 lý thuyết transistor K30A

Nguyên lý transistor K30A

Nguyên lý hoạt động của transistor K30A là dựa trên hiệu ứng trường của
bán dẫn. Transistor K30A có ba cực là S (phát), G (gốc) và D (thu). Khi cấp điện
áp vào cực G, ta có thể điều khiển bề rộng của kênh bán dẫn giữa S và D, do đó
điều khiển dòng điện chạy qua mối SD. Transistor K30A thuộc loại kênh N, nghĩa
là kênh bán dẫn được tạo ra bởi các điện tử tự do. Khi cấp điện áp âm vào cực G,
kênh bán dẫn bị thu hẹp, dòng điện SD giảm. Khi cấp điện áp dương vào cực G,
kênh bán dẫn bị mở rộng, dòng điện SD tăng. Điện áp cắt là điện áp G khiến kênh
bán dẫn bị đóng hoàn toàn, không có dòng điện SD chạy qua

thông số kỹ thuật của transistor K30A

 Loại: Transistor trường kênh N (JFET)

 Điện áp cắt (VP): -1.5 đến -6 V
 Dòng cực máng (IDSS): 1 đến 20 mA
 Điện áp cực máng (VDS): 25 V
 Công suất tổn hao (PD): 300 mW
 Tần số cắt (fT): 100 MHz
 Độ lợi dòng điện (gfs): 2.5 đến 6.5 mS
 Điện trở đầu vào (rds): 40 đến 90 Ω
 Điện dung đầu vào (Ciss): 7 pF
 Điện dung đầu ra (Coss): 3 pF
 lý thuyết transistor B688
Nguyên lý transistor B688

Transistor B688 là một loại transistor PNP silicon có khả năng chịu dòng cao, tiêu
tán công suất cao. Nó được sử dụng cho bộ khuếch đại nguồn âm thanh, bộ chuyển
đổi DC thành DC. Transistor bổ sung của nó là 2SD718.

Nguyên lý hoạt động của transistor B688 là dựa trên hiệu ứng trường của bán dẫn.
Transistor B688 có ba cực là S (phát), G (gốc) và D (thu). Khi cấp điện áp vào cực
G, ta có thể điều khiển bề rộng của kênh bán dẫn giữa S và D, do đó điều khiển
dòng điện chạy qua mối SD. Transistor B688 thuộc loại kênh P, nghĩa là kênh bán
dẫn được tạo ra bởi các lỗ trống. Khi cấp điện áp dương vào cực G, kênh bán dẫn
bị thu hẹp, dòng điện SD giảm. Khi cấp điện áp âm vào cực G, kênh bán dẫn bị mở
rộng, dòng điện SD tăng. Điện áp cắt là điện áp G khiến kênh bán dẫn bị đóng
hoàn toàn, không có dòng điện SD chạy qua

thông số kỹ thuật của transistor B688

 Loại: Transistor PNP silicon

 Điện áp cắt (VBE) : -5 đến -6 V
 Dòng cực máng (IC): 8A
 Điện áp cực máng (VCE): 120 V
 Công suất tổn hao (PC): 80 W
 Tần số cắt (fT): 55 MHz
 Độ lợi dòng điện (hFE): 55 đến 160
 Điện trở đầu vào (hie): 200 Ω
 Điện dung đầu vào (Cib): 200 pF
 Điện dung đầu ra (Cob): 30 pF
 lý thuyết transistor D718

Nguyên lý transistor D718

Transistor D718 NPN 8A 120V là một transistor phân cực ngược NPN được thiết
kế để sử dụng làm mạch khuếch đại và công tắc. Transistor D718 được sử dụng
rộng rãi trong các mạch điện nói chung, mạch khuếch đại âm tần, mạch khuếch đại
công suất tuyến tính. Transistor công suất D718 là transistor công suất có hệ số
khuếch đại trong khoảng từ 55 đến 160, công suất nguồn lên đến 80 W.

thông số kỹ thuật của transistor D718

 Công suất tản nhiệt tối đa của cực góp (Pc): 80 W

 Điện áp cực góp – cực gốc tối đa | Vcb |: 120 V
 Điện áp cực góp – cực phát tối đa | Vce |: 120 V
 Điện áp cực phát – cực gốc tối đa | Veb |: 5 V
 Dòng điện cực góp tối đa | Ic max |: 8 A
 Tần số chuyển tiếp (ft): 6 MHz
 Nhiệt độ mối nối hoạt động tối đa (Tj): 150 °C
  Điện dung cực góp (Cc): 170 pF
 Tỷ lệ truyền dòng thuận (hFE), MIN: 55
 lý thuyết IC LM386

Nguyên lý IC LM386

IC LM386 là một vi mạch khuếch đại âm thanh được sử dụng rộng rãi trong nhiều
ứng dụng thương mại và nghiên cứu. IC này có kích thước nhỏ, yêu cầu điện áp
thấp, dòng điện tĩnh thấp và độ lợi có thể điều chỉnh từ 20 đến 200. IC này có 8
chân với các chức năng như sau:

 Chân 1 và 8: Điều chỉnh độ lợi bằng cách nối một tụ điện hoặc một biến trở
giữa hai chân này.
 Chân 2: Đầu vào đảo ngược, nối với đất.
 Chân 3: Đầu vào không đảo ngược, nối với tín hiệu âm thanh cần khuếch đại.
 Chân 4: Đất, nối với cực âm của nguồn.
 Chân 5: Đầu ra, nối với loa hoặc tai nghe.
 Chân 6: Nguồn dương, nối với cực dương của nguồn từ 4V đến 18V.
 Chân 7: Bypass, nối với một tụ điện để lọc bỏ nhiễu.

thông số kỹ thuật của IC LM386

 Điện áp hoạt động: 4V ~ 12V

 Dòng điện khi không hoạt động: 4mA
 Băng thông: 300KHz
 Tỷ số khuếch đại vi sai: 50dB
 Trở kháng đầu vào: 50kΩ
 Công suất và kênh ra: 325mW x 128Ohm
 Dải nhiệt độ: -40 C ~ 105 C