MỤC LỤC

Trang
Trang phụ bìa
Lời cam đoan
Lời cảm ơn
MỤC LỤC

CÁC KÝ HIỆU DÙNG TRONG L U Ậ N ÁN

M Ở ĐẦU Ì

Chương 1: GIỚI THIỆU TỔNG Q U A N 13

1.1. Công thức Kubo - Mori cho tenxơ độ dẫn 13

1.2. Công thức Kubo-Mori mở rộng 18

1.3. Phương trình động lượng tử 25

1.4. Hô lượng tử bán dẫn 31

1.5. Siêu mạng pha tạp 35

Chương 2: Ả N H HƯỞNG C Ủ A TRƯỜNG SÓNG ĐIỆN T Ừ M Ạ N H LÊN S ự H Ấ P T H Ụ

SÓNG ĐIỆN TỪYẾƯ BỞI ĐIỆN TỬ T ự D O TRONG BÁN D A N KHỐI....42

2. Ì. Hấp thụ sóng điện từ yếu khi có mặt trường sóng điện từ mạnh 43

2.2. Ánh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu
trong một số trường hợp g ởi hạn 45
Chương 3: KÍCH THÍCH T H A M s ố CÁC MẬT ĐỘ SÓNG TRONG P L A S M A B Á N

D Ẫ N ĐIỆN T Ử - L Ỗ TRỐNG BỞI TRƯỜNG BỨC X Ạ SÓNG ĐIỆN TỪ....48

3.1 .Phương trình động lượng tử cho hệ điện tử-lỗ trống-phonon 49

3.2. Cộng hưởn g tham số 52
3.3. Sự biến đổi tham số và các nhận xét 54
Chương 4: GIA TẢNG PHONON ÂM TRONG H ố LƯỢNG TỬ BÁN DẪN 57

4. Ì. Gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn khi không c ó từ trường....58
4.1.1. Phương trình động lượng tử cho phonon 58
 4.1.2. Sự gia tăng phonon âm trong h ố lượng tử bán dẫn trong quá trìn h
hấp thụ một photon 59
4. Ì .3. Sự gia tăng phonon âm trong h ố lượng tử bán dẫn trong quá trình
hấp thụ nhiều photon 61
4. Ì .4. Tính toán số và nhận xét 62
4.2. Gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn khi có từ trường ngoài 64
4.2. Ì. Phương trình động lượn g tử cho phonon khi có mặt từ trường 64
4.2.2. Sự gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn trong quá trìn h
hấp thụ một photon khi có mặt từ trường 66
4.2.3. Sự gia tâng phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn trong quá trình
hấp thụ nhiều photon khi có mặt từ trường 67
4.2.4. Tín h toán số và nhận xét 68
Chương 5: HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ YÊU BỞI ĐIỆN TỬ T ự DO TRONG BÁN

DẪN SIÊU M Ạ N G PHA TẠP 71

5.1. Hấp thụ són g điện từ yếu bới điện tử tự do trong siêu mạng pha tạp
khi k hông có từ trường 73
5.1.1. Hamiltonian 73
5. Ì .2. Ten xơ độ dẫn và hệ số hấp thụ 74

5.1.3. Tính toán s ố và nhận xét 76

5.2. Hấp thụ són g điện từ yếu bởi điện tử tự do trong siêu mạn g pha tạp
k h i có từ trườn g 81

5.2.1. Hamilton ian 81

5.2.2. Ten xơ độ dẫn và hệ số hấp thụ 82
5.2.3. Tính toán số và nhận xét 85

KẾT L U Ậ N 87

D A N H MỤC CÔNG TRÌNH C Ủ A TÁC GIẢ 89

TÀI LIỆU T H A M K H Ả O 91

PHỤ L Ụ C 102
 C Á C KÝ H I Ệ U DÙNG T R O N G L U Ậ N ÁN

ke Hằng số Boltzmann.

T Nhiệt độ tuyệt đối.

c Vận tốc ánh sáng trong chân không.

N* Chiết suất của mẫu.

e Điện tích của điện tử.

*
m Khối lượng hiệu dụng của điện tử.

P Véc tơ xung lượng của điện tử.

k Véc tơ sóng của điện tử.

q Véc tơ sóng của phonon.

ụ Thế hóa học.

4 Toán tử sinh điện tử.

a
P Toán tử hủy điện tử.

Toán tử sinh phonon.

b- Toán tử hủy phonon.

P

COq Tần số của phonon.

 I

MỞ ĐẨU

1. Lý do chọn đề tài

Tiến bộ của vật lý chất rắn trong thập kỷ cuối của thế ký X X được
đặc trưng bởi sự chuyển hướng đối tượng nghiên cứu chính từ các khối tinh
thể (tinh thể có cấu trúc 3 chiều) sang các màng mỏng và các cấu trúc
nhiều lớp (tinh thể có cấu trúc thấp chiều), nghĩa là chuyển động tự do của
các hạt dẫn sẽ bị giới hạn chỉ còn lại ỏ hai chiều (tinh thể có cấu trúc 2
chiều) hoặc chỉ còn lại ở một chiều (tinh thể có cấu trúc Ì chiều). Trong
các hệ thấp chiều trên, hầu hết các tính chất quang, điện đều thay đổi một
cách đáng kể. Đặc biệt, một số tính chất mới khác, được gọi là các hiệu
ứng kích thước, đã xuất hiện. Trong cá c cấu trúc có kích thước lượng tử, nơi
các hạt dẫn bị giới hạn trong những vùng có kích thước đặc trưng vào cỡ
bậc của bước sóng De Broglie, cá c tính chất vật lý của điện tử thay đổi đầy

kịch tính. Ớ đây, các quy luật cơ học lượng tử bắt đầu có hiệu lực, trước hết
thông qua việc biến đ ổ i đạc trưng cơ bản nhất của hệ điện tử là phổ năng
lượng của nó . Phổ năng lượng trở thành gián đoạn dọc theo hướng tọa độ
giới hạn (phổ năng lượng bị dị hướng). Dưới ảnh hưởng của trường ngoài
hay của cá c tâm tá n xạ (phonon, tạp chất, v.v.) thường chỉ một hoặc hai,
mà không phải là ba thành phần động lượng của hạt đã có thể biến đổi [27 Ị.
Do đó, dáng điệu của hạt dẫn trong các cấu trúc kích thước lượng tử tương
tự như trong khí hai chiều [72], [75], [89], [44] hoặc khí một chiều [581
,[61], [64], [73]

Các cấu trúc với khí chuẩn điện tử hai chiều (hố lượng tử bán dẫn,
siêu mạng bán dẫn, siêu mạng pha tạp ...) có một loạt các tính chất khác
thường so với các đặc tính của các hệ điện tử và l ỗ trống ba chiểu thông
thường. Các cấu trúc tương tự được ứng dụng ngày càng p hổ biến trong các
 2

loại linh kiện bán dẫn mới, đặc biệt để đáp ứng các nhu cầu trong lĩnh vực
quang điện tử.
V i ệ c các cấu trúc với khí điện tử hai chiều ngày nay trớ thành trung
tâm chú ý của các nhà vật lý có liên quan rất chặt chẽ tới sự phát triển
mạnh mẽ và sâu rộng công nghệ epitaxy bằng chùm phân tử, một công
nghệ thích hợp nhấ t để tạo ra các cấu trúc với phân bố thành p hần tùy ý và
với độ chính x ác tới từng lớp đơn phân tử riêng l ẻ .
Trong thời gian gần đây, áp dụng các phương pháp Epitaxy hiện đại
như Epitaxy từ chùm p hân tử M B E (Molecular Beam Ep itaxy) [49], [611,
[63] hoặc Ep itaxy từ các hợp chất kim loại hữu cơ M O C V D (Metalorganic
Chemical Vapor Deposition) [73], các lớp của hai hay nhiều chất bán dẫn
có cùng cấu trúc có thể lần lượt được tạo ra, tức là thực hiện nhiều lần dị
tiếp xúc ở dạng đơn tinh thể. Các bán dẫn này nói chung có các tính chất
quang điện khác nhau, và đặc biệt vùng cấm năng lượng khác nhau. Trong
trường hợp này độ rộng của vùng chuyển tiếp giữa hai lớp bán dẫn có thế
chỉ bằng một lớp nguyên tử và độ rộng vùng cấm sẽ thay đổi trong phạm vi
khoảng cách giữa các nguyên tử. Trong cấu trúc trên, ngoài trường điện thế
tuần hoàn của các nguyên tử, trong mạng tinh thể cò n tồn tại một trường
điện thế phụ. Trường điện thế phụ này cũng tuần hoàn trong không gian
cấu hình nhưng với chu kỳ lớn hơn rất nhiều so với chu kỳ thay đổi thế
năng của trường các nguyên tử trong mạng, mà ý tưởng về việc tạo một
trường thế phụ đã có từ rất sớm [17]. Tùy thuộc vào độ dày của các lớp,
chu kỳ của trường điện thế phụ lớn hơn từ hàng chục đến hàng nghìn lần so
với chu kỳ của trường điện thế tuần hoàn của các nguyên tử trong mạng.

Trong thực tế có thể p hân biệt cấu trúc tinh thể trên thành hai trường
hợp. Trong trường hợp đầu, các lớp bán dẫn có vùng cấm hẹp (ví dụ GaAs)
được xen kẽ giữa các lớp có độ dày khá lớn của bán dẫn có vùng cấm rộng
(ví dụ A l G a
x l x As). Tại đây các hạt tải nằm trong một lớp bất kỳ của bán
dẫn vùng cấm hẹp không thể xuyên qua (ví dụ hiệu ứng đường hầm) các
 3

lớp bán dẫn vùng cấm rộng bên cạnh để đi tới các lớp khác của bán dẫn
vùng cấm hẹp. Như vậy trong cấu trúc đa- lớp này, các hạt tải bị định xứ
mạnh, chúng bị cách ly lẫn nhau trong các hố thế lượng tử hai chiều- tức là
trong các lớp mỏng của bán dẫn vùng cấm hẹp. Các hạt tải nằm trong các
hố thế khác nhau không thể tương tác được với nhau . Cấu trúc đa lớp loại
này thường được gọi là cấu trúc hệ nhiều hố (thế năng) lượng tử và mỗi lớp
riêng biệt gọi là hố lượng tử. H ố lượng tử hoặc hệ nhiều hố lượng tử thế
hiện hàng loạt tính chất thú vị, trong số đó việc xu ất hiện các hiệu ứng
lượng tử kích thích, tách các vùng năng lượng thành các vùng con và đặc
trưng của khí điện tử hai chiều là những tính chất qu an trọng nhất 150J
Trong trường hợp thứ hai các lớp ngăn cách của bán dẫn vùng cấm rộng có
độ dày không lớn có thể cho phép các hạt tải xuyên qua hàng rào thế năng
từ lớp bán dẫn vùng cấm hẹp sang các lớp bán dẫn vùng cấm hẹp gần nhất.
Trong cấu trúc như vậy, có thể xem các hố thế năng như một hệ liên kết
nhau và các hiện tượng sinh ra trong cấu trúc này là do tương tác và chu yển
dời trong toàn hệ và khi đó hệ được gọi là siêu mạng bán dẫn.

Từ sự tương quan vị trí của đáy và đỉnh vùng cấm của các bán dẫn
tạo thành siêu mạng (hay từ đó tương tác của các loại hạt tải) ta có thể phân
biệt siêu mạng bán dẫn thành ba loại chí nh.

Siêu mạng loại một được tạo thành từ các bán dẫn có độ rộng vùng
cấm hoàn toàn bao nhau . Trong siêu mạng loại này, các tương tác giữa các
hạt tải từ các lớp riêng biệt chỉ xảy ra giữa các vùng năng lượng cùng loại,
tức là các điện tử của các loại bán dẫn tương tác với nhau và tương tự như
vậy đối với các l ỗ trống trong các vùng hóa trị của hai bán dẫn.

Siêu mạng loại hai được tạo ra từ các bán dẫn có độ rộng vùng cấm
nằm gần nhau nhưng không bao nhau, hoặc chỉ trùng nhau một phần.
Trong trường hợp này có thể hy vọng xẩy ra tương tác của các hạt tải nằm
trong các vùng khác nhau thu ộc các bán dẫn khác nhau . Tức là các điện tử
 4

của bán dẫn n ày tương tác với lỗ trống của bán dẫn kia hoặc ngược lại.
Có thể gọi cấu trúc đa- lớp tạo thành từ ít n hất ba bán dẫn khác n hau
là siêu mạn g loại ba. Tương tác giữa các hạt tái tron g siêu mạn g loại n ày có
đặc trưng rất đa dạng và phức tạp.
Bằng phương pháp Epitaxy, người ta còn tạo ra siêu mạn g "n ipi".
Siêu mạn g loại n ày thực hiện trên tin h thể bán dẫn , tron g đó trường điện
thế phụ được xác định bằng sự phân bố không gian của các tạp chất Acepto
và Dono trong tinh thể bị ion hóa. Tuy nhiên ngay cả khi pha tạp rất mạnh,
khoảng cách trung bình giữa các tạp chất này cũng chỉ cùn g cỡ với chu kỳ
thế năng phụ.
Do chuyển độn g của hạt dẫn bị giới hạn n ghiêm n gặt dọc theo một
tọa độ với một vùng kích thước rất hẹp không quá vài trăm angstrom (Ẩ )
nên một loạt các hiện tượn g vật lý mới được gọi là hiệu ứn g kích thước sẽ
xuất hiện, làm biến đổi hầu hết các tính chất quang, điện của hệ và mớ ra
khả năng ứng dụng cho các linh kiện làm việc theo các nguy ên lý hoàn
toàn mới [42].

Xét ví dụ tính chất của điện tử tron g vùn g dẫn (gọi là điện tử dẫn)

trong một màng mỏng với chiều dày d. Vật liệu của màng (kim loại hoặc

bán dẫn) đóng vai trò hố lượng tử đối với điện tử, với chiều rộng d và chiều

sâu có giá trị lớn hơn năng lượn g n hiệt k T của hạt dẫn
B vài ba bậc

(khoảng 4 -í- 5 eV). Cơ học lượn g tử cho thấy năng lượng của điện tử trong

hố đó bị lượn g tử hóa, và chỉ gồm có một số xác định các mức năng lượn g

gián đoạn s n (n = Ì, 2, ...) được gọi là các mức lượn g tử hóa do giảm

kích thước (động năng trung bìn h chuyển động tịnh tiến, ở nhiệt độ phòn g

k T ^ 0,026 eV).
B

Sự lượn g tử hóa năng lượn g n êu ở trên chỉ đặc trưng cho chuyển

động theo phương dị hướn g (thường chọn dọc theo trục tọa độ Ì với cấu

trúc hai chiều). Chuyển động ở các phương vuông góc với trục dị hướn g
 5

không bị ảnh hưởng bởi hố thế năng, theo phương này, các hạt dẫn chuyển
động giống như các hạt tự do, và được đặc trưng, tương tự như trong vật
liệu khối, bởi dạng parabolic của phổ năng lượng liên tục với khối lượng
hiệu dụng in *. Năng lượng tổng cộng của hệ lượng tử hóa kích thước là
phổ kết hợp gián đoạn-liên tục, thành phần gián đoạn mô tả chuyển động
theo hướng có sự lượng tử hóa, còn thành phần liên tục có quan hệ tới
chuyển động theo hướng tự do của hạt dẫn. Sự biến đổi phổ nâng lượng như
vậy gây ra những khác biệt đáng kể trong tất cả các tính chất quang, điện
của hệ so với các mẫu khối.
Cũng cần lưu ý rằng, nhờ có thành phần liên tục của phổ năng lượng

các điện tử thuộc về cùng một mức năng lượng s n có thể có giá trị năng

lượng bất kỳ trong khoảng từ 8 n tới vô cực. Tất cả các trạng thái có cùng

giá trị n xác định đã cho thường được gọi là vùng con lượng tử hóa do

giảm kích thước ("mini " vùng).

Hiển nhiên rằng để sự lượng tử hóa phổ năng lượng trong các màng
mỏng được nêu ở trên có thể tồn tại trong mọi hiệu ứng quan sát được thì

khoảng cách giữa các mức năng lượng S 1 - 8 n+ n phải đủ lớn. Trước hết,

giá trị này phải lớn hơn đáng kể năng lượng nhiệt của hạt dẫn

(s n + Ị -s n » k T ). Vì trong trường hợp ngược l ạ i , sự điền đầy hầu hết

B

các mức lân cận và các chuyển mức của điện tử thường xảy ra giữa chúng

sẽ ngăn cản quan sát các hiệu ứng lượng tử.

Ngoài ra còn tồn tại thêm một điều kiện cần thiết để hiệu ứng lượng

tử hóa do giám kích thức có thể nhận thấy được, đó là trong các cấu trúc

thực tế, hạt dẫn luôn luôn bị tán xạ bới tạp chất, phonon, v.v. và xác suất

tán xạ được đạc trưng bởi thời gian hồi phục x ung lượng ĩ. Đại lượng ĩ , về

phần mình lại tỷ l ệ thuận với một đặc trưng quan trọng khác của hạt dẫn đó

là độ linh động của hạt dẫn |I = ex/m* ( với e là điện tích của hạt dẫn). Và
 ỏ

để quan sát các hiệu ứng lượng tử hóa kích thước đòi hỏi màng mỏng có
chiểu dày nhỏ, độ linh động hạt dẫn cao , nhiệt độ và nồng độ hạt dẫn đủ
thấp.
Ngoài ra, còn phải thỏa mãn thêm một điều kiện của hiệu ứng lượng
tử hóa do giảm kích thước. Đó là chất lượng bề mặt, sự phản xạ của hạt dẫn
tại bề mặt của màng mỏng phải gần như là phản xạ gương, hay nói cách
khác, thành phần động lượng của hạt dẫn s ong s ong với bề mặt phải được
bảo toàn trong phản xạ. G i ả sử điều ngược l ại l à đúng, lúc đó tại mỗi sự
kiện phản xạ hạt dẫn sẽ "quên" trạng thái trước đó của mình, hay ta có hiện
tượng tán xạ hiệu dụng. Để đảm bảo hạt dẫn phản xạ gương trên bề mạt
màng mỏng, chiều dài bước sóng De Brogl ie Ầ B của chúng phải l ớn hơn

kích thước đặc trưng của độ gồ ghề, đặc điểm mà bất kỳ bề mặt nào cũng
khó tránh khỏi. Ngoài ra, bề mặt của màng mỏng không được chứa mật độ
cao các tâm tích điện, nguyên nhân gây thêm các tán xạ phụ đối với hạt
dẫn.
Trong vài thập niên gần đây, các cấu trúc bán dẫn thấp chiều như các
cấu trúc hố lượng tử , siêu mạng bán dẫn , siêu mạng pha tạp đã thu hút sự
quan tâm chú ý của nhiều nhà vật lý lý thuyết và thực nghiệm [271, |47|.
[54], [78], [91 ị. [52], [75], [86], [901. Trong các hố lượng tử, trong hệ đa
hố lượng tử hoặc trong siêu mạng bán dẫn pha tạp, các điện tử thể hiện các
tính chất của hệ điện tử chuẩn 2 chiều . V i ệ c nghiên cứu cấu trúc cũng như
các hiện tượng vật lý tĩnh và động trong các cấu trúc này cho thấy cấu trúc
đã làm thay đ ổ i đáng kể rất nhiều đặc tính của các vật l iệu, đồng thời cấu
trúc cũng đã làm xuất hiện thêm nhiều đặc tính mới ưu việt hơn mà các hệ
điện tử 3 chiều thông thường không có được.

V i ệ c chuyển từ hệ điện tử 3 chiều (3D) s ang hệ điện tử 2 chiều (2D)

đã làm thay đổi đáng kể cả về mặt định tính cũng như định lượng nhiều
tính chất vật lý trong đó có tính chất quang của các vật l iệu. Sự giam giữ
 7

điện tử trong các hố lượng tử và siêu mạng p ha tạp làm cho các p hán ứng
của hệ điện tử đối với các kích thích ngoài (từ trường, các sóng điện từ...)
xẩy ra khác biệt so với trong hệ điện tử 3 chiều [13], [20], [21 ị, 122], [26|.
L3lJ,l L4IJ, 142], L46J, [82J, 183J, [85J, [89J, [94J. Việc nghiên cứu cấu
trúc cũng như các hiện tượng vật lý trong các hố lượng tử và siêu mạng bán
dẫn ... cho thấy cấu trúc đã làm thay đổi đáng kể nhiều đặc tính của các
vật liệu, đồng thời cấu trúc cung đã làm xuất hiện thêm nhiều đặc tính mới
ưu việt hơn mà các hệ điện tử 3 chiều không có. Các vật liệu mới với các
cấu trúc bán dẫn nói trên đã giúp cho việc tạo ra các linh kiện, thiết bị dựa
trên những nguyên tắc hoàn toàn mới và công nghệ hiện đạ i có tính chất
cách mạng trong khoa học kỹ thuật nói chung và trong lĩnh vực quang-điện
tử nói riêng [54], [91], [52], [55]. Đó là lý do tại sao các cấu trúc trên đã,
đang và sẽ được nhiều nhà vật lý quan tâ m nghiên cứu.

Dựa trên cơ sở những phâ n tích ớ trên về tầm quan trọng cũng như về

tính thời sự của các hệ thấp chiều, chúng tôi chọn nghiên cứu đề tà i "Một

số hiệu úng cao tần gáy bởi trường sóng điện từ trong bán dan
và plasma 99

2. Mục đích nghiên cứu của để tài

Luận án tập trung nghiên cứu một số hiệu ứng cao tần gâ y bởi trường
sóng điện từ trong bán dẫn, plasma bán dẫn và trong bán dẫn có cấu trúc
thấp chiều. Đối với bán dẫn có cấu trúc thấp chiều, luận án chỉ đề cập
nghiên cứu hai loại cấu trúc, đó là các siêu mạng mà cụ thể là siêu mạng
pha tạp và hố lượng tử thuộc hệ điện tử chuẩn hai chiều. Luận án đi sâu
nghiên cứu một số tính chất quang, điện trong bán dẫn khối, p lasma bán
dẫn, h ố lượng tử và siêu mạng pha tạp cũng như một số vấn đề về ảnh
hưởng của cấu trúc vật liệu hoặc các bức xạ kích thích từ bên ngoài đến các
quá trình vật lý xảy ra trong các cấu trúc nói trên.
 8

3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của đề tài

Luận án đặc biệt quan tâm nghiên cứu lý thuyết về sự hấp thụ sóng
điện từ yếu bơi điện tử tự do trong siêu mạng pha tạp, các hệ số gia tăng
phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn. Một số bà i toán về tính chất quang
trong bán dẫn khối còn bỏ ngỏ cũng sẽ được xem xét, chẳng hạn như kích
thích tham số các mật độ sóng trong plasma bán dẫn điện tử-lổ trống bởi
trường bức xạ điện từ, cũng như nghiên cứu ảnh hưởng của trường bức xạ
điện từ lên sự hấp thụ sóng điện từ trong bán dẫn khối.
Luận án cũng sẽ dành một phần thích đáng cho các tính toán số trên
máy tính để tính toán và phân tích ảnh hưởng của cấu trúc, kích thích của
bức xạ ngoài lên sự hấp thụ sóng điện từ trong các cấu trúc nói trên.

4. Phương pháp nghiên cứu

Trên lĩnh vực nghiên cứu lý thuyết, để giải những bài toán thuộc loại
này theo quan điểm cổ điển chỉ dựa trên v iệc giải phương trình động cố
điển Boltzmann [18J, [20], [55], [90], nhưng theo quan điểm lượng tử có
thế áp dụng nhiều phương pháp khác nhau như : bằng lý thuyết nhiễu loạn
[4], bằng phương pháp phương trình động lượng tử MI, |7|. [21 I , [24ị.
bằng lý thuyết hà m Green hoặc bằng phương pháp Kubo-Mori 116], [28],
Vì mỗi phương pháp đều có những ưu điểm cũng như nhược điểm
riêng của nó, nên v iệc sử dụng phương pháp nào tốt hơn chỉ có thể được
đánh giá tùy vào từng bài toán cụ thể. Luận án này sẽ sử dụng hai trong các
phương pháp kể trên tùy thuộc vào từng bài toán vật lý. Chúng tôi sẽ sử
dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho các bà i toán nghiên cún
về sự gia tăng phonon âm và bài toán về kích thích tham số, sử dụng
phương pháp Kubo-Mori để nghiên cứu bài toán hấp thụ sóng điện từ-một
trong những tính chất quang tiêu biểu trong cấu trúc thấp chiều (siêu mạng
bán dẫn, dây lượng tử...)- Phương pháp Kubo-Mori dựa trên công thức
Kubo cho tenxơ độ dẫn cao tần [65] và phép chiếu toán tử của Mori [79],
 9

[70] và được nhóm t ác giả Shmelev G. M . , Nguyễn Quang Báu cùng các
cộng sự đề xuất , phát triển và mở rộng cho cả trường hợp có t hêm từ trường
tần số lượng tử và sóng điện t ừ mạnh [31], [82], [85]. Xét trên nhiều khía
cạnh, nó đã tỏ ra có nhiều ưu việt hơn các phương pháp khác trong việc giải
các bài toán về các tính chất động của các hệ điện tử. Đặc biệt , nó cho phép
thu nhận được các kết quả tổng quát hơn, có phạm vi ứng dụng rộng rãi
hơn so với các phương pháp khác.

5. Ý nghĩa khoa học và thục tiễn củ a đề tài

- Góp phần hoàn thiện về lý thuyết hấp thụ s óng điện từ biên độ
yếu trong các hệ thấp chiều.
- Góp phần hoàn thiện về lý thuyết gia tăng phonon âm trong bán
dẫn khối và bán dẫn có cấu trúc thấp chiều
- M ở rộng các bài toán trên khi xét tới kích thích của trường ngoài
(sóng điện từ, từ trường,...)
- Cho phép nghiên cứu, t hu nhận được nhiều thông tin quý báu về
các tính chất mới của vật liệu, đạc biệt là về các thông số đặc
trưng cho cấu t rúc của vật liệu.

6. Cấu trúc củ a luận án

Như chúng ta đã biết, bài toán về s ự hấp thụ s óng điện từ bởi điện tử
tự do trong các hệ t hấp chiêu đã ra đời rất sớm, nhưng nhiều vấn đề còn
chưa được nghiên cứu. Trong những năm gầ n đây bài toán về s ự hấp thụ
sóng điện từ yếu bởi điện tử tự do trong cấu t rúc hố lượng t ử, siêu mạng
bán dẫn đã được Nguyễn Quang Báu và các cộng sự nghiên cứu tr ong các
công tr ình [4], [5], [6], [7], [8], [9], [12], [40], [41], [42], [43]. Tuy nhiên
cũng bài toán này cho siêu mạng pha tạp vẫn chưa được đề cập đến. Điều
này cũng xảy r a đối với bài toán nghiên cứu về s ự gia tăng phonon âm
trong hố lượng t ử bán dẫn. Ngoài ra, một số bài t oán t rong bán dẫn còn bỏ
 LO

ngỏ, chẳng hạn như bài toán hấp thụ sóng điện từ y ếu khi có mặt trường
bức x ạ laser ngoài trong bán dẫn khối, hoặc bài toán về kích thích và biến
đổi tham số trong plasma bán dẫn. Những bài toán còn bỏ ngỏ này đã được
tác giả và các cộng sự qu an tâm nghiên cứu và giải quy ết trong những năm
vừa qua.

Những kết quả mà tác giả nhận được trong thời gian qua được trình
bày trong luận án, được bố cục như sau: Ngoài các phần M ở đầu, Kết luận,
Phụ lục và Tài liệu tham khảo , luận án có 5 chương, 14 mục. Trong đó có
5 hình vẽ, 12 đồ thị và 97 tài liệu tham khảo, tổng cộng Ì 15 trang.
Chương ỉ giới thiệu tổng quan những vấn đề trong luận án. Mục I. Ì
trình bày sơ lược công thức Ku bo-Mori trong gần đúng bậc hai của tương
tác cho ten xơ độ dẫn. Công thức này dùng để giai những bài toán liên quan
đến sự hấp thụ sóng điện từ y ếu bởi các điện tử tự do trong siêu mạng pha
tạp (chương 5). M ụ c 1.2 trình bày công thức Ku bo-Mori mở rộng cho
trường hợp ngoài sóng điện từ y ếu trong bán dẫn còn có thêm một trường
sóng mạnh khác (sóng điện từ mạnh hoặc từ trường). Công thức Ku bo-
Mori mở rộng thu được bằng cách đưa trường sóng kích thích vào ngay từ
khi thiết lập phương trình Lioville cho ma trận mật độ, được dùng để giải
những bài toán liên quan đến sự hấp thụ sóng điện từ y ếu bởi các điện tử tự
do trong bán dẫn khối khi có mặt trường sóng điện từ mạnh (chương 2),
trong siêu mạng pha tạp khi có mặt từ trường lượng tử (chương 5). Mục 1.3
trình bày phương pháp xây dựng các phương trình động lượng tử cho hệ
tương tác phonon-điện tử-plasmon khi có mặt từ trường và khi không có
mặt từ trường ngoài. Các phương trình động lượng tử cho hệ tương tác
phonon-điện tử-plasmon được sử dụng để giải những bài toán về kích thích
và biến đổi tham số (chương 3) và các bài toán về sự hấp thụ phonon âm
(chương 4). Một số vấn đề về tổng quan cũng như phổ năng lượng và hàm
sóng của điện tử tự do trong hố lượng tử được trình bày trong mục 1.4 và
 li

trong siêu mạng pha tạp được trình bày trong mục Ì .5.

Chương 2 dành cho việc nghiên cứu về ảnh hưởng của sóng điện từ
biên độ mạnh, tần số lượng tử lên hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán
dẫn khối. Trong mục 2.1, chúng tôi x uất phát từ Hamiltonian của hệ từ đó
tiến hành tính toán cho các quá trình hấp thụ nhiều photon và nhạn được
các công thức cho hệ số hấp thụ trong bán dẫn khối khi có mặt sóng điện từ
mạnh được trình bày trong mục 2.2.

Chương 3 đề cập đến bài toán kích thích tham số các mật độ sóng
trong plasma bán dẫn điện tử-lỗ trống bởi trường bức xạ điện từ. Trong
mục 3.1 chúng tôi x uất phát từ Hamiltonian của hệ, x ây dựng phương trình
động lượng tử cho hệ phonon-điện tử-plasmon khi có trường bức xạ laser
ngoài. Từ các kết quả thu được chúng tôi chỉ ra sự cộng hương tham số
được trình bày trong mục 3.2

Trong Chương 4 chúng tôi nghiên cún bài toán gia tăng phonon âm
trong hố lượng tử. Trong mục 4. Ì là bài toán gia tăng phonon âm trong hố
lượng tử khi không có từ trường ngoài. Trong mục 4.2 là bài toán gia tăng
phonon âm trong hố lượng tử khi có mặt từ trường ngoài. Cá hai bài toán
được xem xét cho cơ chế tán xạ điện tử-phonon âm được coi là trội. Các kết
quả được tính toán số và phân tích. Các công thức tổng quát thu được có
thể áp dụng cho toàn vùng tần số từ cổ điển đến lượng tử.

Trong chương cuối (Chương 5) chúng tôi xem xét các tính chất
quang trong siêu mạng pha tạp, mà một trong các tính chất quan trọng là sự
hấp thự sóng điện từ yếu. Các hệ số hấp thụ só ng điện từ được nghiên cứu
trong hai trường hợp khi không có từ trường với hai cơ chế tán xạ điện tử-
phonon âm và điện tử-phonon qu ang ( mục 5.1), và khi có mặt từ trường
ngoài với cơ chế tán xạ điện tử-phonon quang (mục 5.2). M ỗ i bài toán được
bắt đầu bằng việc x ây dựng Hamiltonian của hệ điện tử-phonon, từ đó tiến
hành tính toán ten xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ, các kết quả thu được
 12

bước đầu được t ính t oán số và phân tích. Các công thức t ống quát t hu được
có thể áp dụng cho toàn vùng t ần số từ cổ điển đến lượng tử.

Trong phần Phụ lục, tác giả liệt kê một chương trình mẫu dùng để
tính toán số và vẽ đồ thị sự phụ t huộc của các đại lượng phụ t huộc mạnh
vào t ham số cấu trúc vật li ệu.
Các kết quả của luận án này đã được công bố thành 12 cồng trình
dưới dạng các bài báo ở các Tạp chí trong nước và ngoài nước, và các báo
cáo khoa học ở các H ộ i nghị t rong nước và Quốc tế, bao gồm:

- OI bài báo đăng trong J noi nai of the Korean Physical Society.

- OI bài đăng trong tạp chí Communications in Phys ics của H ộ i

Vật lý Việt nam.

- 04 bài đăng trong t ạp chí Juornal of Science là Tạp chí khoa

học của trường ĐHQG-Hà nội.

- 02 bài báo đăng trong Tạp chí Nghiên cứu Khoa học Kỹ thuật

Quân s ự ( Chuyên san Kho a học của các Viện Nghiên cứu

trong Quân đội).

- 01 bài bá o tro ng Proceedings of the Third International

Workshop on Materials Science (IWOMSV9), Han

o i, No vember

2-4,1999.

- 03 bài báo trong Tuyển tập báo cáo hội nghị vật lý lý thuyết lần

thứ 23, H ồ Chí Minh 27-30/7, 1998.

Và một số báo cáo khoa học khác tại Hội nghị vật lý to àn quốc lán
thứ V , Hà nội (3- 200]). Hội nghị vật [ý lý thuyết toàn quốc hàng năm, Hội
nghị các nhà khoa học trẻ ĐHỌG-Hà nội (12-1999), Hội nghị toàn quốc
lần thứ 2 về quang học và quang phổ (8-1998), H ội nghị Khoa học lần thứ
13 của Học viện Kỳ thuật Quán sự (10-2001).
 13

CHƯƠNG Ì

GIỚI THIỆU TỔNG QUAN

1.1. Công thúc Kubo - Mori cho tenxơ độ dẩn

Phương pháp Kubo-Mori là phương pháp thống kê lượng tử. Phương

pháp này dựa trên công thức Kubo cho tenxơ độ dẫn cao tần và phép chiếu
toán tử của Mori. Để nghiên cứu sự hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử tự
do tr ong hô lượng tử v à siêu mạng bán dần, phương pháp này đã cho phép
thu nhận các kết quả một cách nhanh chóng v à tổng quát. Trong mục này
chúng tôi trình bày vắn tắt lại các công thức chủ yếu của phương pháp
Kubo-Mori và đưa ra một biểu thức gần đúng bậc hai cho tenxơ độ dẫn.
Đây là công thức cơ bản và sẽ được sử dụng để tính toán hệ số hấp thụ sóng
điện từ yếu bới các điện tử tự do tr ong siêu mạng pha tạp trong chương 5.

Công thức Kubo cho tenxơ độ dẫn được đưa ra khi nghiên cứu lý
thuyết phản ứng tuyến tính của hệ dưới ảnh hưởng của trường điện biến

thiên E(t) = E coscot, có dạng [62J, [Ò5\:

0

co

ơ. ((0)=
l v lim ídte i C ứ t
- ỏ t
(J J,(t))
v , (LI)

trong đó ì là đơn vị ảo, co là tần số biến thiên của trường sóng điện từ, J là

toán tử mật độ dòng điện:

a a
J = --frE P p p' (1-2)

J là thành phần thứ ịi của toán tử mật độ dòng điện (|LI = X , y, z), v à Jjj(t) là
ụ

biểu diễn Heisenberg của

 14

fiHt ì iHt ^1
J (t) = exp J ụ.exp (1.3)
V

với p , e và m* lần lượt là vectơ xung lượng, điện tích và khối lượng hiệu

dụng của điện tử, áp và á p tương ứng là các to án tứ sinh và hủy điện tử

với xung lượng p , H là to án tử Hamilto n của hệ, ti là hằng số Planck và ổ

là một tham số. Tham số ổ xuất hiện là do giả thiết đoạn nhiệt của tương

tác và được cho tiến tới 0 sau khi tính toán. Điều nà y có nghĩa là tất cả các

tương tác trong hệ được đưa vào tại thời điểm t = - c o .

Trong (1.1), (A,B) là ký hiệu hàm tương quan thời gian của hai to án
tử A và B, được định nghĩa bởi biểu thức:

(1.4)
0

ở đây p = l / k T (k là hằng số Bo ltzmann, T là nhiệt độ của hệ), và <...> ký

B B

hiệu việc lấy trung bình của toán tử với toán tử Hamilton H của hệ.
Công thức (1.1) đã được Mori phát triển tiếp trong [69J, [70]. Trong
đó Mori đã chỉ ra rằng ảnh Laplace của hàm tương quan thời gian (Ì .4) có
thể được biểu diễn dưới dạng một liên p hân số vô hạn liên tục. Cách biểu
diễn này chứa đựng nhiều un điểm thuận lợi cho việc tính toán các bài toán
lý thuyết. Một trong những ưu điểm là hàm số được biểu điển dưới dạng
liên phân số vô hạn sẽ hội tụ nhanh hơn so với khi được biểu diễn dưới dạng
chuỗi lũy thừa. Điều nà y được sử dụng để ngắt liên p hân số ở gần đúng bậc
hai với giả thiết tương tác điện tử-phonon là nhỏ. Dựa trên phương pháp
toán của Mo ri, tro ng mục này đưa ra biểu thức gần đúng bậc hai của tương
tác. G i ả sử sự thay đ ổ i theo thời gian của hai to án tử A(t) và B(t) được mỏ tả
bằng các phương trình Liouville:
 15

^ ^ = f(HA(t)-A(t)H) iLA(t)
dt n
(1.5)
dB(t)
iLB(t)
dt

với L là toán tử Liouville.

Dựa trên cách tính của Mori, chúng ta sẽ chứng minh biêu thức sau
đây:

-1-1
00 co

jdte- (A,B(t)) = ( A , B ) z - ÌT|• + Jdte F(t)

z t z t
(1.6)
0 0

trong đó z là một số phức nào đó (z = ô - ico), và

ÌT1 = - ( Ả 3 ) ( A B ) "
9
Ỉ
=(A,Ồ)(A,B) (1.7)

với À (t) là đạo hàm của toán tử A(t) theo thời g ian,

A = A ( 0 ) B = B(0),
s

và F(t) là một hàm tương quan của hai toán tử A và B. Dạng cụ thẻ của hàm
này phụ thuộc vào từng bài toán cụ thể.

Để chứng minh biểu thức (1.6), chúng ta đưa ra hai toán tử hì nh

chiếu P| và P mà tác dụng của chúng lên một toán tử bất kỳ của trường G
2

nào đó được mô tả bằng biểu thức:

PỊG = (G,B)(A,B) A
(1.8)
I
P G = (A,G)(A,B)~ B
2

K h i đó, tương tác của P lên B(t) có thể viết dưới dạng :
2

P B(t) = (A, B(t))(A, B) 'BEEZ(t) B,

2 (1.9)

với
 16

Z(t) = ( A , B ( t ) ) ( A , B ) - ' . (1.10)

Từ (1.10) chúng ta nhận thấy hàm tương quan Z(t) thỏa mãn phương
trình

1
^ = ÌT Z(t)-(Q,B(t))(A,B)- ,
ì (1-11)
dt

VỚI Q = ( l - P i )Ả

Viết lại (Q,B(t)) dưới dạng:

! l
(Q,B(t))=JZ(t )(Q,R(t-t'))dt , (1.12)

i LH, tl
VỚI R ( t ) e ' R ; R = i L j B - L ] = (Ì - P ) L 2

Thay (1.12) vào (1.11) và thực hiện phép biến đ ổ i Laplace, chúng ta
thu được biểu thức sau cho ảnh Laplace của hàm Z(t):

co 00
zt
Z(z) = j d t e " Z ( t ) = z - i ĩ i + ( A , B ) _ 1 zt
jdte- (Q,R(t)) . (1.13)
0

Từ (1.8), (1.12) và (1.13), có thể suy ra biểu thức cần phải chứng
minh (1.6) với

F(t) = (Q, Rít)) (A, B)-'. (1.14)

Sử dụng đồng nhất thức Kubo [78]:

ì 00
XU
A,e _ P H
J=e" p H
jdẦe [H,A]e"
m
( ỉ . 15)
0

có thể viết lại biểu thức cho ti rị dưới dạng:

/UI = ( [ A , B ] ) ( A , B ) " \
(1.16)
 17

trong đó [A,B]=AB - B A là giao hoán tử của hai toán tử A và B.

Trong biểu thức (1.6), ánh Lap lace của hàm tương quan F(t) cũng lại
có thể được biểu diễn ở dạng một biểu thức tương tự. Nói cách khác, nếu cứ
tiếp tục như vậy, bằng phương pháp này, về nguyên tắc ch úng ta có th ể
phân tích Z(z) th ành một liên ph ân số vô h ạn như Mori đã chỉ ra.

Để đưa ra biểu thức gần đúng, chúng ta hãy giả thiết toán tử
Hamilton của hệ có thể biểu diễn dưới dạng

H = H + u,0 (1.17)

trong đó H là năng lượng kh ông tương tác của hệ đi ện tử và tâm tán xạ, u
0

là thế năng tương tác giữa các p hần tử tạo thành hệ và được coi là nhiễu
loạn nhỏ. Trong bài toán hấp thụ sóng đi ện từ bởi đi ện tử tự do trong hố
lượng tứ và siêu mạng bán dẫn với cơ chế tán xạ đi ện tử-phonon, u là năng
lượng tương tác của hệ đi ện tử-phonon.

K h i đó, toán tử Liouville có thể tách thành hai p hần ứng với hai thành
phần của toán tử Hamilton

( 0 ) ( 1 )
L = L + L , (1.18)

và trong gần đúng bậc hai của tương tác, chúng ta có thể đặt:

( 0 )
(Q,R(t))*(Q,Rexp[i(l-P )L t]). 2 (1.19)

Chú ý rằng nếu có các đẳng thức sau đối với các giao h oán tử:
[ H , A] = const.A và [ H , Bj = const.B
0 0 (Ì .20)

thì biểu th ức (1.19) có th ể viết lại dưới dạng:

(Q,R(t))* 7 ( [ U , A l [ U ,i
B] ) (1.21)

ở đây Gị là biểu diễn tương tác của G

ĐẠI HỌC o u o c G i - HÀ NO!

 18

= exp <iH 0 0 .G.exp

iH t
G
0
I
Tì

và việc lấy trung bình to án tử tro ng hàm tương quan thời gian (1.21) được
thực hiện không phải với to án tử Hamilto n H của hệ, mà với toán tử
Hamilton không tương tác H . 0

Kết hợp (1.6), (1.14) và (1.21), thay các toán tử A và B bơi J và J ,

v M

chúng ta thu được biểu thức gần đúng bậc hai cần tìm cho tenxơ độ dẫn:

GO

ơ ( 1 » = lim jdtd roH,t

(J ,yt))
v

ô H~0 Q

/ . \2 GO ,
(1.22)
lim(j ,J^ -i((0+TT)+ -
v ( j , ự Jdte^^tuivljUJ ụ
v
S-HO

với Tir\ thoa mãn (1.16) và các điều kiện (1.20) cho các toán tử J và J .
v M

Biểu thức (1.22) được xây dựng trên cơ sở phương pháp Kubo-Mori
khi chúng ta ngắt chuỗi liên phân số trong gần đúng bậc hai cua tương tác.
Biểu thức này sẽ được sử dụng để tính to án các thành phần của hệ số hấp
thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử tự do trong trong siêu mạng pha tạp.

1.2. Công thức Kubo-Mori mở rộng

Cồng thức Kubo -Mo ri (1.22) chỉ áp dụng được cho trường hợp sóng
điện từ yếu. Đ ể giải quyết bài toán vật lý liên quan đến s óng điện từ mạnh.
chúng ta cần phải mở rộng công thức Kubo-Mori cho trường hợp ngo ài
sóng điện từ yếu trong bán dẫn còn có thêm một s óng điện từ mạnh khác
hoặc từ trường. Bài to án ảnh hưởng của trường sóng điện từ mạnh lên sự
hấp thụ sóng điện từ yếu bới điện tử tự do đóng một vai trò quan trọng trong
việc nghiên cứu các tính chất vật lý của bán dẫn nói chung, hố lượng tử và
siêu mạng bán dẫn nói riêng, đặc biệt là tro ng thực nghiệm. Đó là vì trong
 19

thực nghiệm việc đo đạc trực tiếp sự hấp thụ sóng điện từ mạnh (biến điệu
hay không biến điệu) gặp nhiều khó khăn và do đó trong thực ng hiệm
thường chỉ ng hiên cứu ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên các hạt tải tự
do một cách gián tiếp bằng cách sử dụng một sóng điện từ yếu khác đóng
vai trò "phông". Phương pháp này đã được sử dụng trong các công trình [ Ì ],
[82] cho bán dẫn khối và trong [5], [7], [37], [40] cho siêu mạng bán dẫn.
M ụ c này trình bày vắn tắt quá trình xây dựng công thức Kubo-Mori mở
rộng cho trường hợp ng oài sóng điện từ yếu trong bán dẫn còn có thêm một
sóng điện từ mạnh khác. Bằng cách đưa sóng điện từ mạnh vào ng ay từ đầu
trong phương trình Liouville cho ma trận mật độ, công thức Kubo-Mori mớ
rộng được sử dụng để tính hệ số hấp thụ một sóng điện từ mạnh bởi điện tử
tự do trong bán đản khối.

G i ả sử sóng điện từ yếu và sóng điện từ mạnh là các sóng phảng , có

tần số tương ứng là co và Q thỏa mãn điều kiện cao tần

(0,Q»T _ 1
, (1.23)

với T là thời gian trung bình phục h ồ i xung lượng của điện tử.

Toán tử Hamilton của bán dẫn trong trường sóng điện từ mạnh có
dạng [82], [83]:

H(t) = H (t) + u = H (t) + H + u

0 oe os (Ì .24)

trong đó H (t) và H
oe o s tương ứng là toán tử năng lượng của điện tử trong
trường sóng điện từ mạnh và của tâm tán xạ, u l à năng lượng tương tác giữa
chúng,

L 2
H (t)=- rI(p--A(t)) aiap
o e , (1.25)
2m P c

ở đây à ( t ) = ( c F / Q ) c o s fit là thế vectơ của trường sóng điện từ mạnh,

e
 20

F là vectơ cường độ của sóng điện từ mạnh, c là vận tốc ánh sáng.
e

Tương tác của hệ (1.24) với trường sóng điện từ yếu có dạng

E(t) = - | E e x p ( - i c o t ) + E*exp (icot)) = E COS cot , (1.26)

mà chúng ta sẽ coi như nhiễu loạn ngoài , được mồ tả bởi Hami ltoni an:

HỈ = -e£(r ,E(t)) a (1.27)

trong đó r là bán kính vectơ của điện tích a. Tổng lấy theo tất cả các điện
a

tích trong một đơn vị thể tích. Cả hai sóng điện từ được giả thiết đưa vào

một cách đoạn nhiệt, tức là tiến tới 0 trong giới hạn t—» - 0 0 .

Phương trình Li ouvi lle cho ma trận mật độ p(t) có dạng:

ỡp(t) i
p(t),H(t) + H (1.28)
at ti

thỏa mãn điều kiên ban đầu:

p(t = -GO) = p = exp

0 (1.29)
1<BT

với Vị/ -là n ă n g lượng tự do ban đ ầ u và H = H ( - o o )

Q

Nghiệm của (1.28) thỏa mãn (1.29) có dạng :

p ( t ) = p ( t ) + Ap(t)
0

Ì v„ r ] 1 ,
, (1.30)
= S(t,-oo)p S(-oo,t) + ^- fdtS(t,t )[H|,p(f)JS(t',t)
0

co
 21

trong đó: S(t,t') = T e x p [ - I

t fH(x)dx] (1.31)
ti ị

T là toán tử thứ tự theo thời gian Dyson và được định nghĩa như sau:
t

T (V(t,) V(t ) V(t )... V(O) = V(t,) V(t ) ... V(t ) với t, > t >....> t .
t 2 3 f r f r

Trong phép gần đúng bậc hai của tương tác, ta có:

Ap(t)= 1
jdfH[,(t\t) p (t) 5 0 (1.32)
in

ở đây HMt',t được mồ tả trong biếu diễn:

AO', 0 = Sít, f ) A S(f, t). (1.33)

Bỏ qua ảnh hướng của trường sóng điện từ tớ i hàm phân bố năng

lượng của điện tử và thay thế đại lượng p (t) trong (Ì .32) bằng p , sau đó sử
ư 0

dụng đồ ng nhất thức Kub o [78]

A A

A,Po H.A (1.34)

chúng ta tìm được công thức cho thành phần ụ. (ụ. =1,2,3) của mật độ dòng

điện xuất hiện dưới tác dụng của sóng điện từ yếu:

t p
<J»>= . Jdt'JdX. e Ả H
[H,H;,(t',t)]e- % Ả
(1.35)
-00 0
 22

trong đó Ọịx) = 0 vì (...) =Sp(...p ). N ế u ký hiệu p là vectơ lưỡng cực:

0

p = £er a , ta có:

H Ị = - ( E , P ) c o s tot.e , ôt
ổ^> + 0. (1.36)

Chú ý đến (1.31) và (1.33), các thành phần của mật độ dòng điện
xuất hiện dưới tác dụng của sóng điện từ yếu, có dạng

1 3 t p
I A H ! l ; i H
< J u > = - ^ T Ẽ f d t Je( ' [ H S ( t , t ) P S ( t , t )e
9 ] - v J„) X
ì n
V= 1-00 0

X E coscot\e 'cR
v
ỏt
, 5^+0 (Ì.37)

Lấy phần thực của < J ú > và chú ý đến mối liên hệ giữa toán tử mật

độ dòng và vectơ lưỡng cực

J =P =^[H,P ]
V V V (1.38)
ti

sau đó thực hiện đối biến số t" = í - t', chúng ta có thế viết lại (1.37) như
sau

00 p
Ì
H H
R e ( j ) = Re £
ị i Jdt " j ( e ^ J (t - t", t ) e " * J ^ ) dX X
v

V = l0 0

xE e-v
i C ở t + ỗ t
e i C ừ t
"- ỗ t
" (1.39)
 23

icot + ỗt
Vì E e v = E ( t) , đồng thời xem hệ là đồng nhất và tenxơ độ
v

dẫn liên hệ với mật độ dòng bơi hệ thức J(co,t ) = ơ(co,t).Ẽ(t), hay

Re(jj ) = R e £ { & n v ( « M ) . E ( t )
1 v
(1.40)
v=l

nên nếu so sánh (1.39) và (1.40) ta tìm được

00 B
icot'-5t' r 1 "Ì / A.H
ơ^v(©,t)= lim jdt'e 1 C ử t õ t
- jdẰ(e Ằ H
J (t -t ',t )e- %/ ,
v
Ả
A (1.41)
ỗ->+0

í . t-r \ í , t-f
J ( t - t ' , t ) = exp - ÍH(T)dx J exp |H(x)d (1.42)
ỉ
v v

n
V*

Từ đó

00

ơ^ v (C0,t) = lim fdt ' e l w t

'- ỗ t
'(J ,J (t,t-t'))
v u , (1.43)
S-> +0 Q

í . t
J „ ( t , t - t') = exp - jH(x)dx J ụ exp jH(t)d • (1.44)
n ri
K t-V V t - r

Các côn g thức (1.41) hay (1.43) là công thức mớ rộng của công thức
Kubo đối với tenxơ độ dẫn khi trong bán dẫn, ngoài sóng điện từ yếu còn có
thêm sóng điện từ mạnh.

Áp dụng phương pháp của Mori đ ố i với các công thức trên , chún g ta

thu đươc:
 24

00
• icot'-Sf
ơ (co,t)= lim fdfe 1
(J ,J (t,t-t'))
v u

= lim ( J , JV )<Ị-
i (co + r|) + ( J V ' J |i ) x

5-^+0

00

X J d t ' e ^ ' - ^ U ^ M U , ^ ] , ) (1.45)

0
ở đây

(. t A (
i 1

exp - j H ( T ) d i .[U,J ].exp (1-46)

0 u
- - ÍH (T)dx
0

V *t-f

va »Ti = ( [ J , J j ] ; ( J , J )
v l 0 v |1 (1.47)

Cồng thức (1.45) cùng với (1.46) và Ã 7 bằng (1.47) là công thức mở

rộng của công thức Ku bo-Mori thông thường (1.22) cho tenxơ độ dẫn khi

trong bán dẫn, ngoài sóng điện từ yếu còn có thêm sóng điện t ừ mạnh.

Trong trường hợp giới hạn khi không có sóng điện t ừ mạnh ( F —> 0 ) các e

công thức này trở về công thức Ku bo-Mori thông thường (1.22) cho tenxơ

độ dẫn khi chỉ có sóng điện t ừ yếu với tần số co. K h i cho tần số sóng điện t ừ

yếu bằng tần số sóng điện t ừ mạnh và nếu vectơ cường độ sóng điện t ừ yếu

song song với vectơ cường độ sóng điện t ừ mạnh, chúng ta thu được công

thức tính tenxơ độ dẫn khi chỉ có sóng điện t ừ mạnh với tần số Q [82].

Để t hu được các công thức trên, chúng ta đã dùng hàm ma trận mật

độ p t hay cho hàm ma trận mật độ p (t ) t rong phép gần đúng lặp (1.32).
0 G

Gần đúng này tương đương với vi ệc bỏ qua ảnh hưởng của sóng điện t ừ

mạnh đến hàm phân bố năng lượng của điện tử (hiệu ứng nhiệt). G i ả thiết

này được thỏa mãn khi sóng điện t ừ mạnh là không qu á mạnh đê có thế phá

vỡ mẫu , không tạo ra sự tách tiếp theo trong phổ năng lượng của điện t ử và
 25

sóng điện từ mạnh chỉ ảnh hưởng lên xác suất tán xạ của điện tử bới tâm tán
xạ nhưng không làm thay đổi nồng độ và nhiệt độ hiệu dụng của chú ng.

1.3. Phương trình động lượng tử

Các hiệu ứng quang-âm-điện tử là những hiệu ứng liên quan đến các
hiện tượng gây ra bởi tương tác của điện tử dẫn với phonon âm. Hiệu ứng
này so với các hiện ứng động khác ( chẳng hạn như độ dẫn điện, độ dẫn
nhiệt, hiệu ứng nhiệt từ, hiệu ứng Hall, v.v.) cho thấy tương tác điện tử-
phonon đã được lấy trung bình theo vùng rộng các véctơ sóng q của
phonon (và trong nhiều trường hợp thì sự lấy trung bình đó theo tất cả các
véctơ sóng q của phonon). Chính vì vậy, việc nghiên cứu các hiệu ứng

quang-âm-điện tử trong nhiều trường hợp cho rất nhiều thông tin về phổ của
điện tử và cơ chế tán xạ của điện tử so với nghiên cứu các hiệu ứng động
khác.
Để xây dựng lý thuyết gia tăng phonon âm, trong luậ n án này chúng
tôi sẽ sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho phonon. Dưới
đây chúng tôi sẽ trình bày những nét cơ bản của phương pháp phương trình
động lượng tử cho hệ điện tử-phonon-plasmon được sử dụng ở các chương 3
và chương 4 khi giải quyết các bài toán vật lý cụ thể.

1.3.1. Phương trình động lượng tử khi không có từ trường

Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong bán dẫn có dạng:

-|2
+b (1 48)
Ý
P--Ã(t) a a
p P
+ C b b
S ^ ^ q +I£q j5 M q a a ( b
V' -
2m pL c q p,q

trong đó ÃcOqlà năng lượng của phonon (#=1); c là vận tốc ánh sáng;

à ( t ) là thế véctơ, liên hệ với trường sóng điện từ bởi biếu thức:
 26

Ì dA(t) - . _
v ;
= FsinQt (1.49)
c dí

Chúng ta giả thiết rằng khi t ->• - G O chưa có tương tác của trường
sóng điện từ, hệ các điện tử-phonon không tương tác và nằm trong trạng
thái cân bằng nhiệt động. Do đó, đ ố i với các véctơ sóng q , chúng ta có

0 (ở đây < . . . >là ký hiệu trung bình thống kê).

q t=-

Từ Ham iltonian (1.48) và theo phương pháp đã trình bày ở các công
trình [3], [13], [32], [34], [56], [67], [68], [71] chúng ta thiết lập phương

trình đông cho :

• w
H t

ĩ
at
bã
q
t
= b ,H(t)
5

Im
ì P-
c
A(t) b
L q' p p a a +

(1.50)
1 L
k p.k

Sau các phép biến đổi đại số toán tử, ta có:

õ
ĩ r. b
d . = c
°q b
q . + I -CÌ q a „ C
a p (1.51)
at p-q

Cũng tương tự như vậy, chúng ta thiết lập phương trình động lượng tử

cho a ;_ a q p

. ổ +
a;_ -a ,H(t) q p
a a p
at ^ «"
-i2

p- Ắ(t)
e
a
p-q P' p' P Ja a a
t
+ a a
p-q p>K k b

2 in c
 27

(1.52)
p'.k L

J t

Sau các phép biến đổi đại số toán tử, chúng ta có:

e q
i ^ a i -ap: = ie(5)-E(B-q)- Ả(t)Ị> a i -a„ +
V F V H v ;
a M p t Ị ^ * í ÌH p t m c

+ ẸC J k a;,a (b_Vb H k ) i - a- M ( k a (b:

p k + b k ) i [ . (1.53)

Để giải phương trình vi phân không thuần nhất (1.53), trước hết
chúng ta phải giải phương trình thuần nhất sau:

e 0
i | aj^ajj ° = j e ( p ) - e ( p - q ) - | Ẵ(t)| a í _ a a p (1.54)
p-q . ;

0
ÍỊ õ ai -as
M P t ec
i ÃA(t)Hít
Ị-i<Ịs(p)-s(p-q)-
J 0
+ —co m c
•°0 a i -an
p-q p t

L
0 I
°? Ả(t)
In at_ -3p = - i J <|s(p)-s(p-q) m c
—GO —00

0 t
+
a
p-q p a
t
= e x
l -Ì í
-CO
e ( p ) - e ( p - q ) - ? Ả(tO dí, e

m c
(1.55)

Đặt: a;_-a- =<p(t). ;_-a- ° a (1.56)

đạo hàm hai v ế với (1.56), chúng ta thu được:

3a
. Uh t _.ap(t) 0 _ +
ỡ a
M a
- P t

- ai.=a +i(p(t) fi

at ỡt ' ổt
 28

: ỡcp(t) _ 0 +
=1 a
4-q P + s(p)-s(p-q)- ? Ă(t) a pi --a
e

di q p t
mc
p - q

e(p)-e(p-q)- ^ Ã(t)Ị. a í ^ a p +
mc

+ Z Q [a+a. r ( b r + b +
p ) - a!. c a B ( b r + b , ) +
(1.57)
v - k v 7
4H k í, p-q p-k k í p-q+k p k -le

Từ công thức (1.57), chúng ta có:

ổ(p(t)
* M a
P ;;==5Mai*ViO*+bi)) -(a_ ^a-0> +b^)) (1.58)
at k

(p(t) = - i J d t e x p h ị e ( p ) - s ( p - q ) - - ^ Ã ( t )
r 2
d t
2f x

*
-oe •00
mc

* l q Ị ( a ^ a . _ ^ +bi)) -(a!_ ,a- (b, +bi))^. ti + p (1.59)

Thay (1.59) và (1.55) vào (1.56), chúng ta nhận được:

a a
p-q p i Ídt.Ịq a ^ ( b s +bi)) - a ^ a p C b j +b^)

ie . •
ỉX i(e(p) - 8 ( p - q ) X t Ì -1) — Ị q A ( t ) d t (1.60)
2

m c t

Thay (1.60) vào (1.51), chúng ta thu được:

2C.,C Jdt,|a;. , a (b
( 5 £ f s + b: ))
t -(a;.,a (b M s + b; ))
t
1
p,k -00
 29

exp i ( s ( p ) - 8 ( p - q ) X t ! - t ) — ^ - j q A ( t ) d t . (1.61)
* 2 2

m c

Trong gần đúng bậc hai theo hằng số tương tác C - , chúng ta bỏ qua

bt) và thu đươc:

+ fo>,( i) =c,
b
t Z(n -n„)Jdt(b,
p
ỡt

X ex p i t o - s C p - q ) ] ^ - t ) - - ^ f q Ă ( t ) d t 2 2 (1.62)
m c

1 dA(t ) 2
VỚI FsinQt
c âu
ta lai có

ô b.
+ ia>, b, t = c, Z (n p -n M )Jdt b
ổt

xexp"Ji(6(p)-E(p-q))(t] - t ) - i
i ( s i n Q t i -sinQt)Ị> . (1.63)
e F c

2
m*Q

Sử dụng biểu thức biến đ ổ i :

±ig(p
e x p ( ± iZsincp) = Y^ỉ ( Z ) e a
±

(J (Z) là hàm Bessel đối số thực ), chúng tôi thu được phương trình độn g
g

lượng tử như sau:

õibr.
c Z(n- -n )Jdt(b y
p M q ij,(ăq)j (ãq) ;

ót

x e x p { i ( s ( p ) - s ( p - q ) ( t , - t ) - ư n t ị +iC£ìt} , (1.64)
 30

trong đó a = eF m Q , n= - hàm phân bố cân bang của điện tử.

1.3.2. Phương trình động lượng tử khi c ó tù trường ngoài

Bằng phương pháp tính toán tương tự như trong trường hợp khi khổng
có từ trường, chúng tôi cũng thu được phương trình động lượng tử cho
phonon khi có mặt từ trường. Hamiltonian của hệ điện tử-phonon khi có

mặt trường bức xạ laser F(t) = F s i n Q t và từ trường H ( H li F ) có d ạng:

H(t) = H (t) + u
0 (1.65

e +
H ( t ) = £ e | p - A ( t ) k ; ( p ) a ( p ) + X * C D b ( q ) b ( q ) (1.66)
0 N N a

N.p

+ +
u = £C N N .(q){a N (p)a ,(p + q)}[b (-q)+b(q)]
N , (1.67)
p.q

trong đó: a^i(p) và a ( p ) ( b ( q ) v à b(q)) tương ứng là toán tử sinh và

N

hủy của điện tử (phonon);C .(q) là hằng số tương tác điện tử-phonon âm
N N

khi có từ trường. K h i có mặt từ trường, phổ năng lượng của điện tử trong
gần đúng liên kết mạnh, có d ạng:

Pz
(p)= N + nn +c (1.68)
2m
)
N là chỉ số phân vùng từ Lanđau (N =0,1,2,...); f2 là tần số cyclotron. c

Từ Hamiltonian (1.65), chúng ta lại thu được phương trình động

lượng tử cho b(q ) :

b(q) + i ( 0
t q b(q ) t =
at
 31

= Z l NN'(q) E ( N ( p - q ) - N ' ( p ) ) i ,
c n n d t
b(q) ti Z i(aq)J (aq)x
J
c

N,N' p _00 1
f.C="OD

xexp{i(s (p)-s ,(p-q))(t - t ) - i ể O t

N N 1 1 +i;Qt} , (1.69)

ở đây: n ( p - q ) v a n , ( p ) là các hàm phân bố của điện tử trong trạng thái

N N

cân bằng không phụ thuộc vào thời gian.

Các phương trình thu được ỏ trên sẽ được sử dụng để lập phương
trình tán sắc và tính hệ số hấp thụ phonon â m trong bán dẫn khối cũng như
bán dẫn thấp chiều khi không có mặt từ trường và khi có mặt từ trường.

1.4. H ố lượng tử bán dẫn

Như đã biết, một trong những tham số quan trọng của chất bán dẫn là
độ rộng vùng cấm năng lượng. Tham số này giúp cho việc phâ n biệt chúng
với kim loại và điệ n môi. Nếu chúng ta tạo ra các lớp dị tiếp xúc của hai
chất bán dẫn bằng phương pháp Epitaxy thì có thể xẩy ra một số khả năng
[76]. K h ả năng thứ nhất được mô tả trên hình 1(a). Các điệ n tử trong lớp
bán dẫn có vùng cấm hẹp sẽ bị phản xạ khi chúng đi đến dị tiếp xúc từ bên
phải, vì thế chúng bị giam giữ trong lớp bán dẫn có vùng cấm hẹp. Vì các
điện tử trong lớp bán dẫn có vùng cấm rộng là ở trong miền có thế năng cao
hơn nên khi tiến tới dị tiếp xúc từ bên trái các điệ n tử được gia tốc bởi điệ n
trường tại mặt phâ n cách và hiệu thế năng chuyển thành động năng của
chúng. Chuyển động của các điệ n tử này được tăng tốc theo chiều vuông
góc với mặt tiếp xúc. Cả hai tính chất nà y đểu được sử dụng trong các linh
kiện dị tiếp xúc. Khá nà ng thứ hai được mô tả trên hình 1(b) và 1(c). Hai
lớp dị tiếp xúc được ghép cạnh nhau tạo thà nh một hà ng rà o thế như hình
1(b) hoặc tạo thành một hố lượng tử như hình 1(c). Các cấu trúc này rất
được chú ý khi các kích thước của chúng nhỏ hơn bước sóng De Broglie đối
với điệ n tử. M ộ t điện tử tới hà ng rà o thế mỏng có thể xuyên qua hà ng rà o và
dịch chuyển nà y có thể thay đ ổ i được bằng cách thay đ ổ i các tham số của
 32

hàng rào hoặc đặt vào một điện trường. Đây là cơ sỏ cho một phương pháp
mới đế điều khiển chuyển động của các hạt tải trong các linh kiện bán dẫn.
Chúng ta đặc biệt chú ý đến trường hợp được mô tá trên hình 1(c)- hố lượng
tử- là cấu trúc trong đó một lớp mỏng chất bán dẫn này được đặt giữa hai
lớp chất bán dẫn khác có cấu trúc mạng gần như nhau. Sự khác biệt giữa
các cực tiểu vùng dẫn của hai chất bán dẫn đó tạo nên một hố (thế năng)
lượng tử đối với điện tử. Các hạt tải nằm trong lớp bán dẫn có vùng cấm hẹp
này không thể xuyên qua (ví dụ nhờ hiệu ứng đường hầm) mặt phâ n cách để
đi đến các lớp bán dẫn bên cạnh. Vì vậy, trong cấu trúc này các hạt tải bị
định xứ mạnh và gần như bị cách ly lẫn nhau trong các hố lượng tử hai
chiều. Hà m sóng của điện tử sẽ bị phả n xạ tại các thành của hố và phổ năng
lượng của nó bị lượng tử hóa. Các giá trị xung lượng được phé p của điện tử
theo chiều vuông góc với mặt tiếp xúc cũng bị giới hạn. Sự lượng tử hóa
năng lượng của điện tử trong hố lượng tử thành các mức năng lượng gián
đoạn là một hiệu ứng lượng tử quan trọng. Dựa vào sự lượng tử hóa năng
lượng của điện tử trong hố lượng tử thành các mức năng lượng gián đoạn,
người ta có thể điều chỉnh hoặc tối ưu hóa bằng cách lựa chọn độ rộng và
độ sâ u của hố thế (hay độ cao của hà ng rà o thế) của các vật liệu cho một
mục đích ứng dụng cụ thể hoặc để điều khiển chính xác dịch chuyển cua
điện tử trong các thiết bị kiểu transistor

D i tiếp xúc àH ng rà o thế H ố lương tử

ì n

a) b) c)

Hình 1: Mô hình hóa vùng năng lượng đối với

a) một dị tiếp xúc, b) hà ng rào thế và c) hố lượng tử.
 33

Có hai loại dịch chuyển được chỉ ra trên hình 2. Dịch chuyến giữa
một mức trong vùng hóa trị và một mức trong vùng dẫn và dịch chuyển giữa
hai mức năng lượng khá c nhau (chẳng hạn giữa cá c mức với chỉ số lượng tử
n=l và n=2) của cùng một vùng.

Sự thay đ ổ i mậ t độ trạng thái từ mậ t độ trạng thái cho hệ điện tử 3

chiều (thường được ký hiệu là 3D) trong bán dẫn khối sang cấu trúc hoặc là
hai chiều (2D) hoặc là một chiều (ỈD) cũng là một hiệu ứng quan trọng
xuất hiện trong hố lượng tử cũng như trong các hệ thấp chiều khác do sự
giam giữ điện tử. Nếu như trong cấu trúc với hệ điện tử 3D mậ t độ trạng
thái bắt đầu tại giá trị 0 và tăng theo qui luật E m
(E là năng lượng của điện
tử), thì trong hố lượng tử cũng như trong các hệ 2D và 1D khá c, mật độ
trạng thá i bắt đầu tại giá trị nào đó khác 0 tại trạng thá i năng lượng cho
phép thấp nhất (£=0) và q ui luật khác E m
[53]. Sự thay đổi mậ t độ trạng
thái của hệ điện tử trong hố lượng tử như mô tả ở trên đóng vai trò quan
trọng trong cá c Laser bá n dẫn hố lượng tử .

00

n = 2
Trạng thái điện tử
n= Ì

Nâng lượng dịch chuyển cực

tiểu
Trạng thá i lỗ trống nặng •

Trạng thá i lỗ trống nhẹ

0 L

Hình 2: Các trạng thái của điện tử và các Hình 3: Mô hình lý tưởng hóa hố thế
loại dịch chuyển trong hố lượng tử. chừ nhật, độ cao hố thế là vỏ hạn.
 34

Chúng ta xem xét phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử tự do
trong hố lượng tử. Trước hết, có thể nhận thấy rằng xét về mặt hình thức, tất
cả các cấu trúc với hệ điện tử chuẩn hai chiều (hố lượng tử và siêu mạng
bán dẫn) đều có thể xem như hố thế một chiều V(z) theo hướng mà chuyến
động của các điện tử bị giới hạn- hướng z. Sự khác biệt giũ a các cấu trúc
này (chẳng hạn giữa hố lượng tử và siêu m ạng bán dẫn) là dạng của V(z).
Theo cơ học lượng tử, chuyển động của điện tử trong hố thế đó bị lượng tử
hóa và năng lượng của điện tử sẽ được đặc trưng bởi một số lượng tử n nào
đó e (n = Ì, 2,...). Trong khi đó, chuyển động của các điện tử trong mặt
n

phảng (x,y) là tự do, phổ năng lượng của điện tử sẽ có dạng parabol thông
thường:

2
e =-^ (kl+k ị
1 T y (1.70)
2m

trong đó k và ky lần lượt là các thành phần của vectơ sóng của điện tử theo
x

các hướng X và hướng y. Vì vậy phổ năng lượng tổng cộng của điện tử có
dạng:

8 = s +Sj_. n (1.71)

Để nghiên cứu sự hấp thụ sóng điện từ yếu bơi điện tử tự do trong hố
lượng tử, có thể sử dụng mô hình lý tưởng hóa hố thế chữ nhật và chiều cao
của hố lượng tử được coi là vô hạn (hình 3). Giải phương trình Schrodinger
cho điện tử chuyển động trong hố thế này, phổ năng lượng và hàm sóng của
điện tử có dạng [23]:

s k i , =-^-(kỉ lỏ,
n + (1.72)

S l ? 1
V e (r) = y e 0 sin(k£z), (1.73)
 35

trong đó Vị/ là hằng số chuẩn hóa, F và kj_ tương ứng là vị trí và vectơ
0 ±

sóng của điện tử trong mặt phảng (x,y\ k " = me / L là các giá trị của vectơ

sóng của điện tử theo chiều z (với L là độ rộng hố lượng tử và n = 1,2, 3...
là chỉ số các mức năng lượng gián đoạn trong hố lượng tử). Như vậy, trong
hố lượng tử xuất hiện hiệu ứng lượng tử kích thích, tách các vùng năng
lượng thành các "mini" vùng và khí điện tử mang đặc trưng khí điện tử hai
chiều.

Khi có mặt từ trường B hướng vuông góc với thành hố (tức là hướng

theo trục z, B|| Oz), chuyển động của điện tử trong mặt phang (x,ỵ) (mặt

tiếp xúc của hai bán dẫn) cũng bị lượng tử hóa. Chọn thế vectơ

A = (0,Bx,0) trong trường hợp sóng điện từ yếu (lý thuyết phản ứng tuyến
9

tính) và khối lượng hiệu dụng đẳng hướng (m_L =m* = m * ) , sử dụng

thang Landau, phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử có dạng [46], [78],
[89], [94]:

2 2

ư
2
s N n =(N+SM2 + c 2 n , (1.74)
2 2m *

Ve = j L
2
L ^N( - o) '
x x e k y y
sin(n^z), (1.75)

ở đây Q c = eB/(cm*) là tần s ố cyclotron, N là chỉ s ố mức phân vùng từ

Landau (N = 0,1,2,...), <>

ịN là h à m s ó n
ễ c ủ a d a o đ n
ộ ẽ t ứ đ i
^ u h ò a
'
x 0 = /(m * Q ) = -cftky /(eB) là vị trí tâm quỹ đạ o, Ly là kích thước
c

của mẫu theo hướng V- độ dài chuẩn hóa theo trục y.

1.5 Siêu mạng pha tạp

Siêu mạng b án dẫn b ao gồm một chuỗi tuần hoàn các lớp tinh thể
 36

mỏng dan xen kế tiếp nhau, lớp đan xen có thể là các hợp chất khác nhau
(ví dụ như A l A s / G a A s , InAs/GaSb) gọi là siê u mạng hợp phần, hoặc các
lớp đan xen hợp chất giống nhau được pha tạp khác nhau gọi là siê u mạng
pha tạp, ví dụ như n- GaAs/p- GaAs. Hoặc ta có thể phối kết hợp lớp siêu
mạng hợp phần với lớp siêu mạng pha tạp [48], [72],.

Như vậy siê u mạng pha tạp là siê u mạng bán dẫn trong một khối
đồng chất, mà khối đồng chất này chỉ bị điều biến bằng cách pha lạp theo
chu kỳ xen kẽ giữa lớp n và lớp p ( Hình 4 ).

Growth
cíire-t;;n
wí Substrate

; Ai ị í Li ì ỉ.

Oppositional m-j itiiayif sỉrvỉCỉi

n ũ r í
1
C6 --
GaAs/Âí GoỊ-x^s
x cưa As
ị ì ì 9
1 Ì
X
w Ị " u - u - ư

Cb?Ị E T
ì í' ì • Ị
1 1
1 1
ĩ
;
['>) lị LI ị pGaASySb;-,
GaJn«.<As/GoAsySb|-y Ị tí . Ị-
tì ú í . nỉ
rp

'-31 ị — 1
-ì r i . r-v 1V."" ( - C a . l |ì . , ~ s - £ ì
Ị
Ị
j t í ti x

•vãi
T
a TU Lì L

ỉ p
r
ca I '. í"
NIPI structure
I - .. - Si ri
ve! ĩỤịỳs

Growth
direction ị
Ị11 . í -1 ỉ Ị — Ì —

Doping muitilcyer structure >•'". G c A s

Hình 4: G i ả n đ ồ minh hoa sắp xếp các lớp và vùng năng lượng không gian thực của hai
kiểu siê u mạng hợp phần (a và b), và của siê u mạng pha tạp bán dẫn loại III-V (c).
 37

rì L L -í I /
ì
/ \ /
•3: V J
3

• N. t , - * - Ị
:
Ị:-.-.-!*) / - - ' — \ " " - z. t .r
'• -J- r , ) V
-c

cu

_.::-\

2 V*

SU..-. J

™"F -V V s c tz?
dircruticn of pềrỉocicitY

Hình 5: Biến dạng pha tạp theo chu kỳ và biểu đồ không gian thực trongmột siêu mạng
pha tạp G A . Trạng thái cư bàn : mép vùng dẫn và vùng hóa trị được điều biến bởi thế
a s

điện tích k h ô n g gian Vj(z) . Dấu + chỉ cho ta thấy đ ó là mức các phần tử donor bị ion

hóa ở gần vùng dẫn và dấu - chỉ cho ta mức các phần tử acceptor có điện tích âm ớ mép
eff
trên vùng hóa tr ị. Eg là khe hờ của giải gián tiếp trong không gian thực. Trang thái
kích thích: cùng s iêu mạng với điện tử ở lớp n và lỗ trống ờ lớp p và các mức gần Fer mi
riêng biệt <ị> với điện tử và ộp với lỗ trống. Thế tự duy trì v ( z ) (tự ổn định) chứa đóng
n sc

góp của các phần tử mang tự do, bởi 3 loại: (Hatr er i, trao đổi và tương quan). Khe năng

lượng cua giải b g là rộng hơn b g

Trên hình 5 cho ta thấy một đặc điểm quan trọng của pha tạp. Hàm
sóng vùng dẫn của các giải nhỏ bị di đi 1/2 chu kỳ của siêu mạng so với các
 38

hàm sóng của vùng hóa trị. Do đó khe hở Eg có thể coi là một độ hở gián
tiếp trong không gian thực. Các siêu mạng hợp phần loại 2 cũng có độ hớ
gián tiếp trong không gian thực như thế nhưng sự phân biệt không gian
giữa điện tử-lỗ trống là không hoàn chỉnh và ảnh hưởng của nó không mạnh
như ỏ siêu m ạng pha tạp. Từ đồ thị chúng ta có thể nhận thấy các hàm sóng
bao của những giải nhỏ vùng dẫn thấp và vùng hóa trị cao nhất là tùy thuộc
chúng ta chọn thông số thiết kế, khi đó thời gian tái lập điện tử-lỗ trống là
rất lớn.

Các tác giả Ploog K . và Dohler G. H . [72] đã đề xuất ra cách dùng

siêu mạng bán dẫn nhân tạo để tạo ra thế chu kỳ Ì chiều bằng cách cho
biến đ ổ i chu kỳ của các tạp chất hoặc thay đổi thành phần hợp kim trong
chất bán dẫn với những chu kỳ ngắn và đã dự kiến có các hiện tượng
chuyển tải bất thường xảy ra trong các chu kỳ nhân tạo đó. Những đặc điểm
dự báo đó bắt nguồn từ chỗ cắt các giải dẫn điện và hóa trị thành các giải
mini. V i ệ c cắt nhỏ này là hệ quả của việc giảm nhỏ vùng Brillouin nhờ vào
việc tăng rất m ạnh chu kỳ của siêu m ạng bán dẫn. Siêu m ạng pha tạp ngoài
những đặc thù vốn có của siêu m ạng hợp phần còn có đặc trưng mới đó là
khe năng lượng gián tiếp của không gian thật ở trong vật liệu được bố trí
thành lớp.
Siêu mạng nhân tạo đầu tiên cũng được tạo ra bằng phương pháp
M B E . Cấu trúc nguyên m ẫu đầu tiên gồm có hàng trăm lớp G a A s / A l Ga,.
x

x A s x en kẽ nhau (h.la) với X có giá trị từ 0,15 đến 0,35 và có chu kỳ từ 5

đến 20nm trong nhũng mẫu khác nhau. Các công trình thực nghiệm đầu
tiên về s iêu mạng G a A s / A l Ga ị . As đã được dùng để khảo sát các dạng bất
x x

thường trong quá trình tuyến tải của hạt dẫn bị giam cẩm trong m ột khe
hẹp, chẳng hạn như nghiên cứu về độ linh động của các điện tử siêu m ạng
hợp phần loại l i [50]. V i ệ c đưa pha tạp điều biến vào trong các lớp s iêu
mạng A l G a [48], [72] đã làm thay đ ổ i khái niệm giếng thế vuông hoặc hình
 39

chữ nhật, và mở rộng về vật lý những khái niệm cơ bản mới gồm: hiệu ứng
hall lượng tử hóa (1981), trạng thái điện trở gần 0 (1982) và định vi của các
điện tử trong khí điện tử 2 chiều ở trong những trường điện từ mạnh.

T h ế tuần hoàn trong siêu mạng pha tạp gây ra bởi điện tích không
gian, điều này khác hẳn với siêu mạng hợp phần vì khe hớ các thành phần
của mạng sẽ tạo ra sự thay đổi chu kỳ ở các mép giải. Ưu điểm của siêu
mạng pha tạp về mặt cấu trúc điện tử là : có thể s ử dụng một bán dẫn thuần
chất được điều biến bằng cách chặp lên nó một thế chu kỳ siêu mạng. Thế
điện tích không gian biến đổi chậm theo khoảng cách thứ tự của hệ số mạng
khối và những phần năng lượng ta xét ở những giải này đủ gần ớ mép giải,
do đó ta có thể bỏ qua các lượng hiệu chỉnh do tính không parabol của các
giải (những điện tích di động này tạo ra một phần đóng góp Hartree cho thế
của siêu mạng). Như vậy thế duy trì không đổi v ( z ) c ủ a s iêu mạng pha sc

tạp bao gồm phần đóng góp thế của các ion trần (bare ion) V j ( z ) , thế

Hartree v ( z ) , thế trao đổi và tương quan v ( z )

H x c

v (z) = Vj(z) +v (z) +v (z)

s c H x c , (1.76)

v (z) = ( 4 7 t e / X o ) f d z ' f ' [n (z")-n (z")]dz"

i
2
D A , (1.77)

v ( z ) = ( 4 7 i e / X o ) f d z ' f ' [ - n ( z ) + p(z")]dz"

H
2
>
ff
, (1.78)

với e n ( z ) v à - e n ( z ) tương ứng là hàm phân bố điện tích đồng đều của
D A

các hạt donor và acceptor ; n(z) và p(z) tương ứng là sự phân bố hạt tải

donor và acceptor; Xo là hằng số điện m ôi trong bán dẫn khối

Trong gần đúng mật độ cục bộ đối với hàm mật độ của các hạt tải tự

do [43 ị thì thế trao đổi và tương quan có dạng:

2 1/3
v (z) * v
x c x » 0.61 K e / K ) ( 4 7 T / 3 n ( z ) ) -
0 . (1.79)

Trong trường hợp này phương trình Schrodinger cho m ột hạt m à ta cần giãi

có dạng:
 40

^(^ /2m )A-v

2
i s c (z)j0. n j i ( r ) = 6. (k)<D. nR n>R (r) (1.80)

Trong (1.76), (1.77), (1.80) chỉ số i=e ứng với điện tử; i=vl ứng với l ỗ trống

nhẹ , i=vh ứng với l ỗ trống nặng ; Chỉ số n =0, Ì, 2 k = ( k _ L , k ) là véc z

tơ sóng với - ni á < k z < ni á .

N ế u chúng ta bỏ qua các vùng đan xen nhau bởi v ( z ) thì sẽ tách sc

được nghiệm của các hạt gần tự do truyền so ng so ng với lớp pha tạp với

động năng là 2
fi k /2m 2
L ỉ (cho các hạt chuyển độ ng theo trục siêu m ạng

được chọn là hướng z ). Và hàm sóng thu được có dạng:

e x i
°i,n,k = P ( M l ) u , k ( r ) ^ i n k ( z ) i 0 9 s 2 . (1.81)

V ớ i Uj k (7) là hàm Bloch và n k (z) là sóng bao của vùng (i,n) với mô

men k . K h i đó phương trình Schrodinge trở lên đơn giản hơn như sau:
z

(^ /2m )^- + v _c(sc)W ^(z)

2
i i n = E i i n (k )V
z i i n i k (z) , (1.82)

và nàng lượng vùng có dạng:

2
S: (k) = ( ^ / 2 m ) k ỉ + s
n i i j n (k ) z
(1.83)

Trong gần đúng bỏ qua tương tác giữa các hố thế kề nhau như đà đề

cập ở trên , chúng ta có thể bỏ qua sự phụ thuộc k z tro ng £j n(k ) z tro ng

các phương trình (1.82), (1.83) và hàm số bao trở thành :

*i.n.k.(z) = I e x p ( ìkjá)^^(z-£á) (1.84)

với Si và Ỹj (z) tương ứng là các hàm riêng và các giá trị riêng của điện
n n

tử trong mộ t h ố thế đơn độ c.

Đ ố i với m ột siêu m ạng pha tạp điển hình là siêu m ạng pha tạp bù trừ
có các thông số đặc trưng d =d và nồng độ pha tạp kkông đổi và bằng nhau p n

n = n và dị = 0 của lớp không pha tạp (Hình 6). Trong trường hợp này thế
D A
 41

điện tích không gian chỉ chứa Vj(z) có dạng parabo l và có biên độ V được
viết dưới dạng [72]:

v 0 = (47te 2
/ K 0 )n d D
2
/8 , (1.85)

như vậy là biên độ V tỷ lệ thuận với nồng độ pha tạp và bình phương độ
0

dày lớp. Tro ng trường hợp này, năng lượng vùng và hàm sóng bao là
nghiệm chính xác của dao động điều hòa trong phần parabol của các thế
tương ứng, và
2 1 / 2
e ,n = f t ( 4 7 t e n / x m )
e D 0 e ( n + l/2) . (1.86)

Cũng cần lưu ý rằng đối với siêu mạng pha tạp bù trừ , các cống thức
trên chỉ áp dụng đối với độ dày các lớp pha tạp là đủ mỏng (d =dp<70 nm ) n

và nồng độ pha tạp n = n < 10 cm" . Đế có thế xem xét một cách chi tiế t
D A
l8 3

hơn, xin xem các tổng quan [26], [72].

 42

CHƯƠNG 2

ẢNH HƯỞNG CỦA TRƯỜNG SÓNG

ĐIỆN T ừ M Ạ N H LÊN sụ HẤP T H Ụ SÓNG ĐIỆN TỪ YÊU

BỞI ĐIỆN TỬ T ự DO T R O N G BÁN DAN KHỐI

Trong chương này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của s óng điện từ
biên độ mạnh (s óng điện từ mạnh), tần số cổ điể n Q ( Q « ẽ với 8 là
năng lượng trung bình của điện tử) lên hệ s ố hấp thụ s óng điện từ biên độ
yếu (sóng điện từ yếu), tần số lượng tử co (tò » £ ) trong bán dãn khối. Các
kết quả nhận được cho thấy hệ s ố hấp thụ s óng điện từ yếu không thể có
giá trị âm khi chúng ta chú trọng tới quá trình hấp thụ nhiều photon trong
bài toán vật lý . Điều này có nghĩa là không thể xay ra sự khuếch đại sóng
điện từ yếu bới một sóng điện từ mạnh khác.
Nghiên cứu ảnh hưởng của s óng điện từ mạnh lên hệ s ố hấp thụ s óng
điện từ yếu đóng một vai trò quan trọng trong thực nghiệm . Bới vì trong
thực nghiệm việc đo trực tiếp hệ số hấp thụ sóng điện từ mạnh là rất khó
khăn, do vậy để giả i quyết vấn đề này trong thực nghiệm , người ta xem xét
bài toán vật lý nghiên cứu ảnh hưởng của s óng điện từ mạnh lên các điện tử
tự do khi sử dụng thêm một s óng điện từ yếu được coi là nhiễu loạn. Như
vậy s óng điện từ yếu đã đóng một vai trò như là một phép "chẩn đoán ' I I |.
1

L25U51J.
Bài toán vật lý được qu an tâm ở đây là nghiên cứu ảnh hưởng của
sóng điện từ biên độ mạnh có tần s ố cổ điển Q thỏa mãn điều kiện Q « £
lên hệ số hấp thụ sóng điện từ biên độ yếu có tần số lượng tử co thỏa mãn
điều kiện co » S trong bán dẫn có vùng dẫn rộng. Bài toán vật lý này bước
đầu cũng đã được Vinogradov An.v. nghiên cứu trong [95] khi chỉ xét tới
quá trình hấp thụ một photon. Phát triển ý tưởng của cồng trình [951, chúng
tôi tiếp tục giải quyết bài toán này khi quan tâm tới qu á trình hấp thụ nhiều
 43

photon. Cũng cần lưu ý rằng trong [95], phương trình động lượng tử cho
tương tác của các điện tử trong trường hai sóng điện từ được xem xét trong
trường hợp giới hạn | Q ± c o | » x" 1
(với X là thời gian phục hổi trung bình

xung lượng của các điện tử) đã cho kết quả là hệ số hấp thụ sóng điện từ
yếu tro ng trường hợp tán xạ điện tử-ion tạ p chất khi có mạt sóng điện từ
mạnh luôn đạ t giá trị âm.
Trong chương này bằng phương pháp Kubo-Mori [29], [72 ị. [82]
chúng tôi mở rộng bài toán vật lý trên khi quan tâm tới quá trình hấp thụ
nhiều pho to n và bài to án không bị ràng buộc bơi điểu kiện giới hạn

| Q ± c o | » ĩ " như trong [95], chúng tôi đã nhận được kết quả ngược lại với
1

kết quả tro ng [95J, đó là hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu tro ng trường hợp
tán xạ điện tử-ion tạ p chất khi có mặt sóng điện từ mạ nh là không âm, điều
này dẫn tới kết luận là khả năng gia tăng sóng điện từ yếu bị mất đi dưới
ảnh hưởng của một sóng điện từ mạ nh khác.

2.1. Hap thụ sóng điện từ yêu khi có mật trường sóng điện tù mạnh

Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong bán dẫn khối v ới sự hiện

diện của sóng điện từ mạ nh có phương trình FSin(Qt) được viết dưới

dạng:

H(t)=5>3 P - - Ắ M 2 4 a P + & q b i j b q + S W ( q ) a ^ a p ( b q +b^ x (2. Ì)

p
P q p-q
ở đây C0q l à năng lượng của phonon v ới v éc tơ sóng q (Ti = Ì ) ; A(t) là thế

véc tơ của trường sóng điện từ mạ nh - LẾầẤlì _ FSinQt; W(ặ)=2v q-2'"

r

c dt

là thế tương tác của điện tử với các tâm tán xạ: r = 0 ứng v ới tán xạ điện tử
- phonon âm, r = Ì ứng với tán xạ điện tử - phonon quang v à r = 2 ứng v ới
tán xạ điện tử - ion tạ p chất ; V,- là một hằng số phụ thuộc v ào từng cơ chế
 44

2 *
tán xạ; £p = p / 2 ni là năng lượng cua điện tử trong bán dẫn khối.

—> ->
Tương tác của hệ (2.1) với só ng điện từ yếu E ( t ) = E COS cot được mô

tả bởi Hamiltonian sau:

HỊ = - e £ ( r , E ) c o s t o t . e ,
a
5 t
(S -> +0) (2.2)
a

với r n là véc tơ bán kính của điện tử thứ a.

Li

Xuất phát từ Hamiltonian (2.1), (2.2), sử dụng phương pháp Kubo-

Mori và thực hiện tính toán, c húng tôi thu được hệ số hấp thụ só ng điện từ
yếu khi có mặt só ng điện từ mạnh khác được viết dưới dạng:

GÌN I m ; (0 p,q k=±l l=-00 KW-I£2

x(jf(ã,q) + J|(ã,q)J|_ 2 k s (ã,q)ô C 0 S Q ) . ỗ ( £ p q - S p + in-keo), (2.3)

+

với rip là hàm phân bố của điện tử; ã = ( e F / m Q ) ; ỉf (z) là hàm Bessel

đ ố i số thực; ỗ(z) là hàm Delta; ô p là ký hiệu hàm Kronec ker Delta; s là

a

các số n g u y ê n k h ổ n g â m (5=0,1,2,...).

Chúng tôi giả thiết rằng AxDq « Ì ( t á n xạ là đắng hướng và đàn hồi),

hai só ng điện từ là phân c ực thẳng có các tần số tương ứng thỏa mãn điều

kiên T «c o ; n < s g ( v ớ i So l à đ ô r ô n g v ù n g c ấ m ; Ằ l à bước s ó n g c ủ a

phonon).

Lưu ý rằng cá c số hạng trong (2.3) ứng với co * sQ sẽ bằng không do

sự có mặt của hàm S f f ls Q . Xét bài toán trong trườ ng hợp đối số của hàm

Bessel rất lớn so với một ( ẩ , q ) » l . Chuyển phép tính từ tổng sang tíc h

phân [841:
 45

00 nil
ỵ Jf(x)f(Y + lQ)= jf(Y + xQsin9)de (v«jt»l), (2.4)
7 1
| = -00
nil
chúng ta nhận được biểu thức cho hệ số hấp thụ có dạng sau:
ãqO
4ní e ^ n
p
r

2 2
-]/2
a((0) = —— VIW(q)qĩ ^ í dx. (ãqQ) - X
cN Vm ý co e p+q
.a - 8p
ftJ
c
k=±] - ã q Q

x ô
( £
p + q - Bp - k ( D + x) , (2.5)

Chúng ta thực hiện phép thay thế Sp+q - S p bằng Sq trong công

thức (2.5), điều này tương ứng với giả thiết là chuyển động nhiệt của các
hạt tải nhỏ hơn rất nhiều dao động của chính nó trong trường sóng điện từ
mạnh. Do đó chỉ số lấy tổng theo P có ý nghĩa như là số các điện tử lấp
đầy, khi đó Ỵ^nỹ = n 0 (n 0 là nồng độ hạt tải trong vùng dẫn). Điều này

cho thấy hàm phân bố của điện tử không gây ảnh hương đến các tính toán
sau này. Dưới đây chúng tôi quan tâm tới hai trường hợp giới hạn .

2.2. Anh hương của sóng điện từ mạnh lên hệ sô hấp thụ sóng điện từ

yếu trong một sỏ trường hợp gởi hạn

a. Trường hợp tham số £ 2

SE (2m*coQ /e F ) » 2
Ì

Trong trường hợp này vì (X /co) - (ãq)Q/co) - (eF / V 2 m a ) Q ) « Ì

nên hàm Delta có thể khai triển thành chuỗi với đối số X nhò :
2
X
2 6
ỗ(8q -kco + x) wS(8q - k t D ) + x5'(£q - keo) + "(£q " M • (-)

Thay (2.6) vào (2.5) và thực hiện lấy tích phân theo X chúng ta nhận được :

a((o) =
cN
2
An í -

vm J
*
^
co
n IW(q) SÃ
0

q Sq
5(s -0 ) q i + ^p-.ô»( __ )Ị,(2.7)
£ C0

Lưu ý quan trọng ở đây là do tần số lượng tử của sóng điện từ yếu
nên trong công thức (2.7) chỉ có quá trình hấp thụ một photon là được tính
 46

đến ( khi k= -Ì đ ố i số của hàm Delta không bằng không).

Thực hiện tính toán biểu thức (2.7) bằng cách chuy ển từ tổng sang

tích phân theo q. Trong gần đúng tuyến tính theo ự 2

(vì ị 2
» 1 nên

ự 2
« 1 ) và trong trường hợp Ẽ||F ( với Ẽ là véc tơ sóng điện từ yếu),

chúng ta nhận dược:

r r
a ( o ) = a ,(co » 8) 1 + — ( 3 - 2 r ) ( 2 - 2 r ) £
(
b
(2.8)
10

ở đây (Xo(cD»e) là hệ số hấp thụ Frolich (khi vắng mặt sóng điện từ

mạnh) trong vùng tần số lượng tử [95]:

47Ĩ 2 e n v [ ( 2 m G>ỵ i] - 2 r
z
0 r
2
2 l

(Xọ (co » £) = (2.9)

cN 37ĨOT

Từ (2.9) chúng ta có thể nhận thấy khi vắng m ặt sóng điện từ mạnh

cổ điển (F-^0.^ —> 0), công thức (2.8) trở lại có dạng tương ứng với hệ số
-2

hấp thụ sóng điện từ yếu (Xo trong vùng tần số lượng tử .

b. Trường hợp tham sô 0< ự « 1

Trong trường hợp này, trong công thức (2.5), so sánh với đối số X ,

đối số keo là có thể bỏ qua. Sau khi tích phân theo X (với giả thiết Ẽ\\F)

chúng ta có:

a((0) = ^ í - ^ ì -Uo z W ( q ) [ ( ã q Q ) 2
- (é, Ý Ỵ ' 2
(2.10)
£
c N V m ) co q q
Từ (2.10) sau khi chuyển từ tổng sang tích phân và thực hiện tích

phân, chúng ta thu nhận được biểu thức hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu

lượng tử khi có mặt một sóng điện từ mạnh :

a ( o ) = OỈ((D > > 8 ) ^

r 2r _ 1
<I>r ^) (2.1
Z7I
ở đây:
 47

*r(§) = 2"- "

2 r6 r+ 2
Jcb
jdx.x (1-x ) 2 1 7 2
+x .arch
2 1
(2.12)
X
/4

L ấ y gần đúng arch (Ì / x ) « In 2 - ( x /2) - In X (khi X < 1), từ (2.12)

2

chúng ta nhận được:

- Đ ố i với trường hợp tán xạ điện tử - p honon âm :

<D (O*l,58 + ^ l n ^ > 0

0
8
(2.13)

Đối với trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang:

O (^)«0,98-21n^>0
1 (2.14)

Đối với trường hợp tán xạ điện tử- ion tạp chất :

$2 (É) * T 7 + 0 , 2 5 In ặ - 0, Ì In ạ - 0,23 > 0

2
(2.15)

Các kết quả trên cho thấy, với các điều kiện nêu ớ trên hệ số hấp thụ
sóng điện từ biên độ yếu (tần số lượng tử) trong trường hợp có mặt sóng
điện từ mạnh (tần số cổ điển ) là không âm.
Do đó, ít nhất là trong hai trường hợp giới hạn kế trên cho thấy
không thể có sự gia tăng sóng điện từ yếu bằng một sóng điện từ mạnh
khác.
Kết luận chung rút ra ở đây là dưới ảnh hướng của quá trình hấp thụ
nhiều photon, hệ số hấp thụ sóng điện từ biên độ yếu (tần số lượng tử) khi
có mặt sóng điện từ mạnh (tần số cổ điển ) là không âm. Nghĩa là không
thể gia tăng sóng điện từ yếu bằng một sóng điện từ mạnh đối với các bán
dẫn có vùng dẫn rộng.
 48

CHƯƠNG 3

KÍCH THÍCH THAM s ố CÁC MẬT ĐỘ SÓNG TRONG PLASMA BÁN

DẪN ĐIỆN TỬ-LỖ TRỐNG BỚI TRƯỜNG BỨC XẠ ĐIỆN TỪ

Cùng với sự phát triển các nguồn bức xạ mạnh với sóng cực ngắn
trong phổ hồng ngoại và quang học, các bài toán về tương tác phi tuyến của
bức xạ điện từ với vật chất đã được quan tâm cả về lý thuyết cùng như thực
nghiệm [88]. M ộ t trong các hướng được quan tâm nhiều là bài t oán kích
thích t ham số mật độ sóng bởi bức xạ điện từ trong plasma thể khí và trong
plasma bán dẫn.
Như chúng ta biết , khi có sự hiện diện của bức xạ điện từ ngoài, khí
điện tử trở lên linh động. Do đó, sẽ làm xuất hiệ n các điều kiện tương tác
tham số và biến đ ổ i tham số của một số loại kích thích, chẳng hạn như:
phonon«phonon, plasmon<^> plasmon hoặc kích t hích khác loại như
plasmone> phonon. Các kết quả t rong [87] đã chỉ ra, sẽ có một quá trình
trao đổi năng lượng giữa các kích t hích này.
Những năm gần đây, đã có nhiều t ính t oán về bài t oán kích t hích
tham số t rong gần đúng lượng t ử [35]. v ề tương tác tham số và biến đổi
tham số của các phonon âm và phonon quang trong bán dẫn khối đã được
quan tâm trong [35]. Tương tác tham số và biến đ ổ i tham số của các
plasmon t rong plasma bán dẫn hệ điện t ử-Iỗ trống đã được nghiên cứu trong
[93]. Tương tác tham số và biến đ ổ i tham số của các plasmon và các
phonon t rong plasma bán dẫn điện tử-phonon đã được nghiên cứu t rong
[921.
Tiếp nối ý tưởng của các bài toán nêu ớ trên, t rong chương này chúng
tôi nghiên cứu bài toán vật lý về các kích t hích t ham số mật độ thăng giáng
phonon-điện tử-lỗ trống bởi trường bức xạ sóng điện từ. Trong mục 3.1
 49

chúng tôi sẽ tiến hành thiết lập và tính toán các phương trình động cho hệ
phonon-điện tử-lổ trống được kích thích bởi trường bức xạ sóng điện từ.
Trong mục 3.2 chúng tôi dành cho vi ệc trình bày về sự cộng hướng tham số
và các điều kiện gia tăng tham số. Sự biến đổi tham số và các nhận xét được
trình bày trong m ục 3.3.

3.1. Phương trình động lượng tủ cho hệ điện tử-lỏ trông-phonon

Hamiltonian H của hệ điện tử-lỗ trống-phonon trong plasm a bán

dần điện tử-lỗ trống khi có sự hiện diện của bức xạ điện từ được viết dưới
dạng sau:

H = ì ì —^—[p - f Ẵ 2
( t ) ] a | p a JP + ỵ C0qbí b c ì +
j p j q

Ì
+
+yyC;sai. ĩ* (ba + b -) + - Y y i ^ a t - a w j a ^ a a n n
+c - 1
Ẩ^ầẨ^ầ jq jp+q JP^ q -q' 2 ^ Ã j p l J P ^ JP JP'^' ^
j M jjft?»q

ở đây O Ì , J
= 47iejej' / q 2
mô tả thế tương tác; j , j ' là các trạng thái của

các điện tử (e) hoặc lỗ trống (h); C j q l a hệ số tương tác điện tử-phonon

hoặc hệ số tương tác l ỗ trống-phonon ; COq là tần số chưa chuẩn hóa của

các phonon (ph); tri: là khối lượng hiệu dụng của điện tử hoặc của l ỗ trống;
a|p và a jp tương ứng là toán tử sinh và toán tử hủy điện tử hoặc l ỗ trống

với véc tơ xung lượng P ; T h ế véc tơ Ã(t) ứng với bức xạ điện từ ngoài được

mô tả bởi công thức :

Ì ỠÃ
F(t) = Fsin(Qt) = - - — (Trong hê đơn vị h = ỉ). (3.2)
c ổt
Dưới đây chúng ta định nghĩa hàm phân bố lượng tử tổng quát :
 50

f
(j)p+q,p(0-( jp jp+q) a a
t

(3.3)
B (tWb )
a a :Bia(tWbia
' "t • * -'tj
ở đây ký hiệu <...>, có ý nghĩa như việc lấy t rung bình thống kê cho tất cả
các điện tử, l ỗ trống và phonon như nhau. Từ Hamiltonian (3.1) chúng tôi
nhận được phương trình chuyển động theo hàm phân bố lượng t ử tổng quát
được viết dưới dạng sau:

s f
(í £ + E(e)p - ( e ) p + q ) (e)p+q,p (t) = - ^ C
S O (Qt)f ( e ) p q p (t) +
+ 5

+ f
( (°e)p - f
( ° e ) p+ q Á® q [n q CO" N JJ (t)]+ c ( e ) q 1^(0+ B Í j j (t)] ,(3.4)

—
ổ *F

£
E(h)p - (h)p + q)f(h)p + q,p(t)= - ^ ^ - C O S Í Qt)x

B ( t(f(h)p
X f(h)p + q.p (0+ ) + B + --( t f(°h)p
5 ) q ){° q [ q (0" +
n N
(3.5)
q (t)]+ C(h)q X

i^Bq(t)=(OqB c i (t)+C ( e ) _qnq(t) C + ( h ) _qNq(t) , (3.6)

i|-BÍq(t)=-<DqBÍq(t)-C ( e ) _qn (t)-C

5 ( h ) _qNq(t), (3.7)

ở đây 8(j)p = p / 2rrij là năng lượng của điện tử ( j = e) hoặc nâng lượng

của l ỗ trống ( j = h ) ; ÍQP là hàm phân bố của điện tử ( j = e) hoặ c của l ỗ

2 2

trống ( j = h ) ở trạng thái cân bằng ; O q = 47te / q ; Hàm phân bố của

điện tử riq(t) và của l ỗ t rống Nq(t ) ờ trạng thái cân bằng được viết dưới

dạng:
n q ( t ) = Ị f ( e ) p ' + q , p ' ( ) ỉ N q (t)= X f(h)p'+q,p'(t ), (3.8)
t
 51

Chúng ta sử dụng các hàm mới ĩ ĩ q ( t ) , N q ( t ) , f(e)p'+q p ' ( t ) và

(0
được định nghĩa như sau:
f
( e ) p ' + q , p ' ( 0 = ( e ) p + q,p(t)exp [( - ĩ A. e ) sin( a t ) ] ;
f

5
q 0) = n
q 0) e x
P [( ĩ * e ) sin( Ó t) ] ;
f ex s i n
f(h)p'+q,p'(0= (h)p + q,p(O P [ ( - i ^ h ) ( t
fi )];

N q (t ) = N - (t )exp q [(ỈX h ) sin( ( í t ) ]

(với A . ( E h ) = (eqF) / m ( e h ) Q ) . Thực hiện phép biến đổi Fourier, từ các

2

phương trình chuyển động (3.4)-(3.7) chúng ta nhận được biểu thức:
e) ( e)
K^ ((0 + ểQ)nq(co + m)+ C p qFI - ((0 + ^Q)x

m
X ì Jf'-Í• (- a > q ( + ra)
/ '=-00

= fi^c^n^iu + in) ỵj -t(K)Q-M

e + t'n), (3.9)
í =-00

(ro + Ể Q ) N 5 (co + ể Q ) + a> 5 n -(h) (co +

( h)
K [j h }
in )
ì q

X ỵ J _ o> -(C0 +
r ể q ro)=
-00

ự2cOqC ( h ) qn( (co h )

+ ểQ) l J r - / ( - X ) Q ( a » + /'n),(3.lO) h ạ

^ =—00

00

QẶ(ù + m)= l2^DẶ(ù y + iQ) c - XJ _ (-Ầ )iq(co + rQ) +

r ể e

é"=-00

00

+ c q ZJf^ (^ h)Nq(cO + fQ)

(h)
(3.11)
f=-00
 52

f (o) _ (ó)
f

ởđây ní (ffi)= ỵ
j) x
(j)p+q (j)p
, (5->0) , (3.12a)
w - 8 CO — l ô
p (j)p+q " °(j)p

K«>((D)=I-4>,n<B(o) , (3.12b)

Dg(co)= (co + i ỗ ) 2
- CO? (3.12c)

Q , (<*>)= keo, )->2 B (o>)-B+ (co) a , (3.12d)

với ĩiq(cù), N ạ (co), Bq (co), B*-(o>) tương ứng là các thành phần Fourier

của các hàm Hq(t), Nq(t), Bq(t), B i ( t ) ; X = X + A , ; J (x) là h àm e h ê

Bessel loại một.

Chúng ta dễ dàng nhận thấy rằng, từ các kết quả trên, nếu như bỏ qua
các phonon, các hàm (3.9)-(3.11) trở về các hàm trong [93] cho trường hợp
hệ điện tử-lỗ trống. Còn trong trường hợp bỏ qua các l ỗ trống, các hàm
(3.9)-(3.11) trở về các hàm trong [92] cho trường hợ p hệ điện tử-phonon.

3.2. Cộng hưởng tham s ỏ

Bước đầu đã có thể rút ra nhiều t hông t in lý thú, ỏ đây chúng tôi
muốn bàn luận trong trường hợ p bức xạ điện từ ngoài F(t) kích th ích ỏ h ai
mode: ph onon và plasmon. Giải các phương trình (3.9)-(3.li) cho trường
hợp co và ((ứ-ũ) tương ứng là các t ần số trong vùng lân cận của các t ần số
phonon quang và plasma, chúng t ôi nhận được phương trình tán sắc phi
tuyến dưới đây:
2
2OJ
r ( h )
+ DM > X
co
<D
1

X ỊK ( >(o> - a ) - (rị ( X e ) + J? (Xe ))(i - K

e
- ữ ))X
 53

2co
(h)
r
1
to-n
+ D a (co - Q) + J (Â )(K^(o,-Q)-K< (co))x e >

0 -
e

q
2 2
2co,
(h) p(h) ,^0
r
CO
+
x - D a (co) CO-Q "
- D gq (co-Q) = 0, (3.13)
0^
1 +

ở đây •(h) _
Cũ (3.14)
Kf>w
CD 0 là tần số chưa chuẩn hóa của các phon on quan g, tương tác lỗ trốn g-

phonon (h-ph) coi nhỏ hơn rất nhiều so với các tương tác khấc (e-e, e-h, h-

h, e-ph) và khối lượng của điện tử là n hỏ hơn rất nhiều khối lượng của lỗ

trống ( m « m , m e h e =m*).

Trong trườn g hợp khí điện tử suy biến và giới hạn ở bước són g dài,
phương trình tán sắc (3.13) được viết dưới dạng đại số như sau:

( c o - ® l \ ( ờ -(Ù _ị((ò-Q) -Cùi

2 2 2 2
(co-Q) -(úi 2
-jf^eJto^ X

< í leo2Ị - (út j[cì>5X + co (h)

2 \\. 2
= 0 (3.15)

ở đây các tần số tái chuẩn hóa của phon on quan g CQ+ và của các plasmon

co_ được viết dưới dạn g:

co ỉ = I[<oo +
2
(< l! +
l
<» p" )] M<»»-(»p l2 ± e ,2
+ co < h 1 2

ì
,1

Ì / 2

4 co (
p
e
> 2
((Ọ ị X + Ọ•6 V ỉ q 2
)
X -Ì Ì + (3.16)
[co ị - ((co ( e ) 2 CO
(h ) 2
I
với X = ( l - X o e / X o ) ' t r o n
ễ đ ó
Xo v à
Xoo tương ứn g là hằng số điện môi

tĩnh và hằng số điện mỏi cao t ầ n ; v là vận tốc Fermi; w f

(
p
e)
và 0)p h)
tương
 54

ứng là tần sổ chưa chuẩn hóa của điện tử và tần số plasma chưa chuẩn hóa
của l ỗ trống .

Khi điều kiện cộng hưởng tham số được thỏa mãn (c o + co_ = Q), +

tương tác tham số của hai mode tr ên với các tần số 0) và leo - ill ị tương

ứng là c ác tần số trong vùng lân cận tần số tái chuẩn hóa của phonon quang

co + và của plasmon co_). V ớ i điều kiện cộng hưởng ( ( 0 +co_ =Q), từ +

phương trình tán sắc (3.15) chúng tôi thu được điều kiện gia tăng tham số:

khi F>F (cho trường hợp q // F) được viết dưới dạng:

th

1/2
Ì eqF th (e) 1/2
72 J/2 , < D
P (M-) (3.17)
4 s^ m e (c o + co_) (c o c o_ y
+ +

ở đây các đ ại lượng & và ờ_ tương ứng là các tần số va chạm của phonon
+

quang và của plasmon. D ễ dàng nhạn thấy nếu bỏ qua các l ỗ trống
,(h) --> ó), từ c ông thức (3.17) c húng ta nhận được c ông thức tương ứng
co;;"
p

trong [92] cho hệ đ iện tử-phonon

3.3. Sự biến đổi tham sô và các nhận xét

Sử dụng biểu thức c ho Qq(co + ^Q) từ c ác c ông thức (3.9), (3.11)

chúng ta tìm được mối liên hệ giữa c ác hàm nq(c o) và Nq(co) theo c ông

thức dưới đây:

K < (co + m)n 5 (co + in)+<D q n l (co + ta) ỵ ỉ Ị_ . ( - X )N q (co + nì)=

e) e )
t

r=-00

= 2c0q c n f ( p + £ù) X J , _ ( - ^ e ) D q ( c O + f Q )X
r

ể' = -00

X -í Xi (-Xe)na(o)+ / ' « ) + Ĩ J r - f ( ^ h ) N q ( c o + rQ) . (3.18)

r=-00
 55

Nếu như xảy ra sự khuyếch đại dao động với tần số plasma co = co (e)
đã

biết, thì từ công thức (3.18), sẽ có sự khuyếch đại dao động với tần sổ trong
vùng lân cận tần số của phonon quang được mô tả bởi biểu thức sau:

2co, X

J , (X , )J 0 (X h )D - (co ) ) - o q
( e
p q n < (co > + í Q )
e} (
p
e

J,(X)]Ng(a><«>$ |K^(CO^ £Q)-2CO + C

q

X q Vp ' " Ỵ U ^ e r q r p 1
'-"/J • (3.19)

Sử dụng công thức cho hệ số biến đổi plasmon thành phonon quang
trong [81]:

n
' (e) ể Q
ql<°p' + )
a (3.20)

từ công thức (3.19) khi xét trường hợp Ề = Ì và trong trường hợp thỏa mãn
điều kiện cộng hưởng, chúng tôi nhận được :

(e)2 x + l (ừịx e

ót = (ừ GO X
co (
D
e)2
+coẵ

2 e 2
X < 0 3
ổ+ p ' c o e ) 2 x
4A<o^+ooW xp 4o>< » x + Ị ,(3.21)

ớ đây đại lượng A được định nghĩa như sau:

(e) + e) (e)2
Cũ Q | - W 0 = A « c o Ị , , c o 5 =co 0 +C0p'-x (3.22)

(Trong công thức (3.22) đại lượng w là tần số tái chuẩn hóa của phonon 0

quang).
 56

Tiến hà nh đánh giá số : với co ( e)

p -5.10 1 2 1
s" ; Xao -12.8; c o ~ Q ~
0

13 2 8 6 1 4
3.10 s'; m h » m e ~10 g; q~10 e m ; F~10 v/cm (cho GaAs) chúng

ta nhận được a « Ì.
Như vậy trong chương này chúng tôi đã quan tâm tới một cơ chế
tham số phi tuyến dùng để kích thích mật độ sóng trong plasma bán dẫn
điện tử-lỗ trống cho cặp hai mốt phonon và plasmon. Kết quả là chúng ta đã
nhận được các điều kiện xuất hiện sự không ổn định trường ngưỡng và hệ
số biến đổi plasmon thành phonon trong các điều kiện cộng hưởng cụ thế
liên quan đến các tần số. Chúng ta cũng muốn lưu ý rằng phương trình động
lượng tử cho các phonon, điện tử và các lỗ trống dưới tác động của bức xạ
điện từ (3.4)-(3.7), biểu thức cho trường ngưỡng (3.17) và biểu thức cho hệ
số biến đ ổ i (3.21) lần đầu tiên được thu nhận. Trong trường hợp hệ tương
tác vắng mặt các l ỗ trống , từ các công thức (3.4)-(3.7),(3.17) sẽ thu lại các
công thức tương ứng trong [92] cho hệ điện tử-phonon.
 57

CHƯƠNG 4

GIA TẢNG PHONON ÂM TRONG H ố LƯỢNG TỬ BÁN D Ẫ N

Sự gia tăng phonon âm bởi hấp thụ năng lượng trường l aser trong
bán dẫn khối đã được nghiên cứu đầy đủ trong các công trình [2] [3]
[10], [19], [33], [51]. Lý do chính ở đây là nó có thể ứng dụng trong thục
nghiệm về hấp thụ nội vùng, nên nghiên cứu bài toán này về mặt lý thuyết
có ý nghĩa thực tiễn rất to lớn.

V ớ i sự phát triển của kỹ thuật thực nghiệm hiện đại, việc chế tạo các
hố lượng tử bán dẫn và siêu mạng bán dẫn hoàn toàn có thể thục hiện được.
Đương nhiên sự gia tăng phonon bới hấp thụ năng lượng trường l aser trong
các cấu trúc giam cầm như vậy sẽ làm xuất hiện các đặc trưng cho hệ điện
tử- photon-phonon trong các cấu trúc thấp chiều tương tự.

Gần đây, có nhiều nghiên cứu về sự gia tăng phonon âm và phonon

quang bởi sự hấp thụ năng lượng trường l aser trong bán dần khối [2J, [3J,
[10], [39] và trong siêu mạng bán dẫn [83]. Trong [97], Peiji Zhao đã
nghiên cứu sự gia tăng mật độ phonon quang bới trường l aser mạnh trong
hố lượng tử bán dẫn. Tuy nhiên trong [971 l ại bỏ qua bài toán gia tăng mật
độ phonon âm trong h ố lượng tử bán dẫn bởi trường l aser. Vì vậy trong
chương này, trong mục 4.1, trên cơ sỏ phương trình động lượng tử cho hệ
điện tử- phonon của h ố lượng tử bán dẫn chúng tôi nghiên cứu về mặt lý
thuyết sự gia tăng phonon âm bởi sóng l aser trong hố lượng tử bán dẫn với
các quá trình hấp thụ một photon và hấp thụ nhiều photon. Bài toán vật lý
trên cũng được mở rộng khi xét tới ảnh hưởng của từ trường ngoài lên hệ số
hấp thụ phonon âm được trình bày trong mục 4.2. Qua tính toán, chúng tôi
đã thu nhận được các biểu thức cho hệ số gia tăng phonon âm và điều kiện
gia tăng phonon âm cho một số trường hợp giới hạn và bước đầu đánh giá
và bàn luận kết quả thu được khi so sánh với kết quả của bài toán tương tự
 58

trong bán dẫn thông thường.

Các kết quả chính của chương này là đã chỉ ra ứng với mỗi một quá
trình hấp thụ một pho to n hoặc quá trình hấp thụ nhiều photon trong trường
laser, sự gia tăng mật độ phonon âm xảy ra với các điều kiện xác định
tương ứng.

4.1. Gia tăng phonon âm trong hô lượng tử bán dẫn khi

không có từ trường

4.1.1. Phương trình động lượng tử cho phonon

Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong hố lượng tử bán dẫn với sự

hiện diện của một sóng laser có phương tàng Ẽ S i n ( f i t ) 0 được viết dưới

dạng:

H(t)= ỵ £ n
k - ^ Ă ( t ) ai 2
a r + ycOnbnbn +
4^ q q q
Y c nX
k ,n c k//,n k//,n iLé q
/7
q k ,q,n,n
y/

xin n'(q )aí z - ar .(bạ +b!q) , (4.1)

K
k ỊỊ + q ỊỊ, n / / í n M H

ở đây a i và an ( b í và ba) tương ứng là các to án tử sinh và hủy các điên

tử (pho no n); k là véc tơ sóng của điện tử; kịị (k/ / = 2

+ ky là véc tơ sóng

của điện tử trong mặt phảng (x y); C0q là năng lượng của pho no n với véc tơ

sóng q {ti = Ì ) ; Cq là một hằng số, đ ố i với tán xạ điện tử - phonon âm có

2
dạng | c - | =(ị n/2Qv 2
)q [31], [80]; v là vận tốc âm; Q là mật độ của tinh
s

thể; ị là thế biến dạng; Ã(t) là thế véc tơ của trường laser

_ Ị dẤ(t) = g s i n G ) t . là những giá trị rời rạc theo chỉ số n : k" = n7ĩ/L
c dt
( L là độ rộng của hố t h ế , n=l,2,...);
 59

In',n(q ) = ^ío sin(k z)sin(k^z)e^ d2

2
L
2
n z
. (4.2a)

Phổ năng lượng của điện tử trong hố lượng tử bán dẫn có dạng:

8 =
-ti ri 2 , / /T A2I_ # 1 2 2
2 2
fc TC 2

k,,n ' J k / / + ( ™ / L ) ]= k7 s n- e / + 0 s 0 = ' (4.2b)

2m 2m 2m L
Xuất phát từ (4.1) và thực hiện tính toán, chúng tôi thu nhận được
phương trình động lượng tử cho các phonon trong hố lượng tử bán dẫn khi
có mặt s óng las er được viết dưới dạng:

ỡ bq 00 2 2
q q / q n n V M z / v
at t r _ , _ ' k//.,n k -q ,iT '
// //

o
00 /
X
í bq expị(B R//5n -£ _- ỉ// //?n ) ( t - t ) - i ^ Q t + i s Q t } j ^ ( ã q ) J ( ã qd) t , ( 4 . 3 )
1 1 s 1

-00

ở đây ký hiệu X là trung bình lấy theo tất cả các trạng thái của toán tử x;

2
ĩir là hàm phân bố của điện tử ; ã = ( e Ẽ / m Q );J,.(z) là hàm 0 e Bessel với

đối số thự c;

4.1.2. Sự gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dẩ n trong quá

trình hấp thụ một photon

Sử dụng phép biến đ ổ i Fourier từ phương trình (4.3) chúng ta tìm
đươc biểu thức sau:

00 co
2 2
(co-Qq)B -(o3)= q I I Cq I„', (q ) n z J t (ãq )J s ( ã q ) X

X riq (co + £Q)Bq (co - en + SŨ.), (4.4)

n n
k..-q..,n- k,n'
trong đó: + tĩì) =ỵ — r r ^ I ' ( ô
^ + 0 ) ( 4
- 5 )

Trong trường hợp í - s từ phương trình (4.4) chúng ta thu nhận

 60

được phương trình tán sắc :

00

0í-C0q = X ỵ Cq I„. (q ) n z )7(ảq)ĩĩs((ù + £Q) (4.6)

n,n' ể = -00

và thu nhận được hệ số hấp thụ phonon âm có dạng:

v,n(q ) z
J
ể(ãq)
n,n'k ;/ ể=-00

xV(n,- ,-n,- )ô(s BỂ., (4.7)

ỉh»
k//,n
1
•kV- .Z- -nQ. ./ / 'n' '/ k

V" //-q//>n
k
//> n ' n -~ ^q õ - ^ )
P

trong đó ký hiệu S(x) là hàm Delta Dirac .

Trước tiên chúng ta quan tâm trường hợp đơn giản khi xét (' = Ì,
điều này tương ứng với q uá trình hấp thụ một photon và giả thiết rằng đối
số của hàm Bessel là rất nhỏ so với Ì ( ( ã q ) = Ầ / Q « l ). K h i đó từ

phương trình (4.7) hệ số hấp thụ phonon âm trong trường hợp này được
viết dưới dạng:

Ot(q)= Tí £ X C
q V n U z )
n.n'k// v 2Qy

X (ĩir f-nr - ) ô (ép - —Br t — tưti — ũ ) (4.8)

Để tính tổng trong (4.8), chúng ta chuyển từ tổng sang tích phân

theo kỵ/. K ế t quả là hệ số hấp thụ phonon âm trong quá trình hấp thụ một

photon cho khí điệ n tử không suy biến được viết dưới dạng;

a(q) = £ I ',n(q )
n z
^ ] [ A n i n .(q)-B n > n .(q)] , (4.9)
n,n'

( 3 /2
* *Y £-*Ị(kL 4> +
(4.10)
VỚI A„,n'(q) =
(2ny
 61

1/2
8m 2m L PA„,„'(q)
B„.„.(q) = ne
0
e 5 ( 4 1 1 )

(271)
Ml.
2 2
A
n,n'(q) = - ^ T 7 T ( n
' 2
- " 2
)+ ^ + 0^ + Q (4.12)
2m L 2m

k„ „ =
m Vn'(q)
;
mm (4.13)
q//

ở đây n là mật độ điện tử ; p = l / k T .

0 B

Từ công thức (4.9) chúng t a có thể nhận thấy rằng, hệ số hấp thụ sẽ
nhận giá trị âm <x(q) < 0 nếu điều kiệ n sau được thỏa mãn:

A ,n'(q)<B ,n'(q)
n n . (4.14)

Điều này có ý nghĩa quan trọng là chúng t a đã nhận được hệ số gia

tầng phonon âm bởi sóng laser trong hố lượng t ử bán dẫn.

4.1.3. Sự gia tăng phonon âm trong hô lượng tử bán dẩn trong quá

trình hấp thụ nhiều photon

Từ phương t rình (4.7) chúng t a nhận được:

a(q) = n X c In\n(q ) z
2
I J?(*/0)x
n ,n f = -ao

x Z { n ( k ) 5 ( e ( k ) - s . ( k + q) + 0 ) ( q ) - ể n ) - n „ . ( k ) x
n n n

xô(e .(k)-e (k-q)-©(q)-«ỉ)

n n . (4.15)

Trong trường hợp hấp thụ nhiều photon, tương ứng với tham số

Xia > Ì, chúng tôi sử dụng công thức biến đổi trong [79]:

+CO
B(l 2
-tị) (4.16)
•00 nẬ 2
-si
 62

trong đ ó : s = s ( k ) - s . ( k + q) + co(q), e_ = s - ( k ) - s ( k - q ) - o o ( q ) ,
+ n n n n

Ì khi z > 0
e(z)=
0 khi z < 0 '

và chúng ta nhận được biểu thức hệ số hấp thụ có dạng sau:

a(q)=x C; h\n(<ỉzị ỉ*
n
n(k)-r== -n .(k) z
n (4.17)
nai k VÃ? - sỉ

Thực hiện phé p tính chuyển từ tổng trong (4.17) sang phép tính tích
phân theo k, chúng ta thu được biểu thức giải tích dưới đây cho hệ số hấp
thụ phonon âm bơi sóng laser cho quá trình hấp thụ nhiều ph oton :

\l/2
Ti k T
a(q) = n 0
3 2 Z q C
In',n(qz) e X

run

t ? r « + i/2) f
X V _ m
X > exp ^ +(A„V+Cù(q))}
2

to V-
A
n,n' + J 2^ q^kT
2

ni Ả
2
(A ,n' +»(q))
n
^ qỉkT v
A
n . n ' -G>(q),

m mẢ
xexp x. + A , --0)(q) 2
(A . -©(q)) , (4.18)
2 2 n n

2/rq,kT
2
/2 q^kT

trong đó A , -=6 (n -n' )

n n 0
2 2 1
(4.19)
2m

4.1.4. Tính toán sô và nhận xét

Chúng tôi tiến h ành đánh giá số và vẽ đồ thị biểu thức giải tích (4.9)
cho quá trình hấp thụ một photon (h ình 6) và biểu th ức giải tích (4.18) cho
quá trình h ấp thụ nhiều ph oton (h ình 7). Hệ số hấp thụ phonon âm được vẽ
đồ thị như là một hàm của năng lượng sóng laser Kì (từ Ì đến 5 meV) và
năng lượng của phonon âm TicOq (từ 20 đến 100 meV). Từ đồ thị chúng ta
 63

có thể nhận thấy:

- Đ ố i với quá trì nh hấp thụ một photon : trong vùng năng lượng khảo sát
chúng ta nhận được hệ số gia tăng phonon âm <x(q) < 0 .

- Đ ố i với quá trình hấp thụ nhiều photon: trong vùng nâng lượng kháo sát
chúng ta có thể nhận được hệ số gia tăng phonon âm cc(q) < 0 hoặc hệ số
hấp thụ phonon âm ot(q) > 0 .

Energy of L W rneV u 20 Energy of phonon m e V

Hình 6: Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ ct(q) vào năng lượng

h co q và hũ. trong trường hợp hấp thụ một photon .

Chúng ta có thể nhận thấy rằng sự phụ thuộc của hệ số gia tâng

phonon âm và o năng lượng sóng laser HQ và năng lượng của phonon âm

/?G)q là rất phức tạp và không tuyến tính. Cá c kết quả thu được là khá c biệt

với cá c kết quả trong [2], [3], [10], [33], [51]. Lý do của sự khác biệt nà y

là ở chỗ, cá c kết quả trong [2], [3], [10], [33], [51] là cho bá n dẫn khối

còn cá c kết quả của chúng tôi thu được là cho hố lượng tử bán dẫn.
 64

X 10,-10

~ 6v-"* r

o
to

50

20
Energy of LVV rneV 0 10
Energy of ph0non rneV

Hình 7: Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ <x(q) vào năng lượng

h(ú q và hũ. trong trường hợp hấp thụ nhiều photon.

4.2. Gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dẫn khi có từ trường
Lý thuyết gia tăng phonon âm bởi trường laser tr ong bán dẫn khối

[14], [39], [56], trong bán dẫn siêu mạng [83] khi có mặt từ trường tần

số lượng tử đã được nhiều tác giả quan tâm nghiên cứu. Ở đây, tiếp nố i ý

tưởng trong các công trì nh kể trên, chúng tôi mở rộng bài toán vật lý trong

phần 4.1 khi xét tới ảnh hưởng của từ trường ngoài, tần số lượng tử H (với

giả thiết H / / Ẽ ) lên sự gia tăng phonon âm bới sóng laser trong hố lượng tử

bán dẫn.

4.2.1. Phương trình động lượng tử cho phonon khi có mặt từ trường

Hamiltonian của hệ điện tử -phonon trong hố lượng tử bán dẫn khi

đồng thời có mặt cả sóng laser Ẽ S i n ( Q t ) và từ trường tần số lượng tử

0

(từ trường lượng tử) H ( H // Ẽ) được viết dưới dạng:

 65

H(t)= ỵ B N ..ík -fÃ(t)].; a N > k „+2 Đ bíbq +

N,k ,n
v V *- / *' 3

^J/iln^qzllN'.Nta^/ila^^^a^Jb^b^ ,(4.20)

trong đó (N,k ,n) và ( N \ k +q ,n') là bộ số lượng tử đạc trưng cho trạng

x x x

thái của các điện tử trước và sau khi tán xạ; C0q là năng lượng của phonon

với véc tơ sóng q (n = Ì); a+ k n và a N k n ( b í và b- ) tương ứng là các toán

q

tử sinh hoặc hủy điện tử (phonon); 8 N n (k) là năng lượng của điện tử trong

hố lượng tử bán dẫn khi có mặt đồng thời sóng lase r và từ trường:
fc 2 2
Tì lí
N Ải)- N + C0 H +8 n 0
E
o =
(4.21)
2m L
với L là độ rộng của hố thế ; N=0,l,2,... tương ứng là các chỉ số vùng

2 2 2 i , 2
Landau; n=l,2,3,...; J , (a qỉ/2)= N N c j d r ^ ( r - a k - a q e) ^ ' ^ ( r - a k )
± N x c ± c 1 N 1 c ±

-00

với rj_ và a tương ứng là vị trí và bán kính của điện tử trong mặt phang
c

(x, y) quỹ đạo; ai =ch/eB\ T N (x) là hàm sóng dao động điều hòa ; G) H

là tần số cyclotron tương ứng với sự có mặt của từ trường (co = e B/e m*); H

Q là tần số sóng điện từ; Ả ( t ) là thế véc tơ.

Xuất phát từ (4.20) và thực hiện tính toán, chúng tôi thu được phương
trình động lượng tử trong hố lượng tử khi có mặt đồng thời sóng lase r và từ
trường lượng tử được viế t dưới dạng:
Õ_
^)+i^)= ì G t,',n(qzf| N,N0èỂ. Ì Z[ N,n( x)-n '.n'( x
J /2 n k
N
k
-qj
Ót 1
n,n',N,N

b
í( q> X ^ í ^ s ^ X p Ị i k n H - ^ Í Ệ t ^ O - i ^ . + i s Q Ị d t , , (4.22)
£g=-co
 66

ớ đây, ký hiệu ( x ) là trung bình thống kê theo tất cả các trạng t hái của
t

toán tử X , n (k) là hàm phân bố của điện tử, J (z) là hàm Bessel với đối
Nn n

số thực, ã = e E / m * Q 0
2

4.2.2. Sự gia tăng phonon âm trong hố lượng tử bán dần trong quá

trình hấp thụ một photon khi có mặt từ trường

Sử dụng phép biến đổi Fourier, từ (4.22) chúng tôi nhận được biếu
thúc sau:

Ị \ 2 |2 2 + 0
°
( -c^)Bq(co)=
tó ỵ Cq lrín(qzị J (a qi/2}
RN c
2
£í,(ãq)J (l|ftj(
ff l+*3)s

iLff.NLN ể,S=-00

Bg(<D-/nt] + sQt) (4.23)

trong đó:

n í m \ - s r n
N.n( x)" N\n'( x - q )
k n k
x / 2 A \
nẶ<ù+£n)=ỵ —r: z '\ — ;(5->*<))• (4.24)

k x s N ) n Ịkj-E K > n ^ k - q j - ^f ì - c o - i ô

Trong trường hợp £=s, từ (4.23) chúng ta có phương trình tán sắc:
">-G>q = I |Cq| |l,v.n(qz)| |jK,N(a qỉ/2) c
2
ì jJ(5qJnjj(<D+«2), (4.25)
n,n',N,N' í=-00

và từ đó nhận được biểu thức cho hệ số hấp thụ có dạng sau:

2
c(q)=7E X c J
Irf.ni'M K N ( c q ỉ ) a / 2 n
I wIl Hn( x)- N n'(k -qx k n
} x

n,n',HN ể=-oo le

X ô(s N > n (k)-s (k-q)+C0q-^Q)

N V
(4.26)

trong đó ký hiệu ô(x) là hàm Delta Dirac.

Chúng ta sẽ giả thiết rằng đối số của hàm Bessel là rất nhỏ so với một,

nghĩa là ãq = x/ũ < < Ì, khi đó hệ số hấp thụ phonon âm trong quá trình hấp

thụ một photon (tương ứng với í = Ì) nhận được có dạng :

 67

_ ^
o(q)
(
lì
8CrVm 11N ki V A/

x ex fì
Ị p^K- )-i (4-27)

với điều kiện:

2 2
(N'-N)a>H+(n' -n )b =Q- 0 co (4.28)

trong đó n là mật độ các điện tử.

0

Để ý rằng, trong công thức (4.27) n ếu thỏa mãn điều kiện co- / n >1

chúng ta sẽ nhận được hệ số hấp thụ phonon âm, nghĩa là hệ sổ hấp thụ

phonon âm có giá trị dương a ( q ) > 0 . Trong trường hợp ngược lại

co- / Q <1 chúng ta sẽ nhận được hệ số gia tăng phonon âm, nghĩa là hệ số

hấp thụ phonon âm có giá trị âm co(q ) < 0 .

4.2.3. Sự gia tăng phonon ảm trong hố lượng tử bán dần trong quá

trình hấp thụ nhiều photon khi có mặt từ trường

K h i đ ố i số của hàm Bessel đủ lớn ( nghĩa là ãq = X/D. > Ì ) , từ công
thức (4.26) chúng ta có thể lấy tổng theo tất cả các giá trị của ểQ, điều này
tương ứng như là quá trình hấp thụ nhiều photon . Chún g ta có:
n 2 2
e = £N\n'(k-q)-eN.n(k)+G)q =(N'-N)CO + s ( ' h 0 -n ) + c o ,q •

Sử dụng công thức biến đ ổ i :

í ì > e
(4.29)
7ĩV

Ì khi z > 0
với ký hiệu e(z)=
0 khi z < 0

chúng ta nhận được hệ số hấp thụ phonon âm cho quá trình hấp thụ n hiều

photon được viết dưới dạng sau:

 68

271
J ', (a qi/2)
N N c
2
X
Vm n,N,n\N'

exp - N' + -
f
p
C0 +8 n exp N+- w +e n
kT
H 0

V 2, V
kT H 0

1/2
X
^-[(N'-N)co +e (n' -n ) + H 0
2 2
CO. (4.30)

với điều kiên:

(N'-N)COH
,2
+ s ( n - n ) + <*>5
0
2
(4-31)

Từ các biểu thức (4.30) và (4.31) chúng ta dễ dàng nhận thấy rằng
nếu thỏa mãn điều kiện sau

2 2
(N'-N)<D H +(n' -n )s 0 >0 , (4.32)

chúng t a sẽ nhận được hệ số hấp thụ phonon âm có giá trị âm ot (q)<0,

nghĩa là hệ số hấp t hụ phonon âm đã chuyển thành hệ số gia tăng phonon
âm .

4.2.4. Tính toán sỏ và nhận xét

Chúng tôi t iến hành t ính t oán số và vẽ đồ thị các biểu thức giải tích
(4.27) với điều kiện (4.28) cho quá t rình hấp t hụ một phot on (hình 8) và
biếu t hức giải t ích (4.30) với điều kiện (4.31) cho trường hợp hấp thụ nhiều
photon (hình 9). H ệ số hấp thụ phonon âm được vẽ đổ thị như là một hàm
của các năng lượng từ trường H(ÙỊÌ và năng lượng phonon âm Seo5 ( với

m = 40meV ) . Từ đồ thị chúng t a có thể nhận thấy:

- V ớ i quá t rình hấp t hụ nhiều phot on (cùng các số liệu khảo sát như trên),
hệ SỐ hấp thụ phonon âm lại luôn âm, nghĩa là <x(q) <0 (Hình 9).
 69

,5
X 10

1Ũ0

20
Energy of M F rneV 0 ũ
Energy of phũ non rneV

Hình 8: Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phonon âm a(q) vào năng lượng

h(ùỹ v à năng lượng h(ờH trong quá trình hấp thụ một photon.

- Với quá trình hấp thụ một photon: K h i TfcDq > 40meV tương ứng

việc thỏa mãn điều kiệncOq /Q> Ì , hệ số hấp thụ phonon âm có giá trị

không âm nghĩa là <x(q) > 0. K h i #G)q < 40 meV tương ứng việc thỏa mãn

điều kiện co q / Q < Ì , hệ số hấp thụ phonon âm có gi á trị âm nghĩa là

tx(q) < 0 (Hình 8).

Chúng ta cũng nhận thấy rằng, sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ

phonon âm vào năng lượng của từ trường h(ữ H v à năng lượng của phonon

âm #G)q hoàn toàn khác biệt so với hệ số hấp thụ phonon âm trong trường

hợp vắng mạt từ trường (phần 4.1). Song cũng cần nhấn mạnh rằng dưới sự
ảnh hưởng của từ trường lượng tử (phần 4.2) chúng ta đã thu nhận được
điều kiện gia tăng phonon âm (4.32) bởi sóng laser trong hố lượng tử bán
dẫn khi xét tới quá trình hấp thụ nhiều photon. K h i điều kiện gia tăng này
 70

thỏa mãn, hệ số hấp thụ phonon âm (4.31) sẽ chuyển thành hệ số gia tăng
phonon âm.

Hình 9: Sự phụ thuộc của hệ số hấp t hụ phonon âm <x(q) vào năng lượng
#C0q và năng lượng /zco trong quá trì nh hấp thụ nhiều photon.
H

Đế kết luận chương này, chúng tồi muốn lưu ý rằng:

Kết quả của bài t oán vật lý nghiên cứu hệ số hấp t hụ phonon âm bới
sóng laser trong hố lượng tử bán dẫn khi vắng mặt từ trường cũng như khi
có mặt từ trường ngoài là: Đã t hu nhận được các biểu t hức giải t ích cho hệ
số hấp t hụ phonon âm và đã chỉ ra được các điều kiện gia tăng phonon âm
cho các quá trì nh hấp thụ một photon hoặc quá trì nh hấp thụ nhiều photon

Các kết quả chúng t ôi t hu nhận được là hoàn toàn khác biệt khi so
sánh với các kết quả của bài toán tương t ự t rong [10], [33], [51],[97] lý do
của sự khác nhau là bài t oán vật lý t rong [10], [33], [51],[97] nghiên cứu
cho bán dẫn khối, còn bài t oán của chúng t ôi nghiên cứu cho hố lượng tử
bán dẫn thuộc hệ thấp chiều.
 71

CHƯƠNG 5

H Ấ P T H Ụ S Ó N G Đ I Ệ N T Ừ YÊU B Ở I Đ I Ệ N T Ủ T Ụ D O

T R O N G BÁN D Ẫ N SIÊU M Ạ N G P H A T Ạ P

Trong thời gi an gần đây hệ thấp chiều đã được rất nhểu tác giả quan
tâm nghiên cứu, chẳng hạn như các loại bán dẫn hai chiều : các siêu mạng
bán dẫn , hố lượng tử bán dẫn , si êu mạng pha tạp . Chính sự gi am cầm các
điện tử trong hệ thấp chiều đã làm tăng khả năng linh động của các điện tử
và điều này sẽ dẫn tới các hi ệu ứng mới xuất hi ện dưới tác động của các
kích thích bên ngoài. Rất nhiều bài báo gần đây đã nghiên cứu theo hướng
này, chẳng hạn như về tương tác điện tử-phonon và tốc độ tán xạ [23], [76],
[70], về te n xơ độ dẫn điện [781, [89]. Bài toán vật lý nghiên cứu về hệ số
hấp thụ sóng điện từ bi ên độ yếu (sóng điện từ yếu) cũng đã được quan tâm
nghiên cứu trong siêu mạng bán dẫn [5], [6-9]. [37], [38],[40-42], [85]và
trong hố lượng tử bán dẫn [43], [70], [76], [78], [89].

Trong chương này chúng toi nghiên cứu lý thuyết hấp thụ sóng điện
từ yếu bởi điện tử tự do trong si êu mạng pha tạp trong hai trường hợp:

- Trường hợp không có từ trường ngoài : với cơ chế tán xạ điện tử -

phonon âm và cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang.

- Trường hợp có mặt từ trường, tần số lượng tử : với cơ chế tán xạ

điện tử - phonon quang
B ố cục của chương này như sau: Trong mục 5.1 chúng tôi quan tâm
nghiên cứu về te n xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bơi
các điện tử tự do bị giam cầm trong siêu mạng p ha tạp khi không có từ
trường. Trong mục 5.2 chúng tôi dành cho việc mở rộng bài toán trên khi
 72

xét tới sự có mặt của từ trường ngoài. Trong từng mục chúng tôi đều bắt
đầu từ việc xây dựng Hamiltonian của hệ và từ đó chúng tôi tiến hành tính
toán ten xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ , sau đó thực hiện tính toán sổ
và bàn luận kết quả nhận được. Trong tính toán , chúng tôi giả thiết rằng
sóng điện từ yếu là phân cực thẳng và có tần số cao tần co, nghĩa là thỏa
mãn điều kiện COT » Ì (với T là thời gian phục hồi trung bình xung lượng
của điện tử).

Mặc dù cấu trúc của bán dẫn thấp chiều đã làm thay đổi hệ thức tán
sắc của các p honon, dẫn tới các mốt bề mặt và các mốt giam cầm [72 ị.
[70]. Tuy nhiên các tính toán về tốc độ tán xạ của các điện tử trong [76] đã
chỉ ra rằng, trong các điều kiện xác định, sự đóng góp của hai mốt trên có
thể bỏ qua và các tính toán có thể thục hiện gần đúng tốt với các phonon
khối. Nên trong chương này chúng tôi sẽ thực hiện tính toán gần đúng cho
phonon khối với siêu mạng pha tạp bù trừ n-p có độ rộng các lớp pha tạp
bằng nhau d = dp = dĩ (với d và dp tương ứng là độ rộng của một lớp pha
n n

tạp n và pha tạp loại p), có nồng độ pha tạp các hạt donor n D và các hạt

acceptor n A là bằng nhau và không đổi (n D = n A = const.).

Kết quả của chương này là chúng tôi đã nhận được các biểu thức giải
tích cho ten xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu . Bước đầu
tiến hành khảo sát số và vẽ đồ thị cho các biểu thức này cho một siêu mạng
pha tạp điển hình n-GaAs/ p -GaAs. Các kết quả cho thấy có sự p hụ thuộc
khác biệt của ten xơ độ dẫn cao tần và hẹ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ
yếu co , nhiệt độ tuyệt đ ố i T của hệ , vào tần số cy clotron Q (khi có mặt
từ trường ngoài) và vào các tham số đặc trưng cho siêu mạng pha tạp trong
sự so sánh với bài toán tương tự nhưng cho bán dẫn khối hoặc hố lượng tử
bán dẫn.
 73

5.1. Hấp thụ sóng điện tù yếu bởi điện tử tự do trong siêu
mạng pha tạp khi không có từ trường

5.1.1 Hamiltonian

Như đã biết chuyển động của điện t ử bị giới hạn trong các lớp của
siêu mạng pha tạp và phổ năng lượng của điện t ử bị lượng tử hóa theo các
mức gián đoạn. Chúng ta giả thiết rằng sự lượng tử hóa các mức năng lượng
là hướng t heo trục z. K h i đó Hamiltonian của hệ điện t ử-phonon t rong siêu
mạng pha tạp theo lượng tử hóa lần thứ hai được viết dưới dạng:

H =H + U 0 , (5.1)

H a a
o = I Se c k, +z^ bĩjb<j ,
0 (5.2)
k
l.n q

u= I c-c ,, ai n n a ,(
tiJi b(i+ b!-) , (5.3)
k ,q,n,n
1

trong đó n là chỉ số lượng tử năng lượng theo hướng z của điện t ử

(n=l,2,...), (k j_ n ) và (ũ Ấ + q _L, n ') là các trạng thái của điện tử trước và

sau khi tán xạ, k J_ (q_L) là véc tơ sóng của điện t ử (phonon) t rong mặt

phảng (x, y) ; a j và a ( b í và t>5) tương ứng là các toán tử sinh hoặc hủy
a

điện t ử (phonon), q = ( q j _ , q ) ỉ z ^co là năng lượng của phonon quang;

0

năng lượng của điện t ử trong siêu mạng pha tạp được viết dưới dạng:
1/2 2
2
s ,2 ,
47te n D
(n + Ị ) . ^ l k i + a ( n + i) , (5.4)
Sf = — — k ị + ti Xo * m 2 in
k I ,n
1 r\ __* J-
2m
ở đây ; n l à nồng độ pha tạp;
D là một hằng số phụ thuộc vào từng cơ

chế tán xa:

 74

- Trong trường hợp tương tác điện tử- phonon quang có dạng [23], [89],
[77]:

2 1 2 1 1
Cq =V 2TO *© (qi+q2)- ( - 0 x
1
- xô) , (5.5a)

- Trong trường hợp tương tác điện tử-phonon âm có dạng [31], [80J
2
2 th
Cq = _ q=c q 0 , (5.5b)
với V là thề tích chuẩn hóa; Xo và Xoe tương ứng là hàng số điện môi và
hằng số điện môi cao tần; p là mật độ của t inh thể ; ỉ ; là hằng số thế biến
dạng ; v là vận tốc âm; K (x) là hàm Bessel biến dạng loại 2;
s 2

N| d
c„'„ = í J*n'(z - Ể đ ) e iqzZ
ệ (z - ểd)dz ,
n (5.6)
t=\ 0

ở đây <Ị) (z)là hàm sóng trong hố thế cô lập [72]; d =2dj và N , là số chu
n

kỳ của siêu mạng pha t ạp.

5.1.2. Ten xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ

-> —>

Tương tác của hệ (5.1) -(5.3) với sóng điện t ừ yếu E(t) = E COS cot

được mô tả bởi Hamiltonian sau:

ôt
HỊ =-e£(r ,E)coscửt.e , (5->+0) (5.7)
a

với r là véc tơ bán kính của điện tử thứ a.

a

Sử dụng phương pháp Kubo-Morì , chúng t a t ính t oán và t hu nhận

được thành phần vuông góc của ten xơ độ dẫn cao tần ơ ( o ) được viết xx

dưới dạng:

ơ x x (ó) = rj-ico + F(co)]" 1

, (5.8)
 75

trong đó
r_L = ( J , J ) X X

(5.9)
F(co) = lim ri Ie - ([U J l[U,J ] >it
1 t o t S t
J x x i n t

K h i đã xác định được ten xơ độ dẫn cao tần, chúng ta dê dàng tí nh

được hệ số hấp thụ theo công thức quan thuộc:

a (co) = (47ĩ/cN*)Reơ (co)

xx xx (5.10)

Do sóng điện từ có tần s ố cao tần, và lun ý quan trọng là trong siêu
mạng pha tạp bù trừ n-p, đóng góp chính vào thế siêu mạng là các điện tích
không gian. Do đó chúng ta nhận được:
- Trường hợp tán xạ điện tử-phonon quang:

, \ 471 r I Gieo)
(5.11)
a
XX \ < ữ
) =
— ĩ T
2 2
c N * G ( c o ) + (ù

ở đây r__| = [csh(pa) + cth(pa)+l] (5.12)

Gieo) = Re F(co) = G (co) + G " (co) +

(5.13)

G M=ri ^^ -Xo- )H
± 1 l ,
J f r o _ i /
\ ; ••
i ±n-
Ì Ì
UN,d. +T<2M ni)
tìm hờ 2 2A=0 n,n' Oị R2Ì+1)
2

2i+l -2 ÍN,d'
—
(
-pa n+-
lì
e L iJ e 2j X K {ĩấxJ)
a

X
V
± ỉ , (5.14)
a
V l )

VỚI x± = a(n' - n) - (//CO ± hừ ) ữ

(5.15)
 76

trong đó Nq là hàm phân b ố cân bằng của phonon q uang; r ( x ) là hàm số

Gamma; a j = f t ( m * a ) ~ I/2
; K ] ( x ) là hàm Bessel biến dạng loại hai. Các

ký hiệu ( ± ) trong chỉ số trên của toán tử khối lượng G ( t ó ) và chỉ s ố dưới ±

của toán tử x ± là tương ứng với ký hiệu ( ± ) trong các biểu thức (5.14) và

(5.15). Chỉ số (+) tương ứng với quá trình hấp thụ phonon , chỉ số (-) tương

ứng với quá trình bức xạ phonon.

-Trường hợp tán xạ điện tử-phonon âm:

4n C//G(G>)
(5.16)
cN co +G (CD)
2 2

ịi co
VỚI C// = V 2) lVea - P a n (5.17)
11=0

3/ PM p?to p?to 0.0 Ì

-Ị V3m* Ve e (e -l) ệ » -p« 2
G(co) = C e G|(A, ), (5.18)
0

4p7ĩ P /ỉ V /TCO n=0n'=0

1/2 3 / 2

TI 8m - ^ • 1 \
P*o 4pv m s

G,(*o) = 1+2
P
M 1/2
r ^K (ị0* |),
2 o (5.19)
6 /i

^ 0 =a(n-n')-^(0 . (5.20)

Từ các phương trình (5.8 ), (5.11) và (5.18) chúng ta có thể nhận thấy

toán tử G(co) đóng vai trò như toán tử khối lượng của điện tử trong gần

đúng Born trong trường hợp vắng mặt từ trường.

5.1.3. Tính toán sô v à nhận xét

Trong m ục này chúng tôi tiến hành tính toán số các biểu thức (5.11)-
(5.15) (trường hợp tán xạ điện tử-phonon quang) và các biếu thức (5.16)-
(5.20) (trường hợp tán xạ điện tử-phonon âm) cho một siêu mạng pha tạp
 77

điển hình là n-GaAs/p-GaAs. V i ệ c tính toán số này càng làm rõ hơn tính
chất khác biệt của khí điện tử chuẩn hai chiều trong siêu mạng pha tạp so
với khí điện t ử chuẩn ba chiều thông thường.

Các tham số đặc trưng cho siêu mạng pha t ạp được sử dụng trong

tính toán này là X o c = 1 0 . 9 , X o=12.9, n D = i o c r r T , d=2d =2d =80 ran,

1 7 3
n p

^ = 0.0imeV, m*=0.067m , e=2.07e fcco =36.1 m e V ( m v à e tương ứng là

o o 0 0 0

khối lượng và điện tích của điện t ử tự do).

H ệ được giả thiết đặt ở nhiệt độ phòng (T=293°K)

- Trường hợp tán xạ điện t ử-phonon quang:

Biểu diễn trên hình 10 là toán tử G(co) như là hàm của ti co - năng

lượng của trường sóng điện từ và số chu kỳ của siêu mạng pha tạp Nj . Chỉ

số lấy tổng t rong ( 5 . 1 4 ) được lấy l à n = 1 1 ; n ' = 1 1 . Từ đồ thị chúng ta có thể

nhận thấy phổ hấp thụ của toán tử G(co) phụ thuộc mạnh vào số chu kỳ của

siêu mạng N | trong vùng giá trị Nj<30 , trong vùng từ Nj=5 đến Nị=20 xuất

hiện vùng cộng hưởng trong phổ hấp thụ của toán tử G(co). Sự xuất hiện

vùng cộng hưởng này là do toán tử G(co) phụ thuộc mạnh vào các tham s ố

đặc trưng của siêu mạng pha tạp theo hàm số exp(-2x ) v ớ i đ ố i số X rất nhỏ
2

(x=N d/a «
1 ] ). Cũng cần lun ý là trong vùng 1 < N J < 3 0 với giải tần số cho

phép của trường sóng điện t ừ, độ lớn của toán tử G((0) trong siêu mạng pha

tạp lớn hơn rất nhiều so với bán dẫn khối GaAs hoặc hố lượng tử bán dẫn

GaAs Ga A s [72].

Biểu diễn trên hình 11 là đồ t hị của hệ số hấp t hụ oc(co) được coi như

là hàm của h co - năng lượng của trường sóng điện t ừ và chu kỳ N , của siêu

mạng pha tạp với các số lượng tử n và n' được lấy như trên. Từ đồ t hị chúng
 78

ta cũng có thể nhìn thấy vùng công hường trong phổ hấp thụ của hệ số hấp

thụ a((0). Do g i ả thiết trường sóng điện từ là cao tầ n COI » Ì, k h í diện tử

chuẩn hai chiều không suy biến nên G(co) « c o , do đó vùng cộng hưởng

trong phổ hấp thụ của hệ số hấp thụ ot(co) xuất hiện tương úng với các giá trị

lớn của toán tử G(co).

25CU

Sĩ 200-

^150.
p

The number of period 0 0 Energy of EMW meV

Hình 10: Sự phụ thuộc của toán tử G(a>) (s"')vào /?co - năng

lượng của trường sóng điện từ và chu kỳ siêu mạng N |

- Trường hợp tán xạ điện tử -phonon âm:

Đổ thị vẽ trên hình 12 là hệ số G(co)/r o được coi như là hàm của

năng lượng^co (với r = ( 3 m £ e ) / ( P * P * V s ) ) và

0
I/2 3/2 2 p M 4 7/2 5/2 5
số chu kỳ của

siêu mạng p ha tạp N j . Đ ồ thị được vẽ cho trường hợp n=l,n'=2. Từ đồ thị

chúng ta có thể nhận thấy vùng cộng hưởng của hệ số G(co)/r o tăng theo
 năng lượng của trường sóng điện từ yếu , điều này có nghĩa là thời gian

sống ĩ sẽ nhỏ đi do T ~ G " (co)

1

The number of period 0 0 Energy of E M W (rneV)

Hình l i : Sự phụ thuộc của hệ số hấp t hụ a(co) (em' ) vào tần

1

số co của trường sóng điện từ và chu kỳ siêu mạng N j

Đ ồ thị vẽ trên hình 13 là hệ số a ( c o ) / r

xx o được coi như là hàm của

huy - năng lượng của trường sóng điện từ yếu và số chu kỳ của siêu mạng
pha tạp N|. Từ đồ thị này chúng ta có thể nhận t hấy hệ số a ( c o ) / r
xx o phụ

thuộc mạnh vào năng lượng sóng điện từ trong giải năng lượng
5 < h(ữ < 20 (meV). K h i năng lượng h(ứ tăng lên, giá trị của hệ số giảm
đột ngột tương t ự như hệ số hấp t hụ t rong trường hợp t án xạ điện tử-phonon
quang, nhưng sự cộng hướng ờ đây vẫn có thể quan sát được t uy rằng rất
nhỏ. Cũng cần lưu ý rằng phổ hấp thụ ten xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp
 81

5-2. Hấp thụ sóng điện tù yếu bởi điện tử tự do trong siêu
mạng pha tạp khi có từ trường

5.2.1. Hamitonian

Như chúng ta biết, khi có mặt từ trường lượng tử ngoài các mức năng
lượng của điện tử bị tách thành các mức Land au rời rạc. Trong siêu mạng
pha tạp, thành phần vuông góc với trục siêu mạng của năng lượng cũng bị
tách thành các mức năng lượng Landau. Chúng tôi giả thiết rằng trong siêu
mạng pha tạp, từ trường B (tần số lượng tử) hướng vuông góc với trục siêu
mạng. K h i đó Hamiltonian của hệ điện tử-phonon quang theo lượng tử hóa
lần thứ hai được viết dưới d ạng [89], [46], [77], [83], [94]:

H = H +u 0 , (5.21)

H =Ze2aía +Ẹ»fl) bJb

0 a 0 í , (5.22)
a q

u= z _ C q c . ( q ) C . N ( u ) ạ + a ,(b+- + b- ,
n n z N a (5.23)
a,a',q,q'

trong đó N là chỉ số mức vùng Land au (N=0,l,2,...); a = ( N , n , k ) và x

a' = ( N ' n ' k' ) với K =k -KỊ, tương ứng là các bộ số lượng tử đặc trưng cho
x t x

trạng thái của điện tử trước và sau khi tương tác; và a (

a b ĩ và bq)

tương ứng là các toán tử sinh hoặc hủy điện tử (phonon); là năng lượng

của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có sự hiện d iện của từ trường

ngoài hướng theo trục z:

1 / 2
8 H = ( N + i)»n +» ( ^ ^ - ) ( n + ị)-(N + i)*n + a(n + ị ) , (5.24)
2
m Xo 2 2
 80

thụ sóng điện từ yếu trong siêu mạng pha tạp là khác bi ệt trong sự so sánh
với kết quả tương tự trong si êu mạng hợp phần [23], [72], [74], trong h ố
lượng tử bán dẫn [43] , [76], [78].

X 10
8>

The number of layers ũ 0 Energy of E M W rneV

Hình 12: Sự phụ thuộc của hệ số G(co)/r (trục Coeff i c i ent)

o

vào năng lượng h(ừ và số chu kỳ NịCỦa siêu mạng (n=l, n'=2)

0
The number of layers 0 Energy of E M w meV

Hình 13: Sự phụ thuộc của hệ số a ( c o ) / r ( trục Coeffi ci ent)

xx o

vào năng lượng fi(ừ và số chu kỳ N , của si êu mạng (n=l, n'=2).

 81

5-2. Hấp thụ sóng điện tù yêu bơi điện tử tự do trong siêu
mạng pha tạp khi có từ trườ ng

5.2.1. Hamitonian

Như chúng ta biết, khi có mặt từ trường lượng tử ngoài các mức năng
lượng của điện tử bị tách thành các mức Land au rời rạc. Trong siêu mạng
pha tạp, thành phần vuông góc với trục siêu mạng của năng lượng cũng bị
tách thành các mức năng lượng La nda u. Chúng tôi giả thiết rằng trong siêu
mạng pha tạp, từ trường B (tần số lượng tử) hướng vuông góc với trục siêu
mạng. K h i đó Hamiltonian của hệ điện tử-phonon quang theo lượng tử hóa
lần thứ hai được viết dưới d ạng [89], [46], [77], [83], [94]:

H = H +u
0 , (5.21)

H =ZeSa;a +Ẹ»(0 bJb-

o a o , (5.22)
a q
u= I _ C - C . ( q ) C . ( u )a £a
n n z N N a ,(b! +b-
i | , (5.23)
a,a',q,q'

trong đó N là chỉ số mức vùng Land au (N=0,l,2,...); a = ( N , n , k ) và x

a' = (N',n',k' ) với k^kx+q, tương ứng là các bộ số lượng tử đặc trưng cho
x

trạng thái của điện tử trước và sau khi tương tác; và a ( a b í và bq)

tương ứng là các toán tử sinh hoặc hủy điện tử (phonon); e" là năng lượng

của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có sự hiện d iện của từ trường

ngoài hướng theo trục z:

2
1 / 2
8 H = ( N + ±)»n +»(^-^-) ( n + ± ) ( N + i)*n
S + a(n + l ) , (5.24)
2 m X o 2 2
 82

c
q v à
Qn(4 đ ư (
? c đ
i n h n
ỗ h ĩ a
tương ứng theo các phương trình (5.5) và

(5.6), ký hiệu c N . N (u ) được định nghĩa theo công thức sau:

C , (u)= |Ỹ .(r -a
N N N x c
2
k ± -a c
2
q )e ^ ^ (r
1
i r
N 1 c
2
-a k )dr , 1 1 (5.25)
•00

với r_L và a tương ứng là vị trí và bán kính của điện tử trong mặt phang
c

(x, y) quỹ đạo; ai = ch / QB ; u = a ^ q i / 2 ; F ( x ) là hàm sóng dao độ ng v

N

điều hòa ; Q là tần số cyclotron ứng với sự có mặt của từ trường ngoài

(Q = eB/cm*).

5.2.2. Ten xơ độ dẫn và hệ sỏ hấp thụ

? —> —>
Tương tác cua hệ (5.21)- (5.23) với sóng điện từ yếu E ( t ) = E COS cot

được mô tả bởi Hamiltonian (5.7).

Để thuận lợi cho việc tính toán, thay vì sử dụng các toán tử J và J x

chúng tồi sử dụng các toán tử J v à J . với J = J ± i J + ± x y [91], [94]. Khi có

mặt từ trường ngoài, sử dụng phương pháp Kubo-Mori các thành phần
vuông góc của ten xơ độ dẫn cao tần được mô tả bởi công thức sau:

GO 00

ơ (G}Q)=ơ (G*fạ= lim Jej ci fof l tt -- 6ỗt (J.

t/T J T(t))dtf
/4-\\j+, r„icot—ót
l wt òt
xx yy 9 + }e - (j ,J_(t))dt , (5.26)
+

ỗ-H-04
0 0
ô->+0

Trong xấp xỉ gần đúng bậc hai của tương tác , thay thế cho các
phương trình (1.45) là các phương trình sau:

]e i w t
- ô t
(J-,J + (t))dt = ( J _ , J ) x +

0
 83

00
5-i(co-Q) + (i) (J_,J )-
2
+
]
Je i<Bt
- ([U,J_],[u,J ] )dt
8t
+ int (5.27)
0
00 i c o t - ô t
(J ,J_(t))dt = ( J , J _ )
+ +

X 5 _i ( c o + Q ) + ( i ) 2 j j _ l Je - ([u,J ],[u,J_]
( + r
iat 8t
+ int )dt (5.28)
0
Từ các phương trình (5.21) - (5.28) tác giả nhận được các cồng thức
sau cho các thành phần vuông góc của ten xơ độ dẫn cao tần :

ơ (co,Q) = a ( c o , Q ) = (J-.J+) (J+.J-)

xx yy + (5.29)
4 -i((0-Q)+F_ (Q) - i ( Q + Q) + F _(Q) + +

í XI 0 0

iCũt ôt
với F_ (Q)= l i m í ị ) ( J . J + r
+
1
Je - (tuj„Ị[U jJ )dt, (5.30) ? int

0 0
Ỉ M
F _(Q)= l im (ị) (J , J _ ) - ' | e
+ +
iCởt St
- ( [ U , J ],[U,J_] )dt .(5.31)
+ int

Biết ten xơ độ dần cao tần, chúng ta có thể xác định được hệ số hấp
thụ bằng công thức (5.10) . Các thành phần vuông góc của hệ số hấp thụ
sóng điện từ yếu trong siêu mạng pha tạp bù trừ khi có mặt từ trường ngoài
được viết dưới dạng:

TI (J_,J )G (ffl,Q) (J ,J_)G (co,Q)

ct (co,Q) =
xx
+ 1 f + 2
,(5.32)
cN G?(co,Q) + ( 0 3 - Q ) 2
G2(co,Q) + (co + Q ) 2

trong đó

G ( Q , Q ) - R e F _ ( Q ) = G^(co,Q) + G (co Q) ,
1 + Ị ? (5.33)
 84

4
± e m* e P ^ C D _J _J ( P * » - 1 ) - e
2
P(^ a) +

Gf(M,Q) = 2 3 (Xeo -Xo ) e

2 i + 1
N,dV
e -P(finN+an) N]d , 2i+] Hi) V <0
N :
(WZ I X +2
a
n

r(2i + l)X a J
e ' a
' X

i=0 N . N ' n.n'

2 2
N ' +(N + 1) (Nq + - + - ) ô( Ae - ti CO ± h c o 0 ) , (5.34)

G 2 (co, ũ) = G ỉ (ro, Q) + G 2 (co, Q) (5.35)

4 p 4 f f l
e m e ^Q /ko 0 _, _ ( P*
u e -l) _~p(»tl+a)
G^(co,Q) = (Xeo Xo ) e - X
3
Inh

oe
P(f/QN+an)
(J ,J_)-'I ì l e
+
Nd 1 + 2 2i i + Hi) Ị N]d e • a 7
X

i=0 N , N ' n,n' a r(2i + 1) )\ a

2 2
N + ( N ' + 1 ) (N<j + - + - ) 5 ( A s - / i w ± f i c o ) , 0
(5.36)

( V e Q a c ) m e P
(j,,J ) + = ^ ' ^ " (l-e-p* )x n

2 71«

l M , o i
<.i" ° Z(!i i).* ' "i , t
(5.37)
n,N

2
(V2eQa ) m' c

(j .J-) =
+
2 71» 2
( e P * ° - l)x

P ( 3 f t Q + a)
X e 2(N + l)e- p (
* QN+ a n )
, (5.38)
n,N
 85

và A 8 = ( N - N ' ) ế Q + a ( n - n ') , (5.39)

ô(x) là hàm Delta Dirac; Các ký hiệu ( ± ) ở chỉ số trên của các toán tử khối
lượng G*((D,Q) và G*(to,Q) là tương ứng với các ký hiệu ( ± ) tr ong các
phương trình (5.32) và (5.35). Chỉ số (+) tương ứng với quá trình hấp thụ
phonon còn chỉ số (-) tương ứng với quá trình bức xạ phonon trong quá
trình hấp thụ sóng điện từ yếu.
Từ các phương trình (5.26) và (5.29), chúng ta có thể nhận thấy các
toán tử F_ (Q) và F _(Q) đóng vai trò như các toán tử khối lượng trong gần
+ +

đúng Bom khi có sự hiện diện của từ trường ngoài.

5.2.3 Tính toán sỏ và nhận xét

Để làm r õ hơn về sự ảnh hưởng của từ trường lên hệ số hấp thụ sóng
điện từ yếu cao tần a((0,Q) trong siêu mạng p ha tạp , chúng tôi tiến hành
tính toán số các công thức (5.32)-(5.39) cho một siêu m ạng pha tạp điển
hình là n-GaAs/p-GaAs . Các thông số đặc trưng cho siêu mạng pha tạp và
hệ thục hiện tr ong tính toán tuông tự như ở phần trên (trường hợp vắng mặt
từ trường)

Biểu diễn trên hình 14 là đồ thị của hệ số hấp thụ a(co,Q) được coi

như là hàm của h(ờ - năng lượng của sóng điện từ yếu cao tần với điều kiện

(5.40). Từ các kết quả tính toán chúng tôi có một số nhận xét sau:

Chính sự có mặt của hàm Delta Dir ac tr ong các công thức (5.34),
(5.36) đã quyết đị nh chỉ số vùng Landau N ' mà các điện tử có thể nhảy tới
sau quá trình hấp thụ. Nghĩ a là chúng phải thỏa mãn điều kiện sau:

(N-N')#Q + a ( n - n ' ) - £ c o ± f t c D =0 .
0 (5.40)
 86

0.25

ũ.2

0.15

Ũ1

0 0:

li I .1 lllỉllll J
o 10 20 30 40 50
Energy of E M W (meV)

Hình 14: Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ a(co ,Q) ( em ) 1

trong siêu mạng pha tạp n-GaAs / p- GaAs . Đồ thị

được vẽ cho trường hợp N=7; N'=7, n=5, n'=5.

Qua đó chúng ta thấy rõ ảnh hưởng của từ trường ngoài lên hệ số hấp
thụ là rõ rệt. Chỉ khi điều kiện (5.40) thỏa mãn, quá trình hấp thụ sóng điện
từ yếu mới có thể xảy ra tro ng siêu mạng pha tạp. Từ đó, chúng ta nhận
thấy, chỉ số mức Landau mà điện tử có thể nhảy tới sau quá trình hấp thụ bị
ràng buộc bởi các điều kiện xác định, điều này hoàn toàn khác với các loại
bán dẫn khác như: bán dẫn khối (chỉ số mức Landau mà điện tử có thế nhảy
tới sau quá trình hấp thụ là tùy ý), hố lượng tử bán dẫn (chỉ số mức Landau
là ho àn to àn xác định), siêu mạng bán dẫn (chỉ số mức Landau giới hạn
trong một kho ảng xác định).

Chúng ta cũng có thể nhận thấy các chỉ số lượng tử N ' , tần số

cyclotron Q , tần số co của trường sóng điện từ, tần số giới hạn co 0 của

phonon quang và các tham số đặc trưng cho siêu mạng pha tạp bị ràng

buộc nhau bởi điều kiện (5.40). Do đó đồ thị của hệ số hấp thụ a(co.Q) vào

năng lượng h(ù của sóng điện từ theo điều kiện (5.40) là không liên tục,

mà có dạng vạch.
 87

KẾT LUẬN

Trên cơ sở phương pháp Kubo-Mori và phương pháp phương trình

động lượng tử, luận án đã tập trung nghiên cứu một số hiệu ứng cao tần
trong bán dẫn khối, plasma bán dẫn và các bán dẫn thuộc hệ thấp chiều như
hố lượng tử và siê u mạng pha tạp. Các kết quả thu được có thế tó m tắt như
sau:

1. Thu được các biểu thức giải tích tường minh cho hệ số hấp thụ sóng
điện từ yếu trong bán dần khối khi có mặt trường sóng điện từ mạnh, trong
siêu mạng pha tạp khi có mặt từ trường và khi không có mặt từ trường, với
từng cơ chế tán xạ khác nhau. Trong đó hệ số hấp thụ phụ thuộc vào nhiệt
độ, tần số sóng điện từ, tần số cyclotron, cường độ từ trường và các tham sỏ
của cấu trúc vật liệu như bán dẫn khối, siê u mạng pha tạp.

2. Thu được biểu thúc giải tích cho hệ số kích thích và biến đổi tham số
mật độ sóng bởi bức xạ điện từ trong plasma bán dẫn. Trong đó, dưới ảnh
hưởng của bức xạ điện từ đã xuất hiện điều kiện không ổn định của trường
ngưỡng và xuất hiện hệ số biến đổi plasmon thành phonon.

3. Thu được các biểu thức giải tích tường minh cho hệ số hấp thụ
phonon âm bởi trường bức xạ Laser với các quá trình hấp thụ một photon
và nhiê u photon trong hố lượng tử với các trường hợp có mặt và khổng có
mặt từ trường ngoài. H ệ số hấp thụ phụ thuộc vào nhiệt độ, tẩn số sóng
điện từ tần số cyclotron, cường độ từ trường và các tham số đặc trưng cho
cấu trúc của hố lượng tử bán dẫn. Đặc biệt đã thu nhận được các điều kiện
gia tăng phonon âm tức là hệ số hấp thụ phonon âm trơ thành hệ số gia tăng
phonon âm.

4. Các kết quả tính số đã minh họa cụ thể các đặc trưng nhận được từ

các kết quả lý thuyết.

 88

5. Từ các kết quả thu được trong luận án dựa trên phương pháp Kubo-
Mori và phương pháp phương trình động lượng tứ, luận án kháng định tính
hiệu quả và tính un việt của việc áp dụng các phương pháp này đế nghiên
cứu các hiệu ứng động trong bán dẫn khối, trong plasma bán dẫn và trong
hai loại cấu trúc điện tử chuẩn thấp chiều là hố lượng tử và siêu mạng pha
tạp. Từ đó mở ra khả năng áp dụng rộng rãi các phương pháp này cho các
hệ bán dẫn thấp chiều khác (siêu mạng hợp phần, điếm lượng tử ...).
 89

DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ

1. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan, Tran Cong Phong and Nguyen
The Toan (1996), "The influence of Multiphoton Absorption Processes
on the Absorption coefficient of a Weak Electromagnetic Wave in
Semiconductors", Com m . Phys., 6(2), pp. 39-43.
2. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan and Tran Cong Phong (2002),
"Caculations of the Absorption Coefficient of a Weak Electromagnetic
Wave by Free Carriers in Doping Superlattices by Using the Kubo-Mori
Method", J.Korean Physical Society, .41(1), pp. 149-154.
3. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan, Nguyen The Toan (1998),
"Parametric Excitations of Density Waves in Semiconductors Electron-
Hole Plasma by Electromagnetic Radiation", VNU; J. Sciences, Nat.,
-XIV(2), pp. 5-11.
4. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan, Nguyen Manh Trinh (1999),
"On the Amplification of Acoustic phonon by Laser Wave in Q uantum
Wells", Proceedings of the Third International Worlshop on Materials
Science (ỈWOMS'99), Hanoi, pp. 869-872.
5. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan, V u Thanh Tam (1998), "On the
Amplification of Sound (Acoustic Phonon) by Laser Wave in Q uantum
Wells", VNU., J. Sciences, Nat., Phys., pp. 35-37.
6. Nguyen Q uang Bàu, Nguyen Vu Nhan, Nguyen Manh Trinh (1998),
"The influence of Magnetic Field on the Amplification of Sound
(Acoustic Phonon) by Laser in Q uantum Wells", VNU., J. Sciences,
Nat., Phys., pp. 38-40.

7. Nguyen Vu Nhan , Nguyen Minh Van, Ha Huy Bang, Nguyen Q uang

Bàu (1999) "On the Theory of Absorption of a Weak Electromagnetic
Wave by Free Electrons in Doping Superlatices" Proceed. XXIII
 90

Confer. Theo. Phys., Ho Chi Minh City, pp. 192-1995.

8. Nguyền Vũ Nhân, Nguyền Quang Báu (1999), "Tí nh toán hệ số gia

tăng phonon âm bởi trường bức xạ laser trong hố lượng tử" Tạp chí
nghiên cứu khoa học kỹ thuật quân sự, (29), ti . 1999, 28-31.

9. Nguyễn Vũ Nhân, Nguyễn Quang Báu (1998), " H ệ số hấp thụ sóng
điện từ yếu bởi điện tử tự do trong siêu mạng pha tạp Tạp chí nghiên
cứu khoa học kỹ thuật quân sự, (26), tr.34-37.

10. Nguyen Vu Nhan, Nguyen Quang Bàu (1998), "Absorption of a Weak

Electromagnetic Wave by free electrons in Doping Superlatices", VNU. 7

J. Sciences, Nat., Phys., pp. 31-34.

11. Nguyen Vu Nhan , Nguyen Quang Bàu (1998), "The Ab sorption of a

Weak Electromagnetic Wave b y free electrons in Doping Superlattices
in the Pressence of Quantum Magnetic Field ; Proceed. XXỈỈI Confer.
1

Theo. Phys., Ho Chi Minh City, pp. 176-180.

12. Nguyen Manh Trinh, Nguyen Vu Nhan , Nguyen Quang Bàu (1998),
"The Influence of Magnetic Field on the Amplification of Sound
(Acoustic Phonon) by Laser in Quantum Wells", Proceed. XXIII
Confer. Theo. Phys. Ho Chi Minh City, pp. 187-191.
t
 91

TÀI LIỆU T H A M K H Ả O
Tiếng V iệt

Ì Nguy ền Quang Báu (1988), "Ảnh hướng của sóng điện từ

mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ y ếu trong bán dẫn"
Tạp chí Vật lý, VIII(3-4), tr. 28-33.

2 Nguyễn Quang Báu, Ch h oumm Navy, Nguyễn V ũ Nh ân (1997),

"The quantum th eory of amplification of sound (acoustic
phonons) by Laser wave in non-degenerate semiconductors",
Tạp chí khoa học, Đại học Tổng hợp Hà nội, XIII(5), tr.7-12.

3 Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Văn Hướng (1990), " V ề lý thuy ết

gia tăng sóng âm trong bán dẫn bởi trường bức xạ lase r", Tạp
chí khoa học, Đại học Tổng hợp Hà nội, (3), tr. 8-9.

4 Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Văn Hướng, Hà K i m Hằng (1993),

"Cộng hưởng tham số của ph onon âm và ph onon quang trong

bán dẫn", Tạp chí khoa học, Đại h ọc Tổng h ợp Hà nội, (4), tr.

31-35.

5 Nguyễn Quang Báu, Nguyễn V ũ Nh ân, Hà K i m Hằng và

Nguyễn Văn Hướng (1992), "Ảnh hưởng của từ trường lên hệ số

hấp thụ sóng điện từ đối với cơ chế tán xạ điện tử-phonon quang

trong bán dẫn siêu mạng ', Tuyển tập báo cáo tại Hội nghị Vật lý
1

lý thuyết toàn quốc WH, Thành phố H ồ Chí Minh , tr. 11-16.

6 Nguyễn Quang Báu, Nguyễn va Nh ân, Trần Công Ph ong,

Chhoumm Navy (1993), " V ề lý thuy ết hấp thụ sóng điện từ y ếu
bởi điện tử tự do trong bán dẫn siêu mạng", Tuyển tập Báo cáo
tại Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ4, Hà nội, tr. 36-39.

7 Nguyễn Văn Hướng, Nguyễn Quang Báu, Nguyễn V ũ Nh ân

(1991) "Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu bởi biên
 92

độ lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu tr ong siêu mạng" Tạp chí
Khoa học, Đại học Tổng hợp Hà nội, (3), tr. 16-20.

8 Nguyễn Vũ Nhân, Nguyễn Quang Báu (1996), "Thành phần ten

xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu tr ong bán
dãn siêu mạng khi có mặt từ trường lượng tử", Tạp chí nghiên
cứu Khoa học Kỹ thuật quân sự , (19), tr. 51-57.

9 Nguyễn Vũ Nhân, Nguyễn Quang Báu (1997), "Thành phần ten

xơ độ dẫn cao tần và hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu tr ong bán
dẫn siêu mạng khi có mặt từ trường lượng tử", Tạp chí nghiên
cứu Khoa học Kỹ thuật quân sự , (23), tr. 44-50.

10 Nguyễn Vũ Nhân, Nguyễn Quang Báu, Vũ Thanh Tâm (1998),

"Ánh hưởng của quá tr ình hấp thụ nhiều photon lên sự gia tăng
sóng âm (phonon âm) bởi trường bức xạ laser trong bán dẫn
không su y biến", Tạp chí nghiên cứu Khoa họ c Kỹ thuật quân
sự, (24), tr. 38-43.
11 Nguyễn Vũ Nhân, Trần công Phong, Nguyễn Quang Báu (1997),
tk
Ảnh hưởng của cấu trúc siêu mạng bán dẫn lên sự hấp thụ sóng
điện từ", Tạp chí nghiên cứu Khoa học Kỹ thuật quân sự , (23), tr.
78-85.
12 Trần Công Phong, Nguyễn Vũ Nhân, Nguyễn Quang Báu
(1997) "Ảnh hưởng của cấu trúc hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs
lên toán tử khối lượng điện tử trong gần đúng Born", Tạp chí
nghiên cứu Khoa học Kỹ thuật quân sự , (22), tr. 41-46.

Tiếng Nga

13 AcKepoB B.M. (1970), KMHCTHHecKM€ aộộeKTbi B

noxynpoBOAHỉiKãx, HayKa, MocKBa.

 93

14 Ba^Kapeỉí ỈO.H., 3nL

U TefÍH 3.M.(1972), "BiiHAHHe

CMJibHOM 3JieKTpoMarHHTHOM BOJ1HH Ha p a c n p o c T p a H e H M e

yjibTpa3ByKa B KBaHTyiomeM MarHHTHOM n o j i e "

(63), c. 660-666.

15 rpazmrreiiH Vò. c , PbDKHK K). M . (1971), TaõiĩMUbỉ

HHTerpajlOb, cyMnpmoB M npoM3B6jj6HMM^ H a y K a , MơCKBa.

16 3y6apeB Ịị. H. (1971), HepaBHOBecHa

z CTãTHHecKax

TepMOAHHãMHKa, HayKa, MocKBa.

17 Kejinbiui JI. B. (1962), "O BjiHflHHH yjibTpa3ByKa Ha

3jieKTpOHHbiH cneKTp KpHCTajuia", 0TT, (4), c. 2265-2267.

18 KpMTopoB c. A . , CMMHH r.c, H CHH^ajIOBCKMH BJI.

(1971), "BjĩH5iHHe 6p3iTOBCKHX OTpa>KeHMH Ha

BbicoKOHacTOTHyio npoBOHHMOCTb", 0TT, (13), c. 2232-

2233.
19 JleBHH B. M . , 4 e p H 0 3 a T 0 H C K H H JL A. (1973), "3ByKOBbie

HeycTOỈÍHMBOCTH B n o j i y n p o B O A H M K a x B B b l C O K O H a C T O C T H O M

3jieKTpHMecKOM nojie", 0TT, (15), c. 1243-1245.

20 n a B J i O B H H B . B . H 3mirreỉíH 3. M. (1976), "HejiHHeỉíaa

BMCOKOHacTHaa npoBOHHMOCTb C B e p x p e u i ế K M " , 0TT, (18),

c. 1483-1485.
21 naBJiOBMq B. B. H 3nuiTeHH 3. M. (1977),
"KBaHTOBaH TeopMH l ĩ O D i o m e H H A 3jieKTp0MarHMTHbix

BOJ1H CBOÕO^HblMM HOCHTeJIHMH B nOJiynpOBCựl HMKe c o

CBepxpeuiếTKOM", 0TT, (19), c. 1760-1764.

22 n o K a r a n o B E . n., K J I H M H H c. H . , BaiiaõaH c. H . H EepHJi

c H.(1996) "MaraeTonojiJipoH B uHJiH/ipHHecKOH

KBaHTOBoíi H H T H " , 0TT, (30), c. 641-650.

23 noxejia ÌO., H IOiieHe B. (1995), "PacceHHHe 3JieKTp0H0B
 94

Ha o r m r a e c K M x ộ o H O H a x B H B y M e p H b i x HMax c 3axBaTOM

3JieKTpoHOB M ỘOHOHOB", 0 7 7 7 , (29) c. 459-463

24 P oõepTC B . C6. (1970), ®H3HHecKax ãKycTHKã, T . I V . H. B
PĨ3H. M n p . , MocKBa.

25 OsH r. (1969), 0OTOH-3JĩeKTpOHHơe B3âMMOJĨCMCTBHC B

KpHCTẽuuiãXy Mnp., MocKBa.

26 IIIHK A.íỉ. (1973), "Hmeunn e

nep Hoca B 0/iHOMe pHbrx

CBepxemểTKax", 0TIJ, (7), c . 261-269.

27 IIIHK À. 51. (1995), "EjieKTpoflHHaMHKa AByMepHbix

3JieKTpoHHbix CHCTeM", 0777, (29), c . 1345-1381.

28 IIlMejieB r. M., HaỉÍKOBCKHH H . A. M H r y e H K y a H r Bay

(1981), " BbicoKoqacTOTHan npoBOOTMOCTb

n o j i y n p o B O U H M K O B c o C B e p x p e u i ế T K O H " , H3B, AN MCCP,

cepnx ỘH3. MãT. HayK., (2), c. 76-78.
29 LLlMejieB r. M . , HryeH KyaHr Bay H HryeH XoHr LLIOH

(1981), " r i o n i o i n e H H e CBeTa cBoõoAHbiMH HocHTejiflMH

nojiynpoBOUHHKa B n p H c y T C T B H H jia3epH0Ỉí BOJIHBI ( ì ) " ,

0777, (15), c. 1999-2004.

30 LQMejieB r. M . , HryeH KyaHr Bay, Ví H r y e H X O H Ĩ UÍOH

(1981), " r i O D I O I H e H K e CBeTa CBOÕOAHblMH HOCHTGJIHMM

n o j i y n p O B O £ H H K a B npMcyTCTBHH ;ia3epHOH BO-ĩiHbi (li)",

Han, By30B CCCP, Ộ H 3 M K a , (7), c. 105-109.

31 UlMejieB r. M, HryeH KyaHr Bay (1986), "0>H3HKa

n o j i y n p o z i H H K O B M ỊUĩ3JĩQKTpìỉKOẻB^, KHOIHHOB, C. 7- 19.

32 H r ye H XoHr IIIOH, UlMe jie B r. M., 3 n u i Te ỉ i H 3. M.

(1984) "06 OHHOM n p n 6 j i H xe H H H npH Mccii

e /ioBaHMM

KHHeTHMeCKHX e
3Ộộ KTOB B e
noji CHJIHOH

3JieKTpOMarHMTH0Pi BOJIHbl", PỈ3B. By30B CCCP, ỘM3MKa,

 95

(5), c. 19-23.

33 3nixiTeỉĩH 3. M . (1971), "PacceHHHe 3JieKTpoHOB-ỘOHOHOB

B cHJibHOM nojie H3jiyq enHHH", 0TT (13) c. 511-515

34 3nuiTeỉÍH 3. M . (1971), "PacceHHHe BbicoKOHacTOTHbix

Ộ O H O H O B B no;ie 3JĩeKTpOMarHMTHOH BOJIHbl" 0TT (13)

c. 516-519.

Tiếng Anh

35 V o Hông Anh (1980), " A quantum approach to the parametric

excitation problem in solids", Physics Reports (Review Section of
Physics Letters), North-Holland Publishing Company, 64, pp. 1-
45.

36 Basu P . K . and Nag B.R. (1980), "Lattice scattering mobility of

two-dimensional electron gas in GaAs", Phys. Rev., B22, pp.
4849-4852.

37 Nguyen Quang Bàu, Chhoumm Navy (1997), "Influence of

Laser radiation (non-modulated and modulated) on the
absorption of a weak electromagnetic wave by free electrons in
semiconductor superlattices", Journal of Natural
Sciences(VNU), (2), pp. 26-31.

38 Nguyen Quang Bàu, Chhoumm Navy and Shmelev G . M . (1996),

"Influence of Laser radiation on the absorption of weak
electromagnetic wave by free electrons in semiconductor
superlattices", 17th Congress of the International Commission
for Optics Taejon, Korea,SPIE, 2778, pp. 814-815.

39 Nguyen Quang Bàu, Chhoumm Navy, V u Thanh Tam and

Nguyen Manh Trinh (1997), "The influence of quantum
magnetic field and multi-photon absorption process on the
 amplification of sound (acoustic phonons) by laser wave in non-
degenerate semiconductors", Proceed. XXII Con/. Theor. Phys.,
Doson, VN, pp. 139-143.

40 Nguyen Quang Bàu, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy,

Nguyen V u Nhan (1995), "The influence of quantizing magnetic
field on the absorption of a weak electromagnetic wave by free
electrons in semiconductor superlattices", Proceed. Secon.
IWOMS'95, Hanoi, Vietnam, pp. 207-210.

41 Nguyen Quang Bàu, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy (1996),

'The absorption of a weak electromagnetic wave by free
electrons in semiconductor superlattices in the presence of a
quantizing magnetic field", Journal of Natural Sciences (VNU),
12(2), pp. 43-47.

42 Nguyen Quang Bàu, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy, and

Tran Cong Phong (1996), "The theory of absorption of a weak
electromagnetic wave by free electrons in semiconductor
superlattices", Communications in Physics, 6(1), pp. 33-40 .

43 Nguyen Quang Bàu , Tran Cong Phong (1998),

"Calculations of the absorption coefficient of a weak
electromagnetic wave by free carries in quantum wells by the
Kubo-Mori method", J. Phys. Sóc Japan, 67, pp. 2008-2013.

44 Blakeslee A . E., and Aliotta A . F. (1970), "Man-made

superlattice crystal", IBM. J. Res. Develop., 14, pp. 686-688.

45 Calmes L . and Gold A . (1994), "The local-fiedl correction of the

quasi-one-dimensional electron gas", Solid State Comm., 92(7),

pp. 619-623.
46 Chaubey M . p., Van Vliet M . c. (1986), "Transverse magneto-
 conductivity of quasi-dimensional semiconductor layers in the
presence of phonon scattering", Phys. Rev., B38, pp. 5617-5622.

47 Chang L . L . , Esaki L . and Rtsu (1974), "Resonant tunneling in

semiconductor double barriers", Appl. Phys., Lett., 24 pp. 593-
595.

48 Chen S.M., Su Y . K . and Lu Y . T . (1996), "Doping Effects on

inter-sub-band and inter-band optical transitions in Ga-InAs
super-lattices", IEEE J. Quan. Elec, 32(2), pp. 277-283.

49 Cho A . Y . (1988), Molecular beam epitaxy (MBE)-Application

and perspectives, Proccd.ỉ9 th
ỈCPS, 1, pp. 21-28.

50 Dingle R . (1975), Confined carries quantum states in ul tra-thin

semiconductor Heterostructures, in Feskorperprobleme X V ,
H.v. Queisser, Pergamon Press, Verlag, New York.

51 Epstein E. M . (1975), "Interaction of intensive electromagnetic

waves on electron properties of semiconductors",
Communications of HEE of USSR, ser. Radio-physics, 18, pp.
785-811.

52 Esaki L . (1984), "Semiconductor superlattices and quantum

th
wells", Proc. 17 Int. Con/. Phys. Semiconductors, San
Francisco, CA, pp. 473-483.

53 Esaki L . (1989), "The evolution of semiconductor superlattices

and quantum wells", Int. J. Mode. Phys., B3(4), pp. 487-507.

54 Esaki L . and Chang L . L . (1974), "New transport phenomena in

semiconductor superlattices", Phy. Rev-Lett., 33, pp. 495-498.

55 Esaki L . Tsu R . (1970), "Superlattice and negative conductivity

in semiconductors", IBM. J. Res. Devel op., 14 , pp. 61-65.

56 Ferry D. K . , and Jacoboni Carlo. (1992), Quantum transport in

 98

semiconductors, New York, London.

57 Formin V. M , Pokatilov E. p. (1976), "Nonlinear absorption of

electromagnetic waves by band charge earners in a laser field"
Phys. Stat, Soi, B78, pp. 831-835.

58 Gold A., Ghazali A. (1990), "Analytical results for

semiconductor quantum-well wire: Plasmons, shalow
impurity states, and mobility", Phys. Rev. fi, 41(11), pp. 7626-
7640.
59 Gradshteyn L.s. and Ryzhik I.M. (1980), Table of integrals,
Series, and Products, Academic Press, New York and London.
60 Harris J. s. (1990), "From Bloch function to quantum wells", Int.
/ . Mode. Phys., B4, pp. 1149-1179.
61 Herman M . A . , Sitter H. (1988), Molecular beam epitaxy,
Springer Ser. Mat. Sci., 7, Springer, Berlin, Heisenberg.

62 Hess K. (1979), "Impurity and phonon scattering in layered

structures", Appl Phys. Lett., 35, pp. 484-486.
63 Hirayama Y., Ohmori Y., Okamoto H. (1984), "AlSb-GaSb and
AlAs-GaAs mono-layer superlattices grown by molecular beam
epitaxy", Jpn. J. Appi Phys., 23, pp. 488-489.
64 Kotthaus L. p. (1988), Interfaces, quantum wells and
Super lattices, Plenum, New York.
65 Kubo R. (1957), "Statistical mechanical theory of irreversible
process", J. Phys. Sóc. Japan., 12 , pp. 570-586.
66 Mahan G. G. (1990), Many-particle Physics, Plenum, New york.

67 Mendez E. E. (1986), "Electronics mobility in semiconductor

Heterostructures", IEEE. J. Quan. Elec, 22(9), pp. 1720-1727.

68 Miranda L. c. (1977), "Amplification of high-frequency

 99

phonons in the field of an intense electromagnetic wave" Sol

Stat. Commun., 23, pp. 219-221.

69 Mori H . (1965), " A continued fraction representation of the

time-correlation functions", Progr, Theor. Phys. 34 pp.399-
416.

70 Mori H . , and Ando T. (1989), "Electron-optical phonon

interaction in single and double heterostructures", Phys. Rev.,
B40, pp. 6175-6188.

71 Nag R. B. (1980), Electron-transport in compound

semiconductors, Springer-Verlag, Berlin.

72 Ploog K . , Doller G . H . (1983), "Compositional and doping

superlattices in III-V semiconductors", Adv. Phys., 32, pp. 285-
359.

73 Ploog K . , Goaf K . (1984), Molecular beam epitaxy of lll-V

compounds, Springer-verlag, Berlin.

74 Pokatikov E. p., Formin V . M . (1976), "Multi-photon absorption

by free charge carries in semiconductors", Phys. Stat. Sol., B73,
pp. 553-558.

75 Ridley B. K . (1982), 'The electron-phonon intraction in quasi-

two-dimensional semiconductor quantum well structures", J.
Phys. c, 15, pp. 5899-5917.

76 Rucker F L Molinary E. and Lugli p. (1992), "Microscopic

calculation of the electron-phonon interaction in quantum wells",

Phys. Rev., B45, pp. 61 AI-6156,

li Rynne T. M , Spector H . N . (1980), "Free carrier absorption in

quantizing magnetic fields: Non-polar optical phonon

scattering", Phys. Chem. Solid., 42, pp. 121-123.

 100

78 Schmit-Rink s., Chemla D. s., and Miller D. A . B. (1989)

"Linear and nonlinear optical properties in semiconductor
quantum wells", Adv. Phys., 38, pp. 89-188.

79 Shmelev G. M . , Nguyen Quang Bàu (1981), Physical

phenomena in semiconductors, USSR.

80 Shmelev G. M . , Nguyen Quang Bàu (1978), "High frequency

conduction in semiconductor superlattices", Phys. Tech.
Semicond., USSR, 12, pp. 1932-1935 .

81 Shmelev G. M . , Nguyen Quang Bàu, Vo Hong Anh (1981),

Parametric excitations of plasma and phonon in
semiconductors, P17 - 81- 600, JINR, Dubna.

82 Shmelev G. M , Nguyen Quang Bàu, Nguyen Hong Son (1981),

^Absorption of the light by free carriers in the presence of the
laser wave", Phys. Techn. Semicond., USSR, 15, pp. 1160-1163.

83 Shmelev G. M , Nguyen Hong Son, Vo Hong Anh (1983),

"Sound absorption in semiconductors with a superlattice in a
quantizing magnetic field", Sol. Stat. Commun., 48, pp. 239-243.

84 Sholimal L . (1974), Tunnel effects in semiconductors and

applications, Moscow.

85 Nguyen Hong Shon, and Nazareno H . N . (1994), "Propagation of

elastic waves in Semiconductor superlattices under the action of
a laser field", Pins. Rev., B50, pp. 1619-1627.

86 Silin A . P. (1985), "Semiconductor superlattices", Phys. Usp.,

USSR, 28, pp. 972-993.

87 Silin A . P. (1973), Parametric action of the high power

radiation on plasma, Moscow.

88 Sitenco A . G. (1977), Fluctuations and non-linear interaction

 loi

of wave in plasma, Kiev.

89 Suzuki A . (1992), "Theory of hot-electron magneto-phonon

resonance in quasi-two-dimensional quantum well structures"
Phys. Rev., B45, pp. 6731-6741.

90 T s u R . , and Esaki L . (1971), " Nonlinear optical response of

conduction electrons in a superlattice", Appl. Phys. Lett., 19,
pp. 246-249.

91 Tsu R., and Esaki L . (1973), 'Tunneling in a finite superlattic",

AppL Phys. Lett., 22, pp. 562-564.

92 Tzoar N . (1967), "Nonlinear excitation of density fluctuation in

electron-phonon systems", Phys., Rev., 164(2), pp.518-522.

93 Tzoar N . (1970), " Parametric excitation of density wave in

semiconductors by electromagnetic radiation", IEEE Trans.
Electr. Devices, 17(3), pp. 245-247.

94 Vasilopoulos p. (1986), "Magnetophonon oscillations in

quas-two-dimensional quantum wells", Phys. Rev., 33, pp.
8587-8594.

95 Vinogradov An. V. (1976), "On other formulae in

semiconductors", JETP, 70(3), pp. 999-1008.

96 Yang E. s. (1978), Fundamentals of semiconductor devices, Me

Graw-B.c. Hill, New york.

97 Peiji Zhao (1994), "Phonon amplification by absorption of an

intense laser field in quantum well of polar material", Phys. Rev.,

49, pp. 13589-13599.

 102

PHỤ L Ụ C

Chương trình tính số và vẽ đồ thị t rong luận án này được thực hiện
bằng các ngôn ngữ lập t rình Mat lab for Windows, version 4.0 hoặc bằng
ngôn ngữ lập trình Microcal Origin for Windows, version 3.5 . Đối với
chương t rình Microcal Origin for Windows, version 3.5, dữ liệu để vẽ đồ
thị được tạo ra bằng các chương t rình Pascal. Do sự tương t ự của các
chương trình (lập trình, số biến...), trong phụ lục này, để làm ví dụ, t ác
giả liệt kê một chương t rình Pascal t iêu biểu để tạo dữ liệ u vẽ các đồ thị
(cho toán tử khối lượng t rong bán dẫn khối và hố lượng t ử), và hai
chương trình bằng ngôn ngữ lập trình Matlab cho siêu mạng pha tạp khi
không có từ trường và có t ừ trường ngoài.
Phụ lục 1:
Chương trình tính số và vẽ đổ t hị sự phụ t huộc của t en xơ độ dẫn
cao tần và hệ số hấp t hụ sóng điệ n từ yếu bới điệ n tử tự do trong siêu
mạng pha t ạp với các cơ chế tán xạ điệ n tử-phonon quang cho hai trường
hợp không có từ trường. Chương trình được thực hiện bằng ngôn ngữ lập
trình Matlab for Windows, version 4.0.
% Khao s a t he s o h a p t h u t h e o s o l o p N v a t a n s o w

( h(ù )

%H=0
[ w , N ] = m e s h g r i d ( 3 . 5 : 7 : 1 4 3.5, 1 : 2 . 5 : 5 1 ) ;
A
wo=36.1; zl=10.8; z2=12.9; nD=10 17,d=80; T=300;
muy=0.01;m=0.067; b e t a = 0 . 0 32 7 ; e = 2 . 0 7;
A
a=sqrt(4*pi*e 2*nD/(z2*m)));
A
C = ( e 2 / ( 4 * p i * b e t a * h " 2 ) )*exp(beta*(muy-0. 5 * a ) ) * . . .
(1+cosh(beta*a)+coth(beta*a))ỉ
alp=h 0.5*(m*a) (-1/4)ĩ
A A

p=N*d/alp;
n=input('He so n= ' ) ;
 103

r=0;
for i=l:n;
A
r=r+ ( 2 ( 2 * i + l ) *garoma ( i ) /gamma ( 2 * i + l ) ) *p
end;
A
Io=(1/pi)*exp(-2*p. 2).*(p+r);
A A A
Co=2*pi*e 2*wo* ( z l ( - 1 ) - z 2 ( - 1 ) ) ;
Dl=(e/m)"2*pi*exp(beta*muy)*(beta*wo+l)
(exp(beta*w)-1),/w;
D2=(e/m)"2*pi*exp(beta*muy)*beta*wo*...
(exp(beta*w)-1),/w;
1
n l = input ('trang t h a i dâu nl= ) ;
n2=input('trang thai c u o i n2= ' ) ;
G1=0;G2=0;
for i=0:n1;
for j=0:n2;
if (j-i)>=0.0
lal=a *(j-i)-w-wo;
la2=a*(j-i)-w+wo;
laml=abs(lai) ;
lam2=abs{la2) ;
yl=2*beta*laml;
y2=2*beta*lam2;
Bl=m*sqrt(2*pi*m/beta)*exp(-2*beta*laĩ) ;
B2=m*sqrt(2*pi*m/beta)*exp(-2*beta*la2 ) ;
A A
G1=G1+C (-1)*(2*pi) (-5)*(Co)*(pi*m) * . .
exp(-beta*a* (i+0.5))*Io.*B1.*D1*...
exp(beta*lai) .*laml. *besselk(1,yl) ;
A A
G2=G1+C (-1)*(2*pi) (-5)*(Co)*(pi*m)*...
e x p ( - b e t a * a * ( i + 0.5))* lo.*B2.*D2*. . .
exp(beta*la2) .*lam2.*besselk(1,y2) ;

end;
 104

end;
end;
G=(G1+G2);

an=(4*pi/v)*C*G./(G. 2+w. 2); A A

figured); %HệsỐhấpthụ

mesh(w,N,an);

xlabel('Energy o f EMW (meV) ' ) ;

ylabel(•Number of p e r i o d s ' ) ;
zlabel('Absorption coefficient (1/cm) ' ) ;
cinvert;
figure(2);

mesh(w,N,G); % Toán tứ khối lượng

xlabel('Energy o f EMW meV ' ) ;
y l a b e l ( ' N u m b e r o f p e ri o d s ' ) ;
!
zlabel('Operator G (l/s) );
cinvert;
f i g u r e (3);

mesh {w, N , G2 ) ; % Toán tử khối lượng ứng với qu á trình bức xạ

phonon
xlabel('Energy o f EMW meV ' ) ;
y l a b e l í ' N u m b e r o f p e ri o d s ' ) ;
zlabel{'Operator G2 (1/s))');
cinvert;

f i g u re ( 4 ) ; % Toán tử khối lượng ứng với qu á trình hấp thụ phonon

mesh(w,N,GI);
xlabel('Energy o f EMW meV ' ) ;
y l a b e l ( ' N u m b e r o f p e ri o d s * ) ;
zlabel('Operator GI (1/s)');
cinvert;
 105

% Khao s a t he s o hap t h u t h e o t a n so c y c l t r o n w (no.)

va t a n so w ( ho) )
%H#0

[w,W]=meshgrid(5.5:0.5:65.5,0.5:0.75:60.5)•

A
wo=36.1; 21=10.8; z2=12.9; nD=10 17,d=80; T=300;
muy=0.OI;m=0.067; beta=0.0327;e=2.07 ;
a=sqrt(4*pi*e"2*nD/(z2*m));
A
B = 1 0 (-4) ; N=1500;
Nq=bet*wo;
A A
C = ( e 2 / < 4 * p i * b e t a * h 2 ) ) * e x p ( b e t a * (muy-0 . 5*a) ) * . . .
(1+cosh(beta*a)+ c o t h ( b e t a * a ) ) ;
A
alp=h*(m*a) (-1/2);
p=N*d/alp;
1
n = i n p u t ( ' H e so n= ) ;
r=0;
for i = Ì:n;
A
r = r + p + p * 2 * p 2 / ( 2 * 1 + 1) ;
end;
A
Io=(l/pi)*exp(-2*p 2)*r;
/v A A
C o = 2 * p i * e 2 * w o * ( z l ( - D - z 2 (-1) ) ;
ll=input('nháp c h i s o c h o J-+ l i = ') ;
C1=0;
C2 = 0;
for i=0:ll;
A
C 1 = C 1 + ( e 2 / m / p i ) * e x p ( b e t a * m u y ) * ( i + 1 ) * 0 . 5 * . ..
(1 + c o s h ( b e t a * a ) + c o t h ( b e t a * a ) ) * ( 1 - e x p ( - e t a * W ) ) . * . . .
w.*exp{-0.5*beta*(0.5*W+i*W+0.5*a) ) ĩ
A
C2=C2+(e 2/m/pi)*exp ( b e t a * m u y ) * ( i + 1 ) * 0 . 5* . . .

(1+cosh(beta*a)+coth(beta*a))*(-1+exp(beta*W)).*...

w . * e x p ( - 0 . 5 * b e t a * (Ì.5*W+i*W+0.5*a) );
 106

end;

Nl=input('nháp c h i s o NI = ' ) ;

ai—input('nháp c h i Sũ n i = ' ) ;
1
N2=input('nháp c h i s o N2 = ) ;
1
n2=input('nháp c h i s o n2 = ) ;

G1=0;G2=0;G3=0;G4=0;

for il=0:Nl;

for i2=0:nl;

for Ì3=0:N2;

for Ì4=0:n2;

if ( (Ì1-Ì3)*w+ ( Ỉ 2 - Ì 4 ) * a - w + w o ) ~ = 0
A A A A A
G1=G1+ ( e 2 * m 2 * e x p ( b e t a * m u y ) * C o / h 7 ) * ( i 3 2 + ( i l + 1 ) 2 ) * . ..
A
( b e t a * w o ) * I o * ( ( e x p ( b e t a * w ) - Ì ) ./w) .*w. 4.* . . ,

e x p ( - b e t a * í 0 . 5 * W + i l* W + 0 . 5 * a + i 2 * a ) ) ;
A A A A
G3=G3+ ( e 2 * m 2 * e x p ( b e t a * m u y ) * C o / h 7 ) * ( i l 2 + (Ì3 + 1) "2 ) * . . .
+ + A
(beta w o ) I o M ( e x p ( b e t a * w ) - Ì Ị ./w) .*w. 4.*.. .

e x p ( - b e t a * ( ũ.5*W + i l * W + 0 . 5 * a + i 2 * a ) ) í

elseif ((Ỉ1-Ì3)*w+(Ì2-Ì4)*a-w-wo)- = 0
A A A A A
G2-G2+(e 2*m 2*exp(beta*muy)*Co/h 7)*(i3 2+(i1 +1) 2)* . . .
A
( b e t a * w o + l ) * I o * ( ( e x p ( b e t a * w ) - 1 ) ./w) .*w. 4.*...

e x p ( - b e t a * ( 0 . 5 * w + i l * W + 0 . 5*a+i2*a) ) ỉ
A A A A A
G4=G4+ ( e 2 * m 2 * ex p ( b et a * m u y ) *Co/h 7) *(il 2+(Ì3 + 1 ) 2 ) * . . .
A
(beta*wo+l)*Io* ( (e x p ( be t a * w ) - Ì ) . / w ) . * w . 4 . * . . .

exp(-beta*(0.5*W+il*W+0.5*a+i2*a) ) ĩ

else

G1=0;G2=0;G3=0;G4=0;

end;

end;

end;

end;end;
A
Ga = ( G 1 + G 2 ) . * c l . (-1) ;
 107

Gb=(G3+G4).*C2. (-1) A

a l l = 0.25* < 4 * p i / v ) * C l . * G a . / (Ga.*2+(w-W) ,*2) •

a l 2 = 0 . 2 5 * ( 4 * p i / v ) * C 2 . * G b . / (Gb."2+(w+W) . ~2) •
al=(all+al2);

figured) ; %Hệ số hấp thu

me s h(w,w,aÌ) ;

xlabel('Energy o f EMW (meV) * ) ;

ylabel('hw (meV)');
zlabel('Absorption coefficient ') ỉ
cinvert;

f i gù r e (2 ) ; % Hệ số hấp thụ ứng với quá trình hấp thụ phonon

mesh(w,w,all);
xlabel('Energy o f EMW (meV) ' ) ;
ylabel('hw (meV)')ĩ
1
zlabel('Absorption coefficient all ) ;
cinvert;
f i g u r e ( 3) ; % H ệ số hấp thụ ứng với quá trình bức xạ phonon
mesh(w,w,al2)ĩ
xlabel('Energy o f EMW (meV) ' ) ;
ylabel('hw (meV) * ) ;
zlabel('Absorption coefficient al2');
cinvert;

P h ụ lục2:

Lặp trình trên Microcal O r i g i n f or Windows, version 3.5.

Sự phụ thuộc của toán tử khối lượng G (co) vào năng lượng tm (trường

hợp tán xạ điện tử-phonon quang) trong bán dẫn khối và h ố lượng tử.

Tên chương trình :

QWDATA.EXE

Cách sử dụng :
QWDATA Input_Data_f ilename <Enter>
 108

Input_Data_filename là file dữ liệu vào dùng đế đặt các tham số cho việ
tính toán.

Cấu trúc của file d ữ liệu vào :

Ì <- Chỉ biến chạy cho trục hoành: ì - Tần số co, 2- Độ rộng của hố lượng tứ L.

<r- Blank line

10 <- Giá trị kết thúc của trục ho ành

0.1 <- Giá trị bắt đầu của trục hoành

0.1 <- Bước nhảy

37 <— Tí l ệ xích của trục ho ành

<~ Blank line

12 5 <- Giá trị của biến c ố định (L nếu hàng đầu là Ì và ứ) nếu là 2 )

12 5 <— Tí l ệ xích của biến cố định

<— Blank line

1.46535 <— Giá trị của tham số Ẹth(ù 0

0.300 <- Giá trị của tham số N„

8.40 <— Giá trị của tham số r„ của h ố lượng tử.

15.11 <— Giá trị của tham số r o của bán dẫn thường.

<— Blank line

interl3.dat <— Tên file dữ liệu ra.

<- Blank line

<— Blank line

13 <- Đ ạ i lượng muốn tính ( t r ụ c tung ):

0,0 Tính r( eo) total.

n, n' Tính đ ó n g góp từ các phép chuyển n -> n".

-1,-1 Tính V(co) cho bán dẫn thường.

File d ữ liệu vào trong ví dụ trên cho phép tính toán sự phụ thuộc của đóng

g ó p của c á c p h é p chuyể n Ì -> 3 vào r(ũ>) theo tần số í y c ủ a trường sóng điện từ,

cho trường hợp đ ộ rộng giếng L = 125A . B i ế n co chạy từ giá trị 3.5 meV đến 380
0

m e V . C á c kết quả tính to án được ghi ra file I N T E R 1 3 . D A T .

 109

Program Listing :

Filename : QWDATA.PAS
Last Updated : 15 J u l y 1 9 9 8 .
Programmer : N g u y e n Vu Nhan,

Department of Theoretical Physics,

College of Natural Sciences, VNU.
Usage : QWDATA INPUT_DATA_FILENAME < E n t e r >
+ )

{$N+;$E+}
var
varname:integer;
maxval,minvai,stép,varscale:extended;
fixval,fixscale:extended;
BHWO,NO,G0NORMAL,GOQW:extended;
o u t f i l e n a m e : s t r i n g [ 30];
outfunc: array[1..2] of integer;
procedure inputdata;
va r
finrTEXT;
begin
if P a r a m C o u n t <1 t h e n Halt(l);
Assign ( fin, ParamStr(1)) ;
Reset (fin) ;
readln(fin,varname);
readln(fin);
readln(fin,maxvai);
readIn(fin,minvai);
readln(fin,step);
readlnifiri/Varscale) ;

readln(fin);
 no

readln(fin,fixval);

readln(fin,fixscale) ; fixval:=fixval/fixscale •
readln(fin);
readln(fin,BHW0);
readln(fin,NO);
r e a d l n { f i n , G0QW) ;
readln(fin,GONORMAL);
readln(fin);
readln(fin,outfilename);
readln(fin);
r e a d l n ( f in) ;
readln(fin,outfunc[l],outfunc[2]);
close (fin);
end;

const
c=0.5772156649015325;
function ki(z:extended):extended;
var
f,gauge,term, terml,term2:extended;
k:integer;
begin
f:=l/z;
terml:=z/2; term2:=ln(z/2)+C; k:=0;
gauge:=terml*(term2-l/(2*(k+1) )) ;
repeat
term-termP ( t e r m 2 - l / ( 2 * (k+1) ) ) ;
f:=f+term; k:=k+l;
t e r m l : = t e r m l * z * z / ( 4 * ( k + 1 ) *k) ;
term2:=term2-l/k;
until gauge/term>lel5;
 UI

ki:=f;

end;

{normal semiconductors}
FUNCTION GNormal(w:extended):extended;
var
f : extended;
begin

f : = (w+l) /w* (NO + 1) *exp (-BHW0/2 ) * k l (BHWO* (w+1) / 2) ;

f:=f+abs(w-1)/w*N0*exp(BHWO/2)*kl{BHWO^abs(w-1)/2)
f:=G0NORMAL*f*<exp(BHW0*w/2)-exp(-BHWO*w/2))/2;
GNormal:=f;
end;
(*

{Quantum wells}
function Intra_G(1,w:extended) :extended;
var
f,12:extended;
begin

12:=1*1;
{ upper sign }
f : = (N0 + 1 ) * ( exp(-BHWO*(abs(w+1)+1-W) /2) -

exp(-BHW0*(abs(w+1)+W+1)/2) ) ;

{ lower sign }

f:=f+N0* (exp(-BHW0*(abs(w-1)-1-w)/2)-

exp(-BHW0*(abs(w-1)+W-1)12) )ỉ

Intra_G:=G0QW*f/w/1;

end;

FUNCTION xicma(1:exten ded;n start:in teger):exten ded;

var

f,12,gauge,term:extended;
n:integer;
 112

begin

if nstart>90 the n xicma:=0

else be g i n
12:=1*1;

f:=0; n:=nstart;
gauge:=exp(-BHW0*n*n/12) ;
term:=gauge;

while t e r m / g a u g e > l e - 1 0 do be g i n
+
term:=exp(-BHW0*n n/12) ;
f:=f+term; n:=n+l;
end;

xicma: =f;
end;
end;

FUNCTION G G ( l , w :e x te n de d ) :e x te n de d ;
var
f , s, 12, g a u g e, l a s t t er m , t er m : ex t en d ed ;
n,nmin:integer;
begin
12:=1*1; f:=0;
{upper sign}
n:=l; s:=0; te r m : = 0 ;
repeat

nmin:=trunc(sqrt(n*n+(w+l)*12) ) ;
term:=nmin*exp(-
BHWO*(n*n/12+w+l) ) + x i c m a ( 1 , n m i n + 1) ĩ
if n=l then gauge :=te rm;
s:=s+term; n:=n+l;
until g a u g e / t e r m > l e 10;
f : = (N0 + 1 ) * 2 * s ;
 113

{lower sign}
n:=1; s:=0; term:= 0;
repeat

if (n*n+(w-1)*12) >0 t h e n n m i n : = t r u n c ( s q r t ( n * n +(w-1) 12 ) )

+

else nmin:=0;
term:=nmin*exp(-BHW0*(n*n/12+w-
1))+xicma(1,nmin+1);

if n=l then gauge:=term;

s:=s+term; n:=n+l;
until gauge/term>lel0;
f:=f+N0*2*s;
GG:=G0QW*f*(exp(BHW0*w)-1)/(l*w*xicma(1,1))
+Intra_G(1,w);
end;
(* *)

FUNCTION G ( n b , n e : i n t e g e r ; 1 , w : e x t e n d e d ) rextended;
var

f, 1 2 : e x t e n d e d ;
c: i n t e g e r ;
begin

12:=1*1;
{ upper sign }

f : = (N0 + D * ( exp(-BHW0* {abs ( ( n b * n b - n e * n e ) /12+w+l)

+(nb*nb+ne*ne)/12+1-w)12)-
exp(-BHW0*(abs{(nb*nb-ne*ne)/12+w+l)+

(nb*nb+ne*ne)/12+w+l)12) );

{ lower sign }

f:=f+N0* ( exp(-BHW0*(abs((nb*nb-ne*ne)/12+w-l)

+(nb*nb+ne*ne)/12-1-w)/2)-

exp(-BHW0*(abs((nb*nb-ne*ne)/12+w-l)
+(nb*nb+ne*ne)/12+w-l)/2) );

If nb=ne t h e n c:=3 else c:=2;

 114

G:=GOQW*c*f/ ( w * l * x i c m a (Ì, 1) ) ỉ
end;
(*

VAR

fnor,fout:text;
GI,X:extended;
BEGIN

inputdata;
!
Writeln( C r ea t i n g gra phics da ta ...');
1
a s s i g n ( f n o r , c:\temp\normal.dát' ) ;
rewrite(fnor);
a s s i g n ( f o u t , o u t f i l e n am e ) ;
rewrite ( fout);
X:=minval;
while x<ma xva l do begin
if outfunc[1]=-1 then
if va rna meol t h e n G I : =GNormal ( f l x v al ) else
GI:=Gnormal(x)
else i f outfunc[1]=0 then
if va rna me=l then begin
1
GI:=GG(fixvai,x) ; w r i t e I n ( f o u t , x *a
v r sa
c l e , ' , GI
end

else begin
+
GI:=GG(X,fixval); w r i t e l n { f o u t , x v a r s c a l e , ' ',GI

end
else
if va rna me=l then begin
G l : = G ( o u t f u n c [ l ] , o u t f u n c [ 2 ] , f i x v al , x) ;
writeln(fout,x'varscale,' ',GI); end

else begin
G l : = G ( o u t f u n c [ l ] , o u t f u n c [ 2 ] , X, f i x v al ) ;
 115

w r i t e l n ( f o u t , x * v a r s c a l e , ' ' , GI) ;

end;

X:=x+step;
end;
w r i t e I n ( ' Complete. Press Enter to return.');
readln;
close(fout);close(fnor);
END.