第二章 封装工艺流程

2.1.1 为什么要学习封装工艺流程
熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提，
是进行封装设计、制造和优化的基础。

芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成
它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区，
甚至在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里
以外的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进
行测试。在测试中，先将有缺陷的芯片打上记号（打一个黑
色墨点），然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。
 第二章 封装工艺流程
2.1.2 封装工艺流程概况
流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工序称为前段工
序，在成型之后的操作称为后段工序。成型工序是在净化环境中进行的，
由于转移成型操作中机械水压机和预成型品中的粉尘达到 1000 级以上（
空气中 0.3μm 粉尘达 1000 个 /m3 以上）。

硅片减薄 硅片切割 芯片贴装 芯片互连

成型技术
打码 上焊锡 切筋成形 去飞边毛刺

现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所谓的塑料封装。
上图所示的塑料成型技术有许多种，包括转移成型技术、喷射成型技
术、预成型技术，其中转移成型技术使用最为普遍。
 第二章 封装工艺流程
2.2 芯片切割
2.2.1 、为什么要减薄
半导体集成电路用硅片 4 吋厚度为 520μm ， 6 吋厚
度为 670μm 。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层
制作完成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的
厚度，然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。

一定厚度衬底材料的
作用：为了保证硅片
在制造、测试和运输
过程中有足够的强度
 第二章 封装工艺流程
2.2.2 减薄工艺
硅片背面减技术主要有：
磨削、研磨、化学抛光
干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀
等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀
等 减薄厚硅片粘在一个带有金属环或塑料框架
的薄膜（常称为蓝膜）上，送到划片机进行划片。现在划
片机都是自动的，机器上配备激光或金钢石的划片刀具。
切割分部分划片（不划到底，留有残留厚度）和完全分割
划片。对于部分划片，用顶针顶力使芯片完全分离。划片
时，边缘或多或少会存在微裂纹和凹槽这取决于刀具的刃
度。这样会严重影响芯片的碎裂强度。
 第二章 封装工艺流程
2.2.2 减薄工艺
先划片后减薄和减薄划片两种方法

DBG(dicing before grinding) 在背面磨削之前，将硅

片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行磨削。

DBT(dicing by thinning) 在减薄之前先用机械的或化

学的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法减薄到
一定厚度后，采用常压等离子腐蚀技术去除掉剩余加工
量。。

这两种方法都很好地避免了或减少了减薄
引起的硅片翘曲以及划片引起的边缘损害，大大增
强了芯片的抗碎能力。
 第二章 封装工艺流程
2.3 芯片贴装
芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基
板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。

贴装方式

• 共晶粘贴法
• 焊接粘贴法
• 导电胶粘贴法
• 玻璃胶粘贴法
 第二章 封装工艺流程
2.3.1 共晶粘贴法
共晶反应
指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种一定成
分的固相反应。在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现
象。

一般工艺方法
陶瓷基板芯片座上镀金膜 - 将芯片放置在芯片座上 - 热氮气
氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘贴表面氧化层
） - 约 425℃ 时出现金 - 硅反应液面，液面移动时，硅逐渐扩散至
金中而形成紧密结合。
 第二章 封装工艺流程
2.3.1 共晶粘贴法
预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优
点是可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不
完全的影响。
 第二章 封装工艺流程
2.3.2 焊接粘贴法
焊接粘贴法是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。优
点是热传导性好。
一般工艺方法
将芯片背面淀积一定厚度的 Au 或 Ni ，同时在焊盘上
淀积 Au-Pd-Ag 和 Cu 的金属层。然后利用合金焊料将芯片
焊接在焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中
进行。
硬质焊料

合金焊料

软质焊料
 第二章 封装工艺流程
2.3.3 导电胶粘贴法
导电胶是银粉与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物
。银粉起导电作用，而环氧树脂起粘接作用。

导电胶有三种配方：
（ 1 ）各向同性材料，能沿所有方向导电。
（ 2 ）导电硅橡胶，能起到使器件与环境
隔绝，防止水、汽对芯片的影响，同时还
可以屏蔽电磁干扰。
（ 3 ）各向异性导电聚合物，电流只能在
一个方向流动。在倒装芯片封装中应用较
多。无应力影响。

三种导电胶的特点是：化学接合、具有导电功能。
 第二章 封装工艺流程
导电胶贴装工艺
膏状导电胶：
用针筒或注射器将粘贴剂涂布
到芯片焊盘上（不能太靠近芯片表面，
否则会引起银迁移现象），然后用自动
拾片机（机械手）将芯片精确地放置到
焊盘的粘贴剂上，在一定温度下固化处
固体薄膜：
理（ 150℃ 1 小时或 186℃ 半小时）。
将其切割成合适的大小放置于
芯片与基座之间，然后再进行热压接合。
采用固体薄膜导电胶能自动化大规模生
产。

导电胶粘贴法的缺点是热稳定性不好，高温下
会引起粘接可靠度下降，因此不适合于高可靠度封装。
 第二章 封装工艺流程
玻璃胶粘贴法

与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料
（后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻
璃粉。它是起导电作用的金属粉（ Ag 、 Ag-
Pd 、 Au 、 Cu 等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合
，制成膏状。
在芯片粘贴时，用盖印、丝网印刷、点
胶等方法将胶涂布于基板的芯片座中，再将芯
片置放在玻璃胶之上，将基板加温到玻璃熔融
温度以上即可完成粘贴。由于完成粘贴的温度
要比导电胶高得多，所以它只适用于陶瓷封装
中。在降温时要控制降温速度，否则会造成应
力破坏，影响可靠度。
 第二章 封装工艺流程
2.4 芯片互连
芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的 I/O
引线或基板上的金属焊区相连接。
芯片互连常见的方法：
打线键合（ WB wire bonding ）

倒装芯片键合 (FCB flip chip bonding ， C4)

载带自动键合（ TAB tape automate bonding ）

这三种连接技术对于不同的封装形式和集成
电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。
打线键合适用引脚数为 3-257 ；载带自动键
合的适用引脚数为 12-600 ；倒装芯片键合适用的引脚
数为 6-16000 。可见 C4 适合于高密度组装。
 第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术
打线键合技术

超声波键合（ Ultrasonic Bonding ,U/S bonding ）

热压键合（ Thermocompression Bonding T/C bonding ）

热超声波键合（ Thermosonic Bonding,T/S bonding ）

 第二章 封装工艺流程
引线键合是将晶粒上的接点以极细的金线连接到引线架上的
内引脚 , 从而将集成电路晶粒的电路信号传输到外界。
 第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术介绍
（ 1 ）超声波键合
优点：
键合点尺寸小，
回绕高度低，适合于键
合点间距小、密度高的
芯片连接。温度：室温

缺点：
所有的连线必
须沿回绕方向排列（这
不可能），因此在连线
过程中要不断改变芯片
与封装基板的位置再进
行第 2 根引线的键合。
从而限制了打线速度。
 第二章 封装工艺流程
2.4.1 打线键合技术介绍
（ 2 ）热压键合
 第二章 封装工艺流程
（ 3 ）热超声波键合

热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。
在工艺过程中，先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进
行金属线与金属接垫之间的接合。

此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基板加热 (
温度维持在 100-150℃) 。其目的是抑制键合界面的金属间
化合物（类似于化学键，金属原子的价电子形成键）的成长
，和降低基板高分子材料因高温产生形变。
 第二章 封装工艺流程
引线键合接点外形

球形键合 第一键合点 第二键

合点

楔形键合 第一键合点 第二键

合点
 第二章 封装工艺流程
引线键合技术实例
低成本、高可靠、高产量等特点使得 WB 成为芯片互连主要
工艺方法，用于下列封装 :

· 陶瓷和塑料 BGA 、 SCP 和 MCP

· 陶瓷和塑料封装 QFP

· 芯片尺寸封装 (CSP)
第二章 封装工艺流程
我国首台引线键合机
 第二章 封装工艺流程
打线键合的线材与可靠度

对键合引线的要求：键合用的引线对焊接的质量有很大的影
响 , 尤其对器件的可靠性和稳定性影响更大。

理想引线材料的特点
(1) 能与半导体材料形成低电阻欧姆接触。
(2) 化学性能稳定 , 不会形成有害的金属间化合物。
(3) 与半导体材料接合力强。
(4) 可塑性好 , 容易实现键合。
(5) 弹性小 , 在键合过程中能保持一定的几何形状。
 第二章 封装工艺流程
打线键合的线材与可靠度

焊线材料
金线和铝线使用最普遍。因为金性能稳定 , 做出来的
产品良率高 , 铝虽然便宜 , 但不稳定 , 良率低。
① 金线：使用最广泛 , 传导效率最好 , 但是价格也最贵 ,
近年来已有被铜线取代的趋势。
② 铝线：多用在功率型组件的封装。
③ 铜线：由于金价飞涨 , 近年来大多数封装厂积极开发铜
线制程以降低成本。铜线对目前国内的部分封装厂来说 ,
在中低端产品上还是比较经济的 , 但是需加保护气体 , 刚
性强。
 第二章 封装工艺流程
• 打线键合的线材与可靠度

焊线材料

④ 银线：特殊组件所使用 , 目前为止还没有纯银线 , 不过
最近有一种银的合金线 , 性能较铜线好 , 价格比金线要
低 , 也需要用保护气体 , 对于中高端封装来说不失为一个
好选择。
银线的优势 : 一是银对可见光的反射率高达 90%, 居
金属之冠 , 所以在 LED 应用中有增光效果 ; 二是银对热
的反射或排除也居金属之冠 , 因此可降低芯片温度 , 延长
LED 寿命 ; 三是银线的耐电流性大于金和铜 ; 四是银线比
金线好管理 ( 无形损耗降低 ), 银变现不易 ; 五是银线比
铜线好储放 ( 铜线需密封 , 且储存期短 , 银线不需密封 ,
储存期可达 6-12 个月 ) 。
 第二章 封装工艺流程
• 打线键合的线材与可靠度

焊线材料

不同键合方法采用的键合材料也有所不同：
热压键合和金丝球键合主要选用金（ Au ）丝，超声
键合则主要采用铝（ Al ）丝和 Si-Al 丝（ Al-Mg-
Si 、 Al-Cu 等）

键合金丝是指纯度约为 99.99 ％，线径为 l8 ～

50μm 的高纯金合金丝，为了增加机械强度，金丝中往往加
入铍 (Be) 或铜。
 第二章 封装工艺流程
影响打线键合可靠度因素

封胶和粘贴材料
与线材的反应

金属间化合物的形成 可靠度因素

可靠度常用拉力试验
和键合点的剪切试验
测试检查
 第二章 封装工艺流程
影响打线键合可靠度因素

键合对金属材料特性的要求：
可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性好；尽量少形
成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。

柯肯达尔效应：两种扩散速率不同的金属交互扩散形成缺陷：
如 Al-Au 键合后， Au 向 Al 中迅速扩散，产生接触面空洞。
通过控制键合时间和温度可减少此现象。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术

载带自动健合技术是在类似于 135 胶片的柔性载带粘结金属

薄片，（像电影胶片一样卷在一带卷上，载带宽度 8-70mm 。
在其特定的位置上开出一个窗口。窗口为蚀刻出一定的印刷线路图
形的金属箔片（ 0.035mm 厚）。
引线排从窗口伸出，并与载带相连，载带边上有供传输带用的
齿轮孔。
当载带卷转动时，载带依靠齿孔往前运动，使带上的窗口精确
对准带下的芯片。再利用热压模将导线排精确键合到芯片上。
可见 TAB 技术与一般的压丝引线技术不同。
后者的特点是将一根、一根的引线先后分立的快速的键合到搭
接片上。 TAB 技术中内引线键合后还要作后道工序，包括电学测试、
通电老化，外引线键合、切下，最后进行封装工艺（。这些都在载
带上完成。
 第二章 封装工艺流程
TAB 技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线框架，然后将芯片按
其键合区对应放在上面，然后通过热电极一次将所有的引线进行键合。
TAB 工艺主要是先在芯片上形成凸点，将芯片上的凸点同载带上的焊
点通过引线压焊机自动的键合在一起，然后对芯片进行密封保护。
 第二章 封装工艺流程
过去， TAB 技术不受重视的原因：
（ 1 ） TAB 技术初始投资大；
（ 2 ）开始时 TAB 工艺设备不易买到，而传统的引线工
艺已得到充分的发展，且其生产设备也容易买到；
（ 3 ）有关 TAB 技术资料和信息少。但是随着芯片信息
容量及随之而来的引脚数的增加，传统的分立引线工艺显
得力不从心。为降低引线成本的需要， TAB 技术越来越
受到人们的青睐，促使许多半导体厂家积极开发研究。
 第二章 封装工艺流程
TAB 技术较之常用的引线工艺的优点：
（ 1 ）对高速电路来说，常规的引线使用圆形导线，而且引
线较长，往往引线中高频电流的趋肤效应使电感增加，造成信
号传递延迟和畸变，这是十分不利的。 TAB 技术采用矩形截
面的引线，因而电感小，这是它的优点。
（ 2 ）传统引线工艺要求键合面积 4mil2 ，而 TAB 工艺的内
引线键合面积仅为 2mil2 这样就可以增加 I/O 密度，适应超
级计算机与微处理器的更新换代。
（ 3 ） TAB 技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的
热耗散性能。
（ 4 ）在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可
剔除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本，提高
了可靠性。
（ 5 ） TAB 工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB 技术的关键材料
基带材料：要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性
好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。例如，聚酰亚胺
（ PI ）、聚乙烯对本二甲酸脂（ PET ）和苯并环丁烯（ BCB ）

TAB 金属材料：要求导电性能好，强度高，延展性、表
面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于用光
刻法制作出精细复杂的图形，易电镀 Au 、 Ni 、 Pb/Sn 焊接
材料，例如， Al 、 Cu 。

芯片凸点金属材料：一般包括金属 Au 、 Cu 、 Au/Sn
、 Pd/Sn 。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB 的关键技术

芯片凸点制作技术

TAB 载带制作技术

载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外
引线焊接技术
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
TAB 的关键技术 -- 芯片凸点制作技术
IC 芯片制作完成后其表面均镀有钝化保护层，厚度高于
电路的键合点，因此必须在 IC 芯片的键合点上或 TAB 载带
的内引线前端先长成键合凸块才能进行后续的键合，通常
TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化芯片 TAB
两大类。
地状金属凸块；单层载带可配合铜箔引脚的刻蚀制
成凸块，在双层与三层载带上，因为蚀刻的工艺容易致导带
变形，而使未来键合发生对位错误，因此双层与三层载带较
少应用于凸块载带 TAB 的键合。
凸块式芯片 TAB ，先将金属凸块长成于 IC 芯片的铝
键合点上，再与载带的内引脚键合。预先长成的凸块除了提
供引脚所需要的金属化条件外，可避免引脚与 IC 芯片间可
能发生短路，但制作长有凸块的芯片是 TAB 工艺最大的困
难。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
芯片凸点制作技术
凸点因形状不同可分为两种
 第二章 封装工艺流程
金凸块制作的传统工艺

金凸块制作的传统工艺 :
第一步，对芯片进行清洁处理
第二步，通过真空溅散的方法，在芯片键合的上表
面形成粘着层和阻挡层。粘着层提供 IC 芯片上的铝键合点与
凸块间良好的键合力与低的接触电阻特性。常用的材料是 Ti 、
Cr 、和 Al ，这几种金属的与铝和氧化硅的粘着性很好。扩
散阻挡层的作用是阻止芯片上的铝与凸块材料之间的扩散反
应而形成金属间化合物。
金属层做好后、接着涂 25 微米厚的光刻胶，然后用
电镀的方法制作金属凸块。凸块制作完成后在其顶面电镀一
层 25 微米的金（凸块金属不是金的情况），目的是起抗氧
化作用。
第二章 封装工艺流程

金
凸
块
制
作
的
传
统
工
艺
 第二章 封装工艺流程
凸块转移技术

一般的凸块制作工艺流程，可以看出，它的制作工
艺复杂，技术难度大，成本高。因此改进凸块制作技术成
为一项研究的热门课题。
日本 Matsushita 公司开发了凸块转移技术。
这种技术分 2 次键合：
第 1 次是将在玻璃基板上做成的凸块，转移到载带内
引脚前端与芯片键合点相对应的位置。
第 2 次键合。在引脚前端有凸点的载带由专门的制造
商提供，这样就避免了在芯片焊区制作凸点的麻烦，降低
了生产成本。
第二章 封装工艺流程

凸
块
转
移
技
术
 第二章 封装工艺流程
TAB 载带制作技术

单层结构载带 双层结构载带 三层结构载带

载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术
芯片上的凸点和载带制作完成后，接下来要进行引线的焊接，这又分内引线焊
接和外引线焊接。
内引线焊接是引线与芯片焊接，外引线焊接是将引线焊接到外壳或基板焊区。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
（ 1 ）单层结构载带 （ 3 ）三层结构载带
这仅为一铜带，其上腐蚀出引线图 所用载带厚度为 5mil ，比双层带厚，
案以及支撑结构。方法是将光刻胶涂在铜 因而更稳定。它的制作方法是：用粘接剂
带的两侧。将要刻蚀掉的部分曝光，腐蚀 涂敷 12 或 24 英寸的 Kapton 带，再将带
后留下引线图案。带上可事先制备出凸点， 条分裂成 TAB 产品所需要的合适宽度。窗
这种情况下可选用不带凸点的芯片。再将 口和齿孔用硬工具冲制而成。然后将铜带
载带上的引线排与芯片的 I/O 键合点键合。与 Kapton 带进行叠合处理，使铜带压合
单层结构的缺点是全部引线与金属支撑架 在齿孔机的 Kapton 。最后光刻铜带，形
相连接，妨碍了带上器件的测试检验和通 成引线排。三层结构的优点是胶带和铜之
电老化。 间有很高的结合强度，且绝缘性能好，吸
（ 2 ）双层结构载带 湿性低。
双层结构载带可用两种方法制作。
用液体聚酰亚胺涂敷铜带（ 1.4mil 厚），
然后再干燥处理。聚酰亚胺的厚度为 2-
3mil 。将聚酰亚胺进行光刻，然后窗口和
齿孔用 KOH 或 NaOH 腐蚀出来，再用
FeCl3 铜标腐蚀液将铜带上所需图形腐蚀
出来。
 第二章 封装工艺流程
TAB 内引线焊接技术
将载带引线图形指端与芯片焊接到一起的方法主要有热压
焊合再流焊。当芯片凸点是 Au 、 Au/Ni 、 Cu/Au ，而
载带 Cu 箔引线也是镀这类凸点金属时，使用热压焊；而
载带 Cu 箔引线镀层为 Pb/Sn 时，或者芯片凸点具有
Pb/Sn ，而载带 Cu 箔引线是上述硬金属时就要用热压再
流焊。完全使用热压焊焊接温度高，热压再流焊的温度低
。
这两种焊接方法都是使用自动或半就自动化的引线焊接机
进行多点一次焊接的。
主要工艺操作是对位、焊接、抬起、芯片传送 4 部分。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
内引线焊接

TAB
内
引
线
焊
序接
技
术

,
焊
接
程
 第二章 封装工艺流程
焊接工艺条件：
焊接温度 T=450-500℃ ；焊接压力 P=50g ；焊接时间 t=0.5-1 秒。
此外，焊头的平行度、平整度要好，焊接时的倾斜度要合适，否则会影响焊接
效果。凸点的高度和载带引线图形的厚度的一致性也会影响焊接质量。
完成内引脚键合与电性能测试后，芯片与内引脚面或整个 IC 芯片必须再
涂上一层高分子胶材料保护引脚、凸块与芯片，以避免外界的压力、震动、水
汽等因素造成破坏。

封胶的材料
一般为环氧树脂 (Epoxy) 和硅橡胶 (Silicone) 。环氧树脂用盖印或
点胶的方法涂布，可覆盖整个芯片或仅涂布完成内引脚键合的芯片表面。在烘
烤硬化时应注意加温条件，避免气泡和预应力的产生。
 第二章 封装工艺流程
2.4.2 载带自动键合技术
外引线焊接技术

经过老化、筛
选、测试的载带芯片可
以用于各种集成电路。
对于微电子封
装的引线框架或在生产 术外
线上连接安装载带芯片 引
的电子产品，可使用外 线
引线压焊机将卷绕的载 焊
带芯片连接进行外引线 接
焊接，焊接时要及时应 技
用切断装置，将每个焊
点外沿处将引线和聚酰
亚胺（ PI ）支撑框架
以外的部分切断并焊接。
 第二章 封装工艺流程
2.4.3 倒装芯片键合技术
倒装焊（ FCB ）芯片，放置面朝下。借助于凸点与
基板焊区直接焊接。这样就省略了互连线，由互连线产生
的杂散电容和电感要比 WB 和 TAB 小得多，因此适合于高
频、高速电路和高密度组装的应用。

倒装焊的典型例子是 IBM 公司的

C4(Controlled-Collapse Chip Connection ，可
控塌陷芯片连接 ) 技术。
 第二章 封装工艺流程
C4 技术的凸缘制备主要通过电子束蒸发、溅散等工艺，
将 UBM(Under Bump Metallurgy) 或 BLM(Ball
Limiting Metallurgy) 沉积在芯片的铝焊盘
上。 UBM （凸点下金属）一般有三层，分别为铬 / 铬 -
铜（ 50%-50% ） / 铜。主要起到粘附和扩散阻挡的作用
。
 第二章 封装工艺流程
凸点芯片的类型。在多层化金属上可用多种方法形成不同
尺寸和高度要求的凸点金属，其分类可按凸点材料分类，
也可按凸点结构形状进行分类。
按凸点材料分类： Au 凸点、 Ni/Sn 凸点、 Cu 凸
点、 Cu/Pb-Sn 凸点、 In 凸点、 Pb/Sn 凸点 (C4)
按凸点结构分类：周边形、面阵形
按凸点形状分类：蘑菇状、直状、球形、叠层
 第二章 封装工艺流程

凸点芯片的制作工艺

蒸发 / 溅散凸点制作法 电镀凸点制作法

置球及模板印刷制
作焊料凸点
 第二章 封装工艺流程
蒸发 / 溅散凸点制作法
这是早期常用的方法，因为它与 IC 工艺兼容，工艺简
单成熟。多层金属和凸点金属可以一次完成。

缺点 :
是形成的凸
点大且低。如果形
成一定高度的凸点
需要的时间长，真
空溅散设备应是多
源多靶的，价格贵
。成本高效率低，
不适合大批量生产
。
 第二章 封装工艺流程
电镀凸点制作法
这是目前国际上普遍采用的方法，工艺成熟。加工过程
少，工艺简单易行，适合大批量制作各种类型的凸点。

基本工序：
Si3N4 钝化，用激光烧毁不合格的芯片 - 蒸发 / 溅散
Ti-W-Au- 涂光刻胶 - 光刻电极窗口 - 腐蚀大面积 Au-W-
Ti- 去胶，保留窗口多层电极 - 闪溅金属层（ Au ） - 贴厚
光刻胶（膜） - 套刻出凸点窗口 - 电镀 Au 凸点 - 去除厚胶
（膜） - 腐蚀闪溅 Au 。
 第二章 封装工艺流程
置球及模板印刷制作焊料凸点

工艺流程
钝化好的圆片 - 〉
覆盖并固定掩模板 - 〉
置 Pb-Sn 焊料球 - 〉
H2 或 N2 保护气氛下焊料球再流 - 〉
焊料冷却收球 - 〉
取下掩模板 - 〉
Pb-Sn 焊料芯片凸点形成 - 〉
 第二章 封装工艺流程
凸点芯片的 FCB 技术
制作的凸点芯片既可用于厚膜陶瓷基板上进行 FCB 又
可在薄膜陶瓷基板上进行 FCB, 还可在 PWB 上直接将芯片
FCB 。这些基板既可以是单层的，也可以是多层的，而凸点
芯片要倒装在基板上层的金属化焊区上。
（ 1 ） FCB 互连基板的金属焊区制作
要使 FCB 芯片与各类基板互连达到一定的可靠性要求，关键
是安装互连 FCB 芯片的基板顶层金属焊区要与芯片凸点一一
对应，与凸点金属具有良好的压焊或焊料浸润特性。
（ 2 ） FCB 的工艺方法
FCB 的工艺方法主要有以下几种，即热压 FCB 法、再流
FCB 法 (C4) 、环氧树脂光固化 FCB 法和各向异性导电胶粘
接 FCB 法。
 第二章 封装工艺流程
热压 FCB 法
使用倒装焊接机完成对各种凸点，如 Au 凸
点、 Ni-Al 凸点、 Cu-Pb-Sn 凸点的 FCB 。
倒装焊接机是由光学摄像对位系统、检拾热压超
声焊头、精确定位承片台及显示屏等组成的精密设备。
将欲 FCB 的基板放置在承片台上，用检拾焊头检
拾带有凸点的芯片，面朝下对着基板，一路光学摄像头对
着凸点芯片面，一路光学摄像头对着基板上的焊区，分别
进行调准对位，并显示在屏上。待调准对位达到要求的精
度后，即可落下压焊头进行压焊。压焊头可加热，并带有
超声，同时承片台也对基板加热，在加热、加压、超声到
设定的时间后就完成所有凸点与基板焊区的焊接。
FCB 与基板的平行度非常重要，如果它们不平行，
焊接后的凸点形变将有大有小，致使拉力强度也有高有低
，有的焊点可能达不到使用要求。
 第二章 封装工艺流程
再流 FCB 法
这种焊接方法专对各类 Pb-Sn 焊料凸点进行再流焊
接，俗称再流焊接法。这种 FCB 技术最早起源于于美国
IBM 公司，又称 C4 技术，即可控塌陷芯片连接。
C4 技术倒装焊的特点是：
1 ） C4 除具有一般凸点芯片 FCB 的优点外，它的凸点还可整个芯片面
阵分布，再流时能够弥补基板的凹凸不平或扭曲等，所以，不但可与光
滑平整的陶瓷 / 硅基板金属焊区互连，还能与 PWB 上的金属焊区互连。
2 ） C4 的芯片凸点使用高熔点的焊料（如 90%Pb-10%Sn ） , 而 PWB
上的焊区使用低熔点的常规 37%Pb-63%Sn 焊料，倒装焊再流时， C4
凸点不变形，只有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补 PWB 基板的缺陷（
如凹凸扭曲等）产生焊接不均匀问题。
3 ）倒装焊时 Pb-Sn 焊料熔化再流时较高的表面张力会产生“自对准效
果，这就使 C4 芯片倒装焊时对准精度要求大为宽松。
 第二章 封装工艺流程
环氧树脂光固化倒装焊法
这是一种微凸点 FCB 法。日本曾用这种方法对
6mm×6mm 芯片成功进行倒装焊， Au 凸点仅为 5μm×5μm ，
节距只有 10μm ，载有 2320 个微凸点。与一般倒装焊截然
不同的是，这里利用光敏树脂光固化时产生的收缩力将凸点
与基板上金属焊区牢固地互连在一起，不是“焊接”，而是“
机械接触”。
 第二章 封装工艺流程
各向异性导电胶

在大量的液晶显示器 (LCD) 与 IC 芯片连接的应用

中，典型的是使用各向异性导电胶薄膜（ ACAF ）将 TAB
的外引线焊接（ OLB ）到玻璃显示板的焊区上，但最小
外引脚焊接（ OLB outer lead bonding ）的节距为
70μm 。而使用各向异性导电胶 (ACA) 可以直接倒装焊再
玻璃基板上，称为玻璃上芯片 (COG) 技术。
 第二章 封装工艺流程
各向异性导电胶
ACA 有热固型、热塑型和紫外光 (UV) 固化型几种，
而以 UV 型最佳，热固型次之。

UV 型的固化速度快，无温度梯度，故芯片和基板均不
需加热，因此不需考虑由 UV 照射固化产生的微弱热量引起
的热不匹配问题。

UV 的光强可在 1500mW/cm2 以上，光强越强，固化时

间越短。一般照射数秒后，让 ACA 达到“交联”，这时可去
除压力，继续光照，方可达到完全固化。光照时需加
压， 100μm×100μm 的凸点面积，需加压 0.5N/ 凸点以上
。
 第二章 封装工艺流程
为了制作更小、精度更高的 LCD ，就要不断缩小 IC 芯片
的凸点尺寸、凸点节距或倒装焊节距。例如小于 50μm 凸
点尺寸或节距，这样使用 ACA 常规倒装焊方法，将使横
向短路的可能性随之增加。为了消除这种不良影响，使用
ACA 倒装焊方法要加以改进，其中设置尖峰状的绝缘介质
坝就是一种有效的方法。
 第二章 封装工艺流程
倒装焊接后的芯片下填充
倒装焊后，在芯片与基板间填充环氧树脂，不但可
以保护芯片免受环境如湿汽、离子等污染，利于芯片在恶劣
环境下正常工作，而且可以使芯片耐受机械振动和冲击。特
别是填充树脂后可以减少芯片与基板（尤其 PWB ）间膨胀
失配的影响，即可减小芯片凸点连接处的应力和应变。
 第二章 封装工艺流程
倒装焊芯片下填充环氧树脂填料要求
应小于倒装焊芯片与基板间的间隙，以达到芯片下各处完全填充覆盖。
① 填料应无挥发性，因为挥发能使芯片下产生间隙，从而导致机械失效。
② 应尽可能减小乃至消除失配应力，填料与倒装芯片凸点连接处的 z 方向
CTE(Coefficient of Thermal Expansion 热膨胀系数 ) 应大致匹配。
③ 为避免 PWB 产生形变，填料的固化温度要低一些。
④ 要达到耐热循环冲击的可靠性，填料应有高的玻璃转化温度。
⑤ 对于存储器等敏感器件，填充 α 放射性低的填料至关重要。
⑥ 填料的粒子尺寸
⑦ 在填充温度操作条件下的填料粘滞性要低，流动性要好，即填料的粘滞性应随着温
度的提高而降低。
⑧ 为使倒装焊互连具有较小的应力，填料应具有较高的弹性模量和弯曲强度。
⑨ 在高温高湿环境条件下，填料的绝缘电阻要高，即要求杂质离子（ Cl- 、 Na ＋、 K
＋
等）数量要低。
⑩ 填料抗各种化学腐蚀的能力要强。
 第二章 封装工艺流程
填料的填充方法

实际填充时，将倒芯片和基板加热到 70-75℃ ，利用

加有填料、形状如同“ L” 的注射器，沿着芯片的边缘双向注
射填料。
由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片 - 基板
的中心流动。一个 12.7mm 见方的芯片， 10 分钟可完全充满
缝隙，用料大约 0.03ml 。
填充后要对环氧树脂进行固化。可在烘箱中分段升温，
待达到固化温度后，保温 3-4 小时，即可达到完全固化。
 第二章 封装工艺流程
2.5 成型技术
芯片互连完成之后就到了塑料封装的步骤，即将芯片
与引线框架包装起来。这种成型技术有金属封装、塑料封装
、陶瓷封装等，但从成本的角度和其它方面综合考虑，塑料
封装是最为常用的封装方式，它占据 90% 左右的市场。
 第二章 封装工艺流程
2.5 成型技术
1 、塑料封装的种类和材料
塑料封装的成型技术有多种，包括转移成型技术
（ Transfer Molding ）、喷射成型技术（ Inject
Molding ）、预成型技术（ Premolding ）等，但最主要的
是转移成型技术。转移成型使用的材料一般为热固性聚合物
（ Thermosetting Polymer ）。
热固性聚合物是指低温时聚合物是塑性的或流动的，
但将其加热到一定温度时，即发生所谓的交联反应（ Cross-
inking ），形成刚性固体。若继续加热，则聚合物只能变软
而不可能熔化、流动。
 第二章 封装工艺流程
2.5 成型技术
2 、转移成型工艺流程
将已贴装芯片并完成引线键合的框架带置于模具中 ;
将塑封的预成型块在预热炉中加热（预热温度在 90-
95℃ 之间） ;
放入转移成型机的转移罐中
在转移成型压力下，塑封料被挤压到浇道中，经过浇
口注入模腔（整个过程中，模具温度保持在 170-175℃ ）
塑封料在模具中固化，经过一段时间的保压，使模块
达到一定的硬度，然后用顶杆顶出模块，就完成成型过程。
 第二章 封装工艺流程
2.5 成型技术
3 、转移成型设备
预加热器

转移成型技术设备 压机

模具和固化炉

在自动化生产设备中，产品的预热、模具的加热
和转移成型操作都在同一台设备中完成，并由计算机实施
控制。也就是说预热、框架带的放置、模具放置等工序都
可以达到完全自动化。
 第二章 封装工艺流程
2.6 去飞边毛刺
塑料封装中塑封料树脂溢出、贴带毛边、引线
毛刺等统称为飞边毛刺现象。

去飞边毛刺主要工序

介质去飞边毛刺 溶剂去飞边毛刺 水去飞边毛刺

用介质去飞边毛刺时，是将研磨料（如颗粒状的塑料球）
与高压空气一起冲洗模块。在去飞边毛刺过程中，介质会将框
架引脚的表面轻微擦磨，这将有助于焊料和金属框架的粘连。

用水去飞边毛刺工艺是利用高压的水流来冲击模块，有时也
会将研磨料与高压水流一起使用。用溶剂来去飞边毛刺通常只适用
于很薄的毛刺。溶剂包括 N- 甲基吡咯烷酮 (NMP) 或双甲基呋喃
（ DMF ）。
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2.7 上焊锡
封装后要对框架外引线进行上焊锡处理，目的是在框
架引脚上做保护层和增加其可焊性。上焊锡可用二种方法，
电镀和浸锡。
电镀工序：
清洗 - 在电镀槽中进行电镀 - 冲洗 - 吹干 - 烘干（在烘
箱中）
浸锡工序：
去飞边 - 去油 - 去氧化物 - 浸助焊剂 - 热浸锡（熔融焊
锡， Sn/Pb=63/67 ） - 清洗 - 烘干
二种方法比较：
浸锡容易引起镀层不均匀，中间厚，边上薄（表面张力
作用）。电镀中间薄角周围厚（电荷集聚效应）。电镀液还
会造成离子污染。
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2.8 切筋成型
切筋工艺是指切除框架外引脚之间的堤坝以及在框架
带上连在一起的地方；成型工艺则是将引脚弯成一定形状，
以适合装配的需要。

切筋成型通常是两道工序，但同时完成（在机器上）
。有的公司是分开做的，如 Intel 公司。先切筋，然后完成
上焊锡，再进行成型工序，其好处是可以减少没有上焊锡的
截面面积，如切口部分的面积。
 第二章 封装工艺流程
2.9 打码
打码就是在封装模块的顶面印上去不掉的、字迹清
楚的标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等。最常
用印码方式是油墨印码和激光印码两种。
油墨打码
工艺过程有些像敲橡皮图章，因为是用
橡胶来刻制打码标识。油墨是高分子化合物，是
基于环氧或酚醛的聚合物，需要进行热固化，或
使用紫外光固化。油墨打码对表面要求较高，表
面有污染油墨则打不上去。另外油墨也容易擦去。
为了节省生产实间，在模块成型之后先打码，然激光印码
后将模块进行固化，也就是塑封料和油墨一起固 利用激光就是在模
化。粗糙的表面油墨的粘附性好。 块表面写标识。现有激光打
码机。激光打码最大的优点
是印码不易擦去，工艺简单。
缺点是字迹较淡。
 第二章 封装工艺流程
2.10 元器件的装配
元器件装配在基板上的方法有两种 :
波峰焊 (Wave Soldering) ，波峰焊主要在插孔式
PTH(plated through-hole 镀金属通孔 ) 封装型元器件
装配，表面贴装式 SMT 及混合型元器件装配则大多使用回流
焊。

回流焊也叫再流焊（其核心环节是利用外部热源加热
，使焊料熔化而再次流动浸润以完成电路板的焊接），是伴
随着微型化电子产品的出现而发展起来的焊接技术，它最适
合表面贴装元器件，也可以用于插孔式元器件与表面贴装器
件混合电路的装配。
 第二章 封装工艺流程
回流焊的焊接原理 :
当 PCB 进入升温区（干燥区）时，焊膏中的溶剂、气
体蒸发掉，同时，焊膏中的助焊剂润湿焊盘、元器件端头
和引脚，焊膏软化、塌落无铅波峰焊、覆盖了焊盘、回流
焊元器件端头和引脚与氧气隔离→ PCB 进入保温区
时， PCB 和元器件得到充分的预热，以防 PCB 突然进入
焊接高温区而损坏 PCB 和元器件→当 PCB 进入焊接区时，
温度迅速上升使焊膏达到熔化状态，液态焊锡对 PCB 的焊
盘、元器件端头和引脚润湿、扩散、漫流或回流混合形成
焊锡接点→ PCB 进入冷却区，使焊点凝固。此时完成了再
流焊。 按加热方式的不同，分为气相回流
焊（焊剂 ( 锡膏 ) 在一定的高温气流下进行
物理反应达到 SMD 的焊接；因为是气体在
焊机内循环流动产生高温达到焊接目的，所
以叫“回流焊）、红外回流焊、远红外回流
焊、红外加热风回流焊和全热风回流焊。另
外根据焊接特殊需要还有充氮回流焊。目前
常见设备有台式回流炉和立式回流炉。