Clip die bonder 使用於高功率元件製造之製程技術與生產自動化設備

黃正尚 / 總經理, 廣化科技股份有限公司

摘要 :

在高功率元件(大於 1Amp)的封裝製造方法有粗鋁線打線機及銅片橋接兩種製程,

本文將詳細介紹銅片橋接黏晶製程(以稱 Clip die bonder), 應用於高功率元件(大

於 1Amp)的封裝製造, 基本上, 因為大電流所以以粗鋁線打線機生產時必須使用

5/10/20/30mil 等粗鋁線甚至是鋁帶, 如此使用者必須購買一台極為昂貴的粗鋁線

打線機, 且產能甚低(相較於 Clip die bonder), 於是 Clip die bonder

因無需使用粗鋁線Wire bonder, 所以有了較高的產能, 較低的成本, 而廣為高功

率元件製造廠所採用,目前在二極體(Rectifiers), Thyristor, MOSFET…等高功

率器件使用此項技術已超過十幾年的經驗, 所生產出之產品在散熱(Thermal

dissipation)及接觸阻抗(Contact resistance)方面均有極佳的表現, 由其是大安培元

件(8 Amp. 以上). 本文就針對使用此製程之 : (一). 元件結構. (二). 製程參數.

(三). 自動化生產之方法流程及設備架構, 分章別段, 詳盡敘述 使讀者能深入了

解此項製程技術.
(一). 元件結構.

1. SMD 封裝二極體, 如μSMA, SMA, SMB, SMC…等.

Clip (裁切下來之銅片)
晶片(Die)
導線架(Lead frame)

依此製程所設計之元件, 最薄的元件可薄到 0.6mm(含膠體), SOD123 是目前可以

以 Clip die bonder 生產的最小元件, 依照封裝元件的外觀尺寸, 設計導線架

及 Clip, 其中需考慮組立後之結構重心, 散熱, 接觸面阻抗, 焊接面殘留應力,

可生產性, 換產品線之通用性. 此類產品通常是距陣式導線架, 長 X 寬約是

80X260mm, Clip 則以捲帶式入料.

2. 高功率二極體, 如 TO-220. ITO-220, TO-3P, ISTO-220…等.

TO 系列產品以銅片橋接方式生產, 此種結構可生產的封裝型態有: TO-220(如下

圖), ITO-220, D2PAK, TO-3P, TO218, 內絕緣 TO-220…等, 可封裝之產品有 GPP

Diodes, Schottky diodes, SCR, TVS, Power MOSFET…等

註: 內絕緣 TO-220 是一種散熱片導熱不導電的 TO-220, 其做法是在散熱片與

焊接面間以陶瓷片隔開, 如下圖右邊所示
3. 橋式整流器 (Bridge rectifiers)

橋式整流器以銅片橋接方式生產, 此種結構可生產的封裝型態有: GBU, GBJ,

KBJ, GBL, MinDIP, HDDF, ABS…等, 可封裝之產品為橋式整流器或電源模組.

4. 高功率 MOSFET : DFN / QFN

DFN 5X6 Package:以銅片橋接方式生產, SD/Gate 皆以 Clip 橋接, Gate 的焊接

面需大於 0.30X0.30mm, 焊墊金屬層必須是鈦鎳銀或金(鋁會造成拒焊), Clip

之吸取面與裁切面必須同一平面. 可封裝之產品為 PowerMOS,

小於 5X6 DFN Package:以銅片橋接方式生產, SD 以 Clip 橋接, Gate 則打線, 主

要是因為 Gate 的 Contact Pad(<0.35X0.35mm)太小無法點錫膏, 使用此種結構

時客戶必須注意的是 Die 頃斜, 通常是小於 1mil(最高減最低), 否則打線機無

法進行影像定位或是打線頭容易斷裂, 另此種混合製程, 導線架是絕對不能氧

化的, 否則會無法打線, 通常焊接環境含氧量需小於 100ppm, 有些廠商會在純

氮中加入 3~5%的氫氣, 以降低導線架被氧化的可能.

4. Dr.MOS / 多晶片封裝

是一種將 Driver IC 與兩顆 PowerMOS, 封裝在 QFN package 上,提高了產品的電

器特性及可靠度,且大大的縮小了 PCB 上的焊墊面積,下圖為 Dr.MOS 之簡單的結
構圖
Discrete PowerMOS X 2 Dr. MOSx1

Driver IC X 1 The mounting area 50% smaller

Package overview

5. 多晶片堆疊封裝(下圖範例為四顆 Die 五層堆疊之橋式整流器)

依此 Clip 製程產品結構可為多層設計,如下圖為兩層 Die, 三層銅片之結構,此

外, 也有兩顆 PowerMOS,堆疊之設計, 如此便可以有效的縮小 Package 大小, 實
現了短小輕薄之目標.

(二). 製程參數.

Clip 製程從導線架進料, 點膠, 膠點檢測, 晶粒放置, 晶粒放置後檢測, Clip

放置, Clip 放置後檢測, 焊接到出料到料夾都有一定的作業規範與製程參數,

其中許多是經驗值, 一般來說, 組立製程, 是對產品的生產良率及可靠度影響

最大的, 如焊接後晶片 Clip 之位置精度, 膠點大小及均勻性都是造成產品失敗

的主要因素, 以筆者從事該項工作數十年經驗來看,Clip 製程組立之當站良率

應可高於 99.95%.

下列表格為針對比較重要的製程參數部分列表如下 :
 流程 製程參數
自動進料(堆疊 正反/左右防呆
式) 定位孔公差需小於 20um(孔徑及孔位)
Lead frame 之翹曲度小於 0.100mm
兩 Lead frame 之堆疊必須是可靠重力分離
下點膠-1 錫膏 Flux 含量=10~15%
下點膠-2 錫膏細緻度與點錫點大小(Φ)之關係
V 溝點膠-1 Type 3/4 : 0.6~1.2mm
V 溝點膠-2 Type 5/6 : 0.2~0.5mm
上點膠-1 下點膠膠點面積=70%的 Chip 面積
上點膠-2 V 溝點膠膠點面積=70%的 Chip 面積
上點膠膠點面積=80%的 Pad 面積
膠點位置精度=±2mil
錫膏厚度(Die 壓平後)=0.01~0.06mm
點膠氣壓=150~300psi
點膠時間=30~150ms
膠點檢測-1 檢測膠點位置及大小
膠點檢測-2 位置檢測規格=±3mil
膠點檢測-3 大小檢測規格(Φ)=±20%
芯片放置-1 Bond force=60~100g
芯片放置-2 放置精度=±2mil
Die 傾斜度<2°
BLT=0.01~0.06mm
芯片放置檢測-1 位置檢測規格=±3mil
芯片放置檢測-2
Clip 放置 Bond force=90~120g
放置精度=±4mil
Clip 傾斜度<2°
BLT=0.01~0.06mm
Clip 放置檢測 位置檢測規格=±4mil

自動出料 出料至 Magazine

Snap oven 焊接 建議爐溫焊接曲線

(三). 自動化生產之方法流程及設備架構

1. 系統架構：

2. 控制系統架構：
機械規格：

項目 機器動作 照片
1. L/F 進料機構 : 1. Stack input : 兩個進料盒
2. 滿載 : 40 片
3. 自動切換料盒撿取,可不停
機補料
2. 點膠系統 X 6 1. 氣動式點膠控制器
--下點膠* 2 組 2. 前後段分開點膠提高效率
--上點膠* 2 組 3. 膠量大小<15%(Base on 膠
--V 溝點膠*2 組 量直徑>1mm)
4. 點膠位置精度<+/-2mil

3. 膠點影像檢測系統 1.自動偵測膠量大小(以直徑
X4 判斷),不合格自動報警停機
--下點膠＆銅片接點 2. 膠量規格自行設定,人性化
2組 操作介面
--上點膠 2 組

4. 晶粒放置後監視系 使用 CCD 取像,電腦影像系統

判定
統 X2

5. 芯片取放 X 2 1. 線性運動取放頭, Cycle

time = 0.45 秒
2. Y/Z 軸方向運動(可程控調
整晶粒放置位置)
3. 晶粒置放精度+/- 3
mil(before reflow) , +/- 5
mil(after reflow)
4. 晶粒置放轉角+/- 4°
(before reflow) , +/- 5°
(after reflow)
6. Wafer table 1. 行程依 wafer 尺寸決定
2. X/Y 軸方向運動
3. 6"、8"共用
7.Clip 進料、裁切、取 1. 可多顆 Clip 同時撿放
放機構 (4~24ea)
2. 捲帶進料,包含紙捲自動回
收

8.快速焊接爐 1. Programmable temp.

profile
2. Max. temp. = 400°C
3. 即時溫度監控
4. 自動料片進出
5. 焊接環境氣體 : N2,
120L/Min
9.出料料匣自動更換機構 1. Magazin 進出料
2. 四滿四空,自動更換料匣