第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展 特邀综述

准分子激光光刻光源关键技术及应用

江锐 1，2*
1
中国科学院北京微电子研究所光电技术研发中心，北京，100029；
2
北京科益虹源光电技术有限公司，北京，100176

摘要 准 分 子 激 光 光 源 在 光 刻 、工 业 制 造 、医 疗 和 科 研 领 域 都 有 广 泛 的 应 用 ，特 别 是 其 波 长 、线 宽 、能 量 与 剂 量
等 指 标 在 光 刻 领 域 有 很 大 的 优 势 ，可 以 为 光 刻 机 带 来 更 小 的 图 像 分 辨 率 和 更 均 匀 的 曝 光 图 形 。 现 阶 段 准 分 子
激 光 器 已 用 于 7 nm 光 刻 工 艺 ，并 日 趋 完 善 ，带 来 更 低 的 运 营 成 本 、更 高 的 产 率 和 产 量 ，从 而 推 动 整 个 半 导 体 制 造
产 业 的 发 展 。 首 先 简 单 介 绍 了 准 分 子 激 光 原 理 ，回 顾 了 准 分 子 激 光 的 发 展 历 史 ，调 研 了 准 分 子 激 光 在 光 刻 上 的
应 用 现 状 ，及 国 外 准 分 子 光 刻 光 源 的 主 流 机 型 ，继 而 重 点 阐 述 了 部 分 应 用 在 光 刻 中 的 准 分 子 激 光 器 的 关 键 技
术 ，并 展 望 了 准 分 子 激 光 在 光 刻 及 集 成 电 路 制 造 其 他 环 节 应 用 的 未 来 趋 势 ，为 我 国 准 分 子 激 光 的 自 主 可 控 发 展
提供有益借鉴。
关键词 光学设计与制造；准分子激光；光刻；能量与剂量；中心波长与线宽
中图分类号 文献标志码 DOI：10. 3788/LOP202259. 0922020

Key Technologies and Applications of Excimer Laser as

Light Sources in Lithography
Jiang Rui1,2*
1
Optoelectronic Technology R&D Department, Beijing Institute of Microelectronics,
Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
2
Beijing RSLaser Opto -Electronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China

Abstract Excimer lasers are widely used in lithography, industrial manufacturing, and medical and scientific
fields. Particularly, their indexes such as wavelength, linewidth, energy and dose have great advantages in the field
of lithography, therefore can help the lithography machine to obtain smaller image resolution and smoother light
exposure. Now excimer lasers have already been used in 7 nm node in semiconductor manufacturing, and are still
improving to drive for the lower cost - of - ownership and higher productivity and yield, which promote the
development of the whole semiconductor manufacturing industry. Firstly, this paper briefly introduces the principle
of excimer lasers, reviews the development history of excimer lasers, investigates the application status of excimer
laser in lithography and the mainstream models of foreign excimer lithography light sources, and then focuses on
some key technologies of excimer lasers used in lithography. The future trend of applications of excimer lasers in
lithography and other links of integrated circuit manufacturing is prospected, which provides a useful reference for the
independent and controllable development of excimer lasers in China.
Key words optical design and fabrication; excimer laser; lithography; energy and dose; center wavelength and
linewidth

收稿日期 ： 2022 -02 -10；修回日期 ： 2022 -03 -10；录用日期 ： 2022 -04 -10
通信作者 ： * jiangrui@ime. ac. cn

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1 引 言
世 界 经 济 发 展 与 集 成 电 路 密 不 可 分 ，随 着 我 国
经 济 发 展 和 对 集 成 电 路 产 业 重 视 程 度 的 提 高 ，光 刻
产业的发展已成为半导体行业的焦点。众所周知，
先 进 光 刻 设 备 需 要 先 进 光 源 技 术 作 为 基 础 ，准 分 子
激 光 器 作 为 主 流 光 刻 机 光 源 ，在 大 规 模 集 成 电 路 光
刻 制 造 环 节 起 着 至 关 重 要 的 作 用 ，所 以 有 必 要 对 准
分子激光技术进行更深入地探索和开发。本文从
介 绍 准 分 子 激 光 原 理 开 始 ，对 准 分 子 激 光 器 的 发 展
历 史 、在 光 刻 中 的 应 用 历 程 和 现 状 进 行 了 分 析 ，介
绍 了 国 外 准 分 子 光 刻 光 源 的 主 流 机 型 ，进 一 步 重 点
图1 ArF 准分子激光势能原理图［1］
阐述了部分应用在光刻中的准分子激光器的关键
Fig. 1 Schematic diagram of potential energy for ArF
技 术 ，并 展 望 了 准 分 子 激 光 在 光 刻 及 集 成 电 路 制 造 excimer laser[1]
其 他 环 节 应 用 的 未 来 趋 势 ，最 后 指 出 我 国 光 刻 准 分
2）两步电离
子光源在发展的同时所面临的机遇和挑战。
a）Ar+ e-→ Ar * + e-， （2）
2 准分子激光的原理和发展历程 b）Ar + e → Ar +2 e 。
* - + -
（3）
3）准分子态的形成
2. 1 准分子激光原理概述
a）Ar++ F-+Ne→ ArF * +Ne（占 75%）， （4）
准 分 子 excimer 是 excited dimer 的 缩 写 ，最 初 是
b）Ar + F 2+Ne→ ArF +F+Ne（占 25%）。（5）
* *

指 在 激 发 状 态 下 保 持 亚 稳 定 、由 两 个 相 同 原 子 组 成
4）自发和受激辐射
的 分 子 ，后 来 则 拓 展 到 包 括 由 不 同 原 子 组 成 的 亚 稳
a）ArF * → Ar+F+hν（自发辐射）， （6）
态分子。本文只讨论准分子激光应用中由惰性气体
b）ArF +hν→Ar+F+2hν（受激辐射）。
*
（7）
元 素 和 卤 族 元 素 组 成 的 准 分 子（rare -gas -halide
5）重新组合（慢过程）
excimer），该类型准分子是由两个不同原子组成的二
F+F+Ne→ F 2 +Ne。 （8）
元分子，其中一个原子是卤素原子，另一个原子是惰
同时，整个过程还会伴随如下吸收反应。吸收反
性气体原子［1］。准分子激光器是最重要的紫外和深 应是不利于受激辐射过程的，因此放电腔中 F 2 浓度必
紫 外 波 段 激 光 器 ，惰 性 气 体 和 卤 素 气 体 结 合 的 混 合 须在整个过程中得到精确控制；F 2 浓度过低会导致准
气体在几十纳秒的高电压放电下产生激发态的稀有 分子激发态形成不充分而降低发光效率，但是偏高的
气体 -卤族元素分子，如 ArF *，KrF *，XeF *，XeCl* 等， F 2 浓度一样会因为吸收反应降低发光效率。
这些被称之为准分子是因为这些分子只有在激发态 吸收反应如下：
中才能存在 ，而其基态能级表现为排斥态（repulsive F 2 +hν→2F， （9）
state），因 而 会 迅 速 解 离 。 以 ArF * 准 分 子 激 光 为 例 ， F+hν→F+ e 。 -
（10）
当给工作气体施加高压放电脉冲后，会发生如图 1 所 2. 2 准分子激光发展历程
示几个步骤的化学反应：首先通过电离过程形成 Ar+ 回 顾 准 分 子 激 光 发 展 历 程 ，在 全 球 几 代 科 学 家
和 F- 以及 Ar * 和 F ，带电离子和激发态原子在缓冲气 的努力下相继取得了多项重大科技成果。1970 年 ，
体的帮助下形成 ArF 准分子。准分子态弛豫时间一
*
Basov 等［2］在 莫 斯 科 物 理 学 院 通 过 实 验 第 一 次 得 到
般在毫秒量级，然后跃迁至基态，不稳定基态迅速离 了 准 分 子 激 光 ，他 们 用 800 keV 的 电 子 束 和 液 体 Xe
解成单原子，并在此过程中发生自发或受激辐射，形 得 到 了 由 两 个 Xe 原 子 组 成 的 准 分 子 。 1974 年 ，很
成深紫外波段的光子。F 原子在这个过程中会缓慢 多 机 构 开 始 对 惰 性 卤 素 的 荧 光 谱 进 行 研 究［3］，这 其
重新组合形成 F 2 分子。具体如下： 中 包 括 英 国 剑 桥 大 学 、美 国 堪 萨 斯 州 立 大 学 和 美 国
1）电子附着 Avco Everett 研 究 实 验 室 。 1975 年 ，美 国 几 个 实 验
F 2+ e → F + F 。
- -
（1） 室几乎在同一时间都研究得到了由不同原子混合

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的准分子激光脉冲［4 5］，分别是海军实验室、Northrop 输 出 ，实 验 中 放 电 电 流 为 4000 A，脉 冲 提 升 时 间 为

-

实验技术中心、Avco Everett 研究实验室和 Sandia 实 20 ns。 随 后 ，Sandia 实 验 室 的 Hoffman、Hays 和

验 室 ，他 们 对 早 期 准 分 子 激 光 器 的 发 展 做 出 了 很 大 Tisone 也 经 过 实 验 成 功 得 到 了 高 功 率 193 nm 波 长
的 贡 献 。 其 中 Ralph Burnham 和 Nick Djeu 就 是 在 海 的 ArF 准分子激光。到 1975 年底，随着准分子激光
军 实 验 室 得 到 混 合 了 不 同 原 子 的 准 分 子 激 光（严 谨 技 术 的 飞 速 发 展 ，在 全 球 科 学 家 的 努 力 下 ，所 有 紫
来 说 为 exciplex laser ），也 就 是 现 在 的 准 分 子 激 光 。 外 波 长 下 的 准 分 子 激 光 器 都 被 实 验 所 验 证 ，各 准 分
Djeu 在 Ralph 的 帮 助 下 尝 试 了 脉 冲 横 向 放 电 ，通 过 子 激 光 对 应 的 波 长 如 表 1 所 示 ，准 分 子 激 光 器 的 发
98∶1. 5∶0. 5 的 比 例 混 合 He、Xe、NF 3 ，腔 压 为 展历史如表 2 所示。
39996. 6 Pa，最 终 得 到 了 单 脉 冲 能 量 7 mJ 的 激 光 束
表1 不同准分子气体对应的波长
Table 1 Wavelengths of different excimer lasers
Halogen Excimer laser gas mixture
Excimer F2 ArF KrCl KrF XeBr XeCL XeF（B-X）
Wavelength /nm 157 193 222 248 262 308 351

表2 准分子激光器的发展历史
Table 2 Development history of excimer lasers
Year Research institution Landmark of progression
1970 Lebedev Physical Institute in Moscow The first excimer lasing was invented
University of Cambridge，Cambridge，UK；Kansas State University，Kansas， The fluorescence spectra of rare-gas
1974
USA；Avco Everett Research Laboratory，Everett，Massachusetts，USA halides were investigated
Naval Research Laboratory，Washington，USA；Northrop Research and
The first laser of exciplexes was
1975 Technology Center，Hawthorne，USA；Avco Everett Research Laboratory，
demonstrated
Everett，Massachusetts，USA；Sandia Laboratories，Albuquerque，USA
The first commercial excimer laser
1979 Lambda Physik
system was developed
Jain proposed the concept of excimer
1980 IBM
laser on lithography
The lithographic exposure experiment
1980 IBM by excimer lasers in contact mode was
carried out
With the modified Micralign system，
1982 IBM the projection lithography by excimer
laser was experimentally demonstrated

相 比 可 见 光 而 言 ，准 分 子 激 光 具 有 更 短 的 波
长 ，可 以 得 到 更 高 能 量 级 别 、更 高 分 辨 率 的 图 像 ，这
些因素都促进了商用准分子激光的发展。
1979 年 ，Lambda Physik 公 司 生 产 出 第 一 台 商 业 用
准 分 子 激 光 器 EMG500 。 1980 年 ，IBM 的 Jain
［1］
提 出 了 准 分 子 激 光 用 于 光 刻 的 概 念 ，同 年 分 别 使 用
了 3 台 不 同 的 准 分 子 激 光 光 源（XeCl、KrF、KrCl）
去 验 证 接 触 模 式 的 光 刻 效 果 ，最 后 实 验 都 很 成 功 。
实验证明了准分子激光可以用于大规模的光刻生
产 ，短 波 长 能 够 带 来 高 分 辨 率 的 成 像 效 果 ，高 输 出
功 率 会 带 来 高 剂 量 的 曝 光 和 更 快 的 生 产 率 ，高 转 换
效 率 可 以 降 低 成 本 ，同 时 低 相 干 性 能 够 使 最 后 成 的
像 非 常 均 匀 。 1982 年 ，在 Micralign -500 光 刻 系 统 的
配 合 下 ，准 分 子 激 光 第 一 次 在 投 影 光 刻 系 统 得 到 了
验 证 ，采 用 Lumonics Model TE -860，使 用 XeCl 光
源 在 125 mm 的 硅 片 上 曝 光 精 度 可 以 达 到 1 µm。
20 世 纪 80 年 代 ，除 了 之 前 提 到 的 Lambda
［6］
Physik 和 Lumonics，全 球 还 有 其 他 几 家 公 司 也 开 始
开 展 准 分 子 激 光 器 的 生 产 和 制 造 。 1986 年 毕 业 于
加 州 圣 地 亚 哥 大 学 的 Robert Akins 博 士 和 Richard
Sandstorm 博 士 在 美 国 建 立 了 Cymer 公 司 。
1988 年 ，Cymer 成 功 研 发 了 应 用 在 半 导 体 光 刻 机 的
第 一 代 光 源 ，并 于 1990 年 又 研 发 制 造 了 第 二 代 光
源 ，到 2002 年 底 就 已 经 生 产 和 制 造 了 2000 台 光 源 ，
2012 年 Cymer 被 荷 兰 半 导 体 设 备 商 ASML 收 购 。
日 本 的 小 松 公 司 在 1985 年 制 造 了 日 本 第 一 台 准 分

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子 激 光 器 KLE -630，1996 年 小 松 公 司 建 立 了 它 的
准分子激光器业务部并在日本建立了准分子激光
器 工 厂 ，并 成 立 了 Gigaphoton 公 司 。 目 前 Cymer 公
司 占 据 了 光 刻 机 光 源 80% 以 上 的 市 场 ，在 浸 没 式
及以上的高端光源领域更是占据 90% 以上的市场。

3 光刻用准分子激光器现状
3. 1 工作原理及主要机型
光刻是集成电路制造中非常重要的一环。硅片 图2 光刻机在集成电路工艺中的位置和光刻机的原理图。

经过涂胶、光刻曝光、显影后，进入下一步的刻蚀，如 （a）位置；
（b）原理图
Fig. 2 Position of lithography system in integrated circuit
图 2（a）所示［7］。曝光的好坏直接决定了后续的刻蚀
technology and schematic diagram of lithography system.
精准度。光刻机的曝光基本原理如图 2（b）所示 ，准
(a) Position; (b) schematic diagram
分子激光光源进入光刻机后先是通过整形光路整形
成均匀、符合要求的照明模态，然后通过聚光透镜到 大超过了前期的汞灯光源。同时随着半导体产业

达 掩 膜 版 。 掩 膜 版 上 是 待 曝 光 的 集 成 电 路 图 ，光 经 和 光 刻 技 术 在 摩 尔 定 律 驱 动 下 的 不 断 进 步 ，有 着 更

过掩膜后经物镜将集成电路图成像在光刻胶上。 短 激 光 波 长 辐 射 的 ArF 光 源 技 术 也 应 运 而 生 ，在

目前光刻领域的主流准分子激光光源是 KrF 和 ArF 光 源 的 不 断 迭 代 改 进 下 ，光 刻 节 点 逐 步

193 nm ArF 激 光 器 和 248 nm KrF 激 光 器 。 157 nm 向前发展［8］。表 3 展示了 ASML、Nikon、Canon 等公

F 2 光源由于光刻胶替代成本较高、镜头材料等原因 司 的 部 分 机 型 及 其 光 源 所 对 应 的 参 数（其 中 NA 为
并没有成为主流。图 3 展示了近三十年光刻用的准 数值孔径）。
分 子 波 长 的 发 展 趋 势 ，随 着 波 长 的 减 小 ，光 刻 分 辨 光 刻 机 的 主 要 参 数 指 标 有 分 辨 率 、数 值 孔 径 、
率得到提高。 套 刻 误 差 、产 出 率 等［9］。 光 刻 机 的 分 辨 率 表 示 光 刻
KrF 是 第 一 代 用 于 光 刻 的 准 分 子 光 源 ，这 源 于 机 能 清 晰 投 影 最 小 图 像 的 能 力 ，跟 准 分 子 光 源 的 能
其 在 输 出 能 量 、波 长 、线 宽 、稳 定 性 等 多 个 方 面 都 大 力有着直接的关系。根据瑞利判据光刻的分辨率
表3 ASML、Nikon、Canon 的部分机型及其光源
Table 3 Some models of lithography systems for ASML, Nikon and Canon, and laser sources of these systems

Output rate
Company Model Exposure type Resolution /nm Laser source NA
（Wafer /h）
NXT1980Di Double immersion step-and- 275
38 1. 35
NXT1950i scan exposure 193 nm ArF 175
XT1450H 65 162
0. 93
XT1000K 80 180
Double dry step-and-scan 248 nm KrF
XT860K 110 0. 80 210
exposure
ASML 365 nm high pressure
XT400K 350 0. 65 220
mercury lamp
PAS5500/1150C Single step-and-scan exposure 90 193 nm ArF 0. 75 135
PAS5500/850D NA 110 248 nm KrF 0. 80 145
365 nm high pressure
PAS5500/450F NA 220 0. 65 150
mercury lamp
NSR-S631E immersion step-and-scan 270
38 193 nm ArF 1. 35
NSR-S621D exposure 200
Nikon
NSR-S322F 65 0. 92 230
step-and-scan exposure 248 nm KrF
NSR-S210D 110 0. 86 176
Canon FPA-6300ES6a step-and-scan exposure 90 248 nm KrF 0. 86 200

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图4 E95 和 FWHM 示意图

图3 光刻机光源曝光波长缩短和理论分辨率极限的趋势 ［1］
Fig. 4 Diagram of E95 and FWHM
Fig. 3 Trend of exposure wavelength reduction and theoretical
束位置稳定性和光束指向稳定性等。对于光刻准
resolution limit for laser source of lithography system [1]
分 子 激 光 器 的 评 价 有 一 整 套 严 格 的 测 量 、计 算 和 判
可以表示为 断 标 准 ，该 标 准 必 须 得 到 光 源 和 光 刻 机 制 造 厂 商 的
R = K 1 λ/NA ， （11） 共同认可。
式 中 ：R 是 分 辨 率 ；K 1 是 工 艺 系 数 ；λ 是 光 源 的 中 心 3. 2 单腔准分子激光器原理
波长；NA 是数值孔径。 K 1 与光刻胶工艺、照明相干 单 腔 准 分 子 激 光 器 主 要 以 248 nm KrF 激 光 器
性和波前的控制都有关系。从光源上提高光刻节 为 主 ，也 有 少 部 分 用 ArF 作 光 源 的 单 腔 准 分 子 激 光
点 主 要 是 优 化 光 源 的 波 长 、能 量 和 光 谱 宽 度 及 其 稳 器 ［10 11］。 单 腔 准 分 子 激 光 器 主 要 模 块 有 放 电 腔 、高
-

定性。关键尺寸和套刻误差都和光源参数有很大
的 关 系 。 表 4 展 示 了 光 源 参 数 分 别 从 透 镜 像 差 、对
焦、剂量控制、光学邻近效应和照明等 5 个方面影响
曝光关键尺寸。
准 分 子 激 光 光 源 的 主 要 指 标 有 重 复 频 率 、平 均
功 率 、线 宽［包 括 95% 能 量 积 分（E95）和 半 峰 全 宽
（FWHM），如 图 4 所 示］、线 宽 稳 定 性、中 心 波 长、中
心 波 长 稳 定 性 、剂 量 精 度 、单 脉 冲 能 量 及 稳 定 性 、光
表4
Table 4 Influence of laser source parameters on critical dimension of lithography system
压 脉 冲 电 源 、线 宽 压 窄 模 块 、输 出 耦 合 镜 、检 测 模 块
和 控 制 器 ，单 腔 准 分 子 激 光 器 原 理 如 图 5 所 示 。 放
电腔通过脉冲电源对电极进行高压脉冲放电进而
产 生 准 分 子 受 激 辐 射 ，放 电 腔 、输 出 耦 合 镜 和 线 宽
压窄组成谐振腔对激光进行振荡和放大。线宽压
窄 模 块 对 激 光 的 光 谱 进 行 选 择 ，激 光 从 输 出 耦 合 镜
输 出 ，检 测 模 块 对 输 出 光 束 进 行 参 数 检 测 后 通 过 控
制器进行闭环控制。
光源参数对光刻机关键指标的影响

Critical dimension
Lithography Lens aberrations Focus Dose control Optical proximity effect Illumination
Linewidth Wavelength stability Energy stability Bandwidth stability Beam stability
Lasers
Spectral shape Beam stability Beam stability Degree of polarization

图5 单腔准分子激光器原理图
Fig. 5 Schematic of single -chamber excimer laser system

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 特邀综述
高 压 脉 冲 电 源 系 统 包 含 高 精 度 谐 振 充 电 、脉 冲
升 压 、磁 脉 冲 压 缩 等 几 个 功 能 单 元 ，实 际 设 计 中 通
过 3~4 个物理模块来实现 ，最终目标是在放电腔电
极 两 端 产 生 接 近 15~30 kV、脉 冲 宽 度 几 十 纳 秒 、脉
冲 精 度 0. 5‰ 的 电 脉 冲 作 为 准 分 子 激 光 泵 浦
［12］
能量 。 返 回 的 线 宽 与 达 到 光 栅 前 的 发 散 角 成 反 比 ，同 时 棱
放 电 腔 分 为 放 电 单 元（正 负 电 极 、预 电 离 装 置
等）、热 管 理 单 元（加 热 带 、水 冷 回 路 、风 扇 等）、光 学
单 元（窗 镜 、滤 网 等）和 流 体 单 元（风 扇 、腔 型 等）。
图 6 是 放 电 腔 的 横 截 面 示 意 图［10］，高 压 电 脉 冲 加 在
正 负 电 极 后 ，预 电 离 装 置 会 先 于 主 放 电 极 产 生 放
电 ，此 时 会 产 生 激 光 放 电 所 需 要 的 电 子 密 度 ，从 而
使 激 光 放 电 更 加 均 匀 ；紧 接 着 ，正 负 电 极 中 的 电 场
被 高 电 压 击 穿 开 始 辉 光 放 电 ，并 产 生 准 分 子 激 光 。
高频放电需要良好的气体循环去除放电后产生的
图6 放电腔的横截面 ［10］
Fig. 6 Cross section of discharge chamber
Fig. 7
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余 热 和 放 电 产 物 ，否 则 会 造 成 放 电 质 量 的 下 降 或 者
类似拉弧的现象。
线 宽 压 窄 是 由 闪 耀 光 栅 和 棱 镜 组 组 成［11］，采 用
Littrow 结 构 放 置 。 棱 镜 组 通 常 由 3~4 个 扩 束 棱 镜
组 成 ，用 来 减 小 到 达 光 栅 前 的 发 散 角 ，最 后 从 光 栅
镜 组 可 以 减 弱 达 到 光 栅 前 激 光 的 强 度 密 度 ，提 高 光
栅的使用寿命。
输 出 耦 合 镜 反 射 率 通 常 在 20%~40% 之 间 。
检 测 模 块 包 括 能 量 和 光 谱 检 测 ，用 于 实 时 检 测 系 统
的性能并反馈给控制器。控制器包含系统控制和
光 束 指 标 控 制 两 大 模 块 ，前 者 用 于 放 电 时 序 、出 光
模 式 和 与 光 刻 机 通 信 接 口 的 控 制 ，后 者 完 成 对 能
量、线宽等激光参数的精密控制。
3. 3 双腔准分子激光器原理
由于双腔准分子激光器在波长和重频上的优
点，在 100 nm 节点以内的光刻主要以双腔准分子激
光器为主。相比单腔 248 nm KrF 光源，双腔 193 nm
ArF 光源具有更快的曝光速度和更高的分辨率［13］。
如 图 7 所 示 ，双 腔 准 分 子 激 光 器 主 要 模 块 有 主
放 电 腔 、功 率 放 大 腔 、高 压 脉 冲 电 源 、线 宽 压 窄 模
块 、输 出 耦 合 镜 、检 测 模 块 、控 制 器 、光 路 传 输 模 块 、
脉 冲 展 宽 单 元 等 。 线 宽 压 窄 模 块 、主 放 电 腔 和 输 出
耦 合 镜 组 成 谐 振 腔 来 产 生 种 子 光 ，线 宽 压 窄 模 块 对
光 谱 进 行 选 择 ；种 子 光 从 输 出 耦 合 镜 后 的 检 测 模 块
（LAM）中 输 出 后 通 过 光 路 传 输 模 块 进 入 功 率 放 大
腔 ，对 种 子 光 进 行 放 大 ，放 大 后 的 激 光 会 再 次 进 入
检测模块（BAM）进行检测；为了减弱增益后的激光
[10]
对 光 源 后 续 的 光 刻 机 照 明 系 统 光 路 的 损 伤 ，从
图7 双腔准分子激光器原理图
Schematic of dual-chamber excimer laser system
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 特邀综述
BAM 输 出 的 光 会 入 射 到 脉 冲 展 宽 单 元 ，通 过 脉 冲
展宽单元对激光脉宽进行放大来减小激光峰值功
率 。 相 比 单 腔 准 分 子 激 光 器 ，激 光 经 过 功 率 放 大 腔
获 得 了 更 多 的 增 益 ，会 使 能 量 范 围 更 大 ，对 激 光 器
的线宽有更大的调节范围，所以逐渐在 100 nm 以内
的光刻节点中占据主流。
主振荡功率放大（MOPA）双腔光路
示 ，种 子 光 通 过 a1、a2 两 次 反 射 之 后 进 入 功 率 放 大
腔，然后在 b1 棱镜中再次反射回功率放大腔。这种
结构主放电腔输出的种子光会在功率放大腔中增
益两次，单脉冲能量获得增加。
图8 MOPA 双腔光路
Fig. 8 Light path of MOPA dual-chamber
主 振 荡 功 率 再 生 放 大（MOPRA）双 腔 光 路 如
图 9 所示，引入了可多次循环的环形结构［14］，可以在
不 改 变（甚 至 减 小）输 入 能 量 和 脉 冲 频 率 的 情 况 下
大幅度提升输出能量。主放电腔的种子光通过高
反 镜 a1 和 高 反 镜 a2 引 入 环 形 腔 ，部 分 反 射 镜 b1、高
反 镜 a3 和 棱 镜 c1 组 成 环 形 结 构 ，通 过 b1 的 光 被 a3
反 射 进 功 率 放 大 腔 ，然 后 被 c1 返 射 回 来 ，然 后 再 次
进 入 功 率 放 大 腔 ，此 时 到 达 b1 的 部 分 光 会 透 射 出
去 ，另 外 一 部 分 光 会 继 续 反 射 到 a3 重 复 之 前 的 路
径 ，这 样 光 就 会 在 环 形 结 构 中 多 次 反 射 ，光 束 会 比
之前的 MOPA 结构中更多地通过功率放大腔，能量
也 会 随 之 变 得 更 大 。 此 外 ，环 形 腔 的 光 谱 宽 度 、光
束质量都比 MOPA 结构有较明显的提升。
还 有 一 种 为 注 入 锁 定 双 腔 结 构［15］，光 路 如 图 10
图9 MOPRA 双腔环形光路
Fig. 9 Ring light path of MOPRA dual-chamber
图 10 注入锁定结构的光路
Fig. 10 Light path of injection lock structure
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所示，在功率放大腔两端分别有一个 b1 凹透镜和 b2
凸 透 镜 ，主 放 电 腔 输 出 的 种 子 光 进 入 由 b1、b2 和 功
率 放 大 腔 组 成 的 谐 振 腔 后 会 再 次 产 生 谐 振 ，种 子 光
会 在 功 率 放 大 腔 振 荡 多 次 ，能 量 也 多 次 得 到 放 大 。
与 MOPA 光路相比，注入锁定双腔结构对放电有更
高 的 效 率 、更 好 的 线 宽 、更 长 的 脉 宽 以 及 更 好 的 能
［13］
如图 8 所 量稳定性。
4 光刻光源关键技术
光 刻 机 被 誉 为 精 密 工 业 设 备“ 皇 冠 上 的 明 珠 ”，
从 整 机 到 各 核 心 子 系 统 、模 块 、元 器 件 ，涉 及 到 的 技
术 领 域 繁 多 、指 标 体 系 复 杂 、指 标 要 求 极 端 苛 刻 ，且
对 稳 定 性 、可 重 复 性 、可 靠 性 的 要 求 极 高 ，所 涉 及 的
产 业 链 深 度 和 广 度 复 杂 ，几 乎 在 每 一 个 领 域 都 在 挑
战现代大工业精密制造技术的极限。光刻准分子
激 光 技 术 涉 及 高 频 高 压 脉 冲 功 率 系 统 、气 动 放 电 腔
设 计 、深 紫 外 光 学 设 计 、紫 外/深 紫 外 精 密 检 测 、复
杂 系 统 控 制 理 论 与 设 计 、精 密 光 学 机 械 设 计 、高 纯
度 高 刚 度 金 属 合 金 材 料 的 加 工 制 造 、高 纯 度 陶 瓷 材
料的加工制造等多学科交叉领域。实际设计过程
中 ，需 要 根 据 光 刻 机 需 求 ，从 系 统 工 程 的 角 度 分 解
各 个 模 块/子 系 统 ，分 析 各 模 块 、各 参 数 的 耦 合 特
性 ，设 计 时 则 需 要 自 下 而 上 解 耦 合 ，其 过 程 较 为 复
杂 ，很 难 在 一 篇 短 文 中 从 系 统 论 的 角 度 去 阐 述 关 键
技 术 。 因 此 ，本 文 仅 仅 列 举 准 分 子 光 刻 光 源 的 核 心
系统指标所涉及的部分关键技术。
4. 1 中心波长和线宽
中 心 波 长 稳 定 性 、线 宽 及 稳 定 性 都 与 光 刻 机 数
值 孔 径 直 接 相 关 。 在 干 式 和 浸 没 式 光 刻 工 艺 中 ，中
心 波 长 、线 宽 及 其 稳 定 性 会 影 响 到 光 刻 分 辨 率 和 景
深，波长稳定性会影响到光刻图形的关键尺寸［1］，因
此提升光源的中心波长和线宽指标是很重要的工
作 ，典 型 光 刻 工 艺 节 点 与 光 源 所 需 中 心 波 长 、线 宽
指标的对应关系如表 5 所示。
放 电 腔 产 生 的 光 束 进 入 线 宽 压 窄 模 块 中 ，线 宽
压窄模块中的闪耀光栅会对特定波长的光束产生
反射，光栅公式如下：
2dn f sinα = mλ ， （12）
式 中 ：d 是 光 栅 周 期 ；λ 是 中 心 波 长 ；nf 是 光 栅 前 气 体
的折射率；α 是光栅入射角度；m 是衍射级数。
波 长 和 线 宽 除 了 受 到 光 束 入 射 角 度 、光 束 发 散
角 等 因 素 的 影 响 外 ，主 要 扰 动 因 素 还 包 括 线 宽 压 窄
模 块 中 的 光 学 元 件 材 料 、内 部 气 浴 流 场 、放 电 腔 内
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表5 典型工艺节点与线宽、中心波长稳定性的对应关系
Table 5 Relationship of process node with linewidth and center wavelength stability

Process Linewidth Center wavelength stability

Type
node /nm （FWHM）/pm /pm
180‒110 KrF single-chamber ≤0. 35‒0. 60 ≤0. 050
90‒65 ArF dual-chamber，dry ≤0. 25 ≤0. 030
45‒28 ArF dual-chamber，immersion ≤0. 25 ≤0. 030
14 ArF dual-chamber，immersion，multiple exposure ≤0. 25 ≤0. 018
7 ArF dual-chamber，immersion，multiple exposure ≤0. 25 ≤0. 012

部热量扰动和光源整体系统振动。光栅前空气折
射 率 会 受 到 线 宽 压 窄 模 块 内 温 度 的 影 响 ，当 线 宽 压
窄 模 块 的 温 度 无 法 稳 定 时 ，光 栅 前 空 气 折 射 率 会 因
为 气 浴 流 场 不 均 匀 而 发 生 变 化 ，会 影 响 光 束 波 前 ，
中 心 波 长 、线 宽 及 其 稳 定 性 都 会 受 到 影 响 。 气 浴 气
体折射率也会影响到中心波长和线宽，公式如下：
n g = 1 + KT/300 ，
式 中 ：ng 是 气 浴 气 体 折 射 率 ；T 是 温 度 ；K 是 比 例 系
数 ，式（13）反 映 了 气 体 折 射 率 与 温 度 及 比 例 系 数 的
关 系 。 氮 气 的 K 值 是 氦 气 的 8 倍 ，所 以 氦 气 在 热 量
不 均 匀 时 的 影 响 远 远 小 于 氮 气 ，但 氦 气 使 用 成 本 较
高 。 由 于 气 体 流 场 对 热 量 不 均 匀 性 的 影 响 很 大 ，因
此 应 合 理 设 计 散 热 结 构 ，减 弱 高 频 激 光 产 生 的 热
量 ，合 理 的 散 热 结 构 对 线 宽 压 窄 模 块 热 量 比 较 高 的
地 方 进 行 了 处 理 ，保 障 了 光 栅 入 射 角 的 一 致 性 ，使
［16］
得通过光栅后可以保证很好的线宽
波 长 、线 宽 也 与 放 电 有 关 。 比 如 每 个 剂 量 最 初
有一部分脉冲能量不稳定的现象与放电区域气体
［17］
热扰动有关 ，这 样 也 会 影 响 到 波 长 、线 宽 等 光 学
参 数 ；谐 振 腔 内 的 热 量 不 均 匀 也 会 引 起 腔 内 气 流 的
折 射 率 发 生 变 化 ，从 而 引 起 最 后 的 中 心 波 长 和 线 宽
的 变 化 ，所 以 腔 体 的 热 量 扰 动 也 对 波 长 和 线 宽 有 一
定的影响 ［18］
。 4. 2
波长稳定性和线宽稳定性对于入射光束发散
角 稳 定 性 、光 学 元 件 以 及 机 械 支 撑 结 构 的 稳 定 性 都
［19］
有很高的要求 。激光系统中振动是不可避免的，
有 很 多 很 难 控 制 的 运 动 ，也 有 很 多 必 须 运 动 的 部
件 ，其 振 动 会 影 响 到 波 长 和 线 宽 的 稳 定 性 ，所 以 需
要 一 些 设 计 控 制 这 些 运 动 带 来 的 振 动 ，比 如 使 用 磁
［20］
悬浮轴承 。 首 先 取 决 于 对 放 电 电 压 的 精 准 控 制 ，单 脉 冲 电 压 精
目前主要通过主动控制方法提升中心波长和
线宽指标 ［21］
，该 方 法 是 通 过 测 量 模 块 实 时 测 量 激 光
束 的 线 宽 和 中 心 波 长 ，然 后 将 信 号 反 馈 给 线 宽 压 窄
模块的闭环反馈系统。闭环反馈系统电机反应时
间 小 于 0. 1 ms，对 光 学 元 件 进 行 调 节 ，并 通 过 之 前
的 结 果 建 立 模 型 去 预 测 下 一 步 的 移 动 ，进 一 步 加 快
反 馈 速 度［22］。 此 外 ，还 可 以 用 压 电 陶 瓷 驱 动 器
（PZT）进 行 处 理［19］，PZT 对 波 长 错 误 的 反 应 频 率 可
以 达 到 1 kHz。 更 快 速 的 主 动 控 制 则 可 以 通 过 控 制
双 腔 同 步 延 迟 来 实 现 ，但 这 会 影 响 光 源 系 统 的 能 量
和 剂 量 稳 定 性 ，因 此 需 要 涉 及 更 复 杂 的 算 法 来 解 耦
（13） 线宽控制对能量和剂量稳定性的影响。可以设计
控制器去预测内部的光源干扰以及外部的波长闭
环 反 馈 系 统 的 物 理 状 况 ，结 合 高 级 自 适 应 和 学 习 技
术 ，运 用 前 馈 与 反 馈 算 法 共 同 稳 定 光 学 参 数 ，最 终
用这种控制可以实现提高线宽稳定性和波长稳定
性 的 同 时 ，不 影 响 能 量 和 剂 量 稳 定 性［23］。 从 长 期 稳
定 性 来 说 ，可 以 通 过 时 间 、电 压 、氟 气 含 量 等 系 统 参
数的分析来校准线宽。
线宽的测量方法也会影响测量结果的准确
。 性。光斑的不均匀可能会导致线宽的测量不够准
确 ，光 谱 测 量 光 路 中 会 使 用 匀 光 片 使 光 斑 匀 化［24］，
这样光谱测量不会因为对应光斑的位置原因而受
到 影 响 。 另 外 ，测 量 仪 器 的 准 确 性 也 对 线 宽 测 量
有 着 影 响 ，仪 器 函 数 的 傅 里 叶 变 换 出 来 的 结 果 需
要 小 于 待 测 的 线 宽 值 ，且 仪 器 函 数 需 要 被 准 确 地
测量。
能量及剂量稳定性
脉冲能量稳定性的优劣会影响到剂量稳定性，
剂量稳定性的提高能够减小光刻误差。对于集成
电 路 光 刻 来 说 ，能 量 变 化 的 概 念 ，也 即“energy
sigma”是 非 常 重 要 的 。 energy sigma 是 一 段 脉 冲 的
脉 冲 能 量 平 均 值 的 标 准 差 ，正 常 情 况 下 要 在 3%~
4% 以 内 ，理 想 情 况 可 能 会 更 低 。 脉 冲 能 量 的 控 制
度 需 要 控 制 在 0. 5‰ 以 内 。 其 次 ，要 使 用 复 杂 的 能
量 控 制 算 法 来 控 制“energy sigma”或 者 剂 量 的 稳 定
性 。 通 常 ，光 刻 准 分 子 光 源 系 统 使 用 多 重 嵌 套 能 量
控制来实现最终的能量或剂量控制目标。最基本
的控制回路主要是运用比例积分微分控制器（PID）

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或 改 进 PID 算 法 ，使 用 前 N 个 历 史 脉 冲 的 能 量 和 电
压 来 预 测 下 一 个 脉 冲 的 能 量 和 电 压 ，更 先 进 的 算 法
会 通 过 自 适 应 策 略 去 优 化 算 法 ，使 得 算 法 能 够 较 准
确 地 计 算 和 预 测 变 化 电 压 和 变 化 能 量 的 比 值 ，以 及
每一个电压需要精准的同步延迟。双腔同步延迟
控 制 的 要 求 也 非 常 高 ，对 于 重 复 频 率 为 6 kHz 的 光
源 系 统 ，双 腔 同 步 延 迟 的 控 制 精 度 需 要 在 ±5 ns 以
内 ，很 多 时 候 控 制 在 ±2 ns 以 内［25］。 而 且 同 步 延 迟
4. 3 放电一致性
保 证 放 电 一 致 性 是 放 电 腔 设 计 的 基 本 要 求 ，也
是整个准分子光源稳定工作的基础。实际工作中，
氟 气 消 耗 、放 电 区 域 残 气 、激 波 及 腔 体 放 电 产 生 的
杂质等都会影响放电一致性［30］。
氟 气 消 耗 会 导 致 气 体 反 应 不 充 分 ，导 致 放 电 一
致 性 受 到 影 响［31］。 通 过 增 加 电 压 会 改 变 气 体 的 效
率 ，改 善 放 电 。 当 电 压 已 经 无 法 提 升 时 ，就 会 通 过

并 非 一 个 固 定 值 ，同 样 需 要 根 据 激 光 器 的 历 史 和 实 补气和换气来改进氟气耗尽的情况。放电腔中的

时 状 态 ，估 算 最 佳 的 同 步 值 并 在 一 个 脉 冲 的 时 间 内 杂 质 会 影 响 放 电 一 致 性 ，放 电 腔 中 杂 质 有 两 个 大 的

调 节 到 最 佳 同 步 延 迟 。 同 时 ，能 量/剂 量 控 制 算 法 来 源 ：一 是 放 电 腔 组 件 的 释 气（outgass），尤 其 是 有

还 会 加 入 前 馈 回 路 ，来 修 正 首 脉 冲 问 题 ，以 及 不 同 机物杂质，对放电效率、放电稳定性和均匀性、电 - 光
效 率 都 会 有 很 大 影 响 ，因 此 放 电 腔 内 部 组 件 的 清 洁
重 频 、不 同 占 空 比 下 的 首 脉 冲 问 题 ；通 过 加 入 滤 波
度 要 求 非 常 高 ；二 是 放 电 过 程 中 电 极 溅 射 和 化 学 反
算 法 ，修 正 振 动 引 发 的 能 量 不 稳 定 问 题 。 对 于 长 期
应 产 生 的 金 属 尘 埃 、原 子 和 带 电 离 子 ，尤 其 在 高 频
能量稳定性，还需要补气策略算法来加以配合［26］。
放 电 时 放 电 时 间 间 隔 变 小 ，放 电 后 的 产 物 如 金 属 尘
能 量 稳 定 性 欠 佳 的 原 因 有 很 多 ，其 中 一 个 现 象
埃 和 带 电 离 子 难 以 移 除 ，容 易 引 起 放 电 的 不 稳 定 ，
就 是 首 脉 冲 能 量 超 调 ，即 一 个 剂 量 中 前 几 个 脉 冲 能
并且会降低能量稳定性和放电效率。
量 远 远 高 于（有 些 情 况 下 也 会 低 于）后 面 脉 冲 能 量
除 了 放 电 腔 中 固 有 的 杂 质 ，每 次 放 电 后 产 生 的
的 现 象 。 首 脉 冲 超 调 的 原 因 很 多 ，与 气 体 配 比 、气
带 电 离 子 、金 属 颗 粒 等 会 使 放 电 区 处 于 一 个 低 阻 抗
体 杂 质 含 量 都 有 关 系 。 其 中 ，氙 气 含 量 异 常 会 导 致
状 态 ，需 要 及 时 清 扫 出 放 电 区 ，从 而 不 影 响 下 一 个
首 脉 冲 的 问 题 ，氙 气 含 量 异 常 会 引 发 单 脉 冲 能 量 随
脉冲放电［1］。所以为了每次放电后腔内的杂质影响
机 跌 落 ，一 般 情 况 下 氙 气 的 质 量 分 数 为 10−6 时 能 量
最 小 ，获 得 更 加 一 致 的 放 电 ，需 要 提 高 腔 内 清 扫 率 ，
输出较好［27］。
这 就 需 要 提 高 风 机 的 转 速 、减 小 放 电 区 域 等 手 段 。
能量掉点也是能量稳定性不好的一个表现。
放 电 区 清 扫 示 意 图 如 图 11 所 示 。 图 中 W 为 放 电 区
能量掉点是指一个脉冲串里突然有脉冲的能量比
域的宽度，S 为放电后杂质被清扫移动的区域，V 为
其 他 脉 冲 能 量 低 很 多 的 现 象 ，很 难 用 剂 量 稳 定 性 的
风速，清扫率是 S 与 W 的比值。
算 法 去 规 避 ，这 种 现 象 被 称 为 低 能 量 脉 冲 现 象（low
energy event）
［28］
，即使在清扫率比较高的时候，低能
量的脉冲也是有可能发生的。需要重新设计气体
流 动 路 径 和 电 极 结 构 去 改 进 气 体 流 速 ，尤 其 是 去 提
高 电 极 表 面 的 吹 扫 速 度 。 此 外 ，这 种 能 量 掉 点 会 在
腔 的 除 尘 装 置 中 慢 慢 失 效 后 变 多 ，为 了 应 对 这 一 情
况 并 提 高 腔 的 使 用 寿 命 ，也 可 以 通 过 除 尘 装 置 优 化
设计进行提升［29］。
能量扰动是另一个影响腔中气体密度和电子 图 11 放电区清扫示意图［1］

密度的问题。能量扰动可能与腔体和光学元件的 Fig. 11 Schematic of clearance in discharge region [1]

振 动 有 关 ，比 如 从 风 扇 返 回 的 激 波 可 能 会 造 成 能 量
扰 动 ，需 要 重 新 设 计 风 扇 去 减 少 这 种 扰 动 ，激 波 是
引起能量扰动和剂量稳定性下降的重要原因。同
时对双腔放电延迟控制的精度也会影响到能量扰
动 ，时 间 、电 压 、温 度 的 控 制 对 放 电 延 迟 的 影 响 和 能
量扰动都有着很重要的作用。
放电腔中的激波是影响放电的重要因素。当
能 量 快 速 注 入 到 放 电 腔 中 ，会 造 成 温 度 急 速 上 升 导
致 气 体 介 质 的 波 动 ，当 这 种 波 动 在 放 电 腔 中 两 个 界
面 间 形 成 共 振 时 就 产 生 了 激 波 ，激 波 会 导 致 放 电 腔
中气体密度扰动并影响放电的稳定性和放电的质
量 ，对 远 场 的 光 束 质 量 也 会 有 影 响 ，比 如 影 响 光 束

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发 散 角［1］、波 前 扭 曲 、线 宽 等 。 一 般 来 说 有 两 种 方 处 的 金 属 杂 质 ，一 般 会 在 窗 片 附 近 做 特 殊 的 流 场
［32］
法 来 减 弱 激 波 的 影 响 ：一 是 在 放 电 腔 内 安 装 激 波 设计。
吸 收 片 ；二 是 在 放 电 区 域 附 近 移 除 会 反 射 激 波 的 4. 5 气体寿命
［33］
结构 。 气体寿命对光学参数的稳定性和激光器成本
4. 4 放电腔杂质控制 都 有 直 接 的 影 响 。 随 着 腔 内 反 应 的 进 行 ，氟 原 子 会
高 频 放 电 时 放 电 腔 很 容 易 产 生 各 种 杂 质 ，主 要 逐 渐 耗 尽 ，污 染 物 逐 渐 增 加 ，导 致 氟 原 子 的 减 少 和
为气体杂质和固体杂质。腔中的杂质会极大影响 放 电 效 率 的 降 低 。 同 时 ，随 着 反 应 进 行 ，氟 气 会 与
到 腔 的 放 电 均 匀 性 及 放 电 效 率 ，从 而 影 响 光 源 各 项 放 电 腔 内 壁 及 其 他 腔 内 物 质 反 应 成 氟 化 物 ，能 量 和
指标参数。 稳 定 性 都 会 随 着 氟 气 的 耗 尽 逐 渐 下 降［38］。 初 始 阶
放电腔中绝缘体的使用会极大地减少金属尘 段可以通过增加电压来提高能量和解缓能量稳定
埃 ，但如果绝缘材料选择不当 ，碳氢化合物、Si、S 等 性 的 下 降［31］，当 电 压 提 高 达 到 一 定 的 数 值 时 就 需 要
杂 质 有 很 大 可 能 会 被 绝 缘 材 料 引 入 腔 中 ，这 些 杂 质 通 过 补 气 来 增 加 气 体 寿 命 ，主 要 通 过 控 制 算 法 实 现
会 通 过 光 子 吸 收 、沉 积 膜 层 来 减 小 能 量 、加 速 电 极 微量的气体注入实现补气。补气可以减少因换气
的 损 耗 并 减 少 气 体 寿 命 ，纯 陶 瓷 和 高 纯 度 金 属 对 电 导 致 的 机 台 停 止 放 电 时 间 ，以 及 恢 复 成 换 气 前 的 光
［34］
极来说是比较好的材料 。 学参数状态所需要的时间。
对 于 气 体 杂 质 检 测 ，可 以 使 用 质 谱 仪 和 红 外 光 有几种策略可以用于检测和计算放电腔中氟
谱 仪 ，通 过 测 量 各 种 气 体 的 成 分 及 含 量 ，分 析 杂 质 气 浓 度 的 消 耗 ，从 而 定 时 注 入 适 量 的 工 作 气 体 ，达
［35］
对激光输出的影响 。 主 要 有 两 种 方 法 ：一 是 分 别 到延长气体寿命的目的。比如可以观察能量的变
把 质 谱 仪 和 红 外 光 谱 仪 连 接 在 放 电 腔 外 部 ；二 是 把 化 或 者 氟 气 的 浓 度 来 判 断 氟 气 的 量 ，通 过 氟 气 反 馈
傅 里 叶 红 外 光 谱 仪（FTIR）装 在 放 电 腔 内 部 来 检 测 系 统［37］，其 中 检 测 系 统 会 实 时 反 馈 至 氟 气 流 量 控 制
气体杂质含量［36］。 系 统 ，对 腔 内 的 气 体 进 行 补 给 和 排 气 ；在 更 复 杂 的
对于放电腔的杂质控制一般使用静电除尘装 算 法 里 ，还 可 以 在 注 气 时 ，观 察 光 谱 的 变 化 ，根 据 算
置 俘 获 金 属 氟 化 物 ，利 用 在 静 电 除 尘 装 置 入 口 和 出 法每次注气保持在 2% 以内［39］。气体寿命控制系统
口 的 气 压 差 驱 动 气 体 流 经 高 压 静 电 区 域 ，从 而 移 除 就是在气体算法基础上发明的［40］，具体原理如图 12
大 多 数 的 固 体 放 电 产 物［37］。 同 时 为 了 减 小 窗 口 片 所示。

图 12 气体寿命控制系统基本原理图［40］
Fig. 12 Basic schematic of gas lifetime controller system [40]

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4. 6 光学元件损伤
光 学 元 件 损 伤 与 激 光 器 可 靠 性 有 直 接 关 系 ，决
定了激光器的寿命和运行成本。主要易损元件是
线 宽 压 窄 模 块 中 的 光 栅 、棱 镜 ，放 电 腔 的 布 窗 镜 ，以
及 光 路 传 输 模 块 中 的 反 射 镜 和 棱 镜 。 窗 镜 、反 射 镜
和 棱 镜 主 要 是 氟 化 钙 材 料 ，氟 化 钙 在 紫 外 到 红 外
（180 nm~8. 0 µm）的 波 长 范 围 内 透 过 率 高 ，机 械 和
环 境 稳 定 性 高 ，非 常 适 合 作 为 准 分 子 激 光 器 的 光 学
元 件 ，也 几 乎 是 唯 一 可 用 的 光 刻 准 分 子 激 光 器 的 光
学元件材料。
在 高 温 和 水 蒸 气 下 ，氟 化 钙 表 面 会 被 氧 化 ，从
而 影 响 性 能 ，所 以 良 好 的 密 封 和 氮 气 吹 扫 是 必 须
的 ［41］
。突然高频出光或者高频突然停止出光都可
能会对窗镜带来损伤 ［42］
。对镜片出光相当于对镜
片 升 温 ，对 镜 片 出 光 停 止 相 当 于 对 镜 片 降 温 ，通 过
实验比较发现慢慢升温和突然升温以及慢慢降温
和突然降温对镜片的损害是不同的。
通过镀膜可以提高氟化钙的寿命同时保证光
学 性 能 不 变 ，首 先 ，镀 掺 杂 了 氟 离 子 的 二 氧 化 硅 会
使氟化钙的寿命提高 1000 倍，但透射率会降到 90%
左右 ，通过再镀一层增透膜会再提高透射率到 99%
以上 ［43］
。氟化钙的纯度对于氟化钙的寿命也起着
重 要 的 作 用［44］，由 于 双 光 子 的 吸 收 会 导 致 色 心 的 形
成 ，所 以 提 高 氟 化 钙 的 纯 度 对 吸 收 率 的 改 善 会 有 很
大 帮 助 ，同 时 尽 力 避 免 因 外 部 热 量 、机 械 应 力 及 本
身材料特性导致的双折射现象。
4. 7 电源模块性能提升
电 源 模 块 需 要 更 高 的 可 靠 性 、更 长 的 寿 命 、更
好 的 热 量 管 理 、更 低 的 成 本 和 更 高 的 效 率 。 通 过 提
高 谐 振 充 电 输 出 功 率 、改 善 电 源 模 块 热 结 构 设 计 ，
可 提 升 电 源 模 块 工 作 效 率 ；通 过 算 法 提 高 充 电 精
度 ，可 保 证 在 高 重 频 高 功 率 工 作 条 件 下 实 现 高 效 能
精 准 谐 振 充 电 ；通 过 磁 开 关 伏 秒 级 设 计 ，储 能 电 容
参 数 优 化 以 及 脉 冲 压 缩 的 磁 芯 、匝 数 、散 热 和 复 位
电 路 设 计 ，可 提 升 电 源 模 块 单 脉 冲 输 出 能 量 ，满 足
磁脉冲压缩电路用于将几微秒的脉冲压缩到
几 十 纳 秒 。 磁 脉 冲 压 缩 电 路 的 效 率 越 低 ，则 需 要 的
压 缩 级 数 越 多 ，整 个 系 统 损 耗 就 越 大 ，导 致 整 机 的
电 光 效 率 、可 靠 性 和 可 维 护 性 降 低 。 通 过 全 密 封 结
构 、微 通 道 、高 水 阻 点 位 分 离 设 计 等 手 段 ，可 以 将 磁
脉 冲 压 缩 效 率 提 高 到 98%，从 而 提 高 脉 冲 压 缩
效率。
电源模块是同步延迟控制最重要的模块。通
过调整固体脉冲电源模块电压和温度变化带来的
时间延迟，MOPA 的主放电腔和功率放大腔的放电
时 间 同 步 延 迟 误 差 可 以 保 持 在 ±2 ns［25］。 电 源 模 块
中 的 温 度 也 对 延 迟 有 着 影 响 ，磁 芯 上 的 温 度 越 高 ，
触 发 和 脉 冲 的 延 迟 越 短 ，所 以 电 源 模 块 的 温 度 需 要
被精确控制和检测。
击 穿 电 压 决 定 了 脉 冲 能 量 注 入 效 率 ，可 以 通 过
对 磁 脉 冲 压 缩 电 路 的 优 化 进 行 提 高［28］。 充 沛 的 高
电压放电能够避免放电不一致的发生。
激光器需要更好的结构获得更高的效率并降
低运行成本。预电离的优化使电场更集中并增加
由 阶 梯 电 极 产 生 的 紫 外 光 的 利 用 率 ，能 够 提 供 更 高
的 放 电 强 度 和 放 电 一 致 性 ，因 此 在 输 出 能 量 不 变 的
情况下降低总输入功率［46］。
4. 8 光束质量提升及测试
光 束 质 量 也 影 响 着 光 刻 的 结 果［47］，需 要 通 过 一
些方法提升光束质量，并且进行准确测试。
放电腔中的散热和放电不一致都会造成光束
质 量 的 扰 动 。 改 进 激 光 器 的 设 计 ，包 括 放 电 腔 的 结
构 、散 热 方 式 、光 路 等 都 会 对 光 束 质 量 有 所 改 善 ，也
可 以 通 过 其 他 方 法 主 动 去 改 善 ，通 过 光 学 元 件 来 主
动 抑 制 激 光 器 中 光 束 的 抖 动［18］，包 括 发 散 角 、光 束
指向稳定性等。激光器输出光束中的散斑与相干
性 相 关 ，是 激 光 器 中 各 个 光 学 元 件 干 涉 的 结 果 ，由
光 源 在 时 间 和 空 间 的 相 干 性 所 导 致 ，减 小 光 束 散 斑
可以提高光束质量［47］。
光斑尺寸大小是判断光束质量非常重要的参
数，光束传播可以用图 13 和下式［48 50］来描述：
-

高功率放电需求。

( )
2
电源模块中固体脉冲单元最关键的是绝缘栅 M2λ
( Z - Z ) ， （14）
2
W x2 ( Z ) = W 0x2 + 0x
双 极 晶 体 管（IGBT）开 关 。 相 比 电 子 闸 流 管 πW 0x
（thyratron）开关，IGBT 开关有着更长的工作寿命和 πW 0x
M2=θ ， （15）
更高的开关效率［12］。同步控制的严格要求对 IGBT λ
驱 动 提 出 了 很 高 要 求 ，激 光 脉 冲 频 率 为 6 kHz 时 ， 式中：W x ( Z ) 是 光 束 的 半 径 ；W 0x 是 初 始 光 束 半 径 ；
IGBT 开 关 的 频 率 远 超 6 kHz，抖 动 控 制 在 0. 58 ns Z 是 传 播 的 轴 ；Z - Z 0x 是 传 播 的 距 离 ；M 2 是 光 束 质
以内，漂移在 1. 28 ns 以内［12，45］。 量 因 子 并 与 光 束 类 型 相 关 ，如 果 是 高 斯 基 模 ，M 2 =

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I x ，y）是光束强度。
光束能量分布标准差；（
相 比 高 斯 基 模 的 光 斑 尺 寸 求 解 方 法 ，对 于 准 分
子激光比较精准的测试方法是刀口法。对于刀口
法 ，首 先 要 用 两 个 刀 口 比 例 去 切 光 斑 ，用 这 两 个 刀
口间的距离和光斑相对的尺寸因子求解光斑尺寸。
对 于 准 分 子 激 光 ，由 于 光 斑 更 均 匀 ，所 以 准 分 子 激
光 的 光 斑 并 不 是 传 统 意 义 上 的 高 斯 基 模 光 斑 ，而 是
接近“top hat”型的光斑［48］，高斯基模光斑如图 14（a）
“ top hat”型 光 斑 如 图 14（b）所 示 ，刀 口 比 例 和
所示，
图 13 光束传播示意图
D c / σ x 对 于 各 多 模 高 斯 模 式 如 图 14（c）所 示［48］ ，
Fig. 13 Diagram of light propagation
图 14（c）中 ，高 斯 光 束 模 式（n）为 基 模（n=0）时 的 曲
1 ；λ 是波长；θ 是发散角。 线 与“top hat”型 光 斑 的 曲 线 在 刀 口 比 例 5% 处 相
同时光束直径 d x 可以用下式来表示： 交 ，由 于 光 斑 尺 寸 通 过 高 斯 基 模 的 尺 寸 因 子 去 计
d x = 2W x = 4σ x ， （16） 算 ，所 以 刀 口 取 值 用 95% 和 5% 时 ，用 此 刀 口 加 上
x
2
(
σ = ∬x I x，y dxdy ，
2
) （17） 这个比例下的高斯基模的尺寸因子就可以求解
式中：d x 是 x 方向的光斑尺寸；W x 是光束半径；σ x 是 “top hat”型光斑尺寸。

图 14 （a）高斯基模光束［48］；
高斯模式和准分子激光模式的强度分布及其刀口曲线。 （b）准分子激光光束［48］；
（c）多个高斯模式
刀口比例 ∈ 和 D c /σx 对应的图［49］
Fig. 14 Intensity distributions of Gaussian mode and excimer mode and their curves of knife edge. (a) Beam of Gaussian
fundamental mode[48] ; (b) beam of excimer laser[48] ; (c) relationship between knife edge ratio ∈ and D c /σx for several
Gaussian modes[49]

对 于 x 方 向 ，D c / σ x 对 应 的 是 比 例 因 子 S，如 对 于 远 场 光 斑 ，由 于 光 斑 强 度 分 布 方 式 接 近 高
图 14（c）中所示，D c 是两个比例的刀口间距离，所以 斯 基 模 ，所 以 对 刀 口 比 例 没 有 具 体 要 求 ，所 以 此 时
可以得到 应 该 用 ISO 标 准 的 90/10 刀 口 法 去 计 算 远 场 光 斑 。
Dc 光 束 位 置 稳 定 性 和 光 束 质 量 稳 定 性 ，则 可 以 通 过 位
σx = ， （18）
S 置传感器进行测量［52］。
光斑尺寸可以根据式（16）和式（18）确定如下：
d x = 4/S × D c 。 （19）
5 未来发展趋势
从 图 14（c）中 看 出 高 斯 基 模 5% 对 应 的 比 例 因 在 国 家 战 略 科 技 力 量 体 系 化 布 局 下 ，我 国 光 刻
子 S 大 概 在 3. 300 左 右 ，同 时 经 过 理 论 推 导 ，可 以 算 准 分 子 激 光 技 术 取 得 了 显 著 进 展 ，攻 克 了 一 系 列 高
出 精 确 的 高 斯 基 模 在 5% 刀 口 对 应 的 S 为 3. 287， 性能准分子激光核心关键技术。随着科技的发展，
4/S 为 1. 217，所以 1. 217 就是 95/5 光斑尺寸的计算 所 需 要 的 光 刻 工 艺 节 点 在 逐 渐 变 小 ，这 使 得 光 刻 设
系数 ，y 方向光斑尺寸计算方法类似。
［51］
备的制造难度逐渐增大。光刻机光源未来主要有

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 特邀综述 第 59 卷 第 9 期/2022 年 5 月/激光与光电子学进展

两 种 趋 势 ：一 是 降 低 激 光 器 成 本 、提 高 效 率 ；二 是 优
化 现 有 激 光 器 ，同 时 继 续 提 高 光 学 精 度 ，优 化 节 点
指标 。 如 图 15 所 示 ，5 个 方 框 代 表 了 激 光 器 各 模
［53］
块 的 技 术 进 步 ，分 别 可 归 纳 为 对 生 产 率 的 提 高 、耐
久 性 的 提 高 和 精 度 的 提 高 ；低 的 功 耗 带 来 了 更 低 的
成 本 ，提 高 了 生 产 率 ；先 进 的 材 料 使 激 光 器 的 耐 久
性 进 一 步 增 强 ；更 好 的 光 学 元 件 、设 计 结 构 和 控 制
算法进一步提高了光学性能。

图 15 新的准分子激光光源各方面性能得到提升，包括生产率、耐久性和光学性能
Fig. 15 Recent excimer laser source is improved in many aspects, including production ratio, durability and optical performance

5. 1 成本和生产率 气 流 不 够 ，再 通 过 气 罐 通 过 质 量 流 量 计 B 直 接 提 供
7 nm 以 下 光 刻 工 艺 节 点 的 进 步 虽 然 可 以 提 升 气 体 。 所 有 的 数 据 类 似 气 压 、温 度 和 气 量 都 被 实 时
性 能 ，但 成 本 会 更 高 ，所 以 未 来 将 向 着 更 低 成 本 、更 监 控 、计 算 和 存 储 。 在 氦 气 方 面 ，Gigaphoton 公 司
长寿命和更低能耗的方向发展。 还设计了新的线宽压窄模块结构去节省氦气的使
5. 1. 1 气体供应 用［55］，这 个 设 计 利 用 氮 气 进 行 吹 扫 ，由 于 氮 气 受 温
表 6 是 Cymer 公司和 Gigaphoton 公司近年来对 度 影 响 较 大 ，重 新 设 计 了 新 的 结 构 使 线 宽 压 窄 模 块
氦 气 和 氖 气 方 面 的 优 化 。 由 于 气 体 供 应 的 原 因 ，同 的 散 热 更 好 ，同 时 保 持 光 学 性 能 指 标 不 变 ，最 终 使
时 也 为 了 节 省 成 本 ，激 光 器 在 气 体 使 用 上 进 行 了 更 线宽压窄模块中的氦气可以完全被氮气代替。
多的研发改进 ［54］
。 Cymer 公 司 同 时 也 开 发 和 验 证 了 氖 气 循 环 系 统［56］，
由 于 氖 气 和 氦 气 使 用 成 本 较 高 ，通 过 新 的 设 计 XLGR 氖 气 循 环 系 统 的 主 要 原 理 如 图 17 所 示 ，图
可大幅度减少氖气消耗。这种气体循环系统开始 中 tri-mix 是 3 种 气 体 混 合 ，bi-mix 是 2 种 气 体 混 合 ，
在 Gigaphoton 公 司 的 GT65A 型 光 源 上 使 用 ［54］
， XL 是 激 光 器 系 统 型 号 。 废 气 通 过 纯 化 压 缩 之 后 作
hTGM 的 原 理 如 图 16 所 示 ，用 过 的 气 体 会 通 过 过 为 两 种 混 合 气 再 次 进 入 激 光 器 ，减 少 了 氖 气 的
滤 等 装 置 转 移 到 B 罐 ，并 通 过 质 量 流 量 计 A。 如 果 消耗。
表6 Cymer 和 Gigaphoton 近几年在气体减少和循环方面工作的对比
Table 6 Comparison of gas reduction and recycling between Cymer and Gigaphoton in recent years
Year Cymer Gigaphoton
2015 With GLX system and Neon reduction Helium is replaced by Nitrogen for GT64A，and it saves 80 kL Nitrogen
2016 system，75% of Neon usage is saved for per year；For GT63A，with help of eTGM Neon reduction system，
2017 XLR700ix usage of Neon is reduced from 200 kL per year to 100 kL per year
On basis of Neon reduction system，90%
2018 On basis of eTGM，92% Neon is recycled by hTGM Neon recycling
Neon is saved by XLGR Neon recycling
system for GT65A
2019 system for XLR800ix

5. 1. 2 电力 用 率 、放 电 以 外 的 功 耗（比 如 风 扇 、加 热 棒 等）等 方
在 电 力 方 面 ，可 以 优 化 系 统 放 电 效 率 、电 力 利 面 。 通 过 环 形 光 路 结 构 提 升 输 出 能 量 ，提 高 光 束 输

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图 16 Gigaphoton 的 hTGM 氖气循环系统原理图［54］

Fig. 16 Concept schematic of Gigaphoton hTGM Neon recycling system [54]

图 17 Cymer 的 XLGR 氖气循环系统原理图［56］

Fig. 17 Concept schematic of Cymer XLGR Neon recycling system［56］

出 功 率［14］ ，双 腔 MOPRA 结 构 达 到 了 类 似 的 效 护频次也是准分子激光器的一个新的研究趋

［15］
果 。 通 过 对 主 放 电 腔 电 极 优 化 ，改 变 了 电 极 材 料 势［58］。 为 了 减 少 碳 排 放 ：一 方 面 是 更 少 的 维 护 次
和 形 状 使 腔 内 的 放 电 更 加 一 致 ，使 放 电 腔 在 用 了 较 数 、更 长 的 维 护 间 隔 时 间 ；另 一 方 面 是 提 升 激 光 器
［57］
长时间之后也能保持比较稳定的放电注入能量 。 整体的转换效率。通过新型材料和新的结构设计，
5. 1. 3 提高寿命 激 光 器 性 能 可 以 长 时 间 保 持 稳 定 ，从 而 降 低 维 护 次
提高激光器使用寿命也是未来的趋势。在光 数。这样在整个激光器产业链环节消耗的能源会
学材料方面的技术突破可以使激光器中光学元件 减少很多。
的 寿 命 得 到 提 高 ，比 如 对 膜 层 的 优 化 可 以 极 大 减 缓 5. 2 光刻节点优化
紫 外 光 的 辐 射 损 伤 ，使 得 线 宽 压 窄 等 模 块 的 寿 命 大 对 于 光 刻 准 分 子 激 光 器 ，满 足 晶 体 管 光 刻 工 艺
幅度提升。对放电电极的优化不仅可以提升放电 节 点 需 要 ，提 升 光 刻 节 点 对 应 的 指 标 性 能 是 最 根 本
腔的使用寿命也可以促进气体寿命的提升。通过 的研究方向。
电 极 结 构 和 材 料 优 化 ，能 够 在 运 行 较 长 时 间 后 依 然 相 比 以 往 的 光 刻 机 数 值 孔 径 ，随 着 节 点 越 来 越
保 持 稳 定 放 电 ，放 电 腔 的 寿 命 主 要 由 放 电 腔 的 能 量 小 ，准 分 子 激 光 器 未 来 的 性 能 主 要 从 光 源 参 数 的 稳
稳 定 性 开 始 恶 化 的 时 间 点 决 定 。 表 7 是 Cymer 和 定性上提升。随着双重曝光以及多重曝光在光刻
Gigaphoton 公 司 最 近 几 年 在 激 光 器 寿 命 上 的 工 艺 中 的 成 功 应 用 ，带 来 了 更 多 对 工 艺 控 制 上 的 要
［15］
发展 。 求 ，包 括 关 键 尺 寸 、套 刻 误 差 、边 缘 放 置 误 差 、光 刻
5. 1. 4 减少碳排放 和 图 形 工 具 ，需 要 更 多 的 方 法 去 解 决 这 些 误 差 并 保
除 了 改 善 使 用 寿 命 ，降 低 激 光 器 及 各 模 块 的 维 持 良 好 的 工 艺 制 程 。 同 时 ，光 源 也 需 要 与 后 端 光 刻

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表7 Cymer 和 Gigaphoton 近几年在激光器寿命上的对比

Table 7 Comparison of laser lifetime between Cymer and Gigaphoton in recent years

Year Cymer Gigaphoton

2015
Maximum lifetime of XLR700ix is 90 billion
2016 Maximum chamber lifetime of GT64A is 40 billion pulses
pulses
2017
2018 Maximum chamber lifetime of XLR800ix is 120
Maximum chamber lifetime of GT64A is 60 billion pulses
2019 billion pulses
Expected maximum chamber lifetime of
2020 Maximum chamber lifetime of GT66A-1 is 100 billion pulses
XLR900ix is 180 billion pulses
Maximum chamber lifetime of GT66A-1 is 120 billion pulses
Future NA
and maximum line narrowing module lifetime is 180 billion pulses

工 艺 更 好 地 进 行 结 合 和 调 整 ，通 过 减 小 各 项 光 学 系
数 来 优 化 关 键 尺 寸 、套 刻 误 差 、边 缘 放 置 误 差 。 较
小的节点需要更好的线宽稳定性和更好的波长稳
定性，E95 的稳定性和关键尺寸的一致性成正比，想
要 关 键 尺 寸 变 小 ，就 需 要 提 高 线 宽 稳 定 性 ，如 图 18
所 示 。 同 时 波 长 稳 定 性 会 影 响 套 刻 误 差 、对 焦 ，更
多的套刻误差和对焦的优化还需要在光源后续的
［59］
照明系统和物镜系统中开展验证 。波长和线宽
等参数的稳定性不仅直接影响曝光图形的关键尺
寸 绝 对 值 和 关 键 尺 寸 一 致 性 ，线 宽 优 化 在 与 光 学 邻
近 效 应 修 正 的 配 合 下 ，还 可 以 有 效 减 小 色 差 导 致 的
［60］
成 像 模 糊 ，从 而 得 到 更 好 的 图 像 对 比 度
在 光 源 光 罩 协 同 优 化 情 况 下 ，E95 指 标 的 提 高 可 以
改 善 曝 光 宽 容 度 、光 罩 误 差 增 强 因 素 以 及 关 键 尺 寸
的一致性［61］。
长稳定性的提升主要通过不断改进线宽压窄模块中
光 学 元 件 的 加 持 结 构 ，提 高 系 统 整 体 刚 度 来 抑 制 光
学 元 件 的 振 动 ；优 化 线 宽 压 窄 模 块 中 转 动 光 学 元 件
的 响 应 速 度 ，以 及 优 化 脉 冲 到 脉 冲 的 闭 环 反 馈 来 调
整双腔延迟等多种手段获得更稳定的波长和线宽指
标，进而得到更加稳定的曝光图形关键尺寸。
此 外 ，通 过 改 善 脉 冲 展 宽 单 元 可 以 减 少 散 斑 ，
也 是 未 来 减 小 边 缘 放 置 误 差 、提 升 分 辨 率 的 方
法［62］，从而降低光刻机曝光图形边缘粗糙度。
5. 3 光刻检测应用
5. 3. 1 光刻过程中的检测
。同时， 由 于 低 相 干 性 ，准 分 子 激 光 器 也 可 以 用 于 光 刻
中 对 样 品（主 要 指 硅 片）的 检 测 ，同 时 更 短 的 波 长 也
有 利 于 更 小 结 构 的 检 测［63］。 当 激 光 用 于 光 罩 检 测
时 ，光 谱 较 宽 会 带 来 色 差 ，光 谱 较 窄 会 带 来 空 间 相
干 性［64］，都 会 影 响 检 测 准 确 性 。 Coherent 公 司 的
193 nm 准 分 子 激 光 器 设 备 ExciStar S -lndustrial，如
图 19 所示，激光器的色差和空间相干性尽可能地被

图 18 E95 变 化 跟 关 键 尺 寸 变 化 的 关 系 基 本 上 成 线 性 相 关
的关系
Fig. 18 Relationship between change of E95 and change of
critical dimension is basically linear correlation
图 19 相 干 公 司 设 计 的 准 分 子 激 光 检 测 设 备 ExciStar S -
线宽和波长依旧是光刻节点向前发展的重要因 lndustrial［64］
素，尤其在 32 nm 节点以下，线宽和波长的稳定性比 Fig. 19 Excimer laser inspection system ExciStar S -
剂量稳定性对光刻结果有着更深的影响。线宽和波 Industrial designed by Coherent Inc[64]

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减 小 。 KLA -Tencor 公 司 也 用 准 分 子 激 光 对 光 刻 样 Stimulated emission in the vacuum ultraviolet region

品 进 行 检 测 ，检 测 包 括 明 场 和 暗 场 检 测 ，其 中 一 种 [J]. Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, 1

(1): 18-22.
测 量 设 备 使 用 光 子 晶 体 光 纤［65］用 于 检 测 样 品 的 缺
[3] Golde M F, Thrush B A. Vacuum UV emission
陷 ，光 纤 结 构 如 图 20 所 示 。 相 比 以 往 的 检 测 产 品 ，
from reactions of metastable inert gas atoms:
这 种 检 测 设 备 有 更 高 的 亮 度 ，可 用 于 20 nm 等 级 水
Chemiluminescence of ArO and ArCl[J]. Chemical
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Fig. 20 Cross section of fiber structure used in laser
[10] Borisov V M, El’tsov A V, Khristoforov O B. High-
inspection system [65]
power, highly stable KrF laser with a pulse repetition
5. 4 中国光刻光源发展前景 rate[J]. Quantum Electronics, 2015, 45(8): 691.

总 体 来 说 ，虽 然 我 国 在 光 刻 准 分 子 激 光 器 研 [11] Sengupta U K. Krypton fluoride excimer laser for

advanced microlithography[J]. Optical Engineering,
发 方 面 已 取 得 阶 段 性 成 果 ，但 由 于 起 步 晚 、前 期 投
1993, 32: 2410-2420.
入 不 足 ，以 及 基 础 材 料 技 术 、基 础 工 业 技 术 积 累 薄
[12] Ness R, Melcher P, Ferguson G, et al. A decade of
弱 等 因 素 ，我 国 在 光 刻 准 分 子 激 光 器 领 域 相 较 于 国
solid state pulsed power development at Cymer Inc
外 先 进 一 流 技 术 仍 有 较 大 差 距 。 近 年 来 ，随 着 西
[C]∥Conference Record of the Twenty-Sixth
方 世 界 强 国 对 国 内 光 刻 机 产 业 链 的 禁 运 或 限 运 ，给 International Power Modulator Symposium, 2004
国内光刻准分子激光器乃至整个光刻产业链发展 and 2004 High-Voltage Workshop, May 23-26,
带 来 契 机 ；同 时 由 于 摩 尔 定 律 的 限 制 ，国 外 公 司 在 2004, San Francisco, CA, USA. New York: IEEE
光刻准分子光源技术方面很难有较大的跨越式 Press, 2004: 228-233.

发 展 ，为 国 产 光 刻 准 分 子 激 光 器 的 发 展 提 供 了 更 多 [13] Fleurov V B, Colon D J, Brown D J W, et al. Dual-

的时间与机会。国内光刻准分子激光和光刻产业 chamber ultra line-narrowed excimer light source for

193-nm lithography[J]. Proceedings of SPIE, 2003,
正 在 逐 步 追 赶 ，随 着 关 键 技 术 研 究 的 突 破 和 相 关 产
5040: 1694-1703.
业 链 的 成 熟 ，国 内 光 刻 准 分 子 激 光 器 公 司 正 在 慢 慢
[14] Brown D J W, O’Keeffe P, Fleurov V B, et al.
拉 近 与 国 外 公 司 的 差 距 ，相 信 有 一 天 中 国 的 光 刻 准
XLR 500i: recirculating ring ArF light source for
分子激光器和光刻机将在世界占据自己的一席 immersion lithography[J]. Proceedings of SPIE,
之地！ 2007, 6520: 652020.
[15] Igarashi M, Miyamoto H, Katou M, et al. Imaging
参 考 文 献
performance enhancement by improvements of
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