‫جامعة حلب‬

‫كلية الهندسة الكهربائية و اإللكترونية‬

‫مخبر الهندسة اإللكترونية‬

‫التجربة الثانية‬
‫‪ - 2‬دراسة و قياس مميزات الترانزستورات‬
‫الحقلية‬

‫‪MOSFET‬‬
 ‫ثانيا ً ‪ -‬التر‪$‬انزستور الحقلي ذو البوابة المعزولة‪:‬‬

‫‪M‬‬
‫‪Metal O‬‬‫‪Oxide Semiconductor‬‬
‫‪S‬‬
‫‪FField EEffect TTransistor‬‬

‫تصنف الترانزستورات الـ ‪ MOSFET‬إلى صنفين أساسيين ‪:‬‬

‫‪:MOSFET (D) – 1‬‬

‫ويعم‪$‬ل هذا الترانزس‪$‬تور بنظام‪$‬ي عم‪$‬ل (إغناء و إفقار) أ‪$‬ي بتقطي‪$‬ب أمام‪$‬ي أ‪$‬و عكس‪$‬ي لقط‪$‬ب الدخ‪$‬ل (البواب‪$‬ة)‬
‫‪Depletion-Enhancement MOSFET -‬‬

‫‪:MOSFET (E) – 2‬‬

‫ويعم‪$‬ل هذا الترانزس‪$‬تور بنظام عم‪$‬ل وحي‪$‬د (إغناء) أ‪$‬ي بتقطي‪$‬ب أمام‪$‬ي فق‪$‬ط عل‪$‬ى الدخل ‪Enhancement -‬‬
‫‪MOSFET‬‬
‫و تختل‪$‬ف البني‪$‬ة الطبقي‪$‬ة للترانزس‪$‬تور الحقل‪$‬ي ذو البواب‪$‬ة المعزول‪$‬ة بحس‪$‬ب ص‪$‬نفه إال أنه‪$‬ا تشترك ف‪$‬ي كون قط‪$‬ب البواب‪$‬ة‬
‫معزول ع‪$‬ن جس‪$‬م الترانزس‪$‬تور بمادة أكس‪$‬يد الس‪$‬يليكون مم‪$‬ا يجع‪$‬ل تيار البواب‪$‬ة مس‪$‬او للص‪$‬فر (‪ )IG = 0‬بغ‪$‬ض النظ‪$‬ر‬
‫عن قطبية الجهد المطبقة‬

‫‪MOSFET (D)– n channel‬‬

‫‪MOSFET (E)– n channel‬‬

Symbol
 ‫و لفهم آلية عمل الـ )‪ MOSFET (E‬نستعين بمنبع جهد ‪ VDD‬و منبع آخر ‪VGG‬‬

‫‪IDD >= 0‬‬

‫‪+‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪+‬‬
‫‪+‬‬
‫‪-‬‬
‫‪n‬‬ ‫‪- -‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪VGS‬‬ ‫‪<V‬‬
‫‪GS > TT +‬‬
MOSFET(E)
IS
NORMAL
OFF
‫تتم دراسة الترانزستور الـ ‪ MOSFET‬عادة عن طريق دراسة مميزاته وهي عموما ً نوعين من المميزات‬
‫كما في الـ ‪...JFET‬‬

‫‪Transfer characteristic‬‬ ‫‪ - 1‬المميزة التبادلية (مميزة النقل) –‬

‫وهي عالقة تغير تيار خرج الترانزستور مع تغير جهد الدخل المطبق مع ثبات جهد الخرج‪..‬‬

‫‪Output characteristics‬‬ ‫‪ – 2‬مميزات الخرج (المميزات المصرفية) –‬

‫وهي عالقة تغير تيار خرج الترانزستور مع تغير جهد الخرج المطبق عند قيم ثابتة لجهد‬
‫الدخل‪..‬‬
‫نبدأ بتنفيذ مميزة التحكم أوالً باختيارها من صفحة التجارب ‪Course Overview‬‬
 ‫نقوم بتوصيل الدارة ثم نضبط منبع اإلشارة و كذلك راسم اإلشارة للحصول على المميزة التبادلية‬

‫‪10V+‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪VGG‬‬
‫‪ID‬‬

‫‪VGS‬‬
‫‪Y1‬‬
‫‪Y2‬‬
VT
 ‫يطلب حساب الناقلية التبادلية (ميل المماس عند نقطة الدراسة)‬
‫)‪a(3.35 , 3‬‬

‫‪m = ∆Y/∆X‬‬
‫‪S =( 3-0.5)/(3.35-3) =2.5/0.35 = 7.14‬‬
‫‪mSmS‬‬
‫‪7.14‬‬

‫)‪b(3 , 0.5‬‬
 ‫ا‬ ‫ر‬‫ت‬ ‫ل‬ ‫ل‬ ‫ل‬ ‫ق‬ ‫ن‬ ‫ل‬ ‫ا‬ ‫ة‬ ‫ز‬‫ي‬ ‫م‬ ‫م‬ ‫م‬
‫(‬‫‪E‬‬
‫س‬
‫)‬
‫ر‬
‫ـ‬
‫أ‬
‫ل‬ ‫ا‬
‫!‬
‫‪ MOSFET‬و نزستور‬ ‫(‬
‫د‬ ‫د‬ ‫ح‬ ‫و‬ ‫)‬ ‫‪V‬‬
‫عليها‬ ‫م‬ ‫ي‬ ‫ق‬ ‫ب‬ ‫س‬ ‫ح‬ ‫ا‬ ‫‪T‬‬

‫( ‪)S‬‬ ‫ة‬
 ‫‪ID‬‬
‫ننتقل اآلن إلى دراسة مميزات خرج الـ ‪ MOSFET‬حيث نقوم بتوصيل دارة القياس و نطبق جهد‬
‫مستمر (موجب) على الدخل(البوابة) ونطبق إشارة مثلثية (‪ +10 ÷ 0‬فولت) على المصرف‬

‫‪VDD‬‬

‫‪VDS‬‬

‫‪VGG‬‬
‫(‪Volt ) 10 ÷ 0‬‬
‫نضبط منبع اإلشارة و كذلك بارامترات راسم اإلشارة للحصول على شكل واضح يعبر عن العالقة‬
 ‫جهد(‪ID‬‬
‫القيم‬
‫العتبة)‬
‫تسجيل‬‫معمن‬
‫المصرف‬
‫جهد‬ ‫أكبر)اقل‬
‫من‬ ‫الدخل‬
‫لتيار‬ ‫قيمةإلىجهد‬
‫قيمة (‪ID‬‬
‫المصرف‬
‫جديدة‬ ‫لكون‬ ‫معدوم‬‫خرجو‬
‫الترانزستور‬
‫تيار‬
‫نسجل‬
‫نراقب‬
‫‪)V‬‬ ‫تيار‪V‬‬
‫دخلو‬
‫‪)3.48‬‬
‫على‬ ‫ذات(‬
‫‪3.37‬‬‫إلى‬ ‫مميزة‬
‫الجهد‬
‫الدخل (‬
‫أعلى‬ ‫على‬
‫يزداد‬
‫دخل‬
‫جهد‬ ‫نحصل‬
‫‪Continue‬‬
‫جهد‬
‫بزيادة‬ ‫لالنتقال)‬
‫المتابعة‪V‬‬
‫بقيمة (‪0‬‬
‫لالستمرارإلى‬ ‫بوابةزر‬
‫جهدعلى‬
‫‪Continue‬‬
‫‪Continue‬‬ ‫عند‬
‫بالضغط‬
‫نضغط‬
‫نضغط‬
‫مما يؤدي إلى زيادة تيار المصرف (‪) ID‬‬ ‫العتبة (‪)V)TV‬‬
‫(‪3.28‬‬
‫نحصل بالنتيجة على أربع مميزات خرج تنتمي إلى عدد النهائي من مميزات الخرج للترانزستور‬
‫‪ID= 3.75 mA‬‬ ‫‪VGS= 3.48Volt‬‬

‫‪ID= 1.88 mA‬‬ ‫‪VGS= 3.37 Volt‬‬

‫‪ID= 0.75 mA‬‬ ‫‪VGS= 3.28 Volt‬‬

‫‪ID= 0 mA‬‬ ‫‪VGS= 0 Volt‬‬
 ‫* أرسم مميزات الخرج‬
‫التي حصلت عليها مع القيم‬
‫* ثم أحسب مقاومة الخرج الديناميكية عند‬
‫النقاط المحددة على المميزة ‪....‬‬
‫قارن بين مميزات الخرج للترانزستورات‬

‫)‪JFET BJT MOSFET(E‬‬

 ‫)‪Rout(BJT‬‬
‫‪R‬‬ ‫<>‬ ‫)‪Rout(MOSFET‬‬
‫‪R‬‬
‫)‪in(BJT‬‬ ‫)‪in(MOSFET‬‬

‫يتميز الترانزستور ‪ BJT‬بـ ‪:‬‬

‫قدرة قيادة أحمال ذات استطاعة عالية و مقاومة خرج عالية تكاد تكون ∞ إال أن ذلك يتطلب استطاعة في‬
‫الدخل (التحكم بواسطة التيار)‬
‫في حين يتميز الترانزستور ‪ MOSFET‬بـ ‪:‬‬

‫(التحكم عن طريق الجهد) حيث مقاومة الدخل عالية جداً ∞ و بالتالي ال يحتاج إلى قدرة في القيادة‬
 ‫و كنتيجة ‪:‬‬
‫فاألحمال ذات االستطاعة العالية بحاجة إلى ترانزستور ‪BJT‬‬
‫و إشارات التحكم ذات القدرة المنخفضة تحتاج إلى‪MOSFET‬‬

‫‪Output Stage‬‬

‫‪Input Stage‬‬
 ‫و بذلك نكون قد حصلنا على عنصر إلكتروني جديد يجمع بين مزايا الـ ‪ MOSFET‬و الـ ‪BJT‬‬

‫‪I nsulated Gate B ipolar Transistor‬‬

‫يتمتع هذا العنصر بمميزات خرج شبيهة تماما ً بمميزات الترانزستور ‪ BJT‬و يتم التحكم به عن طريق الجهد أما‬
‫المميزة التبادلية فهي شبيهة تماما ً بالمميزة التبادلية للترانزستور ‪ MOSFET‬و بالتالي يعتبر الـ ‪ IGBT‬من‬
‫العناصر ذات األهمية في التحكم الصناعي ‪...‬‬

‫‪∞ ≈ Rout‬‬

‫‪VT‬‬
 ‫الترانزستور إلى ‪ON‬‬
‫انتقال‪!.... ON‬‬ ‫‪OFF‬‬
‫نالحظالحالة‬ ‫وضعية‪ V‬و‬
‫الترانزستور في‬ ‫تقريبا ًفي‬
‫الترانزستور ‪1‬‬
‫بقاء‬ ‫الترانزستور‬
‫نالحظ‬‫بوابة‬ ‫أن ‪V1‬‬
‫النهائية‬
‫إلى و‬ ‫نالحظ‪R11‬‬ ‫بوابةالً و‬
‫الترانزستور‪V‬‬
‫الترانزستور‬
‫المقاومة‬ ‫دخل أو‬
‫عبر‬ ‫عن‪V‬‬
‫مقاومة‪GDD1‬‬
‫الجهد‬
‫نفصلالمنبع‬
‫أن‬
‫نصل‬‫أي‬
‫و ننقل الترانزستور إلى ‪ OFF‬بتفريغ الشحنة ‪ V‬و ذلك بقصر المكثف إلى أرضي الدارة‬
‫ولفهم أهمية و طريقة التحكم عن طريق‪C1‬الجهد سنستخدم الترانزستور ‪ MOSFET‬أو الـ ‪ IGBT‬كمفتاح الكتروني في‬
‫المثال الموضح في التجربة التالية‪..‬‬

‫‪VC1‬‬
 ‫نكرر التجربة مرّة أخرى (‪) on & off‬بوصل إشارة الدخل هذه المرة بمقاومة كبيرة ‪R2‬‬
‫(اإلصبع –مثالً)بدالً من السلك و ذلك لزيادة زمن الشحن ثم تفريغ المكثف بوصله عن طريق اإلصبع كذلك إلى األرض‬
‫كذلك لزيادة زمن التفريغ‬

‫‪R2‬‬
‫و بالتالي يمكن استخدام الدارة السابقة كدارة مفتاح زمني أي يمكن التحكم بوصل و فصل الترانزستور بحسب‬
‫قيمة المقاومة ‪ R2‬المستخدمة‬

‫ولتقييم عمل الترانزستور كمفتاح إلكتروني سواء كان ‪ MOSFET‬أو ‪ BJT‬أو ‪ IGBT‬نقارن عمله مع‬
‫في حالتي الوصل و الفصل‪..‬‬ ‫المفتاح المثالي‬

‫‪SW : On‬‬

‫‪V=0‬‬ ‫&‬ ‫‪I = max‬‬ ‫&‬ ‫‪∆P = 0‬‬ ‫&‬ ‫∆‪Ron = 0‬‬

‫‪SW : Off‬‬

‫‪∞ = V = max‬‬ ‫&‬ ‫‪I=0‬‬ ‫&‬ ‫‪∆P = 0‬‬ ‫&‬ ‫∆‪Ron‬‬

‫تعرف على حالتي الفتح و اإلغالق للترانزستور ‪ MOSFET‬و قارنها مع ميزات المفتاح المثالي‬

‫‪R=∆V/I‬‬ ‫‪Unblocking‬‬

‫ندرس حالتـي الفتـح و اإلغالق ثـم ننقـل إحداثيات الحالتيـن إلـى‬

‫جملة مميزات الخرج للحصول على خط الحمولة للترانزستور‬
‫يجـب االنتباه إلـى ضرورة عدم لمـس العناصـر االلكترونيـة التـي تعتمـد فـي عملهـا علـى تقنيـة‬
‫الـــ ‪ MOS FET‬وذلــك لحســاسيتها الشديدة للشحنات الســاكنة التــي قــد تكون مختزنــة‬
‫بالجسم‪..‬‬

‫و مـن التدابيـر الوقائيـة الواجـب اتخاذهـا عنـد التعامـل مـع هذا النوع مـن العناصـر هـو تفريـغ‬
‫شحنات الجسـم إلـى األرض عـن طريـق مجموعـة أسـالك مخصـصة لهذا الغرض أـو بارتداء‬
‫قفازات مطاطية عازلة ‪...‬‬
 ‫التقرير مطلوب في‬
‫الجلسة القادمة ‪......‬‬