‫بنية وعمل الترانزستور‬

‫)‪(MOSFET‬‬
‫الترانزستورات ذات التأثير الحقلي نوع معدن أوكسيد معدن‬ ‫• إن هذه الترانزستورات لها نوعان يتشابهان بالبنية ويختلفان بمبدأ العمل‬
‫نصف ناقل‬
‫‪Metal Oxide Semiconductor Field Effect‬‬
‫الترانزستور ذو التأثير الحقلي ذو البوابة المعزولة نوع إفقار(‪:)D-MOSFET‬‬
‫)‪Transistors (MOSFET‬‬
‫• ذو القناة ‪: n-ch‬‬
‫نوع إفقار(‪)D-MOSFET‬‬ ‫نوع إغناء(‪)E-MOSFET‬‬
‫‪Depletion Mod‬‬ ‫‪Enhancement Mod‬‬ ‫• يتألف من شريحة من نوع ‪ p‬وندخل طبقتين من نوع ‪ n‬الطرف األول‬
‫يشكل المصرف (المصب) ‪ Drain‬والطرف الثاني يشكل المنبع‬
‫‪ Source‬وبين هذين الطرفين القناة ‪ n‬باإلضافة إلى عازل ثنائي أكسيد‬
‫قناة نوع ‪P‬‬ ‫قناة نوع ‪N‬‬ ‫قناة نوع ‪P‬‬ ‫قناة نوع ‪N‬‬ ‫السليكون ‪ sio2‬يتوضع خلف أقطاب معدنية كما هو موضح بالشكل‪:‬‬

‫في هذا النوع الجزء المعزول هو البوابة ( معزولة عن نصف الناقل) أي ال يوجد حوامل شحنة تدخل أو تخرج من‬
‫البوابة لذلك دائماً في ترانزستورات الـ ‪ MosFET‬يكون تيار البوابة معدوم 𝟎 = 𝑮𝑰 ألن البوابة معزولة‪.‬‬
‫لكي يعمل هذا الترانزستور نطبق عليه جهود ثابتة لذلك نطبق جهد 𝑺𝑫𝑽 أكبر من الصفر أي منبع جهد موجب‪.‬‬
‫الحالة األولى‪ 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 :‬و𝟎 > 𝑺𝑫𝑽‬
‫بتوصيل المنبع ‪ S‬والبوابة ‪ G‬إلى األرض وتطبيق جهد 𝑺𝑫𝑽 موجب بين المصرف والمنبع والقناة من نوع‪n‬‬
‫فالحوامل األكثرية تنجذب من المنبع إلى المصرف ( تخرج من المنبع مبتعدة عن الطبقة نوع ‪ n‬فتجد أمامها مسار‬
‫القناة فتتحرك فيها إلى أن تصل إلى المصب ‪ )D‬وتعبر الحلقة وتعود إلى ‪ S‬وبالتالي سيكون اتجاه التيار عكس حركة‬
‫االلكترونات وسيكون 𝑺𝑰 = 𝑫𝑰 ألن نفس االلكترونات تتحرك بين ‪ S‬و ‪ D‬بحلقة كاملة‪.‬‬
‫كلما تم رفع قيمة الجهد الموجب يزيد التيار ولكن بنفس الوقت يزداد االنحياز العكسي بين ‪ p‬و ‪ n‬وبالتالي فإن القناة‬
‫تضيق وتشكل ممانعة للتيار ( ممانعة لحركة االلكترونات)‪.‬‬
‫أي عند زيادة الجهد 𝑺𝑫𝑽 يحدث ظاهرتان متعاكستان األولى تزيد التيار والثانية تنقصه إلى أن تصل قيمة الجهد‬
‫لجهد االختناق 𝑷𝑽 عندها يثبت التيار ويصل لقيمة ثابتة ويسمى بتيار االشباع 𝒔𝒔𝑫𝑰 ‪.‬‬
‫في هذه الترانزستورات يكون 𝒔𝒔𝑫𝑰 ليس أكبر تيار كما في ‪.JFET‬‬
 ‫وبعد هذه الحالة وفي حال تطبق جهد موجب بين المنبع ‪ S‬والبوابة ‪ G‬إلى األرض وكان 𝟎 > 𝑺𝑫𝑽‬
‫عندها فإن القطب الموجب سيجذب اإللكترونات مما يؤدي لزيادة عرض القناة أي تقل ممانعتها لمرور‬
‫التيار وهذا يؤدي لزيادة التيار إلى قيمة أكبر من تيار االشباع 𝒔𝒔𝑫𝑰‬
‫الحالة الثانية‪ 𝑽𝑮𝑺 < 𝟎 :‬و𝟎 > 𝑺𝑫𝑽‬
‫نطبق جهد سالب بين المنبع ‪ S‬والبوابة ‪ G‬إلى األرض وتطبيق جهد 𝑺𝑫𝑽 موجب بين المصرف والمنبع‬
‫والقناة من نوع‪n‬‬
‫إن القطب السالب سيؤدي إلى تنافر االلكترونات الموجودة في القناة بعيداً باتجاه ‪ p‬وبالتالي عرض‬
‫القناة أصبح أصغر وكلما زاد الجهد السالب تضيق القناة أكثر وتزداد ممانعتها لإللكترونات وبالتالي نصل‬
‫لحالة االشباع عند قيمة أقل إلى أن نصل لمرحلة االختناق وذلك بتطبيق جهد 𝑷𝑽 = 𝑺𝑮𝑽وبالتالي‬
‫يهدم وجود القناة وال تمر أي الكترونات أي 𝟎 = 𝑺𝑰 = 𝑫𝑰 ‪.‬‬

‫منحنيات خواص الترانزستور ومنحنيات خواص الحمل‪:‬‬

‫منحنيات الخواص مبينة بالشكل‪.‬‬
‫منحنيات خواص الحمل نستخدم معادلة شوكلي ولكن التيار يجتاز قيمة تيار‬
‫االشباع وذلك عند تطبيق جهد موجب على البوابة منبع وعادة هذا الجهد يكون‬
‫بمقدار ‪1V‬كما هو مبين بالشكل‪.‬‬
 ‫الترانزستور ذو التأثير الحقلي ذو البوابة المعزولة نوع إغناء(‪:)E-MOSFET‬‬

‫يشبه هذا الترانزستور نوع االفقار بالبنية ومختلف تماما ً بالعمل‬

‫ويوجد به أيضا ً بوابة معزولة وال يوجد فيه قناة ‪.‬‬
‫الفرق‪:‬‬
‫عند تطبيق جهد 𝟎 = 𝑺𝑮𝑽 ال يعمل الترانزستور وذلك لعدم‬
‫وجود مسار للحوامل كي تتحرك ( ال يوجد قناة) وحتى تستطيع‬
‫التحرك البد من إنشاء قناة وذلك بتطبيق جهد 𝟎 > 𝑺𝑮𝑽 ويجب‬
‫أن يكون الجهد أكبر من قيمة محدودة 𝑇𝑉‬
‫(جهد العتبة الذي يتشكل عنده القناة) فاإللكترونات من ‪ p‬تنجذب‬
‫إلى طرف الشريحة وتشكل قناة ألنها ال تستطيع المغادرة‪ .‬بتشكيل‬
‫القناة فإن اإللكترونات من المنبع ‪ S‬يمكنها التحرك داخل القناة‬
‫ويمر تيار بعكس جهة اإللكترونات 𝟎 > 𝑺𝑮𝑽 وأكبر من 𝑇𝑉‪.‬‬
‫اإللكترونات التي شكلت القناة هي اإللكترونات بالشريحة ‪ p‬التي‬
‫انجذبت بسبب 𝑺𝑮𝑽 الموجب‪ .‬اإللكترونات التي سببت التيار هي‬
‫من المنبع ‪.S‬‬
 ‫منحني الخواص‪:‬‬
‫كلما زادت قيمة 𝑆𝐷𝑉 من أجل قيم محددة لـ 𝑇𝑉 > 𝑆𝐺𝑉 يزداد‬
‫التيار إلى أن يصل لحالة االشباع‪.‬‬
‫بحالة 𝑇𝑉 < 𝑆𝐺𝑉 فإن ‪.𝐼𝐷 = 0‬‬
‫منحني خواص التحويل‪:‬‬
‫شرط العمل‪𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 :‬‬
‫‪2‬‬ ‫𝐴𝑚‬
‫‪𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) ; 𝐾: 2‬‬
‫𝑉‬
‫حيث 𝑇𝑉 ;𝑘 ثوابت اسمية للترانزستور ويمكن إعطاء قيم‬
‫للثوابت االسمية 𝑛𝑜𝑆𝐺𝑉 ; 𝑛𝑜𝐷𝐼 اليجاد 𝑘 وذلك بتعويضها‬
‫بالمعادلة السابقة‪.‬‬
‫انحياز الترانزستور ‪( D-MOSFET‬إفقار)‪:‬‬
‫بسبب التشابه بين منحني خواص التحويل بين الترانزستور‬
‫‪ JFET‬والترانزستور ‪( D-MOSFET‬إفقار) سنبدأ بمثال‬
‫مباشرة ألن طريقة الحل نفسها‪.‬‬
‫مسألة‪ :‬لدينا الدارة المبينة في الشكل والمطلوب حساب ‪:‬‬
‫𝑆𝐷𝑉‪ 𝐼𝐷𝑄 ,𝑉𝐺𝑆𝑄 ,‬المعطيات واضحة على الدارة‬
 ‫الحل‪:‬رياضياً‪ :‬نعوض )‪ (1‬بمعادلة المستقيم‪:‬‬ ‫الحل‪ :‬نكتب معادلة شوكلي‪:‬‬
‫𝟐 𝑺𝑮𝑽‬
‫)‪(1‬‬
‫‪𝑽𝑮𝑺 = 𝟏. 𝟓 − 𝟕𝟓𝟎 × 𝟎. 𝟎𝟎𝟔 𝟏 +‬‬ ‫𝟐 𝑺𝑮𝑽‬
‫𝟑‬ ‫‪𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 −‬‬ ‫)‬
‫𝑷𝑽‬
‫𝟐‬
‫𝟐‬ ‫𝑺𝑮𝑽‬ ‫𝟐𝑹‬ ‫𝟎𝟏‬
‫‪= 𝟏. 𝟓 − 𝟒. 𝟓(𝟏 + 𝑽𝑮𝑺 +‬‬ ‫)‬ ‫𝑫𝑫𝑽 = 𝑮𝑽 = 𝒉𝒕𝑽‬ ‫𝟖𝟏 =‬ ‫𝑽𝟓‪= 𝟏.‬‬
‫𝟑‬ ‫𝟗‬ ‫𝟐𝑹‪𝑹𝟏 +‬‬ ‫𝟎𝟏𝟏‪𝟏𝟎+‬‬

‫𝟐 𝑺𝑮𝑽𝟓‪𝑽𝑮𝑺 = 𝟏.𝟓 − 𝟒.𝟓 − 𝟑𝑽𝑮𝑺 − 𝟎.‬‬ ‫𝑫𝑰 × 𝟎𝟓𝟕 ‪𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 = 𝟏.𝟓 −‬‬
‫𝟎 = 𝟑 ‪⟹ 𝟎. 𝟓𝑽𝑮𝑺 𝟐 + 𝟒𝑽𝑮𝑺 +‬‬ ‫وهي معادلة مستقيم الحمل ‪.‬‬
‫𝟔𝟏‪∆= 𝟏𝟔 − 𝟒 × 𝟎.𝟓 × 𝟑 = 𝟏𝟎 ⟹ ∆= 𝟑.‬‬ ‫بيانياً‪:‬‬
‫𝟔𝟏‪−𝟒+𝟑.‬‬
‫= 𝑸𝑺𝑮𝑽‬
‫𝟓‪𝟐×𝟎.‬‬
‫𝑽𝟖‪= −𝟎.‬‬
‫𝑺𝑮𝑽‬ ‫𝑫𝑰‬ ‫ا نرسم المستقم‪:‬‬
‫نعوض في معادلة المستقيم ينتج 𝑨𝒎𝟏‪𝑰𝑫𝑸 ≅ 𝟑.‬‬ ‫‪𝑽𝑮𝑺 =0‬‬ ‫‪0V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰 = 𝑫𝑰‬ ‫‪6mA‬‬ ‫𝟎=𝑫𝑰|𝑽𝟓‪𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 = 𝟏.‬‬
‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.3‬‬ ‫‪-0.9V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪3mA‬‬
‫مالحظة‪:‬‬ ‫= 𝑫𝑰‬ ‫𝟐‬ ‫= 𝑫𝑰‬
‫𝑮𝑽‬
‫|‬ ‫𝑨𝒎𝟐 =‬
‫𝟎= 𝑺𝑮𝑽 𝑺𝑹‬
‫االختالف الوحيد في هذا النوع أننا نرسم‬ ‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.5‬‬ ‫‪-1.5V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪1.5mA‬‬
‫منحني خواص التحويل ( معادلة شوكلي)‬
‫= 𝑫𝑰‬
‫𝟒‬ ‫نرسم منحني خواص التحويل‬
‫يجب أن نفرض قيمة موجبة لـ 𝑺𝑮𝑽‬ ‫𝑷𝑽= 𝑺𝑮𝑽‬ ‫‪-3V‬‬ ‫𝟎 = 𝑫𝑰‬ ‫‪0mA‬‬ ‫من معادلة شوكلي بـ ‪5‬نقاط‬
‫وبهذا يكون جزء من المنحني في القسم‬ ‫‪𝑽𝑮𝑺 =+1V‬‬ ‫‪+1V‬‬ ‫‪10.67mA‬‬
‫نقطة تقاطع مستقيم الحمل‬
‫الموجب ( هذه القيم تقبل قيم صغيرة فقط‬
‫ألن التيار يرتفع بقيم كبيرة جدا ً في معادلة‬ ‫مع منحني خواص التحويل نحصل على احداثيلت نقطة العمل‬
‫شوكلي)‬ ‫)𝑨𝒎𝟏‪(𝑽𝑮𝑺𝑸 ,𝑰𝑫𝑸 ) ≅ (−𝟎.𝟖𝑽,𝟑.‬‬
‫مسألة‪:‬‬ ‫= 𝑆𝑅 ‪𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝐷 +‬‬
‫أعد حل المسألة‬ ‫𝑉‪18 − 3.1 × 1.8 + 0.750 = 10.1‬‬
‫السابقة بوضع 𝑺𝑹‬
‫𝛀𝟎𝟓𝟏 =‬
 ‫الحل‪ :‬نكتب معادلة شوكلي‪:‬‬
‫)‪(1‬‬
‫𝟐 𝑺𝑮𝑽‬
‫‪𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 −‬‬ ‫)‬
‫𝑷𝑽‬
‫𝟐𝑹‬ ‫𝟎𝟏‬
‫𝑫𝑫𝑽 = 𝑮𝑽 = 𝒉𝒕𝑽‬ ‫𝟖𝟏 =‬ ‫𝑽𝟓‪= 𝟏.‬‬
‫𝟐𝑹‪𝑹𝟏 +‬‬ ‫𝟎𝟏𝟏‪𝟏𝟎+‬‬
‫𝑫𝑰 × 𝟎𝟓𝟏 ‪𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 = 𝟏.𝟓 −‬‬
‫وهي معادلة مستقيم الحمل ‪.‬‬
‫بيانياً‪:‬‬
‫𝑺𝑮𝑽‬ ‫𝑫𝑰‬ ‫ا نرسم المستقم‪:‬‬
‫‪𝑽𝑮𝑺 =0‬‬ ‫‪0V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰 = 𝑫𝑰‬ ‫‪6mA‬‬ ‫𝟎=𝑫𝑰|𝑽𝟓‪𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 = 𝟏.‬‬
‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.3‬‬ ‫‪-0.9V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪3mA‬‬ ‫𝑮𝑽‬
‫= 𝑫𝑰‬ ‫= 𝑫𝑰‬ ‫|‬ ‫𝑨𝒎𝟎𝟏 =‬
‫𝟐‬
‫مسألة‪ :‬ليكن لدينا الدارة المينة بالشكل والمطلوب حساب‪:‬‬ ‫𝟎= 𝑺𝑮𝑽 𝑺𝑹‬
‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.5‬‬ ‫‪-1.5V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪1.5mA‬‬
‫𝑺𝑫𝑽‪ 𝑰𝑫𝑸 ,𝑽𝑮𝑺𝑸 ,‬المعطيات واضحة على الدارة‬ ‫= 𝑫𝑰‬
‫𝟒‬
‫نرسم منحني خواص التحويل‬
‫𝑷𝑽= 𝑺𝑮𝑽‬ ‫‪-3V‬‬ ‫𝟎 = 𝑫𝑰‬ ‫‪0mA‬‬ ‫من معادلة شوكلي بـ ‪5‬نقاط‬
‫‪𝑽𝑮𝑺 =+1V‬‬ ‫‪+1V‬‬ ‫‪10.67mA‬‬ ‫نقطة تقاطع مستقيم الحمل‬
‫مع منحني خواص التحويل نحصل على احداثيلت نقطة العمل‬
‫)𝑨𝒎𝟔‪(𝑽𝑮𝑺𝑸 ,𝑰𝑫𝑸 ) ≅ (+𝟎.𝟑𝟓𝑽,𝟕.‬‬
‫= 𝑆𝑅 ‪𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝐷 +‬‬
‫𝑉‪18 − 7.6 × 1.8 + 0.15 = 3.18‬‬
‫الغاية من هذا الطلب هو ايضاح أن نقطة العمل يمكن أن تكون في القسم‬
‫الموجب‬
 ‫الحل‪ :‬نكتب معادلة شوكلي‪:‬‬
‫)‪(1‬‬
‫𝟐 𝑺𝑮𝑽‬
‫𝑺𝑮𝑽‬ ‫𝑫𝑰‬ ‫‪𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 −‬‬ ‫)‬
‫𝑷𝑽‬
‫‪𝑽𝑮𝑺 =0‬‬ ‫‪0V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰 = 𝑫𝑰‬ ‫‪8mA‬‬
‫⇒ 𝑽𝟎 = 𝑮𝑽‬
‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.3‬‬ ‫‪-2.4V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪3mA‬‬
‫= 𝑫𝑰‬ ‫𝟐‬ ‫𝑫𝑰 × 𝟒‪𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺 = −𝑰𝑫 𝑹𝑺 = −𝟐.‬‬
‫𝑷𝑽‪𝑽𝑮𝑺 =0.5‬‬ ‫‪-4V‬‬ ‫𝑺𝑺𝑫𝑰‬ ‫‪2mA‬‬
‫= 𝑫𝑰‬
‫𝟒‬
‫وهي معادلة مستقيم الحمل ‪.‬‬
‫𝑷𝑽= 𝑺𝑮𝑽‬ ‫‪-8V‬‬ ‫𝟎 = 𝑫𝑰‬ ‫‪0mA‬‬ ‫بيانياً‪:‬‬
‫‪𝑽𝑮𝑺 =+1V‬‬ ‫‪+1V‬‬ ‫‪10.125mA‬‬
‫ا نرسم المستقم‪:‬‬
‫𝟎=𝑫𝑰|𝑽𝟎 = 𝑺𝑮𝑽‬
‫𝟏=𝑫𝑰|𝟒‪𝑽𝑮𝑺 = −𝟐.‬‬
‫نرسم منحني خواص التحويل‬

‫مسألة‪:‬ليكن لدينا الدارة المينة بالشكل والمطلوب حساب ‪,:‬‬ ‫من معادلة شوكلي بـ ‪5‬نقاط‬
‫𝑺𝑫𝑽 𝑸𝑺𝑮𝑽‪ 𝑰𝑫𝑸 ,‬المعطيات واضحة على الدارة‬ ‫نقطة تقاطع مستقيم الحمل‬
‫الحل‪:‬‬ ‫مع منحني خواص التحويل نحصل على احداثيلت نقطة‬
‫بما أن 𝑺𝑮𝑽 ثابت ويساوي 𝟎 = 𝑺𝑮𝑽 لذلك فإن تيار االشباع‬ ‫العمل‬
‫حسب التعريف و كما هو معطى 𝑨𝒎𝟎𝟏 = 𝒔𝒔𝑫𝑰 ‪.‬‬
‫)𝑨𝒎𝟕‪𝑽𝑮𝑺𝑸 ,𝑰𝑫𝑸 ≅ −𝟒.𝟑𝑽,𝟏.‬‬
‫وبالتالي فإن ‪ 𝑰𝑫𝑸 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 :‬و 𝑉‪𝑽𝑮𝑺𝑸 = 0‬‬
‫𝐷𝑅 𝐷𝐼 ‪𝑽𝑫𝑺 = 𝑉𝐷𝐷 −‬‬ ‫= 𝑆𝑅 ‪𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝐷 +‬‬
‫𝑉‪𝑽𝑫𝑺 = 20 − 10 × 1.5 = 5‬‬ ‫𝑉‪20 − 1.7 × (6.2) = 9.46‬‬
‫من المفترض أن يكون الحل الرياضي أصبح واضحاً‬
‫لذلك سنكتفي بالحل البياني‬
 ‫انحياز الترانزستور ‪( E-MOSFET‬إغناء)‪:‬‬
‫• تشكيلة انحياز التغذية العكسية‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫𝐴𝑚‬
‫) 𝑇𝑉 ‪𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫‪; 𝐾: 2‬‬ ‫• نبدأ بالمعادلة‪:‬‬
‫𝑉‬
‫• وهي معادلة منحني خواص التحويل نحتاج لرسمها ألربع‬
‫نقاط ‪ .‬وبما أن ‪ 𝑉𝑆 = 0‬فإن 𝑆𝐷𝑉 = 𝐷𝑉 = 𝐺𝑉 = 𝑆𝐺𝑉‬
‫𝑆𝐺𝑉 = 𝐷𝑅 𝐷𝐼 ‪𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 −‬‬ ‫من دارة الخرج‪:‬‬
‫وهي معادلة مستقيم لرسمها‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 |𝐼𝐷=0 :‬‬
‫𝑫𝑫𝑽‬
‫= 𝑫𝑰‬ ‫|‬
‫𝟎= 𝑺𝑮𝑽 𝑫𝑹‬
‫تقاطع هذا المستقيم مع المنحني نحصل على نقطة العمل‬
‫وباإلسقاط على المحورين نحصل على احداثيات نقطة العمل‬
‫( 𝑄𝑆𝐺𝑉‪ )𝐼𝐷𝑄 ,‬هذا الحل البياني‪.‬‬
‫والحل الرياضي هو الحل المشترك لمعادلة المنحني ومعادلة المستقيم فينتج لدينا ( 𝑄𝑆𝐺𝑉‪)𝐼𝐷𝑄 ,‬‬
 ‫مسألة‪ :‬ليكن لدينا الدارة المينة بالشكل والمطلوب‬
‫𝑆𝐺𝑉‬ ‫𝐷𝐼‬ ‫حساب‪:‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪0‬‬ ‫𝑸𝑺𝑮𝑽‪ 𝑰𝑫𝑸 ,‬المعطيات واضحة على الدارة‬
‫𝐴𝑚‬
‫‪6‬‬ ‫‪2.16‬‬ ‫‪𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ; 𝐾:‬‬ ‫نبدأ بالمعدلة‪:‬‬
‫‪𝑉2‬‬
‫)𝑛𝑜(𝐷𝐼‬ ‫𝐴𝑚‬
‫‪8‬‬ ‫‪6‬‬ ‫=𝐾‬ ‫[‪2‬‬ ‫]‬
‫) )𝐻𝑇(𝑆𝐺𝑉‪(𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) −‬‬ ‫‪𝑉2‬‬
‫‪6‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪11.76‬‬ ‫𝐾‬ ‫=‬ ‫‪= 0.24 𝑚𝐴/𝑉 2‬‬
‫‪(8−3)2‬‬
‫معادلة المستقيم‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 :‬‬
‫𝑉‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 |𝐼𝐷 =0 = 12‬‬
‫𝑫𝑫𝑽‬ ‫𝟐𝟏‬
‫= 𝑫𝑰‬ ‫|‬ ‫=‬ ‫𝑨𝒎𝟔 =‬
‫𝟎= 𝑺𝑮𝑽 𝑫𝑹‬ ‫𝟐‬
‫نقطة تقاطع المستقيم مع منحني خواص التحويل‬
‫تحصل على نقطة العمل ) 𝑄𝐷𝐼 ‪(𝑉𝐺𝑆𝑄 ,‬‬
‫𝑆𝐺𝑉‬ ‫𝐷𝐼‬ ‫)𝐴𝑚‪= (6.4𝑉,2.75‬‬
‫من دارة الخرج‪:‬‬
‫‪𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = 0‬‬
‫𝑇𝑉‬ ‫‪0‬‬ ‫تشكيلة مقسم الجهد‪:‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫𝐴𝑚‬
‫‪𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ; 𝐾:‬‬ ‫نبدأ بالمعدلة‪:‬‬
‫𝑆𝑅 𝐷𝐼 ‪𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 −‬‬ ‫‪𝑉2‬‬
‫)𝑛𝑜(𝐷𝐼 )𝑛𝑜(𝑆𝐺𝑉‬ ‫وهي معادلة منحني خواص التحويل نحتاج لرسمها‬
‫𝑆𝑅 ‪𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 +‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫ألربع نقاط ‪ .‬ولدينا في دارة الدخل‪:‬‬
‫𝑆𝑅 𝐷𝐼 ‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 −‬‬
‫‪𝑅2‬‬
‫𝐷𝐷𝑉 = 𝑆𝐺𝑉 وهي معادلة خط مستقيم‪.‬‬ ‫𝑆𝑅 𝐷𝐼 ‪−‬‬
‫‪𝑅1 +𝑅2‬‬
‫والحل كما هو مذكور سابقا ً‪.‬‬
 ‫مسألة‪:‬ليكن لدينا الدارة المينة بالشكل والمطلوب حساب ‪,:‬‬
‫𝑺𝑫𝑽 𝑸𝑺𝑮𝑽‪ 𝑰𝑫𝑸 ,‬المعطيات واضحة على الدارة‬

‫𝐴𝑚‬
‫‪𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 ; 𝐾:‬‬ ‫نبدأ بالمعدلة‪:‬‬
‫‪𝑉2‬‬
‫𝑆𝐺𝑉‬ ‫𝐷𝐼‬ ‫)𝑛𝑜(𝐷𝐼‬ ‫𝐴𝑚‬
‫=𝐾‬ ‫[‪2‬‬ ‫]‬
‫‪5‬‬ ‫‪0‬‬ ‫) )𝐻𝑇(𝑆𝐺𝑉‪(𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) −‬‬ ‫‪𝑉2‬‬
‫‪3‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪3‬‬ ‫=𝐾‬ ‫‪2‬‬ ‫‪= 0.12 𝑚𝐴/𝑉 2‬‬
‫)‪(10−5‬‬

‫‪15‬‬ ‫‪12‬‬ ‫نرسم المعادلة ‪𝐼𝐷 = 0.12(𝑉𝐺𝑆 − 5)2‬‬

‫‪20‬‬ ‫‪27‬‬ ‫معادلة المستقيم‪:‬‬
‫‪𝑅2‬‬ ‫‪40 × 18‬‬
‫𝐷𝐷𝑉 = 𝑆𝐺𝑉‬ ‫= 𝑆𝑅 𝐷𝐼 ‪−‬‬ ‫𝑉‪= 18‬‬
‫‪𝑅1 + 𝑅2‬‬ ‫‪18 + 22‬‬
‫)‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = 18 − 0.82𝐼𝐷 (2‬‬
‫نرسم المستقيم )‪:(2‬‬
‫𝑉‪𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 |𝐼𝐷 =0 = 18‬‬
‫𝑮𝑽‬ ‫𝟖𝟏‬
‫= 𝑫𝑰‬ ‫|‬ ‫=‬ ‫𝑨𝒎𝟗‪= 𝟐𝟏.‬‬
‫𝟎= 𝑺𝑮𝑽 𝑺𝑹‬ ‫𝟐𝟖‪𝟎.‬‬
‫نقطة تقاطع المستقيم مع منحني خواص التحويل تحصل على نقطة العمل‬
‫)𝐴𝑚‪(𝑉𝐺𝑆𝑄 , 𝐼𝐷𝑄 ) = (12.5𝑉,6.7‬‬
‫من دارة الخرج‪:‬‬
‫𝑆𝑅 ‪𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 +‬‬
‫𝑉‪𝑉𝐷𝑆 = 40 − 6.7 0.82 + 3 = 14.4‬‬
‫مسألة (تصميم) ‪ :‬ليكن لدينا الدارة المبينة بالشكل والمعطيات واضحة وإذا علمت‬ ‫• ترانزستورات ‪( D-MOSFET‬إفقار) قناة ‪:P‬‬
‫𝟏‬
‫أن كان 𝑫𝑫𝑽 = 𝑺𝑫𝑽‪ 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫(𝒐𝒏) ,‬والمطلوب تحديد قيمة 𝑫𝑫𝑽‪𝑹𝑫 ,‬‬
‫𝟐‬

‫• ترانزستورات ‪( E-MOSFET‬إغناء) قناة ‪:P‬‬