PLANTA DE PRODUCCIÓN

DE SILICIO DE GRADO
SOLAR
Departamento de Ingeniería Química y Textil
Universidad de Salamanca

EDGAR MARTÍN HERNÁNDEZ

 OBJETIVO Y JUSTIFICACIÓN

OBJETIVO
• Producción de silicio de grado solar (99,9999% de pureza) para su empleo con
fines fotovoltaicos.

JUSTIFICACIÓN
• La demanda energética global experimenta un crecimiento continuo que suscita
un interés creciente por encontrar fuentes de energía alternativas y renovables.
 ESTUDIOS PREVIOS NECESARIOS

Viabilidad
VIABILIDAD Proceso a ESTUDIO DE económica del
TECNOLÓGICA emplear MERCADO proyecto

TAMAÑO DE Capacidad de LOCALIZACIÓN Ubicación de

PROYECTO la planta DE LA PLANTA la instalación
 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

CADENA DE VALOR DEL SILICIO EN LA INDUSTRIA FV

Silicio de Silicio de
Oblea Célula Módulo
Cuarzo grado grado solar
(wafer) fotovoltaica fotovoltaico
metalúrgico (polisilicio)

ETAPAS DEL PROCESO

1. Producción de silicio de grado metalúrgico (98,5% de pureza)

2. Producción de silicio de grado solar (99,9999% de pureza)

 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

PRODUCCIÓN DE SILICIO DE GRADO METALÚRGICO (MG-Si)

Materias primas:

• Cuarzo
‒ Carbón siderúrgico
• Agente reductor ‒ Carbón vegetal + Aire
‒ Virutas de madera

• Electrodos de carbono

𝑆𝑖𝑂2 𝑠 + 2 𝐶 𝑠 → 𝑆𝑖 + 2𝐶𝑂
 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

PRODUCCIÓN DE SILICIO DE GRADO METALÚRGICO (MG-Si)

Horno de arco eléctrico Productos:
• Corriente líquida:
Silicio de grado metalúrgico (pureza 98,5%)

• Corriente gaseosa:
Microsílice (sílice < 1 μm)
Dióxido de carbono
 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

PRODUCCIÓN DE SILICIO DE GRADO METALÚRGICO (MG-Si)

Tratamiento de los productos
Subproducto valioso

Recuperación microsílice Ciclones o filtros

 Corriente gaseosa
(Microsílice y CO2)
Tratamiento de gases

1. Refinado (formación de escorias)

 Corriente líquida
(MG-Si) 2. Solidificación

PRODUCCIÓN DE SILICIO DE GRADO SOLAR (SG-Si)
Existen tres rutas:
PROCESO SIEMENS:
• Proceso más empleado
• Basado en la deposición de
SiHCl3 en reactor Siemens
× Alto consumo energético
× Proceso discontinuo
VIABILIDAD TECNOLÓGICA
PROCESO UNION CARBIDE: RUTA METALÚRGICA:
• Basado en la deposición de SiH4 en • Eliminación de impurezas por
FBR etapas
 Menor consumo energético  Bajo coste
 Proceso contínuo × Altos niveles de impurezas
× Algunas etapas intermedias × Actualmente no adecuado
encarecen el proceso para fines FV
 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

Producción de MG-Si por

SELECCIÓN DE PROCESO ruta convencional

Aunar ventajas del proceso
Siemens y del proceso Union
Carbide
Producción de SiHCl3
según proceso Siemens
Producción de SiH4 a partir
SiHCl3 por reacciones de
desproporcionamiento

Obtención de Si en FBR
según proceso Union
Carbide
 VIABILIDAD TECNOLÓGICA

SELECCIÓN DE PROCESO
 Proceso más sencillo
Producción de SiHCl3  Mayor rendimiento en la
según proceso Siemens generación de SiHCl3
 Facil purificación de SiHCl3

Obtención de Si en FBR  Menor gasto energético

según proceso Union Carbide  Proceso contínuo
 ESTUDIO DE MERCADO

PRINCIPALES MATERIAS PRIMAS

Cuarzo: Carbón:
• Abundante en España • Necesidad de importación
debido a su calidad
 ESTUDIO DE MERCADO

CAPACIDAD FV INSTALADA EN EUROPA

 ESTUDIO DE MERCADO

SILICIO DE GRADO SOLAR

• Crecimiento sostenido del

mercado europeo

• Países con gran potencial

aun no explotado con
perspectivas de aumentar
su capacidad
 ESTUDIO DE MERCADO

ESTIMACIÓN DE LA DEMANDA FUTURA

Proyección de la demanda histórica Método econométrico

 ESTUDIO DE MERCADO

ESTIMACIÓN DE LA DEMANDA FUTURA

Resultados obtenidos
Proyección de la Método
demanda histórica econométrico

Consumo aparente
en 2016 (tm)
12.692,04 13.639,46

Consumo aparente
en 2036 (tm)
82.779,24 93.680,16

Se tomará el resultado más conservador de los dos:

• Consumo aparente de polisilicio en 2016 de 12.692,04 tm
• Consumo aparente de polisilicio en 2036 de 82.779,24 tm
 ESTUDIO DE MERCADO

CAPACIDAD MÁXIMA DE LA PLANTA

La nueva planta podrá cubrir alrededor de un 3% de las necesidades de

europeas de polisilicio en el año 2036

Capacidad máxima = 2.500 tmSG-Si/año

 TAMAÑO DE PROYECTO

PUNTO DE NIVELACIÓN

Capacidad mínima= 1.300 tmSG-Si/año (52% de la capacidad máxima)

 INGENIERÍA DE PROCESO

DIAGRAMA DE PROCESO
 INGENIERÍA DE PROCESO

PRODUCCIÓN DE SILICIO DE GRADO METALÚRGICO

Obtención de MG-Si:
𝑆𝑖𝑂2 𝑠 + 2𝐶 𝑠 → 𝑆𝑖 𝑙 + 2𝐶𝑂(𝑔ሻ

Obtención de microsílice:
𝑆𝑖 𝑙 + 1ൗ2 𝑂2 (𝑔ሻ → 𝑆𝑖𝑂(𝑔ሻ

𝑆𝑖𝑂 𝑔 + 1ൗ2 𝑂2 (𝑔ሻ → 𝑆𝑖𝑂2 (𝑠ሻ

Obtención de escorias:
𝑆𝑖𝑂2 + 𝐶 → 𝑆𝑖𝑂 + 𝐶𝑂
𝑆𝑖𝑂2 + 3𝐶 → 𝑆𝑖𝐶 + 2𝐶𝑂
 INGENIERÍA DE PROCESO

OBTENCIÓN Y PURIFICACIÓN DE SiHCl3

Obtención de SiHCl3:
𝑆𝑖 𝑠 + 3 𝐻𝐶𝑙 → 𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 + 𝐻2

Obtención de SiCl4 (reacción secundaria):

𝑆𝑖 𝑠 + 4 𝐻𝐶𝑙 → 𝑆𝑖𝐶𝑙4 + 2 𝐻2

Impurezas metálicas forman

compuestos clorados
 INGENIERÍA DE PROCESO

OBTENCIÓN DE SiH4 Y DEPOSICIÓN DE SG-Si

Obtención de SiH4:
2Descomposición
𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 ↔ 𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙de
2+SiH𝑆𝑖𝐶𝑙
4: 4
2𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2 4↔→𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙
𝑆𝑖𝐻 3+
𝑆𝑖 + 2 𝐻2𝑆𝑖𝐻3 𝐶𝑙
2𝑆𝑖𝐻3 𝐶𝑙 ↔ 𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2 + 𝑆𝑖𝐻4
 DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE LECHO FLUIDIZADO

DISEÑO DEL REACTOR

𝑘ℎ𝑒𝑡 𝑑𝐶𝑆𝑖𝐻4 𝑆𝑆𝑖

Reacciones: 𝑆𝑖𝐻4 𝑆𝑖 + 2𝐻2 𝑟ℎ𝑒𝑡 = 𝑑𝑡
= −𝑘ℎ𝑒𝑡 𝑉𝑅
𝐶𝑆𝑖𝐻4

𝑘ℎ𝑜𝑚 𝑑𝐶𝑆𝑖𝐻4
𝑆𝑖𝐻4 𝑆𝑖 + 2𝐻2 𝑟ℎ𝑜𝑚 = = −𝑘ℎ𝑜𝑚 𝐶𝑆𝑖𝐻4
𝑑𝑡
 DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE LECHO FLUIDIZADO

DISEÑO DEL REACTOR

Especificar:
Flujo de alimentación, Relación de la alimentación Conversión, Diámetro de la partícula, Temperatura, Presión

Calcular umf y ut

Establecer uo
umf < uo < ut

Calcular Ac y dt

Calcular dbm y dbo

Estimar Lf
Calcular db a Lf/2

Algoritmo propuesto por Fogler: Calcular ub

Calcular Kbe

Calcular δ y γb

Calcular khet y khom

Calcular Lf
us<u0
db>dy
Calcular db
Calcular us
a Lf/2
us>u0

Calcular W
 DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE LECHO FLUIDIZADO

DISEÑO DEL REACTOR

Consideraciones al algoritmo propuesto por Fogler:
• Modelo de Kunii-Levenspiel para sólidos tipo Geldart B
• Existencia de dos fases: burbuja y emulsión
• Existencia de dos reacciones simultáneas

Implementación del algoritmo:

• Python
‒ Numpy
‒ Scipy
‒ Matplotlib
 DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE LECHO FLUIDIZADO

DISEÑO DEL REACTOR

Dimensiones: 𝐿𝑓 = 14,023 𝑚 𝐻 = 16,126 𝑚

𝐷 = 1,968 𝑚 𝑡𝑟𝑒𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 = 12,23 𝑚𝑚

Sistema de control de temperatura:

 LOCALIZACIÓN DE LA PLANTA

LOCALIZACIÓN DE LAS MATERIAS PRIMAS

Ubicación preliminar:
A Coruña, Galicia

 Cercanía de materias primas

 Puerto marítimo
 Presencia de industrias similares
(metalurgia del aluminio)
 LOCALIZACIÓN DE LA PLANTA

UBICACIÓN DE LA INSTALACIÓN

• Suministro de agua
• Transporte por carretera y ferrocarril Ubicación en un
• Gestión de residuos polígono industrial

• Presencia de otras industrias

‒ Apartado ferroviario propio (200 vagones)

Polígono industrial de Pocomaco ‒ Depuradora propia
‒ Red de suministro de agua
Polígono de Pocomaco AV 3 1
93.012 m2 de extensión
 LOCALIZACIÓN DE LA PLANTA

UBICACIÓN DE LA INSTALACIÓN
 DISTRIBUCIÓN EN PLANTA

DISTRIBUCIÓN DE LA PARCELA

• Zona A: alberga al edificio principal y

a la sala de control

• Zona B: zona de proceso

• Zona C: zona de almacenamiento de

materias primas y productos
 DISTRIBUCIÓN EN PLANTA

DISTRIBUCIÓN LABORAL

Numero de empleados: 159

• Técnicos y personal directivo: 10

• Personal especializado: 38
• Personal administrativo: 7
• Operarios: 85
• Personal de servicio: 19
 EVALUACIÓN ECONÓMICA

Ingresos por ventas: 50.107.500 €/año

‒ Costes de fabricación: 23.295.482,55 €/año

Costes de producción: 27.233.496,52 €/año ‒ Costes de gestión: 3.938.013,97 €/año

‒ Capital inmovilizado: 75.479.101,82 €/año

Capital invertido: 80.296.257,89 €/año
‒ Capital circulante: 4.817.156,07 €/año
 EVALUACIÓN ECONÓMICA

RENTABILIDAD DEL PROCESO

Beneficio bruto anual: 22.874.003,48 €

Beneficio bruto porcentual anual: 28,49%

Beneficio neto anual: 16.011.802,44 €

Beneficio neto porcentual anual: 19,94%

Periodo de recuperación: 3,22 años

 PRESUPUESTO

PRESUPUESTO

Presupuesto de ejecución material (PEM): 39.536.672,38 €

Presupuesto de ejecución por contrata (PEC): 58.842.429,50 €

Presupuesto total de obra (PTO): 62.961.399,57 €

 GRACIAS
POR SU
ATENCIÓN
PLANTA DE PRODUCCIÓN
DE SILICIO DE GRADO
SOLAR
Departamento de Ingeniería Química y Textil
Universidad de Salamanca

EDGAR MARTÍN HERNÁNDEZ