‫بسم هللا‬

‫ترانزيستور تأثير المجال‬

‫ترانزستورات تأثير المجال موسفت‬

‫‪MOSFET‬‬

‫‪Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‬‬

‫‪ BJT‬تطويراً للترانزستورات العادية ‪ MOSFET‬يعتبر ترانزيستور تأثير المجال‬

‫ثنائية القطبية ولكنه ليس بديالً مباشراً أو ممكنا ً دائما ً فهنالك فروق بينهم سيتضح‬
‫‪.‬بعضها خالل الموضوع‬
‫‪ N-‬والقناة السالبة ‪ P-CHANNEL‬وهو أيضا في نوعين أساسيينذو القناة الموجبة‬
‫أكثر شهرة واستخداما ً ‪ NPN‬مثل ترانزيستور ‪ N-CH‬واألخير ‪CHANNEL‬‬

‫ويركب مثله تماما ً في الدوائر اإللكترونية مع األخذ بعين االعتبار فروقات تشغيل‬
‫‪ MODFET‬في ‪ GATE‬والبوابة ‪ BJT‬في ‪ B‬القاعدة‬

‫‪:‬التركيب‬
‫كما يظهر في الشكل‬

‫‪:‬الفحص‬
‫عندما نريد ‪ Multimeters‬هنالك مشكلة في ساعات الفحص‬
‫فحص الموسفت فالساعات الرقمية وفي معظمها مجهز لقياس‬
‫وعليه تخرج ‪ V=0.6V‬الثنائي‪ :‬والذي كما نعلم أن جهد العتبة له‬
‫ساعة الفحص على طرفيها جهداً أعلى من ذلك لفحصه فإذا كان‬
‫فلن تتمكن من قياسه ‪ V=1.5V‬جهد ساعة الفحص يقل عن‬
 ‫‪:‬وستحتاج لساعة قياس تماثلية‪ :‬عموماً‬
‫هنالك عدة طرق لفحص الموسفت‬
‫‪:‬أسهلها‪ :‬وهي‬
‫طريقة القياس‬
‫فرغ شحنة األقطاب إن وجدت بين أطراف الموسفيت •‬
‫بتالمسهم بجسم معدني‬
‫ضع االوميتر على الوضع المسموع (صفاره ) •‬
‫‪ G‬ضع الطرف الموجب (األحمر) من االوميتر على القاعدة •‬
‫والطرف األسود مره على المنبع ومره على المصرف •‬
‫يجب أن ال نسمع أي أثر للصفارة أبدا‪ :‬وإال اعتبر تالفا •‬

‫‪:‬طريقة أخرى للفحص‬

‫التقط الموسفت من اإلطار العازل وال تقترب من األطراف المعدنية‬
‫‪ GATE‬المس جميع أطراف الموسفت معاً بهدف تفريغ أي شحنة على البوابة‬
‫باستخدام مفك? أو طرف المقياس‬
‫وفي ‪ SOURCE‬مع المنبع )‪ (AVO‬المس الطرف السالب لساعة القياس ‪‬‬
‫نفس الوقت‬
‫ألجل ‪ GATE‬مع البوابة )‪ (AVO‬المس الطرف الموجب لساعة القياس ‪‬‬
‫شحنها‬
‫‪ DRAIN‬ارفع الطرف الموجب عن البوابة واجعله يالمس المصب ‪‬‬
‫ألن الموسفت )‪ (AVO‬سوف تأخذ قراءة منخفضة? على جهاز ساعة القياس‬
‫‪ ON‬أصبحت في وضع التوصيل‬
‫اعمل تالمس بين البوابة ‪ DRAIN‬بينما الطرف الموجب ال زال على المصب‬
‫بطرف إصبعك لتفريغ شحنة البوابة ففي هذه الحالة ‪ SOURCE‬والمنبع? ‪GATE‬‬
‫أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول )‪ (AVO‬يجب على جهاز ساعة القياس‬
‫اغالق ‪ OFF‬الموسفت للوضع‬
‫ارفع الطرف السالب عن ‪ DRAIN‬أو بينما الطرف الموجب ال زال على المصب‬
‫إلعطاء شحنة‪ SOURCE‬المنبع ودعه يالمس البوابة ثم أعده مرة ثانية ل‬
‫)‪ (AVO‬ففي هذه الحالة يجب على جهاز ساعة القياس ‪ GATE‬سالبة للبوابة‬
‫اغالق ‪ OFF‬أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول الموسفت للوضع‬

‫‪ Bipolar Junction Transistor BJT‬و ‪ MOSFET‬مقارنة بين‬

‫كتاب دليل الخواص( ‪ Data Sheet‬عند قراءة خواص الترانزيستور من‬
‫نجد أن هنالك جهود تشغيلية مختلفة وتيارات متفاوتة ومنحنيات )والمواصفات‬
‫خواص كثيرة‬
‫ولكوننا ال نريد من خالل هذا العمل الدخول في تصاميم الدوائر اإللكترونية بشكل‬
‫نظري أكاديمي ونود طرح الموضوع من الناحية العملية مع فهم لخواص القطع التي‬
‫نتعامل معها ما أمكن أو ما يكفي لنقوم بفهم تلك التصاميم لنتمكن من إجراء‪ l‬أعمال‬
‫الصيانة المختلفة‬
‫وعلى الرغم من ذلك فإن دراسة خواص القطع ذو فائدة عظيمة لمن كان يريد‬
‫اإلبحار في عالم اإللكترونيات بمزيد من الدراية والفهم‬
‫وأخص بالذكر ‪ BJT‬وترانزيستور ‪ MOSFET‬للمقارنة بين ترانزيستور‬
‫‪:‬نجد التالي‪ BUT11(BJT) ‬وثنائي القطبية‪ IRF840(MOSFET) ‬الموسفت‬
‫جهد تشغيل القاعدة ‪/‬البوابة‬
‫مع أن فرق الجهد ‪ V=1.4V‬حدود فرق الجهد القصوى بين الباعث والقاعدة‪‬‬
‫‪ V=0.66‬التشغيلي‬
‫مع أن جهد ‪ V=20V‬زائد ‪ /‬ناقص ‪ G‬و ‪ S‬حدود فرق الجهد القصوى بين ال‪‬‬
‫‪ V=4.5V‬التشغيل‬
‫‪%‬حوالي ‪ BJT 5‬تيار القاعدة بالنسبة لتيار الباعث في‬
‫أقل من أن تشعر به ساعات الفحص ‪ SOURCE‬تيار البوابة بالنسبة لتيار المنبع‬
‫‪ I=500nA .‬التي نستخدمها وكما ذكر في كتاب المواصفات فإن أعلى تيار يصل‬

‫‪:‬وفي تجربة عملية بهذا الخصوص كانت النتائج التالية‬

‫بدأت التكبير عند وصول ‪ BJT‬عند أدنى حد ممكن لجهد القاعدة‪ /‬بوابة تالحظ أن‬
‫لم تغير ساكنا ً عندما كان جهد بوابتها ‪ MOSFET‬أول جهد لقاعدتها في حين أن‬
‫حسب( فتبدأ بالتكبير ‪ V=2.866V‬وتبقى كذلك حتى يصل جهد البوابة ل‪V=1V .‬‬
‫)فقط ‪ V=1mV‬التجربة يصبح جهد المنبع‬

‫احتاجت لفرق جهد القاعدة عن ‪ BJT‬وعند مواصلة رفع جهد القدح نالحظ أن ال‬
‫في حين أن الموسفت تحتاج لجهد ‪ I=10mA‬إلمرار تياراً مقداره ‪ V=0.58‬الباعث‬
‫إلمرار نفس التيار لكن لو كانت نفس مقاومات تهيئة جهد القاعدة ‪ V=3.76‬بوابة‬
‫ولكنها ستمرر في هذه ‪ V=5.4V‬فهذا يعني ارتفاع جهد البوابة في الموسفت ل‬
‫أي‪ ‬أن تأثير المجال ستمرر تياراً أعلى من ثنائي ‪ I=16.6mA‬الحالة تيارا مقداره‬
‫القطبية عند تساوي ظروف التشغيل‬

‫والشكل الثالث تعزيز لنفس النتائج‬

‫الشكل الرابع وهو أقصى ما أمكن مع ساعة الفحص‬
‫وليس بحاجة لشرح فكل شيء واضح بالرسم‬

‫‪:‬وفي محاولة لإلجابة على السؤال‬

‫؟ ‪ BJT‬مكان ترانزيستور ‪ MOSFET‬هل يمكن تركيب ترانزيستور‬
‫‪:‬نشاهد الرسم التالي‬

‫بقيمة ‪ ZENER DIODE 3.3‬وقد اكتفي هنا بإضافة مثبت للجهد‬

‫فولت عند التحويل من موسفت لعادي ثنائي القطبية‬
‫ولكن يمكن إضافة ترانزيستور أحياناً أو غالباً للتحويل من أي‬
‫منهما لآلخر فإذا كان تصميم الدائرة على الموسفت وأردنا‪ :‬تركيب‬
‫عادي نضيف ترانزيستور‪ :‬لتكبير تيار القاعدة‬
‫ولو كان عندنا عادي ونريد اإلستبدال بموسفت نضيف ترانزيستور‬
‫لتكبير الجهد‬
‫وبدون الدخول في تفاصيل أكثر نشاهد الشكلين التاليين‬