Chuong7 Bonhobandan 2013

BÀI GIẢNG MÔN HỌC
ĐIỆN TỬ SỐ
(Digital Electronics)
Chương 7: BỘ NHỚ BÁN DẪN
1
Học viện công nghệ BCVT
Khoa Kỹ Thuật Điện Tử II Chương 7: BỘ NHỚ BÁN DẪN
►7.1 KHÁI NIỆM CHUNG

7.2 BỘ NHỚ CÔ ĐỊNH ROM
7.3 BỘ NHỚ BÁN CỐ ĐỊNH
7.4 MỘT SỐ IC THÔNG DỤNG
7.5 BỘ NHỚ TRUY CẬP NHẪU NHIÊN- RAM
2
Bài giảng
Bài giảng ĐiệnĐIỆN
Tử Số TỬ SỐ
7.1.1 Khái niệm Bộ nhớ là một thiết bị có khả năng

lưu trữ thông tin (nhị phân).
7.1.2. Những đặc trưng chính của bộ nhớ
Truy cập trực

Dung lượng bộ tiếp: mỗi ô nhớ
có một địa chỉ Tốc độ truy cập
nhớ là số bit
xác định thông tin
thông tin tối đa
có thể lưu giữ Truy cập tuần tự:
trong nó Các bit thông tin
được đưa vào và
lấy ra tuần tự.
3
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.1.3 Phân loại bộ nhớ
4
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.1.4. Tổ chức của bộ nhớ Bộ nhớ thường được tổ
chức gồm nhiều vi mạch
nhớ được ghép lại để có
độ dài từ và tổng số từ
cần thiết
5
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.1.4. Tổ chức của bộ nhớ RW
CS (Chip Select)
CE (Chip Enable)
OE (Output Enable)
Ví dụ về bộ giải mã cho ma trận

ROM 128 x 128
6
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2. BỘ NHỚ CỐ ĐỊNH - ROM
7
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.1.1. Khối nhớ
Cấu trúc bộ nhớ kiểu mảng Cấu trúc bộ nhớ kiểu ma trận
tuyến tính hướng bit
8
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.1.1. Khối nhớ
Mở rộng dung
lượng bộ nhớ
ROM từ 1k x 8
thành 2k x 8
9
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.1.2. Bộ giải mã địa chỉ
Bộ giải mã địa chỉ cho mảng ma

trận ô nhớ (4 x 4) bit
10
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.1.2. Bộ giải mã địa chỉ
►Ví dụ: Giải mã bộ nhớ
11
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.1.3. Mạch ra của bộ nhớ
7.2.1.4. Mạch điều

khiển trong ROM
Dùng đầu vào điều
khiển CE để chọn chip
12
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.2. MROM
ROM lập trình theo kiểu mặt

nạ được gọi là MROM
Việc nạp dữ liệu vào ROM do
nhà máy thực hiện theo đơn
đặt hàng của khách để thực
hiện nối hoặc ngắt các diode,
transistor hay MOSFET trên
ma trận nhớ một cách cố
định.
Nhược điểm MROM là chỉ lập MROM dùng diode

trình một lần tại chỗ sản xuất
13
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.2.3. PROM PROM gồm có ma trận diode

mỗi diode được nối với một
cầu chì
Lập trình bằng cách đặt một

xung điện ở đầu ra tương
ứng, cầu chì sẽ bị đứt và bit
này sẽ bằng 1
Việc lập trình PROM sử dụng

chỉ một lần duy nhất, không
thể sửa đổi được
14
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.3. BỘ NHỚ BÁN CỐ ĐỊNH
7.3.1 EPROM (Erasable PROM)
EPROM chỉ được tạo thành

bằng công nghệ MOS.
EPROM có thể xóa đi để lập
trình lại theo mong muốn.
Để xóa thông tin đã nhớ, ta phải chiếu

tia cực tím xuyên qua tế bào.
15
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.3.2. EEPROM (Electrically Erasable PROM)
Việc lập trình và xóa một tế bào EEPROM được thực
hiện bằng cách đổi chiều nguồn điện
16
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.4 Một số IC
►EPROM xóa bằng tia cực tím
17
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.4 Một số IC
►PROM
18
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5 RAM
Cấu trúc 4 khối của một RAM có 8 bit dữ

liệu và 8 bit địa chỉ
19
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.1.1. Mạch vào/ra của RAM
Các dữ liệu trên kênh dữ liệu G0, G1, G2 và G3 viết

vào bộ nhớ khi tín hiệu cho phép viết WE = 1. Khi có
tín hiệu điều khiển cho phép đọc RE = 1 thì các cổng
G‟0, G‟1, G‟2 và G‟3 được điều khiển mở
20
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.1.2. Mạch điều khiển của RAM
Mạch điều khiển RAM có 3 chế độ: đọc/viết/chờ
21
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.2. Cấu tạo của DRAM
Các ô nhớ được sắp xếp theo hàng
và cột trong một ma trận nhớ.
RAS ở mức tích cực thấp thì

DRAM nhận được địa chỉ đặt vào
nó và sử dụng như địa chỉ hàng
Phần tử nhớ DRAM là

CAS ở mức tích cực thấp thì DRAM C có điện dung rất nhỏ
nhận được địa chỉ đặt vào nó và sử
dụng như địa chỉ cột
22
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.2. Cấu tạo của
DRAM
23
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.3. SRAM
Một ô nhớ của SRAM
giữ thông tin bởi trạng
thái của mạch trigơ.
Ô nhớ của SRAM có khả

năng khuếch đại tín hiệu
và do đó có thể cấp trực
tiếp cho các đường bit
24
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.3. SRAM
►Cấu tạo
SRAM
25
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
7.5.4. Một số IC SRAM
IC TMS 4016 dung

lượng 2k x 8 bit
26
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
MỞ RỘNG ĐỘ DÀI TỪ NHỚ
Trên một chíp
nhớ, có thể có
được 1 đến một
số hữu hạn lối ra,
thường là 4 hoặc
8 bit, muốn có độ
dài từ lớn hơn,
chẳng hạn từ 4
lên 8 hoặc 16 bit,
ta tiến hành ghép
nhiều chíp nhớ
như trên màn
hình.
27
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
MỞ RỘNG DUNG LƯỢNG BỘ NHỚ
Để tạo
ra bộ
nhớ có
dung
lượng
32x4 ta
sẽ kết
hợp 2
chip
16x4
28
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
Tóm tắt
Tìm hiểu nguyên lý cấu tạo, các tính năng cơ bản của các
loại bộ nhớ bán dẫn: ROM, PROM, EPROM, EEPROM,
SRAM, DRAM, FLASH, CACHE
29
Bài giảng
Tử Số TỬ SỐ
Câu hỏi 1: Cho biết tầm địa chỉ của các bộ nhớ sau?
Câu hỏi 2: Sử dụng IC 74138 thực hiện giải mã địa chỉ

bộ nhớ sau:
ROM 1 có tầm địa chỉ: 0000 H ÷ 07FF H.
ROM 2 có tầm địa chỉ: 0800 H ÷ 0FFF H.
ROM 3 có tầm địa chỉ: 1000 H ÷ 1FFF H.
30
Bài giảng ĐIỆN TỬ SỐ

Chuong7 Bonhobandan 2013

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong7 Bonhobandan 2013

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG MÔN HỌC

Chương 7: BỘ NHỚ BÁN DẪN

►7.1 KHÁI NIỆM CHUNG

7.1.1 Khái niệm Bộ nhớ là một thiết bị có khả năng

7.1.2. Những đặc trưng chính của bộ nhớ

Truy cập trực

7.1.3 Phân loại bộ nhớ

Ví dụ về bộ giải mã cho ma trận

Bộ giải mã địa chỉ cho mảng ma

7.2.1.4. Mạch điều

ROM lập trình theo kiểu mặt

Nhược điểm MROM là chỉ lập MROM dùng diode

7.2.3. PROM PROM gồm có ma trận diode

Lập trình bằng cách đặt một

Việc lập trình PROM sử dụng

7.3.1 EPROM (Erasable PROM)

EPROM chỉ được tạo thành

Để xóa thông tin đã nhớ, ta phải chiếu

Cấu trúc 4 khối của một RAM có 8 bit dữ

Các dữ liệu trên kênh dữ liệu G0, G1, G2 và G3 viết

Mạch điều khiển RAM có 3 chế độ: đọc/viết/chờ

RAS ở mức tích cực thấp thì

Phần tử nhớ DRAM là

Ô nhớ của SRAM có khả

IC TMS 4016 dung

Câu hỏi 2: Sử dụng IC 74138 thực hiện giải mã địa chỉ

You might also like