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2023年至2024年存储市场变化分析
第一章 2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

一、供需关系再度调整：存储原厂强势拉涨，从3Q23起存储价格重回上升轨道 01

二、存储市场规模连续两年下滑，但有望在2024年恢复40%+的增长 03

三、存储供应格局再次发生变化，市场、技术竞争加剧 05

QLC技术的应用发展分析
第二章 APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

一、以成本为核心卖点的QLC，性能和稳定性短板已得到显著提升 11

二、从消费类到数据中心企业级以及嵌入/移动领域，QLC触角已经全面深入到NAND
各应用市场
14

三、QLC在企业级市场应用：取代HDD生力军 15

四、QLC应用普及：找准市场锚点是关键 18
 存储产品的应用和发展分析
第三章 APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

一、嵌入式存储产品应用及发展：UFS4.0+LPDDR5/x助推手机平均容量上升 21

二、SSD产品的应用和发展：PCIe4.0 SSD已成为主流，PCIe5.0正在发力 24

三、内存条产品的应用和发展：DDR5扩大应用，新形态内存产品初露锋芒 26

四、HBM产品的应用和发展：竞争加剧，HBM3e进入量产 26

汽车存储的应用发展分析
第四章 APPLICATION DEVELOPMENT OF AUTO MEMORY

一、汽车存储的特点 28

二、汽车存储产业链分析 30

AI技术的发展对存储器带来新需求
第五章 THE DEVELOPMENT OF AI BRINGS NEW DEMANDS FOR MEMORY
 第一章 2023年至2024年存储市场变化分析
2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

一、供需关系再度调整：存储原厂强势拉涨，从3Q23起存储价格重回上升轨道

本节要点：

存储市场在二季度成为事实上的低点，三季度部分产品价格出现分化，四季度存储价格全面上

涨，并有望在2024年全年保持上涨的态势。

存储原厂强势拉涨价格，而价格的持续过快上涨也在一定程度上背离了市场实际需求的变化，采

购方决策变得更为困难，甚至对后续采购造成反噬。

2022 年下半年以来终端需求不振与企业库存高位所引起的存储市场供过于求的不平衡状态， 导致

NAND Flash 和 DRAM 价格在 2022 年 Q3-2023 年 Q2 发生接连四个季度的下滑。价格跌破现金成本、

出货量持续萎靡， 作为供应方的存储原厂从 2022 年四季度起就进入亏损状态， 并一直持续到 2023 年三

季度。

价格的持续下跌只会造成亏损的持续扩大， 如此亏本的买卖在存储这个天然的 “卖方市场” 并不常

见也非常态。强周期的存储行业，供应端对价格往往起着决定性的作用。“亏太惨”的存储原厂，无一例

外启动减产，并持续减产，大幅削减供应，试图减缓价格下跌趋势以及减轻库存压力。但减产效应的发挥

有时效，而这种价格的持续下跌令存储原厂遭受了巨额的业绩损失，继续下跌甚至还会影响到中长期的技

术投资和产能规划。于是，存储原厂纷纷转变态度、不愿再低价出货，并收紧供应，强势拉涨价格，市场

格局从争夺市占转为了恢复盈利为第一要义。于是， 我们看到在 2023 年下半年间存储价格发生反弹， 打

破自 2022 年三季度以来的下跌趋势， 价格重回上升轨道， 并且在业绩压力的持续影响下存储厂商持续拉

涨的动力并未减弱， 这种价格的上升一直持续到 2024 年的一季度， 并有可能在整个 2024 年间存储价格

都保持着上升的态势。但需要注意的是，存储价格连续的过快过高上涨恐会抑制到后续的采购动力，如果

实际需求不如预期也会使得未来存在一定的变数。

01
 2023年至2024年存储市场变化分析
2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

图1：DRAM和NAND Flash季度平均价格环比变化

DRAM和NAND Flash季度价格环比变化
DRAM NAND Flash
30%

20%

10%

0%

-10%

-20%

-30%

-40%

E
23

23

23
21

21

21

21

22

22

22

22

23

24

24

24

24
3Q

4Q
1Q

2Q

3Q

4Q

1Q

2Q

3Q

4Q

1Q

2Q

2Q

3Q

4Q
1Q
来源：CFM闪存市场

从需求端来看， 作为存储主要出海口的手机、 PC、 服务器市场在 2023 年间表现不尽如人意， 出货

量普遍下滑， 据 CFM 闪存市场数据显示， 2023 年全球智能手机出货量将为 11.5 亿部， 同比减少 6%，

需求从下半年的回温预计有望延续到 2024 年， 带动 2024 年手机出货微增 4%， 接近 12 亿部。全球 PC

需求在 2022-2023 年连续减退， 2023 年 PC 出货量将同比减少 14% 至 2.5 亿台， 随着库存调整的结束

和 AI PC 的带动， 预计 2024 年 PC 出货量将增长 8% 至 2.7 亿台。服务器受经济环境以及企业资本支出

收紧影响， 2023 年全球服务器出货量同比下滑 8% 至 1260 万台， 预计 2024 年将微幅增长 4% 至 1310

万台，受益于 AI 服务器以及经济回温的作用。

表1：终端出货量变化

2023 2023YoY 2024E 2024YoY

智能手机（亿部） 11.5 -6% 11.9 +4%

服务器（百万台） 12.6 -8% 13.1 +4%

PC（亿台） 2.5 -14% ~2.7 +8%

来源：CFM闪存市场

02
 当然在 2023 年也可以明显看到， 因存储价格下跌， 适用于 AI 服务器的高容量 DDR5 和 HBM 需求

持续增长， 480GB/960GB SATA SSD 和 3.84TB/7.68TB PCIe SSD 的需求成为主流， UFS4.0/LPD-

DR5X/DDR5 等先进制程产品快速导入手机和 PC 应用， 这些都加速着终端设备平均容量的增长， 带来存

储“甜蜜点效应”。

在 2023 年间存储价格的 V 型反转， 是由供应端主导的供需关系的又一次调整， 然而速度过快、 涨

幅过高却有可能再次影响市场的未来变化。由于大部分存储原厂在 2023 年四季度依然处于亏损状态， 原

厂整体还未回到盈亏平衡线， 减亏势在必行， 因此持续拉涨态度十分强硬。但整体实际需求并未完全明

朗，因此价格的持续过快上涨也在一定程度上背离了市场实际需求的变化，甚至造成反作用，采购方决策

变得更为困难。供需双方仍然需要经历艰巨博弈。

二、存储市场规模与容量：市场规模连续两年下滑，但有望在2024年恢复40%+的增长

本节要点：

2023年市场规模下跌35%，2024年有望强势反弹42%。
2024年NAND Flash和DRAM bit需求增速将超过15%。

1、存储市场规模

全球存储市场规模成功实现在二季度和三季度连续两个季度环比回升， 2023 年一季度成为市场规模

的事实底点。在原厂强势拉涨态度下，四季度存储价格全面迎来上涨，顺应下半年的出货旺季，全球存储

市场规模在 2023 年四季度继续保持增长。

据 CFM 闪存市场数据显示，2023 年四季度全球 NAND Flash 市场规模环比 24.6% 至 122.3 亿美元，

DRAM 市场规模环比增长 32.1% 至 172.6 亿美元， 四季度全球存储市场规模再度环比增长 28.9% 至

294.8 亿美元，同比恢复增长到 30.2%。整体来看，全球存储市场规模在 2023 年一季度、二季度、三季

度分别环比减少 20%、 增长 9%、 增长 16% 和增长 29%， 不过全年存储市场规模依然同比减少 35% 至

903.7 亿美元。据 CFM 闪存市场预计， 在需求好转以及价格回升的基础上 2024 年将实现强势反弹

42%，回到 2020 年的水平，其中 DRAM 的增长幅度将超过 NAND Flash 带动着整体市场的增长。当然，

先进技术将继续发挥高价值效应，AI 将带来更多新的机会，支撑着未来市场规模的增长。

03
 2023年至2024年存储市场变化分析
2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

图2：全球存储市场规模变化趋势（单位：十亿美元）

全球存储市场规模变化趋势
规模 YoY

180 42% 50%

163
160 40%
31% 139
140 30%
124 29%
120 108 20%
15%
100 90 10%

80 0%

60 -10%
-15%
40 -20%

20 -30%
-34% -35%
0 -40%
2019 2020 2021 2022 2023 2024E 2025E

来源：CFM闪存市场

2、DRAM与NAND Flash bit容量变化

从容量上来看， NAND Flash 和 DRAM bit 需求增速在 2022 年创新低之后， 2023 年的需求增速将

落在 10% 和 5%， 其中 NAND Flash bit 容量在 2023 年达到 6710 亿 GB， DRAM bit 容量在 2023 年达

到 2060 亿 Gb。并且在 2024 年 NAND Flash 和 DRAM bit 需求增速将分别以 20% 和 15% 的速度增长。

从供应量上来看， NAND Flash 产量下滑接近 10%， DRAM 产量减少超过 15%， 因 DRAM 早于也

NAND 减产、 也更早恢复供需平衡， 预计 2024 年 DRAM 的产量将增长 10%+， 而 NAND 产量将增长

5%~10% 左右。
图3：NAND Flash容量变化（单位：B GB）

NAND Flash bit Demand Trend (B GB)

NAND YoY
20%

10%
6%
808
671
610

2022 2023E 2024E

来源：CFM闪存市场

04
 图4：DRAM bit容量变化（单位：B Gb）

DRAM bit Demand Trend (B GB)

DRAM YoY

1%

来源：CFM闪存市场

三、存储供应格局再次发生变化，市场、技术竞争加剧

本节要点：

存储原厂亏损幅度减少、营业利润率回升，SK海力士在2023年四季度已经恢复盈利。
DRAM技术全面进入EUV时代；QLC NAND应用逐渐发力。

2023 年对于各大原厂来讲可谓挑战重重，根据 CFM 闪存市场统计，三星、SK 海力士、美光、铠侠

和西部数据五家原厂合计亏损，从 Q1 亏损 100 亿美元收敛至 Q2 亏损 85 亿美元再到 Q3 亏损 65 亿美元，

虽然亏损幅度在收敛， 甚至部分业务已经扭亏为盈， 但 2023 年以来的累计亏损依然高达 250 亿美元。

不过， 从营业利润率上来看， 各原厂均从 2023 年一季度底谷逐季回升， 且 SK 海力士在 2023 年四季度

率先恢复了盈利。

05
 2023年至2024年存储市场变化分析
2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

表2：各存储原厂存储营收与运营利润变化（单位：百万美元）

各存储原厂存储营收与运营利润变化

1Q23 2Q23 3Q23 4Q23

单位：百万美元）
存储营收 运营利润 存储营收 运营利润 存储营收 运营利润 存储营收 运营利润

三星 6,998 -3,594 6,812 -3,316 8,028 -2,859 11,880 -1,649

SK海力士 3,992 -2,669 5,556 -2,192 6,912 -1,366 8,550 262

美光 3,693 -2,077 3,752 -1,469 4,010 -1,208 4,726 -955

铠侠 1,854 -1,296 1,830 -953 1,672 -698 1,770 -439

西部数据 1,307 -304 1,377 -478 1,556 -443 1,665 -91

来源：各公司数据

图5：存储原厂营业利润率变化

存储原厂营业利润率变化
Samsung SK hynix Micron Kioxia
60%

40%

20%

0%

-20%

-40%

-60%

-80%
22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4

来源：公司数据，CFM闪存市场。注：Samsung为DS部门营业利润率。

06
1、供应竞争格局

从市场竞争格局来看， 在 2024 年 NAND Flash 市场上， 三星 /SK 海力士 / 铠侠 / 西部数据 / 美光

的市场份额分别为 33%/18%/18%/15%/11%。长江存储因策略性加大了在 OEM 的供应，市场份额也随

之扩大。在 2024 年 DRAM 市场上， 三星 /SK 海力士 / 美光 / 南亚科技 / 华邦电子的市场份额分别达到

41%/32%/23%/2%/1%。其中， SK 海力士在 2023 年的表现最为突出， 超过 kioxia 位列 NAND Flash

市场的第二 ； 在 DRAM 市场上也逐渐缩小了与三星的差距。

图6：2023年全球NAND Flash供应商市占

2023年全球NAND FLASH供应商市占
Others,5%

Micron,11%

Samsung,33%

WDC,15%

Kioxia,18%
SK hynix,18%

来源：CFM闪存市场

图7：2023年全球DRAM供应商市占

2023年全球DRAM供应商市占
Winbond
1%
Nanya Others
2% 1%

Micron
Samsung
23%
41%

SK hynix
32%

来源：CFM闪存市场

07
 2023年至2024年存储市场变化分析
2023-2024 MEMORY MARKET CHANGE ANALYSIS

2、技术发展

（1）DRAM 技术全面进入 EUV 时代

在技术上， 随着 DRAM 制程技术不断微缩至物理极限， 进入 10nm 级别后再向下微缩难度呈现跨越

式提升， 因此技术升级的速度也较之前有所放缓。目前三星、 SK 海力士、 美光均已推出 1β或 1b 节点的

DRAM 技术，DRAM 技术已全面进入 EUV 时代。

（2）2024 年 HBM3e 进入量产

此外， 在以 ChatGPT 为代表的生成式人工智能的推动下， AI 服务器的需求在 2023 年迅猛增长， 也

带动着对 HBM 需求的急剧增长。凭借巨大的利润空间， HBM 也成为 DRAM 巨头激烈竞争的赛道。HBM

产品按照 HBM、 HBM2、 HBM2e、 HBM3、 HBM3e、 HBM4 的顺序开发， 其中三星、 SK 海力士、 美光

的 HBM3e 均将有望在 2024 年量产。从 HBM1 到 HBM3，SK 海力士和三星一直是 HBM 行业的领军企业，

美光也在逐渐缩小追赶的步伐， 并公开表示 2024 年的 HBM 供给已全数告罄。而对于最先进的第六代

HBM4，SK 海力士将在 2024 年启动 HBM4 的开发工作，三星和美光也分别将于 2025 和 2026 年推出。

图8：DRAM技术发展

2021 2022 2023 2024

1a nm EUV 1b nm EUV 1c nm EUV

1a nm EUV 1b nm EUV

1α nm 1β nm 1γ nm EUV，2025 MP

来源：CFM闪存市场

（3）3D NAND 持续向高堆叠进发，键合技术进入主流

NAND Flash 技术依然朝着高堆叠进发， 带来更低的成本、 更大的容量、 更快的速度。各大 NAND

原厂均已推出 200 层以上堆叠的 NAND Flash，下一代产品大概率将直奔 300+ 层，随着堆叠层数不断增

加， 在研发过程中， 存储原厂需要攻克的技术难题也不断增加。而从 NAND 架构来看， 各大原厂都准备

在未来的生产中采用 bonding 键合技术，键合技术也将进入主流。

（4）QLC 技术应用逐渐发力

虽然相较于主流 TLC 的应用， QLC 在诞生之初， 因性能、 稳定性和寿命较差， 应用扩展之路经历坎

坷。但是在相同堆叠层数基础上，QLC 产品在容量密度上无疑占尽优势，这在以成本为王的存储行业中，

随着存储厂商积极进行技术改进，QLC 技术不断升级，也为其大规模应用铺垫了道路。

08
 图9：NAND Flash技术发展

2020 2021 2022 2023 2024

128L V6 176L V7 2022 MP 236L V8 2023 MP V9 2024~

112L 2020 MP 162L 2022 MP 218L 2023MP

128L TLC 2020 MP 176L TLC 2021 MP 232L 2022 MP 2yyL 2024~

128L TLC 2020Q3 MP 176L TLC 2021Q4 MP 238L 2023H1 MP 3xxL 2024~

64L TLC 128L TLC/QLC 2021 MP X3-Xtacking NAND Next Gen NAND

来源：CFM闪存市场

09
 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

第二章 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

本章要点：

QLC的性能和稳定性短板已经显著提升，配合主控和固件等方案的日渐成熟，消费级QLC SSD和

企业级QLC SSD已经崭露头角。未来QLC SSD在取代HDD上将有广阔的空间。

在 NAND Flash 行业， 对更高的存储密度、 更低的 bit 成本的追求是永恒不变的课题。为此存储厂

商使出浑身解数 ： COMS 和 Array 垂直化架构、 微缩晶体管尺寸、 堆叠层数不断加码、 单位存储单元

bit 数量增多。

如此行业背景下，作为 SLC、MLC、TLC 技术的延伸，QLC 技术应运而生。自诞生之日起，QLC 技术

的核心卖点就是更低的 bit 成本， 如今经过数年的发展 QLC 技术应用领域不断扩展， 不仅在消费类 SSD

领域大展拳脚， 在企业级和嵌入式领域也开始崭露头角。CFM 闪存市场数据显示 2023 年 QLC 渗透率已

达 14%，预计 2024 年将提升至 22%。

图10：QLC的渗透率变化趋势

QLC参透率趋势
SLC MLC TLC QLC
100%
10%
14%
22%
33%
80% 41% 46%

60%
82%
78%
40% 72%
64%
56%
51%
20%

0%
2022 2023 2024 2025 2026 2027

来源：CFM闪存市场

10
 相较主流的 TLC，QLC 技术的优势和缺点，总结来说可以归纳为以下几点 ：

优势 ： 1、单位 bit 成本更低 ；

2、相同存储密度所需的物理空间更小 ；

3、能够降低系统 TCO 总成本（存储硬件成本以及更加节能）。

缺点 ： 1、寿命 (P/E 周期 ) 降低，相较于 TLC，QLC 的耐用性大约仅为前者的 75% ；

2、读取和编程性能更慢 ；

3、原始误码率 (RBER)、校正例程的错误触发率增加。

一、以低成本为核心卖点的QLC，性能和稳定性短板已得到显著提升

QLC（Quad-Level Cell）技术已被提出很多年， 各大原厂也早就有所布局。其中西部数据与铠侠早

在 2017 年就宣布成功开发出了基于 QLC 技术的 64 层 3D NAND，单颗 Die 容量达到 768Gb，相较于之

前 TLC 架构的 512Gb， 单位容量增加了 50% ； 美光与英特尔 （其 NAND 业务被 SK 海力士收购后更名

Solidigm）在 2018 年 5 月共同宣布基于 64 层的商用 3D QLC NAND 产品开始生产和出货， 单颗 Die 存

储密度达 1Tb ； 三星于 2018 年 8 月宣布大规模生产基于 64 层 1Tb QLC V-NAND 的 SATA SSD ； SK

海力士于 2019 年 5 月宣布已向主要 SSD 控制器公司提供 96 层 1Tb QLC NAND 样品 ； 长江存储也于

2020 年 4 月推出了两款 128 层 3D NAND 产品包括 TLC 和 QLC， 最高容量达 1.33Tb， NAND 接口可达

1200MT/s。

然而落实到应用层面， 相较 TLC 更低的 I/O 速度和更短的 P/E 寿命是 QLC 产品绕不开的一道坎。这

主要是因为 QLC 单元存储了 4 个 bit 数量，需要 16 个电压状态进行控制，导致控制难度加大，进而影响

寿命和稳定性。

根据 CFM 闪存市场统计各原厂部分 NAND flash 参数， 相同堆叠层数基础上， QLC 产品在容量密度

上 无 疑 占 尽 优 势。 结 合 堆 叠 层 数 不 断 升 级， 文 献 显 示， 三 星 176 层 QLC 容 量 密 度 最 高 为

15.3Gb/mm2 ； SK 海力士 176 层 QLC 存储密度达 14.8Gb/mm2 ； 美光 176 层 QLC 存储密度达

14.7Gb/mm2 ； 西数 / 铠侠 162 层 QLC 存储密度达 15Gb/mm2。

另外，据媒体报道，在近日举办的 IEEE-SSCC 会议上，三星展示 280 层 QLC NAND，存储密度高达

28.5Gb/mm2， 最高 IO 速率达 3.2GB/s ； 美光 232 层 QLC 存储密度达 19.5Gb/mm2 ； 长江存储最新

一代 X3 系列 QLC NAND X3-6070， 具备最高 2400MT/s 的 IO 速度以及 4K PE Cycle， 对标业界 TLC 的

performance， 并已经在致态 Ti600 上使用， 同时根据 Techinsights 逆向拆解数据显示 X3-6070 的存

储密度达到了 20.62Gb/mm2。

11
 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

表3：各供应商QLC NAND性能对比

Program
容量密度 I/O带宽 Die size
厂商 NAND类型 throughput
（Gb/mm2） （Gb/s） （mm2）
(MB/s)

512Gb 64层 TLC 3.98 1 N/A 128.5

1Tb 64层 QLC 5.63 1 12 182

1Tb 92层 QLC 7.53 1.2 18 136

512Gb 128层 TLC 5 1.2 82 102.4

三星
512Gb 176层 TLC 8.5 2 184 60.24

176层QLC 15.3 最高1.6 NA N/A

1Tb 220+层TLC 11.55 2.4 164 88.6

280层QLC 28.5 N/A N/A N/A

512Gb 64层TLC 3.88 N/A 46 132

1.33Tb 96层QLC 8.5 0.8 9.7 158.4

铠侠/西部数据 512Gb 96层TLC 5.95 N/A 57 86

512Gb 128层TLC 7.8 1.066 132 66

1Tb 162层QLC 15 2.4 60 68

英特尔/美光 1Tb 96层QLC 8.9 0.8 30 114.6

SOLIDIGM 1Tb 144层QLC 13.8 1.2 40 74

1Tb 176层QLC 14.7 1.6 40 68.03

美光
232层QLC 19.5 N/A N/A N/A

1Tb 96层QLC 8.4 0.8 30 119.05

512Gb 176层TLC 10.8 1.6 168 47.41

SK海力士
1Tb 176层QLC 14.8 1.6 40 67.57

1Tb 超过220层TLC 11.55 最高2.4 164 88.6

长江存储 第四代QLC 20.62 最高2.4 N/A N/A

来源：公开信息，CFM闪存市场不完全整理

12
 在性能方面， 近年来， 随着存储系统单元格算法、 电路设计、 信号增强等技术不断提升， QLC 产品

在性能方面已经得到了显著提升。根据三星公开技术文献披露， 突破性技术对存储单元性能退化起到了显

著作用，在存储密度翻倍的前提下，其新一代 QLC 产品整体性能相较前一代 QLC 产品提高了 25%，综合

可靠性指数在经过工艺改善后比改进前提高了 74%，与前一代产品基本相当。

图11：QLC的性能提升

Equivalent
+25%
Performance lndex[Abr]

Peliability lndex[Abr.]
+74%

Performance lndex:
Rate of △ tR,tPROG,IO Peliability lndex:
Rate Rate of △ Vth after PE
cycle,Temperature
Change,Retation

5th QLC 7th QLC 5th QLC 7th QLC

来源：公开文献

正如此前 TLC 普及之初的遭遇， QLC 技术诞生之初， 因性能、 稳定性和寿命较差， 应用扩展之路也

经历坎坷，但是在以成本为王的存储行业，随着存储厂商积极进行技术改进，QLC 技术不断升级，也为其

大规模应用铺垫了道路。

13
 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

二、从消费类到数据中心企业级以及mobile领域，QLC触角已经全面深入到NAND各应
用市场！

有关数据显示，目前 SSD 出货的 DWPD 小于 1 的占比达到 85% 以上，后续该比例可能会继续扩大。

也就是说，市场对 SSD 的寿命的诉求并不是很强烈，不需要 DWPD 很高的 SSD，尤其在消费类应用，因

此，近年来部分厂商早已推出相关基于 QLC 技术的 SSD 产品。

表4：各供应商QLC SSD性能对比

NAND 顺序读 随机读

厂商 产品型号 DRAM 容量 接口 应用领域
类型 写性能 写性能

870 QVO up to 560 MB/s up to 98K IOPS

三星 三星QLC LPDDR4 1/2/4/8TB SATA 消费类PC
系列SSD up to 530 MB/s up to 88K IOPS
Crucial P1 美光64层 DDR3/ 500GB/ NVMe PCIe up to 2000 MB/s up to 250K IOPS
消费类
系列SSD QLC DDR4 1TB/2TB 3 x4 up to 1750 MB/s up to 250K IOPS
1.92TB- up to 540 MB/s up to 80K IOPS
SATA 企业级
7.68TB up to 360 MB/s up to 4.5K IOPS
512GB- NVMe PCIe up to 2200 MB/s up to 265K IOPS
美光 消费类
2TB 3 x4 up to 1800 MB/s up to 320K IOPS
512GB/ NVMe PCIe up to 4500 MB/s up to 650K IOPS
消费类
1TB/2TB 4 up to 4000 MB/s up to 700K IOPS
NVMe PCIe up to 6800 MB/s up to 1000K IOPS
30.72TB 数据中心
4 x4 up to 5000 MB/s up to 200K IOPS
15.36TB/ NVMe PCIe up to 3200 MB/s up to 580K IOPS
数据中心
30.72TB 3 x4 up to 1600 MB/s up to 15K IOPS

up to 516K IOPS
15.36TB - PCIe 4.0 x4, up to 5200 MB/s (4K, QD256) 服务器、
3.84TB NVMe up to 900 MB/s up to 545K IOPS 企业级
(4K, QD256)

800K IOPS
15.36TB - PCIe 4.0 x4, up to 7000 MB/s (4K Blocks) 服务器、
30.72TB NVMe up to 3200 MB/s 399 MB/s 企业级
(64K Blocks)

Solid- up to 427K IOPS

igm PCIe 3.1 x4, up to 3200 MB/s (4K Blocks) 服务器、
7.68 TB
NVMe up to 1000 MB/s up to 360K IOPS 企业级
(4K Blocks)

427K IOPS
PCIe 3.1 x4, up to 3200 MB/s (4K Blocks) 服务器、
7.68 TB
NVMe up to 1000 MB/s 36K IOPS 企业级
(4K Blocks)

up to 90K IOPS
512GB/ NVMe PCIe up to 1500 MB/s (4K Blocks)
消费类
1TB/2TB 3 x4 up to1000 MB/s up to 220K IOPS
(4K Blocks

14
 512GB/ NVMe PCIe up to 3500 MB/s up to 3100K IOPS
Solid- 消费类
1TB/2TB 3.0 x4 up to 2700 MB/s up to 340K IOPS
igm

240GB/
256GB/
480GB/
512GB/
up to 550 MB/s
希捷 960GB/ SATA N/A 消费类
up to 510 MB/s
1024GB/
1920GB/
2048GB/
3840GB

来源：公开信息，CFM闪存市场不完全整理

在嵌入式产品应用上， QLC 应用则相对较晚， 即便三星曾在 2018 年表示要生产基于 QLC 技术的智

能手机存储器件， 但受限于 QLC 的 P/E 寿命短， 加上智能手机应用写膨胀问题以及用户换机周期延长，

导致 QLC 技术尚未在嵌入式产品上大规模应用。

但是近年来， 在存储厂商与终端应用厂商的共同努力下， QLC 产品已经逐渐渗透至智能手机应用。

铠侠于 2022 年一月份就宣布推出采用 QLC NAND 的嵌入式存储 UFS3.1 产品， 产品容量为 512 GB， 采

用铠侠 1Tb BiCS FLASH™ 3D QLC 技术 ； 三星也在 2022 年 12 月推出集成 16GB LPDDR5X 和 1TB V7

QLC NAND 的 uMCP 产品。

另一方面， 从上图我们可以看到 QLC 在企业级数据中心领域也有不少应用。这主要源于现代数据中

心中的大量应用程序和工作负载的读取请求远多于写入请求， 而 NAND Flash 在读取应用产生的磨损又

微不足道， 因此， 各大原厂纷纷推动 QLC 在读取密集型应用上发挥优势。对此， CFM 闪存市场在《不要

歧视 QLC，未来读取密集型应用将是它的天下》一文中进行了详细解释。

三、QLC在企业级市场应用：取代HDD生力军

下图金字塔型架构经常被用来描述当前的数据中心存储架构， 越靠近 CPU 的器件需要更高的 IO 性

能，对应成本也越高，而 SSD 则用来衔接 DRAM 和 HDD 的性能沟壑，同时中和巨额的成本差异。

15
 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

图12：存储金字塔

低低
热数据 延迟

ns
ns
SRAM
DRAM

温数据

成
能

本
us
性

温数据 TLC NAND

/G
SSD us

B
QLC 3D NAND SSD
ms
ms
冷数据
冷数据 HDD/TAPE 高
高

来源：公开信息

随着数据中心工作负载所需的读取访问速度越来越快， 传统 HDD 性能瓶颈劣势愈发明显， 基于

NAND flash 的 SSD 市场份额不断增长。但是具体来看， 当前主流的 TLC SSD 的读取写入性能均较高，

非常适合缓存应用程序的读取写入混合密集型工作负载。但是目前 TLC SSD 成本和容量上相对 HDD 仍没

有优势，所以并没有被以读取为中心的数据需求大规模采用。

QLC SSD 的应用则可以弥补这方面缺失， QLC SSD 能提供相较 TLC 更大的存储容量、 更低的成本，

以及相较 HDD 更优的性能、效率、空间、电力、冷却成本。

就性能方面， QLC 产品相较 HDD 可谓完胜。公开资料显示 QLC 案例中读取延迟为 410μs， 通过技

术升级目前已有产品缩短至 100μs 以内， 而 10K RPM HDD 延迟为 2900μs， 7200 RPM HDD 延迟则增

至 4160μs。

16
 图13： QLC和HDD性能对比

来源：美光

寿命方面， 近年来随着存储厂商技术不断升级， 产品寿命不断延长。加上企业级数据中心 SSD 具有

固定的更换周期， 大多数产品使用寿命仅占额定寿命的一小部分， 且 QLC 提供存储容量大， 可以将磨损

分散到更大的区域， 因此 QLC 产品寿命顾虑正逐渐淡化， 尤其是在以读取为主的应用场景中， QLC 有更

高的价值。

在 QLC SSD 取代 HDD 路上最大的拦路虎仍然是成本。CFM 消息， 在 2023 上半年 NAND Flash 下

行周期，企业级 SSD 单位 bit 成本仍是 HDD 成本约 3 倍左右，而正常情况下价差更是可达 4-6 倍。但是

长期来看，随着企业级 SSD 单位 bit 成本不断下探，企业级 SSD 价格成本有望在未来 5-8 年内降至 HDD

以下。

17
 QLC技术的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF QLC

图14：SSD与HDD价格变化

eSSD与HDD价格变化

HDD $/TB SSD $/TB

140

120

100

80

60

40

20

0
2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031

来源：CFM闪存市场

四、QLC应用普及：找准市场锚点是关键

目前， 我们可以看到已有多家存储大厂力推 QLC 技术在企业级数据中心领域的应用。通过对企业级

数据中心存储需求的细心解剖以及对 QLC 产品的深度理解，挖掘出更适合 QLC 技术应用的场景。

当应用程序工作负载访问存储时， 可以进行读取操作或写入操作或读取写入相结合操作。在筛选哪

些应用负载更适合 QLC 技术时， 鉴于 QLC 技术写入耐久性比较差， 因此了解应用程序对硬盘的负载类型

至关重要，侧重 I/O 读取的应用更适合 QLC 技术应用，例如 ： 流媒体、数据存储、分析、内容分发、商

业智能、导航、用户个人资料访问等。

18
 表5：QLC技术的应用

工作负载 QLC技术提供的价值

实时分析和大数据 为像Hadoop分布式文件系统这样的大数据应用程序提供价值

活动档案和大块存储 将横向扩展活动档案转变为战略资产，并轻松提供海量大块数据流

读取密集型人工智能 获得人工智能算法所依赖的速度，以快速在庞大的数据集群中识别特定的目标

内容交付、视频点播、流媒体 通过支持大量并行的需求和信息流，将更多的信息传递给更多的用户

由于机器学习的速度是和读取和分析数据的速度是相关的，
机器和深度学习
QLC技术能够将该速度提升至几秒钟之内

NoSQL数据库 为内容分类和标记以及用户配置文件加速等数据驱动的工作负载注入活力

用户认证 通过快速存储提供更快速的认证

来源：公开信息，CFM闪存市场

这些应用除了带来数据量增长之外， 还将涉及到更多“有用”的温数据， 例如在 AI 应用中， 分析结

果的准确性会随着输入的数据量数量和种类的增长而提高， 因此这些应用负载所需的存储设备需要满足数

据读取频繁、 容量空间大且成本较低的特点， QLC SSD 看起来确实十分匹配这类型存储需求。从以上应

用出发，相信 QLC SSD 的普及之路也会更加顺畅。

每一种新技术的诞生与普及的路上都伴随争议， 对抗争议的过程也是完善与升级的过程。 QLC 也是

如此，经过几年的产品升级和系统解决方案的完善，被人诟病的性能、耐用性短板正逐渐补齐，加上越来

越多的存储厂商尝试将其推广到更多应用领域，相信只要找准合适的应用场景，QLC 的成本优势一定会助

推其市场份额提升。

19
 存储产品的应用和发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

第三章 存储产品的应用和发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

在大数据时代， 人们通过使用智能终端设备不断产生信息， 数据资料的存储和运算离不开存储器的

支持。对于不同的终端应用， 存储产品主要划分为嵌入式存储、 SSD、 内存及 HBM 和移动存储等， 随着

终端软硬件的全面升级，终端对存储产品的性能和容量也提出更高的要求。在存储主要的应用市场中，手

机、PC 和服务器这三大市场消耗的存储产能最多，智能汽车及工控等新兴市场也迎来存储升级的浪潮。

由于 NAND 断电存储数据的特性，加上 NAND 晶圆通用性强，NAND 的应用场景和产品种类较多。

NAND 晶圆通过测试并切割成单颗 die， 搭配主控可以封装成不同类型的产品， 从而匹配不同场景下断电

存储数据的市场需求。据 CFM 闪存市场分析， 目前 NAND Flash 市场中有约 34% 的应用为手机、 平板

等市场的嵌入式存储， 有约 49% 的应用为 SSD， 其中 cSSD 应用占比 22%， eSSD 占比为 27%， 还有约

8% 的应用在存储卡和 U 盘中。

图15：NAND Flash的应用

NAND FLASH应用占比

Others,13%

Mobile,35%

eSSD,29%

cSSD,23%

来源：公开信息，CFM闪存市场

20
 DRAM 作为临时存储数据的媒介， 供 CPU 直接快速获取数据， 在通电状态下临时存储数据， 断电状

态下数据不会留存。因此， DRAM 应用较 NAND 更加垂直， 应用场景也更集中， 产品主要以 LPDDR、

DDR 和 GDDR 为主。据 CFM 闪存市场分析， DRAM 市场中有约 35% 应用在手机等移动市场， 其主要产

品形式为 LPDDR，有约 16% 应用在 PC 市场，以及约 33% 应用在服务器市场。

图16：DRAM的应用

DRAM应用占比

Others,16%

Mobile,35%

Server,33%

PC,16%

来源：CFM闪存市场

根据不同智能终端在各领域快速发展， 存储产品持续跟进新兴技术和应用创新。继云计算技术在服

务器市场蓬勃发展后， AI 应用也在端侧加速落地， 服务器、 手机、 PC 及智能汽车对存储的高性能和高容

量需求愈发显著，推动嵌入式存储、SSD 和内存、HBM 等存储产品根据终端需求持续迭代发展。

一、嵌入式存储产品应用及发展：UFS4.0+LPDDR5/x助推手机平均容量的上升

嵌入式存储广泛应用于手机、 平板、 智能汽车和智能穿戴等领域， 其中手机端消耗 NAND 产能最

多。据 CFM 闪存市场数据显示， 2023 年全球智能手机出货量下滑 5.7% 至 11.5 亿台。预计 2024 年全

球智能手机出货量小幅回升 3.5% 至 11.9 亿台，单机 DRAM 平均容量升至 6.5GB，单机 NAND 平均容量

增长至 191GB。

21
 存储产品的应用和发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

表6：全球智能手机出货量及平均容量变化

2022 2023 2024E 2023-2024YoY

全球智能手机出货量 (亿台) 12.2 11.5 11.9 3.5%

单机DRAM平均容量 (GB) 5.5 6.0 6.5 8.3%

单机NAND平均容量 (GB) 152 179 191 6.7%

来源：CFM闪存市场

嵌入式存储产品分为集成式和分离式， 集成式 eMCP/uMCP 产品通过将 eMMC/UFS 和低功耗

LPDDR 封装集成在一个芯片内， 节省电路板空间并缩短出货周期， 在小屏手机盛行的智能手机发展初期

尤为明显。随着智能手机软硬件能力的快速提升，智能手机屏幕尺寸往 6 英寸及以上渗透，手机搭载三至

四个摄像头并能达到上亿像素， 手机的处理器 ISP 和算法强化了摄影功能， 娱乐性和功能性的 APP 应用

持续产生数据的存储需求，使得高容量的存储空间成为消费者购机的关键要素之一。

智能终端的快速发展对嵌入式存储的性能提出更高要求，尤其是 5G 智能手机的全面普及，形成了从

eMMC 转 UFS、集成式转分离式的应用趋势。手机终端倾向将低功耗的 LPDDR 与处理器进行 PoP 封装，

加上高容量的分离式 eMMC/UFS 存储方案。由于是独立封装， 分离式的嵌入式产品在散热和良率方面表

现更好，终端可以通过灵活采购分离式的 eMMC/UFS，主动构建高容量终端产品。

图17：智能手机搭载集成式与分离式存储趋势变化

智能手机集成式/分离式存储趋势
MCP DISCRETE

70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
2022 2023 2024E

来源：CFM闪存市场

22
 智能手机搭载的闪存， 正由 eMMC 向 UFS 以及更高规格的产品过渡。eMMC 基于并行数据传输以及

半双工模式， 所以在某一时刻只能执行读或者写的操作， 而 UFS 是串行数据传输以及全双工方式， 可以

同时执行读写操作， 因此 UFS 较 eMMC 速度上更有优势。随着智能手机系统及软件生态进一步演进， 系

统和 APP 占用了更多存储空间， 手机入门级机型容量从 32GB/64GB 分别提升至 64GB/128GB， 并逐步

从 eMMC5.1 过渡到 UFS2.2、UFS2.2 过渡到 UFS3.0/3.1。

不过中低端手机受制于整机定价低， 进一步扩容的动力不足， 而实际消费者对存储容量需求仍然强

烈， 所以这部分市场更加看重存储配置的性价比， 目前仍有中低端机型积极采用高容量的 eMMC 方案。

而在安卓中高端机型中，分离式 UFS+LPDDR 已经成为核心存储解决方案，这部分高端机型兼具存储性能

和容量的双重需求， 存储配置也正从 UFS3.1 提升到 UFS4.0， 单机容量最高已提升至 1TB， 高端机型率

先采用存储原厂推出的新兴技术和高端产品，带动高性能嵌入式存储器在移动终端的进一步落地。

图18：手机eMMC/UFS渗透率变化趋势

手机eMMC/UFS参透率变化趋势
eMMC 5.1 UFS 2.2 UFS 3.1 UFS 4.0

100%

80%

60%

40%

20%

0%
2022 2023 2024E

来源：CFM闪存市场

随着智能手机对瞬时处理数据能力的要求提升， 手机内存传输速率也越来越快。为了实现更快速

率、 更低功耗的内存特性， DRAM 原厂运用 HKMG（High-K Metal Gate）工艺研发 LPDDR5X， 内存频

率从 LPDDR5-6400 的 6.4Gbps 提升到 LPDDR5X-8533 的 8.5Gbps，最新的 LPDDR5X-9600 速率高达

9.6Gbps。为了应对嵌入式存储的技术迭代和终端需求， 许多存储厂商开发了基于 LPDDR5/5X 的高容量

uMCP 产品， 如三星采用第四代 10 纳米级 DRAM 制程和第七代 NAND 闪存 QLC， 推出了基于 16GB

LPDDR5X 和 1TB NAND 的 uMCP 产品，以满足中高端机型的存储需求。

23
 存储产品的应用和发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

同时， 智能手机厂商在系统、 摄影和大语言模型上积极寻求差异化， 2024 年支持 AI 大模型的智能

手机加速问世， 并为消费者换机带来新的驱动力。高通骁龙 8Gen3、 联发科天玑 9300 和三星 Exynos

2400 等旗舰处理器平台的 CPU、 GPU 和 NPU 全面提升， 支持手机终端运行数十亿至上百亿参数规模的

AI 大模型。在软硬件的全面提升下， 智能手机运行的 AI 参数模型目前已经突破 100 亿， 而这仅是 AI 在

端侧应用的初期，随着未来手机终端追求越高参数的 AI 模型，端侧存储容量和性能的提升将更加明显。

二、SSD产品的应用和发展：PCIe4.0 SSD已成为主流，PCIe5.0正在发力

在大数据时代，数据作为重要的生产要素，不断为企业和个人创造出新的价值。全球仅 2023 年创造

超出 100ZB 的数据， 智能终端的计算、 传输和存储能力需大幅增长。在存储器满足高性能需求的同时，

每比特的存储成本及功耗有进一步下降的需求， 促使 SSD 和内存朝更高性能、 更高容量、 更低功耗和不

断优化的单位存储成本方向演进。

主流应用中， 服务器和 PC 终端是 NAND 和 DRAM 产能消耗的重要去向， 而 2024 年服务器和 PC

出货量将迎来双双反弹， 带动 SSD 和内存条市场基本盘的企稳回升， 单位存储容量仍将持续增长。据

CFM 闪存市场预计， 2024 年全球服务器出货量将达 1310 万台， 同比增长 4%， AI 服务器占比将提升至

2.5%。

服务器市场中， 存储设备作为 IT 核心基础设施之一， 需要快速传输响应并安全留存信息。SSD 以闪

存为存储介质， 具备读写速度快、 延迟低、 抗震性强、 可加密等优势， 帮助企业有效降低 TCO， 提升能

源利用率并降低用电成本。随着 SSD 单位存储成本逐步追平 HDD， SSD 在企业级市场快速取代传统硬盘

HDD。

SSD 的闪存介质延续朝高密度高性能方向发展， NAND Flash 的 I/O 性能从 800MT/s 以下提升到

1600MT/s，未来将提升到 2400MT/s 甚至更高。更高传输性能的 PCIe 接口 SSD，成为企业级 SSD 的主

流选择。在 PCIe 3.0 控制器市场已成熟的基础上， PCIe 4.0 控制器也快速得到大规模商用， 目前已有部

分 PCIe 5.0 控制器率先量产， 存储控制器的制程工艺也从 16/12nm 向 10nm 以下推进， 支持的协议从

NVMe 1.4 拓展到 NVMe 2.0， 引入了更多的安全功能。为适配数据中心各类型的服务器， 企业级 SSD 从

传统的 2.5 寸和 M.2 规格，扩充到 U.2、U.3、E1.S、E1.L、HHHL 等专用规格。单盘容量上，目前 SATA

eSSD 主要为 480GB 和 960GB，NVMe eSSD 主要为 3.84TB 和 7.68TB，并上望 15.36TB 及更高容量。

24
 表7：eSSD变化趋势

过去eSSD 现在主流eSSD 未来eSSD发展方向

NAND Flash 2D MLC/TLC NAND 3D 112L/128L/176L TLC NAND 3D 200L+ TLC/QLC NAND

NAND I/O速率 800MT/s以下 1200MT/s, 1600MT/s 2400MT/s及更高

SSD控制器 SATA/PCIe 3.0 SATA 3.0/PCIe 3.0/PCIe 4.0 PCIe 5.0

控制器制程 28nm 16/12nm 12/7/6nm

ECC BCH/LDPC 2K LDPC 4K LDPC 4K,混合编码ECC

协议 SATA/NVMe 1.0/AHCI NVMe 1.4/SCSI NVMe 2.0

形态规格 2.5寸/M.2/U.2 M.2/U.2 U.2/EDSFF/M.2/HHHL

主流容量 240GB/480G SATA SSD: 480GB/960GB 15.36T及以上

NVMe SSD:3.84T/7.68T

来源：公开信息，CFM闪存市场

用于 PC 端的消费类 SSD， 其主要采用的接口形式包括 SATA、 PCIe3.0 和 PCIe4.0。在零售渠道市

场， SATA SSD 由于价格优势仍然占据半壁江山。而在 PC OEM 前装市场， PCIe SSD 已经成为绝对的主

流存储方案。凭借更低的功耗和出色的性能， DRAM-less 的 PCIe 4.0 SSD 成为消费类市场备受欢迎的存

储解决方案，消费类 PCIe 4.0 SSD 渗透率正在快速增长。

图19：消费类SSD接口变化趋势

消费类SSD接口变化趋势
SATA PCIe3.0 PCIe4.0 PCIe5.0
100%

80%

60%

40%

20%

0%
2021 2022 2023 2024E 2025E

来源：CFM闪存市场
25
 存储产品的应用和发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF MEMORY PRODUCTS

三、内存条产品的应用和发展：DDR5扩大应用，新形态内存产品初露锋芒

内存条主要分为四种 DIMM 形态， 分别为用于笔记本电脑的 SODIMM、 用于台式电脑的 UDIMM，

以及主要用于服务器的 RDIMM 和 LRDIMM。

为了适配 CPU 不断提升的性能，DDR 内存条的发展趋势是追求更高的频率、更大的容量、更低的电

压和更高的带宽。DDR 单 die 最大容量密度从 DDR4 的 16Gb， 提高到 DDR5 的 64Gb， 这令内存条最

大容量从 DDR4 的 32GB， 提高到 DDR5 的 128GB。频率方面， DDR4 内存条多数处于 2666MHz 和

3200MHz 的频率水平，而 DDR5 起步频率就提升至 4800MHz，最高频率可达到 6400MHz 以上。同时，

DDR5 内存电压降低为 1.1V， 通过提高性能和降低功耗， DDR5 实现了比 DDR4 高 30% 的能效。存储原

厂已积极减产 DDR4， 将新增部分产能投入到 DDR5， 结合 PC 和服务器新处理器平台的量产， DDR5 的

位元出货量将在 2024 年超过 DDR4，占据半壁江山。

近年来，随着硬件性能的整体提升，作为企业及个人生产资料的 PC 终端，对内存高频率高容量的需

求而愈发显著， 尤其在高端笔记本电脑及移动工作站方面。 SODIMM 虽然能够直接方便地安装在主板

上，但在性能、容量、功耗和其他物理特性方面的瓶颈逐渐显现。因此，存储原厂、处理器厂商及 PC 终

端在尝试联合开发并导入新的内存标准，如 CAMM2 及 LPCAMM。

CAMM 即压缩附加内存模块，纳入 JEDEC 标准的 CAMM2 标准包括 DDR5 和 LPDDR5/5X 两个版本，

形态为双面均可安装内存芯片的小型 PCB 电路板， 较传统 SODIMM 厚度更薄面积更大， 容量最高可达

128GB。单一 CAMM 模块实现双通道， 控制厚度的同时扩大存储器带宽和容量， 适用于对内存容量需求

高的移动工作站。LPCAMM 即低功耗压缩附加内存模块， 采用 LPDDR5X 内存， 支持更高的内存频率，

与 SODIMM 相比，LPCAMM 尺寸缩小 60%，有望广泛用于 PC 和数据中心市场。

目前， 三星、 SK 海力士及美光为首的 DRAM 厂商均在布局 CAMM 或 LPCAMM 产品， 2024 年有望

加速商业化。三星已推出首款 LPCAMM 内存， 并在英特尔平台完成系统验证。美光推出速率可达

9600MT/s， 容量 16GB 至 64GB 的 LPCAMM2 内存。SK 海力士正在研发 CAMM 产品， 计划将 CAMM

内存标准进军台式机领域。不过，新内存形态的导入需要和处理器平台进行调适优化，主板设计也将迎来

重大变革，广泛普及需要等待技术及相关配套的成熟。

四、HBM产品的应用和发展：竞争加剧，HBM3e进入量产

由于 AI 大模型需要计算的数据量激增，能够快速并行处理海量数据的 GPU 加速卡在 AI 浪潮中受益，

而 HBM 帮助 GPU 突破了内存容量和关键的带宽瓶颈， 打破了“内存墙”的桎梏， 显著提高了服务器的

AI 训练和推理能力。

26
 HBM（High Bandwidth Memory）高带宽内存， 通过 TVS 硅通孔技术将 DRAM 裸片垂直堆叠， 以

增加吞吐并克服单一封装宽带的限制。HBM2e 单层裸片堆栈可达 12 层， 具备高宽带、 多 I/O 数量、 低

功耗以及小尺寸的特性， 同时还具有高度的内部并行性。虽然 2023 年因存储行情周期性波动， 存储原厂

对资本支出及产能扩张保持谨慎态度， 但对于用于 AI 服务器领域的 HBM 存储器， 三星、 SK 海力士、 美

光均明确表示将加大量产和研发力度。

全球人工智能迅速崛起， 高度密集的数据处理对带宽提出了更高的要求， 服务器需求驱动着 HBM 高

带宽存储器的快速发展。在英伟达 A100/H100 和 AMD Instinct MI200 系列的 GPU 加速卡上， HBM2e

已得到广泛商用。

表8：部分GPU搭载HBM规格

厂商 产品 HBM存储器 显存容量

A100 40GB HBM2 40GB

A100 80GB HBM2e 80GB

NVIDIA
H100 80GB HBM2e 80GB

H200 141GB HBM3e 141GB

Instinct MI100 HBM2 32GB

Instinct MI210 HBM2e 64GB

AMD
Instinct MI250 HBM2e 128GB

Instinct MI300 HBM3 192GB

来源：公开信息，CFM闪存市场

据悉， 三星 8-Hi 和 12-Hi 的 HBM3 产品已进入量产阶段， 还计划提供将下一代 HBM、 先进封装技

术和代工产品结合在一起的定制交钥匙服务。SK 海力士已于 2023 年 8 月完成 HBM3e 产品的开发， 计

划 2024 年上半年量产并提供给 AI 领域的大型科技公司。美光计划到 2025 年， 通过 36GB 12-Hi

HBM3e 堆栈进一步完善 HBM3e 系列。在 2024 年所有原厂的 HBM3e 将进入量产阶段。毫无疑问， 与

AI 应用紧密相连的 HBM 市场， 正成为 DRAM 原厂兵家必争之地， 也成为存储原厂在服务器领域创新技

术的代表之一。

27
 汽车存储的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF AUTO MEMORY

第四章 汽车存储的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF AUTO MEMORY

一、汽车存储的特点

汽车发动机起动的那一刻开始就得在酷热的夏季和严寒的冬夜里工作， 汽车存储对温度有一定的要

求， 根据不同使用场景， 需要满足结温 -40~125 摄氏度。此外， 车规级存储对于抗震性和可靠性的要求

也高于一般产品， 综合考虑这些因素， 汽车主机厂对零部件的一般要求是要满足 AEC- Q100 认证， 除

AEC-Q 外， 另一个需要遵循的规范是 2011 年国际标准化组织 (ISO) 制定的 ISC26262， 主要用于满足功

能安全的需求。

车规级存储器相比于消费级设备， 在故障率、 可靠性、 环境适应性能等方面都提出了更高的要求。

根据慧荣科技测算， 车用存储产品生产成本比消费级提高 20% 左右。过去， 汽车存储芯片主要应用在汽

车的信息娱乐系统 (IVI) 上面， 并且主要用于存储地图或少量的歌曲和影像资料。但是随着汽车智能化升

级， 汽 车 存 储 从 车 载 信 息 娱 乐 系 统 (IVI)、 智 能 座 舱 系 统、 智 能 辅 助 驾 驶 系 统 (ADAS) 到 网 关

(Gateway)，整车所面对的数据流量和计算量急剧飙升，“大容量缓存和存储”势必将成为硬需求。

表9：存储在汽车中的应用

应用 DRAM 容量 Flash 2024YoY

容量

汽车中央大脑 GDDR6 16~32GB SSD 256~1TB

+4%

高端智能座舱 LP4/x 12~24GB UFS3.1/UFS2.1 128~512GB

+4%

中端座舱 LP4/x 8~16GB EMMC5.1 64~256GB

+8%

入门级中控娱乐 LP4/x 2~8GB EMMC5.1 /

UFS3.1 128~512GB
高端ADAS LP5/x,GDDR6 32GB~64GB
EMMC5.1 32~64GB

中端ADAS LP4/x 8~16GB EMMC5.1 32~64GB

入门级ADAS LP4/x 1~4GB EMMC5.1 16~32GB

T-box DDR3,LP4/x 0.5~4GB EMMC5.1 8GB~32GB

独立液晶仪表盘 DDR3,LP4/x 0.25~1GB eMMC5.1 4GB~8GB

来源：CFM闪存市场

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 相关数据显示， 2023 年， 一辆汽车的平均容量是内存 7GB 和闪存 73GB， 预计 2024 年将会升级为

内存 10GB 和闪存 110GB，同比增长超 40%。而未来到 2030 年，伴随着 L3 级及以上自动驾驶汽车的逐

步落地， 单车存储容量还将上升到内存 47GB 和闪存 532GB， 预计全球车规级存储市场规模达到 151 亿

美元。

图20：汽车存储市场规模变化（单位：亿美元）

汽车存储市场规模

160

140

120

100

80

60

40

20

0
2020 2021 2022 2023 2024 2026 2028 2030

来源：IHS、Samsung、CFM闪存市场

当前汽车电子架构正处于从域控制向中央控制演变的过程中。在域控制架构下， 主要的存储应用包

括 DRAM(DDR、 LPDDR) 和 NAND (eMMC 和 UFS 等 )， 而随着中心化计算需求增加， PCIe 接口更适合

多主机、多应用和多芯片间的即时数据共享。目前，以特斯拉为代表的厂商已经开始在汽车中央大脑上使

用 PCIe SSD，未来还可能出现可插拔式的车规级 SSD，以实现整车数据打通，实现多域融合。

2023 年底， 我国相继出台《关于开展智能网联汽车准入和上路通行试点工作的通知》和《自动驾驶

汽车运输安全服务指南 ( 试行 )》， 这无疑给自动驾驶行业注入一剂强心剂。目前， 已有北京、 上海、 广

州等 30 多个城市发放了自动驾驶路测牌照， 奔驰宝马等合资品牌、 长安北汽等传统车企， 华为小米和蔚

小理等造车新势力都已有获批或正在申请测试。伴随主机厂的自动驾驶零部件需求， 本土 Tier1 厂商也在

积极布局高阶自动驾驶解决方案， 比如德赛西威 IPU04 高算力智能驾驶域控制器率先搭载了基于英伟达

DRIVE OrinSoC 系列芯片， 单机存储容量达到内存 64GB 和闪存 576GB， 已在理想汽车、 路特斯、 上汽

等众多客户的车型上配套量产。

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 汽车存储的应用发展分析
APPLICATION DEVELOPMENT OF AUTO MEMORY

二、汽车存储产业链分析

汽车电子产业链的上游主要是汽车电子元器件及零部件， 如处理器主芯片、 存储芯片、 传感器、 显

示屏等 ； 中游主要是以系统集成商 ( 又称为 Tier1 主机厂一级供应商 ) 为主， 包括信息娱乐系统、 驾驶

辅助系统、车辆控制系统等 ； 下游主要是整车环节，以各类车企为主。

2023 年国内汽车市场产销量均已突破了 3000 万辆，2024 年可以达到 3100 万辆，同比增长 3% 左

右。新能源汽车产销也将达到 1150 万辆左右的规模， 增长大概在 20% 左右。从乘用车市场来看， 自主

品牌的销售比重已达到 51.8%，自主品牌销量的发展势必会带动国内本土 Tier1 的快速长。

图21：各国别汽车市场份额变化

各国别汽车市场份额变化
100%

8.5% 7.9% 7.9%

90% 9.4% 9.6%

80% 17.0% 17.0%

20.0%
24.1% 22.6%
70%

20.4% 20.4%
60%
21.0%
22.3%
50% 25.5%

40%

30%
51.8% 51.8%
47.3%
20% 41.2%
35.7%

10%

0%
2020 2021 2022 2023

自主 德系 日系 美系 韩系 其他欧系 法系

来源：乘联会

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 国内 Tier1 竞争呈现分散化和多点开花的市场格局，传统汽车电子厂商比如德赛、华阳、比亚迪第九

事业部等都有各自不同的客户群和营收规模。同时， 随着 ADAS 技术革新催生很多新的玩家， 比如

Robotaxi 公司小马智行也开始为汽车主机厂提供 ADAS 解决方案。另外， 芯片原厂也开始积极布局

Tier1 事业，比如地平线与长安汽车、大众汽车分别成立了合资公司。

当前， 大部分汽车电子项目， 不论是信息娱乐系统和辅助驾驶系统亦或是网关， 大部分仍然采用三

星、美光、铠侠、西部数据等国际大厂的存储芯片，同时，江波龙和群联也已经成功导入和量产了部分项

目。国内存储原厂比如长江存储、长鑫存储、兆易创新也在积极布局汽车存储市场。模组厂商诸如佰维存

储、记忆科技也都在积极准备进入该市场。

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 第五章 AI技术的发展对存储器带来新需求
THE DEVELOPMENT OF AI BRINGS NEW DEMANDS FOR MEMORY

在以 ChatGPT 为代表的生成式人工智能的推动下，AI 大浪潮时代开启，各大厂商相继开发并推出大

模型产品，而这些大模型中大量的数据传输、运算以及存储对存力又提出了更高的要求，数据将成为人工

智能时代的原动力。尤其是 HBM、 DDR5 和 SSD 等适用于 AI 服务器的存储产品需要满足更大的容量、

更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度等要求。

不同于传统服务器， AI 服务器新增了对 HBM 的需求， 单机搭载 HBM 在 500GB 以上， 同时对

DDR5 的需求也较传统服务器增加 2-4 倍， 据此估计， 在未来 5 年内 AI 服务器和传统服务器将带来超过

1000 亿 Gb 的 DRAM 需求。虽然目前 AI 服务器在服务器出货量中占比仍不足 5%， 但对 AI 浪潮对数据

密集型应用和发展的需求推动将在长期影响到 DRAM 高速发展。

与此同时， 在确保稳定性和耐用性的基础上， 企业级 SSD 对性能和容量提出更高的要求， 并且更加

关注运营成本、 能源效率和数据安全性。不仅云端计算推动服务器 SSD 需求增长， 边缘 AI 和 ML 技术也

正在加速与 SSD 的整合，读取密集型的企业级 SSD 在互联网、金融、电信、医疗、零售等更多行业应用

中加速渗透。

同样，AI 也变革着 PC 领域的发展。AI PC 的概念最早是由 Intel 在 23 年 9 月提出，并在 2024 年全

面爆发。我们可以看到在 2024 年年初的 CES 展会上， 展出的近半数 （49%） PC 产品均为 AI PC。不同

于传统 PC 在主芯片架构上以“CPU+GPU”的方式为主流方案， AI PC 最重要的是嵌入了 AI 芯片， 形成

“CPU+GPU+NPU”的异构方案。NPU 的导入能够大幅提升 PC 的 AI 能力，实现更好地管理 AI 工作量、

提升性能、 控制电池消耗等目的。AI PC 支持本地化 AI 模型， 降低数据延迟， 保证本地化数据安全， 因

此对存储提出了更高的要求，需要满足更快的数据传输速度，以及更大的存储容量和带宽。

英特尔 CEO 表示， 有信心在 2025 年达成超过 1 亿台 AI PC 的出货量目标。毫无疑问， AI PC 的快

速渗透将引领新一轮的 PC 换新潮。PC 产业链上下游积极押注 AI PC， 微软对 Windows 10 的支持接近

尾声， 并与头部 PC 厂商合作， 设计算力超过 40 TOPS 的 AI PC， 以满足下一代 Windows Copilot 系统

的要求。处理器平台方面， 英特尔酷睿 Ultra、 AMD 锐龙 8040 及高通骁龙 X Elite 等新处理器均集成了

专用 AI 加速芯片 NPU， 并将在 2024 年下半年更高算力的桌面端处理器产品。华硕、 戴尔、 惠普、 联想

等 PC 厂商抢滩布局 AI PC 新品， AI PC 将带动 PC 行业进入新一轮上升周期， 也推动着对存储芯片需求

的向上增长。

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