CUADRADO-COLLADO-HUGO-PRACTICA-4...

hugocuco

Ciencia de los Materiales

1º Grado en Ingeniería Mecánica

Escuela Politécnica Superior

Universidad de Lleida

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
ACTIVITAT PRÀCTICA 4:
PROPIETATS ELÈCTRIQUES
DELS MATERIALS

Reservados todos los derechos.

Assignatura: Ciència dels Materials

Data de realització: 28/04/2022

Grup: 1M

Integrants:

Hugo Cuadrado Collado

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 ÍNDEX

INTRODUCCIÓ I OBJECTIUS .......................................................... 3

MATERIAL NECESSARI PEL TREBALL AL LABORATORI .................. 3
RECULL DADES EXPERIMENTALS .................................................. 3

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
REALITZACIÓ QÜESTIONS DE LA PRÀCTICA .................................. 4

Reservados todos los derechos.

Sube contenido de Wuolah en tu TikTok y gana dinero ¡+Info aquí!

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 INTRODUCCIÓ I OBJECTIUS

Al llarg d’aquesta pràctica farem ús de fórmules característiques del tema 4 i la

realització d’aquesta, ens ajudarà a entendre i memoritzar-les. Els principals objectius
seran l’observació de la variació de la resistència elèctrica de metalls i semiconductors amb la
temperatura i l’obtenció, a partir de dades experimentals, alguns dels paràmetres
característiques de les propietats elèctriques de metalls i semiconductors.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
MATERIAL NECESSARI PEL TREBALL AL LABORATORI
- Bobina de coure esmaltat

- Resistència amb coeficient negatiu de temperatura (NTC)

- Dos Òhmmetres digitals (tèsters)

- Termòmetre

- Got de precipitat de 600 mL

- Calefactor elèctric

Reservados todos los derechos.

- Cables i pinces de cocodril per les connexions.

RECULL DADES EXPERIMENTALS

T(ºC) T(K) Rbobina (Ohm) Rsemicond (Ohm)
25 298 17 223
30 303 18.4 185
35 308 18.7 152
40 313 19.2 128
45 318 19.3 105
50 323 19.7 90
55 328 20 76.5
60 333 20.3 66.9
65 338 20.6 54.5
70 343 21 49.1

Tot i que a simple vista és un fet que es pot passar alt, les dades venen donades en ohms, és a
dir, en el valor propi de la Resistència i no en Ω ∗ m. Aquest fet ens pot dur al 1r inconvenient
d’aquesta pràctica, ja que les fórmules que coneixem són a partir de la resistivitat i no de la
resistència. Tot i això, sabent la definició de resistivitat arribem a la conclusió següent: 𝑠𝑖 𝜌 =
𝐴 𝐴 𝐴
𝑅 ∗ 𝐿 , 𝑙𝑙𝑎𝑣𝑜𝑟𝑠 𝜌 = 𝜌0º𝐶 ∗ (1 + 𝛼 ∗ 𝑇) 𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑠𝑐𝑟𝑖𝑢𝑟𝑒 𝑐𝑜𝑚 𝑅 ∗ 𝐿 = (𝑅0º𝐶 ∗ 𝐿 ) ∗ (1 + 𝛼 ∗
𝐴
𝑇), 𝑜𝑛 𝐿
𝑚𝑎𝑟𝑥𝑎 𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑖 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑖 𝑞𝑢𝑒𝑑𝑎 𝑒𝑙 𝑟𝑒𝑠𝑢𝑙𝑡𝑎𝑡 𝑓𝑖𝑛𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑅 = 𝑅0º𝐶 ∗ (1 + 𝛼 ∗ 𝑇) . Així
doncs, sense saber la resistivitat però si la resistència podrem calcular les qüestions plantejades.

Sube contenido de Wuolah en tu TikTok y gana dinero ¡+Info aquí!

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 REALITZACIÓ QÜESTIONS DE LA PRÀCTICA

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
1. Representeu en gràfiques separades les variacions de la resistència elèctrica del
coure i del semiconductor (eix Y) davant la temperatura (eix X). Observeu la
diferència qualitativa de comportament.

COURE (BOBINA)

Rbobina (Ohm)
25

20

Reservados todos los derechos.

RESISTÈNCIA (Ohms)

15

Rbobina (Ohm)
10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80

T (ºc)

SEMICONDUCTOR

Rsemicond (Ohm)
250

Rsemicond (Ohm)
200
RESISTÈNCIA (Ohms)

150

100

50

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80

T (ºc)

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 2. Ajusteu les gràfiques: amb una recta de regressió la primera (metall), i amb una
funció exponencial la segona (semiconductor). Anoteu les equacions que s’obtenen,
així com el coeficient de correlació corresponent.
COURE (BOBINA)

Rbobina (Ohm)
25

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
20
RESISTÈNCIA (Ohms)

15

Rbobina (Ohm)
10 y = 0,0754x + 15,839
R² = 0,9337

Reservados todos los derechos.

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80

T (ºc)

SEMICONDUCTOR

Rsemicond (Ohm)
250
Rsemicond (Ohm)

200 y = 502,53e-0,034x
R² = 0,9974
RESISTÈNCIA (Ohms)

150

100

50

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80

T (ºc)

Sube contenido de Wuolah en tu TikTok y gana dinero ¡+Info aquí!

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 3. Tenint en compte les explicacions i les expressions vistes en les classes teòriques, determineu
el valors de R0 i T pel metall (resistència a 0ºC i coeficient tèrmic de resistivitat,
respectivament).

COURE (BOBINA)
Mitjançant el càlcul de la recta de regressió i sabent que 𝑅0º𝐶 + 𝑅0º𝐶 ∗ 𝛼 ∗ 𝑇 = 𝑅 i 𝑎 + 𝑏𝑥 =
𝑦, deduïm que 𝑅0º𝐶 = 15,839 Ω ja que l’equació de la recta és y = 0,0754x + 15,839.

El càlcul del coeficient tèrmic de resistivitat es pot dur a terme de la següent manera: 𝛼 =

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
𝑃𝑒𝑛𝑑𝑒𝑛𝑡
-------> 𝛼 = (0.0754)/(15.839)= 4.76*10^-3 (ºC)-1.
𝑅0º𝐶

4. Determineu la magnitud del “band gap”, o interval prohibit d'energies (Eg), pel
semiconductor. En aquest cas, necessitareu fer també la gràfica del logaritme de la
conductància, és a dir ln(1/R), front l’invers de la temperatura, 1/T. I fer l’ajust de la nova
gràfica a la equació d’una recta.

0
0,00285 0,0029 0,00295 0,003 0,00305 0,0031 0,00315 0,0032 0,00325 0,0033 0,00335 0,0034

Reservados todos los derechos.

-1
LN(1/R)

-2

-3

-4 y = -3471,4x + 6,2441
R² = 0,9991
-5

-6
1/T (K)

−𝐸𝑔
Per poder calcular interval prohibit d'energies (Eg) utilitzarem la fórmula següent: 𝐶 = 2∗𝐾 on
𝑏
C=pendent de la recta (-3471) i Kb=Constant de Boltzmann (1.380*10^-23 J/K). Substituïm els
−𝐸𝑔
valors: −3471 = 2∗1.308∗10^−23 . Així doncs, el valor de Eg és 9.080136*10^-20 J= 0.57 eV.

5. Compareu, pel coure, els valors obtinguts experimentalment amb els que es poden trobar a
la literatura. Comproveu també que el band gap obtingut pel semiconductor és coherent
amb els valors característics dels semiconductors intrínsecs, ja siguin elementals o
compostos, que es poden trobar a la bibliografia.

El coeficient tèrmic de resistivitat del coure a 20ºC és 3.9*10^-3 (ºC)-1, en canvi, el que hem
calculat a la qüestió 3 ens dona 4.76*10^-3 (ºC)-1. Clarament hi ha una diferencia entre un valor
i l’altre, però tot i així crec que els càlculs realitzats estan bé. Pel que fa al resultat del ‘band gap’
he trobat una taula amb diferents materials i el corresponent valor de Eg de cadascun d’ells.

Material Banda prohibida en eV

PbSe 0,27

Sube contenido de Wuolah en tu TikTok y gana dinero ¡+Info aquí!

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861
 PbTe 0,29

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
PbS 0,37
InN 0,67*
Ge 0,67
GaSb 0,7
Si 1,11
Els materials que més s’apropen al resultat obtingut serien el Nitrorur de Sodi (InN) i el Germani
(Ge). Tot i això, el valor calculat de 0.57 eV difereix dels 0.67 eV dels materials anteriorment
mencionats.

6. Redacteu un breu paràgraf de conclusions

Finalment, podem concloure dient que en els metalls la resistivitat augmenta amb la

Reservados todos los derechos.

temperatura; a major Tº, major resistència. Per l’altra banda, en el cas dels semiconductors
passa al revés, un cop augmenta la temperatura també ho fa la conductivitat, però la resistència
disminueix.

WEBGRAFIA
http://www.sapiensman.com/electrotecnia/problemas3.htm (30/04/2022)

https://w3.ual.es/~mjgarcia/R-T.pdf (01/05/2022)

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/bandgap.html (01/05/2022)

a64b0469ff35958ef4ab887a898bd50bdfbbe91a-6097861