天线原理与设计

教师： 王建

电子工程学院二系
 第七章 开槽天线 (Slot Antennas)
开槽天线又叫缝隙天线。为了分析的方便，将用到
巴俾涅原理。利用巴俾涅原理在分析开槽(缝隙)天线时，
可将开槽天线用一互补的金属天线等效，若互补的金属
天线在空间的场能求得，则开槽天线的辐射场就能确定，
但要经过电磁对偶关系求得。因此，这章将先介绍两个
原理，一是电磁对偶原理,一是巴俾涅原理。
7.1 电与磁的对偶原理 (Duality)
又称二重性原理。在麦克斯韦方程组中，只要引入
磁荷密度ρm和磁流密度im，就会使得场与源之间形成电
和磁的对应关系，麦氏方程就具有完全对称的形式。见
P155式(7.1)~(7.4)。而相应的场也有类似的电磁对应关系。
这种电磁场之间的特殊对应关系称为二重性原理。
 如果一个分析系统中既有电流 i e (伴随有电荷 e )，也
有磁流 i m(或伴随有磁荷 m)，则可分别求解由电流源产生
的场 Ee，H e ( De   Ee，B e   H e)和由磁流源产生的场Em，H m
(D m   Em，B m   H m)，则该系统的总场为

E  E e  E m D  De  Dm
 或 
H  H e  H m  B  Be  Bm
代入麦氏方程P155式(7.1)~(7.4)可得
式(7.6)和(7.7)。
■电磁场可用矢量位A和标量位φ表示。
由电流 i e 、电荷 e 分布确定的矢量磁位A和标量电位φ
由P156式(7.8)给出。
 由磁流 i m 、磁荷 m 分布确定的矢量电位Ae和标量磁位
φm由P156式(7.9)给出。
■由矢量磁位A、矢量电位Ae和标量电位φ、标量磁位φm
表示的总场由P156式(7.10)和(7.11)给出。
■由微分形式的麦氏方程，可写作积分形式，见式(7.12)
和(7.13)。
■两种媒质分界面上的线电流密度和线磁流密度见式
(7.14)和(7.15)。
由这些公式可看出，由电流量和电荷量表示的一个
公式，就有一个磁流量和磁荷量表示的公式与之对应，
这就是电源量和磁源量公式的对偶关系。
 现在的问题是：假如已知某种分布的电源量(电流ie和
电荷ρe)得到的场公式，能否由这些公式迅速导出由同样
分布的磁源量(磁流im和磁荷ρm)的对偶场公式？或反之行
否？回答是肯定的。例如式(7.6)、(7.7)麦氏方程的频域形
式为
  Ee   j H e ①   Em   j H m  J m ③
  H e  j Ee  J e ②
④   H m  j Em

①式与④式对偶，②式与③式对偶。由以上对偶关系得：
电源量：Ee He Je ε
磁源量：Hm -Em Jm μ
验证：由式②根据对偶关系可得式③；
由式① 根据对偶关系可得式④ 。
由书上式(7.8)和(7.9)则有对偶关系
电源量：ρe ie A φ
磁源量：ρm im Ae φm
因此，电磁对偶关系归纳如下
电源量：Ee He A φ ie ρ e ε μ η
磁源量：Hm -Em Ae φm im ρm μ ε 1/η
这个对偶关系说明：只要已知电流ie、电荷ρe分布产
生的电磁场Ee、He、矢量磁位A和标量电位φ，就可根据
对偶原理迅速求得有相同分布的磁流im和磁荷ρm产生的电
磁场Em、Hm、矢量电位Ae和标量磁位φm。
例：已知电偶极子的远场为
  I l
 E  j sin  e  j r

2 r (7.1)

 H  j I l sin  e  j r
 2 r
可得磁偶极子的远场为
 I ml
 H   j sin e  jr
2 r 
 (7.2)
 E   j I m l sin e  jr
 2 r
实际中，电小环可视为磁偶极子，令：
D 2 2
I ml  j0 IS  j I ( )  j120 IS
2 
 120 2 I S  j r
得 E  sin  e (7.3)
r 2
7.2 巴俾涅原理 (Babinet Principle)
巴俾涅原理是光学中的一个原理，后来被引进电磁
场理论中，用于论述互补屏(理想导电屏和理想导磁屏)的
矢量电磁场问题，如图所示。链接
E m  E i  E sm
图(b)中，有：  (7.4)
H m  H i  H sm
式中，Ei和Hi为电流源Je在y>0空间的直达场，Esm和Hsm
为互补磁屏S在y>0空间的散射场。
E i  E e  E m
由图(c)得巴俾涅公式：  (7.5)
H i  H e  H m
返回
返回1 返回
将式(7.5) 代入式(7.4)可得 链接

E e  E sm
 (7.6)
H e  H sm
这说明，在y<0的空间某点的电流源，通过无限大导电屏
的孔在y>0空间某点的场等于它的互补磁屏面上感应磁流
在同一点产生的散射场的负值。
实际的导磁屏并不存在，常
见的是导电屏的互补，如前图(a)
和右图。在右图中，有
E d  E i  E sd
 (7.7)
H d  H i  H sd
式中， Esd和Hsd是互补导电屏S的散射场。将前页图(b)换
成上图，并利用电磁对偶关系：
链接
 E sm  H sd
 电磁对偶
H sm  E sd
E e  H sd
再由式(7.6)得  (7.8)
H e  E sd
式(7.8)说明了无限大导电平面上洞孔的散射场Ee和
He与互补薄导体片的散射场Esd和Hsd之间的关系。由于电
场Ee与磁场Hsd对应，磁场He与电场Esd对应，则洞孔的电
磁场矢量与互补金属片的电磁场矢量在空间转了90º，即
两者极化方向相差90º，见P158图7-6。
由式(7.8)可以得到巴俾涅原理的一个重要结论：
对缝隙天线问题，可用它们的互补天线来求解。只
要这些互补天线的辐射场解容易得到，缝隙天线辐射场
也就导出来了。
 巴俾涅原理的实质：应用于电磁场理论分析中，对
一个开槽天线的辐射场可由其互补的金属天线来求解。
E 槽＝H 金 ，H 槽＝－E 金 说明开槽天线的电磁场矢量与互补
的金属天线的电磁场矢量在空间极化上相差90º。
7.3 平板开槽天线
1、半波开槽天线
开槽天线是开在薄金属板上的，若金属板较大，则
可看作是无限大导体板，在此板上开一细长缝隙，其长
度为2l，宽度为W，且W<<l，W<<λ，即为理想细缝。
若在缝隙中心处加上电压源V0，则在缝隙口面就形成
垂直于长边的电场分布Es(z)，如下图所示。口面电场近
似为正弦分布：
 V0
ˆ sm sin  (l  | z |)  yˆ sin  (l  | z |)
Es ( z )  yE (7.9)
W
式中，Esm  V0 / W ，磁流线密度为 J m   n  E s 。
磁流为：
I m ( z )  J mW
ˆ 0 sin  (l  | z |)
  zV (7.10)
对这样一个缝隙天线，有
一个互补的振子天线与之对应。
对称振子的辐射电场为：
I dm cos(  l cos )  cos(  l )  j r
Ed  j  e (7.11)
2 r sin 
 设在对称振子电流波腹Idm处的切向磁场为Hdm，由安
培环路定律得
I dm   H dm dl  2 H dmW
式中假设了金属板厚→0，上式代入式(7.11)得
H dmW cos(  l cos )  cos  l  j r
Ed  j  e (7.12)
r sin 
由电磁对偶关系: 电源量 Edθ Hdm η
磁源量 Hsθ -Esm 1/η
可得缝隙天线产生的磁场为
EsmW cos(  l cos )  cos  l  j r
H s   j e (7.13)
 r sin 
缝隙天线产生的电场为
EsmW cos(  l cos )  cos  l  j r
Es   H s  j e (7.14)
r sin 
式中，Esm是缝隙口面上电场腹点值，因是细缝(W<<λ),
在Esm处得电压V0= EsmW。
可见，理想缝隙的方向图与对偶的电振子的方向图
相同，只不过场的极化方向互换而已。
电振子电磁场为： Edθ 、Hdφ
缝隙电磁场为： Hsθ 、Esφ
■缝隙天线的方向图
当为半波缝隙(2l=λ/2)时，缝隙方向图如下图所示。
■缝隙天线的方向图 与对偶的对称振子相同。
■缝隙电压分布 V ( z )  V0 sin  (l  | z |)
■谐振长度 与对称振子一样，有缩短。2l≈λ/2
■缝隙辐射电导Gsr和辐射电阻Rsr
计算如下：
比较式(7.11)和式(7.14)，重写如下
I dm cos(  l cos )  cos(  l )  j r
Ed  j  e (7.11)
2 r sin 
V0 cos(  l cos )  cos  l  j r
Es   H s  j e (7.14)
r sin 
1 | E |2
若要使缝隙与对偶的电振子辐射功率 Pr 
2  s 
ds 相同,
应有：
2V0
I dm  (7.15)

因此，互补电振子的辐射功率为：
1 2 1 2V0 2
Pdr  I dm Rdr  ( ) Rdr (7.16)
2 2 
缝隙天线的辐射功率为：
1 2
Psr  V0 Gsr (7.17)
2
Rdr  2  2
由 Pdr  Psr ，得  Rdr  Rsr  即
Gdr 4 4
2
R金  R缝  (7.18)
4
对半波电振子 Rdr  73
2
则半波缝隙 Rsr   487  500
4 Rdr
■缝隙输入电纳Bs
由书上P33式(2.36)，电振子输入电抗 X in   Z 0ctg  l
4 X in 4
则 Bs   Z 0' ctg  l (7.19)
 2
 2

 2l  W
式中， Z '
0120  
ln( )  1 ， 
  4
由P66则可讨论半波缝的频带宽度。
■有限大金属板上的缝隙
若金属板为有限大，如图所示，此时，理想缝隙在xz
平面(H面)内的辐射方向图基本不变，但xy平面(E面)内的
场将影响很大，见下图(a)和(b)。由于宽度为A的两条边
的绕射，使得xy面内的场方向图不再为一个圆，具体解
法可由几何绕射理论计算。
■缝隙天线的馈电
可由同轴线馈电，见下图。由于半波缝隙在中心点的
输入阻抗约为Rsr≈500Ω，而同轴线特性阻抗较低为：
(50Ω，75Ω)，为了得到良好的匹配，可将馈电接入点偏
离中心，见下图(b)，这样，馈电点的输入阻抗约按
sin2(βs)变化。因此, 若利用50Ω同轴线馈电, 取s=λ/20，则
2 
Zin  500sin  s  500sin (
2 2
s)  500sin ( )  48
2

 10
■加反射腔
为了使平板上缝隙单方向辐射，可以在缝的一侧加
反射腔，如下图所示。
在单侧辐射情况下，其辐射功
率的积分只在半空间进行，积分结
果小一半，而辐射电阻增加一倍，
即Rs≈1000Ω。
证明： 2 Z s  Rs / 2 Rs 2
Zs  Zd   Rd 
4 2 4
对半波振子Rd=73.1Ω
则加反射腔的半波缝隙Rs= 972.15Ω≈1000Ω 。
2、矩形环和圆形环缝隙天线
这两种天线形式见P161图7-13和图7-14。实际制作可
在单面敷铜的印制板上刻制矩形环和圆形环缝隙天线。
求解这样的缝隙环天线的辐射场，可首先求得其互补天
线(金属矩形环和圆环天线)的辐射场，然后由电磁对偶原
理，就可导出对应的缝隙环天线的辐射场。
(1) 矩形环缝隙天线
如图所示。这种缝隙天线如果两长
边缝相距很近，则称之为折合的缝隙天
线，其互补天线为折合振子。由于折合
振子的输入阻抗是单偶极子的4倍，因
此，折合缝隙天线的输入阻抗应为单缝
天线的1/4。 证明如下：
  2
 Z 缝折合  Z 金折合  4 1
 Z 缝折合＝ Z单缝 (7.20)
 2 4
 Z 单缝  Z 单偶 
 4
 Z 金折合  4 Z 单偶


(1) 矩形环缝隙天线
如图所示。如果环的直径较大(周长C=πD≥λ/2), 圆环
缝隙内的口面场分布E(l)不是均匀的，则其磁流也不均
匀 J m (l )  nˆ  E(l ) , 其互补天线金属环上的电流分布也非
均匀, 此时可用矩量法求解. 但对于电小环(C=πD<<λ/2),
缝隙环的互补天线金属环的电场由前面式(7.3)表示，则
可导出缝隙环的Hφ和Eθ。
7.4 波导缝隙天线
是指在波导壁上开细缝而形成有效辐射的天线。可
以在金属硬同轴波导、圆波导、矩形波导壁上开缝。这
里主要介绍在矩形波导壁上开缝，见图P162图7-17。
1、缝隙的主要形式
矩形波导中传输的工作波
型是主模TE10模，开缝的位置
可以在波导的宽壁上，或窄壁
上，如图所示。
如果所开缝隙截断波导内壁
电流，则内壁电流的一部分绕
过缝隙，另一部分以位移电流的形式沿原来方向流过缝
隙，以维持总电流连续，因而缝被激励。
返回
■纵缝：当缝与波导轴线平行时称为纵缝, 如前图中2和3。
■横缝：当缝与波导轴线垂直时称为横缝，如前图中1。
■斜缝：见前图4和5, 既可开在宽壁上, 也可开在侧壁上。
常用的是矩形波导宽壁上开纵缝和斜缝，窄壁上开斜缝。
■辐射单元: 宽壁上纵缝和窄壁上斜缝常用作辐射单元。
■耦合缝: 宽壁上斜缝多用作耦合单元, 也可用作辐射单元。
■纵缝单元方向图，如下图所示：
其H面方向图与无限大导电板上开缝的方向图相同，E面
方向图则为有限大平面上开缝的方向图。

波导宽壁上开横缝(如右图所示)的
E面和H面方向图应该与无限大平面上
开缝的方向图相同，因这种情况波在
棱边上点T和T'的绕射场为零。

为了提高天线的方向性，可按一定规律在波导宽壁
或窄壁上开一系列缝隙，构成缝隙阵。见P165图7-24的
宽壁上横缝阵，P166图7-25的宽壁上纵缝阵和图7-26窄壁
上斜缝阵，阵列单元间距通常根据情况而定。
2、波导缝隙的等效导纳
在波导上开缝隙，由于缝隙切断了波导壁上电流通
路，使缝隙受到激励，将波导内的电磁能量耦合到自由
空间，此时缝隙就成为波导的负载。应用等效传输线的
概念讨论开缝波导的工作状态比较方便。为此，可根据
缝隙处波导壁上的电流，以及附近电场变化的情况把缝
隙等效为传输线上并联导纳或串联阻抗，从而建立起各
种形式波导缝隙的等效电路。
从物理上看，在波导壁上开缝之后，电磁波在波导
中传输的功率分为三部分，一部分从缝隙往外辐射，一
部分反射回来，一部分继续传输。在缝隙附近，波导内
的场结构受到破坏，将激励起高阶模。但高阶模在只能
传输主模的波导中将很快衰落。
 因此，在包含缝隙的一段波导可用一等效网络来等
效，视不同情况，该网络中有串联阻抗或并联导纳。
■缝的辐射电导  Rs 2
  Rd 
由 Zs  Zd   2
 2 4
 (7.21)
 1 R  
2
4
 2Gs d
4
(1) 宽壁开纵缝切断横向电流
使横向电流向两端分流，引起沿传输线方向的纵向
电流突变，故宽壁开纵缝等效于传输线上的并联电导。
(2) 宽壁上开横缝
这主要对电场引起扰动，总电场为波导中原有场与
扰动激发的电场之和，使缝隙两侧的总电场突变，即相
当于电压突变，故宽壁上横向缝相当于传输线上串联一
个阻抗。

(3) 宽壁上开斜缝

(3) 窄壁上开斜缝
3、矩形波导几种缝隙等效电导g(或电阻r)的表示
计算缝隙的等效导纳(或阻抗)有几种方法，其中以
史蒂文森(A.F.Stevenson)方法推导缝隙的等效电导(或电
阻)较为严格，见书上P163～P164的推导。但这种方法只
能计算单个缝隙的电导(或电阻)，不能计算电纳(或电抗)
分量。
波导缝隙等效电导(或等效电阻)一般采用归一化表示，
即
G R
g , r (7.22)
Y0 Z0

Y0和Z0为波导传输线特性阻抗和特性导纳。
① 宽壁上纵缝的归一化等效电导
a g 2  x1 2 
g  2.09 sin ( ) cos ( ) (7.23)
b  a 2g

g 
式中，  为波导波长。
1 ( ) 2

2a

② 窄壁上斜缝的归一化等效电导

2
 
4 
cos( sin  )
1 
g  2 g
g  0.131 sin 1  (7.24)
 a b 
1  ( sin 1 ) 2 
3

  
 g 
③ 宽壁上横缝的归一化等效电阻
g 2  2 2  2  x1
r  0.523( ) cos ( ) cos ( ) (7.25)
 ab 4a a
以上公式是在如下条件下求得的：
■理想导电薄壁，TE10模传输；
■孤立细缝，缝宽W<<l，缝长l≈λ/2，缝隙口面上电场分
布为半个正弦函数。
实际的缝隙有一定宽度W，有一定的壁厚t，窄壁斜
缝有一定切割深度d，由于这些因素的存在，以上的电导
应作一定修正。见P165图7-21，图7-23。
7.5 谐振式缝隙天线
前面已提到，为提高天线的方向性，可在波导宽壁
或窄壁上按一定规律开一系列缝隙，构成波导缝隙阵列。
波导缝隙阵列天线可划分为两种形式：
■ 谐振式缝阵 (驻波阵)；
谐振式缝阵是在一段一端短路的波导或两端短路的
封闭波导腔的宽边或窄边上开若干槽的缝隙阵。由于短
路，在波导中将形成驻波，因此又称为驻波阵。
■ 非谐振式缝阵 (行波阵)；
这种形式的缝阵天线是在一段波导的终端接匹配负
载、始端馈电的矩形波导壁上开若干槽的缝隙阵，缝隙
可开在波导宽壁上，也可开在窄壁上。由于端接匹配负
载，波导中传输的是行波，因此又称为行波阵。
1. 谐振式宽壁纵缝阵
(1) 结构
谐振式宽壁纵缝阵又分
两种形式，一种是一端馈电，
一端短路的缝阵，如图(b)所
示；一种是两端短路采用同
轴探针馈电或下层波导耦合缝馈电的缝阵，如图(a)所示。
在上图所示缝阵的波导中 ，激励起的是全驻波。为
了使能量有效地辐射出去，纵缝应开在驻波腹点位置，
即两端靠近短路板的缝中心距短路板λg/4，两相邻缝的间
距应为λg/2。这种间距为λg/2的纵缝阵，为了使各缝同相
激励，应交错排列在宽壁中心线的两侧，使阵列中各单
元切割的是波导壁上同方向的电流线。 链接
(2) 非均匀激励工作原理
调整缝隙与波导宽壁中心线的距离，可改变其等效
归一化电导(书上P164式7.42)，即改变缝隙激励幅度。
①当偏心距x1=0，即缝开在波导宽壁中心线上，此时的
缝基本不切割电流线，其归一化电导为零，这种缝不受
激励，无能量辐射；
②当所有缝与波导宽壁中心线距离相同，则为等幅同相
激励，其远区辐射方向图类似于均匀直线阵，其副瓣电
平SLL=－13.5dB；
③在实际应用中，往往希望获得低副瓣(SLL<-25dB)方向
图。要实现低副瓣要求，常采用各单元不等幅激励，如
果各单元激励幅度分布满足某种泰勒分布如下图所示，
则要实现低副瓣是完全可能的。
 要实现不等幅激励，对波导宽壁纵缝阵列来说是十
分容易的，只需调整每个缝隙的偏心距x1即可。
(3) 阵列方向图函数计算
缝阵方向图是单元方向图与阵因子的乘积。
■单元方向图
先求其互补半波振子的辐射场Eθ，然后由巴俾涅原
理和电磁对偶原理求得半波缝隙的辐射场Hθ和Eφ，即可
导出单元方向图函数。
■阵因子
如果是近似估算，则直接用直线阵因子的求法，考
虑不等幅因素即可。精确一点，则应考虑阵列中各单元
交错排列的位置，用求平面阵辐射场的方法导出一根波
导缝隙阵的辐射场，从而导出阵因子。
一根波导纵缝阵的总场方向图函数求得之后，多根
波导纵缝阵的总方向图函数也容易确定。
(4) 设计初步—确定各缝偏心距x1m
设: ●Usm为第m个缝隙激励电压幅度(不等幅激励)；
●各缝宽W和缝长l≈λ/2均相同，即各缝辐射电导Gs均
相等；
●窄缝W<<l 。
 1 2
第m个缝的辐射功率为 Pm  U smGs
2
N
1 N 2
N个缝的总辐射功率为 PT   Pm  U smGs
m 1 2 m1
2
由此二式可得 P U (7.26)
m
 N sm
 sm
PT 2
U
m 1

另一方面，由如图传输线
等效电路可得
1 2 
Pm  U g m 
2  Pm gm gm
  N  (7.27)
1 N 2 
PT   U g m  gm
PT gin
2 m 1  m 1

返回
 N

式中，gin   g m 为总输入电导。由式(7.26)和式(7.27)得：
m 1 2
U sm
g m  gin N (7.28)
 sm
U 2

m 1

若为一端馈电，一端短路的波导宽壁纵缝阵，可取gin=1,
则 2
U sm
gm  N

 sm
U 2

m 1

如果已知阵列中各单元激励幅度Usm，则由书上式(7.42)
就可确定x1m，过程如下：
Usm gm即g(x1) x1。

连接
2. 谐振式宽壁横缝阵
如下图所示, 各缝中心在宽壁中心线上, 缝长l≈λ/2, 为
了达到同相激励各缝间距应为λg，这种缝隙阵天线一般为
等幅同相激励，即各缝电导相同。因此副瓣电平高，由
于缝间距为一个波导波长, 会出现栅瓣λg>λ，与宽壁纵缝
阵相比，在缝隙数相同的情况下，阵列要长一些，这种
缝阵天线很少投入实用。

实用中也可采用谐振式窄边斜缝阵。
7.6 非谐振式缝隙天线
又称为行波缝阵，如图所
示。这种形式的缝阵天线是在
一根终端接匹配负载的矩形波
导壁上开缝隙，缝隙可开在波
导宽壁上，也可开在窄壁上。
由于端接匹配负载，波导中传
输的是行波。缝隙还是谐振缝
隙，即缝长为l≈λ/2，但缝间距
不再恰好为λg和λg/2。
由于波导中传输的是行波，相邻两缝间总存在一个
相位差，即不再是同相激励。因此导致行波缝阵的最大
辐射方向不再是正侧向，而有一个偏角φm，如下图所示。
 在xz平面内，缝阵的阵因子为：
N N
F   an e   a n e jn 
j(  d cos   g d ) n  jn
(7.29)
n 1 n 1

式中，   d sin    g d   (7.30)

其第一项为空间相差；第二
项为馈电相差；第三项为由
于交错开缝而引起的相差。
为了使各缝的辐射在φm
方向同相迭加，则有
2 2
d sin  m  d    2m , m  0, 1, 2, (7.31)
 g
 
当m=0 得： sin  m   (7.32)
g 2d
若间距d=0.56λg ，sinφm=0.107λ/ λg，φm=4º~ 5º。
上式说明，行波缝隙阵的最大指向将随频率变化而
改变，这称为频率扫描。行波缝阵的设计初步见P167。
■谐振式缝隙天线的特点
①由于是同相馈电，因此是侧射阵，其最大辐射方向为
缝隙阵面的法线方向。
②由于是驻波阵，其频带窄，而且缝隙愈多，频带愈窄。
③波导内电场最大值位于缝中心，使缝得到有效激励。
这类缝阵天线常用于机载火控、气象、导航、导弹引
信和寻的等。
■非谐振式缝隙天线的特点
①非谐振式缝隙天线，单元间距可以大于或小于λg/2 ，波
导末端接匹配负载。
②由于波导内为行波，两缝间有馈电相位差，使得波束
指向不在阵列法线方向上，当间距大于λg/2时，波束偏向
负载方向，小于λg/2时，则偏向输入端方向，具有频率扫
描特性。
③匹配负载吸收功率为输入功率的5﹪～10﹪，在很宽的
范围内驻波<1.2。
这类缝阵天线常用于舰载、船载、海港的港管雷达等。