ jϕ ⎥
⎪ ⎪
S=⎢ 0 e 2 ⎥ ⇒ ⎨b2 = e 2 a3 ⎬ ⇒
jϕ
0
⎢⎣e 3 0 ⎥⎦ ⎪b = e jϕ3 a ⎪
jϕ
0
⎩ 3 1 ⎭
⎧2⎫ ⎧1 ⎫
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⇒ El que entra per ⎨3 ⎬ surt per ⎨2⎬ ⇒" gira"
⎪1 ⎪ ⎪3 ⎪
⎩ ⎭ ⎩ ⎭
118
3.6.3. Factors de mèrit en circuladors
Els circuladors reals degraden les prestacions respecte de la matriu de paràmetres S
ideal. Per tant, per a poder caracteritzar la seva bondat, es defineixen una sèrie de
figures de mèrit (per exemple, per al primer circulador):
Pèrdues de retorn: RL= - 20log(|Sii|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.
Pèrdues d’inserció: IL= - 20log(|S21 o S32 o S13|). Idealment 0dB a la freqüència central
f0.
Aïllament = - 20log(|S12 o S23 o S31|). Idealment ∞ a la freqüència central f0.
Fig. 78. Circulador on les fletxes amb línia contínua indiquen el sentit de circulació que
no hauria de presentar pèrdues per al pas del senyal, i les fletxes amb línia discontínua
indiquen el pas de senyal que no hauria de succeir.
3.7. Filtres
En aquest apartat veurem diverses metodologies de disseny de filtres de microones,
totes basades en el disseny de filtres LC utilitzat a baixa freqüència. Només
estudiarem algunes de les metodologies existents, i amb diferents graus de
profunditat.
3.7.1. Filtres passabaix

De les diverses metodologies de disseny de filtres passabaix, n’estudiarem només una
basada en la substitució d’elements L o C per trams curts de línia de transmissió, per
la seva simplicitat analítica, que ens permetrà deduir-ne rigorosament la metodologia a
emprar.
• No hi ha una metodologia pròpia de disseny de filtres de microones.

• Les metodologies existents es basen en la síntesi de filtres L-C, aproximant a
posteriori els diversos elements o blocs L-C per estructures amb línies de
transmissió.
119
• Les aproximacions tenen caràcter local (en freqüència) i per tant validesa local,
fet que implica que fora de la zona d’interès/disseny ens apareixen
habitualment bandes espúries de pas o atenuades.
• Hi ha moltes metodologies d’aproximació d’elements L-C. N’estudiarem només
algunes.
Disseny de filtres passabaix

Volem realitzar un filtre passabaix amb freqüència de tall fc, per inserir-lo entre un
generador i una càrrega d’impedància Z0:
Fig. 79. Filtre passabaix inserit entre generador i càrrega.
Primerament resoldrem el filtre com si fos un filtre L-C normal i corrent:
1. Normalitzem en impedància (respecte de Z0) i en freqüència (respecte d’fc)
Fig. 80. Normalització en freqüència i impedància de les especificacions del filtre.
2. A partir de les especificacions d’atenuació desitjades, calculem l’ordre del filtre,

N, i els coeficients gi, i=1..N, de l’equivalent passabaix
Fig. 81. Tipologies de filtres: La primera és amb els elements en T i la segona, en Π.
120
3. Desnormalitzant calculem els valors L i C del filtre:
Fig. 82. Desnormalització dels valors obtinguts de l’equivalent passabaix (el normalitzat).
Aproximació dels elements L-C per trams de línies de transmissió

A continuació, intentarem aproximar els elements del filtre L-C per trams de línia de
transmissió:
Les equivalències les obtindrem comparant els paràmetres ABCD dels següents
circuits:
Fig. 83. Tram de línia de transmissió que, ajustant els seus paràmetres, pot representar
el condensador o la bobina del valor desitjat.
Un tram de línia de transmissió pot representar un condensador en paral·lel o una

bobina en sèrie del valor desitjat sota unes determinades condicions com ara veurem.
A continuació tenim, d’esquerra a dreta, les matrius de paràmetres ABCD d’una línia
de transmissió, d’una impedància en sèrie, i d’una impedància en paral·lel:
⎡ cos(βd ) jZ 01 sin( βd )⎤ ⎡1 Z ⎤ ⎡1 0⎤
ABCDLT = ⎢ ABCD = ABCD = ⎢Y
⎣ jY01 sin( βd ) cos( βd ) ⎥⎦ Z ⎢0 1 ⎥
⎣ ⎦
Y
⎣ 1⎥⎦
Ara mostrarem quines aproximacions/consideracions s’han de fer perquè una L.T. es

comporti com una bobina en sèrie o un condensador en paral·lel:
Aproximació 1:
Si fem que la línia de transmissió tingui una longitud tal que βd<0.5, llavors podrem
realitzar les següents aproximacions a la seva matriu de paràmetres ABCD:
cos(βd)≈1, sin(βd)≈ βd
Per tant, sota aquesta aproximació, la matriu de paràmetres ABCD de la L.T. queda
com:
121
⎡ 1 jZ 01 βd ⎤
ABCDLT ≈ ⎢
⎣ jY01 βd 1 ⎥⎦
Aproximació 2:
a) Perquè la L.T. representi una inductància en sèrie: Si a més de l’aproximació 1, fem
que la impedància característica de la L.T. sigui alta (Z01=Z0H>>1), llavors l’admitància
característica serà baixa Y01<<1 (la constant de propagació l’anomenarem β=βH). Sota
aquestes condicions tindrem que a la matriu de paràmetres ABCD podem aproximar el
terme jY01βHd per 0.
Per tant, amb les consideracions anteriors, la matriu ABCD de la L.T. queda
directament comparable a la matriu de paràmetres ABCD d’una bobina en sèrie:
⎡ 1 jZ 01 βd ⎤ ⎡1 jZ 0 H β H d ⎤ ⎡1 jωL⎤
ABCDLT ≈ ⎢ ≈ ⎥ = ⎢0 = ABCDL ⇔ jZ 0 H β H d = jωL
⎣ jY01 βd 1 ⎥⎦ ⎢⎣0 1 ⎦ ⎣ 1 ⎥⎦
Llavors podem substituir una inductància en sèrie per una L.T. d’impedància
característica gran (Z0H), amb constant de propagació βL. Com que la velocitat de
propagació a la línia de transmissió és cH= / H, el valor de la inductància el podem
ajustar en la L.T. fent que d=L·cH/Z0H.
Recalquem que aquesta aproximació serà vàlida mentre es compleixin les hipòtesis
fetes anteriorment.
Si considerem ara que el valor d’inductància que tenim està normalitzat (L’=g), i
incloem la desnormalització en freqüència i la impedància del seu valor, tindrem que:
c c Z ⎧ ω ⎫⎪ gZ
d= H L = H g 0 = ⎪β = c = 0
⎨ cH ⎬
Z Z ω c ⎪⎭ Z 0 H β cH
0H 0H c ⎪⎩ H
I ja sabrem quina longitud d ha de tenir la L.T. perquè presenti el valor d’inductància

desitjat.
b) Perquè la L.T. representi un condensador en paral·lel: Si fem que l’admitància

característica de la L.T. sigui alta (Y01=Y0L>>1), llavors la impedància característica
serà baixa Z01<<1 (la constant de propagació l’anomenarem en aquest cas β=βL). Amb
aquestes condicions tindrem que a la matriu de paràmetres ABCD podem aproximar el
terme jZ01βLd per 0.
Per tant, amb les consideracions anteriors, la matriu ABCD de la L.T. queda
directament comparable a la matriu de paràmetres ABCD d’un condensador en
paral·lel:
⎡ 1 jZ 01 βd ⎤ ⎡ 1 0⎤ ⎡ 1 0⎤
ABCDLT ≈ ⎢ ≈ =⎢ = ABCDC ⇔ jY0 L β L d = jωC
⎣ jY01 βd 1 ⎥⎦ ⎢⎣ jY0 L β L d ⎥
1⎦ ⎣ jωC 1⎥⎦
122
Llavors podem substituir un condensador en paral·lel per una L.T. d’impedància
característica petita (Z0L), amb constant de propagació βL. Com que la velocitat de
propagació a la línia de transmissió és cL=ω/βL, el valor de la capacitat el podem
ajustar en la L.T. fent que d=C·cLZ0L.
Aquí també recordarem que l’aproximació serà vàlida mentre es compleixin les
hipòtesis fetes anteriorment.
Si considerem ara que el valor de capacitat que tenim està normalitzat (C’=g), i
incloem la desnormalització en freqüència i impedància del seu valor, tindrem que:
g ⎧ ω ⎫ gZ 0 L
d = Cc L Z 0 L = c L Z 0 L = ⎨β cL = c ⎬ =
Z 0ω c ⎩ c L ⎭ Z 0 β cL
I ja sabrem quina longitud d ha de tenir la L.T. perquè presenti el valor capacitat

desitjat.
Resum dels passos per a dissenyar el filtre

Amb el que acabem de veure, per dissenyar un filtre amb L.T., seguirem aquests
passos:
1. Escollirem els valors més extrems Z0H i Z0L que ens permet la tecnologia de
fabricació. Fixant aquests valors, fixem també cH i cL.
2. Determinarem els valors del filtre passabaix LC (normalitzats o no)
3. A partir de les fórmules anteriors, calcularem les longituds dels trams de L.T.
equivalents per ajustar el valor d’L o C desitjat.
Fig. 84. Filtre passabaix amb components L-C (esquerra) i el seu equivalent amb L.T.
micropista (dreta).
Limitacions del mètode

1. No té en compte l’efecte de les transicions.
2. Les aproximacions fetes seran correctes mentre els termes β, d siguin prou
petits: a altes freqüències deixaran de complir-se originant noves bandes de
pas. Exemple: Butterworth d’ordre N=3 sintetitzat amb L.T. de Z0H=2Z0 i
Z0L=0.2Z0 .
123
Fig. 85. Resposta en freqüència d’un filtre passabaix implementat amb elements L-C i del
mateix filtre implementat amb L.T.
3.7.2. Filtres passabanda i de banda eliminada

Un altre cop, de les moltes metodologies de disseny possible, en presentarem, sense
demostrar-les, només algunes, a tall d’exemple.
Volem realitzar un filtre passabanda o de banda eliminada amb freqüències de tall fc1 i
fc2, per inserir-lo entre un generador i una càrrega d’impedància Z0:
Fig. 86. Filtre passabanda o de banda eliminada inserit entre generador i càrrega.
Passos que cal seguir:

1. Trobem les característiques del filtre normalitzat passabaix equivalent amb
freqüència de tall normalitzada ωc’=1:
Z0 1 2 Z0/Z0=1 1 2
BPF
o LPF
EBF Z0 fc’=1 Z0/Z0=1
fc1,fc2
1 ⎛ ω ω0 ⎞ ωc 2 − ωc1
ω ' = ⎜⎜ − ⎟ ω0 = ωc1ωc 2 Δ= ωc 2 ' = −ωc1 ' = ωc ' = 1 ( BPF )
Δ ⎝ ω0 ω ⎟⎠ ω0
−1
⎛ω ω ⎞ ωc 2 − ωc1
ω ' = Δ⎜⎜ − 0 ⎟⎟ ω0 = ωc1ωc 2 Δ= ωc 2 ' = −ωc1 ' = ωc ' = 1 ( EBF )
⎝ ω0 ω ⎠ ω0
124
2. Determinem l’ordre N del filtre normalitzat passabaix equivalentment
3. Trobem els coeficients gn, n=1, ..., N, g0=gN+1=1
4. Construïm el filtre passabanda o de banda eliminada segons diverses
metodologies. P.e:
a. Filtre de banda eliminada:
Fig. 87. Configuració de filtre de banda eliminada implementat amb L.T.
b. Filtre passabanda micropista amb línies acoblades (si

l’ordre del filtre és N hi ha N+1 seccions de línies
acoblades):
Fig. 88. Configuració de filtre passabanda implementat amb L.T. acoblades.
1 Δπ
J1 =
Z0 2 g1
( )
Z 0 ei = Z 0 1 + J i Z 0 + ( J i Z 0 )
2
Jn =
1 Δπ
n = 2,..., N
= Z (1 − J Z + (J Z ) ) Z 0 2 g n g n −1
2
Z 0 oi 0 i 0 i 0
1 Δπ
J N +1 =
Z0 2gN
125
c. Filtre passabanda:
Fig. 89. Configuració de filtre passabanda implementat amb L.T.
126
SESSIÓ 13
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
CONTINGUTS

En aquesta sessió analitzarem el comportament d’acobladors direccionals i circuladors
en combinació amb altres elements.
Problema 3.27
En aquest problema compararem el comportament real amb l’ideal d’un acoblador
direccional treballant en una configuració habitual (com a part d’un sistema de
monitoratge d’ROE o de coeficient de reflexió d’antena).
Per a realitzar proves d’immunitat electromagnètica radiada en la cambra anecoica de

l’Escola es necessita alimentar una antena calibrada amb un to de potència elevada i
dins del marge de freqüències de 30 MHz a 1 GHz. Aquesta potència no pot
aconseguir-se amb un generador de funcions convencional, i per tant cal amplificar el
senyal que ens dóna. El transistor de l’etapa de sortida de l’amplificador de potència
de banda ampla necessari és molt sensible a potències incidents en el seu port de
sortida (provinents de reflexions provocades per la desadaptació de l’antena). Per tant
caldrà monitorar el coeficient de reflexió de l’antena, a través d’un sistema de mesura
de coeficient de reflexió basat en un acoblador direccional i dos detectors de potència
(que suposarem que estan perfectament adaptats a Z0=50 Ω), per tal de poder
desconnectar l’amplificador si es detecta un coeficient de reflexió d’antena perillós (Fig.
128).
127
G. Func. Amplif.
Fig. 90. Sistema de monitoratge de reflexions d’antena.
La mesura de coeficient de reflexió amb un acoblador direccional ideal es faria com es

mostra a la Fig. 129.
Fig. 91. Mesura de |ΓL| amb un acoblador direccional.
2 2 2 2
2 P 1
b2 a3 k b3 ΓL k τa1ΓL k 2 2
ΓL = 2 = 2
2
= 2
= 2
= 2
= τΓL ≈ ΓL
mesurat
P4 1
2 b4 a1 k a1 k a1 k
Amb un acoblador direccional real el valor mesurat a partir de les relacions de potència
(|ΓL|MESURAT) i el valor real de coeficient de reflexió de càrrega (ΓL) diferiran més o
menys en funció de les no idealitats de l’acoblador direccional (pèrdues de retorn,
directivitat). Això és el que succeirà amb l’acoblador direccional de banda ampla que
s’ha dissenyat per a mesurar ΓL (disposició, gràfiques i taules de paràmetres S del qual
es mostren a la Fig. 130 i a la Fig. 131). En aquest problema es pretén avaluar fins a
quin punt la mesura serà fiable i en quins marges de freqüència dins de la banda de 30
MHz a 1 GHz el comportament serà millor o pitjor.
(a) Identifiqueu els valors de pèrdues de retorn, pèrdues d’inserció, acoblament i

directivitat (aïllament). Són coherents amb el que es podria esperar d’un acoblador
direccional? Justifiqueu a què es deuen les petites variacions entre paràmetres
representats en la mateixa gràfica.
(b) Per a un acoblador direccional no ideal general en la mateixa configuració de

mesura que l’expressada en la figura, trobeu una expressió del valor de |ΓL|2MESURAT en
funció del valor de ΓL real que presenta la càrrega i dels paràmetres S (Sij) de
l’acoblador. Indiqueu en el resultat final a quina magnitud (pèrdues d’inserció, ...)
correspon cadascun dels paràmetres S que hi intervenen. Si voleu, feu la hipòtesi que
1-S33ΓL≈1
128
(c) A la vista dels resultats obtinguts en (b), quins valors de ΓL podran ser mesurats
amb més exactitud, els de mòdul petit o els de mòdul proper a 1? (Raoneu la
resposta).
(d) A partir de les taules i gràfiques de valors de l’acoblador direccional,

seleccioneu el valor de freqüència que fa la relació entre |ΓL|MESURAT i ΓL millor i el valor
que la fa pitjor. Raoneu la resposta.
(e) Per als dos valors freqüencials trobats en l’apartat (d), calculeu |ΓL|MESURAT per a
un valor de ΓL=0.5.
129
Fig. 92. Disposició i paràmetres S de l’acoblador direccional de banda ampla.
130
Fig. 93. Gràfiques dels paràmetres més representatius de l’acoblador de la Fig.
130.
Problema 3.11
En aquest problema analitzarem el comportament d’un circuit que incorpora dos
circuladors i que pot usar-se com a analitzador de xarxes escalar (permet mesurar
mòduls de paràmetres S).
Per a mesurar el mòdul dels paràmetres S d’un dispositiu quan no disposem d’un
analitzador de xarxes, es pot realitzar un procés de mesura alternatiu com el descrit a
continuació, que fa ús del següent material:
un generador de funcions sinusoïdal amb impedància de sortida no necessàriament
idèntica a la de referència que volem per al circuit per mesurar,
131
un analitzador d’espectres o mesurador de potència amb impedància d’entrada no
necessàriament idèntica a la de referència que volem per al circuit per mesurar, i
dos circuladors referits i calculats per a funcionar a la impedància de referència
volguda per al circuit per mesurar.
Procés de mesura de |S11|: es pot dividir en dues fases, una anomenada de

calibratge i l’altra de mesura:
Fase de calibratge (Fig. 132). Es mesura la potència neta a l’entrada de l’analitzador

d’espectres, PLC, en la següent configuració:
Fig. 94. Fase de calibratge.
Fase de mesura (Fig. 133). Se substitueix el curtcircuit final pel dispositiu a mesurar
amb el port de sortida carregat amb la impedància de referència. En l’analitzador
d’espectres es mesura una potència neta PLM.
Fig. 95. Fase de mesura.
PLM
(a) Demostreu que S11 = . Com calcularem |S22|?
PLC
Procés de mesura d’|S21|: es pot dividir en dues fases, una anomenada de calibratge
i l’altra de mesura:
132
Fase de calibratge (Fig. 134). Es mesura la potència neta a l’entrada de l’analitzador
d’espectres, PLC, en la següent configuració:
Fig. 96. Fase de calibratge.
Fase de mesura (Fig. 135). Se substitueix el curtcircuit final pel dispositiu que cal
mesurar amb el port de sortida carregat amb la impedància de referència. En
l’analitzador d’espectres es mesura una potència neta PLM.
Fig. 97. Fase de mesura.
PLM
(b) Demostreu que S 21 = . Com calcularem |S12|?
PLC
(c) Com modificaríeu el procediment per a mesurar xarxes de més de dos ports?
133
134
SESSIÓ 14
Nom: Díodes PIN
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
Ena aquesta sessió estudiarem el comportament dels díodes PIN, un element emprat
sovint per a confeccionar diversos circuits d’alta freqüència, com ara desfasadors
variables, interruptors i commutadors.
CONTINGUTS
Primerament estudiarem les característiques generals del díodes PIN. A continuació
estudiarem algunes de les seves aplicacions mitjançant problemes.
3.9. Díodes PIN

Els díodes PIN actuen a altes freqüències com a impedàncies lineals (no manifesten
cap comportament no lineal) controlades per una polarització de baixa freqüència. Les
seves aplicacions es basen en aquest fet: construir circuits d’alta freqüència amb un
comportament controlable per senyals de baixa freqüència.
3.9.1. Díodes PIN. Descripció

Els díodes PIN actuen a altes freqüències com a impedàncies lineals (no manifesten
cap comportament no lineal) controlades per una polarització de baixa freqüència. Les
seves aplicacions es basen en aquest fet: construir circuits d’alta freqüència amb un
comportament controlable per senyals de baixa freqüència.
Un díode PIN és una unió P-I-N (la zona intrínseca sol estar lleugerament dopada n o
p)
Fig. 98. Zones de dopades d’un díode PIN.
135
3.9.2. Funcionament a baixa freqüència
Si el polaritzen amb VLF>0, la seva resposta és com la d’un díode normal, circularà un
corrent ILF que dependrà d’aquesta tensió VLF i paràmetres característics del propi
díode (η=1.1, eficiència).
Si el polaritzem amb VLF<0, es comporta bàsicament com un condensador on la seva
capacitat Cj depèn de la tensió de polarització VLF.
Fig. 99. Resposta d’un díode PIN a baixa freqüència.
3.9.3. Funcionament a RF (amb una baixa freqüència

superposada)
Si polaritzem a baixa freqüència amb VLF>0 (circuit de l’esquerra), el díode es troba en
directa i només ofereix una petita resistència ZDON. Si per contra, el polaritzem a baixa
freqüència amb VLF<0 (circuit de la dreta), el díode es troba en inversa i ofereix una
impedància elevada ZDOFF.
Fig. 100. Funcionament d’un díode PIN a freqüències de RF (baixa freqüència

superposada).
El límit entre baixa freqüència i RF es dóna a fT=Dp/W2 (DP= constant de difusió de

forats a la zona intrínseca).
136
Moltes vegades podrem suposar que ZDON=0 i ZDOFF és pràcticament ∞ .
Des del punt de vista d’RF, un díode PIN es comporta com una impedància controlada
per un senyal de baixa freqüència (LF), per tant podem veure’l des del punt de vista
d’RF com una resistència petita ZDON=RI si està polaritzat en directa pel senyal de
baixa freqüència, o com una capacitat que presentarà una impedància molt gran ZDOFF,
si el senyal de baixa freqüència l’ha polaritzat en inversa:
Fig. 101. Model equivalent d’un díode PIN controlat per una tensió de LF, vist a
freqüències d’RF.
Si a aquest model senzill hi afegim efectes paràsits, podem obtenir un model més
complet del díode:
Fig. 102. Model d’un díode PIN amb efectes paràsits.
LP,RP i CP són efectes paràsits deguts a l’encapsulat, i RD i CD al mateix díode.

• Si díode en ON ⇒ R=RI i C=CPAR (una nova capacitat paràsita).
• Si díode en OFF ⇒ R=RPAR (una resistència de fuites) i C=Cj .
A freqüències prou altes els efectes paràsits poden modificar apreciablement el

funcionament del díode.
3.9.4. Polarització del díode

Cal que el circuit de polarització en baixa freqüència (LF) no afecti el senyal d’RF, i que
el senyal d’LF no es distribueixi cap a altres parts del circuit diferents del díode.
Perquè el senyal d’LF no es distribueixi cap a altres parts del circuit s’utilitzen DC-
BLOCKs, que són circuits que presenten impedància infinita a LF (i usualment
137
impedància 0 a RF). La manera més senzilla de realitzar-los és amb condensadors de
desacoblament o amb línies acoblades:
Fig. 103. Polarització del díode. Implementació de DC-BLOCKs mitjançant condensadors

o amb línies acoblades.
Ara, perquè el senyal d’RF no es vegi afectat pel circuit de polarització d’LF s’utilitzen
xocs d’RF, circuits que presenten impedància infinita a RF (i usualment impedància 0 a
LF). La manera més senzilla de realitzar-los és amb inductàncies o amb
transformadors λ/4, que a la freqüència d’interès es comportaran com un circuit obert:
Fig. 104. Polarització del díode. Implementació de xocs de RF mitjançant bobines o amb
transformadors λ/4.
Per tant, el díode amb els DC-BLOCKs i els xocs d’RF queda:
138
Fig. 105. Polarització del díode, amb els DC-BLOCKs i els xocs d’RF.
Els díodes PIN s’utilitzen fonamentalment per a fer interruptors, commutadors,

desfasadors variables i atenuadors variables.
Problema 3.22
En aquest problema analitzarem el funcionament d’un commutador basat en díodes
PIN. Compararem les seves prestacions ideals amb unes de més realistes obtingudes
a partir de valors de catàleg per als díodes. És important que tingueu en compte que
habitualment les xarxes de polarització en baixa freqüència d’un díode PIN no
s’indiquen en els diagrames circuitals (que mostren només el comportament a altes
freqüències). Es pretén realitzar un commutador a 1 GHz amb díodes PIN MA4P275-
287, que podem modelar, de manera simplificada com es mostra a la Fig. 144.
Fig. 106. Model per a un díode PIN.
Els paràmetres RS i Cj els obtindrem de les especificacions del fabricant (MACOM):
RS=0.5Ω
Cj=1pF
El commutador haurà de tenir una configuració sèrie com la de la Fig. 145.
139
Fig. 107. Commutador entre generador i càrregues.
Tenint en compte que un circuit en Γ té els paràmetres S que es mostren a la Fig. 146:
1 ⎡Z 1 Z 2 − Z 2 − 1 2Z 1
S= ⎢
Z 1 Z 2 + 2Z 1 + Z 2 + 1 ⎣ 2Z 1 Z1 Z 2 + Z 2 −1
Z
Z= Z 0 = 50Ω
Z0
Fig. 108. Paràmetre S d’un circuit en Γ.
(a) Indiqueu quines haurien de ser idealment (amb díodes ideals) les matrius de
paràmetres S del commutador en els dos estats de commutació (D1=ON, D2=OFF i
D1=OFF,D2=ON).
(b) Per a comprovar la bondat de la realització pràctica proposada, calculeu les
pèrdues d’inserció entre el port 1 i el port 2 del commutador en els dos estats de
commutació (D1=ON, D2=OFF i D1=OFF,D2=ON). Compareu els resultats amb els
ideals. Què podem esperar que passi en la resta de paràmetres?
(c) Dissenyeu les xarxes de polarització del commutador.
Problema 3.21
En aquest problema analitzarem el funcionament modulador (BPSK/BASK) basat en
díodes PIN. Adoneu-vos que el mateix circuit pot ser utilitzat com a desfasador
variable de 0º/180º o com a interruptor.
Es vol realitzar un modulador amb la configuració de la Fig. 147.
Fig. 109. Modulador amb híbrid de 180º.
140
Els díodes (PIN) se suposen ideals (ZDiON 0, ZDiOFF∞). La matriu de paràmetres S
de l'híbrid és:
⎡0 0 1 1⎤
⎢
− j ⎢0 0 1 − 1⎥⎥
S= Z = 50Ω
2 ⎢1 1 0 0⎥ 0
⎢ ⎥
⎣1 − 1 0 0⎦
(a) Trobeu la relació b4/a3 en funció del coeficient de reflexió ΓDi de cada díode.
(b) Quin ha de ser l'estat de conducció de cada díode en funció del senyal en
banda base per tal que el circuit es comporti com un modulador BPSK?
(c) Quin ha de ser l'estat de conducció de cada díode en funció del senyal en
banda base per tal que es comporti com un modulador BASK?
(d) Si els díodes no són ideals (ZDiON=3+j5) Ω, ZDiOFF=323+j56) Ω calculeu la
diferència de fases entre els dos estats de commutació. En què empitjora aquesta
realització respecte de la ideal?
141
142
SESSIÓ 15
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem dos problemes per a veure algunes de les aplicacions

En aquesta sessió analitzarem el comportament de diversos circuits basats en els
elements estudiats fins ara.
Problema 3.32
En aquest problema analitzarem un desfasador monolític (integrat en una pastilla
semiconductora) en què l’anell híbrid necessari es realitza amb elements ‘discrets’ L-C.
A l’article “Compact Reflective-Type Phase-Shifter MMIC for C-Band Using a Lumped-

Element Coupler” de F. Ellinger, R. Vogt i W Bächtold, (IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, vol. 49, no. 5, Maig 2001, pp. 913-917) es descriu
un desfasador variable monolític (realitzat sobre un substrat semiconductor d’AsGA)
que té com a base un anell híbrid de 90º realitzat amb elements discrets (inductàncies
i capacitats realitzades sobre el material semiconductor). La variació de fase
s’aconsegueix controlant la capacitat que presenten uns varactors FET en funció d’una
tensió de control Vcontrol.
(a) A partir dels valors que es donen per a inductàncies i capacitats, calculeu els
paràmetres S de l’anell híbrid (Fig. 148) a la freqüència central de disseny f0 (ω0=2πf0),
respecte d’una impedància de referència Z0. Té el comportament ideal que esperaríem
d’un anell híbrid?
143
1
C2 Lh C2
C1 =
ω0 Z 0
1 3
C1 C1 Z0
2 4
Lh =
Lh ω0 2
C2 C2
2 −1
C2 =
ω0 Z 0
Fig. 110. Anell híbrid de 90º amb components discrets.
Analitzeu a continuació el comportament de l’anell quan connectem dos varactors FET

en els seus ports 3 i 4 (Fig. 149). Els varactors FET poden modelar-se com una
capacitat variable CV en sèrie amb una petita resistència de valor RV<<Z0.
1 3 Γ RV
CV ε [CMIN ...CMAX]
[S] jX
2 4 Γ
Fig. 111. Esquema del desfasador.
(b) Calculeu els paràmetres S del circuit resultant. Deixeu el resultat en funció d’un
coeficient de reflexió, referit a Z0, dels varactors Γ (no substituïu el valors RV i CV).
Suposeu que la matriu de paràmetres S de l’anell híbrid és:
⎡0 0 1 j ⎤
⎢ jθ ⎥
e ⎢0 0 j 1 ⎥
S=
2 ⎢1 j 0 0 ⎥
⎢ ⎥
⎣ j 1 0 0⎦
(c) Quin serà el desfasatge entre una ona incident al port 1 (a1) i l’ona sortint pel
port 2 (b2). Deixeu el resultat en funció de Γ. Com afectarà al comportament del
sistema |Γ|?
(d) Si la impedància que carreguem als ports 3 i 4 és capacitiva (X<0), podent tenir
una component resistiva RV<<Z0, aleshores es demostra que la màxima diferència de
fase (diferència entre els desfasatges màxims i mínims que podem ocasionar en l’ona
b2) que podem aconseguir variant els valors d’aquesta reactància entre els seus valors
mínim XMIN i màxim XMAX és de:
( (
Δϕ = 2 arctg X MAX − arctg X MIN ) ( )) X =
X
Z0
Per al cas dels varactors FET, X MIN = −(ω 0 C MAX ) −1 i X MAX = −(ω 0 C MIN ) .
−1
144
Demostreu que podem millorar la màxima diferència de fase connectant en sèrie amb
el varactor FET una inductància L (Fig. 150). Tenint en compte que la fórmula anterior
és en principi només vàlida per a reactàncies negatives, quin és el valor d’L que
maximitza la diferència de fase?
arctg(a)
RV π/2
CV ε [CMIN...CMAX]
L jX
a
Fig. 112. Varactor amb inductància sèrie i funció arctg(a).
Problema 3.37
En aquest problema analitzarem de manera molt simplificada el funcionament d’un
analitzador de xarxes vectorial (instrument capaç de mesurar el mòdul i la fase de
paràmetres S d’un circuit).
Sigui el circuit, en disposició de micropista que es mostra en la Fig. 151, on Z1 és

bastant major que Z0.
4 3
λ/4
Z1
λ/4 Z0 Z0 λ/4
Z1
λ/4
2 1
Fig. 113. Estructura alternativa per a un acoblador direccional.
(a) Justifiqueu qualitativament (a partir de desfasaments, diferències d’impedància

i interferències constructives i destructives) que aquest circuit pot comportar-se
com un acoblador direccional. Justifiqueu que:
• |S11|<<1 (pèrdues de retorn)
• |S31|≈1 (pèrdues d’inserció)
• |S41|<<1 (acoblament)
• |S21|≈0, |S21|<<|S41| (aïllament)
(b) Per descomposició en mode parell-senar, calculeu els paràmetres S del circuit.
Sota la hipòtesi que Z1 és apreciablement major que Z0, es comporta com un
acoblador direccional?
145
146
SESSIÓ 16
Nom: Característiques electromagnètiques de les guies d’ones
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
Els objectius que perseguim en aquest apartat són bàsicament repassar i aprofundir
una mica en el comportament electromagnètic de guies d’ones, especialment les
rectangulars.
CONTINGUTS
Primerament veurem quines són les equacions que regeixen la propagació d’ones
electromagnètiques en guies d’ones cilíndriques metàl·liques genèriques. A
continuació analitzarem aspectes rellevants (modes dominants, freqüències de tall,
amples de banda monomodals, etc) de la propagació d’ones en guies d’ones
rectangulars, circulars i corrugades.
4. Circuits passius en guies d’ones
4.1. Guies d’ona cilíndriques

Són conductes farcits de dielèctric homogeni i que propaguen ones.
ε, μ
Fig. 114. Esquema genèric d’una guia d’ones cilíndrica genèrica.
147
Buscarem solucions en RPS, i en coordenades cartesianes o cilíndriques, de la forma
(el subíndex “F” indica fasor, i el subíndex “t” indica transversal a z):
E F ( x, y, z ) = E ( x, y ) ⋅ e −γz ⇔ E F (r , ϕ , z ) = E (r , ϕ ) ⋅ e −γz
(on E (x, y) = E (r, ϕ ) = E t (x, y) + E Z (x, y)ẑ = E t (r, ϕ ) + E Z (r, ϕ )ẑ
i E t = E x xˆ + E y yˆ = E r rˆ + Eϕ ϕˆ )
H F ( x, y, z ) = H ( x, y ) ⋅ e −γz ⇔ H F (r , ϕ , z ) = H (r , ϕ ) ⋅ e −γz
(on H (x, y) = H (r, ϕ ) = H t (x, y) + H Z (x, y)ẑ = H t (r, ϕ ) + H Z (r, ϕ )ẑ
i H t = H x xˆ + H y yˆ = H r rˆ + H ϕ ϕˆ )
Noteu que E i H no són directament els fasors de camp elèctric i de camp magnètic,
sinó dues funcions vectorials que, en ser multiplicades pel terme e −γz , ens donen els
fasors de camp elèctric i de camp magnètic E F i H F . Escollim cercar solucions amb
aquesta forma perquè, per al cas que γ sigui un nombre imaginari pur ( γ = jβ ), les
solucions que obtindrem correspondran a ones electromagnètiques que es propaguen
cap a les z creixents (tal com ens indicarà el terme e −γz = e − jβz ).
Els conjunts {E, H , γ } no poden prendre valors arbitraris. Cada conjunt vàlid de
{E, H , γ } (és a dir, cada conjunt vàlid d’ E
i H F ) s’anomena mode de propagació.
F
Aquests modes han de complir les equacions de Maxwell, que aplicades al nostre
problema es redueixen al següent conjunt d’equacions:
k 2 + γ 2 = kc
2
∇ t H z + (k 2 + γ 2 ) H z = 0⎫⎪
2
⎬ (1)
∇ t E z + (k 2 + γ 2 ) E z = 0⎪⎭
2
k = ω με
Et = 2
1
k +γ 2
[
jωωẑ × ∇ t H z − γ∇ t E z ⎪
⎫
⎪
]
⎬ (3)
Ht = 2
1
k + γ2
[
− jωωẑ × ∇ t E z − γ∇ t H z ⎪
⎪⎭
]
∂ ∂
∇t = xˆ + yˆ
∂x ∂y
∂ ∂
∇ t = rˆ + ϕˆ
∂r ∂ϕ
Ez Superficie del = 0⎫
conductor
⎪⎪ n̂
∂H z ⎬ (2)
= 0⎪
∂n
⎭⎪
Superficie del
conductor
En el procés de resolució amb (1) i (2), obtenim conjunts vàlids de E z , H z , k c { 2

}, que
ens permetran calcular E t i H t a partir de (3), i que ens definiran per tant E , H , γ . { }
148
{
Cada conjunt E , H , γ } (i per tant cada conjunt E F i H F ) s’anomena un mode de
propagació.
Tipus de modes per l’interior de la guia

1. Modes TE (transversals elèctrics): E z = 0
Et ⊥ Ht
ωμ Et
Z TE = j ⇒ H t = zˆ ×
γ Z TE
2. Modes TM (transversals magnètics): H z = 0
Et ⊥ Ht
γ Et
Z TM = ⇒ H t = zˆ ×
jωε Z TM
Per als dos tipus de modes:
2 2 2
⎛k ⎞ ⎛ω ⎞ ⎛ fc ⎞
kc = γ + k ⇒ γ = kc
2 2
2 2
− k = k ⎜ c ⎟ −1 = k ⎜ c ⎟ −1 = k
2
⎜⎜ ⎟⎟ − 1 =
⎝ k ⎠ ⎝ω ⎠ ⎝ f ⎠
⎧ 2 kc 2 ⎫
⎪ω c = → Pulsació de tall ⎪
⎪ με ⎪
⎛f ⎞
2
⎪⎪ ωc ⎪⎪
→ Freqüència de tall⎬ = με ⋅ ω c − ω 2
2
= jk 1 − ⎜⎜ c ⎟⎟ = ⎨ fc =
⎝ f ⎠ ⎪ 2π ⎪
⎪k = ω με ⎪
⎪ ⎪
⎪⎩ ⎪⎭
I amb això determinarem a partir de quina freqüència poden aparèixer els primers
modes i per tant, a partir de quina freqüència pot propagar-se un senyal a través de la
guia.
Si f > f c :
2
⎛f ⎞
γ = j ⋅ k 1 − ⎜⎜ c ⎟⎟ = jβ (ω ) ⇒ E F = E ⋅e − jβ (ω ) z
⎝12f ⎠
3
142<4 1
3
>0
142 43
∈ℜ
1442 44 3
β (ω )∈ℜ
149
El terme e − jβ( ω) z és el que indica propagació en la direcció de les z creixents.
ωμ ωμ
Z TE = j = ∈ℜ
jβ β
β β
Z TM = j = ∈ℜ
jωε ωε
En aquesta situació, la longitud d’ona en la guia és:
2π
λg =
β (ω )
que no s’ha de confondre amb la longitud d’ona d’una ona plana o esfèrica en un medi
il·limitat caracteritzat per μ i ε (c és la velocitat de la llum en aquest medi:
c 1
λ= = ≠ λg
f με f
Si f < f c :
2
⎛f ⎞
γ = k ⎜⎜ c ⎟⎟ − 1 = α (ω ) ⇒ E F = E ⋅e −α (ω ) z
f ⎠
⎝12 3
>1
14 24 3
>0
14243
∈ℜ
14 42 443
α (ω )∈ℜ
El terme e − α ( ω) z és el terme d’esvaïment. Indica que el mode “es nega” a propagar-se

per la guia: s’atenua ràpidament a mesura que hi avancem.
ωμ
Z TE = j ∈ℑ
α
α
Z TM = ∈ℑ
jωε
4.1.1. Guies d’ona rectangulars

y
b
ε, μ
x
z a
150
Fig. 115. Guia d’ones rectangular.
Per determinar els diferents modes que es propaguen per la guia d’ona utilitzem les
expressions (1) i les condicions de contorn de la guia d’ona rectangular.
Podem generalitzar l’expressió (1) com:
(∇ t + k c )ψ ( x, y ) = 0
2 2
On ψ ( x, y ) és E z ( x, y ) o H z ( x, y ) , segons si som en un mode TM o TE,

respectivament.
Una vegada conegudes les components E z ( x, y ) i H z ( x, y ) , podrem trobar les
components transversals, E t i H t .
Partirem de l’expressió:
(∇ t + k c )ψ ( x, y ) = 0
2 2
∇ t ψ ( x, y ) + k c ψ ( x, y ) = 0
2 2
⎛ ∂2 ∂2 ⎞
⎜⎜ 2 + 2 ⎟⎟ψ ( x, y ) + k c 2ψ ( x, y ) = 0
⎝ ∂x ∂y ⎠
i la resoldrem pel mètode de separació de variables. Partirem de la hipòtesi que

ψ ( x, y ) = Χ ( x ) ⋅ Υ ( y ) :
⎛ ∂2 ∂2 ⎞ ⎫
⎜⎜ 2 + 2 ⎟⎟ψ ( x, y ) + k c 2ψ ( x, y ) = 0 ⎪
⎝ ∂x ∂y ⎠ ⎪
∂ 2
∂ 2
⎫⎪⎪
ψ ( x, y ) = 2 Χ ( x ) ⋅ Υ ( y ) = Χ ' ' ( x ) ⋅ Υ ( y ) ⎪⎬ ⇒
∂x 2 ∂x ⎪⎪
⎬⎪
∂ 2
∂ 2
⎪⎪
ψ ( x , y ) = Χ ( x ) ⋅ Υ ( y ) = Χ ( x ) ⋅ Υ ' ' ( y )
∂y 2
∂y 2
⎪⎭⎪⎭
2
⇒ Χ' ' ( x) ⋅ Υ ( y ) + Χ( x) ⋅ Υ ' ' ( y ) + k c ⋅ Χ( x) ⋅ Υ ( y ) = 0
Dividim per Χ ( x )Υ ( y) :
Χ' ' ( x) Υ ' ' ( y ) 2

+ + kc = 0
Χ( x) Υ ( y)
151
Definim dues funcions:
Χ' ' ( x) ⎫
f 1 ( x) =
Χ( x) ⎪⎪
⎬
Υ ' ' ( y) ⎪
f 2 ( y) =
Υ ( y ) ⎪⎭
Per tant:
2
f 1 ( x) + f 2 ( y ) = −k c ∀x ∈ (0, a ), y ∈ (0, b)
Això només podrà ser cert si es compleix que:
Χ' ' ( x) 2 ⎫
f 1 ( x) = = −k x ⎪
Χ( x) ⎪ 2 2 2
⎬ → kc = k x + k y
Υ ' ' ( y)
= −k y ⎪
2
f 2 ( y) =
Υ ( y) ⎪⎭
Χ' ' ( x) + k x Χ ( x) = 0⎫⎪ ⎧ Χ ( x) = Asin(k x x) + Bcos (k x x)
2
⎬⇒ ⎨
Υ ' ' ( y ) + k y Υ ( y ) = 0⎪⎭ ⎩Υ ( y ) = Csin(k y y ) + Dcos(k y y )
2
Ara només cal aplicar les condicions de contorn referents a la guia d’ona rectangular,
que a la vegada dependran si estem en mode TM o TE.
Considerem primer els modes TM.
Modes TM, Hz=0

E z ( x , y ) = ψ ( x , y ) = Χ ( x ) ⋅ Υ ( y) =
(
= (Acos(k x x ) + Bsin (k x x ) ) ⋅ Ccos(k y y) + Dsin (k y y) )
Si seguim les condicions de contorn generals (2) i les particularitzem en el cas de la
guia d’ones rectangular:
y Ez(x,b)
b
Ez(0,y) Ez(a,y)
x [0,a]
y [0,b]
x
a
Ez(x,0)
Fig. 116. Camps a les parets de la guia.
E z = 0 a les quatre cares (perquè E z és tangencial a les parets de la guia):
152
x = 0, x = a
y = 0, y = b
1. x = 0 :
⎧A = 0
E z (0, y ) = A ⋅ (Ccos (k y y ) + Dsin(k y y ) ) = 0 ∀y ⇒ ⎨
⎩C = D = 0 ( Solució Trivial )
E z ( x, y ) = Bsin(k x x) ⋅ (Ccos (k y y ) + Dsin(k y y ) )
2. y = 0:
⎧ B = 0 ( Solució Trivial )
E z ( x,0) = Bsin(k x x) ⋅ C = 0 ∀x ⇒ ⎨
⎩C = 0
E z ( x,0) = Bsin(k x x) ⋅ Dsin(k y y )
3. x = a :
⎪
E z (a, y ) = Bsin(k x a ) ⋅ Dsin(k y y ) = 0 ∀y ⇒ ⎨ D = 0 ( Solució Trivial )
⎪ ky y = 0
⎩
sin(k x x) = 0
k x a = mπ
π
kx = m m∈Ν
a
4. y=b:
⎪
E z ( x, b) = Bsin(k x x) ⋅ Dsin(k y b) ∀x ⇒ ⎨ D = 0 ( Solució Trivial )
⎪⎩ kx x = 0
sin(k y b) = 0
k y b = nπ
π
ky = n n∈Ν
b
Per tant:
E z = E z 0 sin(k x x) sin(k y y )
153
π⎫
kx = m ⎪
a⎪
⎬ m, n ∈ Ν ↔ Les combinacions (m,0) i (0,n) donen solucions trivials.
π ⎪
ky = n
b ⎪⎭
2 2
2 2 2 ⎛ π⎞ ⎛ π⎞
kc = k x + k y = ⎜m⋅ ⎟ + ⎜n⋅ ⎟
⎝ a⎠ ⎝ b⎠
2 2
⎛ π⎞ ⎛ π⎞
kc = ⎜ m ⋅ ⎟ + ⎜ n ⋅ ⎟
⎝ a⎠ ⎝ b⎠
2 2
c ⎛m⎞ ⎛n⎞ 1
fc = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ on c =
2 ⎝ a ⎠ ⎝b⎠ με
c no és la velocitat de propagació de l’ona a la guia. És la velocitat de la llum en un

medi il·limitat caracteritzat per (μ, ε) .
Cada parella (m,n) genera un mode diferent que anomenarem TMmn.
Cada mode té la seva freqüència de tall, que depèn de l’ordre del mode i de la
geometria de la línia.
Per trobar les components transversals, E t i H t , substituïm Ez a l’equació (3).
Modes TE, Ez=0

Si fem el mateix que en el mode TM
H z ( x, y ) = ψ ( x, y ) = Χ ( x ) ⋅ Υ ( y ) =
= ( Acos(k x x) + Bsin(k x x) ) ⋅ (Ccos (k y y ) + Dsin(k y y ) )
∂H z
= 0 sobre les parets del conductor:
∂n
∂H z ∂H z
x=0⇒ = 0, x = a ⇒ =0
dy d (− y )
∂H z ∂H z
y =0⇒ = 0, y = b ⇒ =0
dx d (− x)
Operant de forma anàloga a com ho hem fet en el cas dels modes TM tindrem
l’equació que després ens permetrà trobar els camps transversals, E t i H t , amb les
equacions (3):
H z = H z 0 cos(k x x)cos(k y y )
154
π⎫
kx = m ⎪
a⎪
⎬ m, n ∈ Ν ∪ {0} ↔ (m, n) = (0,0), solució trivial
π ⎪
ky = n
b ⎪⎭
2 2
2 2 2 ⎛ π⎞ ⎛ π⎞
kc = k x + k y = ⎜m ⋅ ⎟ + ⎜n ⋅ ⎟
⎝ a⎠ ⎝ b⎠
2 2
⎛ π⎞ ⎛ π⎞
kc = ⎜ m ⋅ ⎟ + ⎜ n ⋅ ⎟
⎝ a⎠ ⎝ b⎠
2 2
kc c ⎛m⎞ ⎛n⎞
fc = = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟
2π με 2 ⎝ a ⎠ ⎝ b ⎠
Cada parella (m,n) genera un mode diferent que anomenarem TEmn.
Ample de banda monomodal

Si dibuixem f c per als diferents modes en la guia d’ones en funció de b (mantenint
a
l’amplada a de la guia fixa):
2 2 2
kc c ⎛m⎞ ⎛n⎞ c ⎛ n ⎞
fc = = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ = m 2 + ⎜⎜ ⎟⎟
2π με 2 ⎝ a ⎠ ⎝ b ⎠ 2a ⎝ (b / a ) ⎠
f
f cTE01
c/a f cTE20
Ample de banda
monomodal f cTE10
c/2a
0.5 (b/a)0 1 b/a

Fig. 117. Ample de banda monomodal per a les dimensions relatives (b/a)0.
L’ample de banda monomodal és l’ample de banda en el qual pot propagar-se només

un sol mode, anomenat mode fonamental o dominant (per a la guia d’ones rectangular
és el mode TE10). Si b ≥ 0.5 , correspon al marge freqüencial que hi ha entre la
a
freqüència de tall del mode TE10 i la freqüència de tall del mode TE01, f cTE01 − f cTE10 ,
mentre que si b ≤ 0.5 , correspon al marge freqüencial que hi ha entre la freqüència

a
c
de tall del mode TE10 i la freqüència de tall del mode TE20, f cTE20 − f cTE10 = . Per
2a
tant, l’ample de banda monomodal es maximitza si b ≤ 0.5 , tal com es pot veure a la
a
gràfica.
155
La major part de guies d’ones rectangulars comercials compleixen b ≤ 0.5 (de fet,
a
gairebé totes b = 0.5 ) i, per tant, tenen un ample de banda monomodal màxim.
a
Habitualment, les guies d’ones es fan treballar en el seu ample de banda monomodal
per tal que propaguin només el mode fonamental. D’aquesta manera s’eviten alguns
problemes, entre d’altres la dispersió i la generació espúria de modes indesitjats.
Camps per al mode dominant TE10

E z ( x, y ) = 0 ⎫
⎪
⎧ π⎫ ⎪
k
⎪ x = ⎪ ⎬
H z ( x, y ) = H z 0 cos(k x x)cos(k y y ) = ⎨ a ⎬ = H z 0 cos(π x a )⎪
⎪k y = 0 ⎪ ⎪⎭
⎩ ⎭
D’aquí treurem els camps E t i H t (equacions (3)):
1 ⎡ ⎤ 1 ⎡ ∂ ⎤
Et = ⎢ jωμzˆ × ∇ t H z − γ ∇ t E z ⎥ = 2 ⎢ jωμzˆ × H z 0 cos(π x
a ) xˆ ⎥ =
kc
2
⎢⎣ 123 ⎥ k ⎣ ∂x ⎦
0 ⎦ c
π π
ωμH z 0 (− sin(π x a )) ⋅ ωμH z 0 ⋅
= j a zˆ × xˆ = − j a sin(π x ) yˆ ⇒
2 2 a
kc ⎛π ⎞
⎜ ⎟
⎝a⎠
ωμH z 0
⇒ E y ( x, y ) = − j ⋅ sin(π x a )
⎛π ⎞
⎜ ⎟
⎝ a43
142 ⎠
E0 y
1 ⎡ ⎤ −γ ∂
Ht = ⎢ − j ωμzˆ × ∇ t E − γ ∇ t H z⎥ = ⋅ H z 0 cos(π x
a ) xˆ =
2
k c ⎢⎣ 123z ⎥ k
2
∂x
0 ⎦ c
−γ π −γ
= a H (− sin(π )) xˆ = (− sin(π )) xˆ ⇒
( a) ( a) H
x x
π 2 z0 a
π z0 a
⇒ Hx =
γ ⎧
⎪
H z 0 ( sin(π x a )) = ⎨ H z 0 = j
(π a )E 0y
⎫
⎪
=
γ
⋅
π E0 y
a
( )
( sin(π )) =
( a) ⎬ π
( ) j x
π ⎪ ωμ ⎪⎭ ωμ
a
⎩ a
γ
= j E 0 y ( sin(π x
a ))
ωμ
1424 3
E0 y
−
Z TE
156
Per tant:
E y ( x, y ) = E 0 y ⋅ sin(π x
a )
E0 y
H x ( x, y ) = − ⋅ ( sin(π x
a ))
Z TE
π
a E cos(π E0 y λ
H z ( x, y ) = H z 0 cos(π x
a )= j x
a ) =L= j ⋅ ⋅ cos(π x
a )
ωμ η
0y
2a
μ
On η = i λ és la longitud d’ona a un medi il·limitat (ε , μ ) i no a la guia (on
ε
2π
λg = ).
β
Ey(x)
Fig. 118. Camp elèctric per al mode TE10 a la guia d’ones rectangular.
E F ( x, y, z ) = E y ( x, y ) ⋅ e −γz yˆ
H F ( x, y, z ) = (H x ( x, y ) xˆ + H z ( x, y ) zˆ ) ⋅ e −γz
Potència mitja propagada pel mode TE10

La densitat de potència mitjana propagada es calcula mitjançant:
P ( x, y , z ) =
1
2
[
Re E F × H F
*
]
Si f > fc :
1
P ( x, y , z ) =
2
[ (
Re E y ( x, y ) ⋅ e − jβz yˆ × H x ( x, y ) xˆ + H z ( x, y ) zˆ ⋅ e jβz =
* *
) ]
1 ⎡ * *
⎤
= Re ⎢ E y H x ( { yˆ × xˆ ) + E y H z ( {
yˆ × zˆ )⎥
2 ⎣⎢ − zˆ xˆ ⎦⎥
157
⎛ ⎞
⎜ E * ⎟ E0 y
2
= E 0 y sin(π x a ) ⋅ ⎜ − x )⎟ = −
0y
sin(π sin 2 (π
*
Ey H x x )
⎜ Z TE * a
⎟ Z TE
a
⎜ { ⎟
⎝ ∈ℜ + ⎠
π π
= E 0 y sin(π a ) ⋅ (− j ) a E 0 y cos(π a sin(π
2
)cos(π
* *
Ey H z x x
a ) = − j E0 y x
a
x
a )
ωμ ωμ
Llavors la densitat de potència mitjana propagada serà:
2
1 ⎡ ⎤ 1 E0 y
sin 2 (π
* *
P ( x, y, z ) = Re ⎢ E y H x ( {
yˆ × xˆ ) + E y H z ( {
yˆ × zˆ )⎥ = x
a ) zˆ
2 ⎣⎢ − zˆ xˆ ⎦⎥ 2 Z TE
Si f < f c :
1
P ( x, y , z ) =
2
[ (
Re E y ( x, y ) ⋅ e −αz yˆ × H x ( x, y ) xˆ + H z ( x, y ) zˆ ⋅ e −αz =
* *
) ]
1 ⎡ ⎤
= Re ⎢ E y H x e − 2αz ( { yˆ × xˆ ) + E y H z e − 2αz ( {
* *
yˆ × zˆ )⎥
2 ⎢⎣ − zˆ xˆ ⎥⎦
⎛ ⎞ 2
⎜ E * ⎟ ωμ E0 y α
⎧ ⎫
= E 0 y sin(π x a ) ⋅ ⎜ − sin(π x a ) ⎟ = ⎨Z TE = j
0 y
sin 2 (π
*
Ey H x ⎬=−j x
a )
⎜ Z TE *
⎟ ⎩ α ⎭ ωμ
⎜ { ⎟
⎝ ∈ℑ ⎠
π π
E y H z = E 0 y sin(π
* a E * cos(π 2 a sin(π )cos(π
a ) ⋅ (− j ) a) = − j E0 y )
x x x x
a a
ωμ ωμ
0y
Llavors la densitat de potència mitjana propagada serà:
P ( x, y , z ) = 0
Això vol dir que el mode s’està esvaint.
158
Amb la densitat de potència mitjana calculada ( P ( x, y, z ) ), la potència PT propagada
per l’ona en direcció de les z creixents a la guia serà:
nˆ = zˆ
TE10 z
Fig. 119. Superfície per al càlcul de potència.
2 2
1 E0 y b E0 y
b a a
r r
ΡT = ∫ P(r )nˆ dS = ∫ P(r ) zˆdxdy = ∫ dy ∫ sin 2 (π x ) dx =
a ∫ sin
(π x a )dx
2
S S 0 0
2 Z TE 2 Z TE 0
1 44244 3
a
2
a ⋅b 2
ΡT = E0 y
4Z TE
Atès que E0 y ve limitat per la tensió de ruptura del dielèctric a un valor determinat
(camp elèctric que arrenca electrons de les seves molècules tornant-lo conductor), de
tots els valors de b, tenint en compte b a ≤ 0.5 (ample de banda monomodal màxim), el
millor que podem escollir és b = 0.5 ⋅ a . D’aquesta manera fem el producte a ⋅ b el més
gran possible i per tant, maximitzem la potència transmesa.
Pèrdues per al mode TE10

Idealment, per a freqüències superiors a la de tall ( f > f c ), es considera que la
constant de propagació és imaginària pura γ = jβ (ω ) , i per tant, no presenta pèrdues.
A la pràctica, la constant de propagació té també una part real deguda a les pèrdues
òhmiques als conductors i dielèctrics que fins ara no hem considerat,
γ = α (ω ) + jβ (ω ) , on α(ω) és el factor de pèrdues degudes a les pèrdues òhmiques
del conductor i del dielèctric.
α (ω ) = α c + α D
α c → Pèrdues associades als conductors
α D → Pèrdues associades al dielèctric
159
RS ⎡ 2b ⎛ f ⎞ 2 ⎤ πfμ μ
αc = ⎢1 + ⎜⎜ c ⎟⎟ ⎥, on : R = iη=
⎛ f ⎞ ⎢⎣
2 a ⎝ f ⎠ ⎥
⎦
S σ
c ε
bη 1 − ⎜⎜ c ⎟⎟
⎝ f ⎠
αc
Zona interessant d’utilitzar
f
f cTE10 f cTE20
Fig. 120. Atenuació en funció de la freqüència.
1 k
αD = tg (δ D )
2 ⎛f ⎞
2
1 − ⎜⎜ c ⎟⎟
⎝ f ⎠
4.1.2. Guies d’ones circulars
a ϕ
z
Fig. 121. Guia d’ones circular.
En aquest tipus de guies d’ones s’hi propaguen modes TE i TM:
• Modes TE:
P' nl ⋅c dJ ( x )
n
f cTEln = , on P' nl és el zero l-èssim (sense comptar el de l’origen) de
2πa dx
• Modes TM:
Pnl ⋅ c
f cTM ln = , on Pnl és el zero l-èssim de J n ( x )
2πa
160
• El mode fonamental és el mode TE11.:
8'8 ⋅ 10 7 m / s
f cTE11 =
a μ Rε R
El següent mode que comença a propagar-se és el TM01.
f cTM 01
L’ample de banda monomodal és menor que en una guia rectangular, = 1.3 .
f cTE11
4.1.3. Guies d’ones corrugades

Les guies corrugades són guies d’ones “cilíndriques” amb secció transversal circular o
el·líptica i secció longitudinal corrugada.
z
Secció Transversal Secció Longitudinal

Fig. 122. Guia d’ones corrugada.
Són lleugerament flexibles. S’utilitzen per a tirades llargues de guia.
161
162
SESSIÓ 17
Nom: Modelatge circuital de guies d’ones
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquest apartat veurem com es poden modelar guies d’ones i alguns elements que
podem construir en guies d’ones a partir de línies de transmissió.
CONTINGUTS
Primer veurem com podem modelar una guia d’ones a partir d’una línia de transmissió,
i de definir per a una guia d’ones les ones normalitzades a i b, i per extensió, ser
capaços de caracteritzar els circuits en guia d’ones a partir de paràmetres S. Després
descriurem de manera succinta com poden realitzar-se elements reactius en guies
d’ones.
4.2. Modelatge amb línies de transmissió

Moltes vegades, per a treballar amb guies, ens és útil modelar-les com si fossin línies
de transmissió (dispersives).
ρWG(z) ρLT(z)
b
l
ε, μ >< Z 0, γ V(z)
γ=jβ
a
z z
Fig. 123. Model amb línia de transmissió d’una guia d’ones rectangular.
El desenvolupament el farem per a una guia d’ona rectangular treballant en el seu

ample de banda monomodal (propagant per tant només el mode TE10 amb γ = jβ ),
però poden fer-se raonaments anàlegs per a qualsevol altre tipus de guia d’ona.
163
Suposem que a la guia d’ones rectangular (funcionant amb TE10) i a la línia de
transmissió equivalent s’hi propaguen ones tant cap a z creixents ( e − γz ) com cap a z
decreixents:
+ −
E F ( x, y , z ) = E F ( x, y, z ) + E F ( x, y, z ) = E 0+y sen(π x
a ) yˆ e −γz + E 0−y sen(π x
a ) yˆ e γz
V ( z ) = V + ( z ) + V − ( z ) = V + e −γz + V − e γz
Volem que les ones, tant elèctriques com de tensió es propaguin a la mateixa velocitat.
Per això establim que γ = jβ als dos circuits.
Problema
Per a fer l’equivalència cal trobar la relació entre ( E 0+y , E 0−y ) i (V + , V − , Z 0 ) .
Exigirem que:
1. El coeficient de reflexió es conservi (WG significa guia d’ones i LT línia de

transmissió):
−
E F ( x, y, z ) ⋅ yˆ E 0−y V − ( z ) V − 2γz
ρ WG ( z ) = +
= e 2γz = = e = ρ LT ( z )
E F ( x, y, z ) ⋅ yˆ E 0+y V + ( z) V +
Per tant, cal que la relació d’amplituds entre ones incidents i reflectides es mantingui:
E 0−y V−
=
E 0+y V+
2. Es conservi la potència propagada per cada ona (tant per a la progressiva

com per a la regressiva):
+ 2
+ ab 2 1V
PWG = E 0+y =P +
LT =
4 Z TE 2 Z0
2 2 Z 0 ab
V+ = E 0+y
Z TE 2
− 2
− ab 2 1V
PWG = E 0−y = PLT− =
4 Z TE 2 Z0
2 2 Z 0 ab
V− = E 0−y
Z TE 2
164
Per tant, una elecció vàlida serà:
+ + Z 0 ab V+
+
V =E 0y I =
Z TE 2 Z0
− − Z 0 ab −V−
V =E 0y I =−
Z TE 2 Z0
Amb aquestes definicions d’ones a i b en una guia d’ones rectangular, podem reciclar
tot el que sabem sobre paràmetres S i aplicar-ho a circuits fets en guies d’ones
(potències, xarxes passives, reciprocitat, sense pèrdues, etc.).
Tenim, però, encara un grau de llibertat pel que fa a l’elecció del valor de Z 0
(depenent de Z 0 , tindrem unes V + , V − , I + , I − determinades). Dues eleccions força
comuns són:
1. Z 0 = 1Ω . Permet donar un cert sentit físic al corrent I + (z ) i I − (z ) .
2. Definim V + (z ) , integrant el camp elèctric de les ones a la guia d’ones

rectangular, com:
y
x
a
Fig. 124. Camí d’integració per a definir la tensió en una guia d’ones rectangular.
a
( x , y , z ) = ( 2 ,b , z )
r +
V ( z ) = − ∫ E dl = −
+
F
∫ E 0 y sen(π
+ x
a ) yˆ e −γz yˆ dy = −b ⋅ E 0+y ⋅ e −γz
C ( x , y , z ) = ( a2 , 0 , z )
V + = −b ⋅ E 0+y − −
Anàlogament: V = −b ⋅ E 0 y
Z 0 ab (⋅) 2 Z ab
V + = −b ⋅ E 0+y = E 0+y ⎯⎯→ b 2 = 0
Z TE 2 Z TE 2
Per tant:
b
Z 0 = 2 Z TE
a
165
Aquesta definició de Z 0 s’anomena de potència-tensió, perquè la definim a partir de la
potència que propaga el mode i d’una tensió transversal que ens definim.
Amb aquestes definicions en ment:
1. Molts circuits amb guia d’ones podran modelar-se i pensar-se com si fossin
circuits amb línies de transmissió, als quals estem més acostumats.
2. Podrem definir de manera natural paràmetres S en una guia d’ones:
V+ 1 ab
a= = E 0+y
Z0 Z TE 2
V− 1 ab
b= = E 0−y
Z0 Z TE 2
4.3. Elements circuitals en guia d’ones

Suposem una guia d’ona rectangular amb un obstacle. Treballem en l’ample de banda
monomodal.
l TE10I
TE10T
TE10R
Fig. 125. Obstacle a una guia d’ones rectangular.
L’obstacle en general fixa unes condicions de contorn que el mode TE10I (incident) tot
sol no pot complir. El sistema respon generant (comunicant-los-hi energia) infinits
modes, tals que combinant-los compleixin les condicions de contorn (només poden
generar-se modes perquè són les úniques configuracions de camp que poden existir a
l’interior d’una guia d’ona).
166
Per a z < 0 , el camp total serà:
C1 = TE10 I + TE10 R + ∑ TE ij + ∑ TM ij
123 i , j ≠ (1, 0 ) i. j
incident 14444244443
generats
Per a z > 0 , el camp total serà:
C 2 = TE10T + ∑ TE ij + ∑ TM ij
i , j ≠ (1, 0 ) .j
1444 4244i4 43
generats
Com que som a l’ample de banda monomodal, tots els modes excepte el TE10I, TE10R
(mode TE10 reflectit) i TE10T (mode TE10 transmès) estan en tall, no es propaguen.
Aquests modes s’atenuaran exponencialment a partir de l’obstacle, és a dir,
concentren una gran part del camp elèctric i magnètic al voltant de l’obstacle. No es
dissipa ni es propaga energia, atès que aquests modes acumulen energia reactiva. Per
tant, circuitalment podem modelar aquesta situació amb una reactància:
TE10I
TE10T Z0, γ jX Z0, γ
TE10R ><
TE ij + TM ij
i , j ≠ (1 , 0 ) i. j
Fig. 126. Modes en tall en una guia d’ones rectangular i circuit equivalent.
L’equivalència s’estableix entre tot el tram de guia d’ona on els modes en tall tenen
energia apreciable i un tram similar de L.T.
l l l l
Z0, γ jX Z0, γ
><
Fig. 127. Model circuital correcte per a un obstacle en una guia d’ones rectangular.
167
Però no:
jX
><
Fig. 128. Model circuital incorrecte per a un obstacle en una guia d’ones rectangular.
Perquè si posem dos obstacles separats menys d’l (on l és la distància a la qual els
modes en tall es consideren esmorteïts), els modes en tall generats per un obstacle
interactuen amb el següent obstacle: han de complir condicions de contorn addicionals
que faran que l’energia continguda en cada mode canviï, canviant per tant els valors
de les reactàncies equivalents.
l l l l’ l
jX’ jX’
><
l’<l
Fig. 129 Model circuital correcte per a dos obstacles en una guia d’ones rectangular.
Aquests modes han de complir més condicions de contorn, tindran amplituds diferents,
emmagatzemaran quantitats d’energia diferents, correspondran a reactàncies
diferents.
Tipus d’obstacles
A continuació presentarem una sèrie d’obstacles que es poden inserir en una guia
d’ona rectangular i el seu model circuital equivalent (recordem que es propaga el mode
TE10).
1. Diafragmes
1, β jX 1, β
b ><
168
Fig. 130. Diafragma vertical en una guia d’ones rectangular i model circuital equivalent.
a tg 2 (πd 2 a )
X= ⋅
λg 1 + cosec 2 (πd 2 a )
Z0, β Z0, β
><
Fig. 131. Diafragma horitzontal en una guia d’ones rectangular i model circuital
equivalent.
1, β jX 1, β
><
Fig. 132. Diafragma vertical doble en una guia d’ones rectangular i model circuital
equivalent.
a
X= ⋅ tg 2 (πd 2 a )
λg
Z0, β Z0, β
><
Fig. 133. Diafragma horitzontal doble en una guia d’ones rectangular i model circuital
equivalent.
1, β 1, β
b ><
a
Fig. 134. Diafragma vertical i horitzontal doble en una guia d’ones rectangular i model
circuital. equivalent.
169
2. Iris
d
1, β jX 1, β
b
><
a
Fig. 135. Iris en una guia d’ones rectangular i model circuital equivalent.
2πd 3
X=
3abλ g
3. Barres
Fig. 136. Barra en una guia d’ones rectangular.
>< Z0 jX Z0
Fig. 137. Model circuital equivalent per a barres en una guia d’ones rectangular.
170
><
Fig. 138. Model circuital equivalent per a una barra incompleta.
171
172
SESSIÓ 18
Nom: Circuits passius en guia d’ones
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
OBJECTIUS
En aquest apartat veurem com poden construir-se i caracteritzar-se circuits passius en
guies d’ones.
CONTINGUTS
Tractarem de manera molt descriptiva diverses funcionalitats circuitals molt comuns en
guies d’ones: acobladors direccionals, filtres, càrregues adaptades, tes, etc.
4.4. Circuits passius en guia d’ones
4.4.1. Transicions guia-coaxial

El conductor central d’un cable coaxial s’usa com a antena per a excitar el mode TE10
en la guia d’ones rectangular. Solen presentar una relació d’ona estacionària S<1.4 a
tot l’ample de banda monomodal de la guia.
Connector coaxial
~λg/4
Adaptació 1
Resta de modes
d’impedàncies en tall
b TE10 2
Secció longitudinal de la transició

Fig. 139.Transició de cable coaxial a guia d’ones rectangular.
Aquesta és una manera habitual de generar el mode TE10 en guies d’ona.
173
4.4.2. Càrregues adaptades
Presenten Γ ≈ 0 . Es construeixen posant un material piramidal absorbent a l’interior de
la guia. La forma piramidal possibilita una transició suau entre medis amb
característiques diferents, per tant evita reflexions.
Piràmide de
material absorvent
Γ=0
TE10
b
Secció longitudinal del circuit

Fig. 140. Càrrega adaptada per a una guia d’ones rectangular.
El mode TE10 veurà una adaptació d’impedàncies progressiva, els camps s’atenuaran
cada cop més a mesura que avancin a través de la guia. En arribar al final de la guia hi
haurà una reflexió, i el mode TE10 tornarà cap a l’inici atenuat gairebé del tot. Això fa
que el coeficient Γ a l’entrada de la guia sigui zero.
4.4.3. Filtres
Habitualment es fan amb barres o diafragmes:
Fig. 141. Filtre en guia d’ones rectangular.
174
4.4.4. T de pla E (combinador-divisor de potència)
La seva matriu de paràmetres S és (fent una adaptació d’impedàncies al port 3 per tal
que el paràmetre S33=0, i fent els canvis de pla de referència necessaris):
⎡1 1 2 ⎤
1⎢ ⎥
S= ⎢1 1 − 2⎥
2⎢
⎣ 2 − 2 0 ⎥⎦
És la mateixa que la del divisor de Wilkinson però sense aïllament entre ports (1 i 2).
1 2
Comportament del camp elèctric en el pla E

Pla E 1 S13 = -S23
Fig. 142. T de pla E a una guia d’ones rectangular.
Com podeu veure, els camp elèctric, en “saltar” del port 3 cap als ports 1 i 2, ho fa
canviant el seu signe. Per tant, és normal que els paràmetres S13 i S23 tinguin signes
oposats.
4.4.5. T de pla H (combinador-divisor de potència)

És el circuit dual de l’anterior. La seva matriu de paràmetres S és (fent una adaptació
d’impedàncies al port 3 per tal que el paràmetre S33=0, i fent els canvis de pla de
referència necessaris):
⎡1 1 2⎤
1⎢ ⎥
S= ⎢1 1 2⎥
2⎢
⎣ 2 2 0 ⎥⎦
175
2
1 2
3
Pla H 1
Comportament del camp elèctric en el pla H
S13 = S23
Fig. 143. T de pla H en una guia d’ones rectangular.
En aquest cas, el camp elèctric passa del port 3 fins als ports 1 i 2 sense canviar
d’orientació: això es manifesta en el fet que S13=S23. Si carreguéssim els ports 1 i 2 de
forma simètrica, tindríem un divisor o sumador de comportament similar al de
Wilkinson (sense aïllament entre els ports 2 i 3, però).
4.4.6. T màgiques (híbrids de 180º)

Les T màgiques són combinacions de T de pla E i de T de pla H.
Fig. 144. T màgica en una guia d’ones rectangular.
La seva matriu de paràmetres S, amb adaptacions d’impedàncies adients als ports 1 i

4, i canvis de pla de referència és:
⎡0 0 1 1⎤
⎢ 1 − 1⎥⎥
1 ⎢0 0
S=
2 ⎢1 1 0 0⎥
⎢ ⎥
⎣1 − 1 0 0⎦
176
Pel fet de ser una combinació d’una T de pla E i d’una de pla H es compleix que
S13 = S 23 i S14 = −S24 . Si pel port 4 entrem un camp elèctric, aquest difícilment sortirà
pel port 3 perquè la configuració de camps que genera a l’espai d’unió entre les quatre
guies no és compatible amb la configuració del camps del mode TE10 al port 3. Per
tant, S 34 = 0 .
1 3 2
Configuració de camps no compatible

amb el mode TE10, que és l’únic que
es propaga
Fig. 145. Excitació d’una T màgica pel port 4.
4.4.7. Acobladors direccionals

Es construeixen comunicant dues guies a través de dos o més petits forats (en la seva
configuració més senzilla, dos forats separats λg/4).
3 λg/4
Fig. 146. Acoblador direccional per a guies d’ones rectangulars.
177
Principi de funcionament: L’acoblament es realitza cap endavant.
Suma en contrafase Suma en fase

(les ones s’anulen) (les ones es reforcen)
90º
AÏLLAT ACOBLAT
90º
Δφ1 Δφ2 Δφ1 Δφ2

ENTRADA SORTIDA
90º
λg/4
Funcionament (Secció longitudinal)
Fig. 147. Principi de funcionament d’un acoblador direccional.
El senyal entra pel port d’entrada, en passar pels forats perdrà energia (proporcional a
les dimensions dels forats). Part del senyal que passa cap a la part de dalt es
desfasarà Δφ1 i Δφ 2 , segons si es propaga cap al port aïllat o acoblat respectivament.
Els dos forats seran pràcticament excitats amb el mateix nivell de mode TE10 perquè la
quantitat de senyal que passa d’una guia a l’altra a través dels forats és molt petita.
4.4.8. Aïlladors
Són circuits de dos ports no recíprocs ( S 12 ≠ S 21 ) que permeten el pas de senyal en un
sentit, però no en sentit contrari. La seva matriu de paràmetres S és:
⎡ 0 0⎤
S = ⎢ jϕ
⎣e 0⎥⎦
178
Hi ha diverses maneres de construir aïlladors. Una estructura molt comuna és la de la
figura següent:
Làmina de ferrita
Làmina de material
absorbent
y
x
c d a
Fig. 148. Aïllador en una guia d’ones rectangular.
Les ferrites són materials no recíprocs: presenten característiques electromagnètiques

diferents en funció de la direcció de propagació de l’ona que les travessa (en el nostre
cas, permeabilitat magnètica diferent). Això fa que, en general, ones progressives i
regressives vegin guies d’ones diferents, amb característiques materials diferents, i
que, per tant, les seves configuracions de camps també siguin diferents. Dissenyant de
manera adequada la posició, gruix i composició de la làmina de ferrita, es pot
aconseguir que els modes fonamentals corresponents a les ones progressives i
regressives a la guia al tram on hi ha ferrita (ja no seran el mode TE10) prenguin la
configuració d’ E y ( x) següent:
Ey(x) Ona regressiva

Ona progressiva
c d a x
Fig. 149. Aïllador en una guia d’ones rectangular.
A la posició x = d l’ona progressiva presenta un nul de camp, i per tant no serà

atenuada per la làmina de material absorbent. D’altra banda, l’ona regressiva presenta
un màxim de camp a x = d i, per tant, serà atenuada per la làmina de material
absorbent. Fent el tram de guia amb làmina de ferrita i material absorbent
suficientment llarg, aconseguirem eliminar l’ona regressiva sense modificar l’amplitud
de la progressiva: haurem realitzat un aïllador.
Com el seu nom indica, els aïlladors s’utilitzen per aïllar circuits que no suportin
reflexions, tals com amplificadors. Els aïlladors deixen passar les ones entre la sortida
d’un amplificador i una càrrega, però no les ones reflectides per la càrrega cap a
l’amplificador.
179
180
SESSIÓ 19
Nom: Introducció i transistors de microones
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
[Gonzalez1997]
OBJECTIUS
En aquesta sessió introduirem els objectius que perseguim a l’hora de realitzar
amplificadors (ens centrarem en amplificadors lineals de petit senyal) i la metodologia
que seguirem per a la seva implementació. A continuació descriurem breument els
tipus de transistor més utilitzats per a fer amplificadors de microones.
CONTINGUTS
Després de descriure amb quina estructura i amb quines característiques pretenem
realitzar amplificadors de microones, descriurem el seu element més important, el
transistor.
5. Amplificadors de microones
5.1. Introducció
Volem realitzar amplificadors lineals de microones de petit senyal amb una estructura:
Γg Polarització ΓL
ΓgR
TRT ΓLR
A1 [S] A2
Amplificador
Fig. 150. Estructura d’un amplificador lineal de petit senyal.
181
On A1 i A2 són xarxes passives, recíproques i sense pèrdues.
Dissenyar un amplificador equival a trobar (conegut el transistor i els seus paràmetres

S) unes xarxes A1 i A2 que fan que l’amplificador tingui un comportament determinat
pel que fa al guany, estabilitat i soroll.
{A1, A2} = f (Guany, estabilitat, soroll, [S]TRT )
Això sempre ho farem en dues fases:
1. Fase de disseny. Trobarem Γg , ΓL que fan que el transistor tingui les
prestacions adequades de guany, soroll i estabilitat.
Γg
TRT
[S] ΓL
Fig. 151. Transistor entre generador i càrrega desitjats.
(Γg , ΓL ) = f (guany, estabilitat, soroll, [S]TRT )
2. Fase de síntesi. “Enganyem” el transistor. Dissenyem dues xarxes

d’adaptació (A1 i A2), passives, recíproques i sense pèrdues que facin que
el transistor vegi els valors adequats de Γg , ΓL (pel que fa a guany,
estabilitat i soroll) en comptes dels reals, ΓgR , ΓLR .
Γg
ΓgR A1 A1 = f (ΓgR , Γg )
A2 ΓLR A2 = f (ΓLR , ΓL )
ΓL
Fig. 152. Xarxes d’adaptació passives, recíproques i sense pèrdues.
182
A part, cal dissenyar els circuits de polarització del transistor.
Dedicarem el tema bàsicament a estudiar les eines necessàries per a realitzar la fase
de disseny. Les eines necessàries per a la realització de la fase de síntesi se suposen
conegudes de cursos d’electrònica, teoria de circuits i propagació o teoria
electromagnètica (adaptacions d’impedàncies amb circuits L-C i línies de transmissió).
5.2. Transistors de microones
5.2.1. Transistors bipolars

Estan fets amb silici (funcionen bé fins a 6-8 GHz) o GaAs (aleshores s’anomenen
HJBT (Hetero Junction Bipolar Transistor) per sobre de 20GHz). Són força resistents i
fiables. Tenen un factor de soroll mínim important i que creix quadràticament amb la
freqüència.
El model circuital intrínsec del transistor en petit senyal té en compte els efectes propis
del semiconductor:
rb’c
b rbb’ b’ Cb’c c
rb’e Cb’e V b’e GV

mb’e
rce
Fig. 191. Model intrínsec d’un transistor

bi l
A freqüències de microones, rb’c i rce poden eliminar-se.
A més a més caldrà tenir en compte els efectes paràsits dels terminals i els
encapsulats per a tenir un model complet del transistor (model circuital extrínsec):
183
Cbc
Lb Lc
Model
B C
b Intrínsec c
Cbe e Cce
Le
E
Fig. 154. Model extrínsec d’un transistor bipolar.
Aquest model és massa complicat per a treballar-hi analíticament. Usualment

treballarem amb transistor caracteritzats pels seus paràmetres S mesurats.
⎡S S12 ⎤
S TRT = ⎢ 11
⎣ S 21 S 22 ⎥⎦
C
B
2
1
E
Fig. 155. Símbol d’un transistor bipolar amb numeració de ports.
Usualment:
S11 , S 22 < 1
S 21 > 1
S12 << 1
5.2.2. Transistors FET

A freqüència de microones, podem utilitzar diversos tipus de transistor FET:
• IGFET (Insulated Gate FET)
• JFET (Junction FET).
• MeSFET (Metal-Semiconductor FET), que serà el transistor que analitzarem
més a fons en aquest apartat. Pot estar fabricat amb diversos materials, Si (fins
a uns 10 GHz) o AsGa ( fins a 40, 50 GHz, InP, InGaAs,...).
• HEMT (High electron movility transistor). Aquest és una evolució del MeSFET
(fins a freqüències superiors als 60 GHz). Estan construïts amb AlxGa1-xAs.
Els transistors MeSFET (que són els que estudiarem amb més detall a continuació)
tenen un factor de soroll molt petit, que creix linealment amb la freqüència. Tendeixen
a oscil·lar a freqüències menors de la de disseny: cal vigilar amb les xarxes de
184
polarització en contínua del transistor per a evitar-ho. L’estructura simplificada d’un
MeSFET és la següent:
D G S
L
+ +
N N
W
Baixa
Resistivitat
Pastilla de AsGa (N)
Alta
Substrat AsGa (I)
Resistivitat
Fig. 156. Estructura simplificada d’un transistor MeSFET.
Les unions D-AsGa i S-AsGa són òhmiques. La unió G-AsGa és una unió díode
(Schottky).
Si la longitud (L) augmenta, la potència de sortida augmentarà, i la freqüència màxima
d’utilització disminuirà. Si l’amplada (W) disminueix, el factor de soroll mínim disminuirà
a costa de disminuir la potència de sortida màxima de sortida d’aquest circuit.
Funcionament d’un MeSFET

VDS>0
S VGS<0 G D
VGS1
Semiconductor (N)
Resistivitat baixa VGS2 Corrent entre D i S
|VGS1|<|VGS2| Canal
Substrat (I)
Resistivitat alta
Zona de càrrega espaial (ZCE)

amb resistivitat alta.
Fig. 157. Funcionament d’un MeSFET.
Si polaritzem VGS < 0 , creem una tensió negativa entre G i S, i per tant entre G i el
semiconductor. Per tant, la unió G-semiconductor està polaritzada en inversa. A sota
de la porta es crea una zona de càrrega espacial (ZCE) lliure de càrrega, altament
resistiva. Per tant, el corrent entre D i S circularà bàsicament per la zona de
semiconductor N (de baixa resistivitat) que hi ha entre la zona de càrrega espacial
(ZCE) i el substrat (de resistivitat alta). A aquesta zona se l’anomena canal.
A mesura que variem la VGS , variem la grandària de la ZCE, per tant variem l’amplada
del canal, és a dir, variem l’àrea a través de la qual deixem passar corrent. Com que
185
1
R∝ , variem la resistència que es veu entre D i S (per a una tensió VDS
area
determinada). Per tant , controlem la quantitat de corrent que deixem passar entre D i
S. Per tant aconseguim un efecte transistor (variant una tensió en un terminal
aconseguim controlar un corrent entre dos altres terminals).
Simbologia
El símbol d’un MeSFET és:
D
G
S
Fig. 158. Símbol circuital per a un MeSFET.
Funcionament en DC d’un MeSFET

Suposem el següent circuit de polarització DC per a un MeSFET:
D
G
IDS VDS>0
VGS<0
S
Fig. 159. Símbol d’un MeSFET i circuit de polarització contínua.
La variació d’IDS en funció de VGS serà de la forma:
IDS
Per a un VDS determinat
VGS
VP
Fig. 160. IDS en funció de VGS.
Com més negativa és la tensió menys corrent hi circula. Vp és la tensió de ‘pinch-off’ o

d’estrangulació de canal. És aquella VGS que fa que la ZCE toqui el substrat, i que
l’amplada del canal sigui nul·la, fent que l’R del canal tendeixi a infinit i el corrent que hi
circula a zero.
186
La variació d’IDS en funció de VDS serà de la forma:
IDS
VGS = 0
VDS
VGS = VP
Fig. 161. IDS en funció de VDS per a diversos VGS
Les dues gràfiques anteriors poden condensar-se matemàticament:
2
⎛ V ⎞ ⎛ α ⋅ VDS ⎞
I DS = I DS0 ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ tgh⎜⎜ ⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ VGS − VP ⎟⎠
144244 3 144244 3
deduïble experimental
analíticament
on α és un paràmetre experimental d’ajust.
Model equivalent en petit senyal d’un MeSFET

Model intrínsec:
g Cgd d
r1
+ GmVc rds C1
Vc C1
-
s
Fig. 162. Model intrínsec per a un transistor MeSFET.
Si hi afegim efectes paràsits de terminals i encapsulat
187
Ggd
Lg Ld
Model
G D
Intrínsec
Ggs Gds
S
Fig. 163. Model extrínsec per a un transistor MeSFET.
Habitualment no treballem amb el model (massa complicat) sinó amb els paràmetres S
mesurats, que solen complir:
S11 < 1 (proper a 1)

S 22 < 1
1 2 S 21 > 1
S12 " <<"1
Fig. 164 Valors usuals dels paràmetres S d’un transistor MeSFET.
5.2.3. Polarització d’un transistor

Hem de fer circuits de polarització (DC) d’un transistor que :
1. Evitin que la contínua s’escampi a altres parts del circuit.
2. El circuit de polarització DC sigui invisible al senyal d’RF.
Per exemple:
VGS VDS
X X
R R
F F
DCB
DCB
[S]
[S’] = [S]
Fig. 165. Circuit de polarització bipolar d’un transistor MeSFET.
188
VP
X X
R R
F F
DCB
DCB
X
R
F
D
C
B
Fig. 166. Circuit de polarització d’un transistor bipolar.
189
190
SESSIÓ 20
Nom: Estabilitat en quadripols
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 4 hores
Material:
[Pozar2004]
[Gonzalez1997]
OBJECTIUS
L’objectiu d’aquesta sessió és analitzar sota quines condicions un quadripol és estable.
CONTINGUTS
En aquesta sessió analitzarem les condicions generals d’estabilitat d’un quadripol
connectat a un generador i a una càrrega arbitraris. A partir d’aquestes condicions
veurem com podem obtenir informació gràfica sobre el comportament pel que fa a
estabilitat d’un quadripol en funció del generador i de la càrrega a què es connecta
(cercles d’estabilitat) i introduirem el concepte d’estabilitat incondicional i de factor
d’estabilitat.
5.3. Estabilitat d’un quadripol
5.3.1. Condicions generals d’estabilitat

Un sistema estable és aquell que respon amb una resposta fitada a qualsevol entrada
fitada.
Situació:
ΓI ΓO
Γg
Quadripol ΓL
Fig. 167. Quadripol entre generador i càrrega arbitraris.
191
No podem treballar en RPS perquè suposa estabilitat (les respostes sinusoïdals són
respostes fitades, i per tant estables). Fem una anàlisi de transitoris d’entrada:
ΓI
Γg
a
Quadripol
b
a1
ΓI
b1
Γg
a2
ΓI
b2
Γg
a2
Fig. 168. Cadena de transitoris a l’entrada d’un quadripol.
En t=0, comencem a emetre una ona a 1 cap al quadripol, que arribarà

(instantàniament) al quadripol i s’hi reflectirà (instantàniament) segons ΓI , generant
b1 . b1 arribarà al generador i s’hi reflectirà segons Γg , generant a 2 , que se sumarà a
a 1 . a 1 es reflectirà en el quadripol, generant b 2 , i així successivament.
a1
b1 = ΓI ⋅ a1
a 2 = Γg ⋅ b1 = Γg ⋅ ΓI ⋅ a1
b2 = ΓI ⋅ a 2 = ΓI ⋅ (Γg ⋅ ΓI ) ⋅ a1
a3 = Γg ⋅ b2 = (Γg ⋅ ΓI ) 2 ⋅ a1
b3 = ΓI ⋅ a3 = ΓI ⋅ (Γg ⋅ ΓI ) 2 ⋅ a1
M
a n = (Γg ⋅ ΓI ) n −1 ⋅ a1
bn = ΓI ⋅ (Γg ⋅ ΓI ) n −1 ⋅ a1
M
L’ona total que va cap al quadripol serà la suma( a ) de totes les ones que van cap al
quadripol i l’ona total que en retorna ( b ) serà la suma de totes les ones que en
retornen:
∞ ∞
a = ∑ an b = ∑bn
n =1 n =1
192
∞ ∞ ∞
a = ∑ a n = ∑ (Γg ⋅ ΓI ) n −1 ⋅ a1 = a1 ∑ (Γg ⋅ ΓI ) k
n =1 n =1 k =0
∞ ∞ ∞
b = ∑ bn = ∑ ΓI ⋅ (Γg ⋅ ΓI ) n −1 ⋅ a1 = ΓI ⋅ a1 ∑ (Γg ⋅ ΓI ) k
n =1 n =1 k =0
Per tant, el nostre sistema tindrà una excitació (l’ona a 1 “inicial” i dues respostes, les
ones totals a i b que es formen):
∞
a i b són fitades ⇔ ∑ (Γg ⋅ ΓI ) k < ∞ ⇔ Γg ⋅ ΓI < 1
k =0
Aquesta és la condició general d’estabilitat a l’entrada.

Si el sistema és estable, veiem que recuperem les equacions en RPS per a les ones a
i b d’una connexió genèrica entre un generador i càrrega ( ΓI ):
∞
a1 Γg
a = ∑ an =
n =1 1 − Γg ⋅ ΓI
a
∞
a1 ⋅ ΓI ΓI
b = ∑ bn = b
n =1 1 − Γg ⋅ ΓI
Fig. 169. Ones totals en la interfície entre generador i quadripol.
Anàlogament a la sortida:
Γ0 ⋅ ΓL < 1 → → Condició general d’estabilitat a la sortida
Direm que el sistema serà estable si ho és a l’entrada i a la sortida.
Objectiu:
Trobar tots els valors de Γg i ΓL que fan que el sistema sigui estable a l’entrada i a la
sortida ( Γg i ΓL han de tenir sentit físic ⇒ [ ]
Γg < 1 , ΓL < 1 ⇔ Re Z g > 0 ,
Re[Z L ] > 0 .)
Problema:
⎧⎪ Γ g ΓI (ΓL ) < 1 (1) ⎫⎪
⎨ ⎬ depenen alhora de generador i càrrega → molt complicades
⎪⎩ ΓL Γ0 (Γg ) < 1 ( 2)⎪
⎭
193
Solució:
Atès que Γg < 1 , si ΓI (ΓL ) < 1 segur que es compleix l’equació (1). I atès que
ΓL < 1 , si ΓO (Γg ) < 1 segur que es compleix (2).

Per tant, podem extreure unes condicions d’estabilitat simplificades:
ΓI (ΓL ) < 1 → Condició d’estabilitat a l’entrada
Γ0 (Γg ) < 1 → Condició d’estabilitat a la sortida
Aquestes condicions d’estabilitat són les que utilitzarem d’ara endavant: són més
restrictives, però més simples:
Estabilitat a l’entrada= f (ΓL )

( )
Estabilitat a la sortida= f Γg
Direm que un quadripol és incondicionalment estable si és estable per a tot Γg tal que
Γg < 1 i per a qualsevol ΓL tal que ΓL < 1 . Si no, direm que és potencialment
inestable.
Nota: La notació d’estabilitat a l’entrada/sortida pot trobar-se canviada en alguns

autors:
ΓI (ΓL ) < 1 Condició d’estabilitat a l’entrada (sortida en alguns autors)

Γ0 (Γg ) < 1 Condició d’estabilitat a la sortida (entrada en alguns autors)
5.3.2. Cercles d’estabilitat

Volem trobar tots els valors de ΓL (amb sentit físic, ΓL ≤ 1 ) que fan el sistema estable
a l’entrada ( ΓI (ΓL ) < 1 ) i tots els Γg (amb sentit físic, Γg ≤ 1 ) que fan el sistema
estable a la sortida ( Γ0 (Γg ) < 1 ).
194
ΓI Γ0
Γg
[S] ΓL
Fig. 170. Xarxa de dos ports entre un generador i una càrrega.
Estabilitat a l’entrada
Volem trobar els ΓL amb sentit físic ( ΓL ≤ 1 ) tals que ΓI (ΓL ) < 1 . En comptes
d’aquest conjunt de valors, trobarem la seva frontera en ΓL / ΓI (ΓL ) = 1 (“/” significa
“tal(s) que”).
Comencem calculant ΓI = ΓI (ΓL ) :
S12 S 21ΓL
ΓI = 1 ⇔ S11 + =1
1 − S 22 ΓL
S11 (1 − S 22 ΓL ) + S12 S 21ΓL = 1 − S 22 ΓL
S11 − ΓL ( S11 S 22 − S12 S 21 ) = 1 − S 22 ΓL

1442443
Δ
2 2 2
S11 − ΔΓL = 1 − S 22 ΓL ⎯⎯→
()
S11 − ΔΓL = 1 − S 22 ΓL
2
2 2 a ⋅ a* = a
S11 − ΔΓL = 1 − S 22 ΓL ⎯⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯→( S11 − ΔΓL )( S11* − Δ* ΓL* ) = (1 − S 22 ΓL )(1 − S 22
*
ΓL* )
2 2 2 2 2
S11 − S11Δ* ΓL* − S11* ΔΓL + Δ ΓL = 1 − S 22
*
ΓL* − S 22 ΓL + S 22 ΓL
(Δ 2
− S 22
2
)Γ L
2
− ( S11 Δ* − S 22
*
)ΓL* − ( S11* Δ − S 22 )ΓL + S11 − 1 = 0
2
2
2 S11 Δ* − S 22
*
S11* Δ − S 22 S11 − 1
ΓL − 2 2
Γ − *
L 2 2
ΓL + 2 2
=0
Δ − S 22 Δ − S 22 Δ − S 22
Aquesta equació correspon a una circumferència al pla complex. L’equació d’una

circumferència al pla complex de centre (complex) CL i radi (real) RL ve donada per:
195
ΓL = C L + RL e jθ ⇔ ΓL − C L = RL
2
c A = A ⋅ A*
(ΓL − C L )(ΓL* − C L* ) = RL2
2 2
ΓL − C L ΓL* − C L* ΓL + C L − R L2 = 0
Comparant termes es comprova que el lloc geomètric de tots els ΓL / ΓI (ΓL ) = 1 es

troba en una circumferència en el pla complex de ΓL amb centre:
S 11Δ* − S 22
*
CL = 2 2
Δ − S 22
i radi:
2 S11 − 1
C L − RL2 = 2 2
Δ − S 22
2 2
S11 Δ* − S 22
*
S11 − 1
R =
2
L 2 2
− 2 2
=
Δ − S 22 Δ − S 22
=
( S11 Δ* − S 22
*
)( S11* Δ − S 22 )
−
(S 11
2
)(
− 1 Δ − S 22
2 2
)=
(Δ 2
− S 22 )
2 2
(Δ 2
− S 22
2 2
)
2 2 2 2 2 2 2 2 2
S11 Δ − S11 S 22 Δ* − S11* S 22
*
Δ + S 22 − S11 Δ + S11 S 22 + Δ − S 22
= =
(Δ 2
− S 22 )
2 2
2 2 2 2
S11 S 22 − S11 S 22 Δ* − ( S11 S 22 ) * Δ + Δ S11 S 22 − Δ S12 S 21
= = =
(Δ 2
− S 22
2 2
) (Δ 2
− S 22 ) (Δ
2 2 2
− S 22 )
2 2
S12 S 21
RL = 2 2
Δ − S 22
La circumferència definida per C L i RL s’anomena cercle d’estabilitat a l’entrada.

Com que el cercle unitat del pla complex de ΓL és la carta d’Smith, podem dibuixar-lo
sobre aquesta:
196
Punts matemàticament correctes, però sense sentit físic
Im[ΓL]
1 (j)
CL RL Cercle d’estabilitat a l’entrada
ΓL / |ΓI (ΓL)| = 1
Carta d’Smith ΓLA
d’impedàncies
Re[ΓL]
-1 1
-1 (-j)
Fig. 171. Cercle d’estabilitat a l’entrada.
Per a saber quina és la “zona estable”, és a dir, el conjunt de ΓL que donen estabilitat
a l’entrada, provem un punt a l’atzar, per exemple ΓLA :
|ΓI | = 1
ΓLA
Fig. 172. Zones d’estabilitat definides pel cercle d’estabilitat a l’entrada.
El que hi ha fora de la carta d’Smith no ens interessa, perquè té ΓL > 1 i no té sentit

físic.
1. Si ΓI (ΓLA ) < 1 → Estable. Tots els punts al seu voltant fins arribar a la
frontera o al límit de la carta d’Smith seran estables.
Zona estable
Zona inestable
197
2. Si ΓI (ΓLA ) > 1 → Inestable. Tots els punts al seu voltant fins arribar al
cercle d’estabilitat o al límit de la carta d’Smith seran no estables.
Zona inestable
Zona estable
Per tant, l’únic que hem de fer per a comprovar l’estabilitat a l’entrada és escollir un
ΓLA tal que ΓI ≠ 1 . Si ΓI < 1 , la zona on es troba serà la zona estable. Sinó, ho
serà la zona complementària.
El valor ΓLA de més senzill que podem escollir és ΓLA = 0 ( Z LA = Z 0 ) :

S12 S 21ΓLA
ΓI (ΓLA = 0) = S11 + = S11
1 − S 22 ΓLA
Regla:
• Si S11 < 1 → ΓI (ΓLA = 0) < 1 , el centre de la carta d’Smith està a la zona
estable per a valors de ΓL (estabilitat a l’entrada).
• Si S11 > 1 → ΓI (ΓLA = 0) > 1 , el centre de la carta d’Smith està a la zona

inestable per a valors de ΓL (estabilitat a l’entrada).
Estabilitat a la sortida
Volem trobar tots els Γg amb sentit físic ( Γg ≤ 1 ) tals que Γ0 (Γg ) < 1 . En comptes
d’aquest conjunt de valors, trobarem la seva frontera a Γg / Γ0 (Γg ) = 1 .

De forma anàloga al cas d’estabilitat a l’entrada, es demostra que el lloc geomètric de
tots els Γg / Γ0 (Γg ) = 1 es troba en una circumferència en el pla complex de Γg amb
centre i radi:
S 22 Δ* − S11* S12 S 21
Cg = 2 2
Rg = 2
Δ − S11 Δ − S11 2
198
La circumferència definida per C g i R g s’anomena cercle d’estabilitat a la sortida.
Com que el cercle unitat del pla complex de Γg correspon a la carta d’Smith, podem
dibuixar-lo sobre aquesta:
Im[Γg]
1 (j)
Cercle d’estabilitat a la sortida
Γg / |Γ0 (Γg)| = 1
Carta d’Smith
Rg Cg d’impedàncies
Re[Γg]
-1 1
-1 (-j)
Fig. 173. Cercle d’estabilitat a la sortida.
Per a saber quina és la “zona estable”, es a dir, el conjunt de Γg que donen estabilitat
a la sortida, provem un punt a l’atzar, per exemple ΓgA :
|Γ0 | = 1
ΓgA
Fig. 174. Zones d’estabilitat definides pel cercle d’estabilitat a la sortida.
El que hi ha fora de la carta d’Smith no ens interessa, perquè té Γg > 1 i no té sentit

físic.
1. Si Γ0 (ΓgA ) < 1 → Estable. Tots els punts al seu voltant fins arribar a la
frontera o al límit de la carta d’Smith seran estables.
Zona estable
Zona inestable
199
2. Si Γ0 (ΓgA ) > 1 → Inestable. Tots els punts al seu voltant fins arribar al
cercle d’estabilitat o al límit de la carta d’Smith seran no estables.
Zona inestable
Zona estable
Per tant, per deduir quina és la zona estable, escollirem un ΓgA tal que Γ0 ≠ 1 . Si
Γ0 (ΓgA ) < 1 , la zona on es troba serà la zona estable. Si no, ho serà la zona
complementària.
El valor més senzill de ΓgA més senzill que podem escollir és ΓgA = 0 ( Z gA = Z 0 ) :
S12 S 21ΓgA
Γ0 (ΓgA = 0) = S 22 + = S 22
1 − S11ΓgA
Regla:
• Si S 22 < 1 → Γ0 (ΓgA = 0) < 1 , el centre de la carta d’Smith està a la zona

estable per a valors de Γg (estabilitat a la sortida).
• Si S 22 > 1 → Γ0 (ΓgA = 0) > 1 , el centre de la carta d’Smith està a la zona

inestable per a valors de Γg (estabilitat a la sortida).
Elecció de Γg i ΓL
Perquè el quadripol sigui estable hem d’escollir un Γg a la seva zona d’estabilitat i un

ΓL a la seva zona d’estabilitat, per exemple:
200
ΓL /|ΓI (ΓL)| = 1
|S11| < 1
Γg /|Γ0 (Γg)| = 1
|S22| < 1
Valor vàlid (perquè la zona només no és vàlida per a ΓL)
Γg Valor no vàlid
ΓL
ΓL
Valor vàlid (perquè la zona només no és vàlida per a Γg)
Γg Valor no vàlid
Γg
ΓL Valor vàlid
Valor vàlid
Zona no estable per a ΓL

Zona no estable per a Γg
Fig. 175. Elecció de coeficients de reflexió de generador i càrrega.
Per a les zones no estables no podem assegurar res a priori. Pot haver-hi valors de
Γg i ΓL que conjuntament facin el sistema estable. No ens preocuparem d’aquests
valors.
Fent ΓI < 1 , Γ0 < 1 aconseguim un disseny de ΓL independent de Γg i a l’inrevés.
En les zones no estables, això ja no seria cert ⇒ Més complicat i major perill
d’inestabilitat.
5.3.3. Estabilitat incondicional

Analitzem les dues situacions següents:
201
Γg / |Γ0| = 1 ΓL / |ΓI| = 1
Incondicionalment estable si |S11|, |S22| < 1
Fig. 176. Cercles d’estabilitat fora de la carta d’Smith.
ΓL / |Γi| = 1
Γg / |Γ0| = 1
Incondicionalment estable si |S11|, |S22 | < 1
Fig. 177. Cercles d’estabilitat que no creuen la carta d’Smith.
En ambdós casos ( S11 < 1 i S22 < 1 i cercles d’estabilitat que no tallen la carta
d’Smith), tota la carta d’Smith serà estable per a Γg i ΓL . És a dir, el sistema és
incondicionalment estable. Si no es dóna una situació com les anteriors (els cercles
d’estabilitat tallen la carta d’Smith definint-hi una zona estable i una zona no estable, o
S11 > 1 , o S 22 > 1 ) el sistema serà potencialment inestable (o no estable).
Dibuixar els cercles d’estabilitat és innecessari (i pot ser complicat si tenen radis molt
grans o centres molt allunyats de la carta d’Smith) si el nostre circuit és
incondicionalment estable, ja que en aquest cas no podrem distingir entre valors “bons
i dolents” perquè tots són “bons”. Fóra molt útil tenir un factor, un indicador que ens
digués quan un transistor és incondicionalment estable i quan no. Només quan no fos
incondicionalment estable ens hauríem de prendre la feina de dibuixar els cercles.
202
Factor d’estabilitat (K)
⎧ S11 < 1 i
⎪
⎪ S 22 < 1 i
⎪
Sistema incondicionalment estable ⇔ ⎨ Δ = S11 S 22 − S12 S 21 < 1 i
⎪ 2 2 2
⎪ 1 − S11 − S 22 + Δ
⎪K = 2 S12 S 21
>1
⎩
Si no volem aplicar el factor d’estabilitat també podem comprovar si un sistema és

incondicionalment estable a partir de criteris geomètrics:
⎧ C L − RL > 1
⎪
Sistema incondicionalment estable ⇔ ⎨
⎪⎩ C g − R g > 1
Valors de K:
⎧> 1 incondicionalment estable

⎪
(Δ < 1, S 11 , S 22 < 1) ⎨= 1 estable si no utilitzem curtcircuits (ΓL = −1, ΓS = −1)
⎪< 1 potencialment inestable
⎩
Estabilitat en circuits estrictament unilaterals

Un circuit estrictament unilateral és aquell que té el paràmetre S12 = 0 .
Γg
[S]
ΓL
S12 = 0
Fig. 178. Quadripol estrictament unilateral.
En aquest cas:
S12 S 21ΓL
ΓI = S11 + = S11
1 − S 22 ΓL
S12 S 21Γg
Γ0 = S 22 + = S 22
1 − S11Γg
203
Si S11 < 1 i S 22 < 1 , llavors ΓI (ΓL ) = S11 < 1 ∀ ΓL i Γ0 (Γg ) = S 22 < 1 ∀ Γg . Per tant,
el transistor serà incondicionalment estable.
Un circuit estrictament unilateral no es dóna usualment a la realitat. Ara bé, té interès

com a cas límit d’una situació que sí que és realista a un transistor: S12 → 0 . En
general, si S11 < 1 i S22 < 1 , com més tendeixi S12 → 0 , més tendència tindrà el
quadripol a ser incondicionalment estable.
5.3.4. Estabilització de transistors

Si un transistor (o en general qualsevol quadripol) és potencialment inestable podem
mirar d’estabilitzar-lo (fer-lo incondicionalment estable o, si més no, augmentar les
seves zones estables) afegint-hi elements resistius als seus ports d’entrada o de
sortida:
R
S S R
S’ S’
S S
R R
S’ S’
Fig. 179. Configuracions de transistors estabilitzats.
Aquests elements resistius tendeixen a absorbir part de la potència als ports del
transistor i, per tant, a dificultar que el transistor pugui posar-se a oscil·lar. Per tant,
tendeixen a augmentar l’estabilitat del quadripol resultant. És evident, però, que com
que un element resistiu dissipa potència, aquesta resistència afectarà en general
negativament al guany de potència del conjunt (S’). Veurem també quan analitzem el
soroll en un quadripol que els resistors (que són elements sorollosos) a l’entrada del
transistor empitjoraran el factor de soroll del conjunt.
204
SESSIÓ 21
Nom: Definicions de guany i guany en transistors/amplificadors
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
[Gonzalez1997]
OBJECTIUS
Els objectius d’aquesta sessió són introduir tota una sèrie de definicions de diversos
tipus de guanys de potència utilitzats per a caracteritzar i dissenyar amplificadors.
CONTINGUTS
En aquesta sessió s’introduiran tota una sèrie de definicions de diversos tipus de
guanys de potència utilitzats per a caracteritzar i dissenyar amplificadors: guany de
potència, guany de transferència de potència, guany disponible d’un generador, etc.
També es veurà com es relacionen el guany en un transistor i el guany en
l’amplificador total.
5.4. Guany en quadripols
5.4.1. Definicions de guany
Situació
ΓI , ΓIN Γ0, ΓOUT
Γg
a1 a2
(Pav,g) ΓL
b1 b2
PI PL
(Pav,N)
Fig. 180. Paràmetres per a la definició de guanys en un quadripol.
PI = Potència neta que el generador entrega al quadripol.
205
1 2 1 2
PI = a1 − b1
2 2
PL = Potència neta que el quadripol entrega a la càrrega.

1 2 1 2
PL = b2 − a 2
2 2
Pav,g = Potència disponible del generador. Màxima potència neta que pot entregar el
generador. És a dir, potència neta que entrega a la seva càrrega conjugada.
Γg
a
b Γg*
Pav,g
1 2 1 2
Pav,g = a − b
2 2
Fig. 181. Potència disponible del generador.
Pav, N = Potència disponible de la xarxa. Potència neta màxima que el conjunt

generador – xarxa pot entregar a la càrrega (sense tocar el coeficient de reflexió del
generador Γg ), que serà la seva complexa conjugada.
ΓO, ΓOUT
Γg ΓO Γ0
Pav,N Γ0*
Equivalent de Thevenin Equivalent de Thevenin

de generador + quadripol de generador + quadripol
Fig. 182. Potència disponible de la xarxa.
Guany de potència d’un quadripol (G o GP)
2
P 1 2 1 − ΓL
G = GP = L = 2
S 21 2
= f (ΓL )
PI 1 − ΓI 1 − S 22 ΓL
206
Problema
Analitzem ara què passa si l’entrada està desadaptada:
Γg
a1 PI PL
GP ΓL
b1
Fig. 183. Potència de sortida en un quadripol caracteritzat amb GP.
⎛1 2 1 2⎞ 2
PL = G P ⋅ PI = G P ⎜ a1 − b1 ⎟ = G P ⋅ P1+ (1 − ΓI )
⎝2 2 ⎠
Encara que G P sigui gran, si tenim desadaptacions a l’entrada, ΓI serà gran i, per
tant, podem tenir nivells de potències de sortida PL petits, fins i tot més que Pav ,g
(potència que podríem subministrar a la càrrega amb una simple adaptació
d’impedàncies ben feta entre generador i càrrega, sense necessitat del quadripol
amplificador). Per tant G P no és una definició de guany gaire bona. Ens cal, per a
anar bé, una definició de guany que tingui en compte el que acabem de comentar:
Guany de transferència de potència (GT)
PL
GT =
Pav , g
Aquesta definició té en compte si estem aprofitant Pav ,g . Si ho fem, PL s’incrementa i

per tant GT també s’incrementa. Si no ho fem, PL baixarà i llavors GT també baixarà.
GT =
(1 − Γ ) S (1 − Γ )
g
2
21
2
L
2
= f (Γg , ΓL )
2
(1 − S11Γg )(1 − S 22 ΓL ) − S12 S 21Γg ΓL
207
Guany de potència disponible (GA)
Pav, N
GA =
Pav,g
on Pav , N = PL ΓL = ΓO*
*
Z L = Z OUT
G A és el màxim G T que podem aconseguir sense tocar el generador, només la

*
càrrega ( ΓI no té per què ser igual a Γg ).
2
1 − Γg 2 1
GA = 2
S21 2
= f (Γg )
1 − S11Γg 1 − Γ0
Màxim guany disponible (MAG)
MAG = G T MAX
Quan aconseguim MAG?
ΓI=Γg
* Γ0=ΓL*
Γg
[S] ΓL
Fig. 184. Adaptació conjugada a un quadripol.
Cal que el generador entregui la màxima potència possible al quadripol (Γg = ΓI* ) , i
que el quadripol entregui la màxima potència a la càrrega (ΓL = ΓO* ) . D’aquesta
manera el quadripol amplifica la màxima potència possible i l’entrega de la manera
més eficient possible a la càrrega: no podem fer res millor.
Si trobem aquests valors de Γg i ΓL que ens asseguren que tenim MAG:
208
2
B1 ± B12 − 4 C1
Γg = ΓI* (ΓL )⎫⎪ Γg = 2C1
⎬⇒
ΓL = Γ0 (Γg )⎪⎭
*
B2 ± B22 − 4 C 2
2
ΓL =
2C 2
2 2 2
B1 = 1 + S11 − S 22 − Δ
2 2 2
B2 = 1 + S 22 − S11 − Δ
*
C1 = S11 − ΔS 22
*
C 2 = S 22 − ΔS11
En aquesta situació es compleix que MAG = GT = G A = G P .

Per a sistemes potencialment inestables, Γg i ΓL poden ser a les zones no estables o
tenir Γ > 1 .
Per al cas que el sistema sigui incondicionalment estable:
MAG =
S 21
S12
(K − K 2 −1 )
Màxim guany estable (MSG)
S 21
MSG = MAG K =1 =
S12
No és un guany físic, si no que es tracta d’un factor de mèrit. Sol donar-se en comptes
de MAG quan el quadripol és potencialment inestable.
Guany de transferència unilateral (GTU)

Un quadripol és unilateral quan, a efectes de guany de transferència i adaptacions
d’impedàncies, podem menysprear S12 S 21 (podem suposar només en els càlculs de
guany i xarxes d’adaptació que | S12 S 21 |<< 1 ). Aquesta hipòtesi no l’hem d’aplicar mai
en raonaments d’estabilitat, a menys que el quadripol sigui estrictament unilateral
( S12 ≡ 0 ).
209
GTU = GT quadripol unilateral =
(1 − Γ ) S (1 − Γ )
g
2
21
2
L
2
=
|S12 S 21 |<<1 2
(1 − S11Γg )(1 − S 22 ΓL ) − S12 S 21Γg ΓL quadripol unilateral
| S12 S 21 |<<1
=
(1 − Γ ) S (1 − Γ ) =
g
2
21
2
L
2
1 − Γg
2
⋅ S 21 ⋅
2 1 − ΓL
2
2 2 2
(1 − S11Γg )(1 − S 22 ΓL ) 1 − S11Γg 1 − S 22 ΓL
2 2
1 − Γg 2 1 − ΓL
GTU = ⋅ S 21 ⋅
1 − S11Γg {
2 2
G0
1 − S 22 ΓL
14243 14243
GS ( Γg ) G L ( ΓL )
G S = Guany per adaptació a l’entrada = f (Γg )

G 0 = Guany intrínsec
G L = Guany per adaptació a la sortida = f (ΓL )
Criteris per a la unilateralitat

1. (Rigorós). Podem suposar unilateralitat quan la diferència entre G T i G TU sigui
petita, és a dir, quan treballar amb G TU no signifiqui una pèrdua de precisió
important. Es demostra:
1 G 1
< T <
(1 + U ) 2
GTU (1 − U ) 2
S12 S 21 S11 S 22
U= 2 2
→ Factor de mèrit unilateral
(1 − S11 )(1 − S 22 )
2. (Lax). Suposem unilateralitat quan S12S21 << 1 . Aquest és el criteri

d’unilateralitat que aplicarem durant el curs. Cal que tinguem present que
aquest criteri d’unilateralitat el podrem aplicar a la fórmula de G T i a les
fórmules de ΓI i Γ0 (cosa que és equivalent a fer S12 ≈ 0 a aquestes fórmules),
però que mai, basant-nos en aquest criteri, no podrem aproximar S12 ≡ 0 en
raonaments d’estabilitat.
210
Guany de transferència unilateral màxim ( GTUMAX )
GTUMAX = GTU MAX

= MAG quadripol unilateral
| S12 S 21 | ≅ 0
Quan aconseguirem GTUMAX ?

ΓΙ=Γg* ΓΟ=ΓL*
Γg
Quadripol
unilateral ΓL
|S12·S12|<<0
Fig. 185. Condicions d’adaptació en un quadripol unilateral.
S12 S 21ΓL
ΓI = S11 + ≅ S11
1 − S 22 ΓL
S12 S 21Γg
Γ0 = S 22 + ≅ S 22
1 − S11Γg
Maximitzarem G TU quan entreguem màxima potència de generador a quadripol i de

quadripol a càrrega. Per tant, caldran condicions d’adaptació conjugada per a
generador i càrrega:
* *
Γg = ΓI = S11
* *
ΓL = Γ0 = S 22
Aquestes són expressions molt més senzilles que si no podem fer la hipòtesi
d’unilateralitat.
* 2 * 2
* *
1 − S11 2
1 − S 22
GTUMAX = GTU (Γg = S11 , ΓL = S 22 ) = ⋅ S 21 ⋅ =
* 2 * 2
1 − S11 S11 1 − S 22 S 22
2 2
1 − S11 2 1 − S 22 1 2 1
= ⋅ S 21 ⋅ = ⋅ S 21 ⋅
2 2 2 2
1 − S11 {
2 2
1 − S11 1 − S 22 G0
1 − S 22
1424 3 1424 3
GSMAX GLMAX
1 2 1
GTUMAX = ⋅ S 21 ⋅
1 − S11 {
2 2
G
1 − S 22
1424 3 0 1424 3
GSMAX GLMAX
211
GSMAX = Guany per adaptació a l’entrada màxim.
G LMAX = Guany per adaptació a la sortida màxim.
5.4.2. Relació entre guany en un transistor i en un

amplificador
Per a fer un amplificador:

Γg ΓL
ΓgR
PINR PIN PL PLR

Pav, gR A1 TRT A2 ΓLR
Thevenin GPTRT
GTTRT
GPAMP
Γg GTAMP
Pav, g
Fig. 186. Guanys en un transistor i en un amplificador.
A l’etapa de disseny, trobem Γg i ΓL perquè el transistor presenti un guany adient

G PTRT i G TTRT . A l’etapa de síntesi, dissenyem A1 i A2 (són xarxes passives,
recíproques i sense pèrdues) perquè el transistor vegi Γg i ΓL en comptes de ΓgR i
ΓLR .
Pregunta: Quin és el guany de l’amplificador total ( G PAMP , GTAMP )?
Com que les xarxes A1 i A2 són passives i sense pèrdues, tota la potència que
netament absorbeixen per un port l’han de treure per l’altre, perquè no poden quedar-
se-la (no estaríem en RPS) ni amplificar-la (ja que les xarxes són passives), ni
dissipar-la (són sense pèrdues).
PINR = PIN
PLR = PL
212
La potència disponible del conjunt generador (real) i A1:
ΓgR Γg
Pav, gR A1 >< Pav, g
Fig. 187. Equivalent de Thevenin de generador real i xarxa d’adaptació.
segur que no pot ser major que la del generador real:

ΓgR
Pav, gR
Fig. 188. Generador real de l’amplificador.
perquè l’ha de treure del real, que com a molt pot donar Γav ,gR
Pav , g ≤ Pav , g R
De fet, es pot demostrar que són iguals:
Pav , g = Pav , g R
Per tant:
PLR PL
G TAMP = = = G TTRT
Pav,g R Pav,g
PLR PL
G PAMP = = = G PTRT
PINR PIN
Les xarxes A1 i A2 no modifiquen les característiques de guany.
213
214
SESSIÓ 22
Nom: Cercles de guany
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 3 hores
Material:
[Pozar2004]
[Gonzalez1997]
OBJECTIUS
En aquesta sessió aprendrem com podem plasmar gràficament la informació que ens
donen els diversos guanys definits a la sessió anterior.
CONTINGUTS
Veurem els cercles de guany constant, de guany disponible constant, i de guany
constant per adaptació a l’entrada i a la sortida.
5.4.3. Cercles de guany constant per adaptació a

l’entrada/sortida
Suposem un quadripol unilateral, això implicarà que ΓI no depèn de la sortida i

viceversa, ΓO no dependrà de l’entrada, Γg :
Γg
[S] ΓL
S12 0
Fig. 189. Quadripol unilateral.

2 2
1 − Γg 2 1 − ΓL
GTU = 2
S 21 2
1 − S11Γg 1 − S 22 ΓL
14243 142 43
GS ( Γg ) GL ( ΓL )
215
Coneixent Γg , coneixem G S (Γg ) . Coneixent ΓL , coneixem G L (ΓL ) . Podem fer el pas
contrari (coneixent G S ≤ G SMAX , podem conèixer Γg , i coneixent G L ≤ G LMAX , podem
conèixer ΓL )?
Es demostra que:
1. El lloc geomètric de tots els Γg / G S (Γ g ) = G SO ≤ G SMAX és una circumferència

de centre C S i radi R S , anomenada cercle de guany constant per adaptació a
l’entrada.
G SO ⋅ S11
*
CS = 2
∠(C S ) = ∠( S11* ), C S GSO =GS MAX
= S11*
1 + G SO S11
2
1 − G SO (1 − S11 )
RS = 2
RS GSO =GS MAX
=0
1 + G SO S11
Aquests cercles podem dibuixar-los al pla complex de Γg (i per tant a la carta d’Smith).
Els diversos cercles que dibuixem ens donaran una representació “topogràfica” de G S
en funció de Γg (és a dir, cada cercle representarà el conjunt de Γg ’s que tenen el
mateix G S ), tal com es mostra a la figura següent:
Im[Γg]
j
Tots els centres són sobre aquesta recta.
S11*
GSMAX ^
GS1^
GS2
^ Re[Γg]
-1 GS3=1 1
perquè GS(Γg = 0) = 1
-1 (-j)
Fig. 190. Cercles de guany constant per adaptació a l’entrada.
2. El lloc geomètric de tots els ΓL / G L (Γ L ) = G LO ≤ G LMAX , és una circumferència

de centre C L i radi RL , anomenada cercle de guany constant, per adaptació a
la sortida.
216
G LO ⋅ S*22
CL = 2 ∠(C L ) = ∠( S 22
*
), C L = S 22
*
1 + G LO S22 G LO =G LMAX
2
1 − G LO (1 − S22 )
RL = 2
RL GLO =GLMAX
=0
1 + G LO S22
De manera anàloga al cas anterior, aquests cercles podem dibuixar-los al pla complex
de ΓL (i per tant a la carta d’Smith), obtenint una representació “topogràfica” de G L en
funció de ΓL (és a dir, cada cercle representarà el conjunt de ΓL ’s que tenen el mateix
G L ):
Im[ΓL]
j
perquè GL(ΓL = 0) = 1
GL3=1
^ Re[ΓL]
-1 GL2 ΓL = 0 1
GL1^
^
GLMAX
S22*
Tots els centres són sobre aquesta recta.
-1 (-j)
Fig. 191. Cercles de guany constant per adaptació a la sortida.
5.4.4. Cercles de guany (de potència) G P constant

ΓI
Γg
[S] ΓL
PI PL
Fig. 192. Paràmetres per al càlcul del guany de potència.
Si no es compleix que S12 S 21 << 1 (el quadripol no és unilateral), no podem utilitzar

G T (Γg , ΓL ) de forma fàcil perquè té dependències simultànies de Γg i ΓL
217
( ΓI dependrà de ΓL , i ΓI de l’entrada Γg ). Podem utilitzar alternativament G P . En
aquest cas, el paràmetre de disseny serà ΓL (Pel fet de treballar amb G P , farem
després (si es pot) que Γg = ΓI* (ΓL ) ).
:
2
1 2 1 − ΓL
GP = 2
⋅ S 21 ⋅ 2
= f (ΓL )
1 − ΓI 1 − S 22 ΓL
Donat ΓL , és fàcil calcular G P (ΓL ) . Podem fer el procés invers? La resposta és

afirmativa: el lloc geomètric de tots els ΓL tals que G P (ΓL ) = G PO és una
circumferència de centre C P i el radi RP , anomenada cercle de guany (de potència)
constant:
g P ⋅ C 2*
CP =
(
1 + g P S 22 − Δ
2 2
) ∠C P = ∠(C 2* )
2
1 − 2 K S 21 S12 g P + S 21 S12 g P2
RP =
(
1 + g P S 22 − Δ2
2
)
G PO
gP = 2
C 2 = S 22 − ΔS11*
S 21
Δ = S11 S 22 − S12 S 21 , K = factor d ' estabilitat
Tots els cercles tenen centre sobre la recta que passa per 0 i C 2* . Podem dibuixar
aquests cercles al pla complex, a la carta d’Smith. Cal distingir dos casos:
Cas 1. Quadripol incondicionalment estable
En aquest cas, ∃G P MAX

= MAG =
S 21
S12
(
⋅ K − K 2 −1 : )
(veure figura més avall)
218
Im[ΓL]
j
MAG
GSMAX ^
GP1 ^
GP2
^ Re[ΓL]
-1 GP3 1
-1 (-j)
Fig. 193. Cercles de guany de potència constant per a un quadripol incondicionalment

estable.
Una possible metodologia de disseny fóra:
1. Escollim un valor adequat de ΓL per a G P i facilitat d’adaptació (que sigui

*
fàcil sintetitzar la xarxa A2, per a obtenir ΓO = ΓL ):
A2 ΓLR
ΓL
Fig. 194. Coeficient de reflexió de sortida de l’amplificador.
Com més allunyats estiguin els valors de ΓL i ΓLR a la carta d’Smith, més difícil de
realitzar físicament serà la xarxa A2, i tindrà menys ample de banda.
2. Si podem, per consideracions de facilitat d’adaptació i soroll, escollim:

PL P
Γg = ΓI* (ΓL ) ⇒ PI = Pav , g ⇒ G P = = L = GT
PI Pav , g
3. Si no, ...
219
Cas 2. Quadripol potencialment inestable
G P pot valer infinit: a mesura que ΓL s’acosta al cercle d’estabilitat a l’entrada
( ΓL / ΓI (ΓL ) = 1 ):
2
1 1 2 1 − ΓL
ΓI (ΓL ) → 1 ⇔ 2
→ ∞ ⇔ GP = 2
⋅ S 21 ⋅ 2
→∞
1 − ΓI 1 − ΓI 1 − S 22 ΓL
Els cercles de G P constant prendran formes:
ΓL / |ΓI (ΓL )| = 1 També és el cercle de guany

constant per a GP =
Im[ΓL]
j
GP1
^
GP2
^ |S11|<1
GP3 Re[ΓL]
-1 1
-1 (-j)
Zona no estable
Fig. 195. Cercles de guany de potència constant per a un transistor potencialment
inestable.
Quan el cercle d’estabilitat a l’entrada talla la carta d’Smith, tots els cercles de G P
constant també la tallen en els mateixos punts. I just aquest cercle d’estabilitat també
representa el cercle de guany G P = ∞ .
220
ΓL / |ΓI (ΓL )| = 1 També és el cercle de guany
constant per a GP =
Im[ΓL]
j
|S11|<1
Gp1 Re[ΓL]
-1 Gp2> 1
G>
p3
-1 (-j)
Fig. 196. Cercles de guany de potència constant per a un transistor potencialment
inestable.
Quan el cercle d’estabilitat no talla la carta d’Smith, els cercles de G P constant

tendeixen al cercle d’estabilitat a mesura que G P → ∞ . És a dir, els cercles de G P
estan inscrits dins del cercle d’estabilitat.
A l’hora de dissenyar haurem d’exigir a més a més que ΓL estigui a la zona estable i
no massa proper al cercle d’estabilitat a l’entrada (per a evitar que toleràncies de
construcció no el moguin a la zona no estable) ⇒ usualment escollim G P < MSG com
a criteri empíric de disseny. També haurem de vigilar que Γg l’escollim a la zona
estable (mirant el cercle d’estabilitat a la sortida).
5.4.5. Cercles de guany disponible ( G A ) constant

ΓO
Γg
Pav,g [S] ΓL
PI PL
Pav,N
Fig. 197. Paràmetres rellevants per al càlcul de GA.
Igual que a l’apartat anterior, si no es compleix que S12 S 21 << 1 (el quadripol no és
unilateral), no podem utilitzar GT (Γg , ΓL ) de forma fàcil perquè té dependències
221
simultànies de Γg i ΓL ( ΓI dependrà de ΓL , i ΓI de l’entrada Γg ). Podem utilitzar
alternativament G A . En aquest cas, el paràmetre de disseny serà Γg (Pel fet de
treballar amb G A , farem després (si es pot) que ΓL = ΓO* (Γg ) ).
2
Pav , N 1 − Γg 2 1
GA = = f (Γg ) = GT (ΓL = Γ (Γg )) = *
O 2
⋅ S 21 ⋅ 2
Pav , g 1 − Γg S11 1 − ΓO
Donat Γg , és fàcil calcular G A (Γg ) . Podem fer el procés invers? La resposta és

afirmativa un altre cop: el lloc geomètric de tots els Γg tals que G A (Γg ) = G AO és una
circumferència de centre C A i el radi R A , anomenada cercle de guany disponible
constant:
g A ⋅ C1*
CA =
(
1 + g A S11 − Δ
2 2
) ∠C A = ∠(C1* )
2
1 − 2K S 21S12 g A + S 21S12 g 2A
RA =
(
1 + g A S11 − Δ2
2
)
G AO
gA = 2
C1 = S11 − ΔS 22
*
S 21
Δ = S11 S 22 − S12 S 21 , K = factor d ' estabilitat
Tots els cercles tenen centre sobre la recta que passa per 0 i C1* . Podem dibuixar
aquests cercles en el pla complex, a la carta d’Smith. Cal distingir dos casos:
Cas 1. Quadripol incondicionalment estable
En aquest cas, ∃G A MAX

= MAG =
S 21
S12
(
⋅ K − K 2 −1 : )
222
Im[Γg]
j
MAG
GA1^
GA2
^ Re[Γg]
-1 GA3 1
-1 (-j)
Fig. 198. Cercles de guany disponible per a un transistor incondicionalment estable.
Una possible metodologia de disseny fóra:
1. Escollim un valor adequat de Γg per a G A , soroll i facilitat d’adaptació.
2. Si podem, per consideracions de facilitat d’adaptació, escollim:

Pav , N PL
ΓL = Γ0* (Γg ) ⇒ PL = Pav , N ⇒ G A = = = GT
Pav , g Pav , g
3. Si no...
Cas 2. Quadripol potencialment inestable

G A pot valer infinit a mesura que Γg s’acosta al cercle d’estabilitat a la sortida
( Γg / ΓO (Γg ) = 1 ):
2
1 1 − Γg 2 1
ΓO (Γg ) → 1 ⇔ 2
→ ∞ ⇔ GA = 2
⋅ S 21 ⋅ 2
→∞
1 − ΓO 1 − Γg S11 1 − ΓO
223
Els cercles de G A constant prendran formes:
Γg / |ΓO(Γg )| = 1 També és el cercle de guany
constant per a GA =
Im[Γg]
j
GA1
^
GA2
^ |S22|<1
GA3 Re[Γg]
-1 1
-1 (-j)
Zona no estable
Fig. 199. Cercles de guany disponible constant per a un transistor potencialment
inestable.
Quan el cercle d’estabilitat a l’entrada talla la carta d’Smith, tots els cercles de G A
constant també la tallen en els mateixos punts. Just aquest cercle d’estabilitat també
representa el cercle de guany G A = ∞ .
Γg / |ΓO (Γg )| = 1 També és el cercle de guany
constant per a GA =
Im[Γg]
j
|S22|<1
GA1 Re[Γg]
-1 GA2> 1
G>
A3
-1 (-j)
Fig. 200. Cercles de guany disponible constant per a un transistor potencialment
inestable.
Quan el cercle d’estabilitat no talla la carta d’Smith, els cercles de G A constant

tendeixen al d’estabilitat a mesura que G A → ∞ . És a dir, els cercles de G A estan
inscrits dins del cercle d’estabilitat.
224
A l’hora de dissenyar haurem d’exigir a més a més que Γg estigui a la zona estable i
no massa proper al cercle d’estabilitat de sortida (per a evitar que toleràncies de
construcció no el moguin a la zona no estable).
També haurem de vigilar que ΓL l’escollim a la zona estable.
225
226
SESSIÓ 23
Nom: Problema 5.7
Tipus: Problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
Aquest tema el dedicarem a realitzar problemes que consolidin els conceptes donats
fins al moment.
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem problemes sobre disseny d’amplificadors que
conjuminin aspectes d’estabilitat i guany. En aquest problema veurem com podem
aprofitar la informació que ens aporten cercles de guany i estabilitat per a realitzar
dissenys d’amplificadors.
Problema
Es vol realitzar un amplificador de microones a 18 Ghz amb GTU=16dB seguint
l’esquema micropista de la Fig. 239. Les característiques del transistor es troben a la
Fig. 240.
l 1 = 3.42mm
⎡0.94 〈−63º 0.073 〈 45º ⎤ ε ef 1 = 1.44
S=⎢ l 2 = 2.60mm
⎣⎢ 1.54 〈111º 0.79 〈−40º ⎥⎦⎥ ε ef 2 = 1.32
l 4 = 2.78mm
Fig. 201. Esquema d’un amplificador a 18 GHz.
227
Calculeu el valor d’λ3 i discutiu l’estabilitat del sistema. Pot funcionar de manera
estable?
Fig. 202. Característiques del transistor del problema 5.7.
228
SESSIÓ 24
Nom: soroll en quadripols
Tipus: teòrica
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
Material:
[Pozar2004]
[Gonzalez1997]
OBJECTIUS
L’objectiu d’aquesta sessió es descriure el comportament d’un quadripol pel que fa a
soroll.
CONTINGUTS
En aquesta sessió veurem com podem caracteritzar el comportament de soroll d’un
quadripol, i com podem expressar la informació obtinguda de manera gràfica a partir
de cercles de soroll constant. Finalment veurem quina relació hi ha entre el soroll que
genera un transistor i el que genera l’amplificador total.
5.6. Soroll en transistors de microones
5.6.1. Tipus de sorolls

1) Tèrmic. Degut al moviment aleatori de càrregues elèctriques que es troben a
temperatures superiors als 0ºK. És proporcional a la temperatura.
2) Shot. Ja que la càrrega elèctrica és quantificada (arriba en quantitats diferents en
instants de temps de temps diferents). in(t) és un corrent fluctuant de mitjana a zero
(procés de Poisson aproximable a exponencial atès que el nombre de càrregues és
molt gran).
i = I + in (t )
1. Generació - Recombinació. Present en tots els semiconductors.

2. Allau. Present als díodes d’allau.
229
5.6.2. Factor de soroll
Suposem un transistor sorollós entre un generador i una càrrega.
Γg
TRT ΓL
sorollós
Fig. 203. Transistor sorollós entre generador i càrrega.
Si fem l’equivalent de Thevenin del transistor sorollós (G és el seu guany de potència,

Ni és la potència neta de soroll d’entrada, Si és la potència neta de senyal d’entrada,
No és la potència neta de soroll de sortida i So és la potència de senyal de sortida):
Γg
+ Vn
Ni TRT No
In no ΓL
Si So
sorollós
G
Fig. 204. Model equivalent per a un transistor sorollós.
Definim el factor de soroll del quadripol com la relació entre el soroll que hi ha a la
sortida del quadripol sorollós i el soroll que hi hauria a la sortida del mateix quadripol si
no fos sorollós (que fóra el de l’entrada amplificat pel guany de potència), quan la
temperatura equivalent de soroll del generador és de 290ºK. Alternativament el podem
definir com la degradació que experimenta la relació senyal soroll entre l’entrada i la
sortida del quadripol (amb les mateixes condicions de generador que a la definició
precedent):
GSi
N GN i SNR i
F= o = =
GN i So SNR o
TeqGEN = T0 = 290 º K TeqGEN =T0 = 290 º K
No TeqGEN =T0 = 290 º K
Es demostra que:
F = Fmin +
Rn
Gg
[
(G g − G g 0 ) 2 + ( B g − B g 0 ) 2 ]
230
Teq
F = 1+
T0
on:
Fmin : Factor de soroll mínim

R n : Resistència de soroll. No té sentit físic. Difícil de mesurar.
G g 0 + jB g 0 : Admitància de generador òptima Yg 0 (aquella que fa que F = Fmin ).
G g + jB g : Admitància de generador Yg .
Per tant, el factor de soroll F del transistor depèn del valor de l’admitància equivalent
del generador Yg i no depèn del valor de l’admitància equivalent de la càrrega YL .
5.6.3. Cercles de soroll constant
Γg
TRT
F = f (Γg)
Fig. 205. Paràmetres rellevants per al factor de soroll del transistor.
A partir de la fórmula per al factor de soroll F de l’apartat anterior, donat un valor de

Γg és trivial calcular el valor d’ F . També pot fer-se el procés invers: donat un
determinat valor de factor de soroll F0 , es poden trobar tots els valors de Γg que fan
que F = f (Γg ) = F0 . Això ens serà útil quan no vulguem dissenyar per a soroll mínim
sinó en combinació amb guany i estabilitat.
Per a fer-ho, primerament, transformem l’expressió d’ F en una de més útil:
⎧ 1 − Γg ⎫
⎪ Yg = Y0 ⎪
2 ⎪ 1 + Γg ⎪
(G g − G g 0 ) 2 + ( Bg − Bg 0 ) 2 = Yg + Yg 0 =⎨ =
1 − Γg 0 ⎬
⎪Yg 0 = Y0 ⎪
⎪⎩ 1 + Γg 0 ⎪⎭
2
2 1 − Γg 1 − Γg 0 2
Γg − Γg 0
= Y0 − = L = 4Y0
1 + Γg 1 + Γg 0 2
1 + Γg 1 + Γg 0
2
231
2
1 ⎧⎪ 1 − Γg ⎫⎪ Y0 ⎛ 1 − Γg 1 − Γg* ⎞ 1 − Γg
G g = (Yg + Yg* ) = ⎨Yg = Y0 ⎬= ⎜ + ⎟ = L = Y0
2 ⎪⎩ 1 + Γg ⎪⎭ 2 ⎜ 1 + Γg 1 + Γ ⎟
* 2
⎝ g ⎠ 1 + Γg
Substituint:
2 2
R Γg − Γg 0 ⎧ R ⎫ Γg − Γg 0
F = Fmin +4 n
(
Z0 1− Γ 2 1+ Γ
g g0 ) 2
= ⎨ Rn = n ⎬ = Fmin + 4 Rn
⎩ Z0 ⎭ 1 − Γg
2
1 + Γg 0 ( ) 2
A partir d’aquesta fórmula trobarem ara els Γg ∈ C tals que obtenim un valor
determinat de F = f (Γg ) = F0 .
Operant:
2 2
F0 − Fmin Γg − Γg 0 F0 − Fmin 2 Γ g − Γg 0
4 Rn
=
(1 − Γ ) 1 + Γ
g
2
g0
2
→
4 Rn
1 + Γg 0 =
(1 − Γ ) = N
g
2
N és una constant que depèn dels 4 paràmetres de soroll:
2
F0 − Fmin 2 Γg − Γg 0
N=
4 Rn
1 + Γg 0 ⇒
(1 − Γ ) g
2
=N
Reescrivint:
2 2
Γg − Γg 0 = N − N Γg
2
(Γg − Γg 0 )(Γg* − Γg*0 ) = N − N Γg
2 2 2
Γg − Γg 0 Γg* − Γg Γg*0 + Γg 0 = N − N Γg
2
2 Γg 0 Γg*0 Γg 0 −N
Γg − Γg* − Γg + =0
1+ N 1+ N 1+ N
Aquesta és la equació d’una circumferència en el pla complex (tal com ja s’ha vist en
parlar d’estabilitat), que anomenarem cercle de soroll constant, i que podem dibuixar a
una carta d’Smith.
2 2 2
Γg − C N = R N2 ⇔ Γg − CN Γg* − C N* Γg + C N − R N2 = 0
232
Igualant termes:
Γg 0
CN = ⇒ CN = Γg 0 ∠(C N ) = ∠(Γg 0 )
1+ N F = Fmin
R =
2
Γg 0
2
−
Γg 0
2
−N
=
Γg 0
2
(
− Γg 0
2
− N + N Γg 0
2
− N2 )=
N
(1 + N ) 2
1+ N (1 + N ) 2
2
N + N 2 − N Γg 0
=
(1 + N ) 2
RN =
(
N 1 + N − Γg 0
2
) ⇒ RN =0
(1 + N ) F = Fmin
Exemple d’ús
Suposem la següent situació en un transistor unilateral:
GS = 1’7 dB
*
S 11 GS = 1’5 dB
( F = 1’6 dB)
GS = 1 dB
Γg0
F = 2 dB
F = 2.5 dB
Cercles de guany constant per adaptació a l’entrada

Cercles de soroll constant
Cercles d’estabilitat a la sortida, suposem |S22 | <1
Valor de disseny de Γg
Fig. 206. Cercles de soroll, estabilitat a la sortida i guany constant per adaptació a
l’entrada dibuixants en una mateixa carta d’Smith per a un transistor unilateral.
233
El valor escollit de disseny de Γg compleix:
Estabilitat (tot i que és perillosament a prop de la zona no estable: per a un disseny
més realista, menys idealitzat, escolliríem un punt més allunyat del cercle d’estabilitat
per a evitar que toleràncies als paràmetres S del transistor o a les xarxes d’adaptació
del transistor final desplacessin el cercle d’estabilitat o el valor de Γg una miqueta i el
punt passés a ser a la zona no estable).
1. G S proper al màxim ( G S = 1’7 dB): és el guany “més gran” per adaptació
a l’entrada que podem aconseguir si volem que el resultat final sigui
estable ( G TUMAX és a la zona no estable per a Γg i per tant no el podem
escollir).
2. Soroll moderat (F = 2 dB).
Podríem haver escollit Γg = Γg 0 , i amb això obtindríem:

Estabilitat.
1. Soroll mínim (F = 1’6 dB)
2. Guany per adaptació a l’entrada molt pobre (entre 0 i 1 dB)
En funció dels cercles, i segons les nostres necessitats, escollim el valor de Γg que
ens convé.
Nota:
Si no fos unilateral, un altre candidat de cercles de guany serien els de G A , ja que
aquests depenen també de Γg .
Altres criteris
És útil en general escollir, si és possible i la resta de criteris ho permeten, Γg similar
(proper a la carta d’Smith) a ΓgR real del generador. D’aquesta manera la xarxa
d’adaptació A1 resultant tindrà un ample de banda més gran que no limitarà (o ho farà
menys) l’ample de banda de l’amplificador.
5.6.4. Factor de soroll de l’amplificador total

Durant la fase de disseny, escollim ΓS , ΓL escollits segons les nostres necessitats de:
Estabilitat
Guany
Soroll
234
Γg
PI PL ΓL
TRT
Fig. 207. Transistor entre generador i càrregues equivalents.
Ens podem preguntar quina relació hi ha entre el factor de soroll del transistor a la fase
de disseny ( FTRT ) i el factor de soroll que tindrà l’amplificador total després de
completar la fase de síntesi ( FTRT ):
Γg ΓL
ΓgR
PI PI PL PL
A1 TRT A2 ΓLR
Fadapt1 FTRT Fadapt2

Gadapt1 = PI/PI = 1 GTRT = PL/PI Gadapt2 = PL/PL = 1
FTOT, GTOT
Ai = Xarxes d’adaptació passives, recíproques i sense pèrdues.
Fig. 208. Transistor a l’amplificador total.
El soroll va associat a elements resistius o actius ⇒ en teoria una xarxa passiva i

sense pèrdues no hauria d’introduir soroll ⇒ Fadapti = 1 .
Per tant, aplicant la formula de Friis:
FTRT − 1 Fadapt 2 − 1
FTOT = Fadapt1 + + = FTRT
Gadapt1 Gadapt1 ⋅ GTRT
GTOT = Gadapt1 ⋅ GTRT ⋅ Gadapt2 = GTRT
És a dir, el factor de soroll del transistor i de l’amplificador total coincideixen, i per tant,
podem passar les especificacions de soroll de l’amplificador total a les del transistor
per a realitzar la fase de disseny.
235
236
SESSIÓ 25
Tipus: Problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
conjuminin aspectes d’estabilitat, guany i soroll.
CONTINGUTS
dels conceptes estudiats fins ara.

Problema 5.1
En aquest problema veurem com podem aprofitar la informació que ens aporten
cercles de guany, estabilitat i soroll per a realitzar dissenys d’amplificadors.
Es vol dissenyar un amplificador de microones (Fig. 247) a 8 Ghz amb un transistor de

S21=2.24133º, que queda caracteritzat a partir dels seus cercles d'estabilitat, guany
constant i soroll (donats en la Fig. 248).
Discutiu quines són les zones estables i les inestables per a Γg i ΓL en la carta
d'Smith.
Si es desitja que l'amplificador, en funcionament estable, presenti F≤ 2.5 dB i GTU 10
dB, trobeu els valors de Zg i ZL que compleixen aquestes condicions. Raoneu la
resposta.
Dimensioneu les xarxes de polarització per tal que l'amplificador funcioni correctament.
Expliqueu com polaritzaríeu el transistor de tal manera que no afectés el funcionament
del sistema en RF, ni el generador ni la càrrega.
237
Si el generador presenta una tensió Vg = 0.5 Vpp, quina és la tensió pic a pic en la
càrrega?
Fig. 209. Amplificador a 8 GHz
238
Fig. 210. Característiques del transistor del problema
Problema 5.12
En aquest problema reflexionarem sobre alguns aspectes de connexionat
d’amplificadors monolítics comercials als circuits que els han de suportar.
L’amplificador monolític CHA2194 d’UMS (Fig. 249) està dissenyat per a treballar a la
banda de 36 a 44 GHz. Els seus paràmetres S, mesurats en els ports del xip, són els
que mostra la Fig. 252.
239
Fig. 211. Esquema intern de l’amplificador CHA2194.
A una freqüència central de 40 GHz, podem considerar l’amplificador com un dispositiu

unilateral? És incondicionalment estable? Quin és el guany màxim que podem
aconseguir?
Aquest amplificador s’ha de connectar a la resta del circuit (micropista) mitjançant

petits filaments conductors anomenats bond wires (Fig. 250), que es comporten
bàsicament com inductàncies sèrie connectades en cascada entre l’amplificador i el
generador i la càrrega (Fig. 251).
Fig. 212. Connexió de l’amplificador a pistes micropista de 50Ω.
ZG= L=0.38nH CHA L=0.38nHZL=

50Ω 2194 50Ω
Fig. 213. Circuit equivalent de la connexió de la Fig. 250
Quin és el guany de transferència que s’aconsegueix en aquest cas?
240
Fig. 214. Paràmetres de l’amplificador monolític CHA2194.
241
242
SESSIÓ 26
Tipus: de problemes
Durada: 2 hores
Dedicació: 2 hores
OBJECTIUS
CONTINGUTS
En aquesta sessió realitzarem dos problemes per a veure algunes de les aplicacions
dels conceptes estudiats fins ara.

Problema 5.11
En aquest problema veurem com podem aprofitar la informació que ens aporten
cercles de estabilitat així com els paràmetres S per a realitzar dissenys
d’amplificadors.
Considereu l'amplificador monolític BGA2001 de Philips de la Fig. 253, del qual

s'adjunta informació sobre el seu funcionament a la Fig. 254 ("unstable region source"
correspon al cercle d'estabilitat a l'entrada (valors de ΓL tals que |ΓIN|=1), "unstable
region load" correspon al cercle d'estabilitat a la sortida (valors de ΓG tals que
|ΓOUT|=1.
243
Fig. 215. Amplificador monolític BGA2001 de Philips.
Suposant que volguéssiu utilitzar aquest amplificador a la freqüència de 1800 MHz,

quin guany de transferència tindríeu si el connectàveu directament a un generador i a
una càrrega de 50Ω (impedància de referència dels paràmetres S)? El disseny fóra
estable?
Si volguéssiu utilitzar aquest amplificador com amplificador de baix soroll a una

freqüència de 1800 MHz, quin hauria de ser el coeficient de reflexió de generador que
hauria de veure l'amplificador? El sistema fóra estable a la sortida? En aquestes
condicions, i suposant que el transistor fos unilateral (que és suposar molt), quin
coeficient de reflexió de càrrega hauria de veure l'amplificador per tal de maximitzar el
guany de transferència de potència? Fóra estable el disseny?.
Discutiu el circuit de polarització proposat per a l'amplificador.
Fig. 216. Característiques de l’amplificador monolític BGA2001.
244
Problema 5.9
En aquest problema reflexionarem el sentit i utilitat del guany disponible, i dels seus
cercles.
Els paràmetres S i de soroll d’un FET utilitzat en l’amplificador de la Fig. 255 mesurats
a un punt de treball per a funcionament en baix soroll (VDS=3V, IDS=20mA) a una
freqüència f=4GHz són:
⎡0.7 0.11∠ 20 º ⎤ Rn
S = ⎢ ∠ −105 º Fmin = 0.8dB Γopt = 0.7 ∠55 º rn = = 0.95
⎣ 3 ∠ 75 º 0.46 ∠ − 70 º ⎥⎦ Z0
Els cercles de guany disponible i de soroll es donen a la carta d’Smith de la Fig. 256.
Discutiu l’estabilitat del transistor.
Calculeu els coeficients de reflexió de generador i de càrrega que fan que el transistor
presenti un factor de soroll mínim i un guany de transferència el major possible
(compatible amb mínim soroll).
Calculeu el guany de transferència del sistema.
Si es relaxa l’exigència de soroll a F=1.5 dB, és possible aconseguir un amplificador

amb GT=12dB.
Proposeu una xarxa de polarització del BJT.
Dissenyeu les xarxes d’adaptació A1 i A2 cap a un entorn de 50Ω.
ΓG ΓL
Z0
T
A A Z0
R
1 2
T
Z0=50Ω
Fig. 217.Esquema d’un amplificador a 4 GHz.
245
Fig. 218. Paràmetres del transistor del problema 5.9.
246
BIBLIOGRAFIA BÀSICA
PROBLEMES
Problemes del Tema 2

Ribó, Miquel
Barcelona, 2008
[Ribó2008]

Ribó, Miquel
Barcelona, 2002
[Ribó2008]

Ribó, Miquel
Barcelona, 2008
[Ribó2008]

Ribó, Miquel
Barcelona, 2008
[Ribó2008]
247
248
BIBLIOGRAFIA COMPLIMENTÀRIA
LLIBRES
Microwave Engineering, 2nd edition

Pozar, David M.
John Wiley & Sons
New York (USA), 2004
[Pozar2004]
Microwave Transistor Amplifier, 2nd edition

Gonzalez, Guillermo
Prentice Hall
Upper Saddle River (USA), 1996
[Gonzalez1996]
249
250
GLOSSARI
Línia de transmissió
Guia d’ones que propaga modes TEM (transversals electromagnètics) o quasi-TEM
(els camps presenten una petita component en la direcció de propagació. Pel fet de
propagar ones TEM o quasi-TEM, la propagació d’ones electromagnètiques en una
línia de transmissió pot modelar-se de manera exacta (TEM) o pràcticament exacta
(quasi-TEM) a partir de propagació d’ones de tensió i de corrent.
L.T.
Línia de transmissió.
251

Ebook Circuits Alta Frequencia

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ebook Circuits Alta Frequencia

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Creative Commons License Deed

Reconeixement-No comercial-Sense obres derivades 2.5 Espanya

 Vostè és lliure de:

Copiar, distribuir i comunicar públicament l’obra.

 Sota els següents condicionants:

Sense obres derivades.

• Alguna d'aquestes condicions pot no aplicar-se si obteniu el permís del titular

• No hi ha res en aquesta llicència que menyscabi o restringeixi els drets morals

 Autors: Miquel Ribó i F. Javier Pajares

 Editor: Lluís Vicent

 Coordinació lingüística: Sara Laso

 Revisió lingüística: Cristóbal Cabeza

 Revisió científica: Miquel Ribó i F. Javier Pajares

 Maquetació: Sara Laso

 Disseny de portada: Marc Segarra

Aquesta edició ha comptat amb el suport de l’Agència de Gestió

1. La línia de transmissió. Comportament

Definició i comportament temporal

L.T coaxial (secció) L.T Bifilar (secció)

Fig. 1. Diversos tipus de línia de transmissió.

Fig. 2. Simbologia utilitzada per a una línia de transmissió.

1.1. Model i equacions

Fig. 3. Circuit equivalent per a una línia de transmissió de longitud dz.

Fig. 4. Voltímetre movent-se a velocitat c per una línia de transmissió.

La tensió mesurada a cada indret serà:

Càlcul del corrent en funció de la tensió

Oblidant-nos de les constants:

Definim c ⋅ C = Yo , admitància característica de la línia:

Fig. 6. Definició de corrents en una línia de transmissió.

A partir de L,C (paràmetres primaris de la línia) hem obtingut:

Cal recordar que:

1.2. Comportament en règim permanent

Comportament en règim permanent sinusoïdal

Si ens preguntem si són possibles senyals sinusoïdals iniciats a t → −∞ (en RPS)

A partir de les relacions que han de complir v + , v − , i + , i − , v i i , podem veure fàcilment

Definim la longitud d’ona com:

Es comprova que λ és la periodicitat espacial de v + , v − , i + , i − :

1.3.1. Impedància en una línia de transmissió

Relació entre la impedància entre dos punts

Fig. 9. Impedància d’entrada d’una línia de transmissió.

1.3.2. Coeficient de reflexió en una línia de

Fig. 10. Definició del coeficient de reflexió en una línia de transmissió.

Relació entre Z(z) i ρ(z)

Els valors importants de ρ en funció de Z seran:

Relació entre el coeficient de reflexió entre dos punts

V − ⋅ e jβz1 V − ⋅ e jβz 2 ⋅ e − jβd

V − (z) (ona reflectida) i V + (z) (ona incident):

Una càrrega terminal força una ona regressiva de valor V − ( z1 ) = ρ LV + ( z1 ) .

Coeficient de reflexió d’entrada en una L.T.

Definint ρIN a 0+ ens assegurem que el definim en un punt on té sentit, en un punt on hi

És evident que a z = z1 es compleix V z1 ( ) = V (z ) i I (z ) = I (z ). Per tant, es

Per tant, tensions, corrents i impedàncies no noten el canvi d’impedància característica

Aleshores, ones de tensió i coeficients de reflexió no es conserven (canvien) en un

1.3.3. Relació d’ona estacionària en una línia de

Si mirem com varia V (z ) o I (z ) en funció de la posició obtindrem gràfiques del tipus:

A un màxim de tensió correspon un mínim de corrent. A z = z1 :

És fàcil veure que:

1.4. Potència propagada en una línia de

Potència propagada en una línia de transmissió

P = P + − P − → Potència neta propagada cap a z creixents.

1.5. Càlcul dels valors de les ones de tensió en

Càlcul dels valors de les ones de tensió en una línia de transmissió

Som davant una situació:

Vostè és lliure de:

Sota els següents condicionants:

Autors: Miquel Ribó i F. Javier Pajares

Editor: Lluís Vicent

Coordinació lingüística: Sara Laso

Revisió lingüística: Cristóbal Cabeza

Revisió científica: Miquel Ribó i F. Javier Pajares

Maquetació: Sara Laso

Disseny de portada: Marc Segarra