TEKCORE

LED 應用與製程簡介

Speaker: 徐海文
泰谷光電科技股份有限公司
E-mail: heavenhsu@tekcore.com.tw
 Outline
 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
 Outline
 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
 LED 研究得諾貝爾 當之無愧
藍光─把嶄新的光明帶到世界的角落
現年 85 歲的赤崎勇與 54 歲的天野浩共同研發全球第 1 個高亮度藍色 LED ， 60 歲的中
村修二則為 LED 重要材料「氮化鎵」技術帶來突破性發展，使 LED 進入「全彩化」時
代，用途擴及至交通、照明、通訊及生醫領域。

2014 諾貝
爾物理獎
 
 三原色光模式
 光的三原色的原理不是出於物理原因，而是由於生理原因造
成的。
 人類有三種辨別顏色視錐細胞分別對紅、綠和藍光最敏感。
 光的三原色是紅色、綠色和藍色，三種光相加會成為白色光
。
1931 CIE 色度圖

國際照明委員
會 (CIE) 在 1931 年公
佈了 xy. 色度系統，
它將人眼所能感知的
所有顏色以座標 .
(x,y) 方式呈現，任何
物體之顏色，在量測
光譜 . 訊號後，經由
適當之運算，即可 
 LED – 第四波照明演進

利用氣體放電原理的照明設備
: 含有些許的汞蒸氣

發光二極體（ light emitting diode, LED ） : 第四波照明演進 / 半導體技術的

光源 Source: ITRI 工業技術研究院
不同光源的相關色溫度
LED 於 TFT LCD 背光產品比
較
 LED 之優點 - 環保觀節能減
碳
 1 度電 (1000 瓦小時 )=> 產生 625 克二氧化碳
40W 白熾燈泡 x 10 小時 / 天 x 1 年

=> 產生 91.25 公斤二氧化碳

 6W LED 燈泡 x 10 小時 / 天 x 1 年

=> 產生 13.69 公斤二氧化碳

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 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
LED Application
 智慧照明市場規模圖 - 依場域別

2014 年照明大廠相繼推出手機 APP 與 LED 燈泡結合的產品，此類產品以

「流行」與「方便」使用為主。而 2015 年廠商推出的產品則開始附加更多功
能，包括提升健康訴求、安全、監控等功能
 無線光通訊（ Li-Fi ）技術

 LIFI （ Light Fidelity ），全稱為可見光無線通訊，又稱光保真

技術，是一種利用光源發出的光傳輸資料的技術。 LiFi 技術運
用無處不在的 LED 燈，通過在燈泡上植入一個微小的晶片形成
類似於 WiFi 熱點的設備，使終端隨時能接入網路信號

 可見光（頻譜波段 380nm-780nm ）、紅外線（頻譜波段

790nm-1mm ）做為傳輸的媒介，結合照明技術與通訊雙重用途

 相較於 Wi-Fi 技術， Li-Fi 的傳輸速度更快，

 可避免電磁波幹擾
 無線光通訊（ Li-Fi ）技術

Li-Fi 的室內應用情境示意圖
UV Spectrum Range
 UV Application

Source: LG Innotek
 Disinfection Evidence

Source: LG Innotek
智慧手環穿戴式裝置

穿戴式裝置的雲端智慧保
健系統平台架構

Source: LEDinside
LED 植物生長
 不需要日光的 LED 人工光型植物工廠
光是植物光合作用的唯一能量來源，光照強度、光質（光
譜）及光的週期性變化對作物的生長發育具有深刻影響，其中以光
照強度對植物的光合作用影響最大。
LED 人工光型植物工廠優點
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 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
I/V Curve for LED Diode

Band Diagram
Ec
Conduction
Band
Ec
Light emitting
acceptor
donor

Ev

Valence
Band +V
-V
Ev
 Chip Structure
P/N-type pad electrode CBL Patterned Sapphire
1. Electrodes with high 1. SiO2 Substrates
reflective layer 1. Dry etching
2. 2.6X0.4X1.6 um
TCL+Passivation
1. ITO+SiO2

Finger shrink
: 3um

Cutting
1. SD Laser

Reflector on back side

1.DBR
 LED 製程示意圖
MOCVD 前段製程
4” Sapphire
Epi-Layer
Wafer
Sapphire Substrate

後段研磨
DBR
P
後段切劈 後段背鍍
N

靶材
 磊晶量測作業流程

磊晶片

外觀檢
背刻 PL 量測 ( 波長、 表面粗糙 快速製程亮度檢 驗 發光區結構鑑
( 人員抄 強度 ) 度 測 ( 顯微 定
寫) ( 光激發光譜儀 ) ( 膜厚儀 ) ( 電激發光譜儀 ) 鏡) (X-ray)
PL 量測 ( 波長、強度 ) – 光激發光
PL 量測 譜儀
 發光區結構鑑定 - X-ray
RockingCurve@(02)

u-GaN & n-GaN

AHR BHR

01
10
10
10
10
10
10
1
-604 2-6014 3

Δw(arcse)
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 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
 蝕刻 / 蒸鍍 / 黃光微影製程
蝕刻 (Etching) :
藉由酸鹼或有機等藥水與薄膜進行化學反應
，達到薄膜蝕刻，將晶片表面物質去除的目
的。

黃光微影 (Photolithography) :
藉由光阻的塗佈，曝光與顯影，在
晶片表面形成特定之圖案

蒸鍍 (Deposition) :
藉由真空鍍膜的方法，於晶片表
面形成金屬或化合物層
 前製程 - 蝕刻
PR PR
Film Film
Substrate Substrate
Development Etching

 濕蝕刻 (Wet etching)

Chemical etching

 乾蝕刻 (Dry etching) Film

ICP, RIE Substrate
PR remove
 蝕刻重要特性 -ICP/ITO/PV
蝕刻率 (Etch rate) :

選擇比 (Selectivity) : Etch rate(layer1)

S=
Etch rate(layer2)

均勻性 (Etch uniformity) :

NU(%) = (ERmax - ERmin)/ (2*ERave)100
 E-Gun 蒸鍍 -Pad/ITO
E-Gun System
黃光微影製程步驟
 Front End - Chip process
SiO2

ITO
SiO2

P-GaN

MQW

N-GaN

Sapphire

LED 前段製程完成外觀
 Mesa( 平台 ) 製程

目的： Sapphire 不導電，利用 ICP 蝕刻來暴露出 n-GaN

 Alpha Step ( 表面輪廓儀 )-Mesa 深度
1. 量測一維表面輪廓
2. 藉由階差 (step height) 量測薄膜
的厚度 (thickness)
3. 深度 (depth) 分析 )--Mesa 深度
4. 一維線性粗糙度分析

2D step height measurement

 CBL(Current Block Layer) 製程
目的：增加晶粒亮度
材料： SiO2 （二氧化矽）
Pad

ITO
CBL:SiO2
P-GaN
MQW
N-GaN
 膜厚控制
石英膜厚監控器：物理厚度監控、蒸鍍速率控制
( 耗材為石英震盪片 )

石英晶體監控的原理 : 是以一固定電壓加在石英片上，因石
英的壓電效應會使石英片振盪，利用其震動頻率與其質量成
反比的原理，由頻率的變化量 Δf 推算所鍍膜層的厚度

光學膜厚監控器：光學厚度監控
( 耗材為光學監控玻璃 )

主要是利用當膜層厚度增加時，穿透率和反射率會跟著變化
 TCL( 透明導電層 ) 製程

目的：使電流均勻擴散 (Spreading) ，避免電流擁塞

(Crowding) 而造成電壓偏高。
材料：早期用 Ni/Au ，目前用 ITO ，後者亮度較高約 40 ％，
而且電壓無明顯差異。

Current crowding Current spreading

(w/o TCL)( 局部發光 ) ( w/ TCL)( 整面發光 )
 Optical Simulation
Optical Matching of ITO/SiO2 before & after PKG at 400nm-
700nm visible light

Macleod software
 Pad( 電極 ) 製程
目的：提供客戶打線之接點，分為 P 電極及 N 電極。
材料：目前為 Au( 金 ) 電極。
 Passivation( 保護層 ) 製程

目的： (1) 增加晶粒亮度； (2) 保護晶粒免受水氣侵蝕；

(3) 保護晶粒避免打線造成漏電流
材料： SiO2 （二氧化矽）

製程氣體 RF power
PECVD
e- + SiH4  SiH2 + 2H + e-
Plasma
e - + N 2 O  N 2 + O + e-
晶片
SiH2 + 3O  SiO2 + H2O

加熱板
真空系統
 COW 測試 (Probing Test)

Prober

藉由點測系統 (probing system) ， 針對晶片表面所有晶粒之光電特性

(Optical and Electrical Characteristics) ，抗靜電測試 (ESD Test) 進行高速之
量測與紀錄，並產生相關報表以供分析與分類。
 Outline
 LED 簡介

 LED 應用

 LED 製程簡介
• EPI 製程
• LED 前段製程
• LED 後段製程
 研磨站流程介紹
目的 : 減少 Sapphire 厚度，以利切割以便後續
研磨
切割製程作業

上蠟 粗磨 拋光 軟拋 下蠟清洗入盤

磊晶層

0.430mm 研磨 藍寶石基板

厚片 (0.432mm) 薄片 (0.127mm)
 DBR(Distributed Bragg Reflector)
 Reflectivity 400~700nm Visible Light
 Enhanced light-output power
R>99%
Sapphire Substrate IAD

DBR
SiO2/TiO2 39L

Macleod software
 SD(Stealth Dicin
g)
 Improve the light extraction efficiency
將激光聚焦於工作物表 激光聚焦於藍寶石內部產
面，瞬間將工作物表面 生改質層 (SD 層 ) ，再通
氣化的切割方法 過裂片將工作物分解成晶
粒的切割方法

Wavelength=356nm Wavelength=1064nm
Cross section Cross section
 Chip 光電性測試 mapping data
 Chip 光電性測試
將切割完成的 chip 放在測試機台
上，
測試每一顆 chip 的光電性
( 波長、亮度、電壓 … )

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 自動光學檢測 (AOI)

AOI

AOI=Automated Optical Inspection, 自動光學檢測，使用光學影像及影像

比對檢測技術進行產品的檢測。針對輕薄短小、密度高之電子產品的檢測
需求而開發，在不需測試治具、不需電子量測且不破壞產品的情況下，可
有效檢出元件的各種外觀不符合規格標準晶粒。
 晶粒分類 (Chip Sorting)

方片

sorter 標 籤

依據點測數據結果與客戶需求， 將整片晶片之晶粒依照不同之
光電特性 ( 如 : 波長 , 亮度 , 操作電壓等 ) 作適當之分類， 再藉
由晶粒分類機 (SORTER) 進行個別晶粒挑揀的過程。
 外觀檢查 (Visual Inspection)

藉由光學顯微鏡 (Optical Microscope),

以人工目視的方法 , 將外觀不符合規格
標準之晶粒加以挑除
計數 , 標籤 , 包裝 (Count,Label,Package)
計數 (Counting)
利用自動影像辨識之方法 , 進行晶粒數量之計算

標籤 (Labeling)
藉由條碼作業 (Bar Code) 將該片晶片之相關訊息
印成標籤 , 以利客戶識別與廠內追溯

counter
印 PSV 標
籤 PSV 標籤
counter

包裝 (Package)
為防止晶粒遭靜電破壞 , 以抗靜電帶進行產品之包裝