Analog arpc Kullanarak Yaplm Lineer Srklenme Hzl

Ti0
2
Memristr (Hafzal Diren) Taklit Devresi
Emulator Circuit of Ti0
2
Memristor with Linear Dopant Drift Made Using
Analog Multiplier
Reat Mutlu
1
ve Erturul Karakulak
2
1
Elektronik ve Haberleme Mhendislii Blm,
Namk Kemal niversitesi, orlu, Tekirda
rmutlu@nku.edu.tr
2
Elektronik Blm, Teknik Bilimler Meslek Yksekokulu,
Namk Kemal niversitesi, Tekirda
ekarakulak@nku.edu.tr
zet
Memristr veya yk baml memristif sistemler henz
zerinde deney yaplabilecek ekilde piyasada
bulunmamaktadr. Literatrde memristr davrann taklit
eden aratrma ve eitimde kullanlan emulatrler (takliti
devreler) mevcuttur. Bu almada ilk defa bir Ti0
2
memristr taklitisi analog arpcl bir elektronik devre
kullanarak yapld. Bu taklitinin lineer srklenme hzl Ti0
2
memristrn olduka iyi bir ekilde taklit edebildii
histeresis ve doyum olayn kullanarak gsterildi.
Abstract
Memristors or charge-controlled memristive systems , are
not available for experimental studies in market. In
literature, emulators which mimicks memristor behaviour for
studying and teaching of memristor do exist. In this work, for
the first time in literature, a Ti0
2
memristor emulator is made
by an electronic circuit with an analog multiplier. Using
hysteresis and saturation phenomena, it is shown that this
emulator can mimick Ti0
2
memristor with linear dopant drift
speed well.
Anahtar Kelimeler- Ti0
2
Memristr, Memristr Emlator,
Histeresis Loop, Elektrik Devreleri.
1. Giri
1971 ylnda, teorik olarak L. O. Chua tarafndan
drdnc temel devre eleman olarak, hafzal diren
(memory resistor) yani ksaca memristr diye
isimlendirdii, deeri elektrik ykne bal olan, gerilimin
akma oran olarak ifade edilebilen, dolaysyla bir hafza
zellii gsteren baka bir temel devre elemannn var
olmas gerektii ortaya atld. Chua bu elemann sahip olduu
zellii de memristans diye isimlendirdi (rezistansa benzer
ekilde). Eleman M veya M(q) ile gsterdi. M(q)
elemann elektrik ykne balln gstermektedir.
Memristans aadaki formlle ifade edilmektedir.
) (
) (
M(q)
t i
t v
dq
d
= =

(1)
Bu formlde V(t) ve i(t) Memristr gerilim ve akmlardr.
Memristans formlnde grlen, memristr ak-dolanm
ya da memristr geriliminin integralidir. Q ise memristrn
yk ya da memristr akmnn integralidir. Memristr
eleman da diren eleman gibi g harcayan bir
elemandr. Memristrn memristansnn deeri memristr
yk, yani akmn integrali deitiinde deimektedir. Chua
ve Kang 1976 ylnda memristif sistemler kavramn
gelitirdiler ve AC akm kayna ile beslenen memristr
gerilim ve akmnn, balang noktasndan geen bir
histeresis erisine sahip olmas gerektiini de ortaya
koydular [2]. ekil 1de Chuann tahmini histeresis erisi
izimi grlmektedir [2]. Chua ve Kang ilgili makalede
ayn zamanda frekans arttka memristrn diren gibi
davranmaya baladn gstermiti. Memristrn 2008
ylnda, Stanley Williams tarafndan ynetilen HP
aratrma ve gelitirme timi tarafndan bulunduu ilan
edildi [3]. Williams ve timi bulduklar bu Ti0
2
memristrun
fiziksel mekanizmasn aklayarak literatrde ilk defa
memristans denklemini verebildiler. Williams ve ekibi ayn
zamanda bulduklar tip memristrlerin Chuann tahmin
edemedii bir doyma mekanizmasna sahip olduunu, yani
belirli bir yk deerinde memristrn yke bamlln
kaybedip diren gibi davrandn buldular. ekil 2de
Platinyum kontaklar arasnda titanyumdioksit(TiO
2
)
yerletirerek yaplan memristrn deneyle bulunan
doyumdaki histeresis erisi grlebilir.
ekil 1: Leon Chuann tahmini Memristr histeresis
(Lyscaous) erisi [2].
380
ekil 2: R. Stanley Williamsn Deneysel Histeresis
(Lyscaous) Erisi [4].

Kendisinden yeni tip hafzalarn yaplabilecei
dnlen Memristr hakknda giderek daha fazla makale
baslmaktadr [4-7].
Ti0
2
Memristr modeli aslnda Williamsn grubunun
verdii birinci derece memristr modelinden daha
karmaktr [3]. Verdikleri birinci derece memristr
modelinin analizi olduka kolaydr. Ti0
2
memristr gerekte
hem yke hem de akma bamldr [4]. Yalnzca kk
akmlarda Chuann 1971de tanmlad memristr gibi
davranmaktadr [1,4]. Aslnda [2]deki kavramlar kullanlrsa
yke ve akma bal bir memristif sistemdir. Bu nonlineerlii
de modelleyebilmek iin gelitirilen modeller mevcuttur [4,
18-20]. Buna ramen lineer srklenme hzl Ti0
2
memristr
modeli literaturde de ok sk kullanlmaktadr [14-17].
Memristr konusunda hem edeer devre modelleri iin hem
de memristr konusunda yaplm ve yaplabilecekler iin
hzl bilgi edinilmesi iin [19] ve [20]da ki referanslara
baklabilir. Bu kadar sk Ti0
2
memristr lineer modelin
literatrde kullanlmas lineer srklenme hzl memristr
emulatrnn de aratrma yada eitim amal kullanlmak
iin kullanlabilirliini hakl karmaktadr.
1971de Dr. Chua da memristre sahip olmadndan,
bir ak-dolanm ve elektrik yk karakteristii retip, bu
karakteristii ilemsel kuvvetlendirici, transistor vb. devre
elemanlar kullanarak yapt elektronik takliti devre ile
(emulator) byle bir memristr olsayd nasl davranacan
ve zelliklerini gsterebilmiti [1]. Memristrn bulunmas
ile literatrde farkl tipte memristr makaleleri ortaya
kmaya balad [7-12]. Ventra ve alma arkadalar DAC
(dijital analog dntrc) kullanan mikroilemci kontroll
bir memristr emulatr, taklitisi, yaptlar ve bunu amibin
renmesini [7] ve memristif osilatrl tanma davrann
ilikilendirici hafzalar simule etmek iin kullandlar [8].
renme ile ilgili almalarnda ise diyotlu memristr
taklitisi kullandlar. Memristr emulator ile ayn zamanda
memkapasitrlerin ve memendktrlerin (hafzal kapasitr
ve hafzal endktrn) zelliklerinin memristr
emulatrlerini gyrator devresinde kullanarak simule
edilebileceini gsterdiler [9]. Ventra ve Pershin ayn
zamanda emulatrlerini analog programlanabilir devrelerin
zelliklerinin dorulanmasnda kullandlar [10]. Diyotlar
kullanarak yaplan hem akma hem yke bal bir memristr
emulatr [11]de bulunabilir. Diyot ve opamp gibi devre
elemanlar kullanlarak yaplm bir emulator rezistif
anahtarlama zamann gstermek iin kullanld [12].
Literatrde aratrmalarmz sonucunda u ana kadar
yaplan bir Ti0
2
memristr emulatr bulamadk. Bu
aratrma ile bu boluun doldurulmas amaland. Bu
almadaki memristr taklitisi analog arpc ve opamp
kullanlarak yapld. Analog arpc kullanmay ise bizden
bamsz olarak bir kaos devresi almasnda kbik yk
baml bir memristrun simulasyonu iin Mutherjeenin de
kullanm olduunu grdk [13]. Muthuswamynin taklitisi
ayr bir devre olmak yerine Chuann kaos devresinin bir
paras olarak tasarlanmt.
Bu makalede, biz bir Ti0
2
memristr taklitisinin az
sayda ve piyasada kolaylkla bulunabilecek ucuz elektronik
devre elemanlar kullanarak yaplabileceini gstereceiz.
kinci blmde Lineer Srklenme Hzl Ti0
2
Memristr
Modeli verildi. nc blmde Memristr taklitisi
devrenin almas anlatld. Drdnc blmde yaplan
taklitiden alnan baz deneysel sonular gsterildi. Son
blmde bulunan sonular yorumland ve Takliti
performans deerlendirildi.
2. Lineer Srklenme Hzl Ti02 Memristr
Modeli
ekil 3te Platinyum kontaklar arasnda
titanyumdioksit(TiO
2
) kullanarak yaplan memristr
grlmektedir. TiO
2
memristre positif bir gerilim
uygulandnda, oksijen iyonlar TiO
2
iinde yaylmaya
balar. Eer oksijen iyonlar TiO
2
iinde tmyle yaylrsa,
memristans deeri minimum ve
ON
R
deerine eit olur. Eer
Oksijen iyonlar TiO
2
iinde hi yaylmamsa, memristans
deeri maksimum ve
OFF
R
deerine eit olur.
ekil 3: TiO
2
Memristr ve edeer Devresi.
Williamsa gre, yaylm yk deeri memristr sabit bir
kesite sahipse difzyon uzunluu ile doru orantldr. Eer
iyonlarn yayld blge uzunluu w ise, memristans, M(q),
iyonlarn yayld ve yaylmad blgelerin toplam
direncine eit olur;
D
w D
R
D
w
R
OFf ON

+ = M(q)
.
(2)
Memristr doyumu gz nnde bulundurulursa, w=D veya
q=q
sat
olduunda,
ON
R M(q) =
. (3)
Burada q
sat
maksimum oksijen iyonu ykdr ya da
maksimum memristr ykdr. q=0 ya da w=0 olduunda,
oksijen iyonlarnn yayld blge mevcut deildir;
0FF
R M(q) =
. (4)
381
Bundan dolay, Williamsn memristans memristr ykne
dorusal olarak baldr ve bu durum oksijen iyonlarnn
dorusal srklenme hzndan kaynaklanmaktadr [3].
Williamsn timinin verdii memristans forml;
2
M(q) 1 ( )
V ON
OFF
R
R q t
D
| |
=
|
\ .
.

(5)
Burada,
0FF
R
(Ohm) Oksijen iyonlarnn Titanya iinde hi
yaylmad durumdaki diren deeridir.
ON
R
(Ohm) Oksijen iyonlarnn Titanya iinde tmyle
yayld durumdaki diren deeridir.
D (m) memristrn uzunluudur.
V

(m^2.V/s) memristr iindeki Oksijen atomlarnn

mobilite deeridir.
Akm yn de dnlrse, Williams tarafndan modeli
verilen dorusal srklenme hzl TiO
2
memristr
memristans
0 sat
0
0 sat sat
M -Kq, , q<q
M(q) M , 0 & 0
M -Kq , q q & 0
q i
i

= =

(6)
olarak yazlabilir. Burada,
M(q) (Ohm) Memristr memristansdr.
OFF
R =
O
M
(Ohm) maksimum memristanstr ya da sfr yk
memristansdr. Oksijen iyonlarnn Titanya iinde hi
yaylmad durumdaki diren deeridir.
q
sat
(C) doyum (saturasyon) memristans ykdr.
q (C) memristans anlk ykdr.
K (Ohm/C) memristans fonksiyonunun yk katsaysdr.
3. Memristr Taklitisi Devre
Bir memristr taklitisi ayn zamanda bir memristif
sistemdir ve memristr benzeri zellikler tar. Chuann
[2]de verdii memristif sistem tanmlarna uyar. Chuann
1971de yapt takliti devresi ok sayda transistor, opamp
diren vs. elemanlardan olumakta ve uygulan zaman
alc gzkmektedir [1]. Dier taklitilerin para says daha
az ve yapm daha kolay gzkmektedir [7-13]. Bu almada
kullanlan takliti en pahal eleman olarak devre analog bir
arpc iermektedir. ekil 4te grlen devreyi Memristr
taklitisi iin kullandk. imdi ekil 4teki hangi elemann
hangi amala kullanldn aklayacaz.
ekil 4: Memristr Taklitisi emas.
Memristr elektrik ykne bal olduu iin
memristr elektrik yknn hesaplanmas gerekmektedir.
Memristans burada yke bal olan ve olmayan olarak iki
ksma ayrlmtr. Yke bal olmayan ksm ekildeki R
1
direncidir. Ularndaki gerilim Ohm kanunundan dolay
akmnn deeri ile orantldr. Eer i(t) Adan Bye akan
akm ise, R
1
in ularndaki gerilim
1 R1
i(t)R V = dir.
(7)
Bu gerilim devredeki bir opamp (U1) ve drt direnten
oluan (R
2
, R
3
, R
4
, R
5
) fark kuvvetlendiricisi tarafndan
okunabilir. Fark alcnn k gerilimi
i(t) / R V / V
2 1 3 IN 2 3 U1
R R R R = = dir. (8)
Akmn integralinin negatifi ile orantl bir gerilim U2
opamp ve R
6
direnci ve C
1
kapasitr ve U2 opampndan
oluan integral alc devre ile alnabilir. ntegral alcnn k
gerilimi takip eden ifadeye eittir;
)

=
t
-
1 6 U1 U2
/ V V dt C R
olur.
(9)
Integral alcnn k gerilimi doyuma girmedike, devreden
gemi olan yk ile, q(t), (Memristr taklitisinin yk
ile) orantldr. Bylece
)
=
=
t
t
C R R R i(t)dt ) /( R V
1 6 2 3 1 U2
.
(10)
U2 1 3 2 6 1
V R / ( ) ( ) R R R C q t =
(11)
Burada,
q(t) i(t)dt
t
t =
=
)
idir.
(12)
Memristr yknn negatife gitmemesi iin ekilde grlen
diyot kullanlmtr. Ti0
2
Memristr gerilimi srf akmla ve
akmla memristr yknn arpm ile orantl iki paradan
olumaktadr. Eer bir Ti0
2
memristr doyumda deilse;
( )
0
V(t) M ( ) ( ) Kq t i t =
. (13)
Bu formlde memristr yk ve akm birbiri ile
arplmaktadr. Gerilimin memristr yknn arpm ile
orantl olan ksm ucuz ve kolay bulunabilen bir analog
arpc olan AD633 entegre devresi kullanlarak yaplabilir.
AD633n k katalogda verilen bilgiye gre
V
U3
=V
U1
.V
U2
/10dur. ekil 4teki devreye uygulanrsa,
2
3 1
CARPICI U3
2 6 1
R 1
V V ( ) ( )
R
q t i t
R R C
| |
= =
|
\ .
.
(14)
olarak yazlabilir. Bu gerilim, (9), memristr yk arp
akm eklindeki terimden dolay nonlineerdir. Bu
denklemde gzkmeyen ama Memristr taklitisinin sahip
olduu dier bir nonlineerlik ise diyot gerilim dmnden
kaynaklanmaktadr. Diyot gerilim dm ve fark
kuvvetlendiricisinin akm ihmal edilirse, Memristr takipisi
akm-gerilim ilikisi takip eden denklemdir;
U3 R1 AB
V V V + = .
(15)
arpcnn k gerilimi negatif geri besleme olarak V
R1
gerilimine eklenmektedir. Bylece, memristr takipisi giri
gerilimi ya da AB ularndaki gerilim;
2
3 1
AB 1
2 6 1
R 1
V R ( ) ( )
R
q t i t
R R C
| |
| |
| =
|
|
\ .
\ .
.
(16)
olur. AB ularndan grlen Memristans deeri;
2
3 1
1
2 6 1
R 1
M( ) R ( )
( )
AB
R V
q q t
i t R R C
| |
| |
| = =
|
|
\ .
\ .
.
(17)
Bu ifadeyi (6) ile karlatrrsak, M
o
ve K sabitleri
devre elemanlar cinsinden yazlrsa
1 0
R = M
ve
382
( )
1 6
2
2 1 3
/ / R K C R R R =
olarak bulunur. Denklem (17)
Memristr taklitisinin memristansnn ykne ve akmna
bal olduunu gstermektedir. Bu devre integral alcnn
kapasitrnn ularna balanlan diyottan dolay negatif
yk deerine izin vermemektedir. Ters bal diyot memristr
ykn 0 ve q
sat
arasnda tutabilmek iin konulmutur ama
ideal bir diyot olmadndan ilave bir nonlineerlik meydana
karmaktadr. Devre akm deitike ve opamp
doymadka, integral alc k deimektedir. Devre
integral alc kuvvetlendirici doyuma ularsa q=qsat
durumunu da taklit edebilmektedir.
Memristr iki ulu bir devre eleman olmasna ramen
bu takliti devre opamp besleme geriliminden dolay 5
uludur. Elenik bir g kayna memristr takipisini
enerjilemek iin kullanld. ki tane pil ile de beslenebilen
tanabilir memristr takipileri de yaplabilir. Bu elenik
gerilimler opamplarn doyma gerilimlerinin belirlemekte ve
bylece dolayl olarak Memristr Taklitisi karakteristiini
de belirlemektedir.
4. Deney Sonular
nc blmde nasl alt anlatlan Memristr Taklitisi
ekil 10daki devreyi kullanarak protoboarda kuruldu.
Yaplan memristr iin; M
o
=33000 ohm ve K=5.10
10
Ohm/Kulondur. Memristr Taklitisinin emas ekil 5te
grlebilir.
ekil 5: Memristr Taklitisi emas.
Memristr emulatrn davran sinusoidal gerilim
kullanarak test edildi. A-B ularndan geen akm ve
uygulanan gerilim bir saysal osiloskop kullanarak lld.
Memristr taklitisinin Memristrm gibi davrandn
dorulamak iin deneyler yapld. Deneyde Memristr
taklitisi sinyal jeneratrnden elde edilen sinusoidal
gerilimle beslendi. Memristr benzeri davranta
bulunduu grld. 17 Hz Sinsoidal gerilimle beslenen
Memristr taklitisinin Lyscaous erisi ekil 7de
grlmektedir. Tpk lineer srklenme hzl bir Ti0
2
memristrn akm ve geriliminin ayn anda sfrdan
getii gibi, bu histeresis erisinde de akm ve gerilim ayn
anda sfrdan gemektedir. Sinsoidal gerilimle beslenen
Memristr taklitisinin akm ve gerilimi ekil 8de
grlmektedir.
Frekans arttka memristrler diren gibi davranmaya
balar. Memristr taklitisinin 100 Hzde bir diren gibi
davrand ekil 9daki histeresis erisinde grlebilir. 100
Hz sinsoidal gerilimle beslenen Memristr Taklitisinin
akm ve gerilimi ekil 10da verilmitir. Bu frekansta
Memristr Taklitisi diren gibi davrandndan memristr
akm da hemen hemen sinusoidal akm olarak
gzkmektedir.
ekil 11de kare dalga ile beslenen memristr
taklitisinin doyumu grlmektedir. Memristr taklitisinin
akmnn sabitlenmesi, sabit deerli direnmi gibi
davranmas, yani memristansnn sabitlenmesi (doyuma
girmesi) manasna gelmektedir. Yani Memristr taklitisi HP
memristrne benzer ekilde doyuma/saturasyona
girmektedir. Doyum olayn taklit edebilmektedir.
ekil 7: 17 Hz Frekansta Lyscaous Erisi.
ekil 8: 17 Hz Sinsoidal Gerilimle Beslenen Memristr
Taklitisinin Akm ve Gerilimi.
ekil 9: 100 Hz Frekansta Lyscaous Erisi.
Yksek Frekansta Memristr Taklitisi Diren Gibi
Davranmaktadr.
ekil 10: 100 Hz Sinsoidal Gerilimle Beslenen Memristr
Taklitisinin Akm ve Gerilimi. Bu frekansta Memristr
Taklitisi Diren Gibi Davranmaktadr.
383
ekil 11: Kare Dalga ile Beslenen Memristr Doyumu.
5. Sonu
Bu almada bir dorusal lineer srklenme hzl Ti0
2
memristr taklitisi analog arpc, opamp, az sayda aktif
ve pasif devre elemanlar kullanlarak ve elenik besleme
kayna kullanlarak yapld. Bu taklitinin nasl alt
akland. Ti0
2
memristr taklitisinin lineer srklenme
hzl Ti0
2
memristr gibi davrand doruland. Gerek bir
memristr olmasa da bu devre, memristif bir sistem
olduundan, yke bamllk, memristr doyumu ve
histerisis gibi Ti0
2
memristr davranlarn
mimikleyebildii doruland. Bu emlatrn verdii
histeresis erileri [3], [14], [16], [19], [20] ve [21]
referanslarndaki histeresis erilerine benzerdir. Analog
arpcl Ti0
2
memristrde ADCler ile yaplan emulatrlerde
olduu gibi testere dii eklinde ya da sivri dalgalanmalar
grlmemektedir [9,10, 21].
Bu Ti0
2
memristr taklitisi veya benzeri memristr
taklitisi devreler laboratuarlarnda memristr olmayan ve
memristrleri rencilerine retmek isteyen mhendislik
blmleri tarafndan kullanlabilir. Ayn zamanda kuramsal
memristrleri taklit etmek yerine, bu devre literatrde en ok
kullanlan memristr modelini yani lineer srkleme hzl
Ti0
2
memristr modelini taklit ettiinden, bu memristr
taklitisi Ti0
2
memristr ile ilgili yaplan deneysel
almalarda baz kavramlarn ispatlanmas iin
kullanlabilir.
Kaynaklar
[1] L. O. Chua, Memristor - The Missing Circuit Element,
IEEE Trans.Circuit Theory, vol. 18, pp. 507-519, 1971.
[2] L. O. Chua and S. M. Kang, Memrisive devices
and systems, Proc.IEEE, vol. 64, pp. 209-223, 1976.
[3] D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R.
S. Williams, The missing memristor found, Nature
(London), vol. 453, pp. 80-83, 2008.
[4] J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R.
Stewart, and R. S. Williams, Memristive switching
mechanism for metal/oxide/metal nanodevices, Nature
Nanotechnology, vol. 3, pp. 429-433, 2008.
[5] Yu. V. Pershin and M. Di Ventra, Spin memristive
systems: Spin memory effects in semiconductor spintronics,
Phys. Rev. B, Condens.Matter, vol. 78, p. 113309/1-4, 2008.
[6] T Driscoll, H.-T. Kim, B.-G. Chae, M. Di Ventra, and D.
N. Basov, Phase-transition driven memristive system,
arXiv:0901.0899, 2009.
[7] Yu. V. Pershin, S. La Fontaine and M. Di Ventra,
Memristive model of amoebas learning, arXiv:0810.4179,
2008.
[8] Corinto, F.; Ascoli, A.; Gilli, M. ,Memristor based
oscillatory associative and dynamic memories, 12th
International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and
Their Applications (CNNA) 2010, 2010 , Page(s): 1 6.
[9] Memristive circuits simulate memcapacitors and
meminductors, Pershin, Y.V.; Di Ventra, M.;
Electronics Letters, Volume: 46 , Issue: 7 , 2010 , Page(s):
517 518.
[10] Pershin, Y., Di Ventra M., Practical Approach to
Programmable Analog Circuits With Memristors, IEEE
Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers,
Volume: 57 , Issue: 8 , 2010 , Page(s): 1857 - 1864 .
[11] Reat MUTLU ve Erturul KARAKULAK,
Muhendislik Eitiminde Kullanlabilecek Bir Memristr
(Hafzal Direnc) Taklit Devresi, 13. Elektrik, Elektronik,
Bilgisayar ve Biyomedikal Mhendislii Ulusal Kongresi,
23-26 Aralk 2009, Odt, Ankara.
[12] Frank Zhigang Wang, Na Helian, Sining Wu, Mian-
Guan Lim, Yike Guo, and Michael Andrew Parker, Delayed
Switching in Memristors and Memristive Systems, Electron
Device Letters, Vol. 31, No. 7, July 2010, Page(s): 755 757.
[13]Muthuswamy B., Implementing Memristor Based
Chaotic Circuits, International Journal of Bifurcation and
Chaos, 2010, Vol. 20 (5), 1335-1350.
[14] Wey, T.A.; Benderli, S., Amplitude modulator circuit
featuring TiO
2
memristor with linear dopant drift,
Electronics Letters, Volume: 45 , Issue: 22, 2009, Page(s):
1103 1104.
[15] Dimin Niu; Yiran Chen; Cong Xu; Yuan Xie;, Impact
of process variations on emerging memristor,
47th ACM/IEEE Design Automation Conference (DAC),
2010, 2010 , Page(s): 877 882.
[16] Shin, S; Kim, K; Kang, S.-M.;
Memristor Applications For Programmable Analog ICs,
IEEE Transactions on Nanotechnology,
Volume: PP , Issue: 99, 2010, Page(s): 1 1.
[17] Jo, K.-H.; Jung, C.-M.; Min, K.-S.; Kang,S.-M., Self-
Adaptive Write Circuit for Low-Power and Variation-
Tolerant Memristors, Transactions on
Nanotechnology, IEEE Volume: PP , Issue: 99, 2010 ,
Page(s): 1 1.
[18] Biolek, D.; Biolek, Z.; Biolkova, V. , SPICE modeling
of memristive, memcapacitative and meminductive systems,
European Conference on Digital Circuit Theory and Design,
2009 (ECCTD 2009),
2009, Page(s): 249 252.
[19] The fourth element: characteristics, modeling and
electromagnetic theory of the memristor, O. Kavehei, A.
Iqbal, Y.S. Kim, K. Esraghian, S.F. AL-Sarawi and D.
Abbott, Proc. R. Soc. A, publishes online 17 March 2010,
doi: 10.1098/rspa.2009.0553.
[20] Y. V. Pershin, J. Martinez-Rincon, M. Di Ventra,
Memory circuit elements: from systems to applications,
Comments: to be published in the Journal of Computational
and Theoretical Nanoscience, arXiv:1006.3598
[21] Yuriy V. Pershin and Massimiliano Di Ventra,
Experimental demonstration of associative memory with
memristive neural networks, Neural Networks , volume 23,
page 881, 2010.
384