‫جامعة حلب‬

‫كلية الهندسة الكهربائية و اإللكترونية‬

‫مخبر الهندسة اإللكترونية‬

‫التجربة األولى‬
‫‪ - 1‬دراسة و قياس مميزات الترانزستور الحقلي‬

‫‪JFET‬‬
 ‫تعتمد الترانزستورات الحقلية عموما ً في عملها على أثر الحقل الكهربائي بين المنطقة ‪ N‬و المنطقة ‪P‬‬

‫وتسمى أحيانا ً بالترانزستورات أحادية القطبية (‪)UJT‬كونها تعتمد في عملها على نوع واحد فقط من حوامل‬
‫الشحنة (‪ )-e‬أو (‪..)+p‬‬

‫وتصنف عادة إلى نوعين أساسيين ‪:‬‬

‫‪ – 1‬الترانزستور الحقلي ذو المتصل‬

‫‪ – 2‬الترانزستور الحقلي ذو البوابة المعزولة‬

 :‫ستور الحقلي ذو المتصل‬9‫ الترانز‬-ً‫أوال‬

J Junction
F Field
E EffectT Transistor
D

G
S
 JFET ( n ) Channel D
D
G
N S
P P

S
‫و بالتالي نميز عادة نوعين من الـ ‪ JFET‬وفقا ً لنوع القناة‪...‬‬
 ‫و لفهم مبدأ عمل الترانزستور و طريقة عمله نحتاج إلى تطبيق جهد موجب على القطب ‪ D‬بالنسبة‬
‫للقطب ‪ S‬عن طريق منبع ‪ VDD‬ويتم التحكم بتيار خرج الترانزستور ‪ ID‬عن طريق جهد سالب يطبق‬
‫على قطب البوابة ‪.. VGG‬‬

‫‪ID‬‬
‫تتم دراسة الترانزستور الحقلي عادة عن طريق دراسة مميزاته وهي عموما ً نوعين من المميزات ‪...‬‬

‫‪Transfer characteristic‬‬ ‫‪ - 1‬المميزة التبادلية (مميزة النقل) –‬

‫وهي عالقة تغير تيار خرج الترانزستور مع تغير جهد الدخل المطبق مع ثبات جهد الخرج‪..‬‬

‫‪Output characteristics‬‬ ‫‪ – 2‬مميزات الخرج (المميزات المصرفية) –‬

‫وهي عالقة تغير تيار خرج الترانزستور مع تغير جهد الخرج المطبق عند قيم ثابتة لجهد‬
‫الدخل‪..‬‬
 ‫عمليا ً ‪.....‬‬
‫سننفذ تجربة قياس مميزات الـ ‪ JFET‬عن طريق التجهيزات المخبريّة ‪COM3LAP‬‬
‫‪ – 1‬ندخل إلى البرنامج عن طريق أيقونة سطح المكتب ‪COM3LAP Starter‬‬

‫‪ – 2‬نختار اسم الدخول ثم ننتقل الختيار تجربة مميزات الـ ‪JFET‬‬

‫ثم نتبع تعليمات البرنامج خطوة بخطوة من حيث التوصيل ومن ثم ضبط منبع اإلشارة و الراسم وصوالً إلى منحني‬
‫المميزة التبادلية‪...‬‬

‫‪10V+‬‬

‫‪VGS‬‬

‫‪ID‬‬
 IDSS )V/ KΩ(

VP )V (
‫بعد الحصول على مميزة النقل يطلب حساب الناقلية التبادلية الديناميكية و ذلك بحساب ميل المنحني عند‬
‫منتصف المميزة)‬ ‫نقطة ما (عادة في‬
‫)‪a (0,3‬‬

‫‪m = ∆Y/∆X‬‬

‫)‪b (-1 .4 ,-1‬‬

‫مماس المنحني في النقطة ‪P1‬‬

 ‫عندها نحصل على مميزة النقل (التحكم) ‪...‬‬
‫و يطلب هنا‪:‬‬

‫‪–1‬رسم المميزة ضمن التقرير‬

‫‪ – 2‬تحديد الثوابت‬
‫& ‪IDSS‬‬ ‫‪VP‬‬
 ‫ننتقل اآلن لدراسة ‪ID‬‬
‫مميزات خرج الـ ‪ JFET‬حيث نقوم بتوصيل الدارة المطلوبة و نطبق جهد مستمر (سالب)‬
‫على الدخل(البوابة) ونطبق إشارة مثلثية (‪ ±10 - 0‬فولت) على المصرف‬

‫‪VDS‬‬

‫(‪Volt ) 3 - ÷ 0‬‬
‫نضبط راسم اإلشارة وفق تعليمات البرنامج‬
 ‫عندها سنحصل على مميزة الخرج عند دخل قيمته(‪) V 2.5 -‬‬
‫و باعتبار هذه القيمة أصغر من جهد االنقباض (‪ )VP‬فإن تيار الخرج سيكون معدوما ً ‪!..‬‬
‫‪ID =IDSS= 3.44 mA‬‬ ‫‪VGS = 0 V‬‬
‫‪ID = 1.69 mA‬‬ ‫‪VGS = -0.4 V‬‬

‫‪ID = 0 mA‬‬ ‫‪VGS = -2.5 V‬‬

 ‫إذن حصلنا على ثالثا ً من مميزات الخرج عند جهود دخل مختلفة‪...‬‬
‫و يطلب هنا‪:‬‬
‫‪ – 1‬رسم المميزات ضمن التقرير (مع قيم التيارات و الجهود)‬
‫‪ – 2‬إيجاد مقاومة الخرج الديناميكية بإيجاد مقلوب ميل المماس في النقطة المدروسة‬
‫و ربط قيمة المقاومة مع نظام عمل الترانزستور‬
 a (7 , 4)
b (0 , 3)
‫قارن بين مميـزات خرج اـلـ‬
‫‪BJT‬‬ ‫‪JFET‬الـ ‪BJT‬‬
‫‪ JFET‬و‬
 ‫التقرير مطلوب‬
‫للجلسة القادمة ‪......‬‬