ISSN: 2476-6909; Modares Mechanical Engineering.

2021;21(11):743-755

Energy and Exergy Analysis of 190 W Photovoltaic Cell

ARTICLE INFO ABSTRACT

In this paper, the performance of a typical 190 W photovoltaic cell, located in the Research
Article Type Institute of Petroleum Industry, Tehran, Iran, has been studied and evaluated from the energy
Original Research
and exergy point of view. A computer code has been developed for modeling and determining
the electrical characteristics of the system such as open-circuit voltage, short circuit current,
system resistances, maximum power point properties, and characteristic curves. The
Authors operational and electrical parameters of the system and the environmental conditions such
Sharfabadi M.1 as solar radiation, wind speed, and ambient temperature have been experimentally measured
Ghiasi, M. I.1 and logged on one typical day of May. For the validation of the model, the results obtained
Seraj A.2
from the model have been compared with the data reported by the manufacturer as well as
the experimental data. The results show that the energy efficiency varies from 11.22 to 13.94
How to cite this article percent during the study period (7:30 AM to 5:30 PM) and its average is equal to 13.19
Sharfabadi M., Ghiasi, M. I., percent. The exergy efficiency also varies from 14.77 to 16.66 percent during the study period
Seraj A., Energy and Exergy Analysis and its average is 15.62 percent.
of 190 W Photovoltaic Cell. Modares
Mechanical Engineering. 2021; 21 Keywords Photovoltaic Cell, Characteristic Curves, Energy Efficiency, Exergy Efficiency, Solar
(11):743-755. Plant
[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22 ]

CITATION LINKS

1 Development and Optimization of
Energy Technologies Division,
Research Institute of Petroleum
Industry (RIPI), Tehran, Iran
2 Faculty of Mechanical Engineering,
University of Tehran
*Correspondence
Address: West Blvd. of Azadi Sports
Complex- Tehran - Iran
Phone: -
Fax: -
[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0 ]
[1] The thermodynamic analysis of a novel integrated transcritical CO2 ... [2] Hydrogen
Production Using Proposed Cycle from Sabalan Geothermal Wells ... [3] Energy and exergy
analysis of hybrid photovoltaic thermal water collector … [4] Comparative analysis of fixed
and sun tracking low power PV systems ... [5] Energy and exergy analysis of 36 W solar
photovoltaic module ... [6] Study of Experimental Energy and Exergy of mono-crystalline PV
Panel ... [7] Effects of operational conditions on the energy efficiency of photovoltaic
modules operating ... [8] Effects of partial shading on energy and exergy efficiencies … [9]
Energy and exergy analysis of a photovoltaic thermal … [10] Performance analysis of solar
powered airport based ... [11] Dynamic simulation and exergetic optimization ... [12]
Thermal and electrical performance of low-concentrating PV/T ... [13] Experimental and
numerical investigations on the performance of a G-PV/T system …[14] Investigating the
effects of various parameters on the performance of a water-based photovoltaic/thermal
system ... [15] Comparison of Solar PV/T Panels ... [16] Energy simulation and parametric
analysis of water cooled photovoltaic/thermal system .. [17] Solar engineering of thermal
processes ... [18] Thermodynamic analysis of solar photovoltaic cell systems ... [19] Exergy
of undiluted thermal radiation ... [20] Renewable energy: power for a sustainable future ...

mazidim@ripi.ir
Article History
Received: 01 December, 2020
Accepted:06 May, 2021
ePublished: 27 September, 2021
[21] Solar and wind induced external coefficients-solar collectors ... [22]
https://wwwpower-eng.com [23] Temperature dependence of solar cell performance—an
analysis … [24] Behavior of four Solar PV modules with temperature variation … [25]
Energy–Principles SP. of Thermal Collection & Storage.

Copyright© 2020, TMU Press. This open-access article is published under the terms of the Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
which permits Share (copy and redistribute the material in any medium or format) and Adapt (remix, transform, and build upon the material) under the Attribution-
NonCommercial terms.
 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫تحلیل اگزرژی ابزار مفیدتری برای سنجش عملکرد تجهیزات به‬
‫شمار میرود‪ ،‬زیرا تحلیل انرژی تنها به مقدار کمی انرژی ورودی و‬
‫انرژی مفید توجه میکند و به پتانسیل انجام کار در فرآیندهای‬
‫فیزیکی و شیمیایی توجهی نمیکند‪ .‬در مقابل‪ ،‬تحلیل اگزرژی به‬
‫قابلیت انجام کار توجه میکند و انرژی را بهصورت انرژی قابل‬
‫تبدیل به کار (اگزرژی) و انرژی غیرقابل تبدیل به کار (بازگشت‬
‫سلولهای فتوولتائیک میتوانند تنها برای تولید انرژی الکتریکی‬
‫استفاده شوند و بخشی از تأمین برق را بر عهده داشته باشند‪.‬‬
‫همچنین میتوانند تنها بهمنظور کاربردهای حرارتی و گرمایشی‬
‫نظیر آبگرمکنهای خورشیدی به کار روند‪ .‬عالوه بر این دو‪،‬‬
‫سیستمهای فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی نیز در سالهای اخیر توسعه‬
‫زیادی پیدا کردهاند که دو عملکرد مذکور را بهصورت همزمان انجام‬
‫میدهند‪ .‬پژوهشهای بسیار متنوعی در ارتباط با انواع این سلول‪-‬‬
‫بهمنظور بررسی عملکرد سلولهای فتوولتائیک میتوان از روش‪-‬‬
‫های مختلفی استفاده کرد‪ .‬این روشها در حالت کلی نیازمند‬
‫بررسی عملکرد الکتریکی و حرارتی (برای سلولهای با کاربری‬
‫حرارتی) این سلولها هستند‪ .‬عملکرد الکتریکی این سیستمها‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬
‫تابعی از توان نامی‪ ،‬مقاومتهای درونی مختلف سلول‪ ،‬ولتاژ و‬
‫جریان الکتریکی کاری‪ ،‬جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز و‬
‫مواردی از این دست است‪ .‬در توان خروجی نهایی از سیستم‬
‫مواردی نظیر شدت تابش‪ ،‬سرعت باد‪ ،‬دمای محیط و سطح سلول‪،‬‬
‫ضریب انتقال حرارت و ‪ ...‬اثر گذارند‪ .‬برای ارزیابی عملکرد و تحلیل‬
‫یک سیستم خورشیدی باید مدلی توسعه داده شود که تأثیر تمام‬
‫ً‬
‫نهایتا با استفاده از روشهای‬ ‫مولفههای مذکور را در نظر گرفته و‬
‫مناسب‪ ،‬ارزیابی صحیحی از عملکرد سامانه ارائه دهد‪.‬‬
‫به دلیل اهمیت تحلیل انرژی و اگزرژی پنلهای خورشیدی‪،‬‬
‫پژوهشهای بسیاری پیرامون این موضوع صورت گرفته است‪ .‬این‬
‫تحقیقات را میتوان به دو دسته کلی تقسیم کرد؛ تحقیقاتی که‬
‫درباره پنلهای خورشیدی با هدف تولید برق انجام شده و‬
‫تحقیقاتی که درباره پنلهای خورشیدی با هدف تولید حرارت‬
‫در سال ‪ 2013‬میالدی‪،‬‬ ‫تیواری]‪[3‬‬
‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک آبگرمکن خورشیدی هیبریدی با دمای‬
‫ثابت کلکتور را انجام دادند و دو حالت متفاوت را برای چینش‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬
‫ماژولها در سطح کلکتور‪ ،‬بررسی و مقایسه کردند‪ .‬در حالت اول‬
‫سطح کلکتور بهصورت جزئی و در حالت دوم بهصورت کامل توسط‬
‫ماژولهای خورشیدی پوشانده شد و مشاهده گردید که حالت اول‬
‫از نظر بازده انرژی و حالت دوم از نظر تولید الکتریسیته مناسبتر‬
‫در سال ‪ 2015‬میالدی یک سیستم‬
‫فتوولتائیک ساکن را با سیستم مجهز به ردیاب خورشیدی ( ‪sun‬‬
‫‪ )tracker‬مقایسه کردند‪ .‬آنها در این پژوهش دو سیستم را از منظر‬
‫میزان تولید انرژی‪ ،‬در شرایط آب و هوایی مختلف بهطور تجربی‬
‫دوره ‪ ،21‬شماره ‪ ،11‬آبان ‪1400‬‬
‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ ‫‪744‬‬
‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک‬
‫‪ 190‬واتی‬
‫*‬
‫محمد مزیدی شرف آبادی‬
‫پژوهشکده توسعه و بهینهسازی فناوری های انرژی‪ ،‬پژوهشگاه صنعت نفت‪،‬‬
‫تهران‪ ،‬ایران‬
‫ناپذیری) تحلیل میکند‪.‬‬
‫محمد ایمان غیاثی‬
‫پژوهشگاه صنعت نفت‪ ،‬تهران‪ ،‬ایران‬
‫علی سراج‬
‫دانشکده مهندسی مکانیک‪ ،‬دانشگاه تهران‪ ،‬تهران‪ ،‬ایران‬
‫چکیده‬
‫در این مقاله عملکرد یک پنل خورشیدی ‪ 190‬واتی‪ ،‬واقع در پژوهشگاه صنعت‬
‫نفت در شهر تهران‪ ،‬از دیدگاه انرژی و اگزرژی مطالعه و ارزیابی میشود‪ .‬بهمنظور‬
‫مدلسازی و تعیین مشخصههای الکتریکی سیستم نظیر ولتاژ مدار باز‪ ،‬جریان‬
‫اتصال کوتاه‪ ،‬مقاومتهای موجود در سیستم‪ ،‬ویژگیهای نقطه بیشترین توان‬
‫ها انجام گرفته است‪.‬‬
‫و استخراج منحنیهای مشخصه الکتریکی‪ ،‬یک کد کامپیوتری توسعه داده شده‬
‫است‪ .‬پارامترهای عملیاتی الکتریکی سیستم و شرایط محیطی نظیر میزان‬
‫تشعشع‪ ،‬سرعت باد و دمای محیط نیز بهصورت تجربی در یکی از روزهای‬
‫اردیبهشت ماه اندازهگیری و ثبت شده است‪ .‬همچنین برای اعتبارسنجی‬
‫مدلسازی‪ ،‬نتایج حاصل از آن با دادههای گزارش شده توسط سازنده و دادههای‬
‫تجربی‪ ،‬مقایسه شده است‪ .‬نتایج این پژوهش نشان میدهد که بازده انرژی در‬
‫طول مدت مطالعه (ساعت ‪ 7:30‬تا ‪ )17:30‬از ‪ 11/22‬تا ‪ 13/94‬درصد متغیر بوده‬
‫و بهطور میانگین برابر ‪ 13/19‬درصد است‪ .‬بازده اگزرژی نیز در طول این مدت از‬
‫‪ 14/77‬تا ‪ 16/66‬درصد متغیر است و بهطور میانگین مقداری برابر با ‪ 15/62‬درصد‬
‫دارد‪.‬‬
‫کلیدواژهها‪ :‬سلول فتوولتائیک‪ ،‬منحنیهای مشخصه‪ ،‬بازده انرژی‪ ،‬بازده‬
‫اگزرژی‪ ،‬نیروگاه خورشیدی‬
‫تاریخ دریافت‪1399/09/11 :‬‬
‫تاریخ پذیرش‪1400/02/16 :‬‬
‫*نویسنده مسئول‪mazidim@ripi.ir :‬‬
‫‪ -1‬مقدمه‬
‫نیاز به انرژی همواره یکی از مهمترین نیازهای بشر به شمار میآید‪.‬‬
‫سوختهای فسیلی‪ ،‬برای سالیان طوالنی مهمترین منبع تأمین‬
‫انرژی بودهاند‪ .‬از بزرگترین مشکالت این سوختها‪ ،‬آالیندگی و‬
‫صورت گرفته است‪ .‬میشرا و‬
‫محدودیت در منابع آنها است‪ .‬به همین دلیل امروزه کشورهای‬
‫مختلف به دنبال توسعه تجهیزات الزم جهت بهرهبرداری از‬
‫انرژیهای تجدیدپذیر‪ ،‬بهعنوان منبع پاک و دائمی انرژی‬
‫هستند]‪ .[1,2‬یکی از مهمترین انرژیهای تجدیدپذیر‪ ،‬انرژی‬
‫خورشیدی است که با بهکارگیری پنلهای خورشیدی به انرژی‬
‫مفید الکتریکی تبدیل میگردد‪ .‬تحلیل انرژی و اگزرژی این پنلها‪،‬‬
‫نخستین گام در جهت توسعه این تکنولوژی به شمار میرود و‬
‫همکاران]‪[4‬‬ ‫است‪ .‬الزاروی و‬
‫معیاری مناسب را برای سنجش عملکرد پنلهای خورشیدی فراهم‬
‫میسازد‪ .‬تحلیل انرژی بر اساس قانون اول ترمودینامیک و تحلیل‬
‫ً‬
‫معموال‬ ‫اگزرژی بر اساس قانون دوم ترمودینامیک صورت میگیرد‪.‬‬
‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬
 ‫‪745‬‬ ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک ‪ 190‬واتی‪...‬‬ ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫در‬ ‫همکاران]‪[12‬‬ ‫اگزرژی را از ‪ 12‬درصد به ‪ 24‬درصد رساند‪ .‬ژانگ و‬
‫سال ‪ 2019‬میالدی‪ ،‬تأثیر وجود متمرکز کننده را بر عملکرد الکتریکی‬
‫و حرارتی یک سامانه فتوولتائیک – حرارتی بررسی کردند و به این‬
‫منظور از مقایسه تجربی یک سیستم دارای متمرکز کننده با نسبت‬
‫تمرکز هندسی ‪ 4‬و یک سیستم صفحه تخت رایج استفاده کردند‪.‬‬
‫آنها مشاهده کردند که توان الکتریکی و توان حرارتی سیستم‬
‫مجهز به متمرکز کننده به ترتیب ‪ 3‬و ‪ 2‬برابر سیستم صفحه تخت‬
‫عملکرد یک‬ ‫همکاران]‪[13‬‬ ‫رایج است‪ .‬در سال ‪ 2020‬میالدی‪ ،‬لی و‬
‫پنل خورشیدی با پوشش جاذب را با عملکرد یک پنل با پوشش‬
‫شیشهای مقایسه کردند‪ .‬آنها در این مطالعه با استفاده از روش‪-‬‬
‫های عددی و تجربی به این نتیجه رسیدند که بازده الکتریکی‬
‫روزانه پنل با پوشش شیشهای ‪ 11/66‬درصد بوده که این مقدار برای‬
‫پنل با پوشش جاذب‪ ،‬برابر ‪ 9/74‬درصد است‪ .‬یزدانیفرد و‬
‫در سال ‪ ،1395‬یک سیستم فتوولتائیک‪-‬حرارتی‬ ‫همکاران]‪[14‬‬
‫صفحۀ تخت آبی را در دو حالت با پوشش شیشهای و بدون آن‬
‫مدلسازی و کارایی سامانه فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی را از دیدگاه انرژی‬
‫و اگزرژی بهصورت عددی مطالعه کردند‪ .‬بر اساس نتایج به دست‬
‫آمده بازده انرژی سیستم فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی با پوشش‬
‫شیشهای همواره بیشتر از سیستم بدون پوشش شیشهای است؛‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬
‫اما بازده اگزرژی سیستم با پوشش شیشهای در بیشتر موارد از‬
‫سیستم بدون پوشش شیشهای کمتر است‪ .‬افزایش تابش و‬
‫ضریب فشردگی سبب افزایش بازده انرژی و بازده اگزرژی میشود‪،‬‬
‫اما افزایش دمای محیط سبب افزایش بازده انرژی و کاهش بازده‬
‫در سال ‪ ،1396‬به بررسی‬ ‫همکاران]‪[15‬‬ ‫اگزرژی میگردد‪ .‬جهانشاه و‬
‫سیستمهای مختلف خورشیدی ترکیبی پرداخته و عملکرد آنها را‬
‫با یکدیگر مقایسه کردند‪ .‬در این مقاله روشهای مختلفی برای‬
‫خنک کردن کلکتورهای ترکیبی بیان شده است‪ .‬مقایسه این‬
‫روشها نشان میدهد که بهترین مدل‪ ،‬طراحی حلزونی با بازدهی‬
‫حرارتی ‪ 12/5‬درصد و بازدهی الکتریکی ‪ 11/98‬درصد است‪ .‬شکوری‬
‫در سال ‪ ،1397‬شبیهسازی انرژی یک سامانه‬ ‫همکاران]‪[16‬‬
‫فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی آب خنک با استفاده از توسعه کد در نرم افزار‬
‫متلب را انجام دادند‪ .‬در این پژوهش تغییرات بازده کلی انرژی و‬
‫افت فشار با تغییر دبی سیال خنک کن‪ ،‬فاصله بین لولهها و قطر‬
‫لولهها بررسی شده است‪ .‬نتایج نشان داد عملکرد سامانه‬
‫فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی با دبی جرمی ‪ 0/016‬کیلوگرم بر ثانیه و با‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬
‫لولههایی به قطر خارجی ‪ 1‬سانتیمتر و با فاصله ‪ 7‬تا ‪ 11‬سانتیمتر‬
‫از یکدیگر بهینه است‪.‬‬
‫به این ترتیب میتوان مشاهده کرد که در سالهای اخیر به مطالعه‬
‫تجربی سلولهای فتوولتائیک و همچنین فتوولتائیک – حرارتی‬
‫ً‬
‫غالبا مواردی نظیر تأثیر‬ ‫توجه زیادی شده است‪ .‬در این پژوهشها‬
‫نوع سیال کاری‪ ،‬جنس سلول‪ ،‬خنککاری‪ ،‬وجود ردیاب خورشیدی‬
‫و هندسه سلول بر عملکرد سیستم خورشیدی مطالعه شده است‪.‬‬
‫در پژوهش حاضر‪ ،‬عملکرد یک پنل خورشیدی ‪ 190‬واتی واقع در‬
‫‪Modares Mechanical Engineering‬‬
‫ارزیابی کردند و مشاهده نمودند که سیستم دارای ردیاب‬
‫خورشیدی عملکرد بسیار مناسبتری را دارا است‪ .‬سودها کار و‬
‫در سال ‪ 2014‬میالدی‪ ،‬مدلسازی و تحلیل انرژی و‬ ‫ِ‬
‫سریواستاوا]‪[5‬‬
‫اگزرژی را برای یک ماژول ‪ 36‬واتی در شرایط آب و هوایی شهر‬
‫بوپال هند انجام دادند و به این نتیجه رسیدند که بازده انرژی بین‬
‫‪ 6‬تا ‪ 9‬درصد و بازده اگزرژی برای تولید الکتریسیته بین ‪ 8‬تا ‪10‬‬
‫درصد در طول روز تغییر میکند‪ .‬همچنین در صورت کاهش دمای‬
‫پنل‪ ،‬بازده اگزرژی آن افزایش بسزایی خواهد داشت‪ .‬آوُ ن و‬
‫در سال ‪ 2014‬میالدی تحلیل انرژی و اگزرژی یک پنل‬ ‫همکاران]‪[6‬‬
‫خورشیدی تک کریستال را در شرایط جغرافیایی و آب و هوایی‬
‫الجزایر انجام دادند که نشان داد در هوای ابری بازده انرژی بین‬
‫‪ 10/83‬تا ‪ 21/85‬درصد و بازده اگزرژی بین ‪ 5/3‬تا ‪ 12‬درصد تغییر‬
‫میکند‪ ،‬در حالی که در هوای صاف‪ ،‬بازده انرژی بین ‪ 9/28‬تا ‪22/1‬‬
‫درصد و بازده اگزرژی بین ‪ 1/8‬تا ‪ 15/5‬درصد متغیر است‪ .‬در سال‬
‫‪ 2017‬میالدی‪ ،‬رحمان و همکاران]‪ [7‬تأثیر شرایط عملیاتی را بر بازده‬
‫انرژی یک ماژول فتوولتائیک بررسی کردند‪ .‬نتایج آنها نشان داد‬
‫که در اثر افزایش دمای سلول به اندازه ‪ 26‬درجه سلسیوس‪ ،‬بازده‬
‫الکتریکی در حدود ‪ 6‬درصد کاهش مییابد‪ .‬همچنین در اثر افزایش‬
‫شدت تابش به اندازه ‪ 100‬وات بر متر مربع‪ ،‬دمای سلول به اندازه‬
‫‪ 3/82‬درجه سلسیوس افزایش و بازده آن به اندازه ‪ 0/85‬درصد‬
‫تأثیر‬ ‫همکاران]‪[8‬‬ ‫کاهش مییابد‪ .‬در سال ‪ 2017‬میالدی‪ ،‬بایراک و‬
‫سایههای جزئی را بر بازده انرژی و اگزرژی یک پنل خورشیدی ‪75‬‬
‫واتی را بررسی کردند‪ .‬آنها نتیجه گرفتند که سایهاندازی افقی‬
‫بیشترین تأثیر را بر کاهش بازده اگزرژی دارد بهطوری که در سایه‪-‬‬
‫اندازی سلولی ‪ 69/92‬درصد‪ ،‬سایهاندازی عمودی ‪ 66/93‬درصد و‬
‫سایهاندازی افقی ‪ 99/98‬درصد کاهش بازده مشاهده شد‪ .‬آبرومند‬
‫در سال ‪ 2018‬میالدی‪ ،‬برای یک سامانه فتوولتائیک‬ ‫همکاران]‪[9‬‬ ‫و‬
‫‪ -‬حرارتی خورشیدی با نانو سیال‪ ،‬تحلیل انرژی و اگزرژی را در‬
‫قالب یک مطالعه تجربی انجام دادند‪ .‬نتایج نشان دادند که خنک‬
‫و‬ ‫کردن سامانه بهوسیله نانو سیال موجب افزایش قابل توجه بازده‬
‫انرژی و اگزرژی میگردد‪ .‬همچنین افزایش غلظت نانو سیال و دبی‬
‫جرمی آن‪ ،‬باعث افزایش اثر مثبت آن بر بازدهها میگردد‪.‬‬
‫در سال ‪ 2018‬میالدی عملکرد یک‬ ‫سودهاکار]‪[10‬‬ ‫سوکوماران و‬
‫فرودگاه با برق خورشیدی در هند را بر اساس تحلیل انرژی و‬
‫اگزرژی بررسی کردند‪ .‬نیروگاه خورشیدی مطالعه شده در این‬
‫پژوهش یک نیروگاه ‪ 12‬مگاواتی بود و تحلیل انرژی و اگزرژی‬
‫نشان داد که اتالفات حرارتی سهم بسیار زیادی در کاهش بازده‬
‫دارند و در چنین نیروگاههایی نیاز به سیستم خنککاری میانی‪،‬‬
‫در سال‬ ‫همکاران]‪[11‬‬ ‫بهشدت احساس میشود‪ .‬کاراتاناسیس و‬
‫‪ 2019‬میالدی‪ ،‬شبیهسازی دینامیک و بهینهسازی اگزرژی یک‬
‫سیستم فتوولتائیک ‪ -‬حرارتی سهموی متمرکز کننده را انجام‬
‫دادند‪ .‬آنها با انجام یک تحلیل اگزرژی نشان دادند که با افزایش‬
‫بازده اپتیکی تا ‪ 75‬و بازده الکتریکی تا ‪ 25‬درصد‪ ،‬میتوان بازده‬
‫‪Volume 21, Issue 11, November 2021‬‬
 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬
‫شکل ‪ )1‬مدار معادل یک مبدل خورشیدی ]‪[17‬‬
‫𝑠𝑅𝐼 ‪𝑉 −‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒[ 𝑜𝐼 ‪𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑠ℎ = 𝐼𝐿 −‬‬ ‫‪) − 1] −‬‬
‫𝑎‬
‫که در آن )𝐴( 𝑜𝐼 جریان اشباع بازگشتی دیود ( ‪The diode reverse‬‬
‫‪ )saturation current‬یا جریان تاریک (‪𝑎(𝑉) )Dark current‬‬
‫ضریب اصالح شده ایدهآل بودن (‪ )Modified ideality factor‬است‪.‬‬
‫جریان اشباع بازگشتی دیود یا جریان تاریک حداقل جریانی است‬
‫که الزم است در نیمهرسانا برقرار شود تا یک جفت 𝑛 و 𝑝 تشکیل‬
‫شود‪ .‬ضریب 𝑎 وابسته به ضریب مطلوب بودن‪ ، 𝑛 ،‬و سایر‬
‫کمیتهای فیزیکی است‪ ،𝑛 .‬برای دیود ایدهآل برابر ‪ 1‬و برای دیود‬
‫غیر ایدهآل بین ‪ 1‬تا ‪ 2‬است‪.‬‬
‫مطابق رابطه (‪ ،)1‬مقادیر پنج مولفه 𝐿𝐼‪ 𝑅𝑠ℎ ،𝑅𝑠 ،𝐼𝑜 ،‬و 𝑎‪ ،‬در شرایط‬
‫عملیاتی مختلف‪ ،‬برای محاسبه جریان بر حسب ولتاژ مورد نیاز‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬
‫است‪ .‬برای محاسبه این پنج پارامتر نیاز به پنج معادله مستقل‬
‫است‪ .‬استخراج معادلهها و محاسبه این پنج مولفه ابتدا در شرایط‬
‫مرجع‪ ،‬یعنی تابش لحظهای ) 𝑚‪ ،1000 (𝑊/‬دمای سلول 𝐶‪ 25°‬و‬ ‫‪2‬‬
‫طیف نشری متناظر با جرم هوای 𝐺‪ ، 1.5‬صورت میگیرد؛ زیرا‬
‫ً‬
‫معموال مقدار ولتاژ مدار باز‪ ،‬جریان اتصال کوتاه‪ ،‬ولتاژ و جریان در‬
‫نقطه بیشترین توان در شرایط مرجع و همین طور‪ ،‬ضریب دمایی‬
‫جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز توسط شرکت سازنده گزارش‬
‫با جایگذاری مقادیر گزارش شده توسط سازنده در معادله (‪ ،)1‬به‬
‫همراه روابط مربوط به ضریب دمایی جریان اتصال کوتاه و ولتاژ‬
‫مدار باز معادالت (‪ )2‬تا (‪ )6‬برای محاسبه مقادیر پنج مجهول 𝐿𝐼‪،‬‬
‫𝑜𝐼‪ 𝑅𝑠ℎ ،𝑅𝑠 ،−‬و 𝑎 در شرایط مرجع به دست میآید]‪ .[17‬در تمامی‬
‫این معادالت زیرنویس 𝑓𝑒𝑟 به مقدار مولفه ها در شرایط مرجع‬
‫اشاره دارد‪ .‬سپس با استفاده از روابط (‪ )8‬تا (‪ ،)12‬ارتباط بین مقدار‬
‫این مولفه ها در شرایط عملیاتی مختلف و مقدار آنها در شرایط‬
‫در نهایت با استفاده از رابطه (‪ )1‬مقادیر‬
‫جریان بر حسب ولتاژ استخراج میشود‪.‬‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬
‫رابطه (‪ ،)2‬مربوط به شرایط اتصال کوتاه است كه در اين حالت‬
‫ولتاژ برابر صفر و جریان برابر 𝑓𝑒𝑟‪ 𝐼𝑠𝑐,‬است‪ .‬با جایگذاری این مقادیر‬
‫داشت]‪:[17‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑠𝑐,‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[ 𝑓𝑒𝑟‪= 𝐼𝐿,𝑟𝑒𝑓 − 𝐼𝑜,‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑠𝑐,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬
‫]‪) − 1‬‬
‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑠𝑐,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬
‫‪−‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬
‫دوره ‪ ،21‬شماره ‪ ،11‬آبان ‪1400‬‬
‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ ‫‪746‬‬
‫نیروگاه ‪ 20‬کیلو واتی پژوهشگاه صنعت نفت در شهر تهران ارزیابی‬
‫میشود و تحلیل انرژی و اگزرژی آن با در نظر گرفتن عوامل آب و‬
‫هوایی نظیر شدت تابش‪ ،‬سرعت باد و دما صورت میپذیرد‪.‬‬
‫همچنین به کمک کد کامپیوتری توسعه داده شده در نرمافزار‬
‫مَ َ‬
‫تلب‪ ،‬منحنیهای مشخصه عملکردی استخراج و از طریق مقایسه‬
‫با منحنیهای ارائه شده توسط سازنده صحهگذار ی میشوند‪.‬‬
‫نوآوری مهم این مقاله‪ ،‬ارائه یک مدل کامل به همراه توسعه یک‬
‫𝑠𝑅𝐼 ‪𝑉 +‬‬ ‫کد نرمافزاری برای بررسی عملکرد خانوادهای از سلولهای‬
‫(‪)1‬‬
‫‪𝑅𝑠ℎ‬‬
‫فتوولتائیک است‪ .‬این مدل توانایی شبیهسازی عملکرد الکتریکی‬
‫و همچنین ارزیابی عملکرد کلی سامانه را دارد‪ .‬بهعالوه از یک مدل‬
‫واقعی رایج برای صحهگذاری مدل و انجام مطالعه تجربی استفاده‬
‫شده است‪ .‬در حقیقت پژوهش حاضر یک مطالعه جامع بر روی‬
‫خانوادهای از سلولهای فتوولتائیک است که ضمن توسعه یک‬
‫مدل و کد نرمافزاری برای بررسی عملکرد این سلولها‪ ،‬یک مطالعه‬
‫تجربی نیز انجام داده و نتایج این دو را با یکدیگر مقایسه نموده‬
‫است‪.‬‬
‫‪ -2‬مدلسازی و مطالعه تجربی‬
‫برای تحلیل عملکرد پنلهای خورشیدی‪ ،‬در گام اول باید‬
‫منحنیهای مشخصه الکتریکی آنها استخراج شود‪ .‬این‬
‫منحنیهای مشخصه ارتباط میان ولتاژ‪ ،‬جریان و توان سیستم را‬
‫در مقادیر تابش و دماهای متفاوت‪ ،‬برقرار میسازند‪ .‬اطالعات به‬
‫دست آمده از منحنیهای مشخصه الکتریکی‪ ،‬ورودیهای تحلیل‬
‫انرژی و اگزرژی را فراهم میکنند‪ .‬در گام دوم با استفاده از‬
‫معادالت و روابط مربوط به بازده انرژی و اگزرژی‪ ،‬پنل خورشیدی‬
‫مورد نظر از دیدگاه انرژی و اگزرژی تحلیل میشود‪ .‬در این بخش‬
‫میشود‪.‬‬ ‫روند مدلسازی و معادلههای حاکم بر آن ارائه میگردد‪.‬‬
‫‪ -2-1‬مدلسازی الکتریکی‬
‫نخستین گام برای مدلسازی‪ ،‬رسم مدار الکتریکی معادل است‪.‬‬
‫شکل ‪ 1‬مدار معادل یک سلول مستقل‪ ،‬یک ماژول یا آرایهای از‬
‫سلولهاست که شامل یک منبع جریان است که جریان )𝐴( 𝐿𝐼 را در‬
‫مدار القا میکند‪ 𝑅𝑠ℎ (Ω) .‬و )𝛺( 𝑠𝑅 به ترتیب مقاومت َشنت (يا‬
‫موازی درونی) و مقاومت سری درونی (‪ )Series resistance‬مدار‬
‫هستند‪ 𝐼𝐷 (𝐴) .‬جریان الکتریکی در محل اتصال پایههای 𝑛 و 𝑝‬
‫میشود]‪.[17‬‬ ‫مرجع برقرار‬ ‫سلول است و بهعنوان جریان اتصال (‪ )Junction current‬شناخته‬
‫میشود‪ 𝐼𝑠ℎ (𝐴) .‬جریان عبوری از مقاومتهای موازی است‪𝐼(𝐴) .‬‬
‫جریانی است که از باری به مقاومت )𝛺( 𝑑𝑎𝑜𝐿𝑅 که افت پتانسیل‬
‫)𝑉(𝑉 را سبب میشود‪ ،‬میگذرد‪.‬‬
‫در رابطه (‪ )1‬خواهیم‬ ‫مبنای مدلسازی در این پژوهش معادله زیر است که رابطه جریان‬
‫و ولتاژ را در مدار شکل ‪ 1‬در شدت تابش و دما ثابت‪ ،‬بیان‬
‫(‪)2‬‬ ‫میکند]‪:[17‬‬
‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬
 ‫‪747‬‬ ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک ‪ 190‬واتی‪...‬‬ ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫𝑆‬ ‫رابطه (‪ ،)3‬مربوط به شرایط مدار باز است كه در اين حالت جریان‬
‫= 𝐿𝐼‬ ‫𝐼[‬ ‫]) 𝑓𝑒𝑟‪+ 𝜇𝐼,𝑠𝑐 (𝑇𝑐 − 𝑇𝑐,‬‬ ‫(‪)9‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑆𝑟𝑒𝑓 𝐿,‬‬ ‫است]‪[17‬‬ ‫برابر صفر و ولتاژ برابر 𝑐𝑜𝑉‬
‫که در آن‪ 𝑆(𝑊 ⁄𝑚2 ) ،‬شدت تابش‪ 𝑆⁄𝑆𝑟𝑒𝑓 ،‬نسبت جذب مؤثر پنل‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑜𝑐,‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑜𝑐,‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝐿,‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[ 𝑓𝑒𝑟‪= 𝐼𝑜,‬‬ ‫‪) − 1] +‬‬ ‫(‪)3‬‬
‫و ) 𝐾‪ 𝜇𝐼.𝑠𝑐 (𝐴⁄‬ضریب دمایی جریان اتصال کوتاه است‪.‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬
‫رابطه (‪ ،)4‬مربوط به نقطه بیشترین توان است و مقدار جریان و‬
‫همچنین برای ‪ 𝐼o‬در شرایط عملیاتی بر حسب مقدار آن در شرایط‬
‫ولتاژ آن به ترتیب 𝑝𝑚𝐼 و 𝑝𝑚𝑉 است]‪:[17‬‬
‫مرجع طبق روابط (‪ )10‬خواهیم داشت]‪:[17‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 + 𝐼𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬
‫𝑜𝐼‬ ‫𝑐𝑇‬
‫‪3‬‬
‫𝑔𝐸‬ ‫𝑔𝐸‬ ‫(‪-10‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒[ 𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐿,𝑟𝑒𝑓 − 𝐼𝑜,‬‬ ‫)‬
‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬
‫(=‬ ‫| ( 𝑝𝑥𝑒 )‬ ‫‪−‬‬ ‫) |‬ ‫(‪)4‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑜,‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑇𝑐,‬‬ ‫𝑐𝑇 𝑇𝑘 𝑓𝑒𝑟‪𝑘𝑇 𝑇𝑐,‬‬ ‫الف)‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 + 𝐼𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬
‫‪− 1] −‬‬
‫𝑔𝐸‬ ‫(‪-10‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬
‫) 𝑓𝑒𝑟‪= 1 − 𝐶(𝑇𝑐 − 𝑇𝑐.‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐸𝑔,‬‬
‫ب)‬ ‫مشتق توان الکتریکی نسبت به ولتاژ در نقطه بیشینه توان برابر‬

‫که در آن )𝐽( 𝑔𝐸 گاف انرژی ماده سازنده سلول است و برای‬ ‫صفر است‪ .‬با توجه به این موضوع رابطه (‪ )5‬به دست میآید]‪:[17‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑚𝑝,‬‬
‫سیلیکون )𝐽 ‪ 1.12 𝑒𝑉(1.794×10−19‬و ‪ 𝐶 = 0.0002677‬است‪.‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑚𝑝,‬‬
‫مقاومت شنت‪ ،𝑅𝑠ℎ ،‬وابستگی به دما ندارد و تنها به شدت تابش‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑜,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 + 𝐼𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠,‬‬ ‫‪1‬‬ ‫(‪)5‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒‬ ‫‪)+‬‬
‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬ ‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬
‫وابسته است و طبق رابطه (‪ )11‬با آن نسبت عکس دارد]‪:[17‬‬ ‫=‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝐼𝑜,‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 + 𝐼𝑚𝑝,𝑟𝑒𝑓 𝑅𝑠.‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠.‬‬
‫‪1+‬‬ ‫( 𝑝𝑥𝑒‬ ‫‪)+‬‬
‫‪𝑅𝑠ℎ‬‬ ‫𝑓𝑒𝑟𝑆‬ ‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬ ‫𝑓𝑒𝑟𝑎‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬
‫=‬ ‫(‪)11‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠ℎ,‬‬ ‫𝑆‬ ‫رابطه (‪ )6‬تضمين ميكند كه مدل توانایی پیشبینی مقدار درست‬
‫همچنین با تقریب خوبی میتوان فرض کرد که تغییرات مقاومت‬
‫ضریب دمایی ولتاژ مدار باز را داراست]‪:[17‬‬
‫سری با تغییر دما و شدت تابش صفر است‪ ،‬بنابراین]‪:[17‬‬ ‫𝑐𝑜𝑉𝜕‬ ‫) 𝑓𝑒𝑟‪𝑉𝑜𝑐 (𝑇𝑐 ) − 𝑉𝑜𝑐 (𝑇𝑐,‬‬
‫≈ 𝑐𝑜‪= 𝜇𝑉,‬‬ ‫(‪)6‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑅𝑠 = 𝑅𝑠,‬‬ ‫(‪)12‬‬ ‫𝑇𝜕‬ ‫𝑓𝑒𝑟‪𝑇𝑐 − 𝑇𝑐,‬‬

‫به این ترتیب با استفاده از معادالت (‪ )8‬تا (‪ )12‬ارتباط بین مقادیر‬ ‫که در آن ) 𝐾‪ 𝜇𝑉,𝑜𝑐 (𝑉 ⁄‬ضریب دمایی ولتاژ مدار باز و )𝑘 𝑐𝑇 دمای‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫مرجع و مقادیر عملیاتی تمام پارامترها برقرار میگردد و با روشی‬ ‫سلول است‪.‬‬

‫که شرح داده شد‪ ،‬مدلسازی الکتریکی تکمیل میگردد‪ .‬خروجی‬ ‫در رابطه (‪ )6‬مقدار انتخاب شده برای 𝑐𝑇 اهمیت چندانی ندارد‪ ،‬زیرا‬

‫این مدلسازی نمودارهای توان و جریان پنل خورشیدی بر حسب‬ ‫اگر مقدار آن بین ‪ 1‬تا ‪ 10‬درجه باالتر از دمای مرجع باشد‪ ،‬تغییر‬

‫ولتاژ‪ ،‬در دماها و شدتهای تابش مختلف خواهد بود‪ .‬بهطور‬ ‫چندانی در نتایج حاصل نخواهد کرد‪ 𝑉𝑜𝑐 .‬در دمای 𝑐𝑇 از طریق‬

‫خاص‪ ،‬از حل معادله (‪ )1‬در نقطه بیشترین توان‪ ،‬جریان و ولتاژ‬ ‫جایگذاری ‪ 𝐼 = 0‬در رابطه (‪ )1‬بهصورت ضمنی به دست میآید‪،‬‬

‫مربوط به آن از روابط (‪ )13‬محاسبه میشود]‪:[17‬‬ ‫اما چون نمیتوان آن را بهصورت صریح محاسبه کرد‪ ،‬باید از روش‪-‬‬

‫(‪-13‬‬ ‫های عددی استفاده نمود‪.‬‬

‫𝑠𝑅 𝑝𝑚𝐼 ‪𝑉𝑚𝑝 −‬‬ ‫𝑠𝑅 𝑝𝑚𝐼 ‪𝑉𝑚𝑝 +‬‬
‫( 𝑝𝑥𝑒[ 𝑜𝐼 ‪𝐼𝑚𝑝 = 𝐼𝐿 −‬‬ ‫‪) − 1] −‬‬
‫𝑎‬ ‫‪𝑅𝑠ℎ‬‬ ‫الف)‬ ‫همانطور که پیشتر اشاره شد‪ ،‬ضریب 𝑎 وابسته به ضریب مطلوب‬
‫𝑜𝐼‬ ‫𝑠𝑅 𝑝𝑚𝐼 ‪𝑉 +‬‬ ‫‪1‬‬ ‫بودن و همچنین کمیتهای فیزیکی است‪ .‬معادله (‪ )7‬رابطه بین‬
‫𝑝𝑚𝐼‬ ‫𝑝𝑚 ( 𝑝𝑥𝑒‬ ‫‪)+‬‬ ‫(‪-13‬‬
‫𝑎‬ ‫𝑎‬ ‫‪𝑅𝑠ℎ‬‬
‫𝑝𝑚𝑉‬
‫=‬
‫𝑅‬ ‫𝑅𝐼‬ ‫𝑠𝑅 𝑝𝑚𝐼 ‪𝑉 +‬‬ ‫ب)‬
‫𝑎 و 𝑛 را بیان میکند]‪:[17‬‬
‫𝑝𝑚 ( 𝑝𝑥𝑒 𝑠 𝑜 ‪1+ 𝑠 +‬‬ ‫)‬
‫‪𝑅𝑠ℎ‬‬ ‫𝑎‬ ‫𝑎‬ ‫𝑠𝑁 𝑐𝑇𝑘𝑛‬
‫≡𝑎‬ ‫(‪)7‬‬
‫یعنی پس از مشخص شدن ویژگیهای سامانه و معین شدن‬ ‫𝑞‬
‫ضرایب آن‪ ،‬معادالت (‪ )13‬ورودیهای الزم برای تحلیل انرژی و‬ ‫كه در آن ) 𝐾‪ 𝑘 = 1.38 × 10−23 ( 𝐽⁄‬ثابت بولتزمن‪𝑞 = 1.602 × ،‬‬

‫اگزرژی را فراهم میکنند‪.‬‬ ‫)𝐶( ‪ 10−19‬بار الکتریکی 𝑠𝑁 تعداد سلولهای سری است‪ .‬ضریب‬
‫مطلوب بودن‪ ،𝑛 ،‬برای دیود ایدهآل برابر ‪ 1‬و برای دیود غیر مطلوب‬
‫‪ -2-2‬بازده انرژی‬ ‫بین ‪ 1‬تا ‪ 2‬است]‪.[17‬‬
‫بازده انرژی یک پنل خورشیدی بهصورت نسبت توان الکتریکی‬ ‫طبق رابطه (‪ )7‬ضریب 𝑎 با دما بهصورت خطی تغییر میکند‪،‬‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫خروجی به انرژی ورودی به پنل از طریق نور خورشید تعریف‬ ‫بنابراین مقدار آن در شرایط عملیاتی از رابطه (‪ )8‬به دست خواهد‬
‫میشود‪ .‬بدیهی است که این مقدار به شدت تابش و دما وابسته‬ ‫آمد [‪:]17‬‬
‫است‪.‬‬ ‫𝑎‬ ‫𝑐𝑇‬
‫=‬ ‫(‪)8‬‬
‫𝑓𝑒𝑟‪𝑎𝑟𝑒𝑓 𝑇𝑐,‬‬
‫همچنین برای محاسبه بازده انرژی‪ ،‬فرض میشود که پنل در شرایط‬
‫ً‬
‫تقریبا یک روند خطی دارد‪ .‬در‬ ‫تغییرات جریان 𝐿𝐼 با تابش لحظهای‬
‫بیشترین توان در حال کار است و بیشترین توان الکتریکی ممکن‬
‫واقعیت برخی از تشعشع سنجها جریان اتصال کوتاه سلول را‬
‫در دما و تابش عملیاتی از آن گرفته میشود‪ .‬همچنین فرض‬
‫بهعنوان معیاری از میزان تشعشع در نظر میگیرند‪ .‬این موضوع در‬
‫میشود که دمای سطح در تمام پنل یکسان است که فرض معقولی‬
‫رابطه (‪ )9‬مشهود است]‪:[17‬‬

‫‪Modares Mechanical Engineering‬‬ ‫‪Volume 21, Issue 11, November 2021‬‬

 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬ ‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ ‫‪748‬‬

‫که در آن زیرنویس 𝐶𝑇𝑂𝑁 مربوط به مقادیر کمیتها‪ ،‬متناظر با‬ ‫است]‪ .[5‬با این فرضیات بازده انرژی پنل‪ ، 𝜂𝑒𝑛 ،‬از رابطه (‪)14‬‬
‫دمای کاری نامی سلول و )𝛼𝜏( ضریب مؤثر عبور‪-‬جذب‬ ‫محاسبه میشود]‪:[18‬‬
‫(‪ )Effective transmittance-absorptance product‬است‪.‬‬ ‫𝑝𝑚𝐼 × 𝑝𝑚𝑉‬
‫= 𝑛𝑒𝜂‬ ‫(‪)14‬‬
‫𝑆×𝐴‬
‫همچنین اگزرژی الکتریکی‪ ،𝐸𝑥𝑒𝑙 ،‬از رابطه زیر به دست میآید]‪:[5‬‬
‫که در آن ) ‪ 𝐴(𝑚2‬مساحت پنل است‪ .‬مقدار 𝑝𝑚𝑉 و 𝑝𝑚𝐼 از طریق‬
‫𝑝𝑚𝐼 × 𝑝𝑚𝑉 = 𝑙𝑒𝑥𝐸‬ ‫(‪)20‬‬
‫مدلسازی محاسبه میگردد‪ .‬مساحت پنل توسط شرکت سازنده‬
‫همچنین مقدار اگزرژی تلف شده یا همان تخریب اگزرژی از رابطه‬
‫گزارش میشود‪ .‬مقدار شدت تابش در این پژوهش بهصورت تجربی‬
‫زیر به دست میآید‪:‬‬
‫به دست میآید‪.‬‬
‫‪𝐸𝑥𝑙𝑜𝑠𝑠 = 𝐸𝑥𝑖𝑛 − 𝐸𝑥𝑒𝑙 − 𝐸𝑥𝑡ℎ‬‬ ‫(‪)21‬‬ ‫‪ -2-3‬بازده اگزرژی‬
‫بازده اگزرژی‪ ، 𝜂𝑒𝑥 ،‬پنلهای خورشیدی عبارت است از نسبت‬
‫‪ -2-4‬مطالعه تجربی‬
‫اگزرژی کل خروجی به اگزرژی کل تابش خورشید (اگزرژی ورودی)‬
‫در این پژوهش یک پنل خورشیدی مدل ‪ SF160-24-1M‬ساخت‬
‫که در رابطه زیر آمده است]‪:[19‬‬
‫شرکت جیانگسو لینیانگ سوالرفان با قدرت ‪ 190‬وات واقع در‬
‫𝑡𝑢𝑜𝑥𝐸‬
‫نیروگاه خورشیدی ‪ 20‬کیلو واتی پژوهشگاه صنعت نفت در شهر‬ ‫= 𝑥𝑒𝜂‬ ‫(‪)15‬‬
‫𝑛𝑖𝑥𝐸‬
‫تهران‪ ،‬با طول جغرافیایی ‪ 51° 15′ 32′′‬و عرض جغرافیایی‬ ‫که در آن )𝑊( 𝑡𝑢𝑜𝑥𝐸 و )𝑊( 𝑛𝑖𝑥𝐸 به ترتیب اگزرژی خروجی و‬
‫‪ 35° 44 17′′‬ارزیابی میشود‪ .‬پنل رو به جنوب جغرافیایی و با‬ ‫‪′‬‬
‫ورودی است‪.‬‬
‫زاویه شیب ‪ 33‬درجه قرار گرفته است‪ .‬برای صحتسنجی‬ ‫اگزرژی ورودی‪ ،𝐸𝑥𝑖𝑛 ،‬فقط شامل اگزرژی تابش خورشید است که‬
‫مدلسازی و نتایج حاصل از آن از دادههای تجربی پنل مورد‬ ‫از طریق رابطه (‪ )16‬محاسبه میشود]‪:[19‬‬
‫آزمایش استفاده میشود‪ .‬در این مقاله‪ ،‬عملکرد پنل بین ساعت‬ ‫𝑎𝑇 ‪4‬‬ ‫‪1 𝑇𝑎 4‬‬
‫( ‪𝐸𝑥𝑖𝑛 = 𝐴 𝑆 [1 −‬‬ ‫( ‪)+‬‬ ‫] )‬ ‫(‪)16‬‬
‫‪ 7:30‬تا ‪ 17:30‬روز ‪ 22‬اردیبهشت ‪ 1394‬از منظر انرژی و اگزرژی‬ ‫𝑛𝑢𝑠𝑇 ‪3‬‬ ‫𝑛𝑢𝑠𝑇 ‪3‬‬
‫که در آن )𝐾( 𝑎𝑇 دمای محیط و )𝐾( 𝑛𝑢𝑠𝑇 دمای خورشید است‪.‬‬
‫مطالعه میشود‪ .‬عملکرد پویا اينورتر نیروگاه‪ ،‬همان تعيين نقطه‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫اگزرژی خروجی شامل اگزرژی حرارتی و اگزرژی الکتریکی است‪.‬‬

‫کارکرد براي رسيدن به بيشترين کارايي در توليد توان است که‬
‫اگزرژی حرارتی‪ ،𝐸𝑥𝑡ℎ (𝑊) ،‬از طریق رابطه زیر محاسبه میشود]‪:[5‬‬
‫بهطور پيوسته در تمام زمان کارکرد اينورتر انجام ميپذيرد؛ بنابراین‬
‫𝑎𝑇‬
‫ولتاژ و جریان خروجی پنل متناظر با نقطه بیشترین توان خواهد‬ ‫‪𝐸𝑥𝑡ℎ = (ℎ𝑐𝑜𝑛𝑣 + ℎ𝑟𝑎𝑑 )𝐴(𝑇𝑐 − 𝑇𝑎 ) [1 −‬‬ ‫]‬ ‫(‪)17‬‬
‫𝑐𝑇‬
‫بود‪ .‬دمای محیط‪ ،‬شدت تابش‪ ،‬سرعت باد‪ ،‬ولتاژ و جریان در نقطه‬ ‫که در آن )𝑘 ‪ ℎ𝑐𝑜𝑛𝑣 (𝑊 ⁄𝑚2‬ضریب انتقال حرارت جابجایی و‬
‫بیشترین توان توسط دستگاه سانی ِسنسور باکس در فواصل ‪5‬‬ ‫)𝑘 ‪ ℎ𝑟𝑎𝑑 (𝑊 ⁄𝑚2‬ضریب معادل انتقال حرارت تابشی است‪.‬‬
‫دقیقهای اندازهگیری میشود‪ .‬این دستگاه تجهيزي است که در کنار‬ ‫ضرایب انتقال حرارت جابجایی و تابشی از روابط (‪ )18‬به دست‬
‫ماژولهاي نيروگاه نصب شده و با دريافت اطالعات محيطي سايت‬ ‫میآیند]‪:[20, 21‬‬
‫امکان محاسبه بازده انرژی و اگزرژی و تأثیر مولفه های مختلف‬ ‫𝑤𝑣‪ℎ𝑐𝑜𝑛𝑣 = 2.8 + 3‬‬ ‫(‪ –18‬الف)‬
‫بر ميزان آنها را فراهم ميآورد‪ .‬پارامترهای ورودی تحلیل و‬ ‫) 𝑐𝑇 ‪ℎ𝑟𝑎𝑑 = 𝜀𝜎(𝑇𝑠𝑘𝑦 + 𝑇𝑐 )(𝑇𝑠𝑘𝑦 +‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫(‪ –18‬ب)‬

‫مشخصات پنل خورشیدی مورد مطالعه در شرایط مرجع که توسط‬ ‫که در آن )𝑠‪ 𝑣𝑤 (𝑚⁄‬سرعت باد‪ 𝜀 ،‬ضریب گسیل پنل‪𝜎 = ،‬‬
‫سازنده گزارش شده است به ترتیب در جدول ‪ 1‬و ‪ 2‬آورده شده‬ ‫) 𝐾 ‪ 5.67 × 10−8 (𝑊 ⁄𝑚2‬ثابت استفان – بولتزمن و )𝐾( 𝑦𝑘𝑠𝑇 دمای‬

‫است]‪.[22‬‬ ‫مؤثر آسمان است که با تقریب مناسبی شش درجه کمتر از دمای‬

‫میشود‪[5].‬‬ ‫محیط در نظر گرفته‬
‫‪ -3‬نتایج و تفسیر آنها‬ ‫دمای سطح سلول را نیز میتوان با دمای کاری نامی سلول طبق‬
‫‪ -3-1‬نتایج استخراج منحنیهای مشخصه‬ ‫روابط (‪ )19‬تخمین زد که رابطه (‪ -19‬ب) به دلیل در نظر گرفتن‬
‫در شکل ‪ 2‬نمودار جریان و توان بر حسب ولتاژ در شرایط مرجع‪،‬‬ ‫تأثیر سرعت باد و عبور و جذب تشعشع در پنل‪ ،‬رابطه دقیقتری‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫است]‪:[17, 22‬‬
‫جدول ‪ )1‬پارامترهای ورودی تحلیل‬
‫𝑎𝑇 ‪𝑇𝑐 −‬‬ ‫𝑆‬
‫مقدار‬ ‫پارامترهای ورودی‬ ‫=‬ ‫(‪ -19‬الف)‬
‫𝑇𝐶𝑂𝑁𝑆 𝑇𝐶𝑂𝑁‪𝑇𝑁𝑂𝐶𝑇 − 𝑇𝑎,‬‬
‫‪45‬‬ ‫دمای کاری نامی سلول‪𝑻𝑵𝑶𝑪𝑻 (°𝑪) ،‬‬
‫𝑎𝑇 ‪𝑇𝑐 −‬‬ ‫𝑆‬ ‫‪9.5‬‬
‫‪800‬‬ ‫شدت تابش در شرایط کاری نامی سلول‪𝑺𝑵𝑶𝑪𝑻 (𝑾⁄𝒎𝟐 ) ،‬‬ ‫=‬ ‫‪[1‬‬
‫) 𝑤𝑣‪𝑇𝑁𝑂𝐶𝑇 − 𝑇𝑎,𝑁𝑂𝐶𝑇 𝑆𝑁𝑂𝐶𝑇 (5.7 + 3.8‬‬ ‫(‪ -19‬ب)‬
‫‪20‬‬ ‫دمای محیط در شرایط کاری نامی سلول‪𝑻𝒂,𝑵𝑶𝑪𝑻 (°𝑪) ،‬‬ ‫𝑛𝑒𝜂‬
‫‪−‬‬ ‫]‬
‫‪0/ 9‬‬ ‫ضریب گسیل پنل‪𝜺 ،‬‬ ‫𝛼𝜏‬
‫‪0/ 9‬‬ ‫ضریب مؤثر عبور‪-‬جذب پنل‪𝜶𝝉 ،‬‬
‫‪5780‬‬ ‫دمای خورشید‪𝑻𝒔𝒖𝒏(𝑲) ،‬‬

‫دوره ‪ ،21‬شماره ‪ ،11‬آبان ‪1400‬‬ ‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬

 ‫‪749‬‬ ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک ‪ 190‬واتی‪...‬‬ ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫خورشیدی اشاره دارد‪ .‬همچنين‪ n ،‬تعداد کل دادهها است‪ .‬ميزان‬ ‫جدول ‪ )2‬مشخصات پنل خورشیدی مورد مطالعه در شرایط مرجع]‪[22‬‬

‫مقدار‬ ‫مشخصات‬
‫خطاي جذر ميانگين مربعات در محاسبه جریان ‪ 0.1297‬آمپر و در‬
‫‪191/861‬‬ ‫بیشترین توان‪𝑷𝒎𝒑 (𝑾) ،‬‬
‫محاسبه توان ‪ 2.7138‬وات است‪.‬‬
‫‪44/988‬‬ ‫ولتاژ مدار باز‪𝑽𝒐𝒄 (𝑽) ،‬‬
‫در شکل ‪ 3‬و ‪ 4‬به ترتیب نمودار جریان و توان بر حسب ولتاژ در‬ ‫‪5/733‬‬ ‫جریان اتصال کوتاه‪𝑰𝒔𝒄 (𝑨) ،‬‬

‫دمای ‪ 25‬درجه سلسیوس و به ازای شدت تابشهای مختلف رسم‬ ‫‪36/055‬‬ ‫ولتاژ نقطه بیشترین توان‪𝑽𝒎𝒑 (𝑽) ،‬‬
‫‪5/321‬‬ ‫جریان نقطه بیشترین توان‪𝑰𝒎𝒑 (𝑨) ،‬‬
‫شده است‪.‬‬
‫‪388/485‬‬ ‫مقاومت شنت‪𝑹𝒔𝒉 (𝛀) ،‬‬
‫در شکل ‪ 3‬مشاهده میشود که افزایش جریان اتصال کوتاه‬ ‫‪0/982‬‬ ‫مقاومت سری‪𝑹𝒔 (𝜴) ،‬‬

‫متناسب با افزایش شدت تابش است درحالیکه افرایش ولتاژ با‬ ‫‪-0/0033‬‬ ‫ضریب دمایی ولتاژ مدار باز‪𝝁𝑽,𝒐𝒄 (𝑽⁄𝑲) ،‬‬
‫‪0/0003‬‬ ‫ضریب دمایی جریان اتصال کوتاه‪𝝁𝑰.𝒔𝒄 (𝑨⁄𝑲) ،‬‬
‫شدت تابش نسبت لگاریتمی دارد‪ .‬جریان اتصال کوتاه تا نزدیکی‬
‫(‪72 )6×12‬‬ ‫تعداد سلولها‬
‫ً‬
‫تقریبا وابستگی به ولتاژ ندارد و فقط متناسب با‬ ‫ولتاژ مدار باز‪،‬‬
‫‪1580×808×45‬‬ ‫ابعاد )𝒎𝒎(‬
‫سطح تابش است‪ .‬از این رو اگر فرض شود که در دمای ثابت‪ ،‬تابش‬
‫برخوردی به سطح‪ ،‬دارای طیف نشری ثابتی باشد‪ ،‬آنگاه میتوان‬
‫جریان اتصال کوتاه را معیاری از میزان تابش برخوردی و بالعکس‬
‫در نظر گرفت‪ .‬از آنجا که با افزایش شدت تابش در دمای ثابت‪،‬‬
‫انرژی ورودی به سیستم افزایش مییابد‪ ،‬طبیعی است که توان‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫شکل ‪ )2‬صحهگذاری منحنیهای مشخصه عملکردی در شرایط مرجع‬

‫شدت تابش ‪ 1000‬وات بر متر مربع و دمای ‪ 25‬درجه سلسیوس‪،‬‬

‫ارائه و با مقایسه با اطالعات ارائه شده توسط شرکت سازنده پنل‬
‫خورشیدی اعتبارسنجی شده است]‪.[22‬‬
‫همانطور که در شکل ‪ 2‬مشاهده میشود مقادیر مربوط به توان و‬
‫شکل ‪ )3‬نمودار جریان بر حسب ولتاژ در شدت تابشهای مختلف‬ ‫جریان حاصل از مدلسازی بسیار نزدیک به مقادیر ارائه شده توسط‬
‫سازنده هستند و همپوشانی باالیی دارند که نشانگر دقت باالی‬
‫مدلسازی است‪ .‬ميزان خطاي جذر ميانگين مربعات معيار مناسبي‬
‫براي مقایسه ّ‬
‫دقت نتايج با يکديگر است‪.‬‬
‫بهکمک اين کميّ ت ميتوان اثر افزايش خطا در دادههاي اندازهگيري‬
‫شده بر روي ّ‬
‫دقت تخمين را بررسي کرد‪ .‬ميزان اين خطا با معادله‬
‫(‪ )22‬محاسبه ميشود‪:‬‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫𝑛‬
‫‪1‬‬
‫) 𝑝𝑥𝐸𝐼 ‪𝑒𝑟𝑚𝑠 = √ ∑(𝐼𝑁𝑢𝑚 −‬‬
‫‪2‬‬
‫(‪-22‬الف)‬
‫𝑛‬
‫‪𝑖=1‬‬

‫𝑛‬
‫‪1‬‬
‫) 𝑝𝑥𝐸𝑃 ‪𝑒𝑟𝑚𝑠 = √ ∑(𝑃𝑁𝑢𝑚 −‬‬
‫‪2‬‬
‫(‪-22‬ب)‬
‫𝑛‬
‫‪𝑖=1‬‬

‫که در آنها زیرنویس ‪ Num‬به مقادیر جریان و توان حاصل از‬

‫مدلسازی در یک ولتاژ خاص و زیرنویس ‪ Exp‬به مقادیر دقيق‬

‫شکل ‪ )4‬نمودار توان بر حسب ولتاژ در شدت تابش¬های مختلف‬ ‫آنها بر اساس اطالعت ارائه شده توسط شرکت سازنده پنل‬

‫‪Modares Mechanical Engineering‬‬ ‫‪Volume 21, Issue 11, November 2021‬‬

 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬ ‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ ‫‪750‬‬

‫خروجی نیز مطابق شکل ‪ 4‬افزایش پیدا کند که در ولتاژ معین‪ ،‬به‬
‫معنی افزایش جریان الکتریکی است و از طرف دیگر به دلیل عدم‬
‫ً‬
‫تقریبا‬ ‫وابستگی جریان به ولتاژ در ولتاژهای پایین‪ ،‬یک رابطه‬
‫خطی بین ولتاژ و توان برقرار میشود‪ .‬به عبارتی شکلهای ‪ 3‬و ‪4‬‬
‫تأییدکننده یکدیگر و همچنین فیزیک حاکم بر مدلسازی هستند‪.‬‬
‫همچنین با افزایش اختالف ولتاژ و نزدیک شدن آن به ولتاژ مدار‬
‫باز‪ ،‬جریان بهسرعت شروع به کاهش میکند که نتیجهای قابل‬
‫پیشبینی است و همین موضوع باعث میشود توان نیز کاهش‬
‫یابد تا جایی که در ولتاژ مدار باز‪ ،‬مقدار این دو کمیت به صفر برسد‪.‬‬
‫در شکلهای ‪ 5‬و ‪ 6‬به ترتیب نمودار جریان و توان بر حسب ولتاژ‬
‫در شدت تابش ثابت ‪ 1000‬وات بر متر مربع و دماهای مختلف رسم‬

‫شکل ‪ )6‬نمودار توان بر حسب ولتاژ در دماهای مختلف‬ ‫شده است‪.‬‬

‫همانطور که در شکل ‪ 5‬مشاهده میشود با افزایش دما‪ ،‬ولتاژ مدار‬
‫‪ -3-2‬نتایج مدلسازی در شرایط عملیاتی‬
‫باز بهسرعت کاهش پیدا میکند‪ ،‬در حالی که جریان اتصال کوتاه‬
‫در ادامه نتایج حاصل از مدلسازی پنل خورشیدی مورد مطالعه در‬
‫مقدار اندکی افزایش مییابد‪ .‬دلیل این موضوع آن است که با‬
‫شرایط عملیاتی همراه با مولفههای اندازهگیری شده در قالب‬
‫افزایش دما‪ ،‬گاف انرژی نیمه رساناها کاهش مییابد و طبق رابطه‬
‫نمودارهایی ارائه خواهند شد‪ .‬این نمودارها به همراه اطالعات ارائه‬
‫(‪ -10‬الف) مقدار ‪ 𝐼o‬بهصورت لگاریتمی به گاف انرژی وابسته است‪.‬‬
‫شده توسط سازنده‪ ،‬بهعنوان ورودیهای تحلیل انرژی و اگزرژی‬
‫از آنجایی که ولتاژ مدار باز نیز به لگاریتم ‪ 𝐼o‬وابسته است‪ ،‬این‬
‫استفاده میشوند‪ .‬تغییرات دمای محیط‪ ،‬سرعت باد و دمای سلول‬
‫ولتاژ بهسرعــــت کاهش مییابد]‪ .[23, 24‬همان طور که در شکل ‪6‬‬
‫تخمین زده شده به دو روش ارائه شده در رابطه (‪ ،)19‬در طول مدت‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫مشاهده میشود‪ ،‬این کاهش سریع ولتاژ مدار باز باعث میشود که‬
‫آزمایش در شکل ‪ 7‬آورده شدهاند‪ .‬مطابق این نمودارها سرعت باد‬
‫توان بیشینه کاهش پیدا کند و در ولتاژهای پایینتری واقع شود‪.‬‬
‫از صفر تا ‪ 5/22‬متر بر ثانیه متغیر است‪ .‬همچنین دمای محیط در‬
‫دلیل این کاهش شدید نیز همان ارتباط ولتاژ و جریان مدار باز به‬
‫طول روز بین ‪ 21/01‬تا ‪ 32/52‬درجه سلسیوس و دمای سلول از‬
‫گاف انرژی نیمه رساناها است‪ .‬همچنین مشابه با شکل ‪ ،4‬در این‬
‫‪ 25/86‬تا ‪ 63/85‬درجه سلسیوس در روش دوم تغییر میکند‪.‬‬
‫شکل نیز واضح است که در هر دمایی‪ ،‬برای رسیدن به توان بهینه‪،‬‬
‫روش دوم در مقایسه با روش اول به دلیل در نظر گرفتن اثرات‬
‫یک ولتاژ خاص وجود دارد‪ .‬این ولتاژ با افزایش دما به اندازه ‪100‬‬
‫سرعت باد‪ ،‬بازده انرژی و ویژگیهای تشعشعی پنل بر روی دمای‬
‫درجه سلسیوس‪ ،‬حدود ‪ 48‬درصد کاهش یافته است‪ .‬همچنین این‬
‫سلول دقیقتر است و مبنای محاسبات قرار گرفته است‪.‬‬
‫نمودار نشان میدهد که بین ولتاژهای متناظر با نقطه بیشترین‬
‫ً‬
‫نسبتا‬ ‫توان و مقدار توان بیشینه در دماهای مختلف‪ ،‬یک وابستگی‬
‫خطی وجود دارد‪.‬‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫شکل ‪ )7‬تغییرات دمای محیط‪ ،‬سرعت باد و دمای سلول در طول روز‬ ‫شکل ‪ )5‬نمودار جر یان بر حسب ولتاژ در دماهای مختلف‬

‫دوره ‪ ،21‬شماره ‪ ،11‬آبان ‪1400‬‬ ‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬

 ‫‪751‬‬ ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک ‪ 190‬واتی‪...‬‬ ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫همچنین شدت تابش اندازهگیری شده در طول روز به همراه شدت‬

‫مرجع]‪[25‬‬ ‫تابش تخمین زده شده با استفاده از روابط ارائه شده در‬
‫در شکل ‪ 8‬آورده شده است که همپوشانی خوبی را نشان میدهند‪.‬‬
‫در نهایت برای محاسبه توان خروجی نیاز است تا ولتاژ و جریان‬
‫نقطه بیشترین توان در طول روز‪ ،‬بر اساس روابط (‪ ،)13‬محاسبه‬
‫شوند‪ .‬نمودار جریان و ولتاژ در نقطه بیشترین توان و تغییرات‬
‫بیشترین توان در طول روز‪ ،‬به ترتیب در شکلهای ‪ 10 ،9‬و ‪ 11‬آورده‬
‫شدهاند‪ .‬همچنین دادههای تجربی برای این پارامترها که بهوسیله‬
‫سنسورهای اندازهگیری پارامترهای الکتریکی نیروگاه به دست‬
‫آمدهاند‪ ،‬در این شکلها ارائه شدهاند که اعتبار و دقت مدلسازی‬
‫را تأیید میکنند‪.‬‬

‫شکل ‪ )9‬تغییرات جریان در نقطه بیشترین توان و جریان اتصال کوتاه‬ ‫در نمودارهای ‪ 9‬و ‪ 10‬تغییرات جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز‬
‫در طول روز‬ ‫نیز در هر لحظه مشاهده میشود‪ .‬از مقایسه شکل ‪ 8‬با شکلهای‬
‫‪ 9‬و ‪ 11‬همبستگی میان این نمودارها بهوضوح مشاهده میشود‪.‬‬
‫اگرچه تحلیل حساسیت از اهداف این مقاله بهحساب نمیآید‪ ،‬اما‬
‫میتوان مشاهده کرد که شدت تابش‪ ،‬تقریب ًا تعیینکنندهترین‬
‫عامل در توان و جریان خروجی است‪ .‬در شکل ‪ ،11‬مقدار ضریب‬
‫پرشدگی (‪ ،𝐹𝐹 ،)Fill factor‬که حاصل تقسیم توان حداکثر نظری‬
‫(حاصل ضرب ولتاژ مدار باز در جریان اتصال کوتاه) بر بیشترین‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫توان عملی است‪ ،‬استخراج و تغییرات آن در طول روز رسم شده‬

‫است‪ .‬همچنین‪ ،‬نمودار تغییرات توان حداکثر نظری در این شکل‬
‫مشاهده میشود‪ .‬ضریب توان حاصل از این مدلسازی میتواند‬
‫بهعنوان یکی از مشخصههای سامانه استفاده شود‪.‬‬
‫‪ -3-3‬نتایج تحلیل انرژی و اگزرژی‬
‫تحلیل انرژی و اگزرژی با استفاده از نتایج حاصل از مدلسازی‬
‫شکل ‪ )10‬تغییرات ولتاژ در نقطه بیشترین توان و ولتاژ مدار باز در طول روز‬ ‫ً‬
‫معموال تحلیل‬ ‫الکتریکی و اندازهگیریهای تجربی انجام میگیرد‪.‬‬
‫اگزرژی‪ ،‬تحلیل مناسبتری بهشمار میرود‪ ،‬چرا که بین انرژی قابل‬
‫استفاده و انرژی غیرقابل استفاده تفاوت قائل میشود‪ .‬به همین‬
‫دلیل در این پژوهش تمرکز بیشتری بر تحلیل اگزرژی شده است‪.‬‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫شکل ‪ )8‬تغییرات شدت تابش در طول روز‬

‫شکل ‪ )11‬تغییرات بیشترین توان و ضریب پرشدگی در طول روز‬

‫‪Modares Mechanical Engineering‬‬ ‫‪Volume 21, Issue 11, November 2021‬‬

 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬ ‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ ‫‪752‬‬

‫شکل ‪ )12‬اگزرژی ورودی‪ ،‬تلف شده‪ ،‬الکتریکی و گرمایی‬

‫که سیستمهای فتوولتائیکی که همزمان توان و حرارت مفید تولید‬ ‫در شکل ‪ 12‬میزان اگزرژی ورودی‪ ،‬تلف شده‪ ،‬گرمایی و الکتریکی‬
‫میکنند‪ ،‬افزایش چشمگیری در بازده خواهند داشت‪ .‬در شکل ‪13‬‬ ‫مشاهده میشوند‪.‬‬
‫تغییرات بازده انرژی و اگزرژی در طول روز مشاهده میشود‪.‬‬ ‫مطابق انتظار‪ ،‬با نزدیک شدن به ظهر‪ ،‬باالترین میزان شدت تابش‬
‫در شکل ‪ 13‬مشاهده می¬شود که حوالی ظهر‪ ،‬یعنی درست زمانی‬ ‫رخ میدهد و با نزدیک شدن به غروب از میزان آن کاسته میشود‪.‬‬
‫که اگزرژ ی ورودی در بیشتر ین مقدار خود قرار دارد‪ ،‬بازده اگزرژ ی‬ ‫بهطور کلی همین روند نیز برای اگزرژی ورودی قابل پیشبینی‬
‫افت می¬کند که دلیل آن افزایش دما در ساعات اوج تابش است‬ ‫است‪ ،‬زیرا طبق رابطه (‪ )16‬شدت تابش تأثیر مستقیمی بر اگزرژی‬
‫که اثر بهشدت منفی بر بازده می¬گذارد‪ .‬این موضوع نشان میدهد‬ ‫ورودی دارد‪ .‬همچنین از مقایسه شکلهای ‪ 8‬و ‪ 12‬مشاهده می‪-‬‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫که خنک¬کار ی پنل¬ها یکی از اساسی¬تر ین موضوعاتی است که‬ ‫شود که در اواسط روز بیشترین اختالف بین اگزرژی ورودی و‬
‫باید به آن توجه شود‪ .‬بیشتر ین مقدار بازده اگزرژ ی در ساعات قبل‬ ‫شدت تابش به وجود میآید‪ ،‬یعنی تغییرات شدت تابش با زمان‪،‬‬
‫ً‬
‫نسبتا باال و دما‬ ‫از ظهر (ساعت ‪ )9:30‬رخ می‪-‬دهد که شدت تابش‬ ‫سریعتر از تغییرات اگزرژی ورودی است؛ به عبارت دیگر شیب‬
‫ً‬
‫نسبتا پایین است‪ .‬کمتر ین بازده اگزرژ ی نیز در حوالی ساعت ‪17:00‬‬ ‫نمودار اگزرژی بر حسب زمان‪ ،‬بهطور کلی پایینتر از شیب نمودار‬
‫رخ می¬دهد که متناظر با کمتر ین شدت تابش در طول روز است‪.‬‬ ‫شدت تابش است‪ .‬دلیل این موضوع آن است که طبق رابطه (‪)16‬‬
‫همچنین در این شکل بازده انرژ ی و اگزرژ ی نیز با یکدیگر مقایسه‬ ‫اگزرژی ورودی با دمای محیط رابطه عکس دارد و همین موضوع‬
‫شده¬اند‪ .‬طبی ً‬
‫عتا بازده اگزرژ ی باالتر است چرا که بخشی از‬ ‫در دماهای باالتر‪ ،‬از رشد اگزرژی ورودی جلوگیری میکند؛ اگرچه‬
‫انرژ ی¬های تلف شده از منظر انرژ ی مانند حرارت‪ ،‬از دیدگاه‬ ‫تأثیر آن کمتر از شدت تابش است؛ بنابراین بهطور کلی با نزدیک‬
‫اگزرژ ی جزء انرژ ی¬های قابل استفاده هستند و بهعنوان اگزرژ ی‬ ‫شدن به ظهر و زمان بیشینه شدن شدت تابش‪ ،‬اگزرژی افزایش‬
‫تلف شده شناخته نمی¬شوند‪ .‬طبق نمودار باال بازده انرژ ی در طول‬ ‫مییابد‪ ،‬اما چون افزایش شدت تابش در عمل باعث افزایش دمای‬
‫مدت مطالعه‪ ،‬به حداکثر ‪ 13/94‬درصد و بازده اگزرژ ی به حداکثر‬ ‫محیط نیز میشود‪ ،‬این افزایش دما جلوی افزایش سریع اگزرژی‬
‫‪ 16/66‬درصد می¬رسد‪ .‬همچنین میانگین بازده انرژ ی و اگزرژ ی در‬ ‫ورودی را در حوالی ظهر میگیرد؛ اما در حوالی صبح و عصر‪ ،‬روند‬
‫این مدت به ترتیب ‪ 13/19‬و ‪ 15/62‬درصد است‪ .‬نکته جالب توجه‬ ‫تغییرات شدت تابش هماهنگی بیشتری با نرخ تغییرات اگزرژی‬
‫این است که تقر ی ً‬
‫با در نقاطی که بازده اگزرژ ی در نقاط بیشینه¬‬ ‫ورودی دارد‪ .‬در شکل ‪ 12‬مشاهده میشود که نزدیک به ‪ 85‬درصد‬
‫نسبی خود قرار می¬گیرد‪ ،‬بازده انرژ ی در نقاط کمینه نسبی است‪.‬‬ ‫اگزرژی ورودی به علت بازگشتناپذیریها تلف میشود و در‬
‫دلیل این موضوع آن است که با افزایش شدت تابش‪ ،‬اگزرژ ی‬ ‫بهترین حالت از نظر شدت تابش‪ ،‬تنها حدود ‪ 150‬وات از اگزرژی‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫ورودی نیز افزایش می¬یابد و بهطور کلی باعث افزایش بازده‬ ‫ورودی به اگزرژی الکتریکی تبدیل میشود‪ .‬بیشترین مقدار‬
‫اگزرژ ی می¬شود و روند تغییرات این بازده‪ ،‬تقر ی ً‬
‫با مشابه تغییرات‬ ‫اگزرژی حرارتی نیز در طول روز به حدود ‪ 37‬وات میرسد‪ ،‬این‬
‫شدت تابش است‪ .‬نقاط بیشینه و کمینه نسبی در نمودار شدت‬ ‫موضوع نشان میدهد که پنلهای تولیدی‪ ،‬بهرغم مزایای فراوانی‬
‫تابش بر حسب زمان‪ ،‬تقر ی ً‬
‫با همان نقاط بیشینه و کمینه نمودار‬ ‫که دارند‪ ،‬همچنان بخش عظیمی از اگزرژی را هدر میدهند و‬
‫بازده اگزرژ ی بر حسب زمان است؛ اما طبی ً‬
‫عتا در نقاط بیشینه‬ ‫فاصله زیادی تا یک بازده قابل قبول دارند‪ .‬همچنین مشاهده می‪-‬‬
‫تابش‪ ،‬دما نیز بسیار باال می¬رود‪.‬‬ ‫شود که اگزرژی حرارتی حدود ‪ 20‬درصد اگزرژی الکتریکی است‪.‬‬
‫ً‬
‫قطعا‬ ‫اگر سامانه ای بتواند از هر دو این اگزرژیها استفاده کند‪،‬‬
‫بازدهی اگزرژی آن سامانه افزایش مییابد‪ .‬به همین دلیل است‬

‫دوره ‪ ،21‬شماره ‪ ،11‬آبان ‪1400‬‬ ‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬

 ‫‪753‬‬ ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک ‪ 190‬واتی‪...‬‬ ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

‫‪ -1‬میانگین بازده انرژی این پنل در طول روز ‪ 13/19‬درصد است‪ .‬در‬
‫طول آزمایش‪ ،‬بیشترین مقدار بازده لحظهای انرژی ‪ 13/94‬و‬
‫کمترین مقدار آن ‪ 11/22‬درصد محاسبه شد‪.‬‬
‫‪ -2‬میانگین بازده اگزرژی این پنل در طول روز ‪ 15/62‬درصد است‪.‬‬
‫به عبارتی تنها حدود ‪ 16‬درصد از اگزرژی دریافتی از خورشید به‬
‫انرژی قابل استفاده تبدیل میشود و بقیه آن بهصورت بازگشت‬
‫ناپذیری تلف میگردد که نشان دهنده بازده پایین فرآیند تبدیل‬
‫انرژی در این پنل است‪ .‬در طول آزمایش‪ ،‬بیشترین مقدار بازده‬
‫لحظهای اگزرژی ‪ 16/66‬و کمترین مقدار آن ‪ 14/77‬درصد محاسبه‬
‫شد‪.‬‬
‫‪ -3‬این پنل در زمانی که بیشترین شدت تابش وجود داشته باشد‪،‬‬
‫‪ 1065‬وات اگزرژی ورودی از طریق تابش خورشیدی دریافت می‪-‬‬
‫کند که در بهترین شرایط حدود ‪ 150‬وات از آن به اگزرژی الکتریکی‬ ‫شکل ‪ )13‬تغییرات بازده انرژی و اگزرژی در طول روز‬
‫تبدیل میشود و بقیه آن بهصورت اگزرژی حرارتی و هدررفت‬
‫اگزرژی (بازگشت ناپذیری) هدر میرود‪ .‬بیشترین مقدار اگزرژی‬ ‫از آنجا که انرژی حرارتی در محاسبه بازده انرژی بهعنوان انرژی‬
‫حرارتی نیز در طول مدت مطالعه ‪ 37‬وات محاسبه شد‪ .‬البته‬ ‫مفید بهحساب نمیآید و از طرف دیگر‪ ،‬با افزایش دما نرخ تبدیل‬
‫اگزرژی حرارتی میتواند برای مصارف گرمایشی نظیر آن چه در‬ ‫انرژی خورشیدی به انرژی الکتریکی کاهش مییابد‪ ،‬در این نقاط‬
‫سامانه های فتوولتائیک حرارتی اتفاق میافتد‪ ،‬استفاده شود‪.‬‬ ‫بازده انرژی نیز کاهش پیدا میکند‪ .‬در این شکل بهطور کلی بازده‬
‫‪ -4‬افزایش شدت تابش و کاهش دما مهمترین عوامل افزایش‬ ‫اگزرژی باالتر از بازده انرژی است که منعکس کننده کیفیت باالتر‬
‫] ‪[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22‬‬

‫توان الکتریکی و بازده اگزرژی هستند؛ پس بهترین شرایط کارکرد‬ ‫استحصال انرژی در سامانهو در نتیجه پایداری بیشتر سامانه است؛‬
‫این پنل خورشیدی‪ ،‬شرایطی است که بیشترین شدت تابش و‬ ‫در حالی که بازده اگزرژی پایینتر از بازده انرژی به دلیل عوامل‬
‫پایینترین دما را داشته باشد‪.‬‬ ‫برگشت ناپذیر داخلی است و در نتیجه کیفیت پایین انرژی و‬
‫‪ -5‬افزایش دما در طول روز تأثیر بسیار مخربی بر بازده اگزرژی و‬ ‫ناپایداری بیشتر را نشان میدهد‪.‬‬
‫توان خروجی میگذارد؛ بنابراین میتوان به خنککاری این پنلها‬
‫بهعنوان راهی برای افزایش بازدهی توجه کرد‪.‬‬ ‫‪ -4‬نتیجهگیری‬
‫هدف از این پژوهش تحلیل یک نمونه پنل خورشیدی از دیدگاه‬

‫تشکر و قدردانی‪ :‬نویسندگان این مورد را بیان نکردند‪.‬‬ ‫انرژی و اگزرژی بود‪ .‬برای این منظور ابتدا مدلسازی الکتریکی‬

‫تاییدیه اخالقی‪ :‬نویسندگان مقاله تعهد مینمایند که این مقاله در‬ ‫پنل خورشیدی انجام شد تا منحنیهای مشخصه عملکردی آن به‬

‫زمان ارسال برای این مجله در هیچ نشر یه ایرانی یا غیرایرانی در‬ ‫دست آیند‪ .‬این منحنیهای مشخصه شامل نمودارهای جریان و‬

‫حال بررسی نبوده و تا تعیین تکلیف قطعی در این نشر یه برای‬ ‫توان بر حسب ولتاژ‪ ،‬در شدتهای تابش و دماهای متفاوت بود‪.‬‬

‫هیچ نشر یه ایرانی یا غیرایرانی دیگر ی ارسال نخواهد شد‪.‬‬ ‫برای مدلسازی به روش تحلیلی یک کد کامپیوتری در نرم افزار‬

‫تعارض منافع‪ :‬نویسندگان با اختیار و آگاهی کامل‪ ،‬کلیه حقوق‬ ‫متلب توسعه داده شد و نتایج حاصل از آن از طریق مقایسه با‬

‫مادی مربوط به انتشار این مقاله را به نشر یه دانشگاه تربیت مدرس‬ ‫دادههای گزارش شده توسط سازنده و همچنین نتایج تجربی‬

‫واگذار مینمایند‪.‬‬ ‫اعتبارسنجی شد که بیانگر صحت و دقت مناسب مدلسازی بود‪.‬‬

‫سهم نویسندگان‪ :‬نویسندگان این مورد را بیان نکردند‪.‬‬ ‫تحلیل و محاسبه بازده سیستم از دیدگاه انرژی بر اساس قانون‬
‫اول ترمودینامیک و از دیدگاه اگزرژی بر اساس قانون دوم‬
‫] ‪[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0‬‬

‫منابع مالی‪ :‬نویسندگان این مورد را بیان نکردند‪.‬‬

‫ترمودینامیک با استفاده از نتایج حاصل از مدلسازی الکتریکی‬
‫‪ -5‬فهرست عالئم‬ ‫انجام شد‪ .‬دادههای الزم برای تحلیل نیز از طریق تجربی و در‬

‫عالئم انگلیسی‬ ‫شرایط عملیاتی پنل خورشیدی اندازهگیری و استفاده شد تا دقت‬

‫ضریب اصالح شده ایدهآل بودن‪V ،‬‬ ‫‪a‬‬ ‫باالتری حاصل گردد‪.‬‬
‫مساحت پنل‪m2 ،‬‬ ‫‪A‬‬ ‫نتایج این پژوهش نشان میدهد که‪:‬‬
‫ضریب تناسب‬ ‫‪C‬‬
‫خطا‬ ‫‪e‬‬
‫انرژی‪J ،‬‬ ‫‪E‬‬

‫‪Modares Mechanical Engineering‬‬ ‫‪Volume 21, Issue 11, November 2021‬‬

 ‫ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ـــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬ ‫محمد مزیدی شرف آبادی و همکاران‬ 754

geothermal wells. Modares Mechanical Engineering. W ،‫اگزرژی‬ Ex

2019;19(2):335-46. W/m2K ،‫ضریب انتقال حرارت‬ h
2- Abdolalipouradl M, Khalilarya S, Mohammadkhani F. A ،‫جریان الکتریکی‬ I
Hydrogen Production Using Proposed Cycle from J/K ،‫ثابت بولتزمن‬ k
Sabalan Geothermal Wells via Proton Exchange ‫ضریب ایدهآل بودن‬ n
Membrane Electrolysis. Modares Mechanical
‫تعداد سلول‬ N
Engineering. 2020;20(2): 267-278.
W ،‫توان الکتریکی‬ P
3- Mishra RK, Tiwari GN. Energy and exergy analysis of
hybrid photovoltaic thermal water collector for C ،‫بار الکتریکی‬ q

constant collection temperature mode. Solar Energy. Ω ،‫مقاومت الکتریکی‬ R

2013;90:58-67. W/m2 ،‫شدت تابش‬ S
4- Lazaroiu GC, Longo M, Roscia M, Pagano M. K ،‫دما‬ T
Comparative analysis of fixed and sun tracking low m/s ،‫سرعت‬ v
power PV systems considering energy consumption.
V ،‫ولتاژ‬ V
Energy Conversion and Management. 2015;92:143-8.
5- Sudhakar K, Srivastava T. Energy and exergy ‫عالئم يونانی‬
analysis of 36 W solar photovoltaic module. ‫ضریب گسیل‬ ε
International Journal of Ambient Energy.
‫بازده‬ η
2014;35(1):51-7.
‫ضریب دمایی‬ µ
6- Aoun N, Nahman B, Chenni R. Study of Experimental
Energy and Exergy of mono-crystalline PV Panel in w/m2K ،‫ثابت استفان – بولتزمن‬ σ

Adrar Region, Algeria. International Journal of ‫جذب‬-‫ضریب مؤثر عبور‬ ατ

Scientific and Engineering Research. 2014;5(10):2229- ‫زيرنويس‬
5518.
7- Rahman MM, Hasanuzzaman M, Abd Rahim N. ‫محیط‬ a
Effects of operational conditions on the energy ‫سلول‬ c
efficiency of photovoltaic modules operating in ‫همرفت‬ conv
Malaysia. Journal of cleaner production. 2017;
[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22 ]

‫اتصال‬ D
143:912-24. ‫الکتریکی‬ el
8- Bayrak F, Ertürk G, Oztop HF. Effects of partial
‫انرژی‬ en
shading on energy and exergy efficiencies for
‫اگزرژی‬ ex
photovoltaic panels. Journal of cleaner production.
2017;164:58-69. ‫گاف انرژی‬ g

9- Aberoumand S, Ghamari S, Shabani B. Energy and ‫ورودی‬ in

exergy analysis of a photovoltaic thermal (PV/T) ‫القایی‬ L
system using nanofluids: An experimental study. Solar ‫بار‬ Load
Energy. 2018;165:167-77. ‫ماژول‬ m
10- Sukumaran S, Sudhakar K. Performance analysis of ‫نقطه بیشترین توان‬ mp
solar powered airport based on energy and exergy
‫تعداد دادهها‬ n
analysis. Energy. 2018;149:1000-9.
‫شرایط کاری نامی سلول‬ NOTC
11- Karathanassis IK, Papanicolaou E, Belessiotis V,
Bergeles GC. Dynamic simulation and exergetic ‫عددی‬ Num
optimization of a Concentrating Photovoltaic/Thermal ‫جریان تاریک‬ o
(CPVT) system. Renewable Energy. 2019;135:1035-47. ‫مدار باز‬ oc
12- Zhang H, Liang K, Chen H, Gao D, Guo X. Thermal ‫خروجی‬ out
and electrical performance of low-concentrating PV/T ‫تابش‬ rad
and flat-plate PV/T systems: A comparative study.
‫مرجع‬ ref
Energy. 2019;177:66-76.
‫جذر میانگین مریعات‬ rms
13- Li Z, Ji J, Yuan W, Song Z, Ren X, Uddin MM, Luo K,
‫سری‬
Zhao X. Experimental and numerical investigations on s

the performance of a G-PV/T system comparing with ‫اتصال کوتاه‬ sc

[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0 ]

A-PV/T system. Energy. 2020;194:116776. ‫شنت‬ sh

14- Yazdanifard F, Ameri M, Ebrahimniai Bajestan E, ‫آسمان‬ sky
Investigating the effects of various parameters on the ‫خورشید‬ sun
performance of a water-based photovoltaic/thermal ‫گرمایی‬ th
system, Journal of energy engineering & management,
‫باد‬ w
2016: 6(2): 46-59. (in Persian)
15- Jahanshah F, Hashemi A, Jahanshah F. Comparison
of Solar PV/T Panels In Terms of Design and ‫منابع‬
Performance. Journal of Renewable and New Energy. 1- Abdolalipouradl M, Khalilarya S, Jafarmadar S. The
2018;4(2):39-48. thermodynamic analysis of a novel integrated
transcritical CO2 with Kalina 11 cycles from Sabalan

1400 ‫ آبان‬،11 ‫ شماره‬،21 ‫دوره‬ ‫ماهنامه علمی مهندسی مکانیک مدرس‬

 755 ...‫ واتی‬190 ‫تحلیل انرژی و اگزرژی یک سلول فتوولتائیک‬ ‫ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ ــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــــ‬

16- Shakoori M, Noorpoor A, Golzari S, Zamen M.

Energy simulation and parametric analysis of water
cooled photovoltaic/thermal system. Amirkabir
Journal of Mechanical Engineering. 2019;50(6):1361-
74.
17- Duffie JA, Beckman WA, Worek WM. Solar
engineering of thermal processes.
18- Sahin AD, Dincer I, Rosen MA. Thermodynamic
analysis of solar photovoltaic cell systems. Solar energy
materials and solar cells. 2007;91(2-3):153-9.
19- Petela R. Exergy of undiluted thermal radiation.
Solar energy. 2003;74(6):469-88.
20- Boyle G. Renewable energy: power for a
sustainable future. Oxford University Press; 1996.
21- Watmuff JH, Charters WW, Proctor D. Solar and
wind induced external coefficients-solar collectors.
Cooperation Mediterraneenne pour l'Energie Solaire.
1977:56.
22- www.solarfun-power.com
23- Singh P, Ravindra NM. Temperature dependence of
solar cell performance—an analysis. Solar energy
materials and solar cells. 2012;101:36-45.
24- Al-Khazzar AA. Behavior of four Solar PV modules
with temperature variation. International Journal of
Renewable Energy Research (IJRER). 2016;6(3):1091-
9.
25- Energy–Principles SP. of Thermal Collection &
Storage. SP Sukhatme, JK Nayak. 2009.
[ Downloaded from mme.modares.ac.ir on 2023-07-22 ]
[ DOR: 20.1001.1.10275940.1400.21.11.2.0 ]

Modares Mechanical Engineering Volume 21, Issue 11, November 2021

Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)