‫پالسما تحت خال‬

‫درس پالسما شیمی‬

‫‪Dr.Mohammad Reza Khani‬‬

 ‫فهرست‬

‫ سیستم های تحت خال پالسمایی‬

‫ سختی سازی‬
)Implantation( ‫– کربوراسیون‬
)Implantation(‫– نیتریداسیون‬
)Implantation(‫– بورایدینگ‬
(PVD) Sputring 
PECVD 
Etching 
Plasma spray 
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
‫سیستم های تحت خال پالسمایی‬
 Overview of gas discharge plasmas

Capacitively coupled (cc) radio-frequency (RF) discharges

Self-bias or d.c.-bias

The self-bias or d.c.-bias is formed (i) when both electrodes differ in size, and (ii)
when the electrode is non-conductive (because it then acts as a capacitor).

When a certain voltage (assuming for simplicity a square wave) is

applied over the capacitor formed by the electrodes, the voltage over the
plasma will initially have the same value as the applied voltage.
 Overview of gas discharge plasmas
Capacitively coupled (cc) radio-frequency (RF) discharges
Self-bias or d.c.-bias

When the applied voltage is initially positive, as in Fig., the electrons will be
accelerated toward the electrode. Hence, the capacitor will be rapidly charged up by
the electron current, and the voltage over the plasma will drop. When the applied
potential changes polarity after one half-cycle, the voltage over the plasma changes
with the same amount (i.e. twice the amplitude of the applied voltage). The
capacitor will now be charged up by the ion current, and the voltage over the plasma
will, therefore, drop as well, but this second drop is less pronounced, because of the
much lower mobility (due to the higher mass) of the ions, and hence, the lower ion
flux. At the next half-cycle, the applied potential, and hence also the voltage over
the plasma, again changes polarity. The voltage over the plasma drops again more
rapidly, because the capacitor is again charged up by the electron flux. This process
repeats itself, until the capacitor is finally sufficiently negatively charged so that the
ion and electron fluxes, integrated over one rf cycle, are equal to each other. This
results in a time-averaged negative d.c. bias at the rf-powered electrode (see dashed
line in Fig. 3). It should be mentioned that the same phenomenon happens at the
grounded electrode, but the effect is much smaller.
 ‫سختی سازی‬
‫فرآیند سختي سازي سطح با روشهاي بسيار متعدد و بر روي انواع مختلف مواد به كار ميرود ‪.‬این فرآیند براي‬ ‫•‬
‫افزایش سختي و مقاومت به سایش سطح مواد بدون تغيير خواص حجمي ماده از جمله نرمي‪،‬‬
‫انعطافپذيري و مقاومت در برابر شكستي آن به كار ميرود ‪.‬به عنوان مثال سختيسازي سطحي فوالد‬
‫نسبت به سختي سازي كل حجم فوالد مزیتهایي دارد كه عبارت است از ‪:‬هزینه كم‪ ،‬مقاومت در برابر شكست‪،‬‬
‫مقاومت در برابر تركخوردن و انعطافپذیري در برابر شكلگيري‪.‬‬
‫روشهاي مختلف سختيسازي سطح را ميتوان به سه گروه تقسيم بندي كرد‪:‬‬ ‫•‬
‫‪-‬روشهاي نفوذي ترموشيميایي كه با نفوذ ذرات سختكننده از قبيل كربن‪ ،‬نيتروژن و بور تركيب شيميایي‬ ‫•‬
‫سطح ماده تغيير ميكند‪.‬‬
‫‪-‬روشهاي حرارتي یا اعمال انرژي كه تركيب شيميایي سطح تغيير نميكند ولي با تغيير متالورژیكي سطح‪،‬‬ ‫•‬
‫خواص سطحي آن تقویت ميگردد ‪.‬با این روش ميتوان بدون افزودن مادهاي به سطح قطعه‪ ،‬سطح سخت اطفا‬
‫شده ایجاد كرد ‪.‬‬
‫‪-‬روشهاي پوششدهي سطح كه یك الیه سخت مجزا بر روي سطح قطعه ایجاد ميكند‪.‬‬ ‫•‬
 ‫سختی سازی‬
‫روشهاي نفوذي سختي‌سازي سطح‬
‫• در این روشها عنصر سخت‌كننده (كربن‪ ،‬نيتروژن و یا بور) جزئي از ماده اوليه به حالت مایع‪ ،‬گاز و یا یون (پالسما)‬
‫مي‌باشد‪ .‬این روشها اغلب براي سختي‌سازي سطح آلياژهاي فلزي به ویژه آلياژهاي مختلف فوالد به كار مي‌روند‪.‬‬
‫روشهاي مختلف این دسته‪ ،‬عمق نفوذ و ميزان سختي متفاوتي ایجاد مي‌كنند كه بسته به نوع كاربرد مورد نظر مورد‬
‫استفاده قرار مي‌گيرند‪.‬‬
‫‪ .1‬كربوراسيون‬
‫این فرآیند كه به طور معمول براي سختي‌سازي سطح فوالد از طریق افزودن كربن به سطح فوالدهاي كم كربن در دماهاي‬
‫آستنيتي (به طور كلي بين ‪ ٨٥٠‬و ‪ ٩٥٠‬درجه سلسيوس) به كار مي‌رود‪ .‬در این فاز فوالد قابليت حل شدن كربن باال و‬
‫ساختار كریستالي پایداري دارد‪.‬‬
‫‪ .2‬نيتراسيون‬
‫این فرآیند مشابه فرآیند كربوراسيون است كه در آن نيتروژن به سطح فلز نفوذ مي‌كند‪ .‬این روش معموالً به جهت افزايش‬
‫مقاومت به خوردگي و سايش به كار مي‌رود كه البته موجب افزایش سختي‌سازي سطح نيز مي‌گردد‪ .‬به منظور‬
‫سختي‌سازي سطح‪ ،‬این روش معموالً براي سخت كردن سطح فلزات آهني به كار مي‌رود‪ .‬بر خالف فرآیند كربوراسيون‪ ،‬در‬
‫فرآیند نيتراسيون‪ ،‬نيتروژن در دماي بين‌ْ‪ ٥٠‬تا‌ْ‪ ٥٥٠‬درجه سليوس به سطح فلز نفوذ داده مي‌شود‪.‬‬
‫‪ .3‬بورايدينگ‬
‫بورادینگ یك فرآیند ترمومكانيكي براي سختي‌سازي سطح است كه براي انواع مختلف فلزات فریتي‪ ،‬غير فریتي و سراميكي‬
‫به كار ميرود‪ .‬فرآیند بورایدنيگ به طور گستردهاي براي سخت كردن سطح فوالدهاي تندبر به كار مي‌رود‪ .‬اغلب این فرآیند‬
‫بعد از یك مرحله فرآیند سختيسازي از طریق عمليات حرارتي صورت مي‌گيرد‪ .‬الیه بوراید شده به ضخامت ‪ ١٢‬تا ‪١٥‬‬
‫ميكرومتر‪ ،‬سختي و همچنين مقاومت به سایش مطلوبي ایجاد مي‌كنند‪.‬‬
‫فرآیند بورایدینگ به طور سنتي به روشهاي حرارتي و در دماي ‪ ٥٩٠‬تا ‪ 1٠٩٠‬درجه سلسيوس صورت مي‌گيرد به طوري كه‬
‫با افزایش دما مي‌توان به آهنگ بورادینگ بيشتري دست یافت‪ ،‬ولي در این حالت به علت افزايش دما‪ ،‬اليه سطحي توليد‬
‫شده تنش زيادي داشته و اغلب دچار اعوجاج مي‌شود و بنابراین قطعاتي كه در دماي باالي‌تري تحت فرآیند بورادینگ‬
‫قرار مي‌گيرند طول عمر كمتري دارند‪.‬‬
 Implantation
Plasma

+
+ + Sheath
+
+ region
Typical parameters
Gas: BF3, AsH3, (Si Doping)
N2, O2 (Metal hardening)
Pressure: ~10 mT
Plasma density: ~109 - 1010 cm-3
Electron Temperature: ~5-15 eV
Ions are accelerated(Typically in a pulsed mode)

Upon impact, they drive deep into the cathode, where they are trapped

These implanted ions change the surface structure

This results in a change of the surface characteristics (Hardness, friction, wear

resistance, etc)
 ‫كربوراسيون پالسمایی‬

‫این فرآیند اساساً یك فرآیند تخليه الكتریكي تابان در شرایط خأل است كه در آن یك گاز شامل كربن تحت‬ ‫•‬
‫تخليه الكتریكي‪ ،‬یونيزه شده و یون‌هاي كربن توليد مي‌شود‪ .‬یون‌هاي كربن پر انرژي توليد شده به سطح فلز‬
‫(معموالً فوالد) برخورد كرده و به درون آن نفوذ مي‌كنند‪ .‬این روش نسبت به روشهاي دیگر كربوراسيون از قبيل‬
‫كربوراسيون گازي و خأل آهنگ كربوراسيون بيشتري دارد و یون‌هاي فعال كربن كه قابليت حل شدن در فوالد را‬
‫داشته باشند به این روش به راحتي توليد مي‌شوند‪ .‬به عنوان مثال یون‌هاي فعال و پرانرژي كربن مي‌تواند‬
‫مستقيماً از تجزيه مولكول‌هاي گاز متان توليد شوند‪.‬‬
‫یكي از مزیت‌هاي این روش این است كه در دماي پايين بازدهي كربوراسيون باالست و همچنين به علت‬ ‫•‬
‫خأل بودن شرايط فرآيند و نبود اكسيژن در محيط واكنش مي‌توان دماي واكنش را افزايش داد و به‬
‫اين ترتيب آهنگ كربوراسيون و عمق نفوذ بيشتري هم نسبت به كربوراسيون گازي و هم كربوراسيون در‬
‫خأل توليد كرد‪.‬‬
‫مزيت ها‬ ‫•‬
‫افزایش یكنواختي پوسته‬ ‫•‬
‫نفوذ در حفره مسدود‬ ‫•‬
‫حساسيت نداشتن به تركيب فوالد‬ ‫•‬
‫هيچ خطر آتش سوزي‪ ،‬انفجار و گازهاي سمي و خورنده وجود ندارد‬ ‫•‬
‫ماسك گذاري‬ ‫•‬
 Schematic of Plasma Carburizing
Unit
• Work piece is heated up to
process temperature by an
external heater in a vacuum
furnace.
• Methane or propane is
introduced into the furnace
to a pressure 2 to 3 torr.
• A DC voltage is applied
between the work piece or
cathode and a glow
discharge is generated

http://www.ndkinc.co.jp/ndke04.html
 Carburizing
• Plasma primarily assists in the mass transfer of
carbon atoms to the surface of the sample.
• Carburizing of steel has been done using
hydrocarbons gas at 1-20 torr in a DC discharge.
This process required extra heat treatment of the part
at 1050°C
• Plasma treatment is conducted for a short period of
time. A longer heating time is need in order to
diffuse carbon into steel.

Grill. A., “Cold Plasma Fabrication:Form Fundamentals to Applications”, Wiley-IEEE Press,

March 2001
Carburizing Process Units

http://www.ndkinc.co.jp/ndke04.html
 ‫نيتراسيون پالسمایی‬

‫با استفاده از این روش مشابه روشهاي دیگر نيتراسيون ميتوان خواص سطحي نظير مقاومت به سایش‪ ،‬و‬ ‫•‬
‫مقاومت به خوردگي و همچنين سختي را افزایش داده و عالوه بر این موارد نيتراسيون با این روش موجب افزایش‬
‫مقاومت به خستگي و كاهش ضریب اصطكاك نيز ميگردد ‪.‬عمليات نيتراسيون پالسمایي به طور معمول در یك‬
‫محفظة خأل و در شرایط تخليه الكتریكي تابان صورت ميگيرد كه در طي آنهالهاي از پالسما در اطراف قطعات‬
‫پوشانده شده كه این پالسما از یونيزه شدن تركيب گاز نيتروژن دار ایجاد ميشود ‪.‬در اثر این فرآیند اتمهاي‬
‫نيتروژن به سطح قطعات نفوذ كرده و یك الیه نيتریدي یكنواخت در كل سطح قطعات كه در معرض پالسما قرار‬
‫دارند‪ ،‬ایجاد ميگردد ‪.‬در این روش از طریق كنترل پارامترهاي مختلف فرآیند از قبيل دما‪ ،‬فشا‪ ،‬توان‪ ،‬زمان و‬
‫تركيب و نوع گاز ميتوان زیرساختارهاي متالورژیكي مناسب را در جهت نيل به خواص مورد نياز ایجاد نمود ‪.‬‬
 ‫نيتراسيون پالسمایی‬

‫• الیة‌سطحي‌توليد‌شده‌معموال بسته‌به‌جنس‌قطعه‌تحت‌پردازش‪‌،‬الیه‌سفيد‌و‌نفوذي‌شامل‌تركيبات‌بين‌فلزي‌‬
‫آهن‌و‌نيتروژن‌و‌نيز‌نيتریدهاي‌آلياژي‌ميباشد‌كه‌با‌كنترل‌پارامترهاي‌فرآیند‌همچنين‌ضخامت‌این‌الیهها‌را‌‬
‫نيز‌كنترل‌كرد ‪.‬به‌این‌روش‌ميتوان‌به‌راحتي‌به‌عمق‌نيتراسيون‌تا ‪ 6/0‬ميليمتر‌دست‌یافت ‪.‬‬
‫• انواع‌مواد‌با‌قابليت‌انجام‌فرآیند‌نيتراسيون‌پالسمایي‌بر‌روي‌آنها‬
‫• انواع‌مختلف‌فوالدهاي‌آلياژي‌شامل‌كروم‪‌،‬آلومينيوم‪‌،‬موليبدنيم‪‌،‬وانادیم‪‌،‬تنگستن‌و‌تيتانيوم‪.‬‬
‫• فوالدهاي نيتریده‬
‫• فوالدهاي كربني‬
‫• فوالدهاي ضد زنگ‬
‫• فوالدهاي ابزار‬
‫• فوالدهاي ریخته گري‬
‫• انواع چدن‬
‫• آلياژهاي مختلف آلومينيوم‬
‫آلياژهاي مختلف تيتانيوم •‬
 ‫کاربردهای نیتراسیون پالسمایی‬

‫‪ -‬انواع‌چرخ‌دنده‪‌،‬قطعات‌خودرو‌نظير‌ميل‌لنگ‪‌،‬ميل‌بادامك‪‌،‬ميل‌سوپاپ‪‌،‬دنده‪‌،‬انواع‌شافت‌و‪...‬‬
‫‪ -‬انواع‌ابزارهاي‌فوالدي‌نظير‌مته‪‌،‬تيغ‌اره‪‌،‬سنبه‌الكستروژن‌و‌سوراخ‌كاري‪‌،‬ابزارهاي‌برشي‌تند بر‌‬
‫نظيرهاب‪‌،‬شيپر‌ابزار‌برشي و‌تيغه‌فرز‪‌.‬‬
‫‪ -‬قالب¬هاي‌الكستروژن‌آلومينيوم‪‌،‬قالبهاي‌تزریق‌و‌ریخته‌گري‌تحت‌فشار‪‌،‬قالبهاي‌فورج‌و‌قالبهاي‌‬
‫نورد‌پيچ‪‌،‬قالبهاي‌پانچ‬
‫‪ -‬قطعات‌متالورژي‌پودر‬
‫‪ -‬انواع‌فنر‌‬
‫‪ -‬قطعات‌پمپ‌و‌انواع‌شيرها‌‬
‫‪ -‬شافتهاي‌هرز‌گرد‌‬
‫‪ -‬اجزا‌موتورهاي‌تزریق‌سوخت‪‌،‬حلزونيهاي‌الكتروژن‌پالستيك‪‌،‬نازلها‌‬
‫‪ -‬قطعات‌مورد‌استفاده‌در‌صنایع‌هوافضا‬
‫‪ -‬قطعات‌مورد‌استفاده‌در‌صنایع‌نفت‌و‌گاز‬
‫‪ -‬قطعات‌مورد‌استفاده‌در‌صنایع‌دریانوردي‌و‌مورد‌استفاده‌در‌محيطهاي‌آبي‬
‫‪ -‬قطعات‌كاشتني‌در‌بدن‬
‫‪ -‬ابزار‌جراحي‌و‌پزشكي‌‬
 Plasma Nitriding Process
• Low pressure plasma
process
– Vacuum filled with H2 and N2
at pressure between 0.1 to 10
torr, with a large DC voltage
between the work space as
the cathode and furnace as
the anode
– DC glow discharge ionizes
the gas an ion hit the work
surface and ion nitriding
happens.

http://www.ndkinc.co.jp/ndke03.html
 Properties of Plasma Nitrated Surfaces
• Improvement in surface hardening
• Greater wear resistance
• Longer fatigue life
• Corrosion Resistance
• Process can be applied to wide variety of metal.
– Cast Iron
– Stainless Steel
– Titanium
• Plasma treatment is preferred over conventional
treatment because if reduces the treatment time.

Grill. A., “Cold Plasma Fabrication:Form Fundamentals to Applications”, Wiley-IEEE

Press, March 2001
Plasma Nitriding Systems

http://www.ndkinc.co.jp/ndke03.html
‫مقایسهی سطحی که تحت پردازش نیتراسیون پالسمایی قرار گرفته و سطح بدون پردازش‬
PVD(Physical Vapor Deposition) Process
Sputtering
 Sputtering
Deposited
layer n
Plasma
n
n + Typical parameters
+ + Sheath
+ Gas: Ar, N2, O2 (reactive)
+ n region Pressure: ~100 mT
Plasma density: ~109 - 1010 cm-3
Electron Temperature: ~5-15 eV

Ions are accelerated into target

Some of the surface atoms are sputtered off of the target.

These sputtered atoms “flow” across the chamber to where they are deposited
 Sputtering
 Momentum transfer will dislodge surface atom off
 About 70% energy converts to heat
 About 25% energy generates secondary electrons
 Secondary electrons ionize Ar
 Sputtering Magnetrons (Magnetized
cold cathodes)
Substrate

Sputtered Material
Sheath Ions e-
-300 to -1000V

S N S

The sputtering process

Ions accelerated across sheath to surface
material sputtered
secondary electrons produced

The plasma source

Secondary, created by ion bombardment of the cathode
are trapped between the sheath and B field and produce more ions
DC Magnets Sputtering
 Convention PVD (DC Plasma)
 Target (Metal source)
 Plasma
 Gas
 Pump
 Pedestal
 Convention PVD Process
 Ion generated & toward a target
 Atoms sputter from target
 Sputtered atoms traverse to substrate
 Condense -V
 Nucleated
 Form a film

Pedestal
Film Growth Overview
 Formation of isolated nuclei
 Island formation
 Formation continuous film grain boundaries
 Grain growth
DC Plasma PVD
 Aspect Ratio (h/w)
 Step Coverage

h SiO2
What is RF ?

 AC frequencies

audio RF microwave

20 kHz 300 MHz

Why need to use AC Plasma ?
 Step Coverage Ration
DC Biasing of RF
 RF power couples through the wafer like a capacitor
 On-average, the wafer is biased negative (attracts ions)
AC Capacitive Discharge
Bias Effect
 RF Power
 Forward Power
 Power from RF generator

 Reflected Power
 Power return to RF generator

 Load Power
 Power consumed by load

Direction Coupler
 Impedance (Z)
 Made up of two parts
 Resistance
 Reactance (Capacitive & Inductive)

 Most RF generator are designed to operate into a 50 

load
 Plasma impedance ZL dependent on Power
 Gas pressure and chemistry
 Power level and frequency
 Chamber materials and geometry’s
 Maximum Power Theorem
 Maximum power when ZS = ZL
 RF generator ZS = (50  j0)
 ZS  ZL  Reflected power increased
 RF tuner is required to transform ZS = ZL
 RF Matching Network
 Manual match
 Auto match
 Air capacitor (for low power / fast response)
 Vacuum capacitor (for high power / low response)

 Fixed match
 The most fast response / acceptable reflected power at certain VSWR

 Switching match (fast response)

Chemical Vapor Deposition (CVD)
 APCVD Reactor
• Advantages:
– High throughput
– Good uniformity
– Handle large wafers

• Disadvantages:
– Fast gas flows
– Needs frequent cleaning

http://www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/Fundamentals_of_CVD.html
 LPCVD Reactor
• Advantages:
– Excellent uniformity
– Large load size
– Hold large wafers

• Disadvantages:
– Low deposition rates
– Toxic, corrosive or
flammable gases
http://www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/Fundamentals_of_CVD.html
 Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition
(PCVD)
Plasma

radicals + + Sheath Typical parameters

Gas: SiH4 [Silane], for a-Si
region SiH4/O2, for SiO2
Si(OC2H5)4[TEOS]/O2 [1%/99%]
Pressure: ~200 -1000 mT
Temperature: 100-800°C
Substrate Plasma density: ~107 - 109 cm-3
Electron Temperature: ~5-10 eV
Radicals produced in the plasma and the supplied feed gas
drift to the surface

The radicals do not chemically react with the substrate

Instead the radicals combine to form stable chemicals (Solids!)

Ions accelerated across the sheath deliver energy that tends to

“cross-link” these chemical bonds

Growth pattern is very complex

 PECVD Reactor
• 50 kHz ∼ 13.56 MHz power source

• Vacuum: 0.1~5 torr

• Advantages:
– Low deposition temperature
– Low power source

• Disadvantages:
– Limited capacity
– Individual wafer loading
– Easily contaminated

http://www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/Fundamentals_of_CVD.html
 Why PECVD? (1)
film precursors Thermal Plasma-
deposition enhanced
encourage
deposition at
Silicon SiH4 or 750 C 200-500 C much lower
nitride SiH2Cl2 and
NH3 temperatures and
Silicon SiH4 and O2 350-550 C 200-400 C
pressures than
dioxide [or often N2O] would be required
TEOS and O2 700-900 C 300-500 C
for thermal CVD.
Amorphous SiH4 550-650 C 200-400 C
silicon

TEOS = tetraethyl orthosilicate, Si(OC2H5)4

http://www.batnet.com/enigmatics/semiconductor_processing/CVD_Fundamentals/plasmas/plasma_deposition.ht
ml
 Why PECVD? (2)
• The second reason to use plasma deposition is that surfaces exposed to a
plasma are subject to bombardment by energetic ions, whose kinetic
energy can vary from a few eV to 100's of electron volts.

• Ion bombardment of this nature has very significant effects on the

properties of the deposited film. Increasing ion bombardment tends to
make films denser and cause the film stress to become more
compressive

http://www.timedomaincvd.com/CVD_Fundamentals/plasmas/plasma_deposition.ht
ml
 Why PECVD? (3)
• A final important benefit of plasma deposition is the ability
to easily clean the reactor. For example, by introducing a
fluorine-containing gas (e.g. CF4) and igniting a plasma, one
can clean silicon, silicon nitride, or silicon dioxide from the
electrodes and chamber walls.

• Chamber cleaning is of great practical importance; thick films

built up on the parts of a chamber may create particles which
can fall onto the substrates and cause defects in circuit
patterns in semiconductor
 Disadvantages of PECVD
• Limited capacity :
PECVD systems require wafers to lie flat on the
bottom wafer. Only one wafer side can be coated at a
time unlike LPCVD (wafers loaded vertically). PECVD
can coat 1~4 wafers at one time whereas LPCVD can
coat up to 25 wafers
 Deposition of Organic Film
 Plasma Polymerization

Deposition of Inorganic Film

• Amorphous Hydrogenated Silicon (a-Si:H)
• Silicon Dioxide (SiO2)
• Silicon Nitride (SiN)
• Silicon Carbide (SiC)
• Poly Silicon (poly-Si)
• Diamond Like Carbon (DLC)

Alfred Grill, Cold Plasma in Materials Fabrication, IEEE press

 Plasma Polymerization
• characteristics
- excellent coating adhesion on almost all substrates
- chemical, mechanical and thermal stability
- high chemical barrier effect

• Applications
- scratch resistant coatings
- corrosion protection
- anti-bonding, anti-soiling coatings
- barrier layers

http://www.vergason.com/pdfDocs/VTI%20papers,%20Plasma%20Polymerization,
%20Theo.&%20Prac..pdf
 Deposition of Inorganic Film
• Diamond Like Carbon (DLC) capping
material which exhibits radiation-hardening characteristics.
devices developed for the military
• Amorphous Silicon (A-Si) production of solar cells
• Poly Silicon (poly-Si) Silicon Nitride (SiN) A-Si and poly-Si are
conductive and depending upon their quantities having
varying conductive properties

http://www.plasmaequip.com/WHAT%20IS%20PECVD.pdf
Deposition Processes
Summary
 Plasma-Based Processes

• Implantation (1)
• Sputtering(2)
• Etching (3)
• Deposition
– Physical (4)
– Chemical (5,6)
• Others
– Arc evaporation
– e-beam
ETCHING
 Introduction
• After a thin film is deposited, it is usually etched to remove unwanted
materials and leave only the desired pattern on the wafer
• The process is done many times
• In addition to deposited films, sometimes we also need to etch the Si
wafer to create trenches (especially in MEMS)
• The masking layer may be photoresist, SiO2 or Si3N4
• The etch is usually done until another layer of a different material is
reached
Introduction
 Introduction
• Etching can be done “wet” or “dry”
• Wet etching
– uses liquid etchants
– Wafer is immersed in the liquid
– Process is mostly chemical
 Introduction
• Etch directionality is a measure of the etch
rate in different directions (usually vertical
versus lateral)
Why plasma etching
Why plasma etching
 Plasma Etching

• Etching gases include halide-containing species such as CF4, SiF6, Cl2, and HBr,
plus additives such as O2, H2 and Ar. O2 by itself is used to etch photoresist.
Pressure = 1 mtorr to 1 torr.

• Typical reactions and species present in a plasma used are shown above.
 (i) Chemical Etching

Etchant (free radical) creation

e- +
• Etching done by reactive neutral species,
such as “free radicals” (e.g. F, CF3)
Etchant Byproduct
transfer removal

e   CF4  CF3  F  e 
Mask
Etchant
adsorption Etchant/film
Film
reaction
4F  Si  SiF4

• Additives like O2 can be used which react

Reactive neutral species with CF3 and reduce CF3 + F recombination.

 higher etch rate.

Mask • These processes are purely chemical and are

therefore isotropic and selective, like wet
Film etching.

• Generally characterized by cos  (n=1)

n

arrival angle and low sticking coefficient

(Sc ≈ 0.01).
Why plasma etching
plasma spray
• Thermal spray is NOT a welding process

• Thermal spray coatings are a melted, or

softened ceramic, metallic, or polymer
materials are transported by a gas stream to a
properly prepared substrate
Substrate

Material Feedstock Heat Source Accelerated

Droplet

Or

Coating
 Thermal Spray Materials
• Metal
• Polymer
• Ceramic
• Semiconductor
Flame spraying

- flame temperature:
• acetylene/oxygen 3160 ºC;
• propane/oxygen 2850 ºC;
• hydrogen/oxygen 2660 ºC.

- sprayed materials:
• wire: metals and metal alloys;
• powder: pure metals, alloys, oxides,
cermets,
composite powders.

75
Arc spraying

• temperature inside the arc: 6500 ºC;

• voltage 18 – 40 V, current 50 – 150 A;
• sprayed materials: electroconductive alloys,
ceramics can be deposited, when using core wires.

76
Laser cladding

• virtually all metal alloys, cermets and

ceramics.

77
High-velocity oxy fuel spraying (HVOF)

• gas temperature: 3000 ºC;

• sprayed materials: virtually all existing
materials, in practice mostly carbide/metal
and carbide / self-fluxing alloy mixtures.

78
Plasma spraying

• plasma temperature: up to 30000 ºC.

• virtually all existing materials.

79
‫در این روش مواد پودري توسط پالسما ذوب شده و با انرژي جنبشي زیاد به سطح قطعه پاشيده مي‌شوند‪.‬‬
‫پالسما توسط ایجاد قوس در آرگون‪ ،‬هليوم‪ ،‬نيتروژن‪ ،‬هيدروژن و یا تركيبي از آنها ایجاد مي‌گردد‪ .‬در این‬
‫حالت قوس بين یك الكترود مركزي تنگستن و نازل ایجاد مي‌گردد‪ .‬در این سيستم نازل باید داراي یك خنك‬
‫كننده آبگرد باشد تا از حرارت بيش از حد جلوگيري شود‪ .‬در ناحيه قوس گاز یونيزه شده و با سرعت باال به‬
‫سمت قطعه‌ي كار از نازل خارج مي‌گردد‪ .‬ذرات توسط پالسما همزمان ذوب شده و به سمت قطعه شتاب‬
‫مي‌گيرند‪.‬‬
‫پاشش پالسمایي مي‌تواند در محيط در فشار اتمسفري ودر حظور گاز محافظ مانند آرگون ویا در خأل انجام‬
‫شود‪ .‬در این سيستم با استفاده از نازل‌هاي خاص مي‌توان به پالسما با سرعت‌هاي باال دست یافت‪.‬‬
 ‫فرآيند‬ ‫معيار‬
‫پاشش‌پالسمایي‬ ‫‪HVOF‬‬ ‫‪ARC‬‬

‫كربایدهاي‌آلياژهاي‌فلزي‪‌،‬انواع‌‬ ‫كربایدهاي‌آلياژهاي‌فلزي‪‌،‬‬ ‫آلياژهاي‌فلزي‬

‫سراميك‌و‌كامپوزیتها‬ ‫كامپوزیتها‬
‫تطبيقپذيري‌در‌انتخاب‌مواد‬

‫تطبيقپذیري‌بسيار‌باال‬ ‫محدودیت‌در‌مواد‌بازتابنده‬ ‫محدودیت‌در‌انتخاب‌مواد‬

‫قوي‬ ‫متوسط‬ ‫كم‬

‫كم‬ ‫بسيار‌زیاد‬ ‫متوسط‬ ‫انتقال‌حرارت‌در‌بلوک‌موتور‬

‫زیاد‬ ‫زیاد‌(براي‌پودر)‬ ‫كنترل‌تشكيل‌ذرات‌مذاب‌‬ ‫اعتبار‌فرآيند‌ذوب‌‬

‫متوسط‌(براي‌سيم)‬ ‫سخت‌است‪‌.‬‬

‫‪ ٢٠٠‬ميكرومتر‬ ‫‪ ٢٠٠‬ميكرومتر‬ ‫‪ ٥٠٠‬ميكرومتر‬ ‫ضخامت‌پوشش‌بعد‌از‌فرآيند‌‬

‫پاشش‬

‫زیاد‬ ‫زیاد‬ ‫متوسط‌‬ ‫خصوصيات‌پوشش‌سوراخ‌سيلندر‬

‫كم‬ ‫بسيار‌زیاد‬ ‫كم‬ ‫هزينهي‌فرآيند‌‬

‫به‌مدت‌‪ ٥‬سال‌در‌توليد‌صنعتي‬ ‫نمونه‌آزمایشي‬ ‫در‌ابعاد‌كم‬ ‫وضعيت‌صنعتي‬
 Applications
• Thermal barrier ( Zr….)
• Corrosion barrier ( Zn , AL …)
• Dielectric ( ceramics….)
• Improve of hardness (Cr….)
• Repairing damage
• Medical implant ( bone …)
• Catalyst treatment
• nanoparticle
• Medical instrument ( TiN….)
‫ا تشکر از توجه شما‬