ekil 1.

6: Gerilim bölücülü polarma devresi

Bu tip polarmal yükselteçlerin hesaplanmas nda Thevenin (Tevenin) taraf ndan

bulunan denklemler kullan l r.

1.1.2. FET ve MOSFET’li Yükselteçler

Alan etkili transistörler (FET) üç(3) uçlu bir transistör çe ididir. Alan etkili transistor,
jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar iletken FET (MOSFET) olarak üretilir ve
isimlendirilir.

ekil 1.7: FET tipleri

1.1.2.1. Çal mas
Alan etkili transistörler (FET’ler) yüksek giri empedanslar n n da eklenmesiyle
mükemmel bir gerilim kazanc sa lar. Ayr ca düzgün bir frekans aral na ve küçük boyutta
olmalar ndan dolay dü ük güç tüketimine sahiptir. Bilindi i gibi BJT’ler ak m kontrollü,
FET’ ler gerilim kontrollü devre elemanlar d r.

7
 NPN ve PNP tipi olarak adland r lan klasik tip transistörler (iki kutuplu jonksiyon
transistör - BJT) alçak giri empedans na sahiptir. BJT 'ler, hem elektron ak m hem de delik
bo luk ak m n n kullan ld ak m kontrollü elemanlard r.
FET (Field Effect Transistör - alan etkili transistör) ise yüksek giri empedans na
sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemand r. Elektrik alan prensiplerine göre
çal t ndan alan etkili transistörler olarak bilinir. FET'ler, transistörlerin kullan ld
yerlerde rahatl kla kullan l bilir.
FET 'lerin klasik transistörlere (BJT) göre üstünlükleri öyle s ralanabilir:
Giri empedanslar daha yüksektir. (BJT 'de 2K 'lerde yakla k
100M
Anahtar olarak kullan ld nda, sapma gerilimi yoktur.
Radyasyon (yay n m) etkisi yoktur.
BJT 'lere nazaran daha az gürültülüdür.
Is sal de i imlerden etkilenmez.
BJT 'lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullan l r.
Yüksek giri empedans ve alçak elektrodlar aras kapasitans özelli i ile yüksek
frekans devrelerinde rahatl kla kullan l r.
BJT'lere göre sak ncas ise band geni liklerinin dar olmas ve çabuk hasar
görebilmesidir.
T pk BJT’ lerde ortak emitter ba lant s oldu u gibi FET’ lerde ortak source (kaynak)
ba lant s çok yayg n olarak kullan l r. Bu ba lant ekil 1.8’de görülmektedir. Bu
ba lant da giri sinyali ile yükseltilmi ç k sinyali aras nda 180o faz fark vard r.

ekil 1.8: FET’ li yükselteç devresi

FET (JFET) ve MOSFET’ler ayn gerilim kazançl yükselteçler tasarlamak için

kullan labilirken MOSFET’ler FET’lere nazaran çok daha yüksek giri empedanslar na
sahiptir.
Alan etkili transistörün (FET) geli tirilmi tipi genellikle “Mosfet” olarak bilinen
metal oksit yar iletkendir. Mosfet kelimesinin aç l m metal oxide semiconductor field effect
transistor 'dür (Metal oksit yar iletken alan etkili transistör). Mosfet, ngilizce aç l m n n ba
harfleri bir araya getirilerek olu turulmu tur. zole edilmi gate özelli inden dolay “Mosfet”
'lerin giri empedans son derece yüksek olup elektrodlar aras iç kapasitans çok küçüktür.
8
Bundan dolay “Mosfet”ler normal transistörlerin frekans sahas n n çok daha üstündeki
frekanslarda ve yüksek giri empedansl yükselteçlere ihtiyaç duyulan devrelerde daha fazla
kullan l r. Bunun için “Mosfet”ler voltmetre, ohmmetre ve di er test aletlerinde kullan l r.
“Mosfet”lerde, JFET 'lere ve klasik transistörlere nazaran gürültü daha az olup band geni li i
daha fazlad r.

ekil 1.9: MOSFET’ li yükselteç devresi

Mosfet'lerin bu üstünlüklerine nazaran baz sak ncalar vard r. öyle ki “Mosfet”

yap s ndaki ince silikon oksit tabakas , kolayl kla tahrip olabilir. “Mosfet” e elle
dokunulmas hâlinde insan vücudu üzerindeki elektrostatik yük nedeniyle oksit tabakas
delinerek kullan lmayacak ekilde harap olabilir. Bundan dolay “Mosfet”ler, özel
ambalajlar nda korunmaya al nmal , “Mosfet”e dokunmadan önce kullan c , üzerindeki
elektrostatik yükü topraklayarak bo altmal d r. “Mosfet”i devre üzerinde montaj yaparken
dü ük güçlü havya kullan lmal ve havya mutlaka topraklanmal d r.
“Mosfet”ler u ekilde s n fland r l r:
a) Azalan (bo luk arjl , depletion tipi) Mosfet
b) Ço alan (Enhancement) tipi Mosfet
JFET 'lerde oldu u gibi yine kendi aralar nda, n-kanall ve p-kanall azalan ve ço alan
tip olarak ayr l r.

1.1.2.2. Polarma Çe itleri

JFET’i çal t rabilmek için a bellirli bir dreyn ak m (ID) sa layan VDD kayna ve
bunu kontrol eden dreyn(akaç)–source(kaynak) gerilimi(VGS) ile polarmaland r lmak gerekir.
Eleman bir yükselteç olarak çal t r lacaksa aktif bölgede çal acak ekilde gerilim ve ak m
de erleri seçilir. Örnek polarmaland rma devreleri ekil 1.10 ve ekil 1.11’ de gösterilmi tir.

9
 ekil 1.10: N kanal FET’li polarma devresi

ekil 1.11: N kanall (azalatan ve artt ran) MOSFET’ li polarma devresi

JFET polarmalar nda birçok polarma tipi kullan l r. Biz bu bölümde çok kullan lan bir
kaç polarma tipini inceleyece iz

Sabit polarma
ekil 1.12'deki gibi kullan lan JFET devrelerine sabit (fixed) polarmal devreler ad
verilir. Çünkü gate ve source uçlar aras na VGG gibi sabit bir güç kayna kullan m t r. N-
kanall JFET 'in gate terminaline, VGG 'nin (-) kutbu; P kanall JFET 'in gate terminaline ise
(+) kutbu irtibatland r lmal d r. Dikkat edilmesi gereken ba ka bir husus, N kanall JFET 'in
drain terminaline VDD güç kayna n n (+) ucu, P kanall da ise (-) ucu uygulanmal d r.

10
 ekil 1.12: FET sabit polarma devresi

Self (kendinden) polarma

Self polarmal devrelerde ikinci bir VGG gibi kayna a gerek yoktur. Gate-source
gerilimini sa lamak için source direnci (RS) kullan l r. RS direnci, transistörlü yükselteçlerde
RE direncine benzer. Self polarmal JFET devresi ekil 1.13'te gösterilmi tir. RG gate direnci,
RS source direnci, RD ise drain direncidir. Transistörlü yükselteçte,
RG --> RB , RS --> RE , RD --> RC veya RL 'nin kar l d r.

ekil 1.13: FET kendinden polarma devresi

11
 Gerilim bölücülü polarma
ekil 1.14'teki devrede, gate gerilimi R1 ve R2 gerilim bölücü dirençler taraf ndan
belirlenir. R1 ve R2 dirençlerinin ba land noktadaki gerilim ayn zamanda gate gerilimidir.
R1 'den geçen ak m R2 'den de geçer. G noktas ndaki VG gate gerilimi,
VG = (RG2 / (RG1+RG2)).VDD kadard r.
Buradaki VDD / (R1+R2) ayn zamanda R1 ve R2 voltaj bölücü dirençlerden geçen
ak md r. Bu ak m R2 de eri ile çarparsak R2 direnci üzerine dü en gerilimi buluruz. R2
üzerindeki gerilim de VG gate voltaj na e it olur.

ekil 1.14: FET gerilim bölücülü polarma devresi

1.2. Enstrumantasyon Yükselteçler

Enstrümantasyon yükselteçler, yüksek performansl voltaj yükselteçleridir. Ayn
zamanda bu yükselteçler, yüksek kazançl , yüksek giri empedansl ve dü ük ç k
empedans gösteren fark yükselteçleridir.
Kelime anlam , yard mc yükselteçlere kar l k gelmektedir. Enstrümantasyon
yükselteçler, negatif geri beslemeden dolay daha kararl bir devre karakteristi ine sahiptir.
Burada kullan lan geri besleme, negatif geri beslemedir. Çünkü dirençlerle belirlenen voltaj
kazanc (kapal çevrim kazanc ), dirençsiz aç k çevrim kazanc ndan daha dü üktür. Geri
beslemeli kazanç daima aç k çevrim kazanc ndan (geri beslemesiz kazanç) daha kararl d r.
Her OP-AMP 'ta oldu u gibi geri beslemeli kazanç, geri beslemesiz kazançtan daha dü ük
oldu u için kullan lan geri besleme negatiftir. Çünkü pozitif geri beslemede kazanç artar,
negatif geri beslemede ise kazanç azal r.

12