LASERLER

GR
Yirminci yzyln ilk yarsnda birok bilim Adam spektroskobik incelemeler
yapmlar Eve k tayflarnn sistematik ekilde aklanmas gerektiini belirterek bu
konuda deiik modeller ortaya atmlardr Bunlardan en nemlisi 1917 ylnda
EINSTEIN tarafndan ortaya atlan zorlanm. yaynm fikridir. Bu fikir yardm ile
uyarlmann spektrumlarla gzlenmesi. atom fiziinin biraz daha gelimesini saglam.
ve atomun yaps daha iyi anlalabilmitir.
Yirminci yzyln ikinci yarsnda ise zorlanm yaynm yoluyla ma jddetinin
arttrlabilecei birbirinden bamsz olarak TOWNES,C.H.. BASOV N.G. ve
PROKHOROV, A.M. tarafindan ne srlmtr. 1964 ylnda TOWNES,C.H..
BASOV, N.G. ve PROKHOROV, A.M. kuvant elektronikasas sahasnda yapt
almalrdan dolay Nobel dlne layk grlmlerdir. Daha sonraki yllarda
mikrodalga blgesinde ma iddetinin arttrlabilecei gsterildikten sonra bu
teknikle tek renkli ve az grltl ykseltme yaplabilecei ve bunun grnr (optik)
blgedeki frekans aralnda da uygulanabilecei. Drt temel fiziksel olay nda
dnlmtr. Bu olaylar;
1- Ik kuantumlu bir yapya sahiptir ve foton dediimiz kuantalardan oluur.
2- Atomlar kuantumlu yapdadrlar ve belirli enerji seviyesinde bulunurlar.
3- Ik ve madde etkileimi; atomlar enerji seviyelerini foton nerederek veya
foton sourarak deitirirler.
4- Foton neredilmesi ya kendiliinden yada dardan bir zorlama ile olur.
1953de A.B.D.li fizikiler C.H. Towness ve A.L. Schawlow mikrodalga
frekansna uyarlamaya alarak MASER gerekletirdiler. Ad geen kiiler
mikrodalga eklinde deil de k eklinde LASER kavramn teorik olarak savundular.
1960 ylnda yine bir A.B.D.li fiziki T.H. Maiman tarafndan Ruby kristalinden oluan
ubuk kullanlarak ilk kat hal Laseri yapld. 1963 ylnda ilk gaz laser (Helyum-Neon)
yapld. Teknolojinin optik, elektronik, fizik ve kimya alanlarndaki gelimelerine bal
olarak ok eitli laser trleri ortaya kmtr. Temel olarak LASER Elektromanyetik
alandaki k frekanslarnda; MASER ise Mikrodalga frekanslarnda alr (ekil 1).
Maserlerin dk s ve dk basn altnda alan ok dk enerji seviyelerini
kullanan kat (iyon) ve gaz ( molekl) olmak zere iki tipi vardr.
ekil-1 Dalgaboylar ve zellikleri
1
Kelime olarak almlar ise;
MASER: Microwave (Molecular) Amplification by Stimulated Emission of Radiation
Radyasyon uyarlm salnmas yolu ile mikrodalgalarn iddetlendirilmesi
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Radyason
uyarlmas salnmas yolu ile n iddetlendirilmesi eklindedir.
Beyaz k birok renkten (dalga boyundan) oluan Polikromatik bir k demetidir.
Monokromatik k ise tek bir renkten (dalga boyundan) olumutur. Laser efazl
(coherent) yaylm yapar. Birden fazla dalga boyu ihtiva eden gne veya bir
lambadan yaylan k ise efazl olmayan (incoherent) yaylm yapar ve yayld
mesafeye bal olarak iddetini kaybeder.
Eer bir rengi dierlerinden ayrp kullanmaya kalkarsak, bu da monokromatik bir
k olur ve polikromatik'le ayn zellikleri tadndan e fazl olmayan "incoherent"
k kaynaklar olarak adlandrlrlar. Bunlar eitli veya tek dalga boyundan oluan her
yne yaylma/dalma zellii gsteren ve mesafeye bal olarak iddetini ok abuk
kaybeden klardr. Monokromatik bir k kaynan oluturan nlarn dalgalarnn
tmn ayn frekansta ve ayn fazda titremesi zellii gsteren klara efazl
"coherent" klar denir. Laserler kzltesinden (IR) balayp mortesine (UV) kadar
uzanan k iddeti artrlm efazl nmlardan oluan n demetleridir. Burada
efazl nm, Laserin ar younluu ve uzun mesafede ok az sapmas olan saf bir
renkte (frekansta) olmas anlamndadr. Laser sistemleri, ierisinde depolanan n
demetlerini efazl olarak daha gl bir saf nm olarak yayma zelliine sahiptirler.
1. LASERLERN ALIMA PRENSPLER
Her elementin atom yapsnda yalnz o elemente zg olan elektron yerleim dzeni
vardr; yani o elementteki atomlarn elektronlar kararl yrngeleri olan belli bir enerji
dzeyinde bulunurlar. Yrngelerinde kararl olarak bulunan elektronlarn, dardan
gelen bir enerji ile uyarlp bir st yrngeye karak tekrar eski kararl konumuna
dnmesi srasnda ald enerjiyi dar salma ilemi laserin ana prensibini
oluturmaktadr. Eer atom dalga boyu (rengi) kendisine uygun dmeyen bir k
2
demeti (dalga boyu) ile uyarlm ise enerjisini spontane n eklinde yayar; eer
kendisine tam olarak uygun den bir k demeti ile uyarlm ise ok ksa bir srede
yerletirildii k demeti ile ayn dorultuda ve daha parlak bir k demeti eklinde
nr, bu "bindirilmi (ykseltilmi) nm" olaydr (ekil 2).
ekil-2. Enerji seviyesi diyagram
BLM II
LASER
2.1. LASER
"Lght Amplification by Stimulated Emission of Radiation" ifadesinin ksaltlm olup
manyetik mann ykseltilmesinden (kuvvetlendirilmesinden) etkilenmi yaynm
prensibine dayanmaktadr. Bir baka deyile lasing olay mann kontrol altnda
ykseltilmesidir. Laserin prensipleri ve kuantum mekaniksel temelleri 1917 yllarnda A.
Einstein tarafndan atlmtr. Einstein radyasyon ve madde arasndaki etkilemeyi aklamak
iin "etkilenmi emisyon" ve "poplasyon ters evirme" olaylarn ortaya atm ve
aklamtr. Ancak Einstein'n bu teorisinin gerekletirilmesinde atomun ve maddenin
yaps ile malzeme biliminde daha ileri dzey bilgilere, teknolojik imkanlara ihtiya
duyuluyordu. Bu nedenle bu k ancak 19601 yllarda retilebilmitir.
2.2. LASER'N ELDE EDLMES
Atomun bir alt seviyeden daha yksek bir seviyeye kartlmas iin olduka farkl
metotlar vardr. Fakat atom uyarlm hale eritii zaman, fazla enerjisini nm halinde
yayabilecei sadece iki bamsz yol vardr. Atom bir d elektromagnetik alann
bulunmamas halinde bile kendiliinden enerji kaybeder. Bu arada bir elektromagnetik
dalga yaynlayarak daha dk bir enerji seviyesine alalr. Kendiliinden emisyon olarak
adlandrlan bu durum daha nce verilmitir. Atom bir elektromagnetik dalgann nedeniyle
uyartlarak, maya zorlanr. Bu halde de atom daha alak bir enerji seviyesine iner. kinci
halde yaymlanan dalga, etkiyi yapan ile ayn faza sahiptir ve zde polarizasyondadr. Bu
ikinci tr emisyon, uyarlm emisyondur.
3
Uyarlm emisyonun iddeti, bu haldeki atomlarn yahut poplasyonlarn A/
n
saysna
olduu kadar karakteristik frekans da (J/m
3
Hz) enerji younluuna baldr. Olayn meydana
geliinde yaynlanan toplam g,
Pm =hN
n
B
nm
V
bants ile verilir. Burada B
nm
, iki seviye arasnda bie etki ile meydana gelmi aaya
doru olan geiin iddetini gsteren bir orant kat saysdr.
Kendiliinden olan emisyonda da gcn deeri, uyart mi haldeki
poplasyonun says ile orantl olacaktr. Kendiliinden olan emisyonda yaynlanan gcn
deeri,
bants ile verilir. Burada A
nm
bir orant kat say sdr ve iki seviye arasnda kendiliinden
geiin deerini gsterir. Uyanlm ve kendiliinden olan emisyonlar iin Einstein
katsaylar olarak adlandrlan A
m
, B
nm
katsaylar birbirine baldrlar.
Eer bir atom dk bie enerji seviyesinde ise enerji sourarak bir st seviyeye
kabilir. Sourmann deeri, elektromagnetik alann enerji younluu ile orantldr. Bu
hatde dk enerji seviyesindeki poplasyonun says etkilidir. Elektromagnetik alanda
sourulan gcn deeri,
bants le verilir. Burada 8 yukarya doru geiin iddetini gsteren bir orant
katsaysdr. B
nm
= 3
mn
olduu gsterilebilir. Bu nedenle sourulan g ile uyarlm emisyon
boyunca yaynlanan g arasndaki oran alt seviyesi ve st enerji seviyesinin
poplasyonlar arasndaki oran ile verilir.
Termik denge halinde, yukarda sz edilen iki enerji seviyesindeki
poplasyonlar, Boltzman dalm ile birbirine, aada verilen bant ile baldrlar.
Burada k=1.3806x10
-23
J/K Boltzman sabiti ve T mutlak scaklktr. Oda scaklnda
kT1140 evtur.
Bylece grnr ve yakn krmz tesi blgede E
n
- E
m
1 aV olacandan, st
seviye poplasyonu, alt seviye poplasyonun ste bir ekilde azalan deeri ile ifade edilir.
Normal halde alt seviyedeki poplasyon st seviyedekinden fazla olduunda
atomlarn st seviyede toplanabilmeleri iin g, uyartlm emisyon esasnda yan
gten daha byk olacaktr.
Eer poplasyon inversiyonuna yol aacak olan N
n
>N
m
hali salanabilirse, yukarda
iaret edilen durum tersine dnecek yani uyartlm emisyonun net etkisi gelen yan g,
atomlar tarafndan sourulan gten byk olacaktr ve uyartlm emisyonun net etkisi gelen
n faz kohorent amplifikasyonu eklinde oiur. Einstein A ve B katsaylar birbirine,
4
denklemi ile baldr. Burada C k hzdr. Grlebilecei gibi bu bant
kendiliinden emisyon ile uyartlm emisyon arasndaki bir temel bantdr.
Uyartlm seviyede poplasyon artmas olunca, kendiliinden olan emisyon ve
uyartlm emisyon bir arada meydana gelirler, uyartlm emisyonun verilen bir deeri iin
kendiliinden olan emisyon frekansla hzl bir ekifde artar. Bu durum, ultraviyole ve daha
yksek frekanslarda uyartlm emisyon yolu ite amplifikasyonu fevkalade gletirir.
Elektromagnetik dalgann Laser maddesi . ile etkilemesinden dolay
amplifikasyonu elde etmek iin optik geilere katlan seviyeler arasnda poplasyon deiimi
meydana getirmenin gereklilii aktr. Bundan baka uyartlm sourma ve emisyon
geileri bir arada meydana geleceinden net g kazanc poplasyon ile orantl olacaktr.
Poplasyon inversiyonu hazrlayan ileme POMPALAMA denir ve Laser olayna katlan iki
seviyeden baka ok sayda dier enerji seviyelerini de ihtiva eder. Laser maddelerinin
yaplarndaki karkla karlk yaygn olan birok Laseier esas olarak veya drt enerji
seviyeli sisteme gre ilerler.
Atomda taban seviyenin mr ok uzun (sonsuz), uyarlm seviyelerin mr ise
genelde ok ksa, rnein 10
-8
s kadardr. Uyarlm seviyelerden bazlar da milisaniye,
saniye ve dakika mertebesinde mre sahiptir. 10
-8
s'den fazla mr olan bu tr seviyeler
zel larak metastabil seviye olarak adlandrlr. Laser olayn oluturabilmek iin taban
seviye, E
1
, zerinde E
2
, onun zerinde E
3
gerekmektedir. Laser olaynn oluturulabilmesi
iin bu zelliklerde ve bu strada seviyenin var olmas gerekir. Bu tr Laserfere
SEVYE LASER'i denir.
Poplasyon inversiyonuna erimek iin gerekli koullan aklamak zere ekil-5'de grlen
tipik bir seviyeli Laserin enerji seviyesi diyagramndan faydalanlabilir.
5
Pompalama ileminde ilk adm baz atomlar temel halden yksek bir enerji seviyesine
kartmaktr. Bu hali gsteren durum ekil-5'te (2) ile belirtilmitir. Optik gei iin gerekli
olan elektromagnetik nm vermek iin bir fla lambas kullanlr. ekil-5'te (2) ile
gsterilmi olan yksek enerji seviyesine km bir atom Laser st seviyesine (1) ile iaret
edilmi olan veya temel hale inebilir. Fakat eer bu gei mekanizmas hzl ise, st Laser
seviyesine gei masz olur, atomlarn ou yksek seviyede ok az bir sre kalarak bu
seviyeye iner. st Laser seviyesi geveme sresi olduka uzun olan bir seviyedir, sonu
olarak birok atomun bu seviyede toplanmas mmkndr. Eer temel halden yksek
enerjili seviyeye pompalanan atomlarn says yeter derecede fazla ise, st Laser seviyesine
erien ve metastabil olan bu seviyede toplanan atomlarn says, halen temel halde
bulunanlarn saysnda fazla olduu zaman, bir durum ortaya kar. Sonu, poplasyon
inversiyonudur. Metastabi ve temel haller arasndaki uyanlm geni ile
frekansnda amplifikasyon gereklemi olur Poplasyon inversiyonunu meydana
getirebilmek iin uyartlm yksek 2 seviyedeki poplasyon art,
ile verilir. Burada N
o
ve A/
2
ait olduklar enerji seviyelerindeki poplasyonlar, m pompalama
yolu ile uyartlm gei olasl ve
21
masz geveme sresidir. Denklemdeki sadaki
terimden birincisi pompalama enerji sorulmasndan dolay 2 seviyesinde poplasyon art
gsterir, ikinci terim uyartlm emisyon nedeniyle temel hale doru geite poplasyonun
azalmasn gsterir ve ncs 1 seviyesine doru olan iki geiteki poplasyon kayb ile
ilgilidir. Kararl halde (dN
2
/dt = 0) ve poplasyon,
Bu yaklam hzl gei mekanizmasnn r
2
j, 1/to koulunu salamasna gre yaplr.
Benzer ekilde 1 seviyesinin poplasyon art,
bants ile verilir. Burada sadaki lk terim, yksek enerji seviyesinden geiten dolay
poplasyon artn ve ikincisi 1 seviyesinden temet hale gei nedeni ile poplasyon
azalmasn gsterir. Karar halde,

eitlii dikkate alnacak, bulunur.
>1/
10
olduu zaman poplasyon inversiyonu olur.
6
Poplasyon inversiyonun olabilmesi iin, atomlarn en az %50'sinin temel halden
pompaland seviyeli sistemin aksine genellikle drt seviyeli olarak adlandrlan
sistemde, belirli seviyeler arasnda poplasyon inversiyonu iin atomlarn pek az temel
halden itibaren pompalanr. ekil-6'da grlen sisteme ya:Nd ve eitli gaz Laser
sistemleri mek olarak verilebilir.
seviyeli Laser sisteminde olduu gibi atomlar ilk nce ya bir fla
lambasndan gele sourarak (kathat Laser'lerde olduu gibi), yahut elektron arpmalar
le (gaz Laser'lerde olduu gibi) yksek 3 seviyesine ykseltilirler. Bu seviyeden itibaren
Laser st seviyesi olarak i gren 2 seviyesine abuk masz bir gei olur.
Bu seviye metastabil olduundan burada bu durumdaki atomlarn saysnda artma
olur. Alt laser seviyesi olarak i gren 1 seviyesinde geveme sresi ksadr ve genellikle
temel halin stnde olacak ekildedir. Bu ki karakteristik
poplasyon nvensiyonunu temin edecektir. nk birinci koul seviyesinde poplasyon
toplanmasn garanti etmekte ve termik denge halinde bu seviyenin bo ofmas gerektiini
ifade etmektedir. eitli reaksiyon zamanlar arasndaki ilikiyi bulmak in 3 seviyesindeki
poplasyon iin,
7
yazlabilir. Burada pompalanm gei olasl, No ve N
1
temel seviye ve 1 seviyelerindeki
poplasyonlar,
32
B seviyesinden 2 seviyesine geite reaksiyon zaman, kararl halde
dN
3
/dt=0 , yukarda sz edilen iki seviyedeki poplasyonlar arasnda,
bants vardr. Bu yaklam reaksiyon zamann T^1/< koulunu salayacak ekilde
ok kk olmas haline gre yaplmtr.
2 seviyesinden 1 seviyesine geiin olmasna gre poplasyon deiimi;
bants ile verilir. Kararl halde,
olur. Benzer ekilde 1 seviyesi iin,

ve poplasyon, uyart I m i ilevli g
kazanc poplasyonlar arasndaki farka gre ifade edilebilir.
Grld gibi bu fark temel haldeki poplasyona ve pompalama nispetine baldr.
Poplasyon farkn aktif madde inde bulunan N atoma balayan son yaklatrma ile drt
seviyeli Laser sistemlerinin ounda atomlarn ok az bir ksmnn yksek enerjili 3
seviyesine pompalad anlalr.
8
2.3. LASER'DE DENEYSEL TEKNK
Laser , dier k kaynaklarnda olduu gibi atomlarn yksek enerji
dzeylerinden aa enerji dzeylerine geerken yaynlanan madr. Ancak bu olayda
atomlar rezonatr denilen karlkl paralel duran ve en az ki aynadan oluan optik dzenek
iindeki elektromagnetik dalgalarn etkisi ile yn, faz ve polarizasyon bakmndan uyumlu
emisyon yapacak ekilde tetiklenirler.
Laser geiinin meydana gelebilmesi iin ilk art E
2
enerji dzeyinin optik pompalama
mekanizmas e E
3
enerji dzeyinden daha yksek bir poplasyon deerine ulamasdr. Bu
olay poplasyon ters evirme olarak adlandrlr.
Laser aygt 1. Aktif madde, 2. Pompalama sistemi, 3. Karlkl duran en az iki
aynadan (rezonatr) olumaktadr. Rezonatrde yaynlanan k dalgalar kendileri ile faz, yn
ve polarizasyon bakmndan tamamen ayr yapda olan maya neden olur. Bu nlar yerel ve
zamansal olarak koharenttir.
9
2.5. LASER IIMANIN ZELLKLER
2.5.a. Tek Renklilik (Monocromatik)
Laser demetinin tm fotonlan ayn dalga boyuna sahiptir. Bu sayede de farkl dalga
boylarndaki fotonlardan oluan klarn sahip olmad kadar katksz bir tek renge
sahiptir. Bir elektromagnetik nmn tek renkli olmas iin, bir baka deyile tek frekansl
olmas iin, elektromagnetik nm kaynann bir takm zelliklere sahip olmas gerekir. Bu
olaya tepki eden etkenler
- Kendiliinden yaymlanma (spantaneous emission)
- Atom veya molekllerin hareketinden ileri gelen frekans genilemesi
(doppler brooldenig)
- Siyah cisim mas (black bady radiation)
- Basn genilemesi (pressure brogdening)
olaylar frekans izgi geniliine etki eden faktrlerdir. Bu faktrlerin etkisi mmkn
olduunca yok edilmeye allmaktadr.
Bir kaynan tek frekansll veya frekans geniliinin daiga boyu
genilemesine ball,
ifadesi ile verilir. Bu ifade V=C/ ifadesinden tretilmitir.
Ik kaynana ve uyuma enerjisine vb. faktrlere bal olarak bir dalga boyu
genilii 300nm ile O.O*nm arasnda deiir. Bir gaz laserinde O.OOlnm kadardr.
AA = 0 olmas ideal bir istektir. Ancak pratik olarak byle bir sonuca ulamak mmkn
deildir.
10
Frekans genilii, ulalabilen normal yar geniliktedir. Laser rezonatrlerinde ilave
optik elemanlar kullanlarak frekans geniliinin kHz ve harta Hz dzeyine indirgenmesi
mmkn olabilmektedir.

Yar doru dikeyi tam ortadan kesmektedir. O
1
ve O
2
noktalarndan inilen dikmeler O
1
ve O
2
frekanslarn verir. V
1
ve V
2
frekans geniliinin alt ve st limitleridir. Laser ve
frekanslar arasnda deiir. Laser frekans dalm aral 10
4
dolayndadr.
2.5.b. E Fazllk (Coharent)
Sradan bir k demeti ayn dalga boyundaki fotonlardan olumu bile olsa bu fotonlar
kaynaktan dank bir biimde karlar. Birbirine uyumlu olmayan bir yol izlerler. Oysa bir
laserin yayd n yada k demetinde fotonlar e fazl bir hareket iinde sk aralklarla ve
ayn hat zerinde ilerler. Bir havai fiek gibi deil, ok gibi ilerler.
Bir kaynaktan kan n zamansal (temporal) ve yerel (spetial) olarak uyumlu
olmas, n herhangi bir noktadaki elektrik alan deimelerinin baka noktalardaki faz
bakmndan tam bant halinde olmas demektir. Bir baka deyile k dalgalarnn, zaman
ve uzaysal olarak herhangi bir noktadaki genlii ve faz iie bir baka noktadaki genlii ve
faz arasndaki sabit bir bant bulunmasdr. Yani bir noktadaki alan lfrse dier
noktalardaki alan da belirlenmi olmaldr.
11
E fazl)tk ile tek renklilik arasnda yakn iliki vardr. Tek renklilik zellii e
fazlln sonucudur. Yani e fazlln olduu bir n rengi tektir Baka deyile bir tek
dalga boyuna sahiptir. Bir k kaynann e fazllk zelliinin ls e fazllk uzunluu
ve zaman ile belirlenir. Bir foton t gibi bir zaman iinde yaymlanan dalgaya GAUSS
DALGA TREN denir (ekil-11).
At sresi ne kadar uzun ise e fazlhk o kadar byktr, tye yaam sresi de denir.
Dalga treninin uzunluu (yerel olarak) L, e fazllk sresinin k hz ile arpmndan elde
edilir (L=C. t).
Dier taraftan t=1/V olup buradan V yerine V=(C/
2
) . ifadesindeki deeri
konularak t=-
2
/C. ve buradan da elektromagnetik dalgann dalga genilii (L) ifadesi
ekilirse; L= -
2
/ ifadesini elde ederiz. L=C/ V bu iki bant bize dalga geniliini verir.
12
Maksimum genliin ortasndan geen paralel kesmenin O
1
ve O
2
noktalar arasnda
kalan ksm frekans genliini verir. Laser k kaynann rettii dalgalarn e fazllk
uzunluklar birka yz metreye kadar kabilmektedir.
2.5.C. Ynllk
Tek renklilik ve e fazllk zelliklerini laser na ok yksek dzeyde bir
ynlendirebilme olana salar. Yani mesafenin n yolundan saptrma yzdesi hele ksa
mesafelerde yok denecek kadar azdr.
yleki milimetrenin be binde biri apnda ve laserin dalga boyuna bal olarak sadece
krnm olayndan kaynaklanr.
Yarap D/2 olan bir aynadan veya delikten dalga boyu X olan bir
elektromagnetik mann dalma as.
ifadesi ile belirlenir. Buradan He-Ne laseri iin =633nm, D=3mm ise 3mrad bulunur.
2.5.d. Parlaklk (Spektral G Younluu)
Laserin g younluu gne ve dier k kaynaklarndakinden daha yksektir.
yleki laser nn arpt madde cinsine gre ya yanar yada erir. Laser
2
/4
byklndeki (:Laser nn dalga boyu) bir dzeye odaklanabilmektedir. Bu
koullarda birka milivvatt gcndeki bir laserin (rnein He-Ne laseri) g younluu 4x10
5
W/cm
2
olup bu deer 10
19
K scaklndaki siyah cismin masna edeerdir Gnein g
younluu ise sadece 500 W/cm
2
kadardr.
13

RADYASYONUN SALINMASI VE
SOURULMASI
EINSTEIN BAINTILARI
Atomdan bir elektron iki enerji seviyesi veya hali arasnda gei
yaparsa ya bir foton salar yada sourur.
Bu frekansl bir foton dalgasn gsterir.
h Plank sabiti ,

frekans
Gei basite uyarc foton varlyla balar. Bir kendiliinden gei
yapmadan nce elektronun uyarlm seviyede geirdii ortalama

h
E
21
A
14
zaman, uyarlm halin
21
mr olarak adlandrlr. kendiliinden
gei orann gstermek zere;

21
21

dt
dt A
ile verilir.
- Uyarlm halin mr, yani 21 geii yapana kadar uyarlm
elektronun uyarlm seviyeye geinceye kadar ortalama zaman.
Kendiliinden gei orann gsterir.

21
A
21

E2
E1
N2 nfusu
E2 enerjisi
N1 nfusu
E1 enerjisi
2
1
a) ki enerji seviyeli sitem
E2
E1
E2
E1
Balang Hali Biti Hali
Uyarlm
sourma
b)Uyarlm sourulma
E2
E1
2
1
c) Kendiliinden Salma
Kendiliinden
Salma
E2
E1
15
frekansndaki enerji younluu
verilir. Burada Nh frekansna sahip birim hacim bana
foton saysn gsterir.
Toplam aa gei indklenen (oluturulan) ve
kendiliinden oluanlarn katklaryla ifade edilir.
A
21
,B
21
ve B
12
Einstein sabitleridir.
Yukar ve aa ynde gei oranlar eit olduundan
Boltzman statiksel dalmna gre :
E2
E1
E2
E1
Biti Hali
Uyarlm
salma
d)Uyarlm salma
2
1

Nh
21 2 21 2
A N B N +
21 2 21 2
A N B N +
(1) ve
1
/
2
1
21
12
21 21

N
N
B
B
B A

(2)
16
N
j
, E
j
Enerji seviyelerinin enerji younluu,
N
0
Toplam nfus younluu;
g
j
ise jinci seviyenin dejenerasyonudur.
(4) ve (2) eitliklerini kullanarak ;

g
1
B
12
=g
2
B
21

) / exp(
) / exp(
0
kT E g
kT E N g
N
j i
j j
j
(3)
( )
) / exp( exp
2
1 1 2
2
1
2
1
kT h
g
g
kT
E E
g
g
N
N

1
]
1

(4)
1 ) / exp(
/
21
12
1
2
21 21

kT h
B
B
g
g
B A

(5)

,
_

1 ) exp(
1 8
3
3
kT
h
c
h

(6) karlatrrsak
(7) ve
3
3
21
21
8
c
h
B
A

(8) alnr
17
(7) ve (8) eitlikleri Einstein bantlar olarak anlrlar. Buradan (8)
ifadesi bize verilen bir enerji seviyesi ifti iin kendiliinden
salma/uyarlm salma (orann) miktarn hesaplama imkan verir.

R=Kendiliinden ve uyarlm salma miktarnn oran.
RADYASYON SOURULMASI
E1 ve E2 seviyeleri arasnda oluan tek bir elektronun demetinin
iddetindeki uzakln fonksiyonu olarak deime
I(x)=I(x+x)-I(x) olur
Homojen bir ortam iin I(x) hem alnan x mesafesine ve hem de
I(x) e baldr. Bu I(x)=-I(x)dx demektir.
Burada orantllk sabiti sourulma sabiti olarak tannr. (-)
iareti ise bir pozitif nicelik olduunda sourulma sebebiyle demet
iddetinde ( I(x) ) bir azalma olacan gsterir. Bu eitlii
diferansiyellersek;
21
21
B
A
R

(9) veya
1 ) / exp( kT h R

) (
) (
x I
dx
x dI

Integrallersek;
18
Burada I
0
- gelen iddeti gstermektedir.
Demetin iddeti(I): Birim zaman iinde birim yzeyden geen
enerjidir, ve enerji younluu ile ortamdaki n hznn arpmna
eittir.
veya
olur.
ortamdaki n hz
ve

- enerji younluklar,
c - n boluktaki hz ve
n - ortamn krlma indisidir.
I nin E
1
ve E
2
nin nfus farkna bal olduunu ve bir atom grubu iin.
E
2
>E
1
olacandan (g
2
/g
1
)N
1
daima N
2
den byk olacaktr ve
bylece pozitif olacaktr.
Bununla birlikte eer N
2
nin (g
2
/g
1
)N
1
den byk olduu bir hal
oluturulabilirse -dxi pozitif yapacak ekilde nin negatif
olacan gsterir. Bylece demetin iddeti ;
I=I
0
exp(kx) (11)
Uygun bir ekilde byyecektir. Burada k-kk sinyal kazan
sabiti olarak ;
(12)
ile ifade edilir.
NFUS TERSLENMES
) exp(
0
x I I
10
n c
n c Nh n c I
n c I
/
/ /
/

c
n h
B N
g
g
N K
21
21 1
1
2
2

,
_

19
Bilindii gibi fiziin temel ilkelerinden biri de kararl dengelerin
minumum enerjide olumalar ilkesidir. Bu ilkeye gre her cisim en kk enerji
dzeyinde kalma eilimini gsterir. Ayr atomlardan oluan bir gaz karm gz
nne alnsn.
Gaz ortam iindeki atonlarn istatistiksel olarak enerji dalmna
bakldnda en aa enerji dzeyindeki atomlarn saysnn st dzeydeki
atomlarn saylarndan byk olduu grlr. statiksel dalm sonularna gre
N
1
>N
2
>N
3
.. vb. elde edilir.
Bu dalm m,n olan kuantum seviyeleri iin,

,
_

1
]
1

kT
hV
N
kT
E E
N N
mn
n
n m
n m
exp exp
eklinde ifade edilen Boltzman kanununa uyduu grlr.
Dardan uygun bir frekansla bu ortam uyarlarak normal dalm dzeni
bozulabilir. st dzeylerden herhangi birindeki atom says alt seviyelerdekinden
daha byk yaplabilir. Bu ileme NFUS TERSLENMES denir. Nfus
terslenmesini grafiksel olarak ekil 2.a) ve b),3.a) ve b) de verilmitir.
Nfus terslemesi ilemi yapldnda, normal dalm tam tersi bir dalm
elde edilir. E
3
>E
2
>E
1
seviyeleri iin N
3
>N
2
>N
1
durumu geerlidir.
a) Isl denge
E
E1
E2
N N2 N1

,
_

kT
E
i
exp
20

ekil 2 ki enerji seviyeli sistemin a) Isl denge ve b)Nfus terslenmesi
sonras nfuslar
Nfus terslenmesi iin atomu E
2
enerji seviyeye, byke pompalama
enerjisiyle uyararak karlabilir.
b) Nfus terslenmesi
E1
E2
N N2 N1

,
_

kT
E
i
exp
E
Pompalamadan nceki
Bolzman Dalm
E
E2
E1
E0
N
b) Pompalamadan sonraki
dalm ve ieren geiler
Pompalama
E
E2
E1
E0
N
Lazer Geii
Hzl Geii
21
ekil-3 3 enerji seviyeli sistem
E
2
den salmadan elektronlar E
1
-e hzl inecek ve E
1
ile E
2
arasnda
nfus terslenmesi elde edilebilir. E
1
yarkararl hal gibi davranr.
Kendiliinden salma nisbeten kk olduundan E1 seviyesinde
bylece atom says art salar. Sonuta N
1
N
0
dan byk olacak ve
nfus terslenmesi baarlm olacaktr. Idealde E
2
ile E
1
arasnda gei
olduka hzl olmaldr. Bylece herzaman E
2
de yeni uyarmalar iin
bo yer bulunabilir. Bu arada E
1
den E
0
a gei yava olmal ki,
bylece E
1
bizim iin bir yar kararl hal olarak davransn .
E
2
enerji seviyesinin yaknlnda ok sayda enerji
seviyelerinden olumas arzu edilir. Bu zaman da pompalama
veriminin artrlmasyla spektrum blgesinde ki ok saydaki
pompalama radyasyonunu kullanabilir.
Drt seviyeli sistem (ekil 4) enerjili seviyeli sistemden farkl
olarak daha dke pompalama gerekliliklerine sahiptir. Eer (E
1
-
E
0
)kTden nispeten bykse, bu durumda E
1
,E
2
ve E
3
seviyelerinin
nfusu sl denge halinde olduka kktrler. Bylece, eer atomlar
taban seviyesinden E
3
seviyesine pompalanlarsa E
2
seviyesine abuk
derler ve bylece E
2
ile E
1
arasnda ok abuk bie ekilde nfuz
terslenmesi elde edilir. Yine daha byk bir pompalama verimi iin,
E
3
n st seviyesinin ok sayda enerji seviyesi iermesinin faydal
olacan sylemek gereklidir.
a) Pompalamadan nce
N1
N
E
E3
E2
E1
E0
N3 N2
22
ekil 4. Bir drt seviyeli sistemde enerji seviyelerinin nfusu
.a)Pompalamadan nce b) Pompalamadan sonra
LASERlerde pozitif geri besleme , optiksel bir rezonatr (Fabry-Perot
Rezonatr) oluturacak ekilde bir ift aynann arasna kazan
ortamnn yerletirilmesi ile elde edilir.
b) Pompalamadan sonra
N2
N1
R2
R1
P
o
m
p
a
l
a
m
a
L
a
z
e
r

g
e

i
Hzl Gei
N
2
g

B
21
N
2
A
21
E3
E2
E1
E0
N
1
A
10
N
1
g

B
12
N
23
EK ARTLARI LAZER KAYIPLARI
ki M
1
ve M
2
rezanatr arasnda harekette demet iddeti I
0
dan Iya
artacaktr. Burada (11) eitliinden
I= I
0
exp(K-)L olacaktr.
24
M
2
- d yansdktan sonra demet iddeti R
2
I
0
exp(K- ) L olarak ve tam
bir dngden sonra sonu iddeti, dng kayb G olacak ekilde
gelecektir.
G= Sonu iddeti / Balang iddeti =R
1
R
2
exp{2(K- )L}
Eer G 1 den bykse lazer rezonatr frekansdan bir bozulma, net
ykselme yapacak ve titreimler byyecektir.eer G, 1den kkse
titreimler lecektir. Bylece eik hali iin;
G= R
1
R
2
exp{2(Kth- )L} =1 (13)
Olur. Burada K
th
eik kazancdr.
Srekli lazerlerde eik kazanc kararl hal kazancna eit olduunu ;
yani
K
th
=K
ss
olduunu bilmek nemlidir.
th- threshod(eik)
ss- Steady State (kararl hal)
Kararl hal iin gereken kk sinyal kazanc K ve ile lazer
ortamna ve R
1
,R
2
ve L ile de lazer dzeneine bal olacaktr. (12)den
(14) olur
Burada 1. ci terim hacimsel ve 2. ncisi faydal k eklindeki
kayplar gsterir. (12) eitlii K nn sadece [N
2
-(g
2
/g
1
)N
1
]-e deil,
ayn zamanda aktif ortamn doal zelliklerine de bal olarak ok
sayda deiik zelliklere sahip olabileceini gsterir.
Eer K bykse Laser olayn gerekletirmek ksmen kolaydr. Dk
kazanl ortam iin aynalar olduka yksek derecede yanstkan, son
derece temiz ve dikkatli ayarlanm olmaldrlar.
POMPALAMA EK ARTLARI
Eik halinde gerekli P
th

Birim hacim bana toplam pompalama gc ;
yazlabilir.
)
1
ln(
2
1
2 1
R R L
K
th

21
3

th
th
N E
P
25
Aktif blge
d

t
d blgesi
olduundan; (15)
veya
(16)
bulunur. Bu tam olarak nfus terslenmesinin rezonatr kayplarn
dengeledii noktadr.

Lazerin W k gc lazer rezonatr optik g younluu ile
orantl olacandan 2 nolu seviyeye pompalama oran (yani R
2
) lazere
verilen P pompalama gcyle orantl olacaktr.
, burada Wo sabit (17)

,
_

2
2
21
2
0
8
c
n K
N
th
th

2
21
2
21
2
0 3
8
c
n K E
P
th
th

2
2 2
0 3
8
c
n K E
P
th
th

,
_

1
0
th
P
P
W W
26
YARILETKEN LAZERLER N EK AKIM YOUNLUU
Nfus terslenmesinin saland aktif hacmin t kadarlk kalnlna
ve retilen e.m modun sktrld mod hacminin d (d t) kalnlna
sahip olmasna izin verelim.Dier lazerlerde mod hacmi genelde nfus
terslenmesinin saland hacimden daha kktr.Burada etkin nfus
terslenmesinin mod hacmi (d l w) iinde t/d faktryle gerek
nfus terslenmesini azaltacan kabul ederek,(15) eitliinden ;
olacaktr.Valans bandnda hollerin saysnn ok fazla olmas
durumunu gz nne alarak N1 i ihmal edebiliriz. Bylece ;
(18)
olur.
Bylece saniyede sokulan elektronlarn say younluu (J/et) ; elektron
/ms olacaktr.letkenlik bandndaki elektronlarn denge say younluu
(
e
ise elektronlarn yaama zaman gsterirse, onda N
2
/
e
olur.
Bylece eik akm younluu;
ile verilir.

,
_

,
_

2
2
21
2
0
1
1
2
2
8
c
n K
t
d
N
g
g
N N
th
th
th

,
_

2
2
21
2
0
2
8
) (
c
n K
t
d
N
th
th

e
th th
N
et
J

) (
2

27
(18) eitliini burada yerine yazlrsa ve K
th
in (14) teki ifadesini yerine
yazarsak ;
ifadesi elde edilir. Bu eitlikteki
e
/
21
oran ska i olarak yazlr ve
radyasyon yayc ekilde birleen,enjekte edilen elektron(hole) kesrini
ifade eden i quantum verimi olarak tanmlanr.
YARILETKEN LAZERN IKI GC
Yariletken lazerlerde k gc dier lazerlerdeki gibidir.Bylece
uyarlm salma ile yaylan gc
olur.
Burada A eklem alandr.
Bu gcn bir ksm lazerin iinde dalacak ve kalan kristalin kenar
yzeylerinden darya kacaktr..Bu iki bileen srasyla ve
ile orantldr.Bylece k gc;
olur. (20)
Harici diferansiyel kuantum verimi , (ex) enjeksiyon oranndaki bir
arttan doan foton k oranndaki artn miktar olarak tanmlanr.
(Yani saniye bana tayc).Bu ;
1
]
1

,
_

2 1
2
2
21
2
0
1
ln
2
1 8
R R l c
n ed
J
e
th

[ ]
e
h
J J A P
i
th

,
_

,
_

2 1
1
ln
2
1
R R l
[ ]
1
]
1

,
_

+
1
]
1

,
_

2 1
2 1
1
ln
2
1
1
ln
2
1
R R l
R R l
e
h J J A
P
i th

( )
[ ]

,
_

th
ex
J J
e
A
d
h P d

/
0
28
olur.
(20) Eitliinden
ex
i ;
olur. (21)
R1=R2 olarak alnmtr.

ex
ise lye bamldr.(GaAsta yaklak olarak 0,7-1,0 arasndadr.)
Eer lazere uygulanan pozitif yndeki gerilim V

ise bu durumda g
girii V

A
J
olacak ve elektrik girii lazer kna evirmede lazerin
verimi;
(22)
olarak bulunur.
olursa ,
i
-ye yaklar.
Laser kayna olarak kullanlan malzemenin (kristal, gaz, sv) yapsn
oluturan atomlarn en son yrngelerindeki elektronlar dardan
enerjilendirilerek (pumped) bir st yrngeye kmas salanr. Verilen enerji
kesildii zaman elektron tekrar kararl konumuna geer (bir alt yrngeye der).
Bu srada kazanm olduu enerjiyi foton eklinde yayar. Yaylan bu enerji laser
1
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

1
1
1
ln
1
ln
R
l
R
ix ex

,
_

,
_

,
_

1
]
1

1
1 0
1
ln
1
ln
R
l
R
eV
h
J
J J
AJ V
P
f
th
f

>>

,
_

,
_

1
1
ln
1
R e
29
kaynann iki tarafnda bulunan yanstmal aynalar vastas ile kendi ortamnda
dndrlr. Bu ilem elektronlarn tekrar tekrar uyarlmas ile devam eder.
Bylece efazda iddeti ok artarak uyarlm ve o atomun frekans (renk)
karakteristiklerini tayan gl bir nm (foton demeti) elde edilir. Tek dalga
boyunda younlatrlarak ynlendirilmi Laser ~ %25 geirgen olan
aynadan bir Q anahtar yardm ile aa kar
Laser retilen ortamdan birim anahtarlama zamannda aa kan
enerjiye Q deeri ve bu ileme Q anahtarlamas denir. Q anahtarlama metotlar
Dner aynalar (1000 dnme/sn.), Elektro-optik ve Akustik-optik ekillerinde
olabilir. Elektro-optik ve Akustik-optikde alma prensibi, polarizasyon
kuramlarnn eitli uygulamalarna dayanr.
A) Nfus ters evrimi
Uyarlm salnmdaki problem atom ve molekller termodinamik dengede
olduunda iyi almamasdr. Atom ve molekllerin alt enerji seviyesine
dmesi nfus (her enerji seviyesindeki atom ve molekl says) problemini
meydana getirmektedir. Termodinamik dengede molekl ve atomlarn birinci ve
ikinci seviyedeki saylarnn oran aadaki denklem'de gsterilen Boltzman
dalm ile verilmektedir.
kT E E
e
N
N
/ ) (
1
2 1 2

Oda scaklnda bu oran, optik dalga boyundaki gei enerjileri iin kktr.
Bu demektir ki termodinamik dengede neredeyse tm atom ve molekller, en
dk enerji seviyesindedir. Bundan dolay uyarlm salnmn genlii
kktr.Uyarlm salnm etkin hale getirmek mmkndr. Alt seviyeden
sayca daha fazla atom uyarlm halde olursa, fotonlar sourmak yerine
uyarmaktadrlar. Bu duruma nfusu tersine evirme demekteyiz, nk normal
durumun aksine, atomlarn ou alt seviyeler yerine st seviyelerdedirler. Nfusu
tersine evirme durumunda uyarlm salnm, lazer olayn salayan, k
alayan meydana getirmektedir.

B) Lazerlerin Enerji Dzeyleri
Nfusu tersine evirme durumu, lazer almasnda ok nemlidir.Nfusu
tersine evirme durumunu gerekletiren allm yntem, lazer ortamna enerji
koyarak atom ve moleklleri daha yksek enerji seviyelerine karmaktr. Lazer
ortamndaki bu etkilemeye pompalamadenir. Pompalama optik veya elektrik
olarak yaplr. Normal artlarda, enerji seviyelerinin ksa mrleri vardr ve fazla
30
enerjilerini kendiliinden salnm ile birka nanosaniye ierisinde
brakmaktadrlar. Halbuki, nfusu tersine evirmek iin daha uzun mrl enerji
seviyeleri gerekmektedir.Bu seviyeler ara mrl seviyeler olarak
bilinmektedir. nk atomik zaman leinde olaanst uzun mrldrler ve
mikrosaniye ve hatta milisaniye seviyesinde srebilmektedirler. Lazer fiziinde
bunlar ok nemlidir ve en iyi st lazer seviyesini oluturmaktadrlar.
Nfusu tersine evirme durumunu iki seviyeli sistemde oluturmak
imkanszdr, nk st ve alt seviyeler birbirini sfrlamaktadr. Pratik lazer
sistemlerinin , drt veya daha fazla enerji seviyesine gereksinimleri vardr.En
basit enerji seviye yaps Maiman'n sentetik yakut lazerindeki gibi seviyeli
lazerdir (Hecht, 1992). Bu lazerde yksek etkileimli st seviye, meta dayankl
st seviye ve alt seviye bulunmaktadr. alan bir sistem olmasna ramen, ideal
deildir. Problem, alt lazer seviyenin ayn zamanda en alt seviye olmasdr.
Nfusu tersine evirmek iin atomlarn ounu st seviyeye byk bir enerji ile
koymak lazmdr. Bu durumda, seviyeli lazer ancak darbeli olarak
almaktadr. Pratik lazerlerin ou, drt seviyeden olumaktadr (ekil 3).

ekil3. Drt seviyeli lazer sistemi
C) Rezanatrler
31
2. LASER KAYNAKLARI
A) Kat Laserler
B) Gaz Laserler
C) Sv Laserler olmak zere grupta toplanabilir.
32
A) KATI LAZERLER:
Zenginletirilmi (Doped) kat malzemeden yaplanlar: (Ruby; Nd:YAG;
Er-Glass)
Kat laserlerin en ok kullanlan malzemeleri Ruby (yapay yakut) kristali veya
Neodymiumla zenginletirilmi cams (Silisyum oksit bazl) kristallerdir. Bu tip
laserlerde akma zaman olarak 12*10E-15 sn. ye kadar ulalmtr.
Nd:YAG
Active Medium: Neodymium impurity in
Yttrium Aluminium Garnet
(solid state)
Pumping: Optical
Output Wavelength: 1064nm
33
Typical power levels: up to 50Wcw
Cost: 10k - 50k
Laser Type: 4 level, inhomogeneous
34
BLM III LASER
ETLER
3.1. KATIHAL LASERLER
Bir kathal laserde aktif aktif ortam, az miktarda iyon ilave edilmi kristal ve camdan
meydana gelmitir. Esas olarak kartrma iin metalik veya nadir toprak iyonlar kullanlr.
Bunlarn laser geileri grnr blge yahut yakn krmz tesinde bulunur.
3.1.a. Yakut (Ruby) Laser
Katna) laserleri iinde uygulamada en ok rastlanan laser eididir. Ruby kristali
almnyumoksit (AI
2
O
3
) ve buna katklanan %0.05 oranndaki krom atomlarndan ofuur.
Krom atomlar dolmam elektron tabanlarnda 4s
1
ve 3d
5
elektronlar ihtiva eder. Krom
atomlar AI
2
O
3
iine katklandnda bir adet 4s ve iki adet 3d elektronlarn terkederler ve de
kez iyonlarm krom iyonu ortaya kar. Cr
+++
iyonunun toplam spini s=3/2 olup. bu
iyonlar AI
2
O
3
diamagnetik kristali iinde paramagnetik merkezler olutururlar. Bunun sonucu
olarak kristal magnetik alandan etkilenir. Dier taraftan AI
2
O
3
iinde Cr
+++
iyonunun optik
enerji emas mavi ve yeil dalga boylarnda kuvvetli sourma zellii tayan enerji bandlar
ortaya karr.
35
Eer yakut uygun frekansla uyartlyor ise geiler taban
4
A
2
durumundan, uyartlm
4
F
2
ve
4
F
1
durumuna geer Uyarttlm durumlar masz geile
2
E durumuna bozunur.
2
E
durumunun mr daha uzundur (yaklak oda scaklnda 3 ms).
2
E enerji dzeyi yar kararl
dzeydir. ekil-13'de grld gibi iyonlar kristal alanna girdiinde uyarlm enerji
dzeyleri de rnein
2
E dzeyi birden fazla ait enerji dzeylerine yarlmaktadr.
4
A
2
2
E geii simetri sp nedeniyle yasaklanmtr. Bylece sistemin srekli
uyartlmas veya optik pompalanmasyla taban durumla kyaslandnda
2
E durumunda
daha fazla nfus olacak ve bir nfuz terslemesi sz konusu olacaktr. Bu dzeyden
4
A
2
dzeyine geiler k younluu bakmndan youn olan laser geii olmaktadr.
Bu laserin pratikte gerekletirilmesi iin mavi ve yeil sourma bandlarnn optik
pompalama ile pople edilmesi gerekir. Bunun iin ekil-14'te de grld gibi Xe, Hg veya
Krfla lambalar kullanlr.

Fla lambas ile pompalanan yakut laserin alma emas ekil-14'teki gibidir. Bu tip
laserier genellikle pulslu (darbeli) laser olarak kullanlr. Bu durumda gleri birka kilo
vvatt mertebesindedir Ayrca optik pompalama tekniine bal olarak srekli ayn dalga
boyunda retilecek ekilde gerekletirilebilirler. Bu durumda gleri birka vvatt
civarndadr.
36
3.1.b. Neodyme {Nd
+
) Laser
Aktif eleman cam veya YAG yani Yttrium Alminyum Grenat (Y
3
Al
3
On) destek
iinde Nd* iyonu halinde Neodyum'dir. Konsantrasyon %0.5 - %0.2 kadardr. Nd
+
iyonunun
enerji seviyeleri bandlar drt seviyeli laserinki gibidir. Pompalama iin absorbsiyon bandlart
destek maddeye gre deiir ve genellikle 0.4 - 0.8m arasnda bulunur. Laser geii YAG:
Nd
+
iin 1.0648m ve cam Nd
+
iin 1.06m etrafndadr. Laser geiinin st seviyesinin
mr destek maddeye gre deiir. YAG in 0.3ms'dir. eitli camlarda bunun
etrafndadr. Optik bakmdan iyi homojenlikte YAG, Nd ubuklar hazrlamak mmkndr.
Cam ubuklarn hazrlanmas daha gtr.
Srekli ileyiler iin pompalama Tungsten lamba iie gerekletirilir.
Yaynlanan laser demeti, kalite bakmndan gaz laserinkine yaklaabilir. Eide edilen
maksimum g 10W kadardr.
Pulsiu halde neodyme laser yakut laser gibi alr. Bununla beraber daha ok zayf
pompalama eik enerjisine sahiptir (5mm apnda, 5cm uzunluunda bir ubuk kullanldnda
YAG: Nd iin 2 Ws ve cam iin 5 Ws).
3.2. GAZ LASERLER
lk laser aratrclarnn gvenle gazlara ynelmesi doaldr. nk gazlarn ou
etkin bir laser olay meydana getirebilmek iin gerekli olan iki karakteristik zellii
gsterirler: iddetli ve ince spektral izgiler ve farkl enerji seviyelerinde eit olmayan
emisyon sreleri.
Verimlerin yksek oluu, dalga boyu seimlerindeki geni evre koullarndan
bamszlk, kta ideal bir k kayna durumuna yaklam ile gaz laserler en faydal ve
kullanltl bir laser tipidir. Gaz laserler, laser etkisinin grldenerji seviyelerine gre
farkl tiptedirler. Atomik gaz laserlerde ntr bir atomun iki seviyesi arasndaki elektronik
gei kullanlr. yonik gaz laserlerde iyonize bir atomun iki seviyesi arasndaki elektronik
geiten faydalanr.
37
Laserin esas, faydalanlabilir bir poplasyon inversiyonunu meydana
getirebilmek iin yeterli enerji verebilen bir pompalama sistemini
gerekletirebilmektir. lk gaz laserde problem, bir gaz yerine iki gaz karm
kullanlmtr. Bunlardan biri enerji verebilecek ekilde dieri de amplifkasyon salayacak
ekilde alrlar. Aktif blgenin uyarm gaz laserin ounda dearj ile gerekletirilir.
Dearj yksek enerjili elektronlar ile arpma, atom ve molekllerle hatta iyonize gaz
faserde iyonlam atomlara elektronik uyarm verir, dorudan doruya uyarmda (birinci
tr) dearj, aktif gaz zerinde etkili olur. Dolayl uyarmda (ikinci tr) ise dearj, nce aktif
gaza ilave edilmi olan gaz zerinde etkili olur. Burada enerjisini arpma ile aktif gaza
aktarr. lave gaz ile aktif gazn uyartlm enerji seviyeleri yakndr.
arpma ile enerji aktarm etkili bir ekilde gerekleir. Bir gaz iindeki atomun,
yksek bir enerji seviyesine uyartiabildii en arpc mekanizma, birinci ve ikinci tr
arpmadr. Birinci tr arpma yksek enerji elektronun temel haldeki bir atomla
etkilemesini gerektirir. Elektronun arpmas, onun enerjisinin bir ksmnn atomla
aktarlmasna neden olur. Bu halde geen olay aadaki denklem ile ifade edilir:
A + e
1
= A*+e
1
Burada A atomun temel halini; A' ise uyartlm halini belirtir. Elektronun
arpmasndan nceki ve sonraki enerjileri e
1
ve e
2
ile gsterilmektedir. kinci tr arpma,
uyartlma sonucu metastabil bir seviyede bulunan bir atomun, bir baka elementin temel
haldeki atom ile arpmas d ir. Bu metastabil haldeki atomdan uyartlmam durumda
bulunan atoma enerji geii olur. Bylece bu atom da uyartlm olur. kinci bir arpma,
A
l
+ A
2
* = A
1
*+ A
2
ile ifade edilir.
A
1
uyartlmam atom, A
2
enerjisini arpma ile kaybeden atomun temel hali, yldzl
olanlar da her iki atomun uyartlm halleridir.
Gaz aserleri koharent bir k kaynadr. Genel olarak bir gaz laseri;
38
a) Ik oaltlmasnn yapld dearj tp.
b) Yksek yanstci olan bir ift aynadan oluur.
3.2.a. Helyum - Neon (He-Ne) Laseri
Helyum- Neon laserin sistemi ksmdan oluur Gaz dearjnn elde edildii plazma
tp ile (ular Brevvster asnda kesilmi) iki kresel aynann karlkl konmasndan oluan
kavuk, uyarma ileminin yapld gerilimi ayarl (5kV - 40mA) doru akm fdc) g
kayna, vakum ve gaz sistemidir.
Gaz, plazma tp ierisinde tutulur ve doru akm g kayna ile uyarlr. Plazma
tpnn ap zerinde maksimum bir limit vardr. Plazma tp, 9mm d 3mm i apnda,
420mm uzunluunda pyrex camdan yaplmtr. Plazma tpnn ular Brevvster asnda
kesilmi ve Brevvster pencereleriyle kapatlmtr. nk n geli dzleminde lineer
polarize edilmi k Brevvster penceresinde en az kayba sahip ktr. Ayna olarak da
erilik yarap R=60cm olan kresel aynalar kullanlmtr. Bu aynalar %99.9 yanstcla,
%0.1 geirgenlie, %97 yanstcla ve %3 geirgenlie sahip dielektrik tabaka ile kaplanm
aynalardr.
39
Pratikte, n ileri geri bir takm yansmalarla bir duran datga oluturmas iin yan
gaz dz veya ukur paralel iki ayna arasna yerletirilir. Aynalar arasndaki atomlarn foton
yaymn bu duran dalga uyartn Aynalardan birisi yan gmlenerek veya baka bir dzenle
enerjinin bir ksm demet halinde darya braklabilir. Uyarlm haldeki atom says
srekli olarak ayakta tutulursa duran dalgann enerjisi, atomlarn sald fotonlarla srekli
olarak beslenir.
Helyum-Neon laserinde ilk uyarma, gaza iyonlatrc bir elektrik alan
uygulanarak bir elektrik boalmas salamasyla yaplr. Bir miktar atom iyonlar, boalma
akmn iyonlama sonucu ortaya kan elektronlar yol boyunca gaz atomlarna arpar ve
onlar yksek enerji dzeylerine karabilirler. Bu arpma duran dalgay uygun bir
genlikte tutmak iin gereken uyarlm atm saysn vermekten uzaktr Elektronlarn yol
at bu uyarmalar istenen belli dzeylere yneltecek bir yol bulunmas genellikle
zorunludur. Bu problem, He-Ne laserinde enerji dzeyleri ile zlmtr.
Tipik bir He-Ne laserinde 10mm basncnda He. 0.1 mm basncnda Ne
bulunmaktadr. Elektronlar ekil-16'da grld gibi He atomlarnn bir ksmn 2s
durumuna, bir ksmn da bir alayan gibi du duruma dnmek zere daha yksek enerji
durumlarna kartr. Byfe bir dzeye karlarak uyarlm bir atom, normal olarak hemen
20.61 eV'luk bir foton salarak taban haline dnerdi. Fakat burada bir seim kuralnn temeli
asal momentumun korunumudur. Yrngesi asal momentumun hem taban
durumundaki hem de uyarlm dzeydeki deeri sfrdr.
40
Buna gre en azndan bir birimlik asal momentumu alp gtrmesi gereken bir fotonun
salnma olana bulunmayacaktr. Foton salarak kararl bir hale gei yapmann
yasakland enerjiye KARASIZ DURUM denir.
Bununla birlikte He atomlar baka bir yolla enerji kaybeder. Helyum'un 2$ enerji
dzeyinin Neon'da da ayn ile bulunmas, uyarlm bir Helyum atomu le Neon arasnda bir
arpma olunca Helyum taban haline dneek, Neon ise uyartlm bir dzeye ykseltilecektir.
Neon'un bu yeni hali yine kararszdr, seme kural nedeni ile Neon atomu taban durumuna
deil, fakat grlen 3p dzeyine geebilir ki bu iaserin olumas iin gerekti bir geitir. En
sonunda Neon atomlar 3p durumundan ma ile kararsz 3s durumuna ve buradan da iinde
bulunduklar kabn eperlerine arparak 2p durumuna dnerler. 3p->3s geiinin abuk
olmasnn aserin olumas bakmndan nemi vardr. 3p durumunda bulunan atomlarn
saysnda nemli bir art olursa, bunlarn laser nm sourma o derece byk olacak,
bylece aserin olumas engellenecektir.
3.2.b. Ar
+
yon Laseri (Argon yon Laseri)
Gaz iyonlu laserler grnr ve ultraviyole blgede eitli laser geileri vermeleri
ve nemli derecede srekli olarak grnr blge laser meydana getirmeleri bakmndan
farkldrlar.
He-Ne laserinden farkl olan Argon laseri bir kez iyonlam atomun iki enerji
seviyesi arasndaki geie gre alr. Bu kez iyonize olmu Argon atomlar iin, her bir
atomdan bir elektron kaldrlmas gerektiinden yksek enerjili elektronlar kullanlr. Bu
nedenle He-Ne laserinkinden farkl yapda g kaynana gerek vardr.
ekil-17'de Argon iyonunun enerji seviyesi diyagram grlyor ve grnr blgede
kullanlabilir iki dalga boyu belirtiliyor. Bu hallere bir gaz dearj iinde iki kademeli bir
ilem ile ulalr. nce ntr atom dorudan doruya elektron arpmasyla iyonlar.
Burada geen olay,

denklemiyie zetlenebilir.
41
Sonradan meydana gelen elektronik arpmalarla iyon eitli enerji seviyelerine
uyarlr. Bu uyanlmt seviyeler, ntral Argon'a gre 20eV'un stnde olduundan ve
atomun iyonlamas iin yaklak 15.8eV enerji verilmesi gerektiinden, st laser
seviyesinde yeterli poplasyonu salayabilmek ancak st enerji elektronlar ile mmkn olur.
Laser st seviyesinin boalmas, iyonun yarak temel hale gelmesinden sonra bir
elektronla birleerek temel haline dnmesi eklinde olur. Laser geilerinin st seviyelerinin
mr gei seviyelerininkinden ok daha byktr. Bu nedenle Argon laserde
amplifikasyon He-Ne lasere oranla daha byktr.
3.2.c. CO
2
Laseri (Karbondioksit Laseri)
Endstriyel ve bilimsel adan en gl ve en srekli n veren laser
karbondioksit laserdir. 1964 ylnda gerekletirilmitir. Karbondioksit laser, iki ilave gaz
ihtiva eder: Azot ve Helyum. Azot'un grevi, Helyum-Neon laserde Hefyum'un grevinin
ayndr.
42
Bu nemli karakteristikler, dier tip laserlerde
:
laser olaynn getii, atom ve
iyonlarnn bulunduu, ortamda farkl bir zellik tayan molekller laserin snfndan
olmasdr.
ok atomlu molekller, elektronik enerjilerinden baka farkl titreim
(vibrasyon) ve dnme (rotasyon) hallerine karlk olan ayn zamanda kuantumlanm enerji
seviyelerine de sahiptirler. Vibrasyonel enerji kuvvetlen arasndaki ayrlma elektronik enerji
seviyelerininkinden daha kktr ve farkl vibrasyonel seviye arasndaki geilerden ileri
gelen emisyonlar iinde ince bir yap meydana getirirler. Atom ve iyonfar ile
karlatrldnda molekllerin enerji seviyeleri yaps daha karktr ve kaynaktan ileri
gelir: Elektronik hareketler, vbrasyonel hareketler ve rotasyonel hareketler.
Tek atomlarda olduu gibi molekller de yksek enerji seviyelerine uyartlabilir ve bu
belirli seviyeler arasndaki geiler spektrumun belirli blgesindeki frekanslara karlk olur.
Elektronik halden bamsz olarak atomun ekirdei, denge konumu etrafnda belirli enerji
seviyelerine karlk olan vibrasyonel hareketler yapar. Ayn elektronik enerji hali iin
vibrasyonel seviyeler arasndaki ayrlma, genellikle yakn ve orta krmz tesi frekansa
karlktr ve geni aralkl enerji seviyeleri, ok sayda vibrasyonel enerji seviyelerine
yarlmtr.
Lineer bir karbondioksit molekl, karbon atomu ortada oksijen atomlar darda
olmak zere bir doru boyunca yerlemi olarak dnlebilir. Her bir halde arlk merkezi
sabit kalr. Karbondioksit molekl iin muhtemel vibrasyonel hal mevcuttur.
BKLME MODU : Oksijen atomlar, bunlarn zerinde bulunduu doruya dikey
olarak titreir.
SMETRK MOD : Oksijen atomunun her biri, doru boyunca birbirine ters ynden
titreirler.
ASMETRK MOD: ki oksijen atomu, merkezi karbon atomunun etrafnda, her biri
daima ayn ynde hareket edecek ekilde titreebilirler.
43
Enerji seviyeleri diyagramnda azot moleklnn temel ve uyartlm halinde
gsterilmitir. Azot molekl iki atom ihtiva ettiinden sadece bir tek vibrasyonel moda
sahiptir. Laser olay yle gerekleir;
Dearjda elektronik arpmalarla azot molekl V=1 haline uyartlr. Bu olay,
eklinde ifade edilebilir.
Karbondioksitte 001 vibrasyonel seviyesi ancak 18cm uzaklkta olduu iin V-1
seviyesindeki azot molekl ile temel haldeki CO
2
moleklnn arpmas sonucu bu
molekln st laser seviyesine ykseltilmesi,
bants ile ifade edilir
44
100 vibrasyonel hal ok daha alak enerjidedir. Bu nedenle buraya enerji geii sz
konusu olamayacandan poplasyon artmas da olmaz.
001 seviyelerinin poplasyonlan 100 seviyelerininkinden fazla olmutur ve bylece
laser olaynn meydana gelmesi iin bu iki seviye arasnda poplasyon inversiyonuna yol
aan koul hazrlanm demektir. Karbondioksit molekl 10.6{im'de ma yaparak 100
seviyesine alalr. Sonra snarak temel hale dner.
3.3. DYE LASERLER (Boya Laserleri}
Sv laserler iinde en nemli olan laser, DYE laseridir. 1965 ylnda
kefedilmitir. Bu tip laserlerin en nemli zellii dalga boyunun geni bir spektral blge
iinde srekli olarak deitirilebilir olmasdr. Bunun balca nedeni, ekii-19'daki enerji
diyagramnda grld gibi boya moleklnn enerji bandlarnn ok geni olasndan
kaynaklanmaktadr. Boya maddesi deitirilmeden laser knn dalga boyu, boya
maddesine bal olarak 30nm - 100nm kadar deitirilebilmektedir.
Laser geii dye moleklnn single enerji durumu 1s
1
den 1s
2
temel enerji
durumuna geiiyle ortaya kar. Optik pompalama in fla lambas yada ounlukla baka
bir laser Ar Laseri, Kr Laseri, Azot Laseri vb. kullanlmas durumunda molekller s
1
ve
s
o
enerji bandlar arasndaki enerji farkna uygun biimde selektif olarak uyarrlar. Boya
laserler genellikle srekli dalga boyunda alacak biimde
45
imal edilmitir. Bu tip laserler darbeli olarak alacak biimde yaplabilirler. Laserin k
gc watt dzeyindedir. Aratrma amacyla imal edilen dye laseri birka yz nvvatt
gcndedir. Bu laserler ile grnr blgenin tamamnda (0.4m - 0.7m) ve ksmen krmz
tesi blgede laser n elde etmek mmkn olabilmektedir.
3.4. YARI LETKEN LASERLER (P-N Kavakl Laserler)
Uygun band yapsna sahip olan yan letkenlerden meydana getirilen p-n eklemi
(Junction) iletim ynnde beslendiinde letkenlik bandndan valans bandna geen
elektronlar pozitif ykl boluklarla (hole) birleirler.
Elektronlarn (n-tipi yar iletkenden) boluklar ile (p-tipi yar iletkenlerde)
birlemeleri srasnda iki enerji dzeyinin enerji fark foton olarak yaynlanr.
Yan iletken laserierde, rezonatr aynalar, dzgn biimde kesilen kristal
yzeyleridir. Burada hava ile yar letken kristalinin yan yzeyleri arasndaki krlma indisi
fark gerekli yansmay yaratmak iin yeterlidir.
Bu laserler 860nm - 900nm dalga boyu blgesinde ma yaparlar ve gleri mvratt
dzeyindedir. Yar iletken olarak GaAs, PbSn, SeTe, ZnSSe kristalleri kullanlabilmektedir.
Laser diyotlar kk boyutlu, ok ucuz ve pratik laserler olup, zellikle haberleme
tekniinde kullanlmaktadr.
46
B) GAZ LAZERLER:
Gaz laserleri aadaki gibi snflandrabiliriz.
a. Atom laserler:
i) Asal gaz (He,Kr,Ne,Ar,Xe)
ii) Metal buhar (Pb,Sn,Zn,Cd)
b. yon laserler:
. Asal elementli (He, Kr, Ne, Ar, Xe)
. Metal buharl (Pb, Sn, Zn, Cd,Cu,Ti)
c. Molekl laserler: (CO, CO2, N2, CH
3
F, )
Silindirik cam veya kuartz tp ierisine yerletirilen asal gazlar, gaz karmlar
ve metal buharlar gaz laserlerini retmek iin kullanlrlar. Gaz laserler
ultraviyole k, elektron tabancas, elektrik akm ve kimyasal reaksiyonlar
kullanlarak pompalanmaktadr. Helyum-Neon gaz laseri yksek frekans sabitlii
47
(saf rengi ) ve en az dalma olan n demetine sahiptir. Karbondioksit laseri
(dalga boyu 10,6m.) tesirli ve srekli g alnabilen laserdir.
a-i) Asal Gaz Lazerler
Helium Neon Laser
Active Medium: 90% He, 10% Ne, 10 torr gas
Pumping: Electrical discharge
Output Wavelength: 632nm, 1.15m & 3.39m
(select by mirror choice)
Typical power levels: 1-10mW
Cost: 100's
Laser Type: 4 level, inhomogeneous
In the He-Ne laser, the population inversion is created
between two energy levels in the neon atoms.
Similar to many other systems pumped by electrical
discharge, the neon is excited indirectly.
Energy level diagram for He-Ne laser
48
Argon Ion Laser
Active Medium: Ionised argon atoms (gaseous)
Pumping: Electrical discharge
Output Wavelength: Mainly 514nm and 488nm
Typical power levels: 1-10W
Cost: 10k -100k
Laser Type: 4 level, inhomogeneous
In the Ar+ laser, the population inversion is created
between two energy levels in ionised argon
Because of the high currents, a solenoid is often used to
contain the plasma in the centre of the tube, away from
the walls. Discs within the tube acts as heat exchangers
and the whole tube is cooled with a water jacket (low
power lasers can be air cooled)
49
b-ii) Metal Buhar Lazerleri:
Copper Vapour Laser
Active Medium: Copper vapour at 1500C
in a neon buffer gas
Pumping: Electric discharge
Output Wavelength: 578nm and 510nm
Typical power levels: up 50W average power
Cost: 10'sk
Laser Type: 4 level, but metastable lower
laser level, inhomogeneous
Solid copper is heated in an oven to 1500C, the vapour
pressure is 0.1 torr.
Titanium Sapphire Laser
Active Medium: Ti (3+) ion in sapphire host
Pumping: Optical
Output Wavelength: 700nm - 900nm
Typical power levels: up to 1W CW
Cost: 10'sk + pump source
Laser Type: 4 level, homogeneous
C) SIVI BOYA LAZERLER: (Rhodamine 6G, 4-methylum belliferone, vb)
Sv Laserler organik boyalarn solventler ierisinde seyreltilerek yaplan
solsyonlardan olumutur. Sv Laserler her hangi bir laser kayna ile
enerjilendirilerek meydana getirilebilir. Dierlerine gre en nemli fark ise tek
bir dalga boyu yerine kullanlan maddeye bal olarak belirli bir spektrumda
istenen dalga boyuna ayarlanarak almasdr. rnek olarak en nemli bilinen
solsyon Rhodamine 6G dr. Az asidik bir solsyon olan 4-methylum belliferone
0,391mden 0,567mye kadar olan spektrumda dalga yaymaktadr. Bir
monokromatr zerinden geirilerek eitli maddelerin analizlerini yapmakta
kullanlr
Boya Lazer (Dye Laser)
Active Medium: Organic dyes in liquid solvent
(e.g. Rhodamine 6G)
50
Pumping: Optical
Output Wavelength: 350nm - 900nm
(with 10 different dyes)
Typical power levels: up to 1W CW
Cost: 10'sk + pump source
Laser Type: 4 level, homogeneous

4. LASER UYGULAMALARI
Laserler; endstride, bilimsel aratrmalarda, haberlemede, tp ve askeri
alanlarda gn getike daha da nemli olmaktadr. Bu konulardaki uygulamalara
birka rnek vermek gerekirse;
Endstride:
Her trl malzemeyi ok hassas bir ekilde kesme, delme, eritme,
lehimleme ve ekil verme ilemleri ,
Mikroelektronikte direnlerin aktif veya pasif olarak 0,01% hassasiyetinde
retilmeleri,
Chip retiminde hat kalnlklarnn 0,25 mden az olarak
desenlendirilmesi ,
Yeni maddelerin analiz ilemlerinin yaplmas,
Yksek ve uzun yaplarn dzgnlnn lm,
Yzey sertletirmelerinde
51
Bilimsel aratrmalarda:
ok hassas bilimsel lmlerde (k hz lm),
Yerkre zerindeki hareketlerin hassas lm,
Malzemelerin kimyasal analizlerinde
Haberlemede:
Yeryz ile uydular aras haberleme sistemlerinde,
Dnya zerindeki haberleme anda fiber-optik sistemlerle birlikte
kullanlmas,
Yksek younlukta ses ve grnt bilgileri depolanmas (compact disc,
video disc),
Tp alannda:
Zarar grm dokular keserek almak,
Yaralar iyiletirmek,
Kanamay durdurmak,
Gz retinasnda oluan zedelenmeleri gidermek,
Askeri alanlarda:
Askeri uygulamalarda laserleri vazgeilmez yapan zellikleri ksaca
tanmlarsak:
Asal hassasiyet (nmlarnn dorusal ekilde olmas),
Uzun mesafelere ulama (Laser gcnn yksek olmas)
Mesafe lmnde hassasiyet (darbe geniliinin ok dar olmas)
Selektif tespit (spektral band aralnn ok dar olmas sebebi ile)
Kullanm kolayl (kk boyutta ve hafif olmalar)
BLM IV LASERN
KULLANIM ALANLARI
52
4.1. SANAYDE LASER
Genellikle laser, metalden plastie kadar eitli maddeleri delmek, kesmek,
lehimlemek iin kullanlacak gtedir. Laserin sanayide salad kolaylklar sonsuzdur.
lenen madde iie mekanik bir kontak' olmadndan, klasik kullanma eklinde olduu gibi
aletlerin ypranmas, krlmas gibi sorun yoktur. leme tabi tutulan maddeye hibir
kuvvet uygulanmadndan, malzemenin bir yere tutturulmasnn gerekmeyii ii
kolaylatrr ve keza kat, kauuk, kuma, plastik gibi yumuak maddeler ile ilgili baz
ilemlerde laserden yararlanlr.
Laser dalga boyu mertebesinde bir boyuttaki noktaya odaklanarak duyart bir ekilde
almak mmkndr.
zerine laser n den bir madde abuk snd iin termik ynden biri zarar
grmeden ilenebilir. zellikle laseri bir noktaya kuvvetle odaklayarak eriyebilir veya
patlayabilir maddelerin yaknnda lehim yapmak mmkndr.
Laser uzak mesafelere ynlendirilebilir ve kolaylkla (aynalar vastasyla) eitli
iyerleri arasnda paylalabilir.
Laserin kullanlmas ilenen maddenin yabanc bir madde ile bulamasn nler.
Gerektiinde, laser hava. su szdrmaz, kapal bir kap iindeki ilemlerde de kullanlabilir.
Tamamlanm, kapatlm ve kusursuz lehim gerektiren elektronik tplerin iinde laser ile
tamirat yaplabilir.
ok sert (elmas) yahut krlabilir (seramik) gibi maddelerin dier metotlarla
gerekletirilmeyen ilenmesi mmkn olur.
53
4.1 .a. Laserle Kaynak lemleri
Kaynak ileminde laser ubuundan kan k kmesinin mercekler yardm ile
odaklanarak mikron dzeyinde apa tekabl eden alanlarda ok yksek enerjinin aa
karlmas kaynak ileminin esasn oluturur. Meydana gelen iaser sisteminde ayn ldeki
bir malzemenin ark kayna ile kaynatlabilmesi iin gerekli olan enerjinin 1/10'u kadar
yeterlidir. Ayrca retilen yksek enerji ile yksek erime scaklklarndan dolay dier
kaynak usulleri ile kaynatlmas olduka zor olan titanyum, nikel, tungsten, molibden,
kobalt, platin, vanadyum gibi yksek direnli maddelerin de kayna kolayca
yaplabilmektedir.
Kaynak ileminde kullanlan laser sistemleri iki grupta toplanabilir. Bunlar;
1- Yksek gte kat durum laser sistemleri
a- Ruby Laser Sistemi
b. Cam Laser Sistemi
c. Ya Laser Sistemi
2- Yksek gte gaz laser sistemleri
a. CO
2
Laser Sistemi
b, Argon yon Laser Sistemi
4.1.b. Laserlerle Kesme lemleri
Laserle kesme ileminde iki ayr yntem uygulanr. Bunlardan biri eriterek kesmedir.
Bu yntemle kesilecek malzeme laser n ile erime scaklna kadar stlr Eriyen ve
buharlaan malzeme ma ekseni boyunca gnderilen bir gaz jileti yardm ile kesifen
malzemenin alt ksmndan atlr. Kesme ileminde hemen hemen sadece CO
2
gaz laserleri
kullanlr. Bu sistem ile elik, titanyum, zirkonyum, niobiyum, tantal, nikel gibi teknikte
ok kullanlan metal ve alamlarnn kesilmesi mmkndr Ancak bakr, alminyum, pirin,
gm ve altn gibi yanstma kabiliyeti yksek malzemelerin CO
2
faser sistemi ile
kesilmeleri mmkn deildir Laserle kesme ileminde kesilen blgede s tesir atannn
minimal ve kesme geniliinin kk olmasndan dolay talama, hanlama ve ilave yzey
ileme ilemlerine gerek kalmaz.
54
4.2, HOLOGRAF
Yksek kohorent dereceli laser nn kullanm alanlarndan biri de
holografidedir. Bu yntemle cisimlerin boyutlu grntleri efde edilir. Bunun iin
cisimden yanbsyan iaser ile yine ayn kaynaktan kan bir referans demetindeki n
giriim deseni hem genlikleri hem de fazlar ile beraber bir fotoraf filmi zerine kaydedilir.
Hologram ad verilen bu film daha sonra bir kta aydnlatldnda cismin boyutlu bir
grnts oluur. Gnmzde sanat eserlerinde, reklamlarda, dergilerde, kredi kartlarnda
ve pek ok yerde hologramlar grlr olmutur. Bilim ve teknolojide holografi cisimlerin
distorsiyonun llmesi iin kullanlmaktadr. Bir cisim zerine yk bindirildiinde cismin
eklinde en ufak bir deiiklik bile olmusa, bu deiiklik cismin yk bindirilmesinden
nceki ve sonraki holografileri st ste ekilerek oluturulan hologram zerinde giriim
desenleri eklinde grlr.
4.3. TIPTA LASER UYGULAMASI
Laserin salad enerji younluu, canl dokular zerinde etkili olur. nce dokularn
snmasna, bzlmesine ve sonra k aksnn artmas halinde proteinlerin phtlamasna,
kmrlemesine ve nihayet buharlamasna neden olacak etkiler yapar. Bu farkl etkiler
kullanlan dalga boyunda az veya ok iddetli k aks iin. nlama yaplan dokunun
termik zelliine ve sourmasna bal olarak meydana gelir.
Tpta kullanlan laserler srekli Argon Laser, CO
2
Laser ve yeni olarak YAG Laser
(Nd)'dir.
Laserlerin tptaki uygulamalar KBB hekimliinde grtlak ularnn cerrahisinde
(zellikle ses tellerinin iyicil urlar ve ocuk popilamatozu) CO
2
laser kullanlr. Kulak
cerrahisinde ise Argon Laser kullanlr. Kadn hastalklarnda ounlukla dl yata boynu,
displazilerinde ve fallop borusu cerrahisinde CO
2
laser kullanlr. Sindirim sistemi
anjiyomlar, mide ve kaln barsak kk polipleri YAG laseri ile tedavi edilir. Deri
hastalklarnda yzdeki dz anjiyomlar gidermede ve dvmeleri silmede
55
zellikle Argon Laser kullanlr Az ve di hastalklarnda CO
2
ve Helyum laserden, di
rmelerinin tedavisinde kullanlmak suretiyle yararlanlr. Laserin en nemli uygulama
alan gz ve cerrahi hastalklardadr.
Laserin cerrahi uygulamasnda karlatklar her eyi kesme zelliklerinin yannda
olduka seicidirler. Bu zellikleri laserlere hibir neterin yapamayaca bir organ veya
hcrenin d ksmna zarar vermeden ta iteki ksmlara kadar ileme zellii kazandrr.
4.4. LASER IINLARI LE UYGULAMALAR
4.4.a. Haberleme
Laser nlarnn esiz zellikten, uzak mesafelere elektrik sinyallerinin iletiminde
k dalgalarndan en yeni faydalanma yolunu mmkn klmtr. Bugn uzak mesafelere
byk hacimli mesajlarn iletilmesi iin saptanm drt elektriksel teknik vardr. Bunlardan
en eskisi kentleraras haberleme trafiinin byk bir ksmn tayan koaksyel kablo
sistemidir. Standart bir koaksiyel kablo merkezinde tekrar bakr iletkenin bulunduu 3/8 in
apnda bakr bir borudur. Kablolar ekseriya 8-20 kablodan ibaret demetler halinde
toplanmlardr. Tanacak haberleme trafiinin byklne bal olarak kablo boyunca
her iki veya drt milde bir amplifikasyon salayc tehizat yerletirilmek zorundadr.
Koaksiyel kablolar normal olarak 500.000-20.000.000 Hertz frekansl radyo dalgalarn tar.
4.4.b. Enerji letimi
Laser n az bir kaypla bir enerji iletim hatt olarak kullanlr. Uygun
aralklarla yerletirilmi odaklayc mercekler yardm ile bolukta 30km'de sadece %0,05
kadarlk bir kayp olaca teorik olarak hesaplanmtr. Hesaplamalar bir laserin 1000km
uzaklkta kahve piirebiiecek ekilde odaklanabileceim gstermitir.
56
4.4.c. Uydularn Ynfendiriimes
Laser hissedilir bir basn yapar. Bir laser kk bir yzey zerinde, santimetre
kare basnc birok kilogramlk basn meydana getirir Bir uydu yavalad zaman
bunun sonucunda yere doru ekildiinde, yerden gnderilen faser , uyduyu st
seviyeye karr.
4.5. RADAR
Laser , yansyan sinyallerin alnmak suretiyle uzakta bulunan bir cismin
uzakln, hzn, hareket ynn, bykln, yzey karakteristiini belirlemekte kolaylk
salar. Gl laser impulslan, yksek frekans radarlarnda olduundan ok daha uzak
mesafelerde llebilir yansmalar meydana getirebilirler. stelik fark edilebilir, cisimlerin
boyutlar dalga boyu ile deiir 1/20.000cm dalga boyundaki bu laserlerin dalga boyudur.
Yksek frekansta tespit edilebilen daha kk cisimler belirlenebilir.
Gnmzde 160km uzaklktaki bir cismin uzakln 1/100.000 duyarllkla
llebilen telemetreler vardr. Laserlerden hz llmesinde de faydalanlr. Hareket
halindeki bir cismin zerinde yansyan radyo dalgalar Doppler olay nedeniyle alcya deiik
bir frekansla gelir.
Cismin hz frekansnn deiiminden belirlenebilen optik frekanslarda, alak
frekanslarda olduundan ok daha incelikli bir ekilde llebilir. Bu nedenle laser ,
yldzlarn hzlarn incelikli bir ekilde lmek iin kullanlr.
4.6. DJTAL VE ANALOJK HESAP MAKNALARI
Laser enformasyon konusundaki ilk uygulamasn elektronik ve optik devreler tevik
eder. Bahis konusu devrelerde yar tletkenli laserlerden faydalanlr. Yksek gce ihtiya
yoktur. Sadece modlasyon kolayl ve mmkn olduu kadar az yer igal etme konular
ana problemleri tekil ederler.
57
Byle bir sistemin en avantajl taraf, iki eleman arasnda optik balant
kurarak, elektronik sistemlerde nemsenmeyen kuplaj olaylarnn ortadan
kalkmasdr Bu optik elemanlar vastasyla elde edilecek hesap cihazlar daha kk, daha
sratli ve daha eitli iler iin kullanlmaya elverili olacaklardr. Bunun sebebi de optik
sistemlerde, komitasyonun, elektronik sistemlere nazaran daha kofay ve ksa oluudur.
4.1. MHENDSLKTEK UYGULAMALARI
Mhendislikte lazerler; hassas lmler ve komptr sistem teknolojisinde
kullanlr. Keza lazerler; emniyet sistemleri, spor sistemleri, beyzbol ve temel
eitim, grafikler, tesis izleme; kontrol, malzeme sreleri uzaktan sreleri
alglama gibi dier birok mhendislik safhalarnda kullanlr,
4.1.a. Uzay Teleskobu
Karm modelleri yapmak iin lazeri kullanma ksa mesafeleri ve yzey
snrlarn lme iin kullanlan en kesin metodudur. Lazerlerin oluturduu
karma (interference) modeller hubble uzay teleskopunun 2.4 metre apl ilk
aynasnda kullanlp nesneyi en mkemmel ve en geni izlemek iin kullanlmtr.
Uzay teleskopu Galileo teleskopu icat ettiinden beri astronomik olarak kullanlan
cihazlardaki en byk teknik ilerlemeyi temsil eder. Atmosferik absorbsiyon,
atmosferik trblans, ehir klar ve hava kirlenmesinin kainatn geri kalan
ksmndan alnan nn kalitesinin etkilendii yer yz zerinde, uzayda 550 km
uzakta yrnge yapmak iin dizayn edilir.
Uzay teleskopu daha nceki sahip olunandan 10 defa net grmek iin
nesneleri 50 defa daha solgun sezmek iin 7 defa daha derine grmeye imkan
salar. Bu, gemite yaplabilenden 350 defa daha byk kainat inceleme
anlamna gelir. Bilim adamlar yeni problemi zmek, astronomi ve kozmolojideki
baz nemli dikkati eken problemleri zmek iin birok yeni eyi kefetmeyi
umarlar.
Lazerler bu kymetli cihazn yaplmasna nemli rol oynad. Son eklini
tayin eden aynann cilalanmas srasnda helyum neon lazeri ayna yzeyinde bir
karm oluturacak ekilde dier eitli optik paralar kullanlmtr. Karm
modeli yaklak 25 nm'de yzey eklinin izini muhafaza iin cilalamaya imkan
salar. Karm modelinden elde edilen bilgi ayna yzeyinin topografik haritasn
elde etmek iin her bir cilalama adm srasnda komptre beslenir. Bu haritalar
58
alan bozulmam net ekilleri (berrak) oluturmak ve odaklatrmak iin
sahip olmalar gereken hangi ksmlarn istenilen hiperbolik eklin stnde ekilde
veya altnda olduunu mhendislere gsterir. Aynann yzeyi; ayna ap olarak
5000 km genilerse o kadar mkemmel olur ki yzeyi mkemmel bir hiperbolden 6
cm'den fazla ile deimez.
4.1.b. Lazer Yazclar
Dner poligon ekilli ayna gibi izleme cihaz ve bir elektroskobik modlatr
veya bir akustooptikli diyot lazeri veya helyum neon kombinasyonu lazer izleyicisi
olarak lazer yazclar oluur. Lazer izleyicileri resim ve karakter verilerini
oluturmak veya okumak iin bir ok uygulamada kullanlr. Yksekhzl kompakt
olmayan yazclar sistemleri iaretlemede (belirlemede), mesafe bulucularda, lazer
radarlarnda, fototeyp kurucularda, ubuk kodlu okuyucularda (spermarketteki
lazerli kontrol okuyucu), optik tefti sistemlerinde, fotolitograflarda, optik karakter
tanma sistemlerinde, gze ait oftal (opthal) mik resim yazclarda ve robot
alclarda kullanlr. Lazer izleyicileri dier tip sistemlerde, fiyatta yarma halinde
olan kaliteli, yksek hzda gvenirlilii salar.
4.2. LAZERLERN ENDSTRYEL UYGULAMALARI
Lazerler; imalat, malzeme ileme, tefti, ilem kontrol, kimyasal sentez ve
zel uygulamalar iin endstride yaygn olarak kullanlmaktadr. Malzeme ileme,
delme, kesme, kaynak yapma yzey ilemine makinaya yardm gibi eylerdir. ou
uygulamalar, metal ve yar iletkenlerin alanndadr. Fakat plastikler,seramikler,
cam, lastik kompozitler, kat ve tahta lazer ile ilenmektedir. Endstride lazerlerin
kullanm says her gn artmaktadr. Yksek gl lazerlere onlara birlikte yaplan
ilem ve kontrol sistemleri pahal ve komplekstir ve kullanm iin zel uzman
gerektirir. Lazer niye kullanlr? lk cevap lazerleri kullanarak daha iyi birok iin
yaplabilmesidir. Gittike daha ok usul klasik metotlardan daha hzl, daha verimli
fiyat olarak aa bir ii yapmak iin gelitirilmektedir. Gerekte lazerler imdi
daha nce yaplamayan birok para ve bileimin imalat mmkn klmaktadr.
4.2.a. MALZEMELER LEME
imdi paralar lazer sistemlerinin ileri ileme tekniinin avantaj ile
ilenmekte olup bu gelitirilmektedir. Bir rnek, Amerikan otomobil reticisi
tarafndan gelitirilen havalandrma kompresrl bir otomobil iin debriyaj plakas
ve makarann bileimidir. Bu ksm performans azaltmadan arl koruyarak
59
nceki paralar kadar arl yarya indirilir. Onun ksmlar basit metotlarla
kaynatlmayan balantlar ierir. Kaynaklar 3 tane 5 kw'lk srekli lazer ile yaplr.
Eriyen kaynak 1/4 in derinlie kadar, paralar arasna gerekli kontaa girer. Bir
komple kaynak 10 sn'de yaplr. Bu ksmda retimin her gn 30000 adet yaplaca
dnlr.
Dier metodlar; lazer teknolojisi ile yarr fakat lazerler en ok istenen
metoddur. Elektron n kayna lazer kaynana benzer yntemleri sunar fakat
elektron n sistemlerini zor srdrrler ve kaynaklanan ksmlar bir vakumda
bulunmaldr. Elektron n sistemleri; lazer kaynak yapclar iin %20-30 daha
aa zaman ile kyasla zaman %60'nda tipik olarak ilem dnda bulunup ilem
sresini azaltrlar.
CO
2
ve Nd:YAG lazerleri; kesme, kaynak, iaretleme ve tavlama gibi
malzeme ileme ilerinde stndr. CO
2
lazerleri, en yaygn endstriyel lazerdir.
zellikle ok yksek gl uygulamalar iin byledir. Kesme ve ar elii kaynak
etme amac iin 20-30 kw blgesinde CO
2
lazerleri istenir. Bu g seviyeleri 2.5
cm kadar olan elii ileyebilir (bu kalnlktaki elik). Kullanlan imdi en gls,
Sunny Vale, Kaliforniya, Westing House lazer merkezindeki kullanlan Avco
Everett tarafndan yaplan 25 kvv'lk CO
2
lazeridir. Cihaz ve g cihazlaryla byle
bir lazer kk bir binaya konamayacak kadar byktr. Byk ve nemli lazer
sistemleri Alberta niversitesi elektrik mhendislii blmnde 20 kw gl ticari
CO
2
lazerini kontrol etmeye kolay, ucuz, daha kompakt oluturacak ileri harekete
geirme teknikleri uygular. Bir kw'dan daha az gerektiren uygulamal iin ya CO
2
ya da Nd:Yag lazerleri kullanlr. Seim zel uygulamaya, lazere, kontrol
sistemlerine ve fiyata baldr. Lazerler yalnz deildir. Prosesi kontrol ederek,
teslimi (iletim) kontrol ederek almas ksmna lazer n vermenin bir yolu
olmaldr. Mikro komptr ve robot gibi iki nemli cihaz bu ilemleri yapar. zel
programlanm mikro kompitrler ou endstriyel lazer sistemlerinin nemli bir
ksmdr. Kontrol ve ilemi yaplan ksmlarn ve lazerin zamanlamas iin
kullanlr. Paralar yerine hareket etmeli, lazer aktif olmal, para veya lazer n,
ilemi yapmak iin gerekli hassasiyet ile uygun modelde hareket etmelidir ve
lazerin aktivitesi bozulmaldr ve ksm hareketk etmelidir, bylece bir sonra yerine
hareket edebilir. Robot kollar ve eitli pozisyon cihazlar mikro komptr ile
kontrol edilir ve lazer nn hareket ettirmek iin kullanlr veya ii yaptrlacak
ksm hareket ettirilir. Robot kolu, elektrik cihazlar, alclar, motor ve mekanik
cihazlarn zenli bileiminden ibarettir. Kollar; kark ve zenli manevralar
yapacak gtedir. Robot kollar allan parayla megulken ve tam doru
durumda odaklanan lazer enerjisini srdrrken lazer enerjisi robot kolu boyunca
60
yneltilmi olmaldr. Ortalama g 20-30 W'dan daha az olan uygulamalar iin
fiberoptik kablolar kullanlabilir. Fiberoptikler CO
2
lazerleri iin kullanlamazlar.
Zira yapldklar cam 10.6 mikrometre radyasyonu yaymazlar. k gc 30-40
W'dan daha az olan CO
2
lazerleri iin bklgen i yansmal dalga klavuzu ad
verilen bir tip kullanlabilir. Yksek gl uygulamalar iin mafsall optik kollar
iindeki yanstma prizmalar lazer enerjisini vermek iin kullanlmaldr.
ok byk ve ar nesneler ilendiinde lazer n hareket ettirmek daha
kolaydr. Nesneler kk ve iki tarafta veya daire evresi etrafnda ilem yaplmas
gerektiinde nesneyi hareket ettirmek daha kolaydr. Dier zamanlarda verilen bir
modelde kesmek ve kaynatmak iin nn ileri geri hareket ettirildii ve
malzemenin lazer sisteminden geirildii yerdeki srekli ilem durumunda olduu
gibi lazer n ve ilemi yaplan nesneyi hareket ettirmek ajantajldr. Giyim
reticileri ayn zamanda kuman birok tabakasnda modelleri kesmek iin bu
sistemi kullanrlar. Lazer temiz, net kesim yapar, bylece kesinlikle kontrol
edilebilir ve bozmaz ve kuma kaydrmaz.
Yeni imal edilen 800 W'hk CO
2
lazeri 500-1000 W aralkta k olan dier
lazerlerin boyutlarnn 1/10'udur. Optik iletim sistemlerinin kayplar ve
karmakln azaltarak dorudan robot kolda montesi uygun olabilir.
Malzemelerin lazer ilemlerini; klasik ekilde ilemin zor olduu veya zayf
sonularn elde edildii yerde veya zel isteklerin olduu yerdeki durumlarda
genellikle kullanlr. Lazerlerin geni kullanma alanlarndan birisi de kk
cihazlarn imalatndadr (mikro imalat). Lazer mikrometrenin birka onuna
kadar odaklanabilir ve pozisyonu birka mikrometreden daha az snrda kontrol
edilebilir. Bu ok kk nesnelerin bazlar mikroskopta baklmay gerektiren;
delinebilmesi, kesilebilmesi ve gvenilemez hassasiyete kaynaklanabilmesi
anlamndadr. Delikler ve kesilen yzeyler dz ve temizdir ve dzelme
gerektirmez. Lazer ok sert malzemelerin ilenmesi iin zellikle kymetlidir, bu
malzemeler sertletirilmi elik nikel bileikleri ve titanyum bileikleridir.
4.2.b. KAYNAK YAPMA
Lazerler mikro devrelerden ar elie kadar her eyi kaynaklayabilir. En
byk kaynak lazerleri srekli olarak 20-30 KW k gcndedir. Kayna tam
noktada stldnda ve para ile hibir temas yapmadndan ve bylece hibir
basn uygulamadndan lazer kayna hibir dolgu maddesi gerektirmez ve
bozunmay azaltr. Lokalize edilmi s ekseriye daha kuvvetli, daha gvenilir
kaynaklar yapar ve kaynak ii ok hassas ve dorudur. Mesela cerrah testere
61
baklar; gz cerrahisinde kullanlan cihazlar, lazer ile kendi saplarna kaynatlr.
Bu cihazlarn herbiri olduka hassas kontroll, gvenilir kaynaklar gerektirir. ABD
donanmas gemi inaatna yardm iin bir byk kaynak tesisi ina etti. Bu tesis
ar elikten yaplan byk gemi paralarn kaynaklama gcndedir. Tesis gemi
inaatnda tasarruf salamaktadr. Zira el ile yaplandan daha hzl ve daha iyi
kaynak yaplabilmektedir.
4.2.c. TIPTAK UYGULAMALARI
Lazer uygulamalarnda beklenmeyen bir gelime tp dnyasmdadr. Dikkatle
kontrol edilen lazer n klasik cerrahideki gibi olmayp zedelerin ve hassas
olmayan beyindeki tmrleri uzaklatrr. Argon lazer nlar kan durduracak ince
damarlar phtlatrmak iin ve yerinde yrtlan retina dokusuna kaynak yapmak
iin gz retinasnda odaklanabilir. CO
2
lazerleri kanamay durdurarak ve
enfeksiyona kar koyarak dokuyu kesme yerine neter ile kullanlr. Argon,
Yd:YAG ve eksimer lazerleri kalp damarlarndaki birikmeyi uzaklatrmak iin
kullanlmaktadr. Zaten yzbinlerce insan tbbi yntemlerdeki dzensizlik ve
gelien daha az acya katland ve tpta lazerin kullanmnda hayatlar korundu.
Gelecekte tbbi yntemlerin byk yzdesi lazerleri ierecektir. Daha fazla yntem
klasik tedavinin zor olduu imkansz olduu hatta yan etkilerin olduu durumlarda
lazerlere uygulamak iin bulunmaktadr. yi bir rnek gzn tedavisi olan
oftamalojidir.
Lazerin en yaygn tbbi uygulamalarndan biri beyine sinirsel arpmalar
eklinde imajlar gnderen ve alan gzn gerisindeki hassas dokudan ibaret
olan retinann tedavisidir. Retina olduka hassas ve kolayca hasar grebilir. Yaps
ince dokulu kat gibidir. Cihazlarla retinann fiziksel olarak el ile tedavisi hasar
olmas nedeniyle byk riskli olduundan dikkatle yaplmaldr. Fakat retinaya
odaklanan dk gl argon lazeri; yrtk, ayrlm veya hasarlanm dokular
yerine retinal doku olarak nokta kayna yapabilir. Lazer bir baka yol ile
etkilenecek ekilde ok zor olan bir proses olarak retinadaki kanamay durduracak
kk kan damarlarnn phtlamasn salar. Lazer yntemi hibir cerrahi ey
gerektirmez. Doktorun muayenehanesinde yaplabilir. Hzl, verimli, emniyetlidir
ve hasta ayn gn taburcu olabilir. Hastann rahat salanr ve hastane masraf
gerektirmez. Hasta iin lazerlerin kullanmlar tbbi yntemler iin
basitletirilmitir ve verimlilikleri artmtr ve rahatszlklar azalmtr. Doktor iin
lazer yntemleri basitletirilmitir ve daha az zaman gerekir. Fakat yeni cihazlarn
kullanm iin eitilmesi gerekir ve phesiz doktor veya hasta dier hastane
cihazlar gibi pahal olduunda uzun sreli ilem fiyatn azaltan lazer cihazlar gibi
62
pahal olduunda uzun sreli ilem fiyatn azaltan lazer cihazn satn alacak gte
olmaldr.
Tpta en yaygn kullanlan lazerler srekli alan CO2 ve Nd:Yag ve argon
lazerleridir. Bunlar imdi yedekleri salamakta ve belki arpmal Yd:YAG diot
lazerleri ile yer deitirmektedir, en nemli eksimer lazerleridir. CO
2
lazerleri
tmr gibi beklenmeyen ktlelerin buharlamas iin ve neterin kullanm
durumunda yerine geerek dokuyu kesme iin esas olarak kullanlyor. Klasik
anlamda lazer ile kesmenin nemli avantaj enfeksiyonun nlenmesi, kolay grme,
daha az komplikasyon ve hasta iin iyileme zaman ile sonulanr. CO2 avantaj
ou dokularnlO.6 mikrometrede optik absorpsiyona sahip olmas ve kolayca
buharlamasdr. ki nemli dezavantaj vardr. CGVyi nakletmezler ve sadece bir
zel bklr dalga klavuzu gelitirilmitir. Hatta bu 30 blmde bir lml
bklmenin %40'n kaybeder. CCVnin ikinci dezavantaj dokuyu yakar ve hasar
ile sonulanr. Keza CO
2
lazer radyasyonu kan ile iyice absorbe olur ve bundan
dolay dier lazerler gibi phtlamay msaade etmez.
Argon lazeri dokunun kesilmesi uzaklatrlmas iin keza kullanlr fakat
kanamay durduracak phtlama iin daha faydaldr. Ik ile phtlama foto
phtlama olarak isimlendirilir. Kandaki krmz pigment, hemoglobin, argon dalga
boyunu absorbe eder. ou dokular CO
2
'ye olduundan daha az organla
absorbentdirler. Bylece argon lazer daha derine dalar ve daha fazla salr.
Argon lazer CCVnin yapabildiinden daha kk noktaya odaklanabilir.
Bylece mikro cerrahide gz ve beyin gibi blgelerde faydaldr. Argon lazer
nn dezavantajlar ou dokular iin dk absorbe edicidir ve lazerin dk
etkilerindendir. Dk etkinlik byk giri gc ve soumay gerektiren iri ve
tanamayan sistemi gerektirir. Baz tbbi uygulamalarda kullanlan argon lazerleri
28 kw kadar srekli gce sahiptir. Byk giri gl ve soutma ihtiyal
lazerlerdir. Daha iyi lazer cihazlar gelitirilmekte olduundan argon lazeriargona
ok yakn olan bir k dalga boyuna sahip arpmal modda alabilen daha kk
ve daha kompt sistemlerde daha fazla gc oluturulabilen ift frekansl Nd:YAG
ile yer deitirmektedir. CO
2
zerinde argon ve Nd:YAG'nn zel bir avantaj
bklebilir fiberoptik kablolar ile n kendi dalga boyunu kolayca
verebilmelilerdir.
Nd:YAG'n ou kesim ve doku uzaklatrma uygulamalarnda
kullanlabilir. Fakat CCVden daha az absorbsiyon yznden (dokudaki) azck
dezavantajldr. Fakat CCVden daha iyi phtlamaya sebep olabilir ve bundan
dolay birok kan damarl tmrler ve damarsal tmrleri uzaklatrmada daha
63
iyidir. Yeni uygulamalar lazer kilitli Q anahtar modunda bulunduunda Nd:Yag
iin gelitirilmektedir. eviren sahay hasarlama ve ok yakmadan yksek gl
ksa arpmalar dokuyu daha temiz uzaklatrr. Kilitli mod Q anahtar Nd:YAG
lazer, Almanya da gelitirilen birok oftamalojik problemlerin baarl tedavisinde
kullanlmaktadr. Lazer 30 sn sre ile 30 piko saniyelik 4 mili joule'lk arpmalar
verir. Temiz ve kontroll olarak gzn iris, lens ve korneasnn eitli alanlarnda
dokular uzaklatrr. Tbbi alandaki en son gelime eksimer lazeridir. Dier
lazerler zerinde de birka avantajndan birisi de zellikle nemlidir. Eksimerlerin
iddetli ksa dalga boylu k ndan bir ka mikrometreden daha fazla kuatan
sahay kesinlikle hasarlamadan temizce uzaklatrabilir. Ksa dalga boylu
radyasyon fotonlar daha fazla enerjiye sahiptir. Bu fotonlar organik dokunun uzun
kompleks molekllerine arptklar zaman iyonize gazlarn oluumu ile
neticelenerek molekllerin kimyasal ban kracak yeterli enerjiye sahiptirler. Bu
ilem foto ile bozunma veya foto dalma olarak isimlendirilir ve bitiik sahalar
hasarlayarak snma olmadan molekllerin paraland esas olarak ayrlr.
Birka excimer lazeri imdi ticari olarak mevcuttur. Birok tbbi alanda ve
labaratuvarda aratrlmaktadr. Eksimer lazerlerinin iki nemli dezavantaj vardr.
Kullandklar gazlarn zellikle emniyetli bir snrlamas yaplarak ilem odasnda
zararl olduu sylenir. Bir baka problem tmr bymeleri gibi uygulamalarda
sonulanarak salkl hcrelerde ultraviole radyasyonun S kromozomlar
bozabilmesidir. Diod lazerlerin deki gelimeler tptaki kullanm iin potansiyellerini
artrmaktadr. ok kk kompakt ve etkin olduklar iin onlara bal tbbi
cihazlarda kullanmak ve altrmak daha kolaydr. Daha stabildirler ve
teknisyenler tarafndan sabit ayarlama istemezler. Daha etkili olduklar iin daha az
g isterler. Fiberoptik kablolarla lazer enerjisini verecek kadar daha kolay ve daha
verimlidirler. Diot lazerleri bir tuz tanesi kadar olabildii iin ihtiya olduu yerde
hasta vcudundaki bir noktaya lazer gnderilebilir.
Balant sralamasnda 2.5 W kadar ve tek bir balantda 50 mw olmas ile
fiberoptii kullanan mikro foto phtlama mikro cerrahi ve endoskopilerde
kullanlr. Gelimekte olan daha gl lazerlerle tptaki kullanmlarnda yaknda
dier lazerlerin yerini almaya balayabilir. Dier lazerler ile ideal verimlilik e
zamanl iki dalgay kul.lanarak birini kesme dieri phtlatrmak iin elde
edilecektir. Diot lazerleri allmakta olan dokunun zel tipine gre k dalga
boyunda olan lazerleri retimin imkann salar, sonu olarak kesme ve
phtlatrmada verimli olacaktr. Grnr diot lazeri erindeki gelimeler bunlar
yerine argon lazerlerinin yerini almas imkan salar bylece daha basit ve daha
kk cihazlar kullanmann faydalarn salar. Oda scaklnda altrlan
64
arpmal grnr diot lazerleri ift hetero balantlar ile iridyum galyum
alminyum fosfatta gelitirilmitir. 660 nm'de altrlr. Fakat grnr drt
lazerleri genellikle mevcut olmadan nce byk gelimeler vardr.
Ik yayan diotlar ve lazer diotlarmn bir uygulamas tmrlerin
fotoradyasyon tedavisidir, daha byk k gleri mevcut olduunda fiberoptik
kablolar ve endoskopilerle tmre dorudan verme uygunluu foto radyasyon
tedavisinin tmre kar kullanld yerde zellikle zerinde allmaz tmrlere
daha okartl kullanmay salar. Bu uygulama cm
2
g younluunda 25-100 mv
g gerektirir ve santimetre karede 50 mv g bir birine yakn olan k yayar
diotlarla baarlabilir.
4.4. LAZERLERN HABERLEMEDEK UYGULAMALARI
Lazerler haberlemede iki nemli ekilde kullanlmaktadr. lki optik
fiberlerin kullanm ikincisi atmosfer ve uzaydan yaylmasdr. Optik fiberlele
haberleme hzlca byyen bir alandr ve diot lazerlerinin byk bir
uygulamasdr. Teknik gelimeler yle hzl olmaktadr ki fiber optik sistemleri
imdi klasik tel hattndan daha kk ve daha ucuz olan bir kablodan daha fazla
bilgiyi gnderir. Daha fazla bilgi yannda fiber optikler klasik hatlarda olduu gibi
elektriksel giriime konu deildir. Savunma (ordu) iin nemli bilgiyi dinleyecek
kadar iyi deildirler fakat elektrik sistemlerdeki gibi sinyalin harici yaylmas
yoktur. ap olarak birka mm olabilen bir fiberoptik mkablo 1.000.000 telefon
konumas yaplabilecei zaman gn daha yakn olur. Lazere dayal sistemler
atmosferden dorudan doruya transmisyon ile haberleme iin kullanlr. Hava ve
atmosferik artlara bal deildir ve bundan dolay fiberoptik sistemler kadar
gvenilir deildir. Savunma (ordu) deniz suyunun en iyi transmisyona sahip olduu
yerdeki spektrumun mavi yeil blgesinde yaylan lazerleri kullanan denizaltlar
iin haberleme sistemlerini gelitirmektedir. lerine bir gn yerde ve uzaydaki
ayna ve uydular kullanan lazerler denizalt gemileri ses ve haberlemeleri tayan
lazer nlarn nakledeceklerdir.
4.5. FBEROPTKLER
Fiberoptiklerin geliimi 1960'n sonlarnda balad. stesinden gelinecek ilk
problem azalmadr. Bu fiberden getii zaman bu sinyalin absorbsiyonudur. Bu
problem zlse de fiber optik sistemler dier faktrlerle snrldr. Laboratuvar
65
gsterileri imdi sinyali gstermeden imdi sinyali ykseltmeden 160 km optik
sinyallerin gnderilmesinin mmkn olduunu gsterir. Fiberoptik ses ve veri
haberleme sistemleri dnya apnda gvenilir olan telefon ve haberleme
irketlerince bunlar ABD ngiltere Almanya'da ve Japonya'da gelimekte ve hzla
denmektedir. Blgesel istasyonlar ve yakn ehirler arasndaki telefon
haberlemesini ayn blgesel alan a iin ou kullanmaktadr. AT ve T 1000
kadar tm ABD yi saracak kadar fiberoptik a planlanmtr.
Uzun mesafelerde optik sinyaller tama iin bir fiberin almas toplum i
yansmaya dahildir. Fiberoptikler optik malzemenin farkl tipinin ince bir tabakas
ile sarlan optik malzemenin uzun dar merkezi ekirdeinden ibarettir. D tabaka
kaplanm olarak belirtilir. Bir fiberoptiin paralarm gsterir diyagram ekil 14'te
veriliyor. ekirdek malzeme kapldan daha yksek yansma indeksine sahip olan
daha az youn malzeme olup daha youndur. k yayan diot (led) veya diot lazerden
gelen bir optik sinyal fiberin ucundan girdii zaman toplam ii yansma yznden
ekirdekte kalmaya ynelir ve bundan dolay sezilebildii ve kullanlabildii
yerdeki dier uca nakledilecektir.
66
Fiberoptik haberleme sisteminin basit bir diyagram ekil 14'te
gsterilmitir. Telefon haberlemesinden ibaret olabilen sinyaller bilgisayar veri
kanallar veya TV yaynlan birlikte multipeks olur (elektronik olarak tek sinyale
balanan) ve bir led veya bir diod lazerini glendiren ve modle eden bir
altrc modlatre gnderilir. Lazer bir fiberoptik kabloya iftlenir. Yol
alnacak mesafe ok uygundur ve sinyal ilk vard yerde sezilecek kadar zayftr.
Bir tekrarlayc gerektir. Tekrarlayc bir ykseltici ve fiberoptik kablonun sonraki
balantsna optik sinyali yerletiren bir baka lazer ile takip edilen sinyali hisseden
bir dedektr optik sinyali hisseder ve onu orijinal sinyalleri ayrmak iin kodlanan
bir elektronik sinyale evirir ve onu orijinal sinyalleri ayrmak iin kodlanan bir
elektronik sinyale evirir ve onlar kullanmaya imkan salar. Drt nemli faktr
fiberoptik haberleme sisteminin gcn tayin eder. Bunlar led veya diot lazerin
gc fiberdeki sinyalin kayplar veya azalmas fiberin bant genilii ve dedektrn
gcdr. Bant genilii yaylacak k arpmasna sebep olan fiberdeki dispersiyon
(a salma) ile tayin edilir. Led ve diot lazerleri iin fiberoptik sistemleri
altrmak iin kullanlr. Led diot lazerlere benzer fakat optik nlatc olmadan
benzerdir. Elektronlarn e zamanl bilemesi ve deliklerden yayar. Led
yaynm hizal deildir ve 40-60 nm arasnda geni bant geniliine sahiptir.
Modlasyona led'in tepkisi diot lazerinkinden ok daha az hassastrlar. Led ve diot
lazerleri spekturumun kzltesi blgesinde 800-900 nm arasnda radyasyon
yayacak ekilde dizayn edildiklerinde dahi etkili alrlar.
Dar klar ve dalga boylar ile diot lazerleri daha hzl modlasyon
zamanlarna sahiptir ve ledlerin olduundan bir optik fibere daha etkili olarak
baldr. Balanan kayb k lazerden fibere beslendiinde meydana gelir.
Diot lazerleri uzun mesafeli yksek oranl sistemler iin daha uygundur.
Fiberler lazerler gibi ya tek mod veya ok moddurlar tek mod fiberler daha iyi
modlu dzenli modlarn olumasn azaltmak iin ap olarak (yaklak 10 mm)
daha kktrler ve ok modlu diot lazerleri ve ledleri iin kullanlrlar.
Balangta fiberoptik sistemlerdeki byk snrlama kaplamadaki kayplar ve optik
malzemedeki absorbsiyon ile sinyalin azalmas idi. Fiberoptikleri yapmak iin
yksek kaliteli teknikler ve malzemedeki fazla gelime sonucu olarak azalma artk
nemli problem deildir. Optik fiberler azalmann teorik olarak yaklald 1550
mm'deki dalga boylar iin en iyi nakil yaparlar. imdiye kadar gelitirilen en iyi
fiberler kunde sinyalin yaklak %6'sn kaybeder. 850 nm'de tipik fiber kayplar
km iin optimize edilen fiberlerde kayplar km iin %20'den daha azdr.
67
Optik fiber performans iin baka limit faktr iin dalmdr. Fiber
boyunca yol aldklarndan yaylacak modle olmu diot lazerlerinden arpmalara
sebep olarak fiberlerdeki az farkl tuzlardaki farkl dalga boylarnn yaylmas
yznden dalm (dispersiyon) olur. Yaylma ok fazla ise alglayan sistem gelen
sinyal ile yorumlanamaz. Fiberler 1300 nm'de optik sinyaller iin en dk
dispersiyona sahiptirler. Fiberler imdi dk kayba sahiptir ki, dispersiyonut
iddetli performanslarn snrlama alann gelen snrlanm dalma olarak
isimlendirilir. imdiki aratrmalar 1300 nm'de dk kaypl fiberler ve 1550
nm'de dk dalml fiberlerin geliimi zerinde younlatrmtr. Bylece
azalma ve dalma ayn dalga boyunda azaltlabilir. 800-900 nm'deki almalara
ilave olarak bu dalga boylarnda alacak gelimi diot lazerleri ve dedektrleri
gelitirmektedir. Tekrarlayc olmadan 161 km saniyede 400 megabayt gnderecek
durumu laboratuvar almas gstermi olsa da fiyat etkisi az olan kurulu iin
hazr olan daha pratik ve daha gvenilir sistemler tekrarlayc olmadan 36 km
saniyede sadece 140 megabayt gnderilebilir. Byk lekli fiberoptik haberleme
sistemleri mevcut verileri ve telefon ebekesini eklemek iin planlanmaktadr.
Fakat ou planlar bakm masrafnn ok yksek olduu zellikle su alt sistemleri
iin yeni laboratuvar gelimeleri bekleniyor. Bylece bu sistemler daha ekonomik
olacaklar ve daha az bakm gerektirirler. ok gvenilen tekrarlayc 1 arn bir ksm
sistemin almas iin esastr. Fiberoptik sistemler ABD, Fransa, Almanya,
Japonya da kurulmu ve kullanlmaktadr. Dier fiberoptik haberleme sistemleri
dnyann eitli yerlerinde planlanmaktadr. Fiberoptik kablolardaki optik sinyaller
tek kablolardaki elektrik sinyallerinden daha fazla bilgiyi tayabilirler.
68
KAYNAKLAR:
1. ' Physics and Technology of semiconductor devices' A.S. Grove, Intel Corporation,
Mountain View- University of California, Berkeley
2. ' Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics' Shyh Wang, Prentice
Hail Series in Electrical and Computer Engneering - Leon O. Chua, Series Editr
3. 'Physics of Semiconductor Devices' S. M. Sze - Bell Laboratories, Incorporated
Murray Hill, New Jersey
4. 'Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers' G.Bauer, W. Richter-
Springer, 1996
5. B. Koley, R. Jin, G. Simonis, J. Pham, G. McLane, D. Stone, and M. Dagenais
"Knetics of Growth of AIAs Oxide in Selectively Oxdized Vertical Cavity Surface
Emitting Lasers", Journal of Applied Physics, vol, 82, pp. 4586, 1998.
6. B. Koiey, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J, Pham, G. McLane , R.D. Whaley Jr., F.
Johnson, " Dependence of Lateral Oxdation Rate of AIAs Layer used as a Current
Aperture in Vertical avity Surface Emitting Lasers on Different Physical
Parameters". SPIE Photonics West, January 1998.
7. B. Koley, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J. Pham, R.D. Whaley Jr., F. Johnson,
"Dependence of lateral oxidation rate on thickness of AIAs layer of interest as a
current aperture in vertical-cavity surface- emitting laser structures ", Joumal of
Applied Physics, vol. 84, pp. 60 , 1998.
8. B. Koley, M. Dagenais,R. Jin, G. Simonis, J. Pham, R.D. Whaley Jr., F. Johnson,
"Studies on dependence of wet oxidation kinetics of AIAs layer in vertical-cavity
surface-emitting laser structures on different physical parameters", CLEO '98, CTuQ2,
pp. 200.
9. William Lawler, George Simonis, John Pham, Madhumita Datta, Bikash Koley, and
Mario Dagenais,"CMOS Driver Circuit for Hybrid Optoelectronic Interconnects," ;
The Second International Wokshop on Design of Mixed Mode Integrated Circuits and
Applications, IEEE CAS, Guanajuato City, Mexico, July 1998
10. B. Koley, L. Wasiczko, R. D. Whaley, Jr. , M. Dagenais, F.G. Johnson, "Complete
Characterization of Selective Oxidation of AlAs used as a Current Aperture in Vertical
Cavity Surface Emitting Lasers", to be presented in OSA Annual Meeting, October
1998, Baltimore MD.
11. B. Koley, L. Wasiczko, R. Whaley, Jr., F.G. Johnson, G. Simonis , M. Dagenais
."Parametric Analysis of AlAs Wet Oxidation Process for Application in VCSELs",
IEEE LEOS Annual Meeting, December 1998, Orlando, Florida.
12. B. Koley, K. Amamath, S. S. Saini, M. Datta, L. Wasiczko and M. Dagenais, J. Pham,
J. Pamulapati, P. Newman, P. H. Shen, W. Chang, and G. J. Simonis, "A High-speed
Smart Pixel Array using VCSEL based Integrated Optoelectronics", to be presented in
OSA Topical meeting on Spatial Light Modulators and Integrated Optoelectronic
Arrays, April 1999, Aspen, Colorado
13. J. Liu, M. R. Stead, J. Pham, W. Chang, and G. J. Simonis , B. Koley, K. Amamath,
L. Wasczko, M. Datta, and M. Dagenais, "Imaging and Hyper-Spectral Behavior of
Flip-Chip CMOS-Driven 956 nm Back-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting
Laser Array", to be presented n OSA Topical meeting on Spatial Light Modulators
and Integrated Optoelectronic Arrays, April 1999, Aspen, Coiarado.
69
YARILETKEN INJECTION LASERLER
Laser saf monokromatik radyasyondur. Elektromanyetik lazer dalgasnn
herhangi bir zamandaki faz nceki veya sonraki herhangi bir andaki
fazyla balantldr. Bu tip radyasyon kohorent olarak isimlendirilir ve
ara retimi lazer olarak isimlendirilir. LAZER ngilizcede Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation ifadesinin ba
harflerinden oluur.
Laser gelme olasl kuantum mekanik prensipten,Dirac tarafndan
ispatlanr,Bu durum udur; foton ve elektron birbirini etkilediinde,eitlik
olasl yledir:
a. Foton absorblanr ve elektron uyarlr(excited,heyecanlanr) veya
b. Eer elektron henz uyarlmsa gelen foton uyarlm durumdan dk
enerjili duruma dmesi yoluyla ikinci fotonun emisyonu uyarlr. Bu
ikinci foton ayn dalgaboyu, faz,polarizasyon ve yaylma dorultusu
balangtakiyle ayndr. Bylece orjinal foton fazlalatrlabilir.
c. Poplasyon deiimi PN eklemi yannda yksek doping younluunun ve
ileri ynde akmn kullanlmas yoluyla baarlr.njected tayclarn
byk says eklem yaknndaki blgede yaratlr. Bu blgede byk
miktardaki elektronlar iletim bandnda yine byk miktardaki holelerle
valans bandnda birlikte bulunur. Poplasyon deiimi Fig.21.10(a)da
gsterilmitir. Baz injected elektronlar kendiliinden tamamlanmaya
balar, fakat birinci birinci foton yeniden absorblanann yerine yada
radyasyon yaymayla, daha fazla fotonun emisyonu uyarr,ara duvarna
varr ve iten aynas (mesela kristal yzey) tarafndan eklem dzlemine
geri yansr. Poplasyon deiim blgesinden uyarlm daha fazla foton
70
tekrar geerler ve zt duvara arparlar. Bazlar tekrar yansr ve bylece
daha gl kohorent k emisyonu uyarr. Darya radyasyon yoluyla
k kayb olur ve k kayb eklemden uzakta yariletkenin iinde tekrar
absorplama ile de olabilir. Bu durumda orada poplasyon deiimi olmaz.
Ik iddeti k kayplarnn btnyle k amplifikasyonu yoluyla hangi
deerde olduu tespit edilmeli.
Yariletken lazerlerde mann alnmas iin gerekli olan nfus teslenmesi
genel olarak aadaki bant ile verilir.
E
n
- E
p
> E
g
E
n
= letkenlik bandnda bulunan elektronlarn yer ald enerji seviyesi.
E
p
= Valans bandnda bulunan deikin yer ald enerji seviyesi.
E
g
= Yasak band aral enerjisi

Ana GaAs injection laser yaps Fig.21.10(b)de gsterilmitir.
Kristal axeslerin ynelimlerinin uygun seenekleri yoluyla iki zt A-A
duvarlar Fig24.10(b)de yaptrlm ve tamamiyle paralel ve przszdr.Ik
ieriden bu duvarlara vurduunda, refractive indexin farkl olmas nedeniyle
yaklak yzde 30u geri yansr ve bu iteki kayplar yenmeye yeterlidir.Rest
kohorent k gibi dar verilir. B duvarlar przlendirilmi olup,daha fazla
elektromanyetik osilasyon modu oluturur ve laser iki veya daha fazla farkl
dalga boyunda ayn zamanda oluabilir. Bu eit yaplar Fabry-Perot oyuk
olarak isimlendirilir.
Temel laser yapsyla ana zorluk laser masnnolmas iin yksek akm
younluklarna ihtiya vardr.(40-100 kA1/cmcm 300Kde fakat yalnzca
yaklak 5kA 1/cmcm 77Kde). Yalnzca sv Nitrojen scaklnda
alabilirler.MBE ve MOCVD teknolojileri bugn heterostructure laserlerin
teknolojisine izin verir. Farkl potansiyel bariyerleri iletim ve valans bandnda
yer alabilir. Double heterostructure laser Fig.21.10(c)de ve (d)de
gsterilmitir.njected tayclar eklem yaknlarna snrlandrlabilir. Ayn
zamanda refractive indexdeki deiim ayn yaknlkta dar verilen snrlar
bylece elektronlarn,holelerin ve fotonlarn ok yksek konsantrasyonu ince
aktif blge (d=0,1-0,5mikrometre) iinde oluturulur.
Laser n balang akm younluu ncekinden dk olduunda olur.
(Jth=500A1/cmcm 300Kde).Ithnin azalmas dar stripe kontak kullanlmasyla
(=20mikrometre) baarlr Fig21.10(c).Gvenilir laser diodelar srekli
dalgaboyu 0,85mikrometre Ith=10-20mA iken oluturulur. Dar verilen laser
k pulslaryla ayarlanr laser anahtar akm balangcn stnde veya
altnda olduunda. Modlasyon frekanslar 2GHzi atnda baarlr.
71
Injections laserler eitli ek direk band aralkl yariletkenlerde
GaAsP,InGaP,AlGaAs gibi PN eklemlerinden yaplanlarda grlr.AlGaAs
GaAs zerinde olan u ana kadar yaplanlarn en iyisidir.
lk yariletken injeksiyon lazerin yaps ekil-4 te verilmitir.
ekil-4. Yariletken diyot laser (GaAs)

72
INJECTION LAZER KONFGRASYONLARI


INTERNAL-CAVITY LASER

EXTERNAL-CAVITY LASER

CLEAVED COUPLED CAVITY (C
3
) LASER
DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) LASER

73
DISTRIBUTED BRAGG REGION (DBR) LASER
3.1) EDGE EMTNG LAZER:
Yariletken laserlerin grn ve almasn inceleyeceiz. lk
yariletken laserler arca katklanm blnm yzeylerle p-n eklemlerinden
meydana gelir. Bu yap yeniden birleimin yer ald yerde hi tanmlanan blge
olmad zaman etkisizdir. Yeniden birleme meydana gelmeden nce tayclar
difzyona kaybedilir. Sonu olarak, bu erken aralar balangca ulamak iin
pekok akm gerektirir. Balang akmlar ikili farkl yapl (double-
heterostructure) laserlerin gelimeleriyle azaltlr.(kili farkl yapl laser ince
yariletken blgeye sahip daha kk enerji aralkl sandivilenmi, iki zt
katklanm geni band aralk enerjili yariletkenler arasnda).leri
meyillendiinde, tayclar aktif blgeye akar ve yeniden birleme daha etkili
olur. nk farkl yaplarn (heterostructure) potansiyel bariyerleri tayclar
aktif blgeye snrlandrr.Laser nn dier bir avantaj da kaplanan
yzeylerin krlma indisi aktif blgeden daha dk. kili farkl yap laserlerin
tipik yaps aadaki gibi gsterilir:
Aracn yzeyindeki ubuk balants, aracn snrlandrlan kk blgesine
kabaca akm ak iindir.Aracn bykl hakikatte biraz kktr. Oyuk
atomlarn dzlemi boyunca blnen yariletken tarafndan biimlendirilir.
Balang akm 10 mA ile bu eit aralar iin tipik boyutlar 200 m x 50 m x
100 m dir. Emisyonun yksek uzatlm alan nlarn sapp krlmasna neden
74
olur bu da n yksek astigmatik demeti olarak sonulanr. Birok laserler,
yariletken laserler geni eitli demetlere sahiptir.
Ara almas




Ara ileri meyilli olduunda, tayclar aktif tabaka ve yeniden birlemeye
(recombine) akarlar. Laser almasn anahtar uyarlm elektron ve foton
nfusu arasndaki etkileimdir. Eer n enerjisi iletim ve valans bandndaki
elektronlarn enerjisindeki farkla ayn olursa, uyarlm emisyon meydana gelir.
Aracn blnm yzeyleri aynalar gibi davranr. Yansyan fotonlar
yariletkenin aktif tabakasna geri dner. Yariletkende fotonlar uyarlm
elektronlarla birbirine tesir ederler. Oyuk rezonans frekansnda uyarlm
75
emisyonun enerjisine benzer ekilde dizayn edilmitir. Edge emitting aralarn
blnm yzeyleri arpan kla yansyan k arasndaki orana (reflectivity)
sahiptir.Bu orann % 30 u baz klarn kamasna izin verir. Bu tip aralar
Fabry-Perot resonant oyuun kullanlmasyla tanmlanr.En basit optik rezanatr
(nla) birbirine paralel iki aynadan meydana gelen ve yalnzca bir boyutta
yerelletiren Fabry-Perot nlacdr. C.Fabry ve A.Perot bu rezanatr (nlac)
1899 ylnda icat etmilerdir. Bugn kullanmda olan laserlerin birounda bu
geometri kullanlmaktadr. ki ayna arasndaki mesafe eer foton dalga boyunun
yarsnn tam katlarysa bu fotonlar nla eklinde nlayacaklardr. Bu
geometrik snrlama elektromanyetik snr artlarndan dolay vardr. Kuantum
mekanik yaklamda sadece nlacn zenerjilerine veya zsklklarna sahip
fotonlar nla iinde nlayabileceklerdir. Fabry-Perot yapsndaki yariletken
diyot laserleri tek balarna bir optoelektronik devre eleman olarak
kullanlabilirler fakat optoelektronik bir tmleik devreye tmletirilemezler. Bu
aslnda dikdrtgen oyuk (yksek parlatlm yzeylerle) oyuun sonundadr.
Dalga iin oyukla varolmas, yarm dalga boyu uzunluunda veya matematiksel
terimlerinde tamsay olmas gerekir.
2

q L
L oyuun uzunluu ve q=1,2,3,4..... ve maddedeki n dalga boyu. Modlar
arasndaki verilen aralk;
L
k
2

olur.

Yariletken laserlerin frekans spektrumu aada gsterilmitir. Fabry-Perot
modlar balangcn altnda ak olarak gsterilmi. Balangcn stnde, tekli
mod baskn ve laser frekans dalgas oluur.
76
3.2) Double Heterostructure Laserler
1970 ylnda ikili hetero-yaplarn GaAlAs/GaAs lazerlere uygulanmas ile oda
scaklnda srekli almalar salanmtr (Iga, 1996). Ikili heteroyaplar, k
kaynak tabakas (GaAs gibi), koyucu tabakalar (GaAlAs gibi), ve daha byk
yasak enerji band olan iki koruyucu katman arasnda bulunan aktif ekirdek
tabakasndan olumaktadr.Koruyucu katmanlar akm geirmek iin p ve n tipi
olarak katklanmtr.Yk tayclarn birlemesi p-n ekleminde meydana
gelmekte, ve lazer n vermektedir. Aktif ekirdek tabakasnn krlma indisi
koruyucu tabakalarndan byktr. kan k, aktif tabaka snrlar iinde
tutulmaktadr ve bylece dielektrik dalga klavuzu olumaktadr. Dalgaklavuzlu
diyot lazerlerindeki nnn kalitesi geni alanl diyot lazerlerinden daha iyidir.
Tipik olarak dalga klavuzu genilii sadece birka mikrometredir.Dalga
klavuzlar malzemenin krlma indisinin enine azalmasyla tanmlanr. Silisyum
oksit izolasyon tabakas,koruyucu tabakann bir ksm andrldktan sonra
bytlmtr ve dalga klavuzunun yanlarndan akm geiini durdurmaktadr.
Bylece akm sadece dar bir alandan gemektedir. Bu akm, tayc
nfusunun tersine evrilmesi iin yeterli olup, lazer kazancn meydana
getirmektedir.p-n eklem laseri eklem dzlemine dikey olarak bir ift paralel
dzlem balanlm veya yaptrlmtr. Diyodun duran dier iki yz laser
dalga dorultusunu dier ana alandan elimine etmek iin przlendirilmitir. Bu
yap Fabry-Perot oyuk olarak isimlendirilir.
77
3.3) VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELs)
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) edge-emitting
laserlerden daha fazla avantajlara sahip. VCSEL in dizayn ince dilim halinde
kesilmi olarak imaline ve tekli wafer zerinde test edilmesine izin verir.
Aralarn geni dzeni flip gibi metodlar yaratabilir,optiksel balantlar ve
optiksel sinir a uygulamalar da mmkndr.Telekomnikasyon endstrisinde,
VCSEL lerin muntazam , tekli mod demet profili optiksel fiberler iinde
balant kurmak iin caziptir. Btn bu avantajlarn yannda fabrikasyonda ve
yksek glerde almasnda problem vardr.
lk VCSEL hakknda 1965 ylnda malumat verildi. Bu ilk VCSEL InSb nin
n
+
pp
+
ekleminden meydana gelmitir. 10 K e soutulduunda ve manyetik
alana maruz brakldnda, tayclar toplanr, ara dalga boyu 5,2 m nin
yaknlarndayken kohorent radyasyonu dar verir. Sonra, dier gruplar zgara
yzey emisyona bildirilir. Kzl-tesi emisyon yaknnda telekomnikasyon
dalga boyu 1,5 m olarak 1979 ylnda Tokyo Teknoloji Enstitsnde baarld.
lk VCSEL aralar (yksek balang akm younluklar (44 kAcm
-2
) ve sv
Nitrojen kullanarak soutulmas ile) metalik aynalara sahipti. 1983de epitaxial
aynalara GaAs/AlGaAs VCSEL ler iin nclk edildi. Bir yl sonra oda
scaklnda laboratuvarda atma oluturularak VCSEL ler retildi. Balang
akm younluundaki azalma oyuun aktif hacmindeki azalmayla balantldr.
Bugn, GaAs/AlGaAs VCSELleri oksit akm snrlamasyla 40 A e kadar
kk balang akmlarna sahiptir.
78
Yaps
Her ne kadar genelde genel bir grne sahip olsa da birok VCSEL yap
dizaynlar vardr.VCSEL lerin oyuk uzunluu ok ksadr, tipik olarak yaylan
n 1-3 dalgaboyudur. Sonu olarak, oyuun tekli geilerinde foton dk
tayc younluklarnda uyarlm emisyon olay tetiklemesinde kk bir ansa
sahip. Bu yzden VCSEL ler etkili olmas iin ok iyi yansyan aynalar
gerektirir. Edge-emiting laserlerde yzeylerin reflectivity si yaklak % 30
dur. VCSEL ler iin reflectivity dk balang akmlar iin % 99,9 dan daha
byk olmas gerekir. Yksek reflectivity metalik aynalar kullanlarak
baarlamayabilir.VCSEL ler Distributed Bragg Reflectors (DBRs) kullanlarak
yaplr.
Bunlar krlma oranlarndaki farkllkla dielektrik maddeler veya
yariletkenlerin aa dizilebilen tabakalar tarafndan meydana getirilir.
Salmada optiksel karakterler iin, yariletken maddeler DBR lerin kk
farkllklarla krlma oranna sahip olduklar iin kullanlr,bu yzden birok
periyot gerektirir.
DBR tabakalar akm aracn iine tar, daha fazla tabaka aracn direncini
artrr bu yzden s artar, eer ara zayf dizayn edilmise bymede bir
problem olabilir. Baz dizaynlar aada gsterilmitir;
(a) Metalic Reflector VCSEL
(b) Etched Well VCSEL
79
(c) Air Post VCSEL
(d) Burried Regrowth VCSEL
VCSELlerde oyuktan yaylma
80
2.4 KUANTUM KUYU LASERLER

Yariletken diyot lazerlerin kuvantum kuyusunun kalnlklar on nanometre
kadar ince olabilmektedir. Son yirmi yl iersinde aratrmaclar,birka
nanometre kalnlnda deiik katmanlar st ste koyarak ilgin yaplar elde
ettiler. Tipik olarak st ste konulan tabakalar deiik yapdalard(mesela biri
81
GaAs ise, dieri GaAlAs dir). Bu katmanlarn yasak enerji bantlar ayarlanarak,
elektron ve deikler iin tuzaklar oluturulabilir.Elektronlarn ve deiklerin
tuzaklanmas tek boyutta kuvantum kuyularyla, iki boyutta kuvantum telleriyle,
ve boyutta kuvantum noktalaryla gerekletirilmektedir.
Eer ikili hetero yapnn aktif blgesinin kalnl, dier boyutlarndan ok
kk ise (Lx << Ly, Lz), ve tayclarn de Broglie dalga boyu civarnda ise
x
L
p
h

x ynndeki tayc kuvantize edilmitir. Burada, h Planck sabitidir, ve p de
parack momentumudur. Kuantum kuyulu lazerler gelitirilirken,retim
tekniinde zor artlar bulunmaktadr ve ok ince (Lx < 50 nm) hetero-yaplarn
ara yzlerinde hibir hata bulunmamaldr. Molekler iin epitaksisi bu
ihtiyalar karlayabilmektedir. Bu yntemle hazrlanan ok tabakal
GaAs/Al
x
Ga
1-x
As yaplar, eik akm younluunu 800A/cm
2
civarnda lazerin
yaplmasna imkan vermitir.III-V nitrit yariletkenlerin epitaxial bytlmesi
iin birok teknik kullanlr. Bu teknikler arasnda MBE ve MOCVD en popler
olanlardr, birok III-V alam yariletkenlerin fabrikasyonunda geni olarak
kullanlr. Yksek parlak mavi ve yeil LEDlerin akm eitlilii 1995 srasnda
bulundu. Ticari III-V nitrit led rnlerinin ikinci douu SQW yapya dayanr,
mavi-yeil ve yeil LED ler iin renk safl ve etkisi gelitirildi. Bulunan g
deeri450nm iin mavi 4,8mW ve 525nm iin yeil LED ler 3,0mW dr.
Kuantum kuyulu lazerlerin en nemli karakteristikleri :
1. Dk eik akm younluu
2. Eik akmnn sya bal deiiminin ok kk olmas
3. Akm deitirerek karlan dalga boyunun geni bir alanda
ayarlanabilmesi
4. Dinamik zelliklerinin iyi olmas (Mroziewicz, 1991) eklinde ifade
edilebilir.
82
83
84
85
86
ek. Safir substrat zerindeki (AlIn) GaN LED kuantum kuyular iin tipik
konfigrasyon.llmemi ve aklk iin abartlan tabaka kalnlklar
3.5) KUANTUM NOKTA LAZERLER:
87
88
89
90
91
92
Kuantum nokta lazerin yaps
93
94
3.6) KUANTUM TEL LAZERLER:
95
3. Motivation
The nano-photonic devices studied will be based on self-organised GaAs(InGaAs)/AlGaAs
V-groove quantum-wires (QWRs) with tightly confined V-shaped optical waveguides. The
reason we believe this concept will be successful is based on the following important features.
1) The very high interface quality of the QWRs which exhibit clear carrier one-dimensionality
up to room-temperature, 2) the QWRs can be vertically stacked with small wire-to-wire
separations (large active volume), 3) the QWRs can be confined in an extraordinarily uniform
and tight self-ordered V-shaped waveguide ( 0.5 m), 4) current can be selectively injected
into the QWRs through a self-ordered vertical quantum well and finally 5) the small size of
the individual nano-devices permitting for a very dense planar monolithic integration.
4. V-groove Quantum Wire LEDs
96
Fig.1. A schematic view of a surface emitting QWR array LED
Self-organized growth on patterned substrates has been shown to be very promising to
achieve wire- and -dot arrays with both high homogeneity and density. In order to additionally
achieve selective carrier injection into the active regions one needs the surrounding barriers to
provide lower potential channels leading carriers from the contacts to the wires or dots. We
have demonstrated such selective injection in self-organized GaAs/AlGaAs V-groove QWR
LEDs where the selective injection is due to the presence of self-formed AlGaAs vertical
quantum wells (VQWs). It is the purpose of this project to develop such LEDs by using self-
organized V-groove quantum wire (QWR) arrays as the active material. Due to an enhanced
excitonic effect in 1D and the uniqueness of the V-groove method we believe this concept has
the potential to produce LEDs with narrower linewidth and higher speed than is possible with
conventional high-brightness LEDs.
The grown structures, consisting of an intrinsic region with the crescent shaped QWRs and
undoped AlGaAs barrier layers sandwiched between p and n AlGaAs regions were processed
into p-i-n mesa diodes. A schematic view of a surface emitting QWR array LED, with a
transmission electron microscopy (TEM) micrograph of the active GaAs QWR, is shown in
Fig. 2.
Fig. 2. TEM micrograph of a V-groove quantum wire, indicating the use of a self-
ordered vertical quantum well for selective current injection into the active region.

Recent results:
97
Initially we optimised GaAs/AlGaAs QWR LEDs in terms of linewidth, and we have now
achieved a linewidth of 15 meV at RT. This is the narrowest RT linewidth from any LED
demonstrated to date. The homogenous part of the total linewidth was estimated to be 6 meV
due to exciton scattering with optical phonons. An analysis of the electroluminescence (EL)
peak in a high magnetic field pointed out the excitonic origin of the recombination process
even to high densities at RT. This was a rather unexpected result as it is not the case for GaAs
QWs, and points to interesting further possibilities of utilizing the excitonic effects to also
enhance the speed of LEDs.
We have optimised the original design of the GaAs/AlGaAs QWR LED by using InGaAs as
the active QWR material in order to increase the internal quantum efficiency and to reach
longer emission wavelength. The initial InGaAs/GaAs/AlGaAs LED had a record-high
internal quantum efficiency of 60 %, narrow linewidth (20 meV) emission at 960 nm at RT,
as shown in Fig. 3. This high quantum efficiency was achieved with the aid of the self-formed
vertical QWs in the AlGaAs barrier, in combination with thin GaAs spacer layers. Further
studies have been made by systematically increasing the In content to nominally 35 %, giving
EL emission at 1.15 m at RT with maintained high internal quantum efficiency.
Fig. 3. EL spectra at 10 K and RT of the InGaAs QWR LED at a current injection of 0.1
mA.
So far all V-groove QWR LEDs have been fabricated on 0.5 m pitch QWR LEDs. We have
now also initiated a study on QWR LEDs in deep laser-sized V-grooves (3 m pitch), in
order to investigate if selective current injection can be obtained together with a V-shaped
dielectric waveguide. This would have very important implications for obtaining very low
threshold current V-groove QWR laser diodes, as well as for using the QWR LEDs in
waveguide geometry which would allow for higher output powers and much better coupling
efficiency of the LED emission to an optical fiber.
5. V-groove Quantum Wire Lasers
98
Fig. 4. AFM cross section image (left) of two V-groove QWR lasers separated by a
distance of 3 m. TEM cross section image (right) of a single V-groove QWR laser with
five vertically stacked QWRs in the waveguide core.
The aim of this project has been to gain insight into the gain and lasing mechanisms in one-
dimensional (1D) electronic systems via the investigation of stimulated emission and lasing in
semiconductor quantum wire (QWR) structures. The V-groove QWR structure realized in the
GaAs/AlGaAs compound semiconductor system was selected as the experimental model for
this investigation due to the quality of these 1D structures and the knowledge about their
electronic and optical properties accumulated in different projects.
Due to the extremely small active volume associated with the nanometer sized V-groove
QWR a laser structure will need a very tight optical confinement to achieve useful gain.
Furthermore, the optimization of the carrier injection into the wires needs very tight lateral
current confinement. This is normally very difficult in QWRs and QDs due to the existence of
both vertical and lateral heterojunctions. This problem would be avoided if one could utilize
the self-ordered AlGaAs vertical quantum well for selective injection as we have recently
discovered in V-groove LEDs. If this selective injection scheme can be preserved in a
waveguide geometry, we estimate that threshold currents can be well below 100 A.
Recent results:
Lasing at the lowest optical transition of the quantum wires was achieved when the laser
structure was optically pumped under cw operation. This demonstration of cw operation has
confirmed our initial attribution of the gain mechanism to excitonic gain. We have
investigated a new pre-blocking technique for the current injection in order to later rely on the
selective injection through the vertical quantum well. We have made selective wet-etching
and anodic etching and compared it with the conventional proton implantation isolation.
Ground state lasing with Ith = 2.5 mA at 20 K was achieved with such etched pre-blocking
layers which is comparable to the proton implanted lasers.
Evidence for lasing from localized excitons has been obtained by measurements of a GaAs
QWR laser in a high magnetic field, as shown in Fig. 5. The threshold current was found to
decrease with as much as a factor of three with an applied magnetic field of 25 T, as shown in
Fig. 6. This is believed to be due to the enhanced exciton oscillator strength causing enhanced
modal gain in the QWR laser. This gain mechanism is different from GaAs QW lasers that are
based on free carrier gain, and again points out the stability of the exciton in our QWRs.
99
Fig. 5. Schematic picture of a single V-groove QWR laser. Stimulated emission occurs
from the cleaved edge, and spontaneous emission can be studied above threshold
through a semitransparent surface contact. The laser diode is also investigated in high
magnetic fields with the applied magnetic field parallel or perpendicular to the wire.
Fig. 6. Dependence of threshold current as a function of the magnetic field. The
threshold current was found to decrease with as much as a factor of three with an
applied magnetic field of 25 T parallel to the wire.
We have also made the first InGaAs V-groove QWR lasers. These lasers operated up to RT at
944 nm with a threshold current of 2 mA, which is significantly lower than we previously
achieved with comparable GaAs QWR lasers. In an ongoing study we are systematically
investigating the effect of the Al composition on the efficiency of the vertical quantum well as
a current injector.
100
Quantum wire line pattern, 3-D and topview
Although DFB lasers with partially etched quantum wells have been reported from several
reseach groups, excellent characteristics of DFB lasers with completely etched wirelike active
regions are experimentally shown. Threshold current dependence on the laser with wirelike
active regions is investigated. And also, superior lasing properties of this type of BH-DFB
LD, such as submilliampere and stable single-mode operations will be given.
Distributed Reflector (DR) laser integrated with active and passive sections
101

In conventional DFB lasers, light output can be obtained from both facets. For higher
efficiency maintaining low-threshold operation, the light output should be concentrated on
only one facet. For this purpose, we propose and fabricate the new type of distributed reflector
(DR) laser with active and passive sections
Distributed Reflector (DR) laser with Deeply-Etched Vertical Gratings

Stable single-mode semiconductor lasers operating around 1.5 m is of importance for
optical communication system. Distributed FeedBack (DFB) or distributed Bragg Reflector
(DBR) structures has been usually employed to select single longitudinal mode. An advanced
type of single mode laser, the distributed reflector (DR) laser, has been developed to improve
the performance of DFB or DBR laser. In the early stage of development of DR lasers,
however, several repetitions of etching and regrowing steps were indispensable for fabricating
gratings parallel to the epitaxial junction plane. Recently, it has been proposed that a periodic
grating on both sidewalls of the mesa, i.e., a vertical grating (VG), can replace the
conventional one. Since the diffraction grating and mesa structure are fabricated
simultaneously, the number of processing steps is greatly reduced. Furthermore, deeply
etched DBR mirrors can be patterned without further complication of the process.
Experimentally, it has already been verified that VG on narrow stripe can provide sufficient
feedback along both active and passive devices.
The sample with the cavity length of 150 m, stripe width of 1.3m and grating depth of
70 nm on both lateral sides exhibited a threshold current of 2.8 mA, a differential quantum
efficiency of 28% from the cleaved front facet under CW condition. In the same device,
submode suppression ratio of 44dB was achieved at a bias current of five times the threshold.
102
Membrane-DFB laser
@ @ @ @ @Fig. 1 Schematic structure and cross sectional SEM view
103
EK AKIMINA BALI OLARAK ELEKTROLMNESANS

Normalize edilmi electroluminescence spectra of a 1500m uzun ubuk
injection akmlar iin artan 1,10,40,120 dzeninde laser
ve 133mA.
J
th
=88A/cm2
104
LASER ALALTILMASI (DEGRADATION)
Injection laserler eitli mekanizmalar yoluyla alaltlr.3 ana mekanizma
(1) Catastropic alaltma
(2) Koyu-izgi defect formasyonu ve
(3) Kademeli alaltma
Katastropik alaltma iin, laser aynas yksek g operasyonu altnda ukurlar
ve yivler tarafndan her zaman iin ayna zerinde ekillenmeye zarar
verilir.Ara yaplarnn deiiklikleri yzey yeniden birlemelerini azaltr ve
absorpsiyon mmkn zararlimitindeki g artar.Koyu izgi defecti
dislokasyonlarn ebekesidir. Bu laser almas srasnda meydana gelir ve
optiksel oyuu zorla ieri sokar.Baladnda, birka saat iinde geliir balang
akm younluunun artmasna neden olur. Koyu izgi defect oluumunun
olassl azalr, kaliteli epitaxial tabakalar kullanlmas gereken dk
dislokasyon younluklaryla substrat zerinde bytlr ve laser gerginlii
minimize etmek iin s ukuru dikkatli balanmal. DH laserler yava
alalmayla balantl uzun alma zamanlarna sahiptir. DH GaAs-AlGaAs
laserler cw almas altnda 2,6x10000hr(3yl) 30Cde daha uzun dmelerin
iaretleri gsterilmez.22 Cde bilinene dayanan tahmini yaam zaman s
ukuru scakl 1000000saat(100yl) den daha byktr.
Aadaki ekilde (fig.55) balang akmna kar alma zaman GaInAsP-
InP DH laserler iin gsterilmitir. Dk balang laser (Jth=2,9kA/cmcm)
8000saat sonra almasnda deimez karakteristiklere sahip.Yksek balang
105
laser dahili dme iareti olmakszn, yalnzca artan termal diren olayn
gsterir.

Aadaki ekilde AlGaAs/GaAs yaps verilen oranlarda gsterilmitir.En st
tabaka 0,5den 0,9mye iletim iin gelen n penceresi olarak hizmet
grr.0,53mde kuantum etkisi yaklak yzde 70dir ve yzde 95e Si3N4
antireflection coating ile artrlabilir.
Aadaki ekil (fig.31) yeni heteroyapy gsterir burada planar tipi p-n
eklemi InP pencere tabakada meydana getirilmi, light-absorbing dk band
aralkl GaInAsP tabakadan ayrlr. Bu diyotta azaltma tabakas n-InPdan n-
GaInAsP tabakasna flat eklem blgesinde geniler, oysa o ierde InP eklem
106
kesi olarak kalr.Krlma voltaj Vb tahmin edilen eitli Eg3/2 olduunda Vb
InPda yaklak yzde 60 daha byk olur Vb GaInAsPdan verilen oranlarda
eit doping seviyelerine sahip olduunda. Etki kenar krlmasna diyot yapsnda
engel olur.Ek olarak sznt akm dk bant aralkl tabaka yoluyla geni aralk
(wide gap) maddesinde (InP) bask tnellemesinin sonucu olarak azaltr. Ara
dk dark-current younluuna sahip on zeri eksi 6 A/cmcm Vbde ve
3000in avalanche kazancnda.
Zaman iinde g alalmas ;
P=P
0
e
-t/

D
Yaam sresi akm younluu ve eklem scakl ile azalr.
107