‫إعداد ‪ :‬احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫الترانزيستور ذو تأثير الحقل‬

‫مبدأ العمل‬ ‫‪1.1‬‬

‫الفرق بين ‪ transistor bipolaire‬و‪) JFET‬من االنجليزية ‪"Junction Field Effect‬‬

‫"‪ (Transistor‬ھو أن األول يتحكم به عن طريق تيار و األخر عن طريق توتر‪ .‬تركيبة ‪ JFET‬نوع ‪N‬‬
‫تعتمد على قطبان من أشباه‪-‬الموصالت من نوع ‪ N‬محاطة بحلقة من نوع ‪ .P‬تركيبة ‪ JFET‬نوع ‪ P‬تعتمد‬
‫على قطبان من أشباه‪-‬الموصالت من نوع ‪ P‬محاطة بحلقة من نوع ‪ .N‬المنطقة السفلى تسمى المنبع‬
‫صرف ‪ drain‬و بينھما توجد الشبكة ‪ .grille‬االلكترونات تمر عبر ممر ضيق‬ ‫‪ ،source‬العليا تسمى ال َم ِ‬
‫من المنبع إلى المصرف‪ .‬إن عرض ھذه القناة مھم ألنه يحدد شدة التيار الذي يمر عبر ‪. JFET‬‬
‫‪Drain‬‬ ‫من نوع ‪N‬‬
‫‪Barreau‬‬ ‫قضيب‪de‬‬
‫‪typeN‬‬ ‫‪D‬‬

‫‪Grille‬‬ ‫‪G‬‬
‫‪P‬‬ ‫‪P‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪N‬‬

‫‪Beignet‬‬ ‫من ‪de‬‬

‫نوع ‪P‬‬ ‫‪type‬‬
‫‪P‬حلقة‬

‫‪D‬‬ ‫‪S‬‬
‫‪Source‬‬

‫‪G‬‬

‫‪S‬‬

‫الشكل‪0‬‬
‫الحلقة و القضيب يشكالن وصل )‪ . PN (jonction‬منطقة الضعيفة حول الوصل )‪ (jonction‬عازلة‪.‬‬
‫قطر ھذه األخيرة يتحكم ببعد القناة وسط الحلقة‪ .‬في حالة ‪ JFET‬من نوع ‪ ،N‬الشبكة ستكون مستقطبة بتوتر‬
‫سلبي بالنسبة للقضبان‪ .‬الغرض من منطقة الضعف ھو انه إذا كانت القناة صغيرة يكون التوتر ‪ UGS‬كبيرا و‬
‫التيار الذي المار في ‪ JFET‬صغيرا‪.‬الشكل ‪ 2‬يمثل استقطاب عادي للترانزيستور ‪ JFET‬من نوع ‪ N‬و ‪.P‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪1‬‬ ‫احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫‪ID‬‬ ‫‪ID‬‬

‫_‬
‫‪G‬‬ ‫‪D +‬‬ ‫‪Udd‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪Udd‬‬
‫‪Ugg‬‬ ‫‪Ugg‬‬
‫_‬
‫_ ‪S‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪S +‬‬
‫‪+‬‬ ‫_‬

‫‪TypeN N‬‬
‫نوع‬ ‫‪Type‬‬
‫ن‪P‬وع ‪P‬‬

‫الشكل ‪2‬‬
‫إن ترانزيستور ‪ JFET‬ال يطلب أي تيار في الشبكة لكي يعمل‪ .‬و كان له ممانعة جدا عالية‪ .‬ممانعة‬
‫المضخم العملياتي نوع ‪ TL071‬مثال تساوي !‪.1 TΩ‬‬
‫خاصيات‪JFET‬‬ ‫‪1.2‬‬

‫ھي تحديد ‪ UGS‬الذي يخلق تيار المصرف )‪.(ID‬لكن يجب استقطاب الترانزيستور قبال‪.‬‬
‫مبيان التياران )‪ id(uds‬و )‪id(ugs‬‬ ‫‪1.3‬‬

‫الشكل ‪ 3‬أسفله يبن العالقة تيار المصرف ‪ ID‬و التوتر ‪ UDS‬بداللة توترات ‪ UGS‬معطاة‪ .‬ھذه المنحنيات‬
‫مشابھة لمنحنيات الترانزيستور العادي )‪ .IC(UCE‬الفرق يتجلى في توتر اإلشباع الكبير و الذي يتغير حسب‬
‫‪ UGS‬و أن المنحنيات متقاربة نوعا ما‪.‬‬
‫‪ID‬‬
‫‪UGS = 0V‬‬
‫‪IDSS 10mA‬‬

‫‪UGS = -1V‬‬
‫‪5mA‬‬
‫‪UGS = -2V‬‬
‫‪2,5mA‬‬
‫‪UGS = -3V‬‬
‫‪1,25mA‬‬
‫‪UGSoff = -4V‬‬ ‫‪UDS‬‬
‫| ‪Up = | UGSoff‬‬ ‫‪BUgds‬‬

‫‪Zone‬‬ ‫‪d'utilisation‬‬
‫االستعمال‬ ‫منطقة‬
‫الشكل ‪3‬‬
‫القيم في المبيان ليست سوى على سبيل المثال )ھناك قيم أخرى(‪ .‬ھذا معناھا‪:‬‬
‫• ‪: IDSS‬تيار المصرف عند ‪.UGS = 0V‬‬
‫• ‪: UGSoff‬التوتر بين الشبكة و المنبع الالزم لكبح ‪.JFET‬‬
‫• ‪): Up‬توتر القرص( ھو توتر إشباع الترانزيستور ‪.@ IDSS‬‬
‫• ‪: BUgds‬توتر الكبح او الفصل )» ‪ (« break down voltage‬للترانزيستور ‪.JFET‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪2‬‬ ‫احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫‪ID‬‬

‫‪1‬‬

‫‪0,9‬‬

‫‪0,8‬‬

‫‪0,7‬‬

‫‪0,6‬‬

‫‪0,5‬‬

‫‪0,4‬‬

‫‪0,3‬‬

‫‪0,2‬‬

‫‪0,1‬‬

‫‪UGS‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪0,9‬‬ ‫‪0,8‬‬ ‫‪0,7‬‬ ‫‪0,6‬‬ ‫‪0,5‬‬ ‫‪0,4‬‬ ‫‪0,3‬‬ ‫‪0,2‬‬ ‫‪0,1‬‬ ‫‪0‬‬

‫الشكل ‪ :4‬مبيان التوصيالت‬

‫في الشكل ‪ ، 4‬نجد العالقة الرياضياتية الموحدة بين ‪ ID‬و ‪ .UGS‬ھذه العالقة صحيحة مادام ‪JFET‬‬
‫مستعمال في منطقة العمليات )الشكل ‪ .(3‬ھذه العالقة مرباعاتية و ھو ما يشرح المسافة الفاصلة بين‬
‫المبيانات‪ .‬المبيان يسمى مبيان ‪.transconductance‬‬
‫العالقة الرياضياتية ‪:‬‬

‫‪ID = IDSS x (1 - UGS / UGSoff)2‬‬

‫او كذلك ‪:‬‬
‫)‪UGS = -UGSoff x (û(ID / IDSS) -1‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪3‬‬ ‫احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫استقطاب ‪JFET‬‬ ‫‪1.4‬‬

‫‪ 1.4.1‬استقطاب عادي‬
‫مثال بسيط‪ .‬مولد توتر )‪ (Ugg‬مضبوط على أساس إنتاج التيار المرغوب به ‪.ID‬‬
‫‪IDSS = 10mA‬‬
‫‪RD‬‬
‫‪UGSoff = -5V‬‬
‫‪1k‬‬
‫‪Udd‬‬
‫‪D‬‬ ‫‪15V‬‬
‫‪G‬‬
‫‪Ugg‬‬
‫‪S‬‬
‫‪2,5V‬‬

‫الشكل ‪5‬‬

‫‪Ugg = UGS‬‬
‫‪ID = 10mA x (1 - -2,5V / -5V)2 = 2,5mA‬‬
‫‪UD = 15V - 2,5mA x 1k = 12,5V‬‬

‫‪ - 1 #‬سؤال ‪:‬‬
‫ما ھي قيمة ‪ Ugg‬الضرورية للحصول علي تتوتر ‪ UD‬يساوي ‪10V‬؟‬
‫الحل ‪:‬‬
‫‪URD = 15V - 10V = 5V‬‬
‫‪ID = 5V / 1k = 5mA‬‬
‫‪Ugg = UGS = 5V ( û( 5mA / 10mA) -1) = -1,46V‬‬

‫‪ 1.4.2‬استقطاب أوتوماتيكي‬
‫ھذه الطريقة تعتمد على وضع مقاومة بين المصرف ونقطة االشتراك و مقاومة بين الشبكة ونقطة‬
‫االشتراك )توتر الشبكة يساوي ‪ .( 0V‬ھذه المقاومة ھي التي تحدد ممانعة دخول ‪.JFET‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪4‬‬ ‫احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫‪IDSS = 10mA‬‬
‫‪RD‬‬
‫‪UGSoff = -5V‬‬
‫‪1k‬‬
‫‪Udd‬‬
‫‪D‬‬ ‫‪15V‬‬
‫‪G‬‬
‫‪S‬‬
‫‪RG‬‬ ‫‪RS‬‬
‫‪100k‬‬ ‫‪1k‬‬
‫نقطة االشتراك‬

‫الشكل ‪6‬‬
‫تيار المنبع متعلق ب ‪ .UGS‬توتر الشبكة يساوي ‪) 0 v‬ال تيار يمر(‪ .‬إذن التوتر‪ UGS‬محدد بتوتر المنبع‪،‬‬
‫و الذي يحدد التوتر بين قطبي ‪ RS‬و يحدد تيار المنبع‪ .‬إذن نظام ذو معادلتين‬
‫‪#1: ID = IDSS x (1 - UGS / UGSoff)2‬‬
‫‪#2: ID = -UGS / RS‬‬
‫قف ‪ :‬الحساب معقد نوعا ما و لتسھيل و ربح الوقت استعن بالشكل ‪: 4‬‬
‫في محور ‪ ID‬يتمثل ‪ IDSS‬في حالتنا ‪ .10mA‬في محور ‪ UGS‬يتمثل ‪ UGSoff‬في حالتنا ‪.-5V‬‬
‫المعادلة ‪ #2‬ھي معادلة مستقيم ميله يساوي ‪ -1/RS‬حيت األصل في الصفر‪ ،‬إليجاد نقطة أخرى من‬
‫المستقيم نعوض ‪ UGS‬ب ‪.-5V‬‬
‫‪.ID=-(-5V)/1k=5mA‬اآلن لدينا إحداثيات )‪ .(-5V, 5mA‬نرسم إذن المستقيم‪ .‬نقطة تقاطع المستقيم و‬
‫المنحنى تعطي التيار ‪ IDQ‬و التوتر ‪ ،UGS‬حيت يساويان ‪) .2,5mA et 2,5V‬الشكل ‪ 7‬المستقيم األيسر(‪.‬‬
‫‪UD = 15V - 2,5mA x 1k = 12,5V‬‬
‫‪US = 2,5mA x 1k = 2,5V‬‬
‫‪UDSQ = 12,5V - 2,5V = 10V‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪5‬‬ ‫احمد زھار‬

‫الترانزيستور‬ ‫االليكترونيك‬

‫‪ID‬‬

‫‪10mA‬‬

‫)‪(0,725V, 7,25mA‬‬ ‫‪0,9‬‬

‫‪0,8‬‬
‫‪7,25mA‬‬
‫‪0,7‬‬

‫)‪(-5V, 5mA‬‬ ‫‪0,6‬‬

‫‪0,5‬‬

‫)‪(-2,5V, 2,5mA‬‬ ‫‪0,4‬‬

‫‪0,3‬‬
‫‪2,5mA‬‬

‫‪0,2‬‬

‫‪0,1‬‬

‫‪UGS‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪-5V‬‬ ‫‪-0,9‬‬ ‫‪-0,8‬‬ ‫‪-0,7‬‬ ‫‪-0,6‬‬ ‫‪-0,5‬‬ ‫‪-0,4‬‬ ‫‪-0,3‬‬ ‫‪-0,2‬‬ ‫‪-0,1‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪0,725V‬‬
‫‪-2,5V‬‬

‫الشكل ‪7‬‬
‫مثال‪:‬‬ ‫‪-1#‬‬

‫السؤال ‪:‬‬
‫جد للدارة في الشكل ‪) 6‬مع تعويض ‪ RS‬ب ‪ IDQ, UGS, UD, US et UDSQ :(100Ω‬؟‬
‫الحل ‪:‬‬
‫لنفترض تيارا = ‪ .10mA‬ھذا يعني ان التوتر بين قطبي ‪ RS‬ھو ‪ .1V‬الشكل ‪ 7‬يعطي نقطة التقاطع‬
‫)‪) (0,725V et 7,25mA‬المستقيم األيمن(‪.‬‬
‫‪UD = 15V - 7,25mA x 1k = 7,75V‬‬
‫‪US = 0,725V‬‬
‫‪UDSQ = 7,75V - 0,725V = 7,03V‬‬

‫‪ultrasup@gmail.com‬‬ ‫الصفحة ‪6‬‬ ‫احمد زھار‬