(19)国家知识产权局

(12)发明专利
(21)申请号 202310622486 .1
(22)申请日 2023 .05 .30
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号 CN 116344337 A
(43)申请公布日 2023 .06 .27
(10)授权公告号 CN 116344337 B
(45)授权公告日 2023.07.25
(56)对比文件
CN 106611717 A ,2017 .05 .03
CN 111326467 A ,2020 .06 .23
CN 111834280 A ,2020 .10 .27
CN 112599409 A ,2021 .04 .02
US 2012112201 A1 ,2012 .05 .10

(73)专利权人 北京无线电测量研究所 审查员 刘婧

地址 100143 北京市海淀区永定路50号59
楼

(72)发明人 徐浩 杨云畅

(74)专利代理机构 北京市一法律师事务所
11654
专利代理师 贾学杰

(51)Int .Cl .
H01L 21/304 (2006 .01)
H01L 21/683 (2006 .01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页

(54)发明名称
一种化合物半导体晶圆背面加工方法
(57)摘要
本发明公开了一种化合物半导体晶圆背面
加工方法， 包括：在晶圆正面涂布第一层高熔点
的键合胶剂 ，完全覆盖结构器件作为器件保护
层， 在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层
的键合胶剂， 第一层键合胶剂的熔点高于第二层
键合胶剂的熔点10 °C以上，
第二层键合胶剂涂布
的厚度大于5微米； 通过加热使第二层键合胶剂
达到熔点软化， 通过加压使晶圆与蓝宝石载具贴
合后降温， 使晶圆与蓝宝石载具键合在一起； 通
过砂轮研磨将晶圆衬底减薄； 通过加热使第二层
键合胶剂达到熔点软化， 将蓝宝石载具从减薄的
晶圆上卸载， 使用有机溶剂对晶圆正面残留的第
一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。本发
CN 116344337 B

明能够确保结构器件在键合及解键过程中不会
压伤受损。
CN 116344337 B 权 利 要 求 书 1/1 页

1 .一种化合物半导体晶圆背面加工方法， 其特征在于，包括：
键合胶剂涂布步骤： 在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂， 完全覆盖结构器件作
为器件保护层， 在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂， 第一层键合胶剂
的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10° C以上，
第二层键合胶剂涂布的厚度大于5微米；
键合步骤： 通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化， 通过加压使晶圆与蓝宝石载具
贴合后降温， 使晶圆与蓝宝石载具键合在一起；
减薄步骤： 通过砂轮研磨将晶圆衬底减薄；
解键合步骤： 通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化， 将蓝宝石载具从减薄的晶圆
上卸载， 使用有机溶剂对晶圆正面残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。
2 .如权利要求1所述的方法， 其特征在于，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂为液态蜡
或键合胶， 所述液态蜡为乙二醇丁醚醋酸酯混合物， 所述键合胶为丙二醇甲醚醋酸酯混合
物。
3 .如权利要求2所述的方法， 其特征在于，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂的熔点温
度为100～200°C。
4 .如权利要求1‑3中任意一项所述的方法， 其特征在于，所述结构器件为铜柱或空气桥
结构。
5 .如权利要求4所述的方法， 其特征在于，所述铜柱的厚度为5～100微米，所述空气桥
结构的厚度为2～15微米。
6 .如权利要求1‑3中任意一项所述的方法， 其特征在于，
所述结构器件为空气桥结构，
所述方法在所述减薄步骤之后、 所述解键合步骤之前还包括：
背面通孔形成步骤： 将光刻胶涂布在减薄后的晶圆背面， 利用光刻掩膜板及显影形成
背面通孔的位置， 通过干蚀刻的方式将晶圆衬底打开露出器件接电盘， 将残留在晶圆背面
的光刻胶清洗干净后形成晶圆背面通孔。
7 .如权利要求6所述的方法， 其特征在于，还包括：
背面金属沉积步骤： 将黏合层与种子层以溅射方式沉积在晶圆背面， 再利用电镀方式
将金沉积在晶圆背面及背面通孔上， 并与背面通孔的器件接电盘互连形成导线。
8 .如权利要求1‑3中任意一项所述的方法， 其特征在于，所述晶圆衬底的材料为砷化
镓、碳化硅、 磷化铟、 蓝宝石、 氮化镓或钽酸锂。
9 .如权利要求1‑3中任意一项所述的方法， 其特征在于，在所述减薄步骤中， 将晶圆衬
底减薄至厚度25～350微米。
10 .如权利要求1‑3中任意一项所述的方法， 其特征在于，所述蓝宝石载具的直径为151
～159毫米， 厚度为700～1500微米。

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CN 116344337 B 说 明 书 1/4 页

一种化合物半导体晶圆背面加工方法

技术领域
[0001] 本发明涉及化合物半导体制作领域，
具体涉及一种化合物半导体晶圆背面加工方
法。

背景技术
[0002] 化合物半导体制作工艺包括晶圆正面工艺和紧接其后的晶圆背面工艺。 在晶圆正
面工艺中， 由于铜柱具有良好的散热、导电特性， 亦具有具低电阻/电感特性、低热阻、较佳
的抗电迁移能力， 并且提供更细微的线距， 因此铜柱工艺得到广泛应用。另外， 为了减少金
属间的寄生电容， 空气桥结构的连接线也广泛应用在晶圆正面工艺中。 因此，
在晶圆正面工
艺完成时有时会带有铜柱或空气桥等结构器件。
[0003] 化合物半导体晶圆背面工艺目前都是使用蓝宝石等作为载具并使用液态蜡或键
合胶等进行加温键合后再进行， 晶圆背面工艺完成后将晶圆与蓝宝石载具分开完成解键
合。作为现有技术， CN103050480A公开了一种硅片的背面图形化的工艺方法，CN115172146A
公开了一种化合物半导体晶圆的制作方法。但是， 现有技术在键合及解键合过程中， 例如铜
柱、 空气桥等结构器件部分会因未覆盖保护层或器件下方无支撑而受到损伤。

发明内容
[0004] 本发明的目的是提供一种化合物半导体晶圆背面工艺， 能够确保结构器件在键合
及解键过程中不会压伤受损。
[0005] 本发明的一个方面提供一种化合物半导体晶圆背面加工方法， 包括：
[0006] 键合胶剂涂布步骤：在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂， 完全覆盖结构器
件作为器件保护层， 在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂， 第一层键合
胶剂的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10° C以上，第二层键合胶剂涂布的厚度大于5微米；
[0007] 键合步骤：通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化， 通过加压使晶圆与蓝宝石
载具贴合后降温， 使晶圆与蓝宝石载具键合在一起；
[0008] 减薄步骤：通过砂轮研磨将晶圆衬底减薄；
[0009] 解键合步骤：通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化， 将蓝宝石载具从减薄的
晶圆上卸载， 使用有机溶剂对晶圆正面残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清
洗。
[0010] 优选地，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂为液态蜡或键合胶， 所述液态蜡为乙
二醇丁醚醋酸酯混合物， 所述键合胶为丙二醇甲醚醋酸酯混合物。
[0011] 优选地，第一层键合胶剂和第二层键合胶剂的熔点温度为100～200°C。
[0012] 优选地，所述结构器件为铜柱或空气桥结构。
[0013] 优选地，所述铜柱的厚度为5～100微米，所述空气桥结构的厚度为2～15微米。
[0014] 优选地，所述结构器件为空气桥结构， 所述方法在所述减薄步骤之后、 所述解键合
步骤之前还包括：

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[0015] 背面通孔形成步骤：将光刻胶涂布在减薄后的晶圆背面， 利用光刻掩膜板及显影

形成背面通孔的位置， 通过干蚀刻的方式将晶圆衬底打开露出器件接电盘， 将残留在晶圆
背面的光刻胶清洗干净后形成晶圆背面通孔。
[0016] 优选地，
所述方法还包括：
[0017] 背面金属沉积步骤：将黏合层与种子层以溅射方式沉积在晶圆背面， 再利用电镀
方式将金沉积在晶圆背面及背面通孔上， 并与背面通孔的器件接电盘互连形成导线。
[0018] 优选地，所述晶圆衬底的材料为砷化镓、碳化硅、磷化铟、蓝宝石、氮化镓或钽酸
锂。
[0019] 优选地，
在所述减薄步骤中，将晶圆衬底减薄至厚度25～350微米。
[0020] 优选地，
所述蓝宝石载具的直径为151～159毫米，
厚度为700～1500微米。
[0021] 根据本发明上述方面的化合物半导体晶圆背面加工方法， 能够确保结构器件在键
合及解键过程中不会压伤受损。

附图说明
[0022] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所使用的
附图作简单的介绍， 显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，
对于本领
域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图：
[0023] 图1是本发明一种实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法的流程图。

具体实施方式
[0024] 为使本发明的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合附图， 对本发明的技术
方案进行清楚、完整的描述， 显然，
所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全
部的实施例。基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
[0025] 本发明的实施方式提供一种化合物半导体晶圆背面加工方法。 化合物半导体晶圆
（以6寸为例）正面工艺完成时会带有铜柱或空气桥等结构器件， 依衬底材料与工艺的不同，
晶圆整体总厚度约为500～800微米（um）， 其中铜柱依照工艺需求其结构厚度大约5～100微
米， 空气桥结构厚度大约2～15微米。本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法适
用于衬底材料为砷化镓（GaAs）、 碳化硅（SiC）、
磷化铟（InP）、
蓝宝石（Al2O3）、氮化镓（GaN）或
钽酸锂（LiTaO3）的化合物半导体晶圆。
[0026] 图1是本发明一种实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法的流程图。 如图1所
示， 本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法包括步骤S1～S4， 其中，步骤S1为键
合胶剂涂布步骤， 步骤S2为键合步骤，步骤S3为减薄步骤， 步骤S4为解键合步骤。
[0027] 在键合胶剂涂布步骤S1中， 在晶圆正面分别涂布两层不同熔点的键合胶剂， 具体
地， 在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂， 完全覆盖结构器件作为器件保护层， 在器件
保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂。
[0028] 在该步骤S1中， 两层键合胶剂可以是液态蜡或键合胶， 其中液态蜡可以是乙二醇
丁醚醋酸酯混合物， 键合胶可以是丙二醇甲醚醋酸酯混合物。液态蜡和键合胶因配方不同

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熔点也有差异， 熔点温度区间大约在100～200 °C，从而可以用作熔点不同的第一层键合胶

剂和第二层键合胶剂。
[0029] 在该步骤S1中， 第一层键合胶剂要完全覆盖结构器件， 这里的结构器件例如为铜
柱或空气桥结构， 通过需要完全覆盖厚度大约5～100微米的铜柱结构， 厚度大约2～15微米
的空气桥结构， 从而起到保护结构器件的效果。
[0030] 在该步骤S1中， 熔点较高的第一层键合胶剂的熔点高于熔点较低的第二层键合胶
剂10 ° C以上，避免在后续的键合步骤和解键合步骤时因第一层键合胶剂熔点接近第二层键
合胶剂， 使得在第二层键合胶剂软化时， 第一层键合胶剂也软化而无法达到保护结构器件
的效果。
[0031] 由于第一层键合胶剂要完全覆盖结构器件， 第一层键合胶剂涂布的厚度较厚， 涂
布的均匀性也会相对比较差， 为此第二层键合胶剂涂布的厚度至少要大于5微米， 以免在后
续的键合步骤时由于第二层键合胶剂分布不均影响键合后的黏着效果而使得在减薄步骤
中晶圆与蓝宝石载具分离。
[0032] 在键合步骤S2中， 通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化， 通过加压使晶圆与
蓝宝石载具贴合后降温， 使晶圆与蓝宝石载具键合在一起。
[0033] 现有技术在键合过程中常因液态蜡或键合胶软化及加压贴合容易造成铜柱或空
气桥等器件压伤受损。而在本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法中， 由于在
键合胶剂涂布步骤中涂布了熔点不同的两层键合胶剂， 通过第二层低熔点的键合胶剂来进
行晶圆与蓝宝石载具的贴合， 而第一层高熔点的键合胶剂不软化， 从而保护化合物半导体
晶圆上的结构器件避免键合或解键合时器件受到损伤。
[0034] 在该步骤S2中， 蓝宝石载具的直径为151～159毫米， 厚度700～1500微米。
[0035] 在减薄步骤S3中， 为了得到更好的散热效果， 利用钻石颗粒组成的砂轮将晶圆衬
底减薄， 依照工艺需求减薄至衬底厚度25～350微米。
[0036] 在一个实施例中， 在结构器件为空气桥结构的情况下， 本发明实施方式的化合物
半导体晶圆背面加工方法在减薄步骤S3之后、解键合步骤S4之前还包括背面通孔形成步
骤。形成背面通孔的目的是使器件经由背面通孔通过金属互联实现接地及散热的功能。而
在结构器件为铜柱的情况下， 由于铜柱可透过晶圆正面将器件产生的热能传导出去， 因此
只需要将衬底减薄， 不需要制作背面通孔来进行器件的散热。
[0037] 在背面通孔形成步骤中， 首先将光刻胶涂布在减薄后的晶圆背面， 利用光刻掩膜
板及显影形成背面通孔的位置， 透过干蚀刻的方式将衬底打开露出器件接电盘。去胶时利
用80±5 ° C的去胶液（NMP，N‑甲基吡咯烷酮）或光刻胶去除剂将残留在晶圆背面的光刻胶清
洗干净后形成晶圆背面通孔。
[0038] 在该实施例中， 本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法还可以包括背
面金属沉积步骤。
[0039] 在背面金属沉积步骤中， 将黏合层（钛Ti、钛钨TiW、镍钒NiV等金属）与种子层（金
Au）以溅射方式沉积在晶圆背面， 再利用电镀方式将2 .5～6微米的金沉积在晶圆背面及背
面通孔上， 并与背面通孔的器件接电盘互连形成导线。器件可藉由背面金属导线作为器件
的接地及散热用途。
[0040] 在解键合步骤S4中， 薄片晶圆需要从蓝宝石载具卸载下来， 为此， 通过加热使第二

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层键合胶剂达到熔点软化， 将蓝宝石载具从减薄的晶圆上卸载， 使用有机溶剂对晶圆正面

残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。
[0041] 在该步骤S4中，通过加热（100～200 °
C）使第二层键合胶剂达到熔点使其软化从而
减低黏性后， 将蓝宝石载具以平行方式卸载， 然后将晶圆正面的残留键合胶剂（液态蜡或键
合胶）使用有机溶剂清洗干净。 由于两层键合胶剂为相同材料的液态蜡或键合胶， 从而可以
同时清洗两种不同熔点的液态蜡或键合胶。有机溶剂一般使用丙酮ACE、 异丙醇IPA等。
[0042] 现有技术的解键合工艺中， 在液态蜡或键合胶软化后将蓝宝石载具平行方式移除
过程当中， 铜柱或空气桥等器件会因器件部分未覆盖保护层或器件下方无支撑容易造成压
伤受损。而在本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法中， 在解键合过程中， 加热
至第二层键合胶剂的熔点温度， 使第二层键合胶剂软化而将蓝宝石载具从减薄晶圆上卸载
下来， 此时第一层键合胶剂尚未达到熔点温度， 可以保护铜柱结构或空气桥结构不会在解
键合过程中压伤受损。
[0043] 在步骤S4中完成清洗后即完成化合物半导体晶圆背面工艺， 后续进行晶圆切割工
艺， 将薄片晶圆正面朝上贴于切割胶带上进行晶圆切割， 切割分离方式包括激光隐切、 激光
全切、 轮刀切割等方式，分离成多个晶粒后进行后续晶粒的封装。
[0044] 综上所述， 本发明实施方式的化合物半导体晶圆背面加工方法至少具有以下优
点：
[0045] 1、 使用双层键合胶剂（液态蜡或键合胶）涂布， 第一层涂布高熔点的键合胶剂来
保护化合物半导体晶圆上的器件， 避免键合或解键合时器件受到损伤， 第二层涂布低熔点
的键合胶剂来进行晶圆与蓝宝石载具的贴合和从蓝宝石载具的卸载。
[0046] 2、在解键合后的清洗中， 因两层液态蜡或键合胶为相同材料， 从而可以同时清洗
两种不同熔点的液态蜡或键合胶， 不须另外增加清洗步骤。
[0047] 以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例， 毋庸置疑，对于本领
域的普通技术人员， 在不偏离本发明的精神和范围的情况下， 可以用各种不同的方式对所
描述的实施例进行修正。 因此，上述附图和描述在本质上是说明性的， 不应理解为对本发明
权利要求保护范围的限制。

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CN 116344337 B 说 明 书 附 图 1/1 页

图 1