第14章半导体器件

电子学与数字技术
电信学院范馨燕
电信楼 742 ， xyfan@tongji.edu.cn
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电子学与数字技术
1
 总学时： 68 学时，实验： 16 学时，学分： 4 学分。
 考核方式：以期末闭卷考试为主，平时成绩为辅：
考试成绩 70%+ 平时成绩 30% （作业 + 实验 +

出勤）专业基础课

主要授课内容
第 14 章半导体器件
第 15 章基本放大电路
第 16 章集成运算放大器
第 17 章电子电路中的反馈
第 18 章直流稳压电源
第 20 章门电路和组合逻辑电
路

实验
实验一仪器使用…………………
第五周周一 34 节 + 中午
第七周周一 34 节 + 中午
实验二二极管的应用……………
第八周周一 34 节 + 中午
实验三单管交流放大电路………
第九周周一 34 节 + 中午
实验四运放的线性应用…………
第十二周周一 34 节 + 中午
实验五比较器 ( 运放的非线性应用 )……
第十三周周一 34 节 + 中午
实验六文氏桥正弦波发生器……
第十四周周一 34 节 + 中午
实验七 TTL 与非门特性和应用…
第十六周周一 34 节 + 中午
实验八组合逻辑电路的应用……
第 14 章半导体器件
14.1 半导体的导电特性
14.2 PN 结及其单向导电性
14.3 二极管
14.4 稳压二极管
14.5 双极型晶体管
14.6 光电器件

一、本征半导体
1 、什么是半导体？什么是本征半导体？
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层
电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受
原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能
导电。
半导体－－硅（ Si ）、锗（ Ge ），均为四价元素，它
们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之
间。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质稳定的结构
半导体的导电特性：
热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
光敏性：(当受到光照时
可做成温度敏感元件，如热敏电阻
, 导电能力明显变化 )(。
可
做
成各种光敏元件 , 如光敏电阻、光敏二
极
管、光敏晶体管等 ) 。
掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质 , 导电能
力明显改变 ( 可做成各种不同用途的半导
体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等）
。
14.1.1 本征半导体
完全纯净的、晶格完整的半导体，称为本征半导
体。
Si Si
价电子
Si Si
共价健
晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价键结构
共价键中的两个电子，称为价电子。

自由电子
 本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能
量 ( 温度升高或受光照 )
Si Si 后 , 即可挣脱原子核的束
缚，成为自由电子 ( 带负
电 ), 同时共价键中留下一
Si Si
个空位，称为空穴（带正
空穴电）。
这一现象称为本征激发。
价电子
温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。

自由电子 
本征半导体的导电机理
在外电场的作用下 , 空
Si Si 穴吸引相邻原子的价电子来
填补，而在该原子中出现一
个空穴，其结果相当于空穴
Si Si
的运动 ( 相当于正电荷的移
空穴动)。
价电子
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流
：
(1) 自由电子作定向运动 电子电流
(2) 价电子递补空穴 空穴电流
 本征半导体的导电机理
自由电子和空穴都称为载流子。
自由电子和空穴成对地产生的同时 , 又不断复
合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平
衡，半导体中的载流子便维持一定的数目。
注意：
(1) 本征半导体中的载流子数目极少 , 其导电性能很差 ;
(2) 温度愈高，载流子的数目愈多 , 半导体的导电性
能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。

14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质 ( 某种元
素 ) , 形成杂质半导体。
在常温下即可变
为自由电子掺入五价元素
掺杂后自由电子数
Si Si
目
多余大量增加，自由电子导
电子
PSi+ Si 电成为这种半导体的主
要导电方式，称为电子
半导体或 N 型半导体。
磷原子在 N 型半导体中自
失去一个
电子变为由电子是多数载流子，
正离子空穴是少数载流子。
14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体
掺入三价元素
掺杂后空穴数目
Si Si 空穴
大量增加，空穴导电成
为这种半导体的主要导
BSi
–
Si 电方式，称为空穴半导
体或
硼原子 P 型半导体。
在 P 型半导体中空
接受一个
电子变为穴是多数载流子 , 自由
负离子电子是少数载流子。
无论 N 型或 P 型半导体都是中性的，对外不显电性
。
14.2 PN 结及其单向导电性
14.2.1 PN 结的形成内电场越强，
空间电荷区也称 PN 结。漂移运动越强，而漂
移使空间电荷区变薄
少子的漂移运动
。
P 型半导体内电场 N 型半导体
－－－－－－ + + + + + + 扩散和漂移这
+ + + + + +
一对相反的运动
－－－－－－
最终达到动态平
－－－－－－ + + + + + + 衡，空间电荷区
－－－－－－ + + + + + + 的厚度固定不变。
浓度差多子的扩散运动
形成空间电荷区扩散的结果
使空间电荷区变宽
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14.2.2 PN 结的单向导电性
1. PN 结加正向电压 ( 正向偏置 ) P 接正、 N 接
PN 结变窄负
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + + 内电场
－－－－－－ + + + + + + 被削弱，多
子的扩散加
P 内电场 N 强 , 形成较
外电场
IF – 大的扩散电
+
流。
U
PN 结加正向电压时， PN 结变窄，正向电流较大
，正向电阻较小， PN 结处于导通状态。
2. PN 结加反向电压 ( 反向偏置 )P 接负、 N 接正
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + +
P 内电场 N
外电场
– +
U

2. PN 结加反向电压 ( 反向偏置 )P 接负、 N 接正
PN 结变宽
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + + 内电场被
加强，少子的
－－－－－－ + + + + + +
漂移加强，由
P 内电场 N 于少子数量很
外电场少 , 形成很小
IR
– 的反向电流。
+
U
PN 结加反向电压时， PN 结变宽，反向电流较小
，反向电阻较大， PN 结处于截止状态。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增大。
14.3 二极管
14.3.1 基本结构
(a) 点接触型
结面积小、结电容外壳触丝N型锗片
引线
小、
正向电流小，适用于高频和
小功率工作，也用作数字电阳极引线
路中的开关元件。铝合金小球
(b) 面接触型 PN结
结面积大、结电容 N型硅金锑合金

大、正向电流大，适用于低
频整流电路。负极引线底座

14.3 二极管
14.3.1 基本结构 SiO2保护层阳极引线
P型硅
N型硅
(c) 平面型阴极引线
用于集成电路制作工艺中。 PN 结结面积
可大可小，用于高频整流和开关电路中。
(d) 符
号阳极 D 阴极

常见二极管外形图
(a) 玻璃封装 (b) 塑料封装 (c) 金属封装中、大功率二极管
二极管

14.3 二极管
14.3.2 伏安特性
I 正向特性
特点：非线性
– N
反向击穿 P+
电压 U(BR) 硅管 0.6~0.8V
导通压降
锗管 0.2~0.3V
O U
P – +N 死区电压硅管 0.5V
反向电流在
一定电压范围锗管 0.1V
内保持常数。反向特性外加电压大于死区
外加电压大于反向击穿电压，二极管导通。
电压，二极管被击穿，失
去单向导电性。
PN 结加反向电压 ( 反向偏置 ) P 接负、 N 接正
PN 结变宽
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + +
－－－－－－ + + + + + +
P 内电场 N
外电场
IR
– +
U

14.3.3 主要参数
1. 最大整流电流 IOM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正
向平均电流。
2. 反向工作峰值电压 URWM
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压
，一般是二极管反向击穿电压 UBR 的一半或三分之二
。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏
。3. 反向峰值电流 IRM
指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流值
。反向电流大，说明管子的单向导电性差， IRM 受温
度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流
较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍
二极管的单向导电性
1. 二极管加正向电压 ( 正向偏置，阳极接正、阴极
接负 ) 时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电
阻较小，正向电流较大。
2. 二极管加反向电压 ( 反向偏置，阳极接负、阴极
接正 ) 时 , 二极管处于反向截止状态，二极管反向
电阻较大，反向电流很小。
3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失
去单向导电性。
4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反
向电流愈大。

二极管电路分析举例
导通
定性分析：判断二极管的工作状态
截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向
截止时二极管相当于断开。
硅 0.6~0.7V
否则，正向管压降锗 0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位
的高低或所加电压 UD 的正负。
若 V 阳 >V 阴或 UD 为正 ( 正向偏置 ) ，二极管导通

若 V 阳 <V 阴或 UD 为负 ( 反向偏置 ) ，二极管截止

例1： D
A
+ 电路如图，求： UAB
3k
6V UAB 取 B 点作参考点
12V ，断开二极管，分析二极
–
B 管阳极和阴极的电位。
V 阳 = － 6 V V 阴 = － 12 V
V 阳 >V 阴二极管导通
若忽略管压降，二极管可看作短路， UAB = － 6V
否则， UAB 低于－ 6V 一个管压降，为－ 6.3 Ｖ或－ 6.7V
在这里，二极管起钳位作用。

例 2: D2
求： UAB
D1 两个二极管的阴极接在一起
A 取 B 点作参考点，断开二极管
+
3k
6V UAB ，分析二极管阳极和阴极的电位
12V 。
– B
V1 阳 = － 6 V ， V2 阳 =0 V ， V1 阴 = V2 阴 = － 12 V
UD1 = 6V ， UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1 截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路， UAB = 0 V
12
流过 D2 的电流为 ID2   4mA 在这里， D2 起钳位
3 作用， D1 起隔离作用
D1 承受反向电压为－ 6 V
。
例3 R
：已知： u  18 sin  t V
+ i
+ 二极管是理想的，试画出
D
ui uo
uo 波形。
8V
– –
ui 该电路为正限幅电路
参考点
18V
8V
t
二极管阴极电位为 8 V
ui > 8V ，二极管导通，理想二极管可看作短路 uo = 8V
ui < 8V ，二极管截止，理想二极管可看作开路 uo = ui
二极管的应用
二极管的应用广泛。根据二极管的单向导电
性，它可用于整流、检波、限幅、元件保护及在数字
电路中作为开关元件等。
使用注意
实际二极管应考虑其正向压降 ( 硅管 0.6 ～
0.7V ，
锗管 0.2 ～ 0.3V) 。
理想二极管正向压降为零，反向截止。
分析方法：将二极管断开。
若 V 阳 >V 阴，则二极管导通
；
若 V <V ，则二极管截止
14.4 稳压二极管
1. 符号和外形图 2. 伏安特性 I
–
+ 稳定电压 UZ
稳压二极管正常
工作时加反向电压。
UZ
O
稳压二极管反向工作电流 U
击穿后，电流变化很 IZ
大，但其两端电压变 IZ 最大电流
化很小，利用此特性 UZ
IZM
，稳压管在电路中可
起稳压作用。使用时要加限流电阻
稳压二极管
3. 主要参数
(1) 稳定电压 UZ
稳压二极管正常工作 ( 反向击穿 ) 时管子
两端的电压。
(2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
(3) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM

 UZ
(4) 动态电阻 rZ 
 IZ
rZ 愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(5) 电压温度系数 u
环境温度每变化 1C 引起稳压值变化的百分数。

• 4. 其他二极
管
（ 1 ）发光二极管 (LED)
当发光二极管加上正向电压并有足够大的正
向电流时，就能发出一定波长范围的光。
目前的发光二极管可以发出从红外到可见波
段的光 , 它的电特性与一般二极管类似。
发光二极管的工作电压为 1.5 ~ 3V, 工作电
流为几至十几微安。
符号
发光二极管主要用于显示电路 , 常用的有 2EF 等系列

。
发光二极管 (LED)
（ 2 ）光电二极管
光电二极管在反向电压作用下工作。当无
光照时 , 和普通二极管一样 , 其反向电流很小 , 称
为暗电流。当有光照时，产生的反向电流称为光电流
。照度 E 越强，光电流也越大。
常用的光电二极管有 2AU 、 2CU 等系列。
光电流很小，一般只有几十微安，应用时必须放大
。 I/A
通过光电二极
E=0 U/ V 管可将光信号
E1 转换成电信号
E2 E2> E1
(a) 伏安特性 (b) 符号
光电二极管

14.5 双极型晶体管
14.5.1 基本结构
B E E
SiO2保护膜
铟球
P
B N型锗
N型硅
P型硅 N型硅 P
铟球
C C
(a) 平面型 (b) 合金型
常见晶体管的外形图
双极型晶体管
结构特点：
集电区：
面积最大
集电极
C
基区：最薄，
集电结掺杂浓度最低
N
基极 B P
B E EN
SiO2保护膜
铟球
P
发射结
N型硅 B N型锗 E 发射区：掺
P型硅 N型硅发射极
P
杂浓度最高
铟球
C C
发射结集电结发射结集电结
发射极集电极发射极集电极

E N P N C E P N P C
发射区基区集电区发射区基区集电区

B B
基极基极
C C
C C
IC IC P
IB N IB
P B T B N
B T B
N IE P
IE
E E
E
(a) E (b)
晶体管的结构示意图和符号
型晶体管；(b)PNP 型晶体管
(a)NPN 型晶体管；(b)PNP
14. 5. 2 电流分配和放大原理
1. 晶体管放大的外部条件
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看： C
NPN
N RC
B
发射结正偏 P
VB>VE RB N +
PNP UCC
集电结反偏 +
发射结正偏 VB<VE UBB E

VC>VB
集电结反偏 VC<VB 

2. 各电极电流关系及电流放大作用 IC
mA
IB C
A
B 3DG100
+ +
E UCC
RB + V UCE
V UBE
mA IE



+ 
UBB 晶体管电流放大的实验电路

设 UCC= 6V ，改变可变电阻 RB , 则基极电
流 IB 、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化
，测量结果如下表所示。
晶体管电流测量数据
IB / mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
IC / mA <0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95
IE / mA <0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05
结论 : (1) IE = IB + IC ，符合基尔霍夫定律
(2) IC  IB ， IC  IE
(3)  IC   IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流
较大
变化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质 : 用一个微小电流的变化去控制一个较大电
的变化，是 CCCS 器件。
(4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，
集电结必须反向偏置。
IC IC
  C
IB C + IB +
B B T
T UCE +  UCE
+ 
E 
UBE UBE  E 
 IE
IE 

电流方向和发射结与集电结的极性
(a) NPN 型晶体管； (b) PNP 型晶体管

3. 晶体管内部载流子的运动规律
扩散到集电结边
集电结反偏缘的电子在电场
，有少子形成 C 作用下以漂移进
的反向电流越过集电结，被
ICBO 。 ICBO N
ICE 集电区收集，形
+ ICE 。
成
基区空穴 B P UCC
向发射区的扩

散可忽略。
RB IBE
　进入 P 区的 + N
电子少部分与基 UBB 发射结正偏 ,
E IE
区的空穴复合， 发射区电子不断
形成电流 IBE, 向基区扩散，形
多数扩散到集电成发射极电流 IE
结。。
3. 晶体管内部载流子的运动规律 C IC
IC = ICE+ICBO  ICE
ICBO N
IB = IBE− ICBO  IBE IB
ICE
+
ICE 与 IBE 之比称为共发射 P UCC
B

极电流放大倍数 RB IBE
+ N
I CE I C  I CB O I C
    UBB E I
I B E I B  I CB O I B  E
I C   I B  (1   ) I C B O   I B  I C E O
若 IB = 0, 则 IC  ICEO集射极穿透电流 , 温度 ICEO
忽略 I C E O ，有 I C   I B ( 常用公
式)
14.5.3 特性曲线
晶体管特性曲线即晶体管各电极电压与电流的
关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反
映了晶体管的性能 , 是分析放大电路的依据。
研究特性曲线的目的：
(1) 直观地分析管子的工作状态。
(2) 合理地选择偏置电路的参数 , 设计性能良好
的电路。
重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。

测量晶体管特性的实验线路 IC
mA
IB C
A
B
3DG100
+ +
E UCC
RB + V UCE
V UBE
mA IE



输入回路输出回路
+ 
UBB
共发射极电路
　发射极是输入回路、输出回路的公共端。

1. 输入特性 I B  f (U B E ) U 常数
CE
特点 : 非线性
IB/A 正常工作时发射结电压：
80
60 UCE≥1V NPN 型硅管
40 UBE  (0.6 ~ 0.7) V
PNP 型锗管
20
UBE (0.2 ~  0.3)V
0 0.4 0.8 UBE/V
死区电压：
3DG100 晶体管的
输入特性曲线硅管 0.5V
锗管 0.1V
2. 输出特性 I C  f (U C E ) I B 常数
在不同的 IB 下，可得出不同的曲线，所以晶体管
的输出特性曲线是一组曲线。
IC/mA IC
4 100 µA
IB C+ +
80µA B
3 UCE UCC
+ 
60 µA E
RB UBE
2 40 µA 
20 µA + 
1 UBB
IB =0 共发射极电路
0 3 6 9
12 U /V
CE
3DG100 晶体管的输出特性曲线
2. 输出特性 I C  f (U C E ) I B 常数
晶体管有三种工作状态，因而输出特性
曲线分为三个工作区。 (1) 放大区
IC/mA 发射结处于正向偏置，
4 100 µA
集电结处于反向偏置，
80µA
3 晶体管工作于放大状态。
放 Q2 60 µA
2.3 IC =  IB , 具有恒流特性。
2 Q 40 µA
1.5
大 1 对 NPN 型管：
区 20 µA
1 UBE 约为 0.7V
IB =0 ，
0 3 6 9 12 U /V U > U 。
CE CE BE
3DG100 晶体管的输出特性曲线
(2) 截止区
IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。
IC/mA 发射结和集电结均
4 100 µA 处于反向偏置。
80µA IB = 0 时 , IC = ICEO( 很
3
60 µA 小 )
对于硅管 , ICEO < 1A 。
2 40 µA 对于锗管 , ICEO 约为
1
20 µA 几十至几百微安。
IB =0
若忽略 ICEO ：
0 3 6 9 12 U /V IC  0, UCE  UCC
CE
截止区
(3) 饱和
在饱和区， IB IC
区发射结和集电结均处于正向偏置，晶体管工作于
发射结和集电结均处于正向偏置，
，
饱和状态。
深度饱和时，
IC/mA 硅管 UCES  0.3V
4 100 µA
饱，
和 80µA
区 3 锗管 UCES 
60 µA 0.1V 。
在模拟放大电路中
2 40 µA IC  UCC/RC 。
，
20 µA
1 晶体管工作在放大状
IB =0 态。在数字电路中，
0 3 6 9 12 U /V 晶体管工作在截止或
CE
54
饱和状态。
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当晶体管饱和时， UCE  0 ，发射极与集电
极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体
管截止时， IC  0 ，发射极与集电极之间如同一个
开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放
大作用外，还有开关作用。
晶体管三种工作状态时的电压和电流如下图所示。
   U CC
IC IC  0 IC 
UBC < 0 UBC < 0 UBC > 0 RC
IB + IB = 0 + IB +
+ UCE + UCE  UCC + UCE  0
+ + +
  
UBE > 0 UBE ≤0 UBE > 0
  
(a)放大 (b)截止 (c)饱和

晶体管结电压的典型值
工作状态
饱和放大截止
管型 UBE/V
UBE/V UCE/V UBE/V
开始截止可靠截止
硅管(NPN) 0.7 0.3 0.6 ~ 0.7 0.5 ≤0
锗管(PNP) 0.3 0.1 0.2 ~ 0.3 0.1 0.1

14.5.4 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数。晶
体管的参数是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数 ，
当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数交流电流放大系数
___
IC ΔIC
   
注意： IB ΔIB
和 的含义不同，但在特性曲线近

于平行等距并且 ICEO 较小的情况下，两者数值接
近。
由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，
只有
在特性曲线的近于水平部分， IC 随 IB 成正比变化 ,
常用晶体管的 值在 20 ~ 200 之间
 值才可认为是基本恒定的。
例：在 UCE= 6 V 时，在 Q1 点 IB = 40A, IC
=1.5mA ；
 和。
在 Q2 点 IB = 60 A, IC = 2.3mA ，试求
IC / mA
解：在 Q1 点，有
4
100A
  II  1 . 5  3 7 . 5
C
3 80A B 0 .0 4
Q2 60A
2 Q1 由 Q1 和 Q2 点，得
40A
1 20A Δ IC 2 .3  1 .5
IB=0     40
Δ I B 0 .0 6  0 .0 4
0 3 6 9 12 UCE /V
在以后的计算中，一般作近似处理  =

。
2. 集 - 基极反向截止电流 ICBO
ICBO ICBO 是由少数载流
A + 子的漂移运动所形成
– + UCC 的电流，受温度的影

响大。
温度 ICBO
3. 集 - 射极反向截止电流 ( 穿透电流 )ICEO
– A +
ICEO 受温度影响大
IB= 0 。温度 ICEO ，所
ICEO +
UCC 以 IC 也相应增加。晶

体管的温度特性较差。

4. 集电极最大允许电流 ICM
集电极电流 IC 上升会导致晶体管的 值的下
降 , 当 值下降到正常值的三分之二时 , 集电极
电流即为 ICM 。
5. 集 - 射极反向击穿电压 U(BR)CEO
当集−射极电压 UCE 超过一定的数值时，晶体管
就会被击穿。手册上给出的数值是 25C, 基极开路
时的击穿电压为 U(BR) CEO 。
6. 集电极最大允许耗散功率 PCM
PCM 取决于晶体管允许的温升，消耗功率过大 ,
温升过高会烧坏晶体管。
PC ≤ PCM = IC UCE
硅管允许结温约为 150C ，锗管约为
7090C 。
由三个极限参数可画出晶体管的安全工作区。
IC
ICM
ICUCE = PCM
安全工作区
O
U(BR)CEO UCE
基本要求：
1. 掌握二极管的特性曲线及其等效电路；
2. 掌握稳压管的稳压条件。
3. 掌握三极管的结构；
4. 掌握三极管的结构，三极管的输入输出特性，会
进行状态判断。

1. 在杂质半导体中多子的数量与 a
（ a. 掺杂浓度、 b. 温度）有关
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b
。
（ a. 掺杂浓度、 b. 温度）有关
。3. 当温度升高时，少子的数量 c
（ a. 减少、 b. 不变、 c. 增多）
。4. 在外加电压的作用下， P 型半导体中的电流
主要是 b ， N 型半导体中的电流主要是 a
。
（ a. 电子电流、 b. 空穴电流）

例 2 ：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示
。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管
。

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结面积大、结电容 N型硅 金锑合金

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(c) 平面型 阴极引线

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若 V 阳 >V 阴或 UD 为正 ( 正向偏置 ) ，二极管导通

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27 章目录 上一页 下一页 返回 退出

(3) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM

环境温度每变化 1C 引起稳压值变化的百分数。

发光二极管主要用于显示电路 , 常用的有 2EF 等系列

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发射极 集电极 发射极 集电极

发射区 基区 集电区 发射区 基区 集电区

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(a)放大 (b)截止 (c)饱和

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