Infineon FF300R12ME4 DS v03 - 01 EN

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF300R12ME4
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC
VCES = 1200V
IC nom = 300A / ICRM = 600A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Motorantriebe • MotorDrives
• Servoumrichter • ServoDrives
• USV-Systeme • UPSSystems
• Windgeneratoren • WindTurbines
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
• Tvjop=150°C • Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Standardgehäuse • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK revision:3.1 ULapproved(E83335)
1
IGBT-Module
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 300 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 450 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 600 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1600 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,75 2,10 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,00 V
IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,05 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 2,25 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 2,5 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 18,5 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 3,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 300 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,17 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,18 µs
RGon = 1,3 Ω Tvj = 150°C 0,19 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 300 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,05 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGon = 1,3 Ω Tvj = 150°C 0,05 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 300 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,45 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,56 µs
RGoff = 1,3 Ω Tvj = 150°C 0,60 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 300 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,11 µs
RGoff = 1,3 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C 9,90 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 6050 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 17,0 mJ
RGon = 1,3 Ω Tvj = 150°C 19,5 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C 25,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 37,5 mJ
RGoff = 1,3 Ω Tvj = 150°C 42,0 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 1200 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,094 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,03 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
approvedby:MK revision:3.1
2
IGBT-Module
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 300 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 600 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 19000 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 15500 A²s

Durchlassspannung IF = 300 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,10 V
Forwardvoltage IF = 300 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 300 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 300 A, - diF/dt = 6050 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 335 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 390 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 410 A
Sperrverzögerungsladung IF = 300 A, - diF/dt = 6050 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 30,5 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 58,0 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 67,0 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 300 A, - diF/dt = 6050 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 19,0 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 29,5 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 34,5 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,15 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,046 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
3
IGBT-Module
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 14,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 13,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 12,5
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,009 K/W
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,20 mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 345 g
Weight
4
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
600 600
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
500 500 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
400 400
IC [A]
IC [A]
300 300
200 200
100 100
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=1.3Ω,RGoff=1.3Ω,VCE=600V
600 90
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C 80 Eoff, Tvj = 125°C
500 Eoff, Tvj = 150°C
70
400 60
50
E [mJ]
IC [A]
300
40
200 30
20
100
10
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 100 200 300 400 500 600
VGE [V] IC [A]
5
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=600V
140 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eon, Tvj = 150°C
120 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
100
0,1
80
ZthJC [K/W]
E [mJ]
60
0,01
40
20 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,00582 0,03201 0,03104 0,02813
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0 0,001
0 2 4 6 8 10 12 14 16 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.3Ω,Tvj=150°C
700 600
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip Tvj = 125°C
600 Tvj = 150°C
500
500
400
400
IC [A]
IF [A]
300
300
200
200
100
100
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]
6
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=1.3Ω,VCE=600V IF=300A,VCE=600V
50 40
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
45 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
35
40
30
35
25
30
E [mJ]
E [mJ]
25 20
20
15
15
10
10
5
5
0 0
0 100 200 300 400 500 600 0 2 4 6 8 10 12 14 16
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)
1 100000
ZthJC : Diode Rtyp
0,1 10000
ZthJC [K/W]
R[Ω]
0,01 1000
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,009 0,0495 0,048 0,0435
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [°C]
7
IGBT-Module
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
8
IGBT-Module
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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