UVOD U TEORIJU POLUPROVODNIKA Poluprovodnici su materijali ija elektronska svojstva zavise od koncentracije primesa i irine energetskog procepa.

Sopstveni poluprovodnici su oni kod kojih svojstva zavise od elektronske strukture samog poluprovodnika a primesni ili dopirani poluprovodnici su oni ija svojstva zavise od vrste i koncentracije primesa. Poluprovodnike karakterie zonska struktura: Provodna zona Ec - dno provodne zone Ev vrh valentne zone Eg - energetski procep (zabranjena zona) Eg = Ec - Ev Valentna zona Valentna zona odgovara elektronskim stanjima valentnih elektrona koji uestvuju u formiranju kovalentne veze. Na apsolutnoj nuli ova stanja su popunjena. Provodna zona odgovara energetskim stanjima vika energije i na apsolutnoj nuli su ova stanja nepopunjena. Valentna i provodna zona su razdvojene zabranjenom zonom. U koliko elektron iz valentne zone dobije energiju EEg, on moe da savlada energetsku barijeru i da pree u provodnu zonu oslobaajui za sobom upljinu u valentnoj zoni. Stvaranje para elektron-upljina moe se postii termikom energijom kTEg, ozraivanjem poluprovodnika energijom hEg, dopiranjem i jonizacijom primesa na viim temperaturama. Elektroni u provodnoj zoni kao i upljine u valentnoj zoni predstavljaju dva osnovna tipa nosilaca naelektrisanja koji doprinose protoku struje u poluprovodnicima pod dejstvom spoljanjeg polja. Koncentracija elektrona u provodnoj zoni oznaava se sa n, a koncentracija upljina u valentnoj zoni p. Uvoenjem primesa ija se valentnost razlikuje od osnovne valentnosti poluprovodnika moe se dobiti n-tip (donorske primese) ili p-tip (akceptorske primese) poluprovodnika. Donorski tip poluprovodnika za Si koji je etvorovalentan donorske primese su petovalentni elementi kao to su P, As ili Sb. Poloaj donorskog nivoa dat je na slici Ec Donorski nivo Jonizacijom primesa elektroni sa donorskog nivoa prelaze u provodnu zonu i time Ed poveavaju koncentraciju provodnih Eg elektrona. Veinski nosioci naelektrisanja su elektroni. Ev Akceptorski tip poluprovodnika za Si koji je etvorovalentan akceptorske primese su trovalentni elementi B, Ge, Al ili In. Jonizacijom primesa elektroni iz valentne zone prelaze na akceptorski nivo i time se Ec poveava koncentracija upljina u valentnoj zoni. Veinski nosioci naelektrisanja su Eg upljine. Ea Ev Akceptorski nivo

Ec Eg Ev

JEDNAINA ELEKTRONEUTRALNOSTI U poluprovodniku mora da je ispunjen uslov elektrine neutralnosti tako da vai jednaina elektroneutralnosti: +, n + NA = p + ND gde je N+D koncentracija jonizovanih donorskih primesa, a N-A koncentracija jonizovanih akceptorskih primesa Na sobnoj i viim temperaturama smatra se da su sve primese jonizovane N+D = ND i N-A = NA, tako da se jednaina elektroneutralnosti svodi na n + NA = p + ND Sopstveni poluprovodnik: Za sopstveni poluprovodnik ND = NA = 0, i iz jednaine elektroneutralnosti sledi da je: n = p = ni , gde je ni sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja. Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa n p = ni2

n - tip poluprovodnika: Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se napisati da je n N D Koncentracija upljina se izraunava na osnovu zakona o dejstvu masa

ni2 p= ND
p - tip poluprovodnika: Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p NA Koncentracija elektrona se izraunava na osnovu zakona o dejstvu masa

n=

ni2 NA

Koncentracija elektrona u provodnoj zoni data je izrazom: Ec E f n = N c exp , kT gde se efektivni broj stanja sveden na dno provodne zone izraunava na osnovu izraza:

T N c = 2.8 10 300

19

3/ 2

cm 3 .

Koncentracija upljina u valentnoj zoni data je izrazom: E f Ev p = N v exp , kT gde se efektivni broj stanja sveden na vrh valentne zone izraunava na osnovu izraza:

T N v = 1.08 1019 300

Ef Fermijev nivo T apsolutna temperatura k Boltzmannova konstanta

3/ 2

cm 3 .

Zakon o dejstvu masa se sada moe napisati na sledei nain:

Eg ni = N c N v exp 2kT

Eg ni = A T 3 / 2 exp 2kT
Poloaj Fermijevog nivoa:

Sopstveni poluprovodnik: E + Ev Eg = Ef = c 2 2 Ec

n-tip poluprovodnika:

p-tip poluprovodnika:

Ec Ef

Ec

Ef Ev Ev

Ef Ev

ELEKTRINA PROVODNOST POLUPROVODNIKA

Pod dejstvom elektrinog polja K elektroni i upljine se kreu driftovskom brzinom (vn, vp):

vn = n K vp = p K gde su n i p pokretljivosti elektrona i upljina, respektivno.

S obzirom da su nosioci naelektrisanja i elektroni i upljine, gustina struje je data izrazom: j = jn + j p = K , a specifina provodnost poluprovodnika je: = qn n + qp p . Specifina otpornost poluprovodnika je:

1 qn n + qp p

Sopstveni poluprovodnik: n = p = ni , pa je specifina elektrina provodnost:

i = qni ( n + p )
n = qn n

n - tip poluprovodnika (n >> p):

p - tip poluprovodnika (p >> n):

p = qp p

KONCENTRACIJA NOSILACA NAELEKTRISANJA PRI TERMODINAMIKOJ RAVNOTEI; FERMIJEV NIVO

Koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja, odnosno koncentracija slobodnih elektrona, proporcionalna je verovatnoi da energetski nivo E u provodnoj zoni bude zauzet na temperaturi T; naime, raspodela elektrona i upljina po energetskim nivoima podlee Fermi-Dirakovoj funkciji raspodele, koja glasi:

f (E, T ) =

1 E EF 1 + exp kT

Ovde je: k - Boltzmannova konstanta, EF - energija Fermijevog nivoa. Energija kT na sobnoj temperaturi (T = 300K) priblino iznosi kT 0,026 eV i predstavlja veoma vanu konstantu u fizikoj elektronici poluprovodnika. Treba napomenuti da je Fermijev nivo, koji je konstanta u Fermi-Dirakovoj funkciji raspodele, energetski nivo sa odreenim fizikim znaenjem samo kod metala, kada, kao to je napomenuto, predstavlja maksimalni nivo elektrona na temperaturi apsolutne nule. Iako se Fermijev nivo kod poluprovodnika ne moe tano da definie, odnosno ne moe mu se dati odreena fizika interpretacija, ipak je njegovo uvoenje od izuzetne koristi pri prouavanju provoenja struje u poluprovodnicima i poluprovodnikim komponentama. Poloaj Fermijevog nivoa se odreuje na osnovu uslova da u kristalu poluprovodnika postoji ravnotea pozitivnog i negativnog naelektrisanja i moe se smatrati da je EF integraciona konstanta koja ne zavisi od raspodele energije meu esticama, ve samo od njihovog ukupnog broja. Po analogiji sa metalima, gde Fermijev nivo odraava termodinamiku energiju sistema, i kod poluprovodnika Fermijev nivo mora biti kontinualan na mestu spoja dva poluprovodnika, odnosno poluprovodnika i metala.

U poluprovodniku mora da je ispunjen uslov elektrine neutralnosti tako da (pod uslovom da su sve primese jonizovane) vai jednaina elektroneutralnosti: n + N A = p + N D ..(1) Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa n p = ni2 ...(2)
I)

Ukoliko se u poluprovodnik dodaju i petovalentne primese (koncentracije ND) i trovalentne primese (koncentracije NA) koncentracije elektrona i upljina se odreuju reavanjem sistema jednaina (1) i (2):

a) Ako je NA > ND odreujemo p

b) Ako je ND > NA odreujemo n

ni2 p + N A ND = 0 p

ni2 n + NA ND = 0 n
n 2 ( N D N A ) n ni2 = 0
n= (N D N A ) +

p 2 ( N A N D ) p ni2 = 0
p= (N A N D ) +

( N A N D )2 + 4ni2
2

( N D N A )2 + 4ni2
2

II) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo petovalentne primese (koncentracije ND) koncentracije elektrona i upljina se odreuju:

a) Ako je ND >> ni (minimum 10 puta)

n = ND

b) Ako je ND ni (reavamo sistema jednaina (1) i (2)) n2 n i ND = 0 n

n 2 N D n ni2 = 0
n= N D + N D 2 + 4ni2 2

III) Ukoliko se u poluprovodnik dodaju samo trovalentne primese (koncentracije NA) koncentracije elektrona i upljina se odreuju:

a) Ako je NA >> ni (minimum 10 puta)

p = NA

b) Ako je NA ni (reavamo sistema jednaina (1) i (2)) ni2 p + NA = 0 p

p 2 N A p ni2 = 0
p= N A + N A 2 + 4ni2 2

ZADATAK 1: U besprimesnom silicijumu Fermijev nivo se nalazi na sredini zabranjene zone. Izraunati verovatnou da se elektron nae na dnu provodne zone (E = Ec) na tri razliite temperature: 0 K; 20 oC; 100 oC. Poznato je: Eg (Si) = 1.12 eV (za sve tri temperature) i k = 8.62105 eV/K.
Reenje:
f (E) =
f ( EC ) = 1+ e

1
EE f

1+ e

kT

1
EC E f kT

U besprimesnom silicijumu Ef je na sredini zabranjene zone

Ef =

Ec + Ev 2

Sada se razlika Ec-Ef moe izraziti na sledei nain: E + Ev Ec Ev E g Ec E f = Ec c = = 2 2 2 1 f ( EC ) = E

g

1 + e 2 kT

Zamenom brojnih vrednosti dobija se: T=0K

T = 20 oC = 293 K T = 100 oC = 373 K

1 =0 1 + e f ( EC ) = 2.35 1010 f ( EC ) =
f ( EC ) = 2.73 108

ZADATAK 2: Ravnotene koncentracije nosilaca naelektrisanja u nekom poluprovodniku na nekoj temperaturi iznose n = 1017 cm3 i p = 105 cm3. Efektivni brojevi kvantnih stanja dna provodne i vrha valentne zone na toj temperaturi iznose Nc = Nv = 1020 cm3, a Fermijev nivo je od dna provodne zone udaljen 0.22 eV. Izraunati temperaturu datog poluprovodnika (u oC) i irinu zabranjene zone poluprovodnika na toj temperaturi. Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62105 eV/K.
Reenje: Koncentracija elektrona u provodnoj zoni data je izrazom: Ec E f n = N c exp kT Transformacijom ovog izraza dobija se: Ec E f kT = N ln c n Zamenom brojnih vrednosti dobija se: kT = 0.03185 eV Odavde se dobija temperatura poluprovodnika: T = 369.5 K T = 96.5 o C Korienjem zakona o dejstvu masa moe se doi do sledee jednaine: Eg n i2 = n p = N c N v exp kT Transformacijom ovog izraza dobija se: N N E g = kT ln c v n p Zamenom brojnih vrednosti dobija se: E g = 1.32 eV

ZADATAK 3: Odrediti koncentraciju donorskih primesa kojom mora biti dopiran silicijum da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvostruko veu od koncentracije upljina. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3.
Reenje: Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa: n p = ni2 Dato je da je koncentracija elektrona dvostruko vea od koncentracije upljina: n = 2p Zamenom u prethodni izraz dobija se: 2 p p = ni2

2 p 2 = ni2
Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija: n 1.13 1010 p= i = = 0.8 1010 cm 3 2 2 Korienjem zakona o dejstvu masa dobija se:

n 2 1.13 1010 n= i = p 8 109

= 1.6 1010 cm 3

Kako su na sobnoj temperaturi sve primese jonizovane onda vai: n + N A = p + ND Nema akceptorskih primesa, pa vai: NA = 0 Zamenom brojnih vrednosti dobija se: N D n p = 0.8 1010 cm 3

ZADATAK 4: Izraunati poloaj Fermijevog nivoa u odnosu na odgovarajuu zonu na 350 K za silicijum koji je: a) dopiran donorskim primesama koncentracije ND = 1016 cm3, b) dopiran akceptorskim primesama koncentracije NA = 1016 cm3. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3, a Eg (300 K)=1.12 eV i Eg (350 K)=1.1 eV. Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
E g (T ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62105 eV/K. ni = A T 2 exp 2kT
3

Poznato je da je koncentracija elektrona u provodnoj zoni data izrazom:

Ec E f n = N c exp kT ,

gde se efektivni broj stanja sveden na dno provodne zone izraunava na osnovu izraza: 3/ 2 19 T 3 N c = 2.8 10 cm , 300 a koncentracija upljina u valentnoj zoni data je izrazom:
E f Ev p = N v exp kT ,

gde se efektivni broj stanja sveden na vrh valentne zone izraunava na osnovu izraza: 3/ 2 T 3 N v = 1.08 1019 cm . 300
Reenje: Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu 3 E g (T ) ................(1) ni = A T 2 exp 2kT Moemo odrediti konstantu A na osnovu podataka za 300 K: 3 E g (300) 15 3 3 / 2 Iz (1) se dobija: A = n (300) 300 2 exp i = 5.5216912 10 cm K 2k 300 Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 350 K:
ni (350) = 5.5216912 10
15 3 350 2

1 .1 11 3 exp = 4.375 10 cm 5 2 8.62 10 350

a) silicijum dopiran donorskim primesama koncentracije ND = 1016 cm3

ni = 4.375 1011 cm 3 nND = 1016 cm3 Ec E f n = N c exp kT , odavde moe da se izrazi Ec E f : N c ................(2) N Ec E f = kT ln c = kT ln N n D

Treba proraunati NC na 350 K:

N c (350 K ) = 2.8 10 300

19 350

3/ 2

= 3.53 1019 cm 3

Zamenom brojnih vrednosti u (2) dobijamo: 3.53 1019 Ec E f = 8.62 10 5 350 ln 1016 = 0.246 eV

b) silicijum dopiran akceptorskim primesama koncentracije NA = 1016 cm3

ni = 4.375 1011 cm 3 pNA = 1016 cm3 E f Ev p = N v exp kT , odavde moe da se izrazi E f Ev : N v ................(3) Nv E f Ev = kT ln p = kT ln N A Treba proraunati Nv na 350 K:

N v (350 K ) = 1.08 10 300

19 350

3/ 2

= 1.36 1019 cm 3

Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobijamo: 1.36 1019 5 E f Ev = 8.62 10 350 ln 1016 = 0.218 eV

ZADATAK 5: Na T = 300 K koncentracije donorskih i akceptorskih primesa u germanijumu su ND = 21014 cm3 i NA = 31014 cm3. Odrediti tip ovako dopiranog poluprovodnika na T = 400 K. Kako se ponaa silicijum pri istim uslovima i istim koncentracijama primesa? Poznato je: - irina zabranjene zone na 300 K: EgSi (300 K) = 1.12 eV i EgGe (300 K) = 0.66 eV, - irina zabranjene zone na 400 K: EgSi (400 K) = 1.09 eV i EgGe (400 K) = 0.62 eV , - sopstvene koncentracije nosilaca na 300 K: niGe = 2.51013 cm3 i niSi = 1.131010 cm3, - sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po
E g (T ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62105 eV/K. zakonu n = A T 2 exp i 2kT
3

Reenje:
+ p + ND = n + NA - jednaina elektroneutralnosti + ND ND ; NA N A - na sobnoj temperaturi se sve primese mogu smatrati jonizovanim n p + N A N D = 0 ................(1) ................(2) p n = ni2 Iz (1) i (2) dobijamo: ni2 p + N A ND = 0 p p 2 ( N A N D ) p ni2 = 0

2 Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu 3 E g (T ) ................(4) ni = A T 2 exp 2kT

p=

(N A ND ) +

( N A N D )2 + 4ni2 ................(3)

Na 300 K:
3 E gSi (300) 15 3 3 / 2 Si: iz (4) se dobija A = n (300) 300 2 exp Si i Si = 5.5216912 10 cm K 2k 300 3 E gGe (300) 15 3 3 / 2 Ge: iz (4) se dobija A = n (300) 300 2 exp Ge i Ge 2k 300 = 1.6763054 10 cm K

Na 400 K: Si:
3 E gSi ( 400) 12 3 iz (4) se dobija n (400) = A 400 2 exp i Si Si 2k 400 = 6.0337 10 cm iz (3) se dobija pSi (400) = 11014 cm3 iz (2) se dobija nSi (400) = 3.6271011 cm3 Na 400 K je nSi << pSi , pa se silicijum ponaa kao p-tip poluprovodnika 3 E gGe (400) 15 3 : iz (4) se dobija n (400) = A 400 2 exp i Ge Ge = 1.67 10 cm 2k 400 15 3 iz (3) se dobija pGe (400) = 1.7210 cm iz (2) se dobija nGe (400) = 1.621015 cm3 Na 400 K je nGe pGe niGe, pa se germanijum ponaa kao sopstveni poluprovodnik

Ge

ZADATAK 6: Uzorak silicijuma dopiran je akceptorskim primesama koncentracije NA = 1014 cm3. Izraunati koncentracije elektrona i upljina na temperaturama: a) 0 oC (moe se smatrati da su na ovoj temperaturi sve primese jonizovane) b) 27 oC c) 450 K Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu ni (T ) = A T 3 / 2 exp( E g / 2kT ) . irina zabranjene zone silicijuma na datim temperaturama iznosi: Eg (0 oC) = 1.13 eV; Eg (27 oC) = 1.12 eV i Eg (450 K) = 1.08 eV. Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja na sobnoj temperaturi (300 K) iznosi ni = 1.131010 cm-3. Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62105 eV/K.
Reenje: Na ovim temperaturama moemo smatrati da su sve primese jonizovane, pa je koncentracija jonizovanih primesa jednaka koncentraciji akceptorskih primesa: + p + ND = n + NA - jednaina elektroneutralnosti + N A N A ; ND = 0 Jednaina elektroneutralnosti sada postaje: p = n + N A ................(1) a) Na 0 oC: Da bi smo odredili koncentraciju elektrona i upljina potrebno je da odredimo ni na 0 oC. Poznato je: Eg (27 oC) = 1.12 eV ni = 1.131010 cm-3 ni (T ) = A T 3 / 2 exp( E g / 2kT ) ................(2) Zamenom brojnih vrednosti dobijamo da je konstanta: 3 E g (300) 15 3 3 / 2 A = ni (300) 300 2 exp 2k 300 = 5.5216912 10 cm K

ni (273K ) = 5.5216912 1015 (273)3 / 2 exp(1.13 / 2 8.62 10 5 273) = 0.932 109 cm 3 Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p NA=1014 cm3
Kako je p >> ni koncentracija manjinskih elektrona se moe izraunati na osnovu zakona o dejstvu masa: p n = ni2 ................(3)

Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 0 oC (273 K).

2 Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobija se n = ni = 8686.24 cm 3 p o b) Na 27 C: Eg (27 oC) = 1.12 eV ni = 1.131010 cm-3 Pod uslovom da su sve primese jonizovane moe se smatrati da je p NA=1014 cm3 Kako je p >> ni koncentracija manjinskih elektrona se moe izraunati na osnovu zakona o dejstvu masa. 2 Zamenom brojnih vrednosti u (3) dobija se n = ni = 1.277 10 6 cm 3 p

c) Na 450 K: Eg (450 K) = 1.08 eV Moemo da odredimo ni na temperaturi 450 K.

ni (450 K ) = 5.5216912 1015 (450)3 / 2 exp(1.08 / 2 8.62 10 5 450) = 4.7427 1013 cm 3

Vidimo da je koncentracija sopstvenih nosilaca naelektrisnja uporediva sa koncentracijom primesa. Koristimo jednaine (1) i (3): p = n + N A ................(1)

ni2 ................(3) p Njihovim kombinovanjem se dobija: n2 p i NA = 0 p 2 p N A p ni2 = 0 n=

2 Zamenom brojnih vrednosti dobija se: p = 1.1891014 cm3 Onda se za n dobija: ni2 n= = 1.892 1013 cm 3 . p
U tabeli su prikazani rezultati dobijeni za tri razliite temperature koje su koriene u zadatku: Temperatura [K] 273 300 450 ni (cm3) 9.32108 1.131010 4.741013 n(cm3) 8.69103 1.28106 1.891013 p(cm3) 1014 1014 1.191014

p=

NA +

(N A )2 + 4ni2

Uporeivanjem rezultata prikazanih u tabeli moe se uoiti da sa porastom temperature raste i sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja. Osim toga rastu i koncentracije veinskih i manjinskih nosilaca naelektrisanja. Do porasta koncentracija dolazi zbog porasta broja termiki generisanih parova elektron-upljina.

ZADATAK 7: Odrediti tip i koncentraciju primesa kojom mora biti dopiran silicijum da bi na 400 K sadrao 21012 slobodnih elektrona/cm3. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3. Sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature menja se po zakonu
ni =
3 A T 2

E g (T ) . Boltzmannova konstanta iznosi k = 8.62105 eV/K. Poznato je exp 2kT

Eg (300 K) = 1.12 eV i Eg (400 K) = 1.09 eV.

Reenje: Da bi smo odredili tip i koncentraciju primesa potrebno je da odredimo ni na 400 K. Poznato je: Eg (300 K) = 1.12 eV ni (300 K)= 1.131010 cm-3 ni (T ) = A T 3 / 2 exp( E g / 2kT ) ................(1) Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo da je konstanta A: 3 E g (300) 15 3 3 / 2 A = ni (300) 300 2 exp 2k 300 = 5.5216912 10 cm K Sada moemo da odredimo ni na temperaturi 400 K:

ni (400 K ) = 5.5216912 1015 (400)3 / 2 exp(1.09 / 2 8.62 10 5 400) = 6.03 1012 cm 3

Poznato je: n = 21012 cm3 Koncentracija upljina se moe izraunati na osnovu zakona o dejstvu masa: p n = ni2
n 2 6.03 1012 p= i = n 2 1012

= 1.82 1013 2 1013 cm 3

Kako je p >> n moemo zakljuiti da se radi o p-tipu poluprovodnika (akceptorske primese) Iz jednaine elektroneautralnosti: + n + NA = p + ND dobijamo: n + NA = p Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija: N A = p n = 1.62 1013 cm 3

ZADATAK 14: Broj atoma u silicijumu je Nat = 51022 atoma/cm3. Ako se silicijumu dodaju donorske primese u odnosu 1 atom primesa na 108 atoma silicijuma, nai promenu specifine elektrine otpornosti u odnosu na sopstveni (besprimesni) poluprovodnik na sobnoj temperaturi. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3, a pokretljivosti elektrona i upljina su n = 1450 cm2/Vs i p = 500 cm2/Vs.
Reenje: Kada je poznata pokretljivost upljina i elektrona, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku, specifina provodnost se izraunava prema izrazu: = q(n n + p p )

Specifina otpornost je onda: 1 1 = = q ( n n + p p ) U istom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka koncentraciji upljina: n = p = ni Sada jednaina za specifinu otpornost postaje: 1 = 2.83 10 5 cm i = qni ( n + p ) Koncentracija donorskih primesa izraunava se na sledei nain: N N d = at = 5 1014 at / cm 3 = 5 1014 cm 3 8 10 S obzirom da su sve primese jonizovane na sobnoj temperaturi, onda je: n Nd = 51014 cm3 Koncentracija upljina se onda rauna na sledei nain: ni2 p= = 3.38 105 cm3 n Specifina otpornost poluprovodnika se izraunava na sledei nain: 1 .......(1) = q ( n n + p p ) Za poluprovodnik n-tipa vai: p<< n .......(2) Iz (1) i (2) sledi: 1 n = = 8.62 cm qn n Odnos specifine otpornosti pre i posle dopiranja je:

i = 32830 n

Dodavanjem primesa specifina elektrina otpornost silicijuma se smanjila 3.3104 puta.

ZADATAK 15: Otpornost nekog poluprovodnika po jedinici duine iznosi R =2 /cm. Koncentracija elektrona u poluprovodniku iznosi n = 1.251017 cm3. Ako struja kroz uzorak krunog poprenog preseka prenika d = 1 mm iznosi I = 157 mA nai pokretljivost elektrona, specifinu provodnost i driftovsku brzinu elektrona.
Reenje:

Zavisnost brzine nosilaca (driftovska brzina) od elektrinog polja moe se izraziti na sledei nain:

n = n K

Otpornost poluprovodnika je: l R= S Otpornost po jedinici duine je:

R' =

S obzirom da se radi o poluprovodniku n-tipa ( = qn n ) otpornost po jedinici duine moe se izraziti na sledei nain: 1 1 = R' = S qn n S Odavde se za pokretljivost elektrona dobija: 1 n = qnR ' S S obzirom da je poluprovodnik krunog poprenog preseka njegova povrina je: S = (d / 2) 2 = 7.85 10 3 cm 2
cm 2 n = 3184.7 Vs Specifina provodnost je sada: = qn n

R l

= 63.69 (cm) 1
Gustina struje kroz uzorak iznosi: I A J = = 20 S cm 2 K=J J = K
V K = 0.314 cm Na osnovu ovoga za driftovsku brzinu se dobija:

n = n E
n = 1000

cm s

ZADATAK 16: Koncentracije donorskih primesa u silicijumu n-tipa u dva razliita uzorka iznose ND1 = 1016 cm3 i ND2 = 1019 cm3. Ako su popreni preseci oba uzorka isti i iznose S = 1 mm2, izraunati duine tih uzoraka u sluaju da kroz njih protie ista struja I = 100 mA pri prikljuenom naponu od U = 0.2 V. Zavisnost pokretljivosti od koncentracije primesa na T = 300 K data je ozrazom: min = min + max
1 + ( N / N ref )

pri emu je: min = 92 cm2/Vs, max = 1360 cm2/Vs, Nref = 1.31017 cm3 i = 0.91.
Reenje: Zamenom vrednosti u opti izraz za pokretljivost za n1 i n2 se dobijaju sledee vrednosti: n1 = 1248 cm2/Vs n2 = 115.9 cm2/Vs Struje kroz uzorke mogu se izraziti na sedei nain: U U I1 = = I2 = I1 = I 2 = I R1 R2 Moe se zakljuiti da oba uzorka imaju jednake otpornosti: U R1 = R2 = = 2 I Otpornosi uzoraka mogu se izraziti na sledei nain: l l R1 = 1 1 ; R2 = 2 2 ; S1 S2 Poznato je: S1 = S 2 = S ; R1 = R2 = R Na osnovu ovoga duine ovih uzoraka mogu se izraziti na sledei nain: RS l1 = = R S 1 = R Sqn1 n1 ; n1=ND1 (sve primese su jonizovane na 300 K)

l2 =

RS

= R S 2 = R Sqn2 n 2 ;

n2=ND2 (sve primese su jonizovane na 300 K)

to zamenom brojnih vrednosti daje: l1 = 0.04 cm l 2 = 3.70 cm

ZADATAK 17: Silicijumska ploica je specifine elektrine otpornosti = 100 cm . Ako su na sobnoj temperaturi (300 K) pokretljivosti elektrona i upljina n = 1450 cm2/Vs p = 500 cm2/Vs, a ni = 1.131010 cm3, izraunati koncentraciju elektrona i upljina pri termodinamikoj ravnotei za sluaj da je silicijum n-tipa odnosno p-tipa.
Reenje:

1 q(n n + p p )

...............(1) ...............(2)

p n = ni2

Kombinovanjem izraza (1) i (2) dobija se: n2 1 n n + i p = n q n2 1 q n n+

p 2 ni = 0 n
2

p 2 1 4 ni q n q n n n= 2
1 Zamenom brojnih vrednosti dobijamo: n1 = 4.311013 cm 3 n2 = 1.5 106 cm 3 a) n1 > ni n tip poluprovodnika n1 = 4.311013 cm 3

ni2 p1 = = 2.96 106 cm3 n1

b) n2 < ni
6

p tip poluprovodnika

n2 = 1.5 10 cm 3

p2 =

ni2 = 8.51 1013 cm3 n2

ZADATAK 19: Specifina elektrina otpornost silicijuma p-tipa na sobnoj temperaturi je 0.5 cm. Pod uticajem svetlosti u poluprovodniku se generie 21016 dodatnih parova elektron-upljina po cm3. Odrediti procentualnu promenu specifine elektrine otpornosti uzrokovanu dejstvom izvora svetlosti. Poznato je da je na sobnoj temperaturi (300 K): n = 1450 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs, i ni = 1.131010 cm3.
Reenje: Poluprovodnik p-tipa 1 = q(n n + p p ) n << p

.......(1) .......(2)

Iz (1) i (2) sledi da je specifina otpornost poluprovodnika p-tipa: 1 = qp p Iz prethodnog izraza moemo izraunati koncentraciju upljina: 1 p= = 2.5 1016 cm 3 q p Koncentracija elektrona se onda rauna na sledei nain: n2 n = i = 5107.6 cm 3 p Pod dejstvom svetlosti generiu se parovi elektron-upljina n = p = 2 1016 cm 3 Koncentracije elektrona i upljina sada iznose: p1 = p + p n1 = n + n Zamenom brojnih vrednosti dobija se: p1 = 4.5 1016 cm 3 n1 = 2 1016 cm 3 Na osnovu izraza (1) za specifinu elektrinu otpornost se dobija: 1 1 = q (n1 n + p1 p )

1 = 0.12 cm
= 1 = 0.38 cm = 76 %
Procentualna promena specifine elektrine otpornosti uzrokovana dejstvom izvora svetlosti iznosi 76%.

ZADATAK 21: Posle dopiranja istog silicijuma donorskim primesama njegova elektrina provodnost je porasla 1660 puta. Za koliko se pomerio Fermijev nivo u poreenju sa istim silicijumom, ako je temperatura kristala T = 300 K, pokretljivost elektrona i upljina su n = 1450 cm2/Vs i p = 500 cm2/Vs, koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu je ni = 1.131010 cm3, a Boltzmannova konstanta k = 8.62105 eV/K.
Reenje: Sopstveni poluprovodnik: i = qni ( n + p ) = 3.52 10 6 (cm) 1 Dopirani poluprovodnik: = 1660 i = 5.85 10 3 (cm) 1

qn n

n=

= 2.52 1013 cm 3 q n ni2 p= = 5.06 10 6 cm 3 n

.............................(1) .............................(2)

E EF n = N C exp C kT E EV p = NV exp F kT Iz (1) i (2) se dobija:

n NC 2 E ( Ec + Ev ) = exp F p NV kT NV n 2 EF ( Ec + Ev ) = ln N p kT C E + EV kT NV kT n kT n EF = c + ln + ln = E Fi + ln = EFi + EF 2 2 NC 2 p 2 p Gde je: E F = kT n ln = 0.2 eV 2 p

DIODE

Rad poluprovodnikih dioda zasniva se na usmerakim osobinama p-n spojeva. p-n spoj se sastoji od intimnog spoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-tipa. Mesto na kome se prelazi sa jednog na drugi tip poluprovodnika zove se metalurki spoj. p-n spoj sa izvodima bez polarizacije prikazan je na slici.

Oblast sa nekompenzovanim primesama (sa prostornim naelektrisanjem vrsto vezanim za kristalnu reetku) zove se prelazna oblast p-n spoja. Zbog postojanja naelektrisanja, prelazna oblast p-n spoja zove se i barijerna oblast ili oblast prostornog naelektrisanja. U prelaznoj oblasti, usled prostornog naelektrisanja postoji elektrino polje K, odnosno potencijalna razlika Vbi. irina prelazne oblasti, ili barijera, moe se menjati prikljuenjem spoljanjeg napona. Smanjenje irine barijere postie se kada se na p-oblast prikljui pozitivan, a na n-oblast negativan pol spoljanjeg napona. Takav napon V zove se direktan napon. U suprotnom sluaju, tj. prikljuenjem inverznog napona VR, irina prelazne oblasti se poveava. Ako se na p-n spoj dovede napon tako da se barijera smanji kroz diodu e proticati struja. p-n spoj zove se i usmeraki spoj, jer on u jednom smeru proputa, a u drugom ne proputa elektrinu struju.
RAVNOTENO STANJE NA p-n SPOJU

Raspodela koncentracije primesa u okolini metalurskog spoja moe biti takva da je prelaz sa p- na n-tip poluprovodnika skokovit, linearan, eksponencijalan, ili po nekoj drugoj funkciji (erfc, Gausovoj, itd.). Skokovitim prelazom se moe smatrati onaj prelaz kod kojeg postoji nagla promena koncentracije sa jedne i druge strane metalurkog spoja. Nadalje e se analizirati samo skokoviti p-n spoj.

Skokoviti p-n (n-p) spoj: Kontaktna razlika potencijala p-n (n -p) spoja moe se izraziti na sledei nain: N N pn n p Vbi Vbi Vbi = U T ln A 2 D ni U prelaznoj oblasti postoji prostorno naelektrisanje od jonizovanih primesa. Ako je re o p-n spoju u p-oblasti irine xp postojae negativno naelektrisanje Qp = - qSxpNA (S je povrina pn spoja), a u n-oblasti irine xn pozitivno nalektrisanje Qn = qSxnND. S obzirom da poluprovodnik ima tano definisanu vrednost dielektrine konstante s = 0rs (0 - dielektrina konstanta vakuuma), to se naelektrisanja Qp i Qn mogu smatrati kao naelektrisanja na oblogama jednog kondenzatora, pri emu je rastojanje izmeu tih "obloga" w = xp + xn. Kapacitivnost takvog "kondenzatora" zove se kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost. S C = s w Kako u ravnotei p-n spoj mora biti elektroneutralan ( + Q = Q ), to je broj nekompenzovanih donora sa jedne strane jednak broju nekompenzovanih akceptora sa druge strane. Dobija se: qSxpNA = qSxnND, xpNA = xnND. Prema tome prelazna oblast e biti ira sa one strane sa koje je koncentracija primesa manja. Za sluaj skokovitog p-n (n-p) spoja: Ako je NA >> ND (p-n spoj) vai:

2 s Vbip n V w xn q ND

1/ 2

a kada je ND >> NA (n-p spoj) dobija se:

n p 2 s Vbi V , w xp q NA pri emu se znak "-" odnosi na direktnu, a znak "+" na inverznu polarizaciu p-n spoja, a V je apsolutna vrednost napona. 1/ 2

Kada se poznaje povrina p-n spoja S, moe se odrediti kapacitivnost prelazne oblasti p-n spoja (kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost):
q s ND S , = s = S C pn xn 2 Vbi V a kapacitivnost prostornog naelektrisanja skokovitog n-p spoja je:
pn 1/ 2

n p

q s NA S = s = S n p xp 2 Vbi V

1/ 2

STRUJA DIODE

Direktna polarizacija:
Difuziona struja (Id) se moe izraziti na sledei nain:

V Id = Is exp 1 U T
IS-inverzna struja zasienja Ovaj izraz se koristi pri izraunavanju vrednosti struje za napone koji su vei od 0.4 V
Rekombinaciona struja (Irec) se moe izraziti na sledei nain:

I rec = I r exp

V 2U T

Ir- rekombinaciona struja pri naponu V = 0 Ovaj izraz se koristi pri izraunavanju vrednosti struje za napone koji su manji od 0.3 V Ukupna struja diode (I) pri direktnoj polarizaciji jednaka je zbiru difuzione i rekombinacione struje:

V V I = I d + I rec = I s exp U 1 + I r exp 2U T T

Gde je U = kT (U T = 0.026 V na sobnoj temperaturi T=300 K) T
q
10 10 10 10
0

-1 -2

-3

ID(A), Irec(A), I(A)

10 10 10 10 10 10

-4

-5 -6

I ec I~ r

-7

-8

-9

10

-10

Ir
0.2 0.4 0.6 0.8

10

-11

0.0

I~I D ~e xp

) 2U T / (V xp e ~

Is

Inverzna polarizacija: Pri inverznoj polarizaciji diode kroz nju protie generaciona struja (Igen). Ona je pri malim inverznim naponima veoma priblino jednaka rekombinacionoj struji Ir. Kod skokovitog p-n spoja struja generacije je proporcionalna Vinv 2 , tj.:

I gen = Agen Vinv

(V/ U

V(V)

ZADATAK PN1: Izvesti izraz za ugraeni potencijal skokovitog n-p spoja u zavisnosti od koncentracije donorskih i akceptorskih primesa.
Reenje: Na slici je prikazan n-p spoj i dijagram zona za ravnoteno stanje na n-p spoju bez prikljuenog spoljanjeg napona.

Sa slike se moe videti da je

qVbi = Eip Ein

Prethodni izraz moemo proiriti EF, pa se nakon sreivanja dobija:

qVbi = Eip E F + E F Ein

Da bi odredili Vbi potrebno je odrediti Eip E F i E F Ein Odreivanje E F Ein : Krenimo od izraza za koncentraciju elektrona u provodnoj zoni:

E EF n = N c exp c kT
Ako uzmemo da je: n = ND , onda izraz (1) postaje:

.........................(1)

E EF N D = N c exp c kT
Sa druge strane, ako uzmemo da je

....................(2)

n = ni ,
onda izraz (1) postaje:

E Ein ......................(3) ni = N c exp c kT

Deljenjem (2) sa (3) dobija se:

ND E Ein , = exp F ni kT
odakle se nakon sreivanja dobija

ND E F Ein = kT ln n i
Odreivanje Eip E F : Krenimo od izraza za koncentraciju upljina u valentnoj zoni:

E Ev .........................(4) p = N v exp F kT
Ako uzmemo da je: p = NA, onda izraz (4) postaje:

E Ev ....................(5) N A = N v exp F kT
Sa druge strane, ako uzmemo da je p = ni , onda izraz (4) postaje:

Eip Ev ......................(6) ni = N v exp kT Eip E F NA = exp kT ni ,

Deljenjem (5) sa (6) dobija se:

odakle se nakon sreivanja dobija

NA Eip E F = kT ln n i
Sada se zamenom izaraza dobijenih za Eip E F i E F Ein

qVbi = Eip EF + EF Ein = kT ln Vbi = kT N A N D ln q ni2

N N NA N + kT ln D = kT ln A 2 D ni ni ni

ZADATAK PN2: Kapacitivnost prostornog naelektrisanja skokovitog p-n spoja pri naponu polarizacije V1 = 5 V je C1 = 20 pF, a pri V2 = 6 V je C2 = 18.5 pF. Odrediti ovu kapacitivnost pri polarizaciji V3 = 8 V.
Reenje: Kapacitivnost prelazne oblasti (kapacitivnost prostornog naelektrisanja kapacitivnost) skokovitog p-n spoja (NA >> ND) moe se izraziti na sledei nain:
1/ 2

ili

barijerna

q s N D ..(1) C = S 2 V V bi pri emu se znak "-" odnosi na direktnu, a znak "+" na inverznu polarizaciu p-n spoja, a V je apsolutna vrednost napona. Poznato je: Ako je V1 = 5 V, onda je C1 = 20 pF Ako je V2 = 6 V, onda je C2 = 18.5 pF Kako se radi o inverznim naponima V1 i V2 onda u izrazu (1) uzimamo pozitivan predznak i apsolutne vrednosti napona V1 i V2.

q s N D C1 = S 2 V +V 1 bi

1/ 2

.....(2) ....(3)

q s N D C2 = S 2 V +V 2 bi C1 Vbi + V2 = C2 Vbi + V1
2
1/ 2

1/ 2

Deljenjem (2) sa (3) dobija se:

Daljim sreivanjem dobija se: C1 Vbi + V2 C = 2 Vbi + V1 C1 C (Vbi + V1 ) = Vbi + V2 2 2 C 2 C1 1 Vbi 1 = V1 + V2 C C 2 2

2 C1 20 V2 V 6 5 C 1 18.5 2 Vbi = = = 0.9264 V 2 2 20 C1 1 1 18.5 C2 2

Treba odrediti: C3 = ? ako je V3 = 8 V. Izraz (1) sada postaje

 q s N D C3 = S 2 V +V bi 3 Deljenjem (4) i (2) dobija se: C3 Vbi + V1 = C1 Vbi + V3 Odavde se za C3 dobija:

1/ 2

1/ 2

..(4)

Vbi + V1 C3 = C1 V + V bi 3 Zamenom brojnih vrednosti dobija se: 1/ 2 0.9264 + 5 C3 = 20 10 12 = 16.3 pF 0.9264 + 8

1/ 2

ZADATAK PN4: Pri naponu V1=0.2 V struja kroz silicijumsku diodu iznosi I1=50 nA. Ako je rekombinaciona struja pri naponu V=0 hiljadu puta vea od inverzne struje zasienja (Ir=1000IS), izraunati vrednost struje diode I2 pri naponu na njoj od V2=0.68 V. Poznato je UT = 0.026 V.
Reenje: Poznato je: V1=0.2 V, I1=50 nA Ir=1000IS V2=0. 68 V, I2=? Ukupna struja diode, iji je grafik u funkciji direktnog napona prikazan na slici, pri direktnoj polarizaciji jednaka je zbiru difuzione i rekombinacione struje:

V V I = I d + I rec = I s exp U 1 + I r exp 2U T T

Rekombinaciona struja Irec je pri naponima manjim od 0,3 V u silicijumskim diodama moe biti i nekoliko redova veliine vea od difuzione struje. Pri naponu od 0.2 V dominantna je rekombinaciona struja, pa se moe napisati:

I1 = I rec = I r exp
Odavde se dobija:

V1 2U T

V1 I r = I rec exp 2U T
I r = 1.05 10 9 A

V1 = I1 exp 2U T

Zamenom brojnih vrednosti dobijamo: Znamo da vai Ir=1000IS, odakle se za IS dobija:

I s = 10 3 I r = 1.05 1012 A
Pri naponu od 0.68 V dominantna je difuziona struja, pa se moe napisati:

V2 V2 I2 = Id = Is = I s exp U exp U 1 T T
Zamenom brojnih vrednosti za struju I2 se dobija: I2 = 265.5 mA

ZADATAK PN5: a) Odrediti temperaturu (u Celzijusovim stepenima) silicijumske diode ako pri naponu na njoj VD = 0.6 V struja kroz diodu iznosi ID = 1 mA. Inverzna struja zasienja diode na toj temperaturi je IS = 1011 A. b) Odrediti inverznu struju zasienja IS pri istim vrednostima napona i struje (VD = 0.6 V, ID = 1 mA) ako temperatura diode opadne za 50 oC u odnosu na temperaturu izraunatu pod (a). Poznato je k=8.62105 eV/K.
Reenje: a) Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi (exp(VD/UT) >> 1) jer je napon na diodi 0.6 V. VD UT I D = I S e 1 Kako je U = kT izraz za struju diode sada postaje: T q

ID = IS e
qV

qVD kT

Odavde moemo da izraunamo temperaturu silicijumske diode:

D ID kT =e IS I qV ln D = D IS kT qVD 0.6 T= = = 377.866 K ID 10 3 5 k ln 8.62 10 ln 11 IS 10

T= 104.866 oC b) Kada temperatura diode opadne za 50 oC dobijamo: T1= T-50 oC = 104.866-50= 54.866 oC VD= 0.6 V ID= 1 mA IS1= ?
I D = I S1 e Zamenom brojnih vrednosti dobija se vrednost inverzne struje zasienja IS1: I S1 = I D e = 10 3 e IS1 = 61013 A
qVD kT1 0.6 8.6210 5 327.866 qVD kT1

ZADATAK PN6: Na slici je prikazano osnovno ispravljako kolo. Ako je Vin = 1 V a inverzna struja zasienja silicijumske diode IS = 1014 A, odrediti Vout ako je: a) R=R1 = 0.5 k b) R=R2 = 200

Reenje:

Struja diode pri direktnoj polarizaciji moe se izraziti na sledei nain:

...............(1) VD ID = Is exp U 1 T
Za kolo na slici vai:

Vin = VD + Vout = VD + R I D
Odavde se dobija:

VD = Vin R I D

...............(2)

Zbog eksponencijalne zavisnosti u (1) reenje sistema (1) i (2) se nalazi grafikim putem kao presek zavisnosti I D = f (VD ) i radne prave VD = Vin R I D . Korienjem izraza (1) moemo da izraunamo struju ID za razliite vrednosti napona VD. Rezultati su prikazani u tabeli, a kriva I D = f (VD ) je prikazana na grafiku.
VD (V)
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0 5.84198E-11 4.58127E-10 3.19291E-9 2.19043E-8 1.49927E-7 1.02585E-6 7.01894E-6 4.80235E-5 3.28576E-4 0.00225 0.01538

ID (mA)

VD (V)
0.6 0.625 0.64 0.65 0.66 0.665 0.675 0.68 0.685 0.69 0.695 0.7

ID (mA)
0.10524 0.27528 0.49015 0.72005 1.05779 1.28208 1.88344 2.28282 2.76687 3.35357 4.06467 4.92656

T4

ID=f(VD)

R2 ID(mA)
3 T2

R1
1
0.673V 0.65V

T1=T3 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

VD(V)

Na grafiku su prikazane i dve radne prave. a) R1 = 0.5 k Izraz (2) sada postaje:

VD = Vin R1 I D Za ID = 0 dobija se VD = Vin = 1 V 1 Za VD = 0 dobija se I = Vin = = 2 mA D R1 0.5 103

; dobijamo taku T1= (1 V, 0 A) ; dobijamo taku T2 = (0 V, 2 mA)

Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu. Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odreujemo napon na diodi VD = 0.65 V Odavde se dobija Vout = Vin VD = 0.35 V b) R2 = 200 Izraz (2) sada postaje:

VD = Vin R2 I D Za ID = 0 dobija se VD = Vin = 1 V Za VD = 0 dobija se I = Vin = 1 = 5 mA D R2 200

; dobijamo taku T3=T1= (1 V, 0 A) ; dobijamo taku T4 = (0 V, 5 mA)

Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu. Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odreujemo napon na diodi VD = 0.673 V Odavde se dobija Vout = Vin VD = 0.327 V Na osnovu dobijenih vrednosti zakljuujemo da vrednost otpornosti u ispravljakom kolu ne utie znaajno na vrednost Vout usled eksponencijalne zavisnosti I D = f (VD ) .

ZADATAK PN7: Kroz kolo na slici protie struja I = 10 mA. Ako je otpornost otpornika R = 230 i napon napajanja E = 3 V, izraunati inverznu struju zasienja silicijumske diode Is na sobnoj temperaturi. Poznato je UT = 0.026 V.
Reenje: Odredimo koliko iznosi pad napona na diodi:
E = R I + VD

VD = E R I = 3 230 10 10 3 = 3 2.3 = 0.7 V Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi. Dioda je direktno polarisana, pa je exp(VD/UT) >> 1.

VD I = I S eU T 1 Izraz za struju diode sada postaje:

I = IS e

VD UT

Moemo izraziti inverznu struju zasienja diode:

IS = I e Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:

I S = 10 10 3 e
0.7 0.026

VD UT

= 2 10 14 A

ZADATAK PN8: Dato je kolo na slici, pri emu su upotrebljene identine silicijumske diode. Izmerena struja kroz diodu D1 iznosi I1 = 10 mA, a izmereni napon na diodi D2 je V2 = 0.68 V. Izraunati vrednost otpornosti otpornika R1. Dato je: R2 = 1 k, E = 3 V i UT = 0.026 V.
Reenje: Napon na diodi D2 je V2, a struju kroz ovu diodu oznaiemo sa I2. Za tu granu kola vai:
E = R2 I 2 + V2

Iz prethodne jednaine moemo da izraunamo struju I2:

I2 = E V2 3 0.68 = = 2.32 mA R2 1000

Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi jer su diode direktno polarisane (exp(VD/UT) >> 1).

VD I = I S eU T 1 Izraz za struju diode D2 sada postaje:

I2 = IS e

V2 UT

Moemo izraziti inverznu struju zasienja diode:

IS = I2 e

V 2 UT

= 2.32 10

0.68 0.026

= 1.016 1014 A

Struja kroz diodu D1 je I1, a napon na ovoj diodi oznaiemo sa V1. Za tu granu kola vai:
E = R1 I1 + V1

Iz prethodne jednaine moemo da izraunamo vrednost otpornika R1: R1 = E V1 .................(1) I1

V1 UT

Nepoznat nam je pad napona na diodi D1: Iz izraza za struju diode D1: I1 = I S e moemo da odredimo V1:

I1 V1 = U T ln I S

10 10 3 = 0 . 026 ln 1.016 10 14 = 0.718 V

Sada iz (1) dobijamo: E V1 3 0.718 = = 228 R1 = I1 10 10 3

ZADATAK PN11: Za date ulazne napone (Vin) prikazane na slikama 1 i 2 nacrtati oblike napona (Vout) na izlazima ispravljaa.

Slika 1

Slika 2
Reenje: Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 1 iznosi: Vmax out = Vmax in 0.7V = 5V 0.7V = 4.30V Maksimalna vrednost je smanjena za 14% Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 3.

Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 2 iznosi: Vmax out = Vmax in 0.7V = 100V 0.7V = 99.30V Maksimalna vrednost je smanjena za 0.7% Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 4.

BIPOLARNI TRANZISTORI

Bipolarni tranzistori su komponente sa tri izvoda (kao to je prikazano na slici). Ti izvodi su kontaktirani za tri oblasti: oblast tranzistora iz koje se injektuju nosioci naelektrisanja zove se emitor, oblast u koju se injektuju ti nosioci je baza, a oblast u koju ekstrakcijom iz baze dolaze nosioci zove se kolektor.

Bipolarni tranzistor se sastoji od dva p-n spoja, kao to je prikazano na slici. Meutim, naglaava se da ti p-n spojevi moraju da budu u jednoj poluprovodnikoj komponenti; tranzistor se ne moe, dakle, dobiti jednostavnim spajanjem dva p-n spoja (dve diode); osnovno svojstvo tranzistora sastoji se ba u tome da izmeu tih p-n spojeva postoji uzajamno dejstvo; strujom jednog spoja moe se upravljati struja drugog p-n spoja. U zavisnosti od toga koga je tipa srednja oblast, koja se, kao to je reeno, zove baza, razlikuju se p-n-p (PNP) i n-p-n (NPN) tranzistori. Na prethodnoj slici je prikazan NPN tranzistor.
NAIN RADA TRANZISTORA

U normalnom radnom reimu (aktivnom reimu) jedan p-n spoj tranzistora je direktno, a drugi inverzno polarisan; direktno polarisan spoj jeste emitor-bazni (ili, kratko, emitorski) spoj, a inverzno polarisan spoj je kolektorbazni (kolektorski) spoj. Polarizacija tranzistora u ostalim oblastima rada prikazana je na slici.

Prema tome, u normalnom radnom reimu (aktivnom reimu) kod PNP tranzistora (slika a) pozitivan pol izvora prikljuen je za emitor preko metalnog kontakta, a negativan za bazu; pozitivan pol kolektorskog izvora prikljuen je na bazu, a negativan na kolektor. Kod NPN tranzistora (slika b) je obrnuto. Za tranzistore vai:

I E = I B + IC

Osnovna karateristika bipolarnog tranzistora jeste da je to komponenta koja ima pojaavaka svojstva, tj. da signal koji se dovodi na ulaz tranzistora biva pojaan na njegovom izlazu. Kako tranzistor ima tri izvoda, to se on moe ukljuiti na 6 razliitih naina u dva elektrina kola, pri emu je jedan kraj zajedniki za oba kola. Meutim, u praksi se koriste samo 3 naina vezivanja; Na primeru PNP tranzistora- spoj sa uzemljenom (zajednikom) bazom, spoj sa uzemljenim emitorom i spoj sa uzemljenim kolektorom.

KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA

Odnos izlazne i ulazne struje zove se koeficijent strujnog pojaanja. Tako, kod tranzistora sa uzemljenom bazom, koeficijent strujnog pojaanja je: I = C za VEB = const. IE Ovde, zapravo, nije re o strujnom pojaanju, s obzirom da je < 1; ovaj termin "koeficijent strujnog pojaanja" ima pravo znaenje kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, gde predstavlja odnos kolektorske (izlazne) i bazne (ulazne) struje: I = C za VBE = const. IB Veza izmeu koeficijenata strujnih pojaanja tranzistora sa uzemljenim emitorom i uzemljenom bazom: I IC I /I . = C= = C E = I B I E IC 1 IC / I E 1 Iz poslednjeg izraza, takoe, sledi: = . 1+

STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE NPN TRANZISTORA SA UZEMLJENIM EMITOROM Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom predstavljaju zavisnost izlazne struje IC od izlaznog napona VCE pri konstantnoj ulaznoj struji IB. Vidi se da i kada je bazna struja jednaka nuli, izmeu kolektora i emitora protie struja ICE0; Sa slike se, takoe, vidi da su, desno od isprekidane krive (aktivna oblast emitorski spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan), izlazne karakteristike paralelne (to je samo teorijski, dok su u praksi one nagnute sa pozitivnim koeficijentom nagiba); isprekidana kriva oznaava granicu oblasti zasienja (saturacije) i njome je odreen napon zasienja VCEsat izmeu emitora i kolektora nakon kojeg je kolektorska struja praktino konstantna i jednaka ICsat. Levo od isprekidane krive (za napone 0 < VCE VCEsat i struje 0 < IC < ICsat) je i kolektorski p-n spoj direkno polarisan i ta oblast se ne koristi u pojaavake svrhe.

NPN tranzistor Normalna aktivna oblast: Naponski uslovi: VBE > 0 VBC < 0 Strujni uslov: I C = I B Oblast zasienja: Naponski uslovi: VBE > 0 VBC > 0 Strujni uslov: I C < I B

BE spoj direktno polarisan BC spoj inverzno polarisan

BE spoj direktno polarisan BC spoj direktno polarisan

ZADATAK BJT1: Odrediti reim rada NPN bipolarnog tranzistora ije je strujno pojaanje = 450, ako je poznato: a) VBE = 0.7 V, VCE = 5.2 V b) VBE = 0.7 V, VCE = 0.2 V c) VBE = 0.8 V, VBC = 0.8 V d) VBE = 0.8 V, VBC = 0.7 V e) VBE = 0.8 V, VBC = 0.7 V f) VBE = 0.1 V, VBC = 10 V g) IC = 455 mA, IB = 1 mA h) IC = 455 mA, IE = 502 mA
Reenje: a) VBE = 0.7 V > 0 VBC = VBE VCE = 4.5 V < 0 VBE = 0.7 V > 0 VBC = VBE VCE = 0.5 V > 0 VBE = 0.8 V > 0 VBC = 0.8 V > 0 VBE = 0.8 V > 0 VBC = 0.7 V < 0 VBE = 0.8 V < 0 VBC = 0.7 V > 0 VBE = 0.1 V > 0 VBC = 10 V < 0 BE spoj direktno polarisan BC spoj inverzno polarisan Tranzistor je u normalnom aktivnom reimu BE spoj direktno polarisan BC spoj direktno polarisan Tranzistor je u zasienju BE spoj direktno polarisan BC spoj direktno polarisan Tranzistor je u zasienju BE spoj direktno polarisan BC spoj inverzno polarisan Tranzistor je u normalnom aktivnom reimu BE spoj inverzno polarisan BC spoj direktno polarisan Tranzistor je u inverznom reimu

b)

c)

d)

e)

BE spoj direktno polarisan BC spoj inverzno polarisan Teorijski tranzistor je u normalnom aktivnom reimu, ali VBE = 0.1 V je ispod nivoa direktno polarisanog PN spoja prekid f) g) U normalnom aktivnom reimu I C = I B = 450 I B = 1 mA I C = 450 1 mA = 450 mA 455 mA h) I C = 455 mA , I E = 502 mA = 450 I B = 450 47 mA = 21.15 A I C < I B

Tranzistor je u normalnom aktivnom reimu I B = I E I C = 47 mA

Tranzistor je u zasienju

ZADATAK BJT2: Pojaanje bipolarnog tranzistora sa zajednikim emitorom koji radi kao naponom kontrolisani strujni izvor je = 450. Ako je kolektorska struja IC = 1 mA, izraunati baznu i emitorsku struju. Izraunati strujno pojaanje tranzistora sa zajednikom bazom.
Reenje: Pojaanje tranzistora sa zajednikim emitorom:

IC IB

IB =

IC

1 mA = 2.22 A 450

S obzirom da je: I E = IC + I B
I E = 1 mA + 0.00222 mA = 1.00222 mA

Pojaanje tranzistora sa zajednikom bazom:

IC IE

IC IC I I /I IB IB = C = C B = = = IC I B + 1 I E I E / I B IC + I B + IB IB IB Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:

+1

450 = 0.9978 450 + 1

ZADATAK BJT3: NPN bipolarni tranzistor u kolu sa slike ima strujno pojaanje = 550, dok je RC = 1 k i V + = 5 V. Odrediti minimalnu struju baze IB pri kojoj e se tranzistor nai u zasienju. Pretpostaviti da je VBE = 0.7 V.

Reenje: Tranzistor e biti u zasienju ukoliko su ispunjeni sledei uslovi: Oba spoja direktno polarisana: VBE > 0 , V BC > 0 .....................( I ) I C < I B .....................( II ) Iz (I) se dobija

VBC VBE VBE VBE

>0 + VEC > 0 > VEC > VCE

VBE > V + I C RC
Iz ovog uslova se dobija: I C RC + VBE > V +

IC >

V + VBE RC 5 0.7 IC > = 4.3 mA 1000

S druge strane iz uslova ( II ) je: I C < I B

IB >

IB >

IC

4.3 mA = 7.82 A 550

ZADATAK BJT4: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih baznih struja. Odrediti radnu taku i reim rada tranzistora za date razliite struje baze ako je vrednost otpornika koji se vezuje u kolo kolektora: a) RC1 = 2k ; b) RC 2 = 5k . Poznato je VCC = 3V .
Reenje:

a) RC1=2 k VCE=VCCRC1IC Za IC = 0 dobija se VCE = VCC = 3 V dobijamo taku T1= (3 V, 0 A) Za VCE = 0 dobija se I = VCC = C

RC1

3 = 1.5 mA 2 103

dobijamo taku T2 = (0 V, 1.5 mA) Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu. b) RC2=5 k VCE=VCCRC2IC Za IC = 0 dobija se VCE = VCC = 3 V dobijamo taku T3=T1= (3 V, 0 A) Za VCE = 0 dobija se I = VCC = C

RC 2

3 = 0.6 mA 5 103

dobijamo taku T4 = (0 V, 0.6 mA)

Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu. a) Za IB=2.5 A, IB=7.5 A, IB=12.5 A Za IB=17.5 A b) Za IB=2.5 A Za IB=7.5 A, IB=12.5 A, IB=17.5 A Radna taka: a) b) IB=2.5 A VCE=2.48V IC=0.26mA VCE=1.73V IC=0.26mA IB=7.5 A VCE=1.47V IC=0.76mA VCE=0.04V IC=0.59mA IB=12.5 A VCE=0.46V IC=1.26mA VCE=0.01V IC=0.59mA IB=17.5 A VCE=0.04V IC=1.47mA VCE=0.01V IC=0.59mA tranzistor je u aktivnom reimu tranzistor je u zasienju tranzistor je u aktivnom reimu tranzistor je u zasienju

ZADATAK BJT5: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih baznih struja. Prikazana je i radna taka M za sluaj kada je struja baze IB=10 A. a) Odrediti vrednost otpornosti otpornika koji je vezan u kolo kolektora RC1. b) Ako se otpornik RC1 zameni otpornikom RC2 koji ima 4 puta veu otpornost odrediti u kom reimu radi tranzistor ako je struja baze IB=10 A? Poznato je VCC = 6 V .
Reenje:

a) Treba odrediti vrednost otpornosti otpornika RC1. U radnoj tatki M vai: VCEM=VCCRC1ICM.................................(1) Odavde se dobija: V VCEM 63 RC1 = CC = = 1.5 k I CM 2 10 3 b) Ako se RC1 zameni otpornikom RC2= 4RC1=6 k VCE=VCCRC2IC.................................(2) Za IC = 0 dobija se VCE = VCC = 6 V dobijamo taku T1= (6 V, 0 A) Za VCE = 0 dobija se I = VCC = C

RC 2

6 = 1 mA 6 103

dobijamo taku T2 = (0 V, 1 mA) Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu za sluaj RC2 =6 k. Sa slike moemo videti gde je radna taka M1 (za sluaj kada je struja baze 10 A). Tranzistor je u zasienju.

ZADATAK BJT6: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih baznih struja. Prikazane su i radne take M1 i M2 za sluaj kada su struje baze 30 A i 20 A, respektivno. Odrediti vrednost otpornosti otpornika koji se vezuje u kolo kolektora RC i vrednost napona napajanja VCC.
Reenje:

Treba nacrtati radnu pravu. RC=? VCC=? VCE=VCCRCIC.................................(1) Kroz take M1 i M2 provuemo radnu pravu. Gde se radna prava presee sa VCE osom dobijamo taku T1 Gde se ta prava presee sa IC osom dobijamo taku T2 U taki T1= (5 V, 0 A) vai da je IC=0. Iz izraza (1) se onda dobija: VCE = VCC = 5 V Treba uzeti VCC=5 V. U taki T2= (0 V, 10 mA) vai da je VCE=0. Iz izraza (1) se onda dobija: 50 V VCE RC = CC = = 0.5 k IC 10 103 Treba uzeti RC=0.5 k.

ZADATAK BJT8: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih baznih struja. Odrediti vrednost otpornosti otpornika RC koji treba da se vee u kolo kolektora, tako da pri struji baze od 10 A radna taka tranzistora bude u aktivnoj oblasti. Na raspolaganju su otpornici sledeih vrednosti otpornosti: 6.8 k, 3.3 k i 1.5 k. Poznato je VCC = 6 V .
Reenje:

Treba nacrtati radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC. VCE=VCCRCxIC.................................(1) Za IC = 0 dobija se VCE = VCC = 6 V dobijamo taku T1= (6 V, 0 A) Za VCE = 0 dobija se I = VCC C

RCx

- Ako je RC=6.8 k dobijamo IC=0.882 mA. Oznaiemo ovu taku sa T2 = (0 V, 0.882 mA) - Ako je RC=3.3 k dobijamo IC=1.818 mA. Oznaiemo ovu taku sa T3 = (0 V, 1.818 mA) - Ako je RC=1.5 k dobijamo IC=4 mA. Oznaiemo ovu taku sa T4 = (0 V, 4 mA) Sada moemo da nacrtamo radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC. Moe se videti da se za otpornike otpornosti 6.8 k i 3.3 k tranzistor pri struji baze od 10 A nalazi u zasienju. Ako je otpornost otpornika 1.5 k tranzistor se pri struji baze od 10 A nalazi u normalnoj aktivnoj oblasti. Treba uzeti RC=1.5 k.

ZADATAK BJT9: Pri baznoj struji IB = 1 A, napon izmeu emitora i kolektora NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom (kao na slici), koji ima koeficijent strujnog pojaanja = 200, iznosi VCE1 = 5 V. Kada kroz tranzistor protie kolektorska struja IC = 1 mA, napon izmeu emitora i kolektora tada iznosi VCE2 = 1 V. Izraunati koliko iznose vrednosti napona napajanja VCC i otpornost otpornika RC. Poznato je da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
Reenje:

IB = 1 A IC = 1 mA

VCE1 = 5 V VCE2 = 1 V

VCE = VCC - ICRC ...................(1) Tranzistor je u normalnoj radnoj oblasti, pa vai: IC= IB Zamenom u (1) dobija se: VCE1 = VCC - IB1RC VCE2 = VCC IC2RC =VCC - IB2RC Zamenom brojnih vrednosti dobijamo: 5=VCC 2001106 RC ...................(2) 3 1=VCC 110 RC ...................(3) Oduzimanjem (2) (3) dobijamo: 800106 RC = 4 Odavde se dobija: RC = 5 k Iz (2) se onda dobija: VCC = 6 V

ZADATAK BJT11: Za kolo sa slike odrediti da li je tranzistor u zasienju. Poznato je: VBB=3V, VCC=10V, RB=10k, RC=1k, VBE=0,7V, VCE(sat)=0,2V, =50.

REENJE:

Na osnovu kola baze moe se napisati:

VBB = RB I B +VBE

(1)

odakle se za struju baze dobija:

I B= V BB V BE = 0,23 mA RB

(2)

tako da je:
I B = 11,5mA

(3)

S druge strane, kada je tranzistor u zasienju, na osnovu kola kolektora je:

I C ( sat ) = VCC VCE ( sat ) RC = 9,8mA

(4)

Poto je:
I C ( sat ) < I B

(5)

zakljuuje se da je tranzistor u zasienju.

Zadatak 1. Tranzistor u kolu poja cava ca sa zajedni ckim emitorom sa slike ima slede ce teh ni cke specikacije: maksimalna snaga disipacije PD(max) = 800 mW, maksimalni napon izmedu kolektora i emitora VCE(max) = 15 V i maksimalna struja kolektrora IC(max) = 100 mA. Odrediti maksimalnu vrednost napajanja VCC za koju c e tranzistor raditi u okviru speciciranih vrednosti. Poznato je: VBB = 5 V, RB = 22 k, RC = 1 k, VBE = 0.7 V, = 100.

RC + + VBE VCE

RB + VBB

+ VCC

kolektora i emitora i struje Reenje. Maksimalne vrednosti snage disipacije, napona izmedu kolektora se deniu za aktivni reim rada tranzistora.

RC + + VBE

IC

RB + VBB IB

+ VCC

VCE

Kolo baze zadovoljava relaciju: VBB = VBE + RB IB , iz koje se za struju baze dobija: IB = VBB VBE 5V 0.7V = 195 A. = RB 22 k (2) (1)

U aktivnom reimu rada struja kolektora je odredena vredno cu struje baze i iznosi: IC = IB IC = 100 195A = 19.5 mA. Ova vrednosti je manja od maksimalne struje kolektora (IC < IC(max) ). Za kolo kolektora vai relacija: VCC = VCE + RC IC . (3)

(4)

Vrednosti RC i IC su poznate tako da je maksimalna vrednost VCC : VCC(max) = VCE(max) + RC IC VCC(max) = 15 V + 1k 19.5 mA = 34.5 V. (5)

kolektora i emitora disipacija na tranzistoru Za ove vrednosti struje kolektora i napona izmedu je: PD = VCE(max) IC = 293 mW, (6) koto je ispod maksimalne dozvoljene vrednosti. Zaklju cuje se da maksimalni napon izmedu lektora i emitora predstavlja ograni cavaju ci faktor, tako da je maksimalna dozvoljena vrednost napona napajanja VCC(max) = 34.5 V.

Zadatak 2. Za kolo na slici u kome tranzistor radi kao prekida c odrediti: a) Napon VOUT kada je VIN = 0 V. b) Najmanju vrednost struje baze za koju c e tranzistor u ci u zasi cenje, ako je = 125 i VCE(sat) = 0.2 V. uslov zasi c) Maksimalnu vrednost RB za koju je obezbeden cenja ako je VIN = 5 V. Poznato je: VCC = 10 V, RC = 1 k, VBE = 0.7 V.
+ VCC

RC VOUT RB VIN + VBE + VCE

Reenje. Kroz kolo proti cu struje nazna cene na slici:

+ VCC

RC + + VBE

IC VOUT

RB VIN IB

VCE

Napon na izlazu kola je: VOUT = VCE = VCC RC IC . (1) a) Kada je VIN = 0 V bazni spoj je zako cen tako da je IB = 0, a samim tim i IC 0. Odatle sledi da je: VOUT = VCC = 10V. (2) b) Naponski uslov za tranzistor u zasi cenju je VCE = VCE(sat) . Za kolektorsko kolo vai relacija: VCC = VCE(sat) + RC IC , (3)

odnosno u zasi cenju struja kolektora iznosi: IC = IC VCC VCE(sat) RC 10 V 0.2 V = = 9.8 mA. 1k (4)

Strujni uslov zasi cenja je IC < IB odnosno: IB > IC . (5)

Odavde se za najmanju vrednost struje baze koja obezbeduje zasi cenje tranzistora dobija: IB(min) = c) Kolo baze zadovoljava relaciju: VIN = VBE + RB IB . (6) Maksimalna dozvoljena vrednost RB za uslov zasi cenja se dobija pri minimalnoj vrednosti struje baze: VIN VBE 5 V 0.7 V = 54.85 k. (7) = RB(max) = IB(min) 78.4 A 9.8 mA = 78.4 A. 125

Zadatak 3. Odrediti radnu ta cku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo napajano preko naponskog razdelnika prikazano na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RE = 560 , RC = 1 k, R1 = 10 k, R2 = 5.6 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+ VCC

RC R1 + + VBE R2 VCE

RE

Reenje. Kroz kolo proti cu struje nazna cene na slici:

+ VCC

RC IB+I2 R1 IB + VBE I2 R2 RE +

IC

VCE

IE

Napon na bazi tranzistora je: VB = R2 I2 . Istovremeno vai relacija: VCC = R1 (IB + I2 ) + R2 I2 . (2) Kola napajana preko naponskog razdelnika se realizuju tako da je struja baze mnogo manja od struje koja proti ce kroz otpornik R2 (IB I2 ). Time se relacija (2) moe pojednostaviti: VCC (R1 + R2 )I2 . Za struju I2 se dobija: I2 VCC , R1 + R2 (4) (3) (1)

odnosno za napon na bazi tranzistora: VB 5.6 k R2 10 V = 3.59 V. VCC = R1 + R2 10 k + 5.6 k (5)

Napon na emitoru tranzistora je: VE = VB VBE VE = 3.59 V 0.7 V = 2.89 V, a na osnovu njega struja emitora: IE = Struja kolektora je: IC = IE IB = IE = IC = IE +1 (7) VE 2.89 V = 5.16 mA. = RE 560 (6)

100 5.16 mA = 5.11 mA. 100 + 1

Naponska relacija za kolo kolektora je: VCC = RC IC + VCE + VE , kolektora i emitora daje: to za napon izmedu VCE = VCC RC IC VE VCE = 10V 1 k 5.11 mA 2.89 V = 2 V. Radna ta cka je odredena vrednostima VCE = 2 V, IC = 5.11 mA. (9) (8)

Zadatak 4. Odrediti radnu ta cku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+ VCC

RC + + VBE VCE

RB

Reenje. Kroz kolo proti cu struje nazna cene na slici:

+ VCC

RC + + VBE

IC

RB IB

VCE

Za kolo baze vai naponska relacija: VCC = RB IB + VBE , na osnovu koje se struja baze odreduje kao: IB = IB Struja kolektora je: IC = IB = 100 34.2 A = 3.42 mA, kolektora i emitora dobija: dok se za napon izmedu VCE = VCC RC IC VCE = 12V 560 3.42 mA = 10.1 V. Radna ta cka je odredena vrednostima VCE = 10.1 V, IC = 3.42 mA. (4) (3) VCC VBE RB 12 V 0.7 V = 34.2 A. = 330 k (2) (1)

Zadatak 5. Odrediti radnu ta cku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, RE = 1 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+ VCC

RC + + VBE VCE

RB

RE

Reenje. Kroz kolo proti cu struje nazna cene na slici:

+ VCC

RC + + VBE RE

IC

RB IB

VCE

IE

Za kolo baze vai naponska relacija: VCC = RB IB + VBE + RE IE . struje emitora i struje baze je: Veza izmedu IE = IC + IB = IB + IB = ( + 1)IB . Zamenom IE u (1) dobija se: VCC = RB IB + VBE + RE ( + 1)IB , odnosno struja baze se odreduje kao: IB = IB Struja kolektora je: IC = IB = 100 26.2 A = 2.62 mA, (5) VCC VBE RB + RE ( + 1) 12 V 0.7 V = = 26.2 A. 330 k + 1 k(100 + 1) (4) (3) (2) (1)

a struja emitora: IE = ( + 1)IB = (100 + 1) 26.2 A = 2.65 mA. Za kolo kolektora vai naponska relacija: VCC = RC IC + VCE + RE IE . kolektora i emitora dobija: dok se za napon izmedu VCE = VCC RC IC RE IE VCE = 12V 560 2.62 mA 1k 2.65 mA = 7.88 V. Radna ta cka je odredena vrednostima VCE = 7.88 V, IC = 2.62 mA. (8) (7) (6)

Zadatak 6. Odrediti radnu ta cku (VCE , IC ) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RC = 10 k, RB = 180 k, VBE = 0.7 V, = 100.
+ VCC

RC + + VBE VCE

RB

Reenje. Kroz kolo proti cu struje nazna cene na slici:

+ IB+IC VCC

RC

IC RB IB + VBE + VCE

Za kolo baze vai naponska relacija: VCC = RC (IC + IB ) + RB IB + VBE . Struja kolektora je: IC = IB . Zamenom IC u (1) dobija se: VCC = ( + 1)RC IB + RB IB + VBE , odnosno struja baze se odreduje kao: IB = IB Za struju kolektora se dobija: IC = IB = 100 7.82 A = 782 A, (5) VCC VBE RB + ( + 1)RC 10 V 0.7 V = = 7.82 A. 180 k + (100 + 1)10 k (4) (3) (2) (1)

 kolektora i emitora: a za napon izmedu VCE = VCC RC (IC + IB ) VCE = 10 V 10 k(782 A + 7.82 A) = 2.1 V. Radna ta cka je odredena vrednostima VCE = 2.1 V, IC = 782 A. (6)

MOS TRANZISTORI MOS tranzistori su komponente sa tri izvoda: sors, drejn i gejt. MOS (Metal-OxideSemicoductor) tranzistori spadaju u grupu tranzistora sa efektom polja, takozvane FET (FieldEffect Transistor), tako da se mogu sresti i pod nazivom MOSFET.

Najvea prednost MOS tranzistora je u tome to su to naponski kontrolisane komponente, za razliku od strujno kontrolisanih (strujom baze) bipolarnih tranzistora. Poznato je da kod bipolarnih tranzistora u procesu provoenja elektrine struje uestvuju obe vrste nosilaca naelektrisanja (i elektroni i upljine). Za razliku od bipolarnih, MOS tranzistori su unipolarne komponente kod kojih u provoenju elektrine struje u normalnom radnom reimu uestvuje samo jedna vrsta nosilaca naelektrisanja. U zavisnosti od toga koja vrsta nosilaca uestvuje u provoenju, MOS tranzistori se dele na n-kanalne i p-kanalne.

NAIN RADA MOS TRANZISTORA MOS tranzistori koriste efekat poprenog polja, kojim se ostvaruje inverzija tipa provodnosti povrinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj nain formira kanal izmeu sorsa i drejna. Ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS tranzistora gejt prikljui na pozitivan napon u odnosu na p-supstrat, pri emu su i sors i drejn uzemljeni, u supstratu e se neposredno ispod oksida na njegovoj povri, indukovati negativno naelektrisanje i to tako to e se upljine iz povrinskog sloja udaljiti i ostaviti nekompenzovane negativno naelektrisane akceptorske jone. Poveavanjem pozitivnog napona na gejtu sve vie se udaljavaju upljine, a iz zapreminskog dela supstrata ka povini kreu manjinski elektroni sve dok, pri odreenom naponu na gejtu, ne nastupi inverzija tipa provodnosti supstrata. Drugim reima, pri jednoj vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i obeleava sa VT, povrinski sloj psupstrata ispod oksida gejta, a izmeu sorsa i drejna, ponaa se kao n-tip poluprovodnika. Stoga se ta oblast ponaa kao kanal od sorsa do drejna (sors i drejn su istog tipa provodnosti kao indukovani kanal). Ako se u tim uslovima dovede pozitivan napon na drejn u odnosu na sors, elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da dou do drejna, odnosno u tom sluaju izmeu sorsa i drejna e proticati struja drejna. Ukoliko je napon na gejtu vei, utoliko je jaa inverzija tipa, odnosno utoliko je vei broj elektrona u kanalu. Kada je re o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim naponom na gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se skupljaju upljine. IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA Uspostavljanje kanala izmeu sorsa i drejna omoguuje proticanje struje od sorsa do drejna kada se prikljui odgovarajui napon na drejn. Izlazne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnosti struje drejna ID od napona na drejnu VD.

Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se moe predstaviti kao otpornik, tako da je struja drejna u jednom delu strujno-naponske (ID-VD) karakteristike priblino linearno proporcionalna naponu na drejnu; to je tzv. linearna oblast rada MOS tranzistora. Nakon linearne oblasti, a pri naponima |VD| < |VG VT|, struja drejna sporije raste sa poveavanjem napona na drejnu. To je, stoga, to se kanal u okolini drejna suava, kao posledica poveavnja irine prelazne oblasti p-n spoja drejn-supstrat, koji je inverzno polarisan. Ta oblast, zajedno sa linearnom oblau, sve do napona na drejnu |VD| = |VG VT| zove se triodna oblast, (zato to podsea na slinu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode). Kada u taki y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala i to se deava pri naponu na drejnu |VD| = |VG VT|. Napon drejna pri kome nastaje prekid kanala zove se napon zasienja (saturacije) VDsat. Sa daljim poveanjem napona na drejnu (|VD| > |VG VT|), duina kanala se smanjuje sa L na L'. Struja, meutim, i dalje protie i sa poveanjem napona na drejnu ostaje konstantna. Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri naponima VD VDsat zove oblast zasienja.

Triodna oblast:

ID =

n oxW
2tox L

[2(V

GS

2 2 ................... (1) VT ) VDS VDS = k 2(VGS VT ) VDS VDS

] [

o = 8.851014 F/cm rox = 3.9

ox = o rox

L - duina kanala W - irina kanala n - pokretljivost elektrona u kanalu tox - debljina oksida gejta Linearna oblast (pri malim naponima na drejnu moe se zanemariti drugi lan u zagradi u izrazu (1)): .................... (2) I D = 2k (VGS VT ) VDS Otpornost kanala pri malim naponima na drejnu moe se izraunati na sledei nain:

R=

VDS 1 = I D 2k (VGS VT )
.................... (3)

Oblast zasienja:

I Dsat = k (VGS VT ) 2

ZADATAK MOS1: Polazei od izraza za struju drejna NMOS tranzistora u triodnoj oblasti:
ID =

n oxW
2tox L

[2(V

GS

2 , VT ) VDS VDS

izvesti izraz za struju drejna u oblasti zasienja. U polju izlaznih karakteristika skicirati krivu koja razdvaja triodnu oblast od oblasti zasienja.
Reenje: Poimo od uslova za odreivanje napona zasienja (saturacije) dI D = 0 .

ID =

n oxW
2tox L

[2(V

GS

2 VT ) VDS VDS

dVDS

...............................................................(1)

W dI D = n ox [2(VGS VT ) 2VDS ] = 0 dVDS 2tox L n oxW

2tox L

VDSsat = VGS VT .......................(2)

Kako bi smo odredili struju drejna u oblasti zasienja I Dsat zamenimo (2) u (1).

I D sat =

[2(V

GS

2 VT ) VDSsat VDSsat =

n oxW
2tox L

[2V

DSsat

2 2 VDSsat VDSsat = kVDSsat

2 I D sat = k (VGS VT ) 2 = kVDSsat

...............................................................(3)

Izlazne karakteristike NMOS tranzistora:

Izlazne karakteristike NMOS tranzistora:

Grafiki prikaz realnih karakteristika NMOS tranzistora:

3.5 NMOS 3.0 2.5 2.0 VGS=5V

ID(mA)

1.5 1.0 0.5 0.0 0 2 4 6 8

VGS=4V

VGS=3V VGS=2V 10

VDS(V)

Grafiki prikaz realnih karakteristika PMOS tranzistora:

4.5 4.0 3.5 3.0 PMOS VGS=-5V

-ID(mA)

2.5 VGS=-4V 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 2 4 6 8 VGS=-2V 10 VGS=-3V

-VDS(V)

ZADATAK MOS2: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga VT = 1 V, duina kanala 5 m, irina kanala 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 40 nm. Izraunati: a) Kolika e biti struja drejna pri VDS = 4 V i VGS = 4.8 V? b) Za koliko e se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na drejnu (4 V) napon na gejtu povea na vrednost 5.8 V? Poznato je: o = 8.851014 F/cm i rox = 3.9.
Reenje: a) VDS = 4 V VGS = 4.8 V
2 , I D sat = k (VGS VT ) 2 = kVDSsat

VDSsat = VGS VT = 4.8 1 = 3.8 V VDS > VDSsat

tranzistor je u zasienju

Struja drejna u oblasti zasienja I Dsat moe se izraziti na sledei nain: Gde je:

800 8.85 10 14 3.9 50 10 4 A k= = = 3.4515 10 4 2 7 4 2tox L 2 40 10 5 10 V

n oxW

2 I D sat = kVDSsat = 3.4515 10 43.82 = 4.984 mA

b)

VDS = 4 V VGS = 5.8 V

VDSsat = VGS VT = 5.8 1 = 4.8 V

VDS < VDSsat
tranzistor je u triodnoj oblasti

Struja drejna u triodnoj oblasti I D moe se izraziti na sledei nain:

2 2 I D = k 2(VGS VT ) VDS VDS = k 2(VGS VT ) VDS VDS =

= 3.4515 10 4

] [ [2(5.8 1) 4 4 ] = 7.731mA
2

Struja drejna se promenila za:

I D = 7.731 4.984 = 2.747 mA

Grafiki prikaz:

ZADATAK MOS5: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga 1 V, duina kanala L = 5 m, irina kanala W = 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 40 nm. Odrediti otpornost kanala: a) pri malim naponima na drejnu, ako je napon na gejtu 5 V. b) kada tranzistor ulazi u zasienje, ako je napon na gejtu 5 V. Poznato je: o = 8.851014 F/cm, rox = 3.9.
Reenje: a) Pri malim naponima na drejnu (linearna oblast) zanemaruje se kvadratni lan u zagradi:

ID =

n oxW

2tox L I D 2k (VGS VT )VDS

[2(V

GS

2 2 VT ) VDS VDS = k 2(VGS VT ) VDS VDS

] [

Ovo je poetni deo triodne oblasti i naziva se linearna oblast

k=

n oxW
2tox L

800 8.85 10 14 3.9 50 10 4 4 A = 3 . 4515 10 2 40 10 7 5 10 4 V2

Otpornost kanal pri malim naponima na drejnu:

R=

1 1 U VDS = = = = 362 I I D 2k (VGS VT ) 2 3.4515 10 4 (5 1)

2 I Dsat = kVDSsat

b) Kada tranzistor ulazi u zasienje on upravo izlazi iz triodne oblasti, pa vai

R=

1 1 U VDSsat = = = = 724 I I Dsat kVDSsat 3.4515 10 4 4

Grafiki prikaz:

ZADATAK MOS8: Odrediti radnu taku (VDS, ID) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog tranzistora je VT = 3 V. Merenjem je utvreno da je napon VGS = 8.5 V. Poznato je: VDD = 15 V, R1 = 10 M i RD = 4.7 k.

Reenje: Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornik R1 ne protie struja. Onda VG = VD. Odavde se dobija da je:

VGS = VDS = 8.5 V

Za napon VGS = 8.5 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat = VGS VT = 8.5 3 = 5.5 V

Kako je VDS > VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Kako je IG = 0, kroz otpornik RD protie samo struja ID. Za kolo drejna onda vai relacija: VDD = VDS +RDID Odavde se dobija struja ID:

ID =

VDD VDS RD

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

I D = 1.383 mA

Radna taka je odreena vrednostima: VDS = 8.5 V i I D = 1.383 mA .

ZADATAK MOS9: Za kolo prikazano na slici, napajano preko naponskog razdelnika, uzeti su sledei otpornici: R1 = 10 M i R2 = 4.7 M. Ako je napon praga ovog tranzistora VT = 5 V, a k = 2104 A/V2 da li je ovakvim izborom otpornika R1 i R2 obezbeen rad tranzistora u zasienju? Poznato je: VDD = 10 V i RD = 1 k.

Reenje: Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 tee ista struja I1:

I1 =

VDD R1 + R2
R2 VDD R1 + R2

Napon VGS se onda moe izraziti:

VGS = R2 I1 =

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VGS = 3.197 V

Kako je VGS < VT zakljuujemo da je tranzistor zakoen.

ZADATAK MOS10: Odrediti radnu taku (VDS, ID) za tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog tranzistora je VT = 2 V, dok pri naponu na gejtu VGS = 4 V struja drejna u zasienju iznosi IDsat = 200 mA. Poznato je: VDD = 24 V, R1 = 100 k, R2 = 15 k i RD = 200 .

Reenje: Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 tee ista struja I1:

I1 =

VDD R1 + R2

Napon VGS se onda moe izraziti:

VGS = R2 I1 = VGS = 3.13 V

R2 VDD R1 + R2

Zamenom brojnih vrednosti dobija se: Kako je VGS > VT zakljuujemo da tranzistor nije zakoen. Pretpostavimo da je pri naponu VGS = 3.13 V tranzistor u zasienju. Tada vai:
2 I D sat = k (VGS VT ) 2 = kVDSsat

......................................(1)

Potrebno je odrediti vrednost parametra k. Poznato je da pri naponu na gejtu VGS2 = 4 V struja drejna u zasienju iznosi IDsat2 = 200 mA. Odavde moemo da izraunamo vrednost parametra k.

k=

I D sat 2 (VGS 2 VT ) 2

200 10 3 2 A = 5 10 (4 2) 2 V2

Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo:

I D sat = 5 10 2 (3.13 2) 2 = 63.845mA

Za kolo drejna vai relacija: VDD = VDS +RDID Odavde se za napon VDS dobija: VDS=VDDRDID Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VDS = 24 200 63.845 10 3 = 11.231 V

Za napon VGS = 3.13 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat = VGS VT = 3.13 2 = 1.13 V

Kako je VDS > VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Polazna pretpostavka je u redu. Radna taka je odreena vrednostima: VDS = 11.231 V i I D = 63.845mA .

ZADATAK MOS12: Za kolo napajano preko naponskog razdelnika sa slike odrediti vrednost otpornosti ako je poznato: napon i struja u radnoj taki VDS = 4 V, ID = 0.25 mA; napon na otporniku RS je VRs = 1 V; struja kroz otpornike napajanja IR = 20A; VDD = 5 V, VSS = 5 V, VT = 1.2 V i k = 0.16 mA/V2.

Reenje: Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Napon na otporniku RS moe se izraziti na sledei nain:

VRS = RS I D RS = VR S ID =

Odavde moe da se izrauna vrednost otpornosti otpornika RS.

1 = 4 k 0.25 10 3

Za kolo drejna vai naponska relacija:

VDD = RD I D + VDS + RS I D + VSS RD = VDD VDS RS I D VSS 5 4 1 + 5 = = 20 k ID 0.25 10 3

Odavde moe da se izrauna vrednost otpornosti otpornika RD.

Za kolo gejta vai naponska relacija:

VDD = R1 I R + R2 I R + VSS = ( R1 + R2 ) I R + VSS R1 + R2 = VDD VSS 5+5 = = 500 k IR 0.02 10 3

Odavde moe da se izrauna zbir otpornosti otpornika R1 + R2.

Pretpostavimo da je tranzistor u zasienju. Tada vai:

2 I D sat = k (VGS VT ) 2 = kVDSsat

Odavde moemo da izraunamo VGS:

I D sat 0.25 10 3 + VT = + 1.2 = 2.45 V k 0.16 10 3 Za napon VGS = 2.45 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi: VDSsat = VGS VT = 2.45 1.2 = 1.25 V Kako je VDS > VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Polazna pretpostavka je u redu. VGS =
Iz naponske jednaine:

VGS = R2 I R RS I D ,

Moemo da izraunamo R2:

R2 =

VGS + RS I D VGS + VRs 2.45 + 1 = = = 172.5 k IR IR 0.02 10 3

Za R1 se onda dobija:

R1 = 500 k R2 = 327.5 k

ZADATAK MOS13: Za tranzistor sa slike odrediti VGS, ID i VDS ako je poznato: VT = 1 V, k = 0.5 mA/V2, VDD = 5 V, VSS = 5 V, RD = 2 k, RS = 1 k, R1 = 60 k i R2 = 40 k.

Reenje: Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Za kolo gejta vai naponska relacija:

VDD = R1 I R + R2 I R + VSS = ( R1 + R2 ) I R + VSS IR = VDD VSS 5+5 = = 0.1 mA R1 + R2 60 103 + 40 103

Odavde moe da se izrauna struja IR:

Napon VGS moe se izraziti na sledei nain: .............................(1) VGS = R2 I R RS I D U jednaini (1) nepoznate veliine su VGS i ID. Potrebna nam je jo jedna jednaina. Pretpostavimo da je tranzistor u zasienju. Tada vai: .............................(2) I D sat = k (VGS VT ) 2 Zamenom (2) u (1) dobijamo:

VGS = R2 I R RS k (VGS VT ) 2
Daljim sreivanjem dobija se:
2 VGS = R2 I R RS k (VGS 2VGS VT + VT2 ) 2 RS kVGS + VGS 2 RS kVGSVT + RS kVT2 R2 I R = 0 / : RS k V R I 2 VGS + GS 2VGSVT + VT2 2 R = 0 RS k RS k

 1 R2 I R 2 2 .............................(3) VGS + R k 2VT VGS + VT R k = 0 S S 1 1 2VT = 2 1 = 2 2 = 0 V 3 RS k 1 10 0.5 10 3 R I 40 103 0.1 10 3 VT2 2 R = 12 1 8 = 7 V 2 3 3 RS k 1 10 0.5 10
Jednaina (3) sada postaje:
2 VGS 7 = 0

VGS = 7 = 2.65 V
Iz jednaine (2) moemo da izraunamo struju drejna IDsat:

I D sat = k (VGS VT ) 2 = 0.5 10 3 (2.65 1) 2 = 1.36 mA

Za kolo drejna vai naponska relacija:

VDD = RD I D + VDS + RS I D + VSS VDS = VDD RD I D RS I D VSS = VDD ( RD + RS ) I D VSS

Odavde moe da se izrauna vrednost napona izmeu drejna i sorsa VDS. Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:

VDS = 5 (2 103 + 1 103 ) 1.36 10 3 + 5 = 5.92 V

Za napon VGS = 2.65 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat = VGS VT = 2.65 1 = 1.65 V Kako je VDS > VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Polazna pretpostavka je u redu.

ZADATAK MOS15: Za kolo prikazano na slici 1 odrediti oblik izlaznog napona VDS. Poznato je: RD = 1 k, VDD = 10 V, VGG = 8 V. Generator vin daje signal sinusnog oblika ija se amplituda menja od -1 do +1 V. Napon praga ovog tranzisora iznosi VT = 3 V, k=104 A/V2, a prenosna karakterisitka prikazana je na slici 2.
ID (mA)
3.6 3 2.5 2 1.6 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Q 9 8 7 6 5 4

VGS (V)

Slika 1.
Reenje: Naponi i struje u kolu prikazani su na slici 3:

Slika 2.

Izvorima napajanja VGG i VDD obezbeuju se potrebni naponi za rad tranzistora u zasienju; izborom vrednosti otpornosti otpornika RD definie se takozvana radna prava (radna taka). Radna taka Q (jednosmerni reim): VGS = 8 V

I D sat = k (VGS VT ) 2 = 10 4 (8 3) 2 = 2.5 mA Ova vrednost I Dsat moe da se oita sa

prenosne karakteristike tranzistora.

VDS = VDD RD I D = 10 103 2.5 10 3 = 7.5 V

Za VGS = 8 V vrednost VDSsat iznosi: Slika 3.

VDSsat = VGS VT = 8 3 = 5 V VDS > VDSsat tranzistor je u zasienju

Kada se na gejt pored jednosmernog napona VGG dovede i naizmenini signal vin tada se napon VGS menja kao to je prikazano na slici 4 (VGS = VGG + vin). Maksimalna vrednost napona VGS je 9 V, a minimalna 7 V. Za ove vrednosti napona na gejtu treba izraunati vrednost izlaznog napona VDS.

i) Maksimalna vrednost napona VGS: VGS = 9 V Sa prenosne karakteristike oitavamo I Dsat

I D sat = 3.6 mA

VDS = VDD RD I D = 10 103 3.6 10 3 = 6.4 V

Za VGS = 9 V vrednost VDSsat iznosi:

VDSsat = VGS VT = 9 3 = 6 V VDS > VDSsat tranzistor je u zasienju

Slika 4.

T1 (6.4 V, 3.6 mA) ii) Minimalna vrednost napona VGS: VGS = 7 V Sa prenosne karakteristike oitavamo I Dsat

I D sat = 1.6 mA

VDS = VDD RD I D = 10 103 1.6 10 3 = 8.4 V

Za VGS = 7 V vrednost VDSsat iznosi:

VDSsat = VGS VT = 7 3 = 4 V VDS > VDSsat tranzistor je u zasienju

Slika 5.

T2 (8.4 V, 1.6 mA)

Oblik izlaznog napon VDS prikazan je na slici 5. Moe se uoiti da je izlazni signal izoblien. Na slici 6., take Q, T1 i T2 prikazane su u polju izlaznih karakterisitka.

ID (mA)

T1

VGS =9V

VGS =8V

T2

VGS =7V

0 0 1 2 3 4 5 6

6.4 7

7.5 8

8.4 9 10

VDS (V)
Slika 6.

ZADATAK OPTO1: U kolu sa slike bipolarni tranzistor (u ulozi prekidaa) u sprezi sa LED-om radi kao indikator stanja. Za VIN=VOFF =0V LED ne svetli, dok za VIN=VON LED daje intenzivnu svetlost. Odrediti vrednosti otpornika RC i RB za koje je obezbeeno funkcionisanje indikatora, ako je struja neophodna da LED daje intenzivnu svetlost 30mA, pri emu je napon na njemu VLED=1.6V. Poznato je: VCC=9V, VBE=0.7V, VCE(sat)=0.2V, =50, VON=5V.
Reenje:

Kada je na ulazu napon VIN=VOFF =0V tranzistor je zakoen (stanje otvorenog prekidaa) i kroz njega ne protiu struje. Ni kroz LED ne tee struja i on ne emituje svetlost. Time je ovim indikatorom definisano iskljueno stanje. Kada je na ulazu VIN=VON=5V tranzistor ima ulogu zatvorenog prekidaa i kroz LED treba da tee struja od 30mA kojom je obezbeena intenzivna svetlost. Time je ovim indikatorom definisano ukljueno stanje. Kada svetli, napon na LED-u je VLED= 1.6V dok je struja kroz LED istovremeno i struja kolektora tranzistora IC. Kada predstavlja prekida u zatvorenom stanju tranzistor radi u zasienju i napon izmeu kolektora i emitora je VCE(sat). Na osnovu datih podataka piemo naponsku relaciju za kolektorsko kolo:

VCC = RC I C + VLED + VCE ( sat )

Poto struja IC treba da ima vrednost od 30mA za vrednost otpornika RC se dobija:
RC =
RC =

VCC VLED VCE ( sat ) IC

9V 1.6V 0.2V = 240 . 0.03A

Da bi tranzistor bio u zasienju mora da je ispunjena strujna relacija IC<IB odnosno da je:
Za bazno kolo tranzistora vai naponska relacija:
I B min = IC = 0.03A = 600A . 50

VIN = VON = RB I B + VBE .

Odavde se za otpornost RB dobija:
RB max = VON VBE 5V 0.7V = = 7.166k . 6 104 A I B min

ZADATAK OPTO2: Kolo optokaplera sa slike sadri LED i fototranzistor. Ako je koeficijent sprege (odnos struje kolektora fototranzistora i struje direktno polarisanog LED-a - CTR) 8%, odrediti vrednost napona polarizacije LED-a za koju e na izlazu kola biti naponski nivo logike nule. Poznato je: VCC=5V, RC=50k, R1=5k, VCE(sat)=0.2V, VLED=1V. Reenje: Napon na izlazu kola jednak je naponu izmeu kolektora i emitora tranzistora VOUT=VCE. Za kolo kolektora vai naponska relacija: VCC = RC I C +VCE , odnosno:

VOUT = VCE = VCC RC I C .

Kada nema svetlosnog signala sa LED-a tranzistor ne vodi (IC=0) i na izlazu je nivo logike jedinice, odnosno VOUT=VCC. Kada sa LED-a na bazno-kolektorski spoj fototranzistora dolazi svetlosni signal, postoji odreena struja kolektora IC proporcionalna osvetljaju, odnosno struji kroz LED I1. Da bi na izlazu kola bio naponski nivo logike nule fototranzistor treba da je u zasienju (VOUT=VCE(sat)) i njegova struja kolektora je tada:
IC = VCC VCE ( sat ) RC

IC =

5V 0.2V = 96A . 5 104 IC 100% , I1

Koeficijent sprege je:

CTR =

tako da se za struju LED-a dobija:

IC 100% CTR 96A I1 = 100% = 1.2mA . 8% I1 =

Za kolo LED-a vai naponska relacija: V1 = R1 I 1 +VLED , i za napon polarizacije LED-a se dobija:

V1 = 5k 1.2mA + 1V=7V .