第四章 场效应管放大电路

第四章 场效应管放大电路

4.1 结型场效应管
4.2 绝缘栅场效应管
4.3 场效应管的主要参数
4.4 场效应管的特点
4.5 场效应管放大电路
 第四章 场效应管放大电路

4.1 结型场效应管
4.1.1 结构

图 4-1 结型场效应管的结构示意图和符号
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4.1.2 工作原理
1. UGS 对导电沟道的影响
　　先假设 UDS=0 。
　　当 UGS 由零向负值增大时 ,PN 结的阻挡层加厚 , 沟道变
窄 , 电阻增大，如图 4 － 2(a) 、 (b) 所示。
　　若 UGS 的负值再进一步增大 , 当 UGS=-UP 时两个 PN 结的
阻
挡层相遇 , 沟道消失 , 称为沟道被“夹断”了 ,UP 称为夹断
电压 , 无载流子通道 , 如图 4 － 2(c) 所示。
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图 4-2 当 UDS=0 时 UGS 对导电沟道的影响

示意
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2. ID 与 UDS 、 UGS 之间的关系

　　假定 |UGS| ＜ |UP|, UDS=2V ，将沿着沟道的方向产生 ID 。
两个 PN 结的阻挡层将出现楔形 , 靠近源极端沟道较宽 ,
而靠近漏极端的沟道较窄。
若增大 UDS, 由于沟道电阻增长较慢 , 所以 ID 随
之增加。当 UDS 进一步增加到使栅、漏间电压 UDG 等于
UP 时 , 即 UDG=UDS-UGS=UP (4 － 1)
在 D 极附近 , 两个 PN 结的阻挡层相遇 , 称为预夹断。
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图 4-3 UDS 对导电沟道和 ID 的影

响
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如果继续升高 UDS, 夹断区向源极端方向发展 , 沟

道电阻增加。由于沟道电阻的增长速率与 UDS 的增加速率
基本相同 , 故这一期间 ID 趋于一恒定值 , 不随 UDS 的增大
而增大。此时漏极电流的大小仅取决于 UGS 的大小。 UGS
越负 , 沟道电阻越大 ,ID 越小 , 直到 UGS=UP, 沟道被全部夹
断 ,ID=0 。
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4.1.3 特性曲线
1. 输出特性曲线

I D  f (U DS ) UGS 常数

(4 － 2)

图 4—4 　 N 沟道结型场效应管的输出特性

　输出特性 4 个区域 : 可变电阻区、恒流区、击穿区和截止

区
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　　 (1) 可变电阻区：固定 UGS 时 ,ID 随 UDS 增大而线性上

升 , 相当于线性电阻；改变 UGS 时 , 电阻的阻值不同。场效
应管可看做一个受 UGS 控制的可变电阻 , 即 RDS=f(UGS) 。
　　 (2) 恒流区： ID 基本不随 UDS 而变化 , 仅取决于 UGS 的
值 , 输出特性曲线趋于水平。组成场效应管放大电路时 , 工
作点设置在此区域内。
　　 (3) 击穿区。当 UDS 升高到一定程度时 , PN 结被击
穿 ,ID 将突然增大。 UGS 愈负的特性曲线击穿越早。
　　 (4) 截止区。当｜ UGS ｜≥｜ UP ｜时 , 管子的导电沟
道处于完全夹断状态 ,ID=0, 场效应管截止。
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2. 转移特性曲线

I D  f (U GS ) U DS 常数

(4-3)
2
 U GS 
I D  I DSS 1  
 UP 
(4 － 4)
图 4- 5 N 沟道结型场效应管的转移特性曲线

UGS=0 时 , ID=IDSS 称为饱和漏极电流。 UP 称为夹断电压。

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　　转移特性和输出特性相互转换

图 4-6 由输出特性画转移特
性 , 不同的 U 下的转移特性曲线几乎全部
在恒流区内 DS
重合 , 因此可用一条转移特性曲线来表示恒流区中 UGS 与 ID
的关系。
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4.2 绝缘栅场效应管
4.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管
1 结构 　　

图 4-7 N 沟道增强型 MOS 场效应管的结构示

意图
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2. 工作原理　
　　当 UGS=0 时 , 在漏极和源极的两个 N+ 区之间是 P 型衬
底 , 因此漏、源之间相当于两个背靠背的 PN 结。所以 , 无
论漏、源之间加上何种极性的电压 , 总是不导通的 , 即
ID=0 。 当 UGS=UT 时 , 在二氧化硅层中形成电场，在电
场作用下， P 区中的自由电子被吸引到两个 N 区之间的
区域范围内，形成 N 型导电沟道。在漏源之间加上电压
UDS, 产生电流 ID 。
当 UGS>UT 时 , 电场更强， N 型导电沟道变宽，
在同样的 UDS 作用下 ID 也更大。
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图 4-8UGS ＞ UT 时形成导电沟道
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3. 特性曲线
　　对于 N 沟道增强型场效应管 , 也用输出特性、转移
特性表示 ID 、 UGS 、 UDS 之间的关系 , 如图 4 － 9 所示。

图 4 – 9 N 沟道增强型 MOS 场效应管的特性曲线

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4.2.2 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管

　　预先在 SiO2 绝缘层中掺入大量的正离子 , 因此 ,UGS=0
时 , 形成 N 型导电沟道。当 UDS ＞ 0 时 , 将产生较大的漏
极电流 ID 。

图 4-10 N 沟道耗尽型
MOS 管的结构示意图
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图 4-11 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管的特性曲线

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图 4-12 MOS 场效应管电路符号

 表 4-1 各种场效应管的符号和特性曲线
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类型 符号和极性 转移特性 输出特性
iD
D iD u G S £½0 V
+ I DSS
iD £­1 V
JFET
G £­2 V
N 沟道 £­ £­3 V
u G S £½U P £½£­4 V
+ £­
S UP O u GS O u DS
£­ iD u G S £½0 V
D iD
£­ UP
iD O u GS £«1 V
JFET
G £«2 V
P 沟道 + £«3 V
+ u G S £½U P £½£«4 V
£­ S I DSS
O £­ u DS

iD iD
D u G S £½5 V
+
iD 4V
增强型
G B 3V
N MOS +
u G S £½U T £½£«2 V
£­ £­
S O
O UT u GS u DS

iD iD
D £«2 V
+
iD I DSS u G S £½0 V
耗尽型
B £­2 V
N MOS + G
u G S £½U P £½£­4 V
£­ £­
S O
UP O u GS u DS

iD £­i D
D UT u G S £½£­6 V
£­
O u GS
iD £­5 V
增强型
G B
P MOS £­ £­4 V
u G S £½U T £½£­3 V
+ +
S
O
£­ u DS

iD £­ iD
D UP
£­2 V
£­ O u GS
iD u G S £½0 V
耗尽型
B
P MOS £­ G £«2 V
I DSS u G S £½U P £½£«4 V
+ +
S
O
£­ u DS
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4.3 场效应管的主要参数
4.3.1 直流参数
1. 饱和漏极电流 IDSS
当栅源之间的电压 UGS 等于零 , 而漏、源
之间的电压 UDS 大于夹断电压 UP 时对应的漏极电流。
2. 夹断电压 UP
 当 UDS 一定时 , 使 ID 减小到某一个微小电流 ( 如
1μA, 50μA) 时所需的 UGS 值。 
3. 开启电压 UT
 当 UDS 一定时 , 增强型场效应管的漏极电流 ID 达
到某一数值 ( 例如 10μA) 时所需加的 UGS 值。  
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4. 直流输入电阻 RGS
 RGS 是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。
由于栅极几乎不索取电流 , 因此输入电阻很高。 结型
为 106 Ω 以上 , MOS 管可达 1010Ω 以上。 
4.3.2 交流参数
1. 低频跨导 gm
　　描述栅、源电压 UGS 对漏极电流的控制作用。它的定
义是当 UDS 一定时 ,ID 与 UGS 的变化量之比 , 即

I D
gm  U DS 常数 (4-5)
U GS
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跨导 gm 的单位是 mA/V ，可由转移特性或输出特性

求得，在转移特性上工作点 Q 外切线的斜率即是 gm 。
对结型场效应管 , 可由 (4 － 4) 式求导而得

I D 2 I DSS U GS
gm   (1  ) (4 － 6)
U GS UP UP

若已知 IDSS 、 UP 之值 , 只需将工作点处的 UGS 值和

IDSS 、 UP 值
代入 (4 － 6) 式 , 既可求得 gm 值。
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图 4-13 根据场效应管的特性曲线求 gm
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2. 极间电容

场效应管三个电极之间的电容 , 包括 CGS 、 CGD 和

CDS 。这些极间电容愈小 , 则管子的高频性能愈好。一般为
几个 pF 。
4.3.3 极限参数
1. 漏极最大允许耗散功率 PDm

PDm 与 ID 、 UDS 有如下关系 :

PDm  I DU DS
PDm 决定于场效应管允许的最高温升。 
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2. 漏、源间击穿电压 BUDS

在场效应管输出特性曲线上 , 当漏极电流 ID 急剧上
升产生雪崩击穿时的 UDS 。
3. 栅源间击穿电压 BUGS
结型场效应管正常工作时 , 栅、源之间的 PN
结处于反向偏置状态 , 若 UGS 过高 , PN 结将被击穿。 
对于 MOS 场效应管 , 由于栅极与沟道之间有一
层很薄的二氧化硅绝缘层 , 当 UGS 过高时 , 可能将 SiO2
绝缘层击穿 , 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于
PN 结击穿 , 而和电容器击穿的情况类似 , 属于破坏性击
穿 , 即栅、 源间发生击穿 , MOS 管立即被损坏。 
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4.4 场效应管的特点
(1) 场效应管是一种电压控制器件 , 即通过 UGS 来控制
ID 。

(2) 直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。

(3) 多数载流子导电 , 具有噪声小、受幅射的影响小、

(4) 结构对称 , 漏极和源极可互换 , 因此应用方便、
稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。
灵活。

(5) 场效应管的制造工艺简单 , 有利于大规模集成。

(6) MOS 场效应管耐受静电能力差。

(7) 场效应管的跨导较小 , 电压放大倍数较小。

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图 4 – 14 场效应管的零温度系数工作点
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图 4-15 栅极过压保护电路
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4.5 场效应管放大电路
4.5.1 静态工作点与偏置电路　　

图 4 – 16 自给偏压电路

U GS   I D RS (4 － 7)
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1. 图解法
由漏极回路
U DS  U DD  I D ( RD  RS ) (4-8)

由此在输出特性曲线上作出直流负载线 AB, 将此
直流负载线逐点转到 uGS~iD 坐标 , 得到对应直流负载线的
转移特性曲线 CD 。再由 (4 － 7) 式在 uGS~iD 坐标系中作
另一条直线 , 两线的交点即为 Q 点。
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图 4 – 17 求自给偏压电路 Q 点的图解
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　　 2. 计算法　　

解方程组
2
 U GS 
I D  I DSS 1  
 UP 
U GS   I D RS
U DS  U DD  I D ( RD  RS )

求解 UGS, ID 和 UDS
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【例 1 】 电路如图 4 - 16 所示 , 场效应管为
3DJG, 其输出特性曲线如图 4 - 18 所示。已知 RD=2 kΩ,
RS=1.2 kΩ, UDD=15V, 试用图解法确定该放大器的静态工
作点。

 解 写出输出回路直流负载线方程
U DS  U DD  I D ( RD  RS )
设
U DD 15
U DS  0V时，I D    4.7mA
RD  RS 2  1.2

I D  0mA时，U DS  15V
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在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。 

图 4-18 图解法确定工作点 ( 例 1)
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在转移特性曲线上 , 作出 UGS=-IDRS 的直线。

令 I D  0, U GS  0

I D  3mA, U GS  3.6V

连接该两点 , 在 uGS~iD 坐标系中得一直线 , 此

线与转移特性曲线的交点 , 即为 Q 点 , 对应 Q 点的值为 :

I D  2.5mA,U GS  3V ,U DS  7V
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　　另一种常用的偏置电路为分压式偏置电路。该电路栅、
源电压为
R1
U GS  UG  U S  U DD  I D RS (4 － 10)
R2  R1

利用图解法求 Q 点时 , 此方程的直线不通过
R1
U
uGS~iD 坐标系的原点 , 而是通过
GS  ID=0, U DD  点 ,
R2  R1
其它过程与自偏电路相同。
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图 4-19 分压式偏置电路
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利用计算法求解时 , 需联立解下面方程组

 R1
U GS  R  R U DD  I D RS
 1 2

 2 (4 － 11)
  U GS 
 I D  I DSS 1  U 
  P 
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4.5.2 场效应管的微变等效电路

仅存关 iD  f (uGS , uDS ) (4 － 12)

系:
iD iD
求微分式 diD  U DS duGS  U GS duDS (4-13)
uGS uDS
iD
定义 gm  U DS
uGS (4 － 14)

1 iD
 U GS
rD uDS (4 － 15)
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如果用 id 、 ugs 、 uds 分别表示 iD 、 uGS 、 uDS 的

变化部分 , 则式 (4-13) 可写为 1
id  g mugs  uds (4 － 16)
rD

2 I DSS  U GS 
gm   1   (4 － 17)
UP  UP 

2 I DSS
gm0  (4 － 18)
UP

 U GS 
g m  g m 0 1   (4 － 19)
 UP 
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附图 1 场效应管共源极微变等效电路
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4.5.3 共源极放大电路

图 4 – 20 共源极放大电路微变等效电
路
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1. 电压放大倍数 (Au)
Uo
Au 
Ui
'
U o   g mU gs R
L

式中 , RL'  RD // RL。而U gs  U i , 所以

UO
Au    g m RL' (4-20)
Ui
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2. 输入电阻 ri

ri  RG  R1 // R2 (4-21)

3. 输出电阻
ro

ro  RD (4-22)
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4.5.4 共漏放大器 ( 源极输出器 )

1. 电压放大倍数
(Au)
Uo
Au 
Ui
U o  g mU gs RL'
'
式中 , R  RS // RL。而
L

U i  U gs  U o ,U gs  U i  U o

'
所以 U o  g m (U i  U o ) R
L
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图 4-21 源极输出器
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整理后得
'
gm R U i
Uo  L
'
1  g m RL

于是得 '
gm R
Au  L
(4-23)
1  g m RL'

当 gmRL′>>1 时 ,Au≈1 。
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2. 输入电阻
ri
ri  RG (4-23)
3. 输出电阻 ro

令 Us=0, 并在输出端加一信号 U2 。

U2
I2   g mU gs
Rs
U2  1 
I2   g mU 2   g m  U 2
Rs  RS 

U2 1 1
ro    // RS (4 － 25)
I2 g  1 gm
m
Rs
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【例 3 】 计算例 2 电路 4-19 的电压放大倍数、

输入电阻、输出电阻。电路参数及管子参数如例 2, 且
RL=1MΩ,CS=100μF 。 

解 由例 2 已求得该电路的静态工作点 ,UGS=-
1.1V, ID=0.61mA, 则根据 (4-17) 式得
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2 1 1.1
gm  (1  )  0.312mA / V
5 5
' 10 1000
Au   g m RL  0.312   3.12
10  1000
50 150
ri  RG  R1 // R2  1000   1038k   1.04 M 
50  150
ro  RD  10k 
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【例 4 】 计算图 4 - 21(a) 源极输出器的 Au 、 ri 、

ro 。 ( 已 知 RG=5MΩ, RS=10 kΩ,RL=10 kΩ, 场 效 应 管
gm=4mA/V)
'
解A由于 g R
gmm 已给出 ,4所以可不计算直流状态。
5 20
u  L
'
   0.95
1  g m RL 1  4  5 21

式中 RL'  RS // RL  5k。

ri  RG  5M

1 1 1
ro  // RS  // 10   0.25k
gm 4 4