1.3.

Vật liệu dẫn sóng quang Hệ thống vật liệu chủ chốt sử dụng trong thiết bị viễn
thông quang bao gồm silica fiber, silica on silicon, silicon on insulator, silicon oxynitride,
sol-gel, màng mỏng điện môi, lithium niobate (LiNbO3), indium phosphide (InP),
galium asenide (GaAs), magneto - optic và birefringent crystal. Bảng 1.1 tóm tắt
các thuộc tính chính của các loại vật liệu tại bước sóng 1550 nm [20,12,25,27,38,53],
bảng 1.2. tóm tắt ứng dụng mỗi loại vật liệu cho một số linh kiện quang [37].

Bảng 1.1 Các thuộc tính chính của các loại vật liệu quang Propagation loss: hệ số tổn
hao quang lan truyền trong dẫn sóng quang; Fiber Coupling loss: tổn hao quang khi ghép
nối hai đầu dẫn sóng quang với sợi quang; Index Contrast: giá trị chênh lệch chiết suất
giữa các lớp dẫn sóng; Birefringence: hệ số lưỡng chiết của vật liệu; dn/dT: hệ số quang
nhiệt (độ tăng chiết suất của màng dẫn sóng khi nhiệt độ màng dẫn sóng tăng lên 1 độ);
Maximum modulation frequency: tần số dao động lớn nhất của phân tử vật liệu đáp ứng
tác động bên ngoài như nhiệt độ (T/O) hoặc điện trường (E/O); Passive/Active: linh kiện
tích cực/linh kiện thụ động.

1.3.1. Vật liệu sợi Silica (SiO2)

Công nghệ dựa trên vật liệu sợi quang silica là công nghệ dẫn sóng quang
được ứng dụng nhiều nhất, vì công nghệ này thuận lợi cho việc ghép nối linh
kiện (làm từ sợi silica) với sợi quang truyền dẫn [49,50,52].
Công nghệ quang sợi bao gồm sợi nóng chảy (fused fiber), sợi pha tạp
(doped fiber), sợi tạo cấu trúc (patterned fiber), và sợi hoạt động (moving fiber).
Sợi silica dùng chế tạo laser, bộ khuyếch đại, bộ điều khiển phân cực, bộ kết nối
(coupler), bộ lọc (filter) bộ chuyển mạch (switch), bộ suy giảm (attenuator), bộ
bù CD (CD compensator) và bộ bù phân cực PMD (PMD compensator).
Công nghệ quang sợi không thuận lợi trong công nghệ chế tạo mạch tích
hợp mật độ cao và kích thước nhỏ, hơn nữa sợi quang rất mỏng và nhạy cảm với
các rung động cơ học. Do vậy linh kiện dựa trên sợi quang khó chế tạo, và như
thế giá thành cao.
1.3.2. Vật liệu silica on silicon (SOS)
Công nghệ dựa trên vật liệu silica on silicon được ứng dụng nhiều trong
công nghệ phẳng (planar technology) [12,19,21,55]. Công nghệ này liên quan
đến sự mọc lớp silica trên đế silicon bằng phương pháp lắng đọng pha hơi hoá
học CVD (Chemical Vapor Deposition-CVD) hoặc phương pháp lắng đọng thuỷ
phân đốt cháy (Flame Hydrolysis Deposition – FHD). Lớp lõi (lớp dẫn ánh sáng)
được tạo cấu trúc dẫn sóng và được đánh bóng bằng ăn mòn ion (RIE), nhưng
còn xuất hiện độ gồ ghề bề mặt dẫn sóng, làm tăng tổn hao do tán xạ. Ngoài ra sự
gồ ghề hai thành bên của kênh dẫn sóng làm xuất hiện sự phân cực. Năng lượng
chuyển mạch cần thiết trong thiết bị chuyển mạch trên cơ sở silica cao, phạm vi
điều chỉnh bước sóng thấp, sự phụ thuộc bước sóng trung tâm vào nhiệt độ của
AWGs trên cơ sở silica là vấn đề chính cần được cải thiện của công nghệ này. Vì
vậy công nghệ silica on silicon là phức tạp và giá thành cao. Hơn thế nữa, độ
chênh lệch chiết suất cao nhất đạt được trong công nghệ này là 1.5%

[53].
Silica on silicon được dùng để chế tạo laser, bộ khuyếch đại, bộ ghép
(coupler), bộ lọc (filter), bộ chuyển mạch (switch), bộ suy giảm, bộ bù CD.
1.3.3. Vật liệu silicon on insulator (SOI)
Công nghệ dựa trên vật liệu silicon on insulator được phát triển trong vài
năm qua, có thể thay thế cho công nghệ silica on silicon [9,12]. Công nghệ này
có thể chế tạo linh kiện nhanh hơn và hiệu suất cao hơn. Đế ban đầu là một tầng
silicon có phủ lớp silica làm lớp đệm, tiếp theo lớp dẫn sóng là lớp silicon và lớp
vỏ là silica. Độ chênh lệch chiết suất giữa lớp dẫn và lớp xung quang lớn của
công nghệ này cho phép chế tạo cấu trúc dẫn sóng cong bán kính cong nhỏ. Tuy nhiên,
do chiết suất lớp dẫn (silicon) lớn (>3) so với lõi sợi quang (~1.48) nhiều nên dễ gây ra
tổn hao do tan xạ tại vị trí ghép nối. 1.3.4. Vật liệu silicon oxynitride (SiON) Công nghệ
SiON dựa trên vật liệu silicon oxynitride, liên quan đến công nghệ dẫn sóng phẳng, sử
dụng SiO2 làm lớp vỏ, lớp lõi là hỗn hợp giữa SiO2 (chiết suất 1.45) và SiON (chiết suất
2) [24]. Ưu điểm chính của công nghệ này là điều chỉnh được độ tương phản chiết suất
(có thể đạt đến 30%). Công nghệ này tạo màng bằng phương pháp lắng đọng pha hơi hóa
học (CVD), phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học áp suất thấp (LPCVD), hoặc
CVD hỗ trợ plasma (PECVD). 1.3.5. Vật liệu Indium phosphide (InP) Vật liệu InP –
chiếm khoảng 25 % tổng vật liệu bán dẫn được dùng trong thiết bị dẫn sóng, vì khả năng
tích hợp của chúng với các thiết bị hoạt động khác như laser và bộ tách quang hoạt động
xung quanh bước sóng 1550nm [10,45]. Tuy nhiên, InP là vật liệu khó chế tạo và khó gia
công, dễ vỡ, có hiệu suất thấp, giá thành đắt, có kích thước tiêu biểu từ 2 inch đến 4 inch.
Vật liệu InxGa1-xAs1-yPy có cùng hằng số mạng với InP và bức xạ bước sóng trong
khoảng từ 1.0 µm đến 1.7 µm, có thể làm laser bán dẫn làm nguồn quang trong
hệ viễn thông quang. 1.3.6. Vật liệu Gallium Arsenide (GaAs) Vật liệu GaAs thuộc
loại vật liệu bán dẫn, có thể dùng chế tạo linh kiện tích cực hoặc thụ động, nhưng hạn chế
chính giá thành cao [10,23,51]. Tuy vậy nó vẫn còn rẻ hơn InP và có thể sử dụng
đế đến 6 inch hoặc 8 inch. Laser GaAs/GaxAl1-xAs phát vùng bước sóng 780-905
nm, và laser InP/InxGa1-xAs1-yPy phát vùng bước sóng 1.0-1.7µm. GaAs đáp ứng được
tốc độ thông tin cao (lớn hơn 40 GHz) và biến điệu quang điện thế áp thấp (dưới 5 V).
Nền GaAs dùng chế tạo laser, khuyếch đại, detector, modulator, bộ kết nối, chuyển mạch.
1.3.7. Vật liệu Lithium Niobate (LiNbO3) Vật liệu LiNbO3 có hệ số quang điện (r33 =
30.9 pm/V) và hệ số quang âm lớn, quá trình xử lí không phức tạp, ổn định với môi
trường 11,22,26,39,44,47]. Vật liệu sử dụng để chế tạo biến điệu trong hệ thống thông tin
tốc độ cao đến 10 GHz. Chế tạo dẫn sóng thường khuếch tán titanium và nickel vào
LiNbO3. Trao đổi proton (sử dụng benzoic và axít khác) là kĩ thuật chế tạo dẫn sóng đã
thu hút sự chú ý, vì nó cho phép tạo ra sự tương phản chiết suất lớn. Tuy nhiên, trong kĩ
thuật trao đổi proton, sự ổn định dẫn sóng và giảm hiệu ứng điện - quang đang