KỸ THUẬT XUNG SỐ

CHƯƠNG 1 KỸ THUẬT XUNG

PHẦN 3: MẠCH HẠN CHẾ

BIÊN ĐỘ VÀ GHIM ÁP
 HỆ THỐNG SỐ VÀ HỆ MÃ

Mục tiêu: Sau khi học xong nội dung này, sinh viên có khả năng:

1. Trình bày được cấu tạo, nguyên lý hoạt động

các mạch hạn chế biên độ và ghim áp.
2. Nêu được các ứng dụng của mạch hạn chế
biên độ và ghim áp trong kỹ thuật.
3. Lắp ráp, sửa chữa, đo kiểm được các mạch
hạn chế biên độ và ghim áp đúng yêu cầu kỹ
thuật.
4. Rèn luyện tính tư duy, tác phong công
nghiệp.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Khái niệm:
Trong hệ thống tuyến tính, khi một tín hiệu dạng sin tác động ở ngõ vào,
ngõ ra không bị biến dạng. Ở những hệ thống này, các linh kiện được dùng
là những phần tử tuyến tính.
Đối với những phần tử không tuyến tính (phi tuyến) đặc tuyến Volt-Ampere
không là đường thẳng. Đặc tính không tuyến tính được áp dụng trong việc
biến đổi dạng sóng ngõ vào.
Dạng sóng này rất hữu dụng trong những ứng dụng kỹ thuật xung.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Khái niệm:
Mạch hạn chế biên độ là mạch mà tín hiệu đầu ra lặp lại tín hiệu đầu vào khi
điện áp đầu vào chưa vượt qua một giá trị nào đó gọi là ngưỡng của mạch
hạn chế, còn ngược lại điện áp đầu ra sẽ giữ nguyên một giá trị không đổi
khi điện áp đầu vào vượt ra ngoài ngưỡng hạn chế của mạch. Giá trị không
đổi đó gọi là mức hạn chế.
Một mạch hạn chế biên độ được định nghĩa như một mạch hạn chế biên
độ điện áp bởi sự cắt bỏ những thành phần không cần thiết của dạng sóng
ngõ vào. Sự cắt bỏ này có thể thực hiện bên trên hoặc bên dưới của tín
hiệu ngõ vào một mức nào đó.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Khái niệm:
Mạch hạn chế biên độ là một mạng hai
cửa, có đường đặc tính là những đường
gãy lý tưởng, có một đường nghiêng đi
qua hoặc không đi qua gốc tọa độ, một
hay hai đường nằm ngang có nhiệm vụ
loại bỏ những thành phần không cần
thiết của tín hiệu ngõ vào. Ngõ ra quan
hệ với ngõ vào theo phương trình:
vr = f(vv).

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Diode

• Theo cách mắc của Diode, chia mạch hạn chế biên độ dùng Diode thành hai
loại song song và nối tiếp.
• Mạch hạn chế nối tiếp có Diode được mắc nối tiếp với tải.
• Mạch hạn chế song song có Diode được nối song song với tải.
• Theo chức năng, mạch hạn chế biên độ nối tiếp và song song được chia
thành hai loại hạn chế biên độ âm, hạn chế biên độ dương và mạch hạn chế
biên độ hai phía.
• Hạn chế biên độ âm là cắt bỏ thành phần âm của dạng sóng tín hiệu vào và
chỉ giữ lại thành phần dương.
• Hạn chế biên độ dương là cắt bỏ thành phần dương của dạng sóng tín hiệu
vào và chỉ giữ lại phần âm
• Hạn chế biên độ hai phía là cắt bỏ cả thành phần âm và thành phần dương
của tín hiệu vào một mức nào đó.
AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ
 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ dương

Hạn chế biên độ dương là cắt bỏ thành

phần dương của dạng sóng tín hiệu vào và
chỉ giữ lại phần âm

Dạng 1

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ dương

Hạn chế biên độ dương là cắt bỏ thành

phần dương của dạng sóng tín hiệu vào
khi dạng sóng có biên độ lớn hơn VDC và
chỉ giữ lại phần âm

Ngưỡng hạn chế biên độ VDC = V

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ dương

Hạn chế biên độ dương là cắt bỏ thành

phần dương của dạng sóng tín hiệu vào
khi dạng sóng có biên độ lớn hơn VDC và
chỉ giữ lại phần âm

Ngưỡng hạn chế biên độ VDC = V

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

Xét tín hiệu ngõ vào là dạng sóng sin có

biên độ max là ±V

Dạng mạch 1
Đối với Diode thực tế, khi phân cực thuận
thì có dạng tương đương như

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

- Xét V
Khi V so sánh được với Vv, nhất là với VDC ,
thì ta phải kể V vào mạch. Trường hợp này
thường là mạch sử dụng Diode loại Si, có v
=0,6V, và nguồn VDC bé.
Khi VDC >> V , thì ta có thể bỏ qua V
Ta xét dạng mạch mà trong đó V so sánh
được với VDC như hình hình

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

Đây là dạng mạch hạn chế biên độ song
song, có Vv = 8 sin t
Nếu VV > V + VDC = 2,6 (V), thì Diode dẫn,
tín hiệu vào được truyền đến ngõ ra , lúc
này ta có VR = VDC + V = 2,6 (V). Nếu vv <
V + VDC = 2,6(v), thì Diode ngưng dẫn, do
đó Vr = Vv = 8 sin t.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

- Xét rd
Khi D dẫn thì tồn tại điện trở thuận rd (điện
trở động), rd so sánh được với R (điện trở
tải), lúc đó tín hiệu ra sẽ bị méo không còn
sắc sảo nữa

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

Trường hợp a
Khi diode phân cực thuận

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn chế biên độ âm

Trường hợp b
Khi diode phân cực nghịch

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

• Transistor là linh kiện phi tuyến và có thể được dùng cho mạch hạn chế biên độ.
Điều này xảy ra khi transistor đi từ vùng tắt vào trong vùng tích cực hoặc khi
transistor đi từ vùng tích cực đến vùng bão hòa.
• Như vậy, nếu tín hiệu ngõ vào thay đổi làm cho một trong hai quá trình này xảy
ra, ngõ ra sẽ bị hạn biên. Vì ta mong muốn điện áp ngõ ra của phần không bị
hạn chế biên độ sẽ giữ nguyên dạng của tín hiệu vào nên ta cần có dòng ngõ
vào (không phải điện áp ngõ vào) sẽ có hình dạng của tín hiệu

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

• Do đó, trong các mạch hạn chế biên độ dùng transistor cũng như trong các
mạch transistor tín hiệu lớn khác, ta sẽ sử dụng mạch lái dòng.
• Điện trở R, thường biểu diễn nội trở nguồn hoặc một điện trở cần phải có trong
mạch, phải lớn khi so sánh với điện trở ngõ vào của transistor trong vùng tích
cực.
• Dưới các điều kiện này, dòng ngõ vào sẽ có hình dạng rất giống với điện áp ngõ
vào như công thức dưới đây.

(vi − V )
iB =
R

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

Khi BJT được tạo nên bằng cách đặt bán
dẫn loại P giữa hai bán dẫn loại N như
hình 3.13(a), nó được gọi là BJT loại NPN.
Ngược lại, hình 3.13(b) cho thấy cấu trúc
của BJT loại PNP.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

Vùng bán dẫn nằm giữa được gọi là miền nền (base). Hai vùng hai bên, một
vùng được gọi là miền phát (emitter) và một vùng được gọi là miền thu
(collector). Ở các phần sau ta sẽ dùng cả thuật ngữ tiếng Việt hoặc tiếng Anh để
chỉ các cực và các miền của transistor. Thông thường, trong các BJT rời, các miền
này được gắn với các chân linh kiện nối ra bên ngoài để có thể thực hiện các kết
nối với mạch ngoài. Các BJT trong các mạch tích hợp có thể không có các chân
kết nối này. Các chân linh kiện được đặt theo tên của miền mà nó kết nối vào.
Hình 3.14 trình bày các chân linh kiện được kết nối với các vùng trong BJT.

Hình 3.14: Các cực base, emitter, collector của transistor

NPN và PNP
AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ
 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

Vùng bán dẫn nằm giữa được gọi là miền nền (base). Hai vùng hai bên, một
vùng được gọi là miền phát (emitter) và một vùng được gọi là miền thu
(collector). Ở các phần sau ta sẽ dùng cả thuật ngữ tiếng Việt hoặc tiếng Anh để
chỉ các cực và các miền của transistor. Thông thường, trong các BJT rời, các miền
này được gắn với các chân linh kiện nối ra bên ngoài để có thể thực hiện các kết
nối với mạch ngoài. Các BJT trong các mạch tích hợp có thể không có các chân
kết nối này. Các chân linh kiện được đặt theo tên của miền mà nó kết nối vào.
Hình 3.14 trình bày các chân linh kiện được kết nối với các vùng trong BJT.

Hình 3.14: Các cực base, emitter, collector của transistor

NPN và PNP
AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ
 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

biểu tượng mạch của một transistor NPN

biểu tượng mạch của một transistor PNP

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH HẠN BIÊN

Mạch hạn biên dùng Transistor

biểu tượng mạch của một transistor NPN

biểu tượng mạch của một transistor PNP

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 KỸ THUẬT XUNG SỐ

CHƯƠNG 2 KỸ THUẬT XUNG

PHẦN 3: MẠCH GHIM ÁP

 MẠCH GHIM ÁP

Mục tiêu: Sau khi học xong nội dung này, sinh viên có khả năng:

Trình bày được các phần tử cần có trong

mạch ghim áp ( R,C, Diod và nguồn DC) nó
có vai trò như thế nào trong mạch

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP

Định nghĩa:

Mạch ghim điện áp, mạch địch mức DC của tín hiệu AC đạt đến một mức xác
định, mà không bị biến dạng sóng.
Mạch ghim áp được dựa trên cơ sở như một mạch phục hồi thành phần điện áp
DC. Nó dùng để ổn định nền hoặc đỉnh của tín hiệu xung ở một mức xác định
nào đó bằng hoặc khác không.
Dạng sóng điện áp có thể bị dịch một mức, do nguồn điện áp không phụ thuộc
được cộng vào. Mạch ghim áp vận hành dịch mức, nhưng nguồn cộng vào không
lớn hơn dạng sóng độc lập. Lượng dịch phụ thuộc vào dạng sóng hiện thời.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP

Định nghĩa:

Mạch ghim áp cần có:

1. Tụ C đóng vai trò phần tử tích năng lượng.
2. Diode D đóng vai trò khóa.
3. Điện trở R.
4. Nguồn DC tạo mức DC.
Hai loại mạch ghim áp chính: Mạch ghim áp Diode và Transistor

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP

Mạch ghim áp dùng Diode

Loại mạch ghim áp đơn giản sử dụng một Diode kết hợp với mạch RC. Tụ C đóng
vai trò là phần tử tích - phóng năng lượng điện trường, Diode D đóng vai trò là
khóa điện tử , còn nguồn DC tạo mức chuẩn.
Các giá trị R và C phải chọn thích hợp, để hằng số thời gian t = RC đủ lớn nhằm
làm sụt áp qua tụ C không quá lớn hoặc tụ C không được xả điện nhanh. Tụ nạp
đầy và phóng điện hết trong thời gian 3t đến 5t, ở đây các Diode được xem là lý
tưởng.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức không

Xét tín hiệu vào là chuỗi xung có biên độ max là ±Vm

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức không

Giải thích nguyên lý hoạt động

Thời điểm từ 0 đến t1, thời điểm tồn tại xung
dương đầu tiên, Vv = Vm , Diode D dẫn, tụ C
được nạp điện qua Diode (không qua R, vì
điện trở thuận của D rất nhỏ), cực âm của tụ
tại điểm A, tụ nạp với hằng số thời gian là:

 n = CRd = 0  VC = +Vm
V = VV − VC = 0

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức không

Thời điểm từ t1 đến t2, thời điểm mà ngõ

vào tồn tại xung âm, VV = -Vm, Diode
bị phân cực nghịch, D ngưng dẫn, lúc này tụ
C phóng điện qua R, có dạng mạch tương
đương như hình
Thời hằng phóng điện là f = CR , thời gian
này rất lớn so với khoảng thời gian từ t1 đến
t2, do vậy tụ C chưa kịp xả mà vẫn còn tích
lại một lượng điện áp là Vc = Vm.
Do vậy, vr = vv - vc = -Vm -Vm = - 2Vm .

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Tín hiệu vào là dạng xung có tần số f = 1 Hz

và biên độ max là ±Vm. Giả sử cho C = 0,1 µ
F, VDC = 5v, R = 1000 k , Vm = 10(v)
Ta có f = 1KHz . Bán kỳ có thời gian

1
T = = 1(ms)
f
Bán kỳ có thời gian T
= 0.5(ms)
2

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Thời điểm từ 0 đến t1, ngõ vào tồn tại xung dương Vv = Vm =10v >VDC,
Diode D dẫn điện, tụ C được nạp điện qua Diode D với hằng số thời gian
 = rd .C  0

Ta có: VDC + V + VC = VV
Giá trị điện áp mà tụ nạp đầy là: VC = VV + V − VDC = 10 − 5 = 5(v)
Do đó Vra = VDC − V = 5(v)

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh trên của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Thời điểm từ t1 đến t2 thì ngõ vào tồn tại xung âm, Vv = -Vm = -10v, Diode
D ngưng dẫn, tụ C phóng điện qua R, với thời hằng phóng điện
 f = CR = 0,1.10 .10 = 0,1(s ) = 10 (ms).
-6 6

Vậy sau 5 thì tụ phóng hết, tức sau 5.10 = 50 (ms), thời gian này lớn gấp 20
lần thời gian từ t1 đến t2 (0,5ms), do vậy vc vẫn giữ mức điện áp là 5v → Vr
= Vv - Vc = -10 - 5 = -15v .
Nếu đảo cực tính của nguồn VDC thì đỉnh trên ghim ở mức điện áp là -
5(v).

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức không

Mạch này có chức năng cố định đỉnh dưới của tín hiệu ở mức 0(v).

Sơ đồ mạch Sơ đồ tín hiệu

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức không

Thời điểm từ 0 đến t1, tồn tại xung dương, Vv = +

Vm, Diode ngưng dẫn, tụ C được nạp qua R với
hằng số thời gian là  = RCn

Vì R rất lớn nên tn rất lớn, do đó tn >> so với

khoảng thời gian từ 0 đến t1. Do vậy tụ C gần như Sơ đồ tín hiệu
không được nạp vc = 0, do đó Vra = Vv = + Vm.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức không

Thời điểm t1 đến t2, ngõ vào tồn tại xung âm, Vv = -Vm,
Diode dẫn điện, tụ C được nạp qua Diode, thời hằng
nạp là  n = rd
C≈0
vc = Vm (tụ nạp đầy tức thời), lúc này
Vra = Vv + Vc = -Vm +Vm = 0

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠ C H G H IM Á P D Ù N G DIO D E

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức không

Thời điểm từ t2 đến t3, ngõ vào tồn tại xung dương tiếp theo Vv = +Vm,
Diode ngưng dẫn, tụ C xả qua R với hằng số thời gian là
 n = RC. f
rất lớn so với bán kỳ từ t2 đến t3, do vậy tụ C vẫn giữ nguyên mức điện
áp là Vm. Mạch tương đương của trường hợp này xem hình

Ta có Vra = VV + VC = Vm + Vm = 2Vm

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Nguồn VDC tạo mức ghim dưới của tín hiệu vào,VDC = 1/2 Vm

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Thời điểm từ 0 đến t1, ngõ vào tồn tại xung dương, Vv = +Vm, VDC< Vm,
Diode D ngưng dẫn, tụ C được nạp qua R với hằng số thời gian
 n = RC
, do  n rất lớn so với khoảng thời gian từ 0 đến t1, nên tụ C gần như
không được nạp, vc = 0, như vậy Vra = VV = + Vm.

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Thời điểm từ t1 đến t2 ngõ vào tồn tại xung âm, Vv = -Vm , D dẫn, tụ C
được nạp qua D, cực dương của tụ tại điểm A,
thời hằng nạp là
 n = rd
C≈0, tụ C nạp đầy tức thời
Ta có
Vc + Vv = VDC − V
tụ nạp đầy đến giá trị là vc = VDC - vv = VDC + Vm
Do đó V = V +V = V
ra DC  DC

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ

 MẠCH GHIM ÁP DÙNG DIODE

Mạch ghim đỉnh dưới của tín hiệu ở mức điện áp bất kỳ

Thời điểm từ t2 đến t3 ngõ vào tồn tại xung dương tiếp theo, Vv = + Vm,
Diode ngưng dẫn, tụ C phóng điện qua R với hằng số thời gian  = RC.
n f

rất lớn so với bán kỳ từ t2 đến t3 do vậy tụ C vẫn cố định mức điện áp vc
= VDC + Vm trong khoảng thời gian này

Ta có vr = vv + vc = Vm + VDC + Vm = 2 Vm + VDC
AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ
 MẠCH GHIM ÁP DÙNG TRANSISTOR

Mạch Ghim Áp Dùng Transistor

Xét hình sau

Nếu biên độ tín hiệu đủ lớn để làm tắt mở diode BE, ta có mạch kẹp ở
cực nền. Khi có tín hiệu vào ta có mạch tương đương ở chế độ xác hình
dưới
AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ
 MẠCH GHIM ÁP DÙNG TRANSISTOR

Mạch Ghim Áp Dùng Transistor

AUT105 – KỸ THUẬT XUNG SỐ