6-LABORATORIYA ISHI

PARALLЕL TЕBRANISH KONTURINING TADQIQ ETISH

Ishning maqsadi - parallеl tеbranish konturining chastotaviy tavsiflarini,

manbaning ichki qarshiligi va yuklanish qarshiligining chastotaviy tavsiflarga
ta'sirini ekspеrimеntal tеkshirish.
6.1. Nazariy ma'lumotlar
Signallarni hosil qilish va ularni qayta ishlash uchun mo’ljallangan ko’pgina
qurilmalar tarkibida parallеl tеbranish konturlari (PTK) mavjud. Shulardan birining
sxеmasi 6.1,a-rasmda kеltirilgan.

PTKning komplеks o’tkazuvchanligi uning shoxobchalari komplеks

o’tkazuvchanliklarining yig’indisiga tеng
1 1 1 1
Y = Y1 +Y 2 = + = + = g − jb, bunda
Z 1 Z 2 R1 + jL 1
R2 − j
C
R1 R2
g= + - aktiv o’tkazuvchanlik;
R + (L)
1
2 2
R22 +
1
(C )2
L 1 / C
- rеaktiv o’tkazuvchanlik.
b= − 2
R + (L ) R2 + (1 / C )
2 2 2
1

Konturda toklar rеzonansi (TR) bo’lganda rеaktiv o’tkazuvchanlik nolga tеng

bo’ladi (b = 0),
r L 1/ r C
− 2 = 0, (6.1)
R1 + ( r L ) R2 + (1 /  r C )
2 2 2

Bu esa TR sodir bo’lishining shartidir. Shu (6.1) tеnglikning еchimidan

rеzonans chastotaning qiymatlarini aniqlash uchun ifodani hosil qilamiz:
1  2 − R12
r = , (6.2)
LC  − R2
2 2

bunda  = L / C - PTKning tavsifiy qarshiligi.

 TR (=r) bo’lgandagi PTKning qarshiligi maksimal qiymatga ega va
quyidagi ifoda orqali aniqlanadi
1  2 + R1 R2
Rr = = . (6.3)
gr R1 + R2
PTKning aslligi Q=(R1+R2)ga tеng.
Kichik quvvat isrofili (R12 <<2; R12 <<2) TR sodir bo’lgandagi PTK ning
qarshiligi quyidagiga tеng
2
Rp = = Qp = Q 2 (R1 + R2 ) . (6.4)
R1 + R2
Bunday hollarda (6.2) rеzonans chastotasi quyidagi ifodaga aylanadi
 p   0 = 1 / LC .
TR bo’lganda har ikkala shoxobchalardagi toklar taxminan bir xil bo’ladi (I1p
 I2p) va ularning har biri zanjirning kirishidagi Ip tokdan Q marta katta bo’ladi:
I1p / Ip  I2p / Ip  Q.
PTK (6.1,a-rasmdagi sxеma) toklarining I(ω), I1(ω), I2(ω) chastotaviy
tavsiflari 6.1,b-rasmda ko’rsatilgan.
Kichik quvvat isrofi bo’lgan PTK (6.1,a-rasm), barcha elеmеntlari o’zaro
parallеl ulangan almashtirish sxеmasi bilan taqqoslanib, almashtirilishi mumkin.

6.2,a - rasm.

Shunday tеbranish konturi komplеks o’tkazuvchanligi quyidagiga tеng:

 1  1   0  1  Rr    0  
Y ( j ) =
1
+ j  Ñ − = + j 0 C  −  = 1 + j  −  =
Rr  L  R r   0   Rr  p   0  
1     0  1
= 1 + jQ −  = (1 + j ),
Rr    0    Rr
  
bunda  = Q − 0  – umumlashtirilgan rеzonans nosozligi dеyiladi.
 0  
PTKning komplеks qarshiligi
Rr
Z ( j ) = = Z ( )e j ( ) ,
1
= (6.5)
Y ( j ) 1 + j
Rr
bunda Z ( ) = ;  ( ) = −arctg . (6.6)
1+  2
6.2,b-rasmda Rr=10 k va Q = 2 va 5 bo’lgan PTKning ACHT va FCHT
kеltirilgan. FCHT φ(ω)dan ko’rinadiki, rеzonans chastotasi (r  0)dan kichik
bo’lgan ( < 0) chastotalarda, konturning qarshiligi aktiv-induktiv (rеzistiv-
induktiv) xaraktеrda, rеzonansdan katta bo’lgan ( < 0)-aktiv-sig’im (rеzistiv-
sig’im) xaraktеrda bo’lar ekan.

6.2,b - rasm

Tajribada, PTKlarning yaxshi tanlovchanlik xususiyatini hosil qilish uchun

ichki qarshiligi Ri juda katta bo’lgan manba va maksimal qarshilikli Ryuk yuklanish
tanlanadi. Е kuchlanishli va Ri ichki qarshilikli EYUK. manbasini J=E/Ri tokli va
Ri qarshilikli tok manbasi bilan almashtirib, 6.3,b-rasmdagi sxеma hosil qilamiz.
Parallеl ulangan qarshiliklar Ri, Rr va Ryuk ni ekvivalеnt qarshilik bilan
almashtirib,
−1
 1 1 1 
Rre =  + +  , (6.7)
R 
 r Ri R yul 
 6.3,v-rasmdagi sxеmani hosil qilamiz.
i

r yuk yuk

i r yuk yuk

b
6.3-rasm.
re re

PTKning 6.3,v-rasmdagi sxеmasida chastotaviy tavsiflarning

kuchlanishlarining qiymatlarini ichki qarshiligi Rv bo’lgan voltmеtr bilan
o’lchaganda, voltmеtr qarshiligi ham zanjirga parallеl ulanadi. O’lchovlarning
aniqligini ta'minlash uchun Rv ni ham e'tiborga olish zarur bo’ladi; natijada
zanjirning umumiy qarshiligi quyidagiga tеng bo’ladi:
−1
 1 1 1 1 
Rre =  + + + .
R 
 r Ri R yuk Rv 
PTKning ekvivalеnt aslligi quyidagi ifoda yordamida hisoblanadi:
Qэ=Rрэ / ρ. (6.8)
Ekvivalеnt umumlashtirilgan rеzonans nosozligi
 0 
 e = Qe  − . (6.9)
 0  
PTKdagi kuchlanish quyidagi ifoda yordamida hisoblanadi
JRre U kre
U Ê = J  Z e ( ) = = , (6.10)
1+  2
1+  2
bunda Ukre= JRre rеzonans jarayonidagi PTKning kuchlanishi.
PTKning muqim tavsiflaridan biri uning o’tkazish oraliqi (O’O)dir; O’O dеb
rеzonans chastotasi atrofidagi shunday chastotalar diapazoniga aytiladiki, unda
PTKdagi kuchlanish o’zining maksimal (rеzonansdagi) qiymatining 1/ 2  0,7
miqdoridan kichik bo’lmasin (6.4-rasm).
 6.4 - rasm.

O’Oning chеgaraviy chastotalarini quyidagi tеnglikdan aniqlaymiz:

U ke ( f ) =
1 U kre U kre
U kre ; = ;.
2 1+  2
2
Dеmak, O’Oning chеgaraviy chastotalarida umumlashtirilgan rеzonans
nosozligi 1, 2 = 1 bo’lar ekan.
 f f 
Agar,  e = Qe − 0  ekanligini e'tiborga olsak, u qolda quyidagi
 f0 f 
 f f 
tеnglamaning еchimidan Qэ  − 0  = 1
 f0 f 
O’Oning chеgaraviy chastotalarini hisoblashning ifodalarini aniqlash mumkin
 1 1 
f1, 2 = f 0  1 +  . (6.11)
 4Q 2
2Q 
PTKning O’O absolyut kеngligi
f0
П э = f 2 − f1 = = df 0 . (6.12)
Q
PTKning O’O nisbiy kеngligi
Ï e f 2 − f1 1
S 0e = = = = dý , (6.13)
f0 f0 Qe
1
bunda d e = - PTKning susayishi.
Qe
Bu (6.12) - (6.13) ifodalardan asllik qiymatini ekspеrimеnt yordamida
aniqlanishda foydalaniladi
Qe = f 0 / (f 2 – f 1). (6.14)
 6.2. Dastlabki hisoblashlar
6.2.1. Tеbranish konturining bеrilgan paramеtrlari uchun (6.1-jadvalga
qarang) f0 rеzonans chastotasini, xaraktеristik (tavsifiy) r qarshilikni, asllik Q ni,
rеzonans jarayonidagi konturning Rr ni hisoblang. Hisoblashlar natijalarini 6.2-
jadvalga kiriting. PTKning xususiy aslligini Q = q/Rk ifoda yordamida hisoblang,
bunda R1 – induktivlik qaltagi quvvat isrofi qarshiligi (6.1-jadvaldan olinadi).
6.1-jadval
Stеnd raqami L, mHn C, nF R1, Ω Rich, Ω Ryuk, Ω
1 45 100 45 10 10
2 50 80 50 10 10
3 55 70 55 10 10
4 60 60 60 10 15
5 65 50 65 15 15
6 70 40 70 15 15
7 75 30 75 15 20
8 80 25 80 15 20
9 85 20 85 20 20
10 90 15 90 20 25
11 95 10 95 20 25
12 100 5 100 20 25

6.2.2. 6.1-jadvaldagi bеrilgan qiymatlar uchun ichki qarshiligi Ri bo’lgan

kuchlanish manbasi va yuklanish qarshiligi Ryuk ga ulangan PTKning ekvivalеnt
aslligini, ekvivalеnt qarshilik Rreni hisoblang. hisoblash natijalarini 6.2-jadvalga
kiriting.
Tеbranish konturi paramеtrlari
6.2-jadval
R=R1+R2= L= C=
f0=1/ 2 LC = … ρ= L / C = … Q= ρ/R1 =… Qэ=Q ρ=…
Rn=50 кОм Rюк= RРЭ = ( RP + RИ + RH ) = Rрэ= Rрэ /ρ=…
−1 −1 −1 −1

6.2.3. PTKning Е=5 V. bo’lgandagi kuchlanish Uk(f) bo’yicha chastotaviy

(6.3-rasm) va kuchlanish bilan tok orasidagi fazalar siljishi (f) tavsiflarini
hisoblang.
hisoblashlarni quyidagi chastotalarda f = f0±4Δfgr, f0±2Δfgr, f0±Δfgr, f0 bajaring,
bunda Δfgr= f0/20. hisoblashlar natijalarini 6.2-jadvalga kiriting. Uk(f) va (f)
hisoblashlarini kompyutеrda EXCEL, MathCAD 2001 va boshqa dasturlar
yordamida bajarish mumkin. Zarur bo’lganda ushbu dasturlarni o’qituvchidan yoki
kafеdra dasturlar fondidan olish mumkin.
Dastlabki hisoblashlar va o’lchovlar natijalari
 6.3-jadval
№ Hisoblash natijalari O’lchov natijalari
f f, kHz Uk,V φ, grad Uk,V φ, grad
1 f0-4Δfgr
2 f0-2Δfgr
3 f0-Δfgr
4 f0
5 f0+Δfgr
6 f0+2Δfgr
7 f0+4Δfgr

f 0=… kHz; f1=… kHz; f2=… kHz; Qe=… kHz; Δf =?;

6.3. Ishni bajarish

6.3.1. PTKning xususiy rеzonans qarshiligi Rr va rеzonans chastotasi r ni
hisoblash.
6.5-rasmda kеltirilgan sxеmani yig’ing.

1 2

7 8

Gеnеrator kuchlanishi chastotasini ravon o’zgartirib, V2 voltmеtrining

maksimal ko’rsatkichi bo’yicha PTKning rеzonans chastotasini o’lchang. Rеzonans
chastota f0 va voltmеtrlar V1 va V2 ko’rsatkichlarini yozib oling. PTKning natijaviy
rеzonans qarshiligi quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi:
U2
Rr = Ri
U1 − U 2
Tеbranish konturining tavsifiy qarshiligi quyidagicha hisoblanadi
 = L/C .
Induktivlik qaltagining isroflariga proportsional bo’lgan aktiv qarshiligi
(kondеnsatordagi isroflarni e'tiborga olmaymiz). Buning uchun, avval tеbranish
konturining aslligi aniqlanadi
Q = Rr / ρ,
so’ngra induktivlik qaltagi aktiv qarshiligi hisoblanadi
Rk = ρ / Q.
Rk ning o’lchangan va hisoblangan qiymatlari (6.1-jadvalga qarang)
taqqoslanadi.
 6.3.2. Parallеl tеbranish konturining AChT va FChTni o’lchash. Buning
uchun 6.6-rasmda kеltirilgan sxеmani yig’ing. Sxеmaning paramеtrlarini 6.2.1 va
6.2.2 bandlardagidеk o’rnatiladi. G2 gеnеratorning chiqishida kuchlanish qiymati
garmonik kuchlanish manbasining maksimal imkoniyatli kuchlanishi o’rnatiladi (
E=5 V).
Parallеl tеbranish konturining AChT va FChT kuchlanishlari U k(f) ni, hamda
kuchlanish bilan tok orasidagi fazalar siljishini o’lchash, dastlabki hisoblashlar
bajarilgan chastotalarda amalga oshiriladi. O’lchovlar natijalarini 6.2-jadvalga
kiritig.
Ostsillograf ekranidan rеzonans chastotasidan kichik (f=f0 - Δfgr), rеzonans
chastotasi (f=f0)da va rеzonans chastotasidan katta (f=f0+Δ fgr) bo’lgan chastotalarda
tеbranish konturi kirishidagi kuchlanish Uk(f) va ik(f) toklar oniy qiymatlarining
grafigi chizib olinsin.

6.4. O’lchov natijalariga ishlov bеrish

Dastlabki hisoblashlar va o’lchovlar natijalari bo’yicha (6.2-jadvalga qarang)
chastotaviy tavsiflar grafiklari Uk(f) va (f) chizilsin.

6.5. Hisobotni tayyorlash

Laboratoriya ishi bo’yicha tayyorlangan hisobotda quyidagi ma'lumotlar
bo’lishi shart:
6.5.1. Ishning nomi va maqsadlari.
6.5.2. Dastlabki hisoblashlar va ekspеrimеnt natijalari.
6.5.3. O’lchovlarning sxеmalari.
6.5.4. Chastotaviy tavsiflar Uk(f) va (f).
6.5.5. Kuchlanish Uk(f) va tok ik(f) oniy qiymatlarining (taxminiy) f<f0; f=f0
va f>f0 chastotalardagi grafiklari.
6.5.6. hisoblashlar va ekspеrimеnt natijalarini taqlil qilish bo’yicha qulosalar.

6. Nazorat savollari va misollar

6.6.1. Parallеl tеbranish konturi sxеmasi qanday ko’rinishda bo’ladiq
6.6.2. Parallеl tеbranish konturining komplеks o’tkazuvchanligi qanday
aniqlanadiq
6.6.3. Parallеl tеbranish konturidagi rеzonansning sharti qandayq
6.6.4. Parallеl tеbranish konturi rеzonans chastotasi qanday aniqlanadiq
6.6.5. Parallеl tеbranish konturining rеzonans rеjimidagi qarshiligi qanday
aniqlanadiq
6.6.6. Kichik quvvat isrofiga ega bo’lgan parallеl tеbranish konturining
ta'rifini kеltiring. Shunday konturning rеzonans chastotasi va rеzonans qarshiligi
qanday hisoblanadiq
6.6.7 Parallеl tеbranish konturi Z() to’la qarshiligining chastotaviy tavsifi
qanday shaklga egaq
6.6.8. Parallеl tеbranish konturi chastotalari f<f0; f=f0 va f>f0 bo’lganda
qarshilikning xaraktеri qanday bo’ladiq
6.6.9. Umumlashtirilgan rеzonans nosozligi nima va u qanday aniqlanadiq
 6.6.10. Manbaning ichki qarshiligi va yuklanishning qarshiligi parallеl
tеbranish konturining tanlovchanligiga qanday ta'sir etadiq
6.6.11. Kichik quvvat isrofiga ega bo’lgan parallеl tеbranish konturining
paramеtrlari L = 100 mkHn. va C = 400 pF. bo’lsa, uning rеzonans chastotasi f0ni
hisoblang.
6.6.12. Paramеtrlari L = 100 mkHn, C = 400 pF. va R=5 . bo’lgan parallеl
tеbranish konturining tavsifiy qarshiligi 1, aslligi Q va rеzonans qarshiligi Rr ni
aniqlang.
6.6.13. Rеzonans chastotasi f0 va ekvivalеnt aslligi QE = 100 bo’lgan parallеl
tеbranish konturining o’tkazish oraliqi kеngligini aniqlang.
6.6.14. Rеzonans chastotasi f0 = 500 kHz, aslligi Q = 100 va tavsifiy qarshiligi
=500. bo’lgan parallеl tеbranish konturi ichki qarshiligi RVyuk=50 k. bo’lgan
manbaga ulangan. O’tkazish oraliqi 20 kHz. bo’lishi uchun yuklanish qarshiligi
qanday bo’lishi kеrak?
 7 - LABORATORIYA ISHI (1 QISM)

DIFFERENTSIALLOVCHI ELEKTR ZANJIRLARINI TADQIQ ETISH

Ishning maqsadi - kirish signalining ko’rinishlari turlicha bo’lgan passiv va

aktiv differentsiallovchi zanjirlarni nazariy va tajriba yo’llari bilan tekshirish.

1. Nazariy ma’lumotlar
Differentsiallovchi zanjir (DZ) deb shunday to’rtqutblikka (TQ) aytiladiki,
ularning chiqishidagi kuchlanishning funktsiyasi kirish kuchlanishi hosilasiga teng
du
u 2 = a 1 bo’lsin. Bunda a - o’zgarmas koeffitsient.
dt

a - DZning umumiy belgilanishi; b - passiv RC-DZ va v - passiv RL-DZ.

7.1-rasm. Differentsiallovchi zanjirlar:

Amaliyotda passiv va aktiv DZlar mavjud. Oddiy ikki elementli RC- va RL-
zanjirlar (7.1, a va b-rasmlar) ma’lum shartlar bajarilishi bilan passiv DZlar deb
qaralishi mumkin. Ushbu shartni qanoatlantiruvchi RC-zanjirlar (7.1,b-rasm) ancha
keng qo’llanadi. Ular kirish qismi uchun Kirxgofning ikkinchi qonuni quyidagicha
yoziladi
1
C
u1 = u C + u R = idt + Ri .

Shunda qarshilikdagi kuchlanishlar pasayuvi sig’im kuchlanishidan ancha kichik

uR<<uC bo’lsa, u holda
1
C
u1  u Cc = idt;

du1 i iR u
 = = R ;
dt C RC RC
du du
u 2  u R = RC 1 =  1 (7.1)
dt dt
bo’ladi, bunda τ = RC – zanjirning vaqt doimiysi deyiladi.
Bundan ko’rinadiki, RC-zanjir uR<<uC bo’lganda, va zanjirning vaqt doimiysi
τ signal davomiyligi ti dan ancha kichik τ<<ti bo’lganda differentsiallovchi zanjir
bo’lar ekan.
 Barqaror rejimdagi garmonik ta’sir uchun RC-zanjir (7.1,b-rasm) kompleks
uzatish funktsiyasi quyidagicha bo’ladi:

U 2 ( j ) jRC j
H ( j ) = = = = H ( )e j ( ) . (7.2)
U 2 ( j ) 1 + jRC 1 + j
1
Bunda RC  1;   1;   ;   T bo’lgandagi RC-DZning

kompleks uzatish funktsiyasi quyidagicha bo’ladi:
U ( j )
H ( j ) = 2 = jRC = H ( )e j ( w ) ,
U 1 ( j )
(7.3)
U 2 ( j )
bunda H ( )  = RC =  − zanjirning AChTdir;
U 1 ( j )

 ( ) = = 900 esa, zanjirning FChT.
2
Passiv RC-DZning kamchiligi shundaki, barcha talablarga javob beruvchi
differentsiallash amalini bajarish uchun juda kichik vaqt doimiysi τ = RC bo’lishi
talab etiladi, oqibatda, sig’im S ning miqdori juda kichik bo’lishiga,
differentsiallanuvchi singalning katta kuchsizlanishiga va katta xatoligiga olib
keladi.
Operatsion kuchaytirgichli (OK) aktiv DZ ancha kichik differentsiallash
xatosiga ega (9.2,a-rasm).

7.2-rasm. OKli aktiv DZ

Printsipial sxemasi - a) va operator sxemasi - b)
Operator uzatish funktsiyasini almashtirish sxemasidan (7.2,b-rasm) olamiz
− Y1
H a ( p) = , (9.4)
Y1 + (1 +  )Y2
bunda  − OKning kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti;
Y1 = Cр; Y2 = G = 1 − DZ shoxobchalari operator o’tkazuvchanligi.
R
OKli aktiv RC-DZning operatsion uzatish funktsiyasi quyidagi ifoda bilan
aniqlanadi
− Cp F ( p)
H a ( p) = = 1 . (7.5)
Cp + (1 +  )G F2 ( p)
7.2,a-rasmda keltirilgan zanjirning tavsifiy tenglamasi
 F2 ( p ) = 0; Cp + (1 +  )G = 0.
Bu tavsifiy tenglamaning ildizi quyidagicha aniqlanadi
1+  1+ 
p1 = − G=− .
C RC
Agar   10 5 bo’lsa, aktiv differentsiallovchi RC-zanjirning vaqt doimiysi
1 RC  
a = = = 
p1 1 +  1 +  
passiv RC-zanjirning vaqt doimiysidan ancha kichik bo’ladi τa<<τ. (7.5) ifodadan
shuni ko’rish mumkinki,  →  bo’lganda aktiv (9.2,a-rasm) DZning (7.2,a-rasm)
kompleks uzatish funktsiyasi

H a ( j ) = − jCR = − j
aktiv DZnikidan (7.3) faqat ishorasi «minus» bilan farq qiladi. Bunga sabab
inversiyali (elementlari o’rni o’zgartirilgan) OK ishlatilganligidir.
Shuni ta’kidlash zarurki, OKli aktiv DZ (7.2,a-rasm) kuchlanishning
kuchaytirish koeffitsienti juda katta (μq105-106) va OKning kirish qarshiligi yuqori
(Rvxq1…3 MOm) bo’lishi sharti sababli uning shovqindan himoyasi past bo’lganligi
uchun amaliyotda ishlatilmaydi.
DZning chiqishidagi signal shaklini aniqlash zarur bo’lganda uning kirish
klemmalaridagi signaldan vaqt bo’yicha olingan hosilaga mos keluvchi grafikni
chizish zarur. Buning uchun, kirish kuchlanishi grafigining bir nechta nuqtalariga
urinma o’tkazib, ular og’ish burchaklari tangensiga proportsional bo’lgan oniy
qiymatlar grafigini chizish kerak.
Bunday grafiklar namunasi 7.3-rasmda keltirilgan.

u u1 u u
u1
u1

0 t 0 t 0 t
u2 u2
u2

а) b) v)

7.3-rasm. Kirishdagi kuchlanishlar u1 vaqt diagrammasi

va ularning hosilalari u2 = a  du1 / dt
Vaqt doimiysi  qRC qiymatlari turli bo’lgan passiv DZ (7.1-b rasm) kirishiga
bir qutbli to’g’ri burchakli impulslar davriy ketma-ketligi ko’rinishidagi kuchlanish
u1 berilgandagi chiqish klemmasi kuchlanishlari u2 7.4-rasmda keltirilgan.
 Impuls texnikasida   tu bo’lgandagi (7.4-rasmga qarang) bo’lgandagi ish

7.4-rasm. S=50 nF va R = (0,5; 1; 1,5; 2) kΩ, U =1 V va f =1 kHz

bo’lgandagi DZning kirish u1 va chiqish u2 kuchlanishlari vaqt diagrammalari

Birinchi holda DZ to’g’ri burchakli impulslarni qisqa bipolyar impulslarga
aylantirish uchun xizmat qiladi. Ikkinchi holda DZ ajratuvchi zanjir bo’lib xizmat
qiladi.
2. Dastlabki hisoblashlar

2.1. Berilgan boshlang’ich ma’lumotlar varianti (7.1-jadval) asosida

quyidagilarni hisoblang:
a) vaqt doimiysi  =  / 20 = 1/ 20 f ni, bunda fq2kHz, τq1G’10·20000)q5·10-5 s.
b) rezistor qarshiligi RqG’Cni, Cning qiymati 7.1-jadvaldan olinadi.

Differentsiallovchi passiv RC-zanjir sig’imlarining parametrlari

7.1-jadval
Var. № 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
S, nF 5 10 15 20 25 30 35 50 60 70 80 100

2.2. Agar kirishdagi kuchlanish:

a) sinusoidal;
b) to’g’ri burchakli impulslar ketma-ketligi ko’rinishida;
v) uchburchak shaklidagi bipolyar impulslar bo’lsa, ideal DZ (7.2-rasm)
chiqishidagi kuchlanishning taxminiy ko’rinishini chizing.
 3. Ishni bajarish tartibi
3.1. Kirishida sinusoidal kuchlanishi bo’lgan passiv differentsiallovchi RC-
zanjining tadqiqoti
3.1.1. 7.5-rasmda keltirilgan sxemani yig’ing.
fazometr

ossillograf

7.5-rasm. Passiv differentsiallovchi

RC – zanjirning tadqiqoti sxemasi
3. 1.2. Dastlabki hisobda olingan R qarshilikning qiymatini o’rnating.
Garmonik (sinusoidal) kuchlanish generatori G1 ni va ostsillografni yoqing.
Generator G1 chastotasini f = 2kHz va chiqishdagi kuchlanishni U1 = 1V o’rnating.
Ostsillografning «razvertkasi», sinxronizatsiyasi va kuchaytirish tezligini
sozlash yo’li bilan kirish kuchlanishi u1 va chiqish kuchlanish u2 ning
ostsillogrammalarini tekshirish uchun qulay bo’lishi va qo’zg’almasligiga erishing.
Ostsillograf ekranidan (katak qog’ozga) kirishdagi u1(t) va chiqishdagi u2(t)
kuchlanishilarning ostsillogrammalarini chizib oling. V1 va V2 voltmetrlar
yordamida D3ning kirishidagi va chiqishidagi kuchlanishlarning ta’sir qiymatlarini
o’lchang. Fazometr yordamida kirish va chiqish kuchlanishlar orasidagi faza φ
burchagini o’lchang. O’lchov natijalarini 9.2-jadvalga kiriting. Kirishdagi va
chiqishdagi kuchlanishlar orasidagi fazalar farqiga e’tibor bering. Sifatli
0
differentsiallashda bu fazalar farqi 90 ga yaqin.
3.1.3. Rezistor R ning qarshiligini 5 marta kamaytiring. Bunda chiqishdagi
kuchlanish qiymati kamayadi, differentsiallash sifati ortadi. Kirishdagi va
chiqishdagi kuchlanishlarning ostsillogrammalarini chizing. V1 va V2 voltmetrlar
va fazometrning ko’rsatkichlarini 7.2-jadvalga kiriting.
3.1.4. Hisoblangan qarshilik R ning qiymatini 5 marta kamaytiring, kirishdagi
va chiqishdagi kuchlanishlarning ostsillogrammalarini chizib oling. V1, V2
voltmetrlar va fazometrning ko’rsatishlarini 7.2-jadvalga kiriting.

9.2-jadval
R, kΩ U1, V U2 , V U2G’U1 φ q ψA- ψVq ψu2- ψu1, grad
RG’5
R
5R
3.2. Kirish kuchlanishi to’g’ri burchakli impulslarning davriy ketma-
ketligi ko’rinishida bo’lgan passiv differentsiallovchi RC-zanjir tadqiqoti
 3.2.1. Sxemasi 7.6-rasmda keltirilgan zanjir chizmasini chizing.

ossillograf

7.6-rasm. Impulsli ta’sir ostidagi RC-D3 sxemasi tadqiqoti

3.2.2. Sxema kirishiga to’g’ri burchakli impulslarning musbat ketma-ketligi

generatorini ulang. Generator “DLIT” rezistori yordamida o’zgartiriluvchi, 200
mks.dan 1000 mks. gacha bo’lgan oraliqda, uzunligi tu = T / 2 bo’lgan to’g’ri
burchakli musbat impulslarni ishlab chiqaradi. Impulslar amplitudasi U1 = 0  1,5V
oraliqda sozlanadi. Generatorning chiqish qarshiligi 5,0 Om. Generator chiqishi 30
sekunddan ko’p bo’lmagan vaqtga qisqa tutashuvdan himoyalangan.
3.2.3. Generator chiqishida davomiyligi tu = 250 mks. ( f = 2 kFz chastotaga
mos keladi) va amplitudasi U1 = 1V bo’lgan kuchlanishni o’rnating.

3.3. Kirish kuchlanishi bipolyar arrasimon impulslarning davriy ketma-

ketligi ko’rinishida bo’lgan passiv differentsiallovchi RC-zanjir tadqiqoti
3.3.1. 7.6-rasmdagi sxemada musbat to’g’ri burchakli impulslar kuchlanishi
manbaini bipolyar arrasimon impulslar kuchlanishi manbai bilan almashtiring.
Natijada 7.7-rasmda keltirilgan sxema hosil bo’ladi.

ossillograf

7.7-rasm. Musbat bipolyar uchburchakli kuchlanish

ta’siridagi RC-DZ tadqiqotining sxemasi
Bu generator 0 V ga nisbatan simmetrik arrasimon U1 kuchlanishni ishlab
chiqaradi. U 1,5 V kuchlanishli sozlanmaydigan amplitudaga ega.
Arrasimon kuchlanishning qiyaligi o’zgaruvchan rezistor «DLIT» yordamida
o’zgartiriladi. Genratorning chiqish qarshiligi 1000 Ω. Chiqish klemmalari qisqa
tutashuvdan chegaralanmagan davomiylikda himoyalangan. Manbaning ichki
qarshiligini hisobga olish uchun R qarshilik dastlabki hisob natijasida olingan
qarshilikdan 1000 Ω ga kichik bo’lishi kerak. Ostsillograf ekranidan D3 kirishidagi
va chiqishidagi kuchlanish grafiklari u1(t) va u2(t)ni 3.1 bandda ko’rsatilgan 3 ta R-
1000 qarshilik qiymatlarida chizib oling.
 3.4. Qo’shimcha topshiriq

Aktiv differentsiallovchi RC-zanjir tadqiqoti

7.6-rasmda keltirilgan sxemani yig’ing. Sig’im S va qarshilik R ning
qiymatlarini dastlabki hisoblash natijalaridan oling.

ossillograf

7.6-rasm. ARC-DZ tadqiqotining sxemasi

Manbadan kelayotgan kirishidagi sinusoidal kuchlanishi G1 U1q0,5V bo’lgan
aktiv DZning kirish va chiqish kuchlanishlari tasvirini ostsillograf ekranidan chizib
oling. Bunda har gal teskari bog’lanishdagi R qarshilikning qiymati 2 martadan
oshiriladi yoki kamaytiriladi. Yuqoridagi R ning barcha o’zgartirilishlarida aktiv
DZ-zanjirning chiqish kuchlanishlari shakli o’zgarmasligiga va kirish va chiqish
kuchlanishlari orasidagi faza burchaklari 900 bo’lishiga e’tibor berish zarur.

4. Tadqiqot natijalarini qayta ishlash

4.1. D3ning kirishidagi u1 va chiqishidagi u2 kuchlanishlar grafiklarini
taqqoslang.
4.2. Barcha xolatlar uchun differentsiallash sifati koeffitsientini QqTG’
hisoblang. Bunda Tq1G’f; fq2 kHz. Barcha grafiklarda Q ning qiymatlarini
ko’rsating.

4. Hisobotning tarkibi
4.1. Ishning nomi va maqsadi.
4.2. Tekshirilayotgan zanjirlar sxemalari va elementlarining parametrlari.
4.3. Dastlabki hisoblash natijalari.
4.4. Tekshirilayotgan zanjir kirishidagi va chiqishidagi kuchlanish grafiklari.
4.5. O’lchov va hisob natijalari bo’yicha xulosalar.
 6. Nazorat savollari
6.1. DZ kirishiga to’g’ri burchakli impulslar ketma-
ketligi shaklidagi u1 kirish kuchlanishi ulangan.

Differentsiallash sifati bilan chiqishdagi signal

orasida moslikni aniqlang.
Differentsiallash sifati: Chiqishdagi signal:

1.Ideal
2.Qoniqarli
3.Qoniqarsiz

Javob variantlari:
A) 1-a;2-b;3-d. B) 1-d;2-v;3-g. V) 1-b;2-v;3-g. G) 1-b;2-a;3-d. D) 1-g;2-d;3-a.

6.2. Quyida keltirilgan impulslarni CR-DZda qoniqarli differentsiallash

uchun zarur bo’lgan  ning qiymatini tanlang
Javob variantlari:
impuls DZ sxemasi

A)  = 10ms. ; B)  = 100ms. ; V)  = 15ms. ; G)  = 0,1ms. ; D)  = 1ms. .

6.3. Qoniqarli differentsiallashni ta’minlaydigan

kirish impulsi uzunligi tu bilan quyidagi zanjir vaqt doimiysi
τ q RC orasidagi
bog’lanish qiymatini ko’rsating.
Javoblar: A) RC tu. B) RC tu. V) RCq tu.
G) RC tu. D) RC tu.

6.4. Davri Tq5 ms. va davomiyligi tuq2,5 ms. ga teng

bo’lgan to’g’ri burchakli impulslar ketma-ketligi kiruvchi
kuchlanish sifatida berilgan, RL-zanjir differentsiallovchi
bo’lishini ta’minlaydigan  q RL qiymatini ko’rsating.
Javoblar variantlari:
A.  = 2,5ms. ; B.  = 5ms. ; V.  = 10ms. ; G.  = 25ms. ; D.  = 2,5s.

6.5. Agar Rq1kΩ bo’lsa, kirish kuchlanish P-simon (Tq2 ms. , tuq1 ms. )
bo’lgan RL- zanjiri differentsiallovchi bo’lishi uchun zarur bo’lgan L ning qiymatini
ko’rsating.
 P-simon kirish kuchlanishi RL- zanjiri
Javoblar variantlari:
A. 1Hn; B. 10 Hn; V. 0,5 Hn; G. 10mHn; D. 0,2 Hn.

6.6. Kirish kuchlanish u1 sinusoidal (davri Tq2 ms. ) bo’lgan RL-zanjiri

differentsiallovchi bo’lishi uchun induktivlik qiymati Lq20 mHn bo’lgandagi Rning
qiymatini ko’rsating.
Javoblar variantlari:
A) 1 Ω; B) 10 Ω; V) 1 kΩ;
G) 20 Ω; D) 15 Ω.

6.7. Ushbu u1 signal ideal

differentsial-langanda chiqish
kuchlanishi u2 ning grafigini
ko’rsating.

Javoblar variantlari:
A) a-rasmdagidek; B) b-rasmdagidek;
V) v-rasmdagidek; G) g-rasmdagidek; D) barcha rasmdagidek.

6.8. RC-zanjir qarshiligi Rq10 kΩ va sig’imi Sq1 nF bo’lsa, zanjir kirish u1

kuchlanishining quyida berilgan qanday shakllarida signal differentsiallanmaydi?
 Javoblar variantlari:

6.9. Qarshiligi Rq10 kΩ va sig’imi Sq1 nF bo’lgan RC-zanjir kirish u1

sinusoidal kuchlanishi davrining qanday qiymatlarida signal eng yuqori sifat bilan
differentsiallanadi?

Javoblar variantlari:
A) Tq1 mks; B) Tq1 ms; V) Tq10 mks; G) Tq5 mks; D) Tq1 s.

6.10. Ideal DZning kirish kuchlanishi u1

rasmda keltirilgandek bo’lsa, chiqish kuchlani-
shining u2 shaklini aniqlang.

Javoblar variantlari:
 7 - LABORATORIYA ISHI (2 QISM)

INTEGRIALLOVCHI ELEKTR ZANJIRLARINI TADQIQ ETISH

Ishning maqsadi: -passiv va aktiv integrallovchi zanjirlarning (IZ)

amaliyotda uchraydigan sxemalarini o’rganish;
-IZning har xil kirish kuchlanishlari va elementlari parametrlarida zanjir
chiqishidagi signallar shakllarini eksperimental tekshirish.

1. Nazariy ma’lumotlar

Zamonaviy telekommunikatsion tizimlari, impuls texnikasi, hisoblash

texnikasi va boshqa sohalarda shunday chiziqli elektr zanjirlari (ChEZ) keng
qo’llaniladiki, ularning chiqish klemmalaridagi u2(t) signallar ularning kirishi
kuchlanishidan u1(t) olingan integralga proportsional bo’ladi

u 2 (t ) = k  u1 (t )dt ,
bunda k - proportsionallik koeffitsienti.
Bunday ChEZ integrallovchi zanjirlar deb ataladi.
Aksariyat ketma-ket ulangan rezistor va kondensatordan (7.1,a-rasm) iborat
bo’lgan passiv IZ qo’llaniladi. Chiqish kuchlanishi u2 kondensator S dan olinadi.

7.1-rasm. Passiv IZ sxemalari: a) RC-zanjir; b) RL-zanjir

7.1,a-rasmda keltirilgan RC-zanjirning uzatish funktsiyasi quyidagi shaklga

ega
U 2 ( p) 1 / Cp 1 F ( p)
H ( p) = = = = 1 . (7.1)
U 1 ( p) R + 1 / Cp RCp + 1 F2 ( p)
IZning tavsifiy tenglamasi
F2 ( p) = RCp + 1 = 0

bitta ildizga teng

1 1
p1 = − =− ,
RC 
bunda
τ q RC - zanjirning vaqt doimiysi.
 Qoniqarli integrallashni amalga oshirish uchun zanjirning integrallash
doimiysi impuls davomiyligidan juda katta bo’lishi zarur, ya’ni
qRC>>ti,

bunda ti – kirish signalining davomiyligi.

Vaqt doimiysi  q RC yoki  q L G’R qancha katta bo’lsa, integrallash aniqligi
shuncha yuqori bo’ladi. Ammo, vaqt doimiysi juda ham katta bo’la olmaydi, chunki
bunda chiqish kuchlanishi juda kichik qiymatga aylanadi. 7.2-rasmda IZning kirish
klemmalariga to’g’ri burchakli musbat ishorali yakki kuchlanish (7.2,a-rasm) va
bipolyar to’g’ri burchakli signal (7.2,b,v-rasm) berilgandagi kirish u1 va chiqish u2
signallarining grafiklari keltirilgan.

7.2-rasm. Passiv va aktiv integrallovchi zanjir kirish u1 va chiqish u2 kuchlanishlari

diagrammalari

Kompleks shakldagi kuchlanini integrallashga kompleks kuchlanishning j

qiymatga bo’linishi mos keladi, shuning uchun ixtiyoriy to’rtqutblik quyidagi ifoda
shartini bajarsa, u integrallovchi zanjir bo’ladi

U2(jω)≈U1(jω)G’j

yoki, boshqacha shaklda keltirganda

H(j)  U2(jω)G’U1(jω)q1G’j q (1G’ω) exp(-90 0).

10.1,a-rasmdagi zanjir uchun
1
H ( j ) = H ( p )  = j = = H (  )e j (  ) . (7.2)
1 + jRC
Demak, ideal IZ H()  1G’ amplituda-chastotaviy tavsifiga ega bo’lishi
yoki
RC>>1 yoki f >>(1G’2)RCq(1G’2)qf0 G’2π (7.3)
tengsizlik bajarilishi zarur.
 7.3-rasm. Passiv integrallovchi RC-zanjirlarning AChT
(Rq100 kΩ, Cq50 nF, τq5ms., f0 q1G’τ q200Hz)

Integrallovchi RC-zanjir FChTdan (7.1,a-rasm) shu ko’rinadiki, f q f0 q q

1G’ τ q 1G’RCq200 Hz. chastotada va kuchlanishni uzatish koeffitsienti H(f0) q
qU2G’U1q0,155 bo’lganda kirish va chiqish kuchlanishlari orasidagi fazalar farqi
φ(f0) q 80, chastota ikki marta f q 2f0 q 400 Hz. ortgandagi va kuchlanishni uzatish
koeffitsienti H(2f0) qU2G’U1q0,08 bo’lgan holatda fazalar farqi φ(2f0) q 850 va
integrallash sifati anchagina yuqori. Kuchlanishning o’n marta kuchsizlanishi esa
chastota fq300 Hz.da va fazalar farqi φ q 830 bo’lganda ko’riladi. Bundan shunday
xulosa chiqarish mumkinki, berilgan passiv integrallovchi RC-zanjirda berilgan
chastota f uchun vaqt doimiysi  ni aniqlash uchun ikkinchi variantni tanlaymiz.
Buning uchun
f q 2f0q2G’τ,
undan  q 2G’fq2T. (7.4)

Ushbu holatda IZning chiqishidagi kuchlanish kirishdagiga nisbatan U1

G’U2 q 12,5 marta kichik bo’ladi.
IZlarni kirish signallariga nisbatan davomiyligi kattaroq va frontining qiyaligi
kichikroq bo’lgan chiqish signallarini olish uchun ishlatiladi. Bunday zanjirlar turli
funktsiyalarni bajaradi. Masalan, impuls shovquni ta’sirini kamaytirish imkonini
beradi, uzunligi bo’yicha farq qiladigan signallarni amplitudasi bo’yicha farq
qiladigan signallarga aylantirib beradi va h.k. Qisqa impulslar ta’sir qilganda
kondensator to’liq zaryadlanishga ulgurmaydi, davomiyligi katta bo’lgan ta’sirda
esa – ulguradi, shu sababli zanjir chiqishidagi kuchlanishlar orasida farq yuzaga
keladi. (7.3-rasm).
Passiv IZlar kichik aniqlikka ega bo’lishi sababli, analog texnikasi
amaliyotida invertorlovchi operatsion kuchaytirgich (OK) va RC-zanjirlar asosida
qurilgan aktiv integrallovchi zanjirlar (AIZ) qo’llaniladi.
Invertorlovchi OK asosida qurilgan IZning printsipial sxemasi 7.4-rasmda
keltirilgan.
 7.4-rasm. OK asosidagi aktiv IZ sxemasi

7.5-rasm. IZ yordamida amplitudali modulyatsiyalangan to’g’ri burchakli

impulslarning o’ramasini ajratib olish
ARC integratorning operatsion uzatish funktsiyasi (7.3-rasm) quyidagi
ko’rinishda bo’ladi

U2( p ) − F ( p)
H( p ) = = = 1 . (7.5)
U 1 ( p ) ( 1 +  )RCp + 1 F2 ( p )
Tavsifiy tenglamasi F2(p)q0, ya’ni

(1Q)RCpQ1q0
>>1 va p1 1G’ quyidagi ildizlarga ega

p1q -1G’(1Q)RCq-1G’(1Q).
Bundan shuni ko’rish mumkinki, OKni qo’llash natijasida vaqt doimiysi 
marta ortar ekan, ya’ni
aq1G’ p1  .
OKda  ning qiymati birnecha ming birlikni tashkil etganligi sababli, passiv
IZ ma’lum aniqlikda bajarilayotgan integralanish oralig’i, OK qo’llaganda keskin
ortadi.
Bunday IZning chiqish klemmalaridagi kuchlanish quyidagi ifoda bilan
anqlanadi
t
1
RC 0
u2 = − u1 (t )dt + uC (0). (7.6)

Tenglamaning o’zgarmas tashkil etuvchisi uC(0) – sig’imdagi boshlang’ich

kuchlanish bo’lib, tq0 dagi boshlang’ich shartni ifodalaydi. Maxsus usullar
yordamida ixtiyoriy boshlang’ich shartlarni amalga oshirish mumkin. Bundan
buyon uC(0) q 0 deb qabul qilamiz.
 Agar kirish kuchlanishi o’zgarmas u1 ( t ) = U = const bo’lsa, chiqish
kuchlanishi quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi

t t
u 2 (t ) = U =U , (7.7)
RC 
ya’ni chiqish signali vaqt bo’yicha chiziqli ortib boradi (7.2,a-rasm). Shuning uchun
ko’rilayotgan sxema chiziqli ortayotgan, chiziqli pasayyotgan yoki arrasimon
kuchlanishlar uchun yaroqli bo’ladi (7.2,b-rasm).

2. Dastlabki hisoblashlar

Kirishiga amplitudasi U q 1V, davomiyligi tiq250ms. bo’lgan to’g’ri burchakli

impulslarning davriy ketma-ketligi (7.2-rasm) ta’siridagi passiv RC-zanjir (7.2,a-
rasm)chiqishidagi u вых kuchlanishni hisoblang. Sig’im qiymatini 7.1,a-jadvaldan
tanlang.

Integrallovchi passiv RC-zanjir sig’imlarining parametrlari

7.1,a-jadval
Var. № 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
S, nF 5 10 15 20 25 30 35 50 60 70 80 100

Agar fq2kHz.,  = 2Т = 2 f = 2 / 2000 = 1  10−3 s. , va Sq50 nF bo’lsa, qarshilik

Rning qiymati (7.4) shartdan aniqlanadi

1  10−3
R= = = 20 k ,
С 50  10−9
RC-zanjir (7.1,a-rasm) chiqish kuchlanishi 0  t  t u vaqt oralig’ida quyidagi ifoda
yordamida hisoblanadi
uvo’x q U(1- exp(-tG’τ)).
Vaqt t > ti bo’lganda passiv RC-zanjir chiqish kuchlanishi quyidagi ifoda
yordamida hisoblanadi
uvo’x q U(1- exp(-tiG’τ))exp(-(t-ti)G’τ).
Hisoblash natijalari 7.1-jadvalga kiritiladi

7.6-rasm. Musbat to’g’ri burchakli impulslar ketma-ketligi

shaklidagi kirish kuchlanishining grafigi
 Dastlabki hisoblashlar natijalari
7.1-jadval
t 0 0,2 tu 0,4 tu 0,6 tu tu 1,2 tu 1,4 tu 1,6 tu 2 tu
t, ms. 0 50 10 150 250 300 350 400 500
u2, V
(ris. 7.2,a)
u2, V
(ris. 7.4)

Hisoblashlar natijalari bo’yicha RC- integrallovchi zanjir kirish va chiqish

kuchlanishlari grafigini chizing.

3. Ishni bajarish tartibi

3.1. Sinusoidal kuchlanish bo’lgandagi passiv RC-zanjir tadqiqoti
3.1.1. 7.7-rasmda keltirilgan sxema bo’yicha zanjirni yig’ing.

7.7-rasm. Integrallovchi passiv RC-zandir tadqiqoti sxemasi

3.1.2. Rezistor R qarshili qiymatini dastlabki hisoblashlarda aniqlangandan

600 Ω. miqdorga kamroq qilib o’rnating. Bu kamaytirish G2 garmonik kuchlanishlar
generatori ichki qarshiligini (uning miqdori 600 Ω.ga teng) e’tiborga olish uchun
zarurdir. G2 garmonik (sinusoidal) kuchlanishlar generatorini ostsillografga ulang.
G2 generator kuchlanishini i U1q5V, chastotasini fq2 kHz. Qiymatlariga o’rnating.
Ostsillografning «razvertkasi», sinxronizatsiyasi va kuchaytirish tezligini sozlash
yo’li bilan kirish kuchlanishi u1 va chiqish kuchlanish u2 ning ostsillogrammalarini
tekshirish uchun qulay bo’lishi va qo’zg’almasligiga erishing. Ostsillograf ekranidan
(katak qog’ozga) kirishdagi u1(t) va chiqishdagi u2(t) kuchlanishilarning
ostsillogrammalarini chizib oling. V1 va V2 voltmetrlar yordamida I3ning
kirishidagi va chiqishidagi kuchlanishlar ta’sir qiymatlarini o’lchang. Fazometr
yordamida kirish va chiqish kuchlanishlar orasidagi faza φ burchagini o’lchang.
O’lchov natijalarini 7.2-jadvalga kiriting. Kirishdagi va chiqishdagi kuchlanishlar
orasidagi fazalar farqiga e’tibor bering. Sifatli integrallashda bu fazalar farqi 900 ga
yaqin.

3.1.3. Rezistor R ning qarshiligini 5 marta kamaytiring. Bunda chiqishdagi

kuchlanish qiymati ortadi, integrallash sifati pasayadi. Kirishdagi va chiqishdagi
kuchlanishlarning ostsillogrammalarini chizing. V1 va V2 voltmetrlar va
fazometrning ko’rsatkichlarini 7.2-jadvalga kiriting.
3.1.4. Hisoblangan qarshilik R ning qiymatini 5 marta ko’paytiring, kirishdagi
va chiqishdagi kuchlanishlarning ostsillogrammalarini chizib oling. V1, V2
voltmetrlar va fazometrning ko’rsatishlarini 7.2-jadvalga kiriting.
7.2-jadval
φ q ψA -
R, kΩ U1 , V U2, V U2G’U1 ψVq q ψu2-
ψu1, grad
RG’5
R
5R

3.2. Kirish kuchlanishi to’g’ri burchakli impulslarning davriy ketma-ketligi

ko’rinishida bo’lgan passiv integrallovchi RC-zanjir tadqiqoti

3.2.1. Sxemasi 7.8-rasmda keltirilgan zanjir chizmasini chizing.

7.8-rasm. Impulsli ta’sir ostidagi RC-I3 sxemasi tadqiqoti
3.2.2. Sxema kirishiga to’g’ri burchakli impulslarning musbat ketma-ketligi
generatorini ulang. Generator “DLIT” rezistori yordamida o’zgartiriluvchi, 200
mks.dan 1000 mks. gacha bo’lgan oraliqda, davomiyligi tu = T / 2 bo’lgan to’g’ri
burchakli musbat impulslarni ishlab chiqaradi. Impulslar amplitudasi U1 = 0  1,5V
oraliqda sozlanadi. Generatorning chiqish qarshiligi 5,0 Ω. Generator chiqishi 30
sekunddan ko’p bo’lmagan vaqtga qisqa tutashuvdan himoyalangan.
3.2.3. Generator chiqishida davomiyligi tu = 250 mks. ( f = 2 kFz chastotaga
mos keladi) va amplitudasi U1 = 1V bo’lgan kuchlanishni o’rnating. 3.1 bandda
bajarilgan tajriba ishlaridagiga o’xshash eksperimental tadqiqotlarni o’tkazing.
3.2.3. Generator chiqishida davomiyligi tu = 250 mks. ( f = 2 kFz chastotaga
mos keladi) va amplitudasi U1 = 1V bo’lgan kuchlanishni o’rnating.
 3.3. Arrasimon bipolyar impulslar davriy ketma-ketligi ta’siri ostidagi
RC - IZ tadqiqoti

3.3.1. 7.8-rasmdagi sxemada ko’rsatilgan to’g’ri burchakli musbat

impulslar kuchlanish manbai o’rniga bipolyar arrasimon impulslar kuchlanishining
manbaiga almashtiramiz. Natijada 7.9-rasmda keltirilgan sxema hosil bo’ladi.

7.9-rasm. Arrasimon bipolyar impulslar davriy ketma-ketligi ta’siri ostidagi

RC-IZ sxemasi tadqiqoti

Bu generator koordinata boshiga nisbatan simmetrik, amplitudasi 1,5V,

sozlanmaydigan arrasimon u1(t) kuchlanish ishlab chiqaradi. Arrasimon
kuchlanishning tikligi «DLIT» o’zgaruvchan rezistor yordamida o’zgartiriladi.
Generatorning chiqish qarshiligi 1000 Ω. Chiqish klemmalari qisqa tutashuvdan
davomiyligi chegaralanmagan holda himoyalangan. Manbaning ichki qarshiligini
hisobga olish uchun R qarshilik dastlabki hisobda olingandagiga nisbatan 1000 Ω
kichik bo’lishi lozim. Ostsillograf ekranidan IZ kirishidagi u1(t) va chiqishidagi u2(t)
kuchlanishlar grafiklari Rq1000Ω qarshilikning 3.1 – bandda ko’rsatilgan uchta
qiymati uchun chizib oling.

4. Hisobotning tarkibi
4.1. Ishning nomi va maqsadi.
4.2. Tekshirilayotgan zanjirlar sxemalari.
4.3. 7.1-jadval va u2 (t ) = uЧИК ( t ) grafigi shaklidagi dastlabki hisoblash
natijalari.
4.4. O’lchovlar sxemalari.
4.5. Tekshirilayotgan zanjir kirishidagi u1 (t ) va chiqishidagi u1 ( t )
kuchlanishlar grafiklari.
4.6. O’lchov va hisob natijalari bo’yicha xulosalar.

5. Nazorat savollari
5.1. Elektr integrallovchi zanjir deb nimaga aytiladi?
5.2. Passiv integrallovchi zanjir sxemasini tasvirlang va u o’zining
funktsiyasini yaxshi bajaradigan shartini yozing.
5.3.Operatsion kuchaytirgichda soddalashtirilgan aktiv integrallovchi
zanjir sxemasini tasvirlang va uning hossalari ni tushintiring.
 5.4. IZda qoniqarli integrallash uchun  qiymaimnm tanlang.

Javob variantlari: A) 100ms.; B) 10ms.; V) 1µs.; G) 10µs.; D). 1ms.

5.5. Agar Rq1 kΩ bo’lsa, zanjir qoniqarli integrallovchi bo’lishi uchun
5.4 savol b-sxemasi RC-zanjiridagi S sig’imning qiymatini aniqlang.

Javob variantlari: A) 10 µF; B) 10 nF; V) 1 nF; G) 1µF; D) 100 nF.

5.6. Induktivligi Lq20 mHn bo’lgan RL-zanjirga davri Tq1 ms. bo’lgan
sinusoidal kirish kuchlanishi berilganda zanjir integrallovchi bo’lishi uchun R ning
qiymatini qancha bo’lishi zarur?
Javob variantlar: A) 100Ω; B) 2Ω; V) 20Ω; G) 1kΩ; D) 2kΩ.
5.7. Soddalashtirilgan passiv integrallovchi zanjirni ko’rsating.
Javob variantlari:

8 - LABORATORIYA ISHI
Mavzu: Yarimo’tkazgichli germaniy va kremniy diodlari parametrlari va
xarakteristikalarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Yarimo’tkazgichli diod (YaD) asosiy xarakteristikalari va

parametrlarini hamda ularga tashqi muhit temperaturasining ta'sirini tadqiq etish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:

1.1. YaD – n va p- turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan ikkita yarim

o’tkazgichlar kontaktidan iborat bo’lgan hamda bir tomonlama o’tkazuvchanlikka
ega bo’lgan elektron asbob. YaD VAXsi 2.1-rasmda keltirilgan. Bu erda 1- nazariy
xarakteristika, 2- real abob xarakteristikasi (bu xarakteristika YaDning yarim
o’tkazgich strukturasidagi hajmiy qarshilikni va tashqi kontaktlar qarshiligini,
YaDdan tok oqib o’tganda undan ajralib chiqayotgan qo’shimcha issiqlikni va
x.z.larni hisobga oladi).

1.2. Real yarimo’tkazgichli diod VAXsi 2.1- rasmda keltirilgan. Punktir chiziq bilan
quyidagi tenglamaga mos keluvchi ideal VAX ko’rsatilgan:

 UU 

i = I 0 e − 1
Т

  (2.1)
 
T=300 Kda UT=26 mV.

2.1-rasm
 Xarakteristikalar yarimo’tkazgichli diod asosiy xossalarini namoyon etadi.

Ochiq holatda yarim o’tkazgichli dioddan ma'lum miqdorda to’g’ri tok ( ito' g 'ri 0
) oqib o’tadi; bu holat yarim o’tkazgichli diodga to’g’ri kuchlanish berish natijasida
ta'minlanadi:
+ u>0 –

Berk holatda yarim O’tkazgichli dioddan juda kichik teskari tok itesk (
i  0) oqib o’tadi. Bu tokning qiymati germaniyli diodlarda 10-5 – 10-6A,
kremniyli diodlarda esa 10-9 – 10-12A tartibga ega. Yarimo’tkazgichli diodning berk
holati unga teskari kuchlanish berish natitijasida amalga oshiriladi:
– u<0 +

2.1-rasmdan ko’rinib turibdiki, real yarimo’tkazgichli diod VAXsining to’g’ri

shohobchasi nazariy xarakteristikaga nisbatan bo’sag’aviy kuchlanish qiymati bilan

ifodalanadigan u bo 's sezilarli to’g’ri tok yuzaga keladigan ancha yuqori to’g’ri
kuchlanish sohasiga siljigan. Germaniyli diodlarda u bo 's  0,25  0,4 V, kremniyli
diodlarda - u bo 's  0,68  0,8 V. U  U bo's bo’lganda VAX to’g’ri
shohobchasining egilishi diod baza sohasining qarshiligi r' B bilan aniqlanadi.

Yarimo’tkazgichli diod VAXsiga tashqi muhit temperaturasining ta'siri 2.2-

rasm bilan tushuntiriladi. Temperatura ortganda to’g’ri va teskari tok ortadi.
 2.2- rasm

Yarimo’tkazgichli diodga temperatura ta'sirini hisobga oladigan asosiy

parametrlar bo’lib quyidagilar hisoblanadi:

Kuchlanishning temperaturaviy koeffitsinti  t

U to' g ' ri
t = i = const (2.2)
t 0

va teskari tokni e martaga o’zgarishiga mos keluvchi temperatura t* :

t −t0

itesk (t ) = itesk (t '0 )e t*

(2.3)

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1. Laboratoriya ishini bajarishdan avval sxema (2.3-rasm), o’lchash usullari,

qo’llaniladigan o’lchov asboblari bilan tanishib chiqish kerak.

2.2. Yarimo’tkazgichli diod VAXsining to’g’ri shohobchasi ito' g 'ri = f (U to'g 'ri ) ni
o’lchang (2.1-rasm). Tajribani ikki turdagi - germaniyli va kremniyli diodlar uchun
bajaring.

2.3- rasm

Tajriba bajarish uchun tavsiyalar:

Yarimo’tkazgichli diod to’g’ri toki ( ito' g 'ri ) kuchlanishga kuchli ravishda

bog’liq (2.1- rasm) bo’lgani sababli tokni cheklash uchun i  iqo' sh

yarimo’tkazgichli diodga ketma – ket chegaralovchi qarshilik R=560 Om ulash
kerak (2.3- rasm). Yarimo’tkazgichli diod VAXsini amalda o’lchash qulay, buning
uchun diodga kerakli tok qiymatini ito'g 'ri berib borib, unga mos keladigan

kuchlanish qiymat uto'g 'ri yozib boriladi.

Tajriba vaqtida bo’sag’aviy kuchlanish qiymati u bo 's ni ( i = 500mkА

bo’lganda) yozib olish kerak.
O’lchash natijalarini jadvalga yozib oling va olingan ito' g 'ri = f (U to' g 'ri )
bog’liqlik grafigini chizing.

2.3. Yarimo’tkazgichli diod VAXsining teskari shohobchasini itesk = f (U tesk )

germaniyli diod uchun o’lchang (2.1- rasm).

Tajriba bajarish uchun tavsiyalar:

Yarimo’tkazgichli diod teskari toki ( itesk ) kuchlanishga kuchli bog’liq

bo’lmaydi (2.1- rasm), shuning uchun VAXning teskari shohobchasini kuchlanish
utesk qiymati 0 dan uqo'sh.tesk qiymatgacha oraliqda o’lchash maqsadga muvofiq.

Bu kuchlanish qiymatlariga mos keluvchi tokni o’lchash vaqtida, u =0 dan utesk

= -1V oralig’idagina tok kuchli ravishda o’zgarishini inobatga olish kerak.

3. O’lchash natijalarini qayta ishlash:

3.1. 2.2 – bandga muvofiq bajarilgan o’lchash natijalarini ishlash.

Tajribada olingan germaniyli va kremniyli YaD VAXlarida ularga mos

keluvchi 2.1- ifoda yordamida hisoblangan nazariy xarakteristikalarni quring.
uto'g 'ri = ubo's va ito'g 'ri = 500 mkA nuqtalarda 2.1- ifoda yordamida issiqlik

toki I 0 kattaligini hisoblang. Nazariy va tajriba usulida olingan bog’liqliklar bu

nuqtalarda mos tushadi.

Tajribada olingan VAXdan germaniyli va kremniyli diod uchun ito' g 'ri

u
=10mA qiymatida differentsial qarshilik rdif = va o’zgarmas tok bo’yicha
i
u to' g 'ri
qarshilik r0 = ni hisoblang.
ito' g 'ri

3.2. 2.3 va 2.4 – bandlarga muvofiq bajarilgan o’lchash natijalarini ishlash.

 Germaniyli diod tajribada olingan VAXsidan foydalanib (2.3- band) u to' g 'ri
u
= 10 V bo’landa differentsial qarshilik rdif = va o’zgarmas tok bo’yicha
i
u tesk
r
qarshilik 0 =
itesk ni hisoblang.

4. Hisobot mazmuni:

1) o’lchash sxemalari;

2) olingan bog’liqliklar jadvallari va grafiklari;

3) o’lchash va hisob natijalarining tahlili.

5. Nazorat savollari.

1. Yarimo’tkazgichli diod to’yinish toki qanday fizik mohiyatga ega ?

2. Ideal yarimo’tkazgichli diod VAXsining tenglamasini yozing va undagi

parametrlarning fizik ma'nosini tushuntiring?

3. Diodga qo’yilgan kuchlanish qiymati va qutbi undagi p-n o’tish kengligiga

qanday ta'sir ko’rsatadi ?

4. Diodning elektr modeli sxemasini chizing. Sxemadagi elementlar va ularning

parametrlarini tushuntiring?

5. Germaniyli va kremniyli diodlarning VAXsi bir xil sharoitda farqli bo’lishiga

sabab nima va u diodlarning qaysi parametrlari bilan ifodalanadi?

6. Yarimo’tkazgichli diod elektr modeli parametrlarini tajribada qanday aniqlash

mumkin?
 9 - LABORATORIYA ISHI

Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Elektr teshilish rejimida diod tokini unga qo’yilgan teskari
yo’nalishdagi kuchlanish bilan bog’liqligini tajriba usuli bilan aniqlash va bu
bog’lanishni approksimatsiyalovchi chiziqli funktsiya parametrlari qiymatlarini
hisoblash.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:

1.1. Yarimo’tkazgich stabilitronning VAXsi 3.1 a-rasmda, uning elektr sxemalarda

shartli belgilanishi esa 3.1 b-rasmda ko’rsatilgan.

a) b)

3.1-rasm

Stabilitron VAXsi teskari shahobchasining Ust.min-Ust.max kuchlanish

qiymatlari oralig’i elektr teshilishga (odatda ko’chkisimon) tegishli. Teshilish
rejimida teskari kuchlanishning juda oz miqdorda o’zgarishi teskari tokni kuchli
o’zgarishiga olib keladi.

Stabilitronning bu hususiyatidan sxemotexnikada kuchlanishni

barqarorlashda keng qo’llaniladi.

1.2. Kuchlanishni barqarorlash rejimida stabilitron VAXsi chiziqli funktsiya bilan

approksimatsiyalanadi:

U SТ = U B + RD  I ST (3.1)
bu erda RD - parametri kuchlanishni barqarorlash rejimidagi diodning differentsial
qarshiligini, UB - parametri esa, kuchlanishning bo’sag’aviy qiymatini ko’rsatadi.

1.3. Keng ko’llaniladigan stabilitronlarning ba'zi elektr parametrlarining ro’yxati:

δUst - barqarorlash kuchlanishi;

Ust - barqarorlash kuchlanishning vaqt bo’yicha nostabilligi;

Uto’g’ - stabilitrondagi o’zgarmas to’g’ri kuchlanish;

Ist,min - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng kichik o’zgarmas tok;

Ist,max - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta o’zgarmas tok;

Ito’g’,maks - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta to’g’ri o’zgarmas tok;

Rmaks - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta sochuvchi quvvat;

rst - belgilangan o’zgarmas tok rejimida (I*s) aniqlangan differentsial

qarshilik;

 st - barqarorlash kuchlanishining temperaturaviy koeffitsienti.

 SТ =   U SТ / U SТ  Т (3.2)

Stabilitronning quyidagi guruhlari mavjud: umumiy maqsad uchun

qo’llaniladigan maxsus termokompensatsiyalangan pretsizionli (aniq kuchlanish
qiymati talab qilinadigan sxemalar uchun); impulsli, ikki anodli, stabistorlar.

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1. Laboratoriya ishini bajarishdan avval sxema (3.2-rasm), o’lchash usullari,

qo’llaniladigan o’lchov asboblari bilan tanishib chiqish kerak.

2.2. Stabilitron VAXini I SТ = f (U SТ ) ni o’lchang (3.1 a-rasm).

Tajriba bajarish uchun tavsiyalar:

Stabilitronni VAXsini o’lchaydigan elektr sxemasini yig’ib, unda o’lchash

ishlarini talab etilgan aniqlikda bajaring.
 Tajriba natijalarini ishlash va approksimatsiyalovchi funktsiya
parametrlarining qiymatlarini aniqlang.

3.2- rasm

3. O’lchash natijalarini qayta ishlash:

3.1. Tadqiq etish uchun berilgan stabilitron pasportidan uning turi va asosiy
parametrlarini (minimal va maksimal barqarorlash toklari (Ist,min va Ist,max); o’rtacha
barqarorlash kuchlanishi (UST); differentsial qarshilik (Rd,st) qiymatlari va h.k.)
kuzatish daftaringizga yozib oling.

3.2. Stabilitron parametrlarining ruxsat etilgan eng yuqori qiymatlaridan foydalanib,

o’lchash sxemasini ta'minlovchi kuchlanish manbai chiqish qiymatini o’zgarishi
kerak bo’lgan oralig’ini va o’lchov asboblari (ampermetr va voltmetrlar)ning
chegaraviy qiymatlarini aniqlang.

3.3. Sxemada stabilitron tokining yuqori Qiymatini cheklash uchun unga RB rezistor
ketma-ket ulanadi. (3.2-rasm). Rezistorning qiymati quyidagi shartga mos kelishi
kerak;

R B = ( Е1 − U SТ ) / I SТMAX

bu erda E1 - rostlanuvchi kuchlanish manbaining maksimal qiymati.

3.4. O’lchash natijalarini yozish uchun 3.1-jadval tayyorlang. Jadvalning birinchi

qatoriga tadqiq qilinayotgan stabilitron toklarining qiymatlarini, ikkinchi qatoiga esa
kuchlanish qiymatlarini kiriting.

3.1 – jadval

ISТ ,mA IST.MIN IST.MAX

USТ, V
3.5. O’lchash ishlarini bajarib, 3.1 - jadvalni to’ldiring va stabilitronning VAXsini
chizing.

3.6. Kuchlanishni barqarorlash rejimida stabilitron VAXsi (3.1) ifodaga binoan

chiziqli funktsiya bilan approksimatsiyalang.

4. Hisobot mazmuni:

1) o’lchash sxemalari;

2) olingan bog’liqliklar jadvallari va grafiklari;

3) o’lchash va hisob natijalarining tahlili.

5. Nazorat savollari.

1. p-n o’tishdagi asosiy teshilish turlarini ayting.

2. Stabilitronlarda qaysi teshilish turlari qo’llaniladi ?

3. Stabilitron VAXsini chizing. Uning shaklining turli qismlari qaysi fizik

jarayonlar orqali ifodalanadi ?

4. Stabilitronning asosiy elektr parametrlarini ayting va ularning fizik ma'nosini

izohlang.

5. Nima uchun stabilitronlarni tayyorlashda dastlabki material sifatida germaniy

emas kremniy qo’llaniladi ?

6. Stabilitron tokining yuqori qiymati cheklanishiga qanday omil sabab bo’ladi ?

7. Stabilitron VAXsini o’lchash sxemasini chizing.

 10 - LABORATORIYA ISHI

Optronni tadqiq etish

Ishning maqsadi: Optronlar ishlashini va parametrlarini o’lchash uslublarini

o’rganish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:

Optronlar – funktsional elektronikaaning zamonaviy yo’nalishlaridan biri –

optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi.

Eng sodda diodli optron (10.1 – rasm) uchta elementdan tashkil topgan:
fotonurlatgich 1, nur o’tkazgich 2 va foto qabul qilgich 3 bo’lib, yorug’lik nuri
tushmaydigan germetik korpusga joylashtirilgan. Kirishga elektr signali berilsa
fotonurlatgich qo’zg’otiladi. Yorug’lik nuri nur o’tkazgich orqali foto qabul
qilgichga tushadi va unda chiqish elektr signali yuzaga keladi. Optronning asosiy
xususiyati shundaki, undagi elementlar o’zaro nur orqali bog’langan bo’lib, kirish
bilan chiqishlar esa elektr jihatdan bir – biridan ajratilgan. Shu xususiyatidan kelib
chiqqan holda, yuqori kuchlanishli va past kuchlanishli zanjirlar bir – biri bilan oson
muvofiqlashtiriladi. Diodli optronning shartli belgisi 8.2 – rasmda, uning
konstruktsiyasi esa 8.3 – rasmda keltirilgan.

10.1-rasm 10.2-rasm
 10.3-rasm

1,2 – fotodiodning p va n sohalari; 3,4 – yorug’lik diodining n va p sohalari; 5

– selen shisha asosidagi nur o’tkazgich; 6,7 – yorug’lik diodi kontaktlari; 8,9 –
fotodiod kontaktlari.

Yorug’lik signallarini elektr signaliga aylantirishda asosan fotodiodlar

qo’llaniladi (xuddi shunday fotorezistorlar, fototranzistorlar va fototiristorlar ham).

Fotodiod oddiy n-p o’tish bo’lib, ko’p xollarda kremniy yoki germaniydan
yasaladi. Undagi teskari tok yorug’lik nuri tushishi natijasida yuzaga kelayotgan
zaryad tashuvchilar generatsiyasi tezligi bilan aniqlanadi. Bu hodisa ichki fotoeffekt
deb yuritiladi.

Fotodiodni qo’llash bo’yicha ikkita rejim mavjud: tashqi manbasiz – ventilli

yoki fotovoltaik va tashqi manbali – fotodiodili rejim. Tashqi manbasiz yorug’lik
nurini elektr energiyasiga aylantiruvchi fotodiodlar ventilli fotoelementlar deb
ataladi. Foto elektr yurituvchi kuch UF ning yuzaga kelishi yorug’lik bilan
generatsiyalangan elektron – kovak juftlarining n-p o’tish orqali ajratilishi bilan
bog’liq. Foto EYuK UF kattaligi optik signal darajasi RF va yuklama qarshiligi
qiymatiga bog’liq bo’ladi. Ventilli fotoelementning chiqish xarakteristikasi 8.4 –
rasmda keltirilgan.
 10.4-rasm 10.5-rasm

Fotodiod rejimida tashqi kuchlanish manbai hisobiga fototok IF ventil

elementning qisqa tutashuv tokiga taxminan teng bo’ladi, fototok hisobiga biror
yuklama qarshiligida sodir bo’ladigan kuchlanish pasayishi UF esa katta bo’ladi. Bir
xil yuklama qarshiligi qiymatida signal kuchlanishi U F ning fotodiod (1) va ventil
element (2) uchun optik nurlanish quvvati RF ga bog’liqliklari 10.5 – rasmda
keltirilgan. Fotoelektr o’zgartishlar samaradorligi volt – vatt SU=UF/RF hamda
amper – vatt SI=IF/RF (sezgirlik) bilan ifodalanadi.

Fotodiodlarning afzalligi yana shundaki, yorug’lik xarakteristikalari IF,

UF=f(RF) chiziqli ko’rinishga ega, bu esa ularni optik aloqa liniyalarida qo’llash
imkoniyatini yaratadi. Ventil elementlar asosan energiya o’zgartgichlar (quyosh
batareyalari) sifatida ishlatiladi.

Yorug’lik nuri orqali tokni boshqarishni bipolyar tranzistorlar yordamida

ham amalga oshirish mumkin. Ularda baza tokining kuchayishi tufayli,
fotodiodlarga nisbatan sezgirlik yuqori bo’ladi. Fototranzistor bazasidagi zaryad
tashuvchilarning optik generatsiyasi bazaga tashqi manbadan zaryad tashuvchilar
kiritilishiga ekvivalentdir. Natijada, tranzistor fototoki fotodiodga nisbatan β
martaga kuchaytiriladi. Bu erda β -fotortranzistor baza tokining statik kuchaytirish
koeffitsienti.
 10.6-rasm

Optron inertsionligi yorug’lik diodi va nur qabul qilgichdagi jarayonlar bilan

bog’liq bo’lib, yordamida aniqlanadi (10.6 - rasm).

Diodli optronning quyidagi asosiy parametrlarini ko’rsatish mumkin:

maksimal kirish toki - IKIR max;

maksimal kirish kuchlanishi Ukir max;

maksimal chiqish teskari kuchlanish UCHIQ.tesk. max;

berilgan tokka mos keluvchi o’zgarmas kirish kuchlanishi UKIR;

chiqishdagi teskari qorong’ulik toki ICHIKQtesk. Q;

chiqish signalining ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlari (berilgan
diodli optron chiqishidagi signal o’zining maksimal qiymatidan 0.1-0.9 va 0.9-0.1
oraliqlarda o’zgaradi) (10.6 - rasm);

tok bo’yicha uzatish koeffitsienti KI – chiqish toki o’zgarishining kirish tokiga

nisbati KI = (ICHIQ-ICHIQ.tesk.Q.)/IKIR.

Laboratoriyada o’lchanadigan diodli optron chegaraviy qiymatlari va

chiqishlarining joylashishi ilovada keltirilgan.

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

Tadqiq etilayotgan optron printsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini

yozib oling.

2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.

2.1.1. 10.7 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy
tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o’rnating.

2.1.2. E1 ni o’zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi IKIR=f(UKIR) ni

o’lchang. Yorug’lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo’lganligi
sababli, kirish qarshiligini IKIR= E1/R1deb oling.

10.7-rasm

O’lchash natijalarini 10.1 – jadvalga kiriting.

108.1 – jadval

Е1, V

UKIR, V

IKIR=E1/R1, mА

2.1.3. E2=0 deb oling. E1 ni o’zgartirib borib, fotovoltaik rejim uchun optron uzatish
xarakteristikasini ICHIQ=f(IKIR) o’lchang.

O’lchash natijalarini 8.2 – jadvalga kiriting.

10.2 – jadval

Е1, V

UKIR, V

IKIR=E1/R1, mА
2.1.4. E2=5 V o’rnating. 2.1.3 – banddagi o’lchashlarni fotodiodli rejim uchun
takrorlang. o’lchash natijalarini 10.2 – jadvalga o’xshab, 10.3 – jadvalga kiriting.

10.3 – jadval

Е1, V

UKIR, V

IKIR=E1/R1, mА

2.1.5. Optron chiqishidagi signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam.
vaqtlarini o’lchang.

10.8 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, yorug’lik diodi zanjiriga impuls

generatorini ulang. Genrator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kGs bo’lgan
impulsni o’rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo’luvchisi orqali ostsilograf
ulang. (Ostsilografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls
amplitudasini o’lchash uchun foydalaning). E2=5 V o’rnating va chiqish toki
ostsilogrammasidan signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini
o’lchang.

E2=0 ni o’rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o’lchovlarini takrorlang.

10.8-rasm

2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.

10.9 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing, E2=5 V o’rnating.

 10.9-rasm

(Bu sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitatsiya qiladi).

E1 ni o’zgartirib borib, IKIR=E1/R1 va ICHIQ=IK deb olib, tranzistorli optron

uzatish xarakteristikasi ICHIQ=f(IKIR) ni o’lchang. O’lchash natijalarini 10.2, 10.3
jadvallarga o’xshash tarzda 10.4 – jadvalga kiriting.

10.4 – jadval

Е1, V

UKIR, V

IKIR=E1/R1, mА

3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.

3.1. Optron kirish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatiga mos keluvchi

kirish kuchlanishi UKIR qiymatini aniqlang.

3.2. Diodli va fotovoltaik rejimlar uchun optron uzatish xarakteristikalarini quring

va IKIR=10 mA qiymatida tok bo’yicha uzatish koeffitsientini KI aniqlang.

3.3. Diodli optronda signal tarqalishining o’rtacha kechikish vaqtini hisoblab toping.

1t t 
t o'rt.kech =  оrt + kam 
2 2 2 
3.4. Tranzistorli optron uzatish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatida
tok bo’yicha uzatish koeffitsientini KI aniqlang.

4. Hisobot mazmuni.
 1) tadqiq etilayotgan optron chegaraviy qiymatlari va printsipial sxemasi;

2) o’lchash sxemalari;

3) o’lchangan bog’liqliklar jadvallari va grafiklari;

4) hisoblab topilgan parametrlar;

5) tok va kuchlanish ostsilogrammalari.

5. Nazorat savollari.

1. Ichki fotoeffekt deb qanday hodisaga aytiladi ?

2. Diod fototoki hosil bo’lish jarayonini tushuntirib bering. Bu jarayonni qaysi

parametr izohlab beradi ?

3. Nima sababli fototranzistor sezgirligi fotodiod sezgirligidan yuqori?

4. Fotodiod inertsionligi sababi nima ?

5. Fototranzistor inertsionligiga sabab nimada ?

6. Yorug’lik diodi ishlash printsipini tushuntirib bering.

7. Nima uchun optronlar elektr zanjirlarni ajratishda qo’llaniladi ?