UNIVERZITET U ISTONOM SARAJEVU

ELEKTROTEHNIKI FAKULTET

SEMINARSKI RAD IZ PREDMETA

UVOD U NANONAUKE I NANOTEHNOLOGIJE

TEMA

ELEKTRONSKA LITOGRAFIJA

Nastavnik:

Student:

v. prof. eljko Prulj

Nikola Simani

Istono Sarajevo, septembar 2011.

Sadraj
1. Uvod .......................................................................................................................................................... 3
1.1. Nastanak i rana upotreba litografije elektronskim snopom .............................................................. 3
1.2. Upotreba i osnovne karakteristike..................................................................................................... 4
2. Koncept rada litografije elektronskim snopom ........................................................................................ 5
2.1. Sistemi elektronske litografije ........................................................................................................... 5
2.1.1. Rastersko i vektorsko skeniranje ................................................................................................ 5
2.2. Proces rada elektronske litografije .................................................................................................... 6
2.3. Vrijeme ispisivanja elektronskim snopom ......................................................................................... 7
2.4. Poremeaji do kojih dolazi tokom elektronske litografije ................................................................. 7
2.5. Deponovanje energije elektrona ....................................................................................................... 8
2.6. Mogunosti rezolucije ........................................................................................................................ 9
2.7. Rasijavanje elektrona ....................................................................................................................... 10
2.8. Blizinski efekat ................................................................................................................................. 10
3. Osnove skenirajueg elektonskog mikroskopa ....................................................................................... 11
3.1. Osnovne komponente elektronskih mikroskopa ............................................................................. 11
3.2. Struktura stuba elektronskog mikroskopa ....................................................................................... 12
3.3. Empirijska zavisnost emisije elektrona i temperature ..................................................................... 13
4. Izbor podloge .......................................................................................................................................... 14
5. Rezisti u elektronskoj litografiji ............................................................................................................... 14
5.1. Polimetilmetakrilat .......................................................................................................................... 14
5.2. Ostali materijali koje kao otporne trake koristi elektronska litografija ........................................... 16
6. Ispisivanje ................................................................................................................................................ 16
7. Uputstva .................................................................................................................................................. 17
8. Zakljuak.................................................................................................................................................. 20
Literatura .................................................................................................................................................... 21

1. Uvod

1.1. Nastanak i rana upotreba litografije elektronskim snopom

Sistemi integrisanih kola se tipino razvijaju na silicijumskim ploicama veliine do nekoliko

stotina milimetara, sa brojnim integrisanim komponentama po ploi. Litografija elektronskim
snopom je nagrizajua tehnika koja omoguava vrlo precizno postavljanje sadraja integralnih
kola veoma malih dimenzija na silicijumske ploice. Trenutno, upotrebom ove tehnike mogue
je proizvesti komponente integrisanog kola reda veliine do 3 nm, uz visok stepen preciznosti.
Svoje rane poetke ovaj metod pronalazi jo u ranim sedamdesetim prolog vijeka, pod
pokroviteljstvom tehnolokog giganta IBM-a. U ovom ranom periodu proizvodnje kompjuterskih
ipova, litografija elektronskim snopom bila je dovoljno efikasna za masovnu proizvodnju
ipova. Meutim, pojavom ipova izraenih u CMOS tehnologiji, dolazi do smanjenja veliine
komponenti za vie redova veliine. Sa napretkom ove tehnologije u izradi silicijumskih ploica,
te drastinog smanjenja veliine komponenti koje su postavljane vee podloge, pokazalo se da je
proces elektronske litografije suvie spor i da ne moe odgovoriti zahtjevima masovne
proizvodnje mikroelektronskih ipova. Iako je proizvodnja ipova tehnikom elektronske
litografije porasla skoro duplo, veliina komponenti je smanjena i do deset puta, a veliina
podloge se poveala skoro etiri puta. Mnogo vea produktivnost u to vrijeme, mogla se postii
litografskim tehnikama na bazi maske. Dalje, veliine podloga su nastavile rasti, a veliine
komponenti integrisanih kola opadati, u skladu sa Murovim zakonom. Ipak, elektronska
litografija ostala je vana za razvoj ablona koje dalje koriste razliite optike litografije, u
proizvodnji mikroipova. U posljednje vrijeme ova litografija postaje iznova primamljiva, kako
se trenutne tehnike proizvodnje ipova koje koriste maske, pribliavaju maksimumu svog
razvoja. Uoava se kako se maske ne mogu koristiti za kreiranje finijih struktura. Sadraji
integrisanih kola pribliavaju se veliini koje trenutni litografski sistemi bazirani na maskama
nee moi proizvesti.

Slika 1 Ureaji za elektronsku litografiju

1.2. Upotreba i osnovne karakteristike

Ova tehnika koristi elektrone, umjesto svjetlosnog snopa, za razvijanje rezista.

Korienjem elektrona mogue je proizvesti finije strukture. Mnoga nano-tehnoloka mjerenja
bazirana na svjetlosti kao i mjerni alati, su ogranieni talasnom duinom svjetlosti. Sa druge
strane, to je manja talasna duina svjetlosti, to je vea energija svjetlosti koja moe izazvati
neeljene propratne efekte. Upravo zbog toga, naunici se okupljaju oko ideje da je bolje koristiti
elektrone umjesto svjetlosti. Tehnika je izvedena iz ranijih skeniranja elektronskim
mikroskopima. Elektronski mikroskop moe biti modifikovan u ureaj za elektronsku litografiju
umetanjem jednostavnog dodatka koji dri podlogu (supstrat), kao i elektronskog upravljaa za
snop. Prednost korienja modifikovanog mikroskopa sastoji se u tome to je jeftinije rjeenje u
odnosu na ureaj konkretno namijenjen toj svrsi.
Ukratko, tehnika elektronske litografije, sastoji se od emitovanja snopa elektrona u maniru
odreenog obrasca, preko povrine pokrivene otpornom trakom osjetljivom na te elektrone, i
selektivnog uklanjanja bilo izloenih ili neizloenih regiona trake. Krajnji cilj je, kao i kod
fotolitografije, kreirati veoma male strukture i precizno ih postaviti. Takoe, elektroni su u stanju
nagristi masku iji obrazac kasnije moe biti preusmjeren na supstrat korienjem drugih
tehnika. Vano je napomenuti i to da su elektroni naelektrisane estice, pa je zbog toga
litografiju neophodno izvoditi u vakuumu, to dodatno uslonjava potrebnu opremu i proces.
U procesima optike litografije postoji ogranienje zbog difrakcionog limita, a kod metoda
sa rendgenskim zraenjem postoje problemi u vezi izvora zraenja i izrade dovoljno otpornih
maski. Sa ovih aspekata elektronska litografija ima prednost u odnosu na pomenute metode.
Kljuno ogranienje ove tehnike je to to zahtijeva mnogo vremena koje je potrebno da bi se
izloila cijela staklena podloga ili silicijumska ploica. Veliko vrijeme izloenosti ostavlja
mogunost neenjenih efekata kao to su proklizavanje ili nestabilnost elektronakog snopa
koja se moe javiti uslijed dugotrajne izloenosti.
Osnovne karakteristike ove tehnologije sastoje se u sledeem:
1)
2)
3)
4)

Obuhvata veoma visoke rezolucije;

Fleksibilna je tehnika koja moe da radi sa razliitim materijalima;
Spora je (sporija od optike litografije za jedan ili ak vie redova veliine);
Skupa je i komplikovana - ureaji za litografiju elektronskim snopom kotaju vie miliona
dolara i zahtijevaju esto servisiranje kako bi se odrali u ispravnom stanju;

2. Koncept rada litografije elektronskim snopom

2.1. Sistemi elektronske litografije

Sistemi elektronske litografije koji se koriste u komercijalne svrhe su specijalizovani

sistemi, pa su prema tome, vrlo skupi ($4M USD). Za istraivake svrhe, kao to je ve
pomenuto, esta je praksa modifikovanje elektronskih mikroskopa u ureaje za elektronsku
litografiju. Takvi sistemi u mogunosti su proizvesti strukture ~ 20 nm, dok specijalizovani
sistemi proizvode strukture od 10 nm i manje. Sistemi elektronske litografije mogu biti
klasifikovani prema obliku snopa, ili metodi obrade povrine ploice. Stariji sistemi koriste
Gausov oblik snopa i skeniraju povrinu ploice u rasterskom maniru. Noviji sistemi koriste
oblikovane snopove i vektorsko skeniranje.

2.1.1. Rastersko i vektorsko skeniranje

Kada je rije o rasterskom skeniranju, elektronski snop prelazi cijelu povrinu, pri emu se
isti iskljuuje i ukljuuje u zavisnosti od eljenog obrasca. Ovaj metod je jednostavan za
upravljanje i dizajn, ali zbog toga to snop skenira cijelu povrinu, podjednako vremena je
potrebno za ispisivanje i jednostavnih i sloenih obrazaca, pa u nekim sluajevima ovaj metod
nije efikasan.
Kod vektorskog skeniranja, elektronski snop skae sa jedne zone obrasca na drugu,
preskaui neeljene oblasti. Ovo, vektorsko skeniranje u odnosu na rastersko, ini mnogo brim
za ispisivanje zbijenih obrazaca. Upravljanje snopom moe se takoe izvesti relativno lako, ali sa
druge strane potrebno je vie vremena za stabilizovanje snopa elektrona.

Slika. 2 Rastersko skeniranje

Slika 3 Vektorsko skeniranje

2.2. Proces rada elektronske litografije

Osnovna ideja koja stoji iza litografije elektronskim snopom, identina je kao za optiku ili
bilo koju drugu litografiju. Podoga je obloena tankim slojem otporne trake eng. resist, koji se
hemijski mijenja usljed izlaganja snopu elektrona (Slika 4), tako da izloene - neizloene oblasti
mogu biti rastvorene u specifinim rastvaraima (pozitivna - negativna litografija). Ovaj proces
naziva se razvoj rezista (u analogiji sa razvijanjem fotografskih filmova) (Slika 5).

otporni sloj
supstrat

Slika 4 Presjek kroz otporni sloj: elektronski snop izaziva hemijske

promjene u izloenim oblastima

hemijski
promijenjen
otporni sloj

Nakon uklanjanja izloenog sloja rezista, tanki metalni sloj se odlae na podlogu
(naparavanje). Na povrine izloene elektronskom snopu odloeni metal prijanja za podlogu, dok
u neizloenim oblastima metal prijanja za povrinu otpornog sloja (Slika 6).
otporni sloj
supstrat

Slika 5 Presjek kroz otporni sloj: samo hemijski promijenjen otporni sloj
moe biti rastvoren u specifinom rastvarau (pozitivna litografija)

otporni sloj
supstrat- podloga
metal
Slika 6 Presjek kroz otporni sloj nakon taloenja metala

Nakon taloenja metala preostali (neizloeni) elektronski otporni sloj rastvara se u

agresivnom rastvarau. Metal zalijepljen za otporni sloj gubi podlogu, tako da ostaje samo
metal na supstratu (Slika 7).

supstrat- podloga
metal
Slika 7 Presjek kroz element: krajnji rezultat

2.3. Vrijeme ispisivanja elektronskim snopom

Minimalno vrijeme izlaganja odreene oblasti za odreenu dozu, dato je formulom:

D*A=T*I

(1)

gdje je T vremenski period izlaganja objekta, I struja elektrona, D predstavlja dozu (koliinu
elekticiteta po jedinici povrine), a A povrinu izloene oblasti.
Npr. pretpostavimo da je izloena povrina 1 cm2, doza 10-3 C/cm2 i trenutna struja 10-9
A. Prema tome, minimalno vrijeme ispisivanja bilo bi 106 sekundi (oko 12 dana). Ovo
minimalno vrijeme ispisivanja ne ukljuuje vrijeme koje se troi na pomjeranje podloge naprijed
- nazad, kao ni vrijeme kada je snop nevidljiv (blokiran tokom skretanja). Ne ukljuuje ni
vrijeme potrebno za eventualne korekcije i prilagoavanja snopa. Da bi se pokrilo 700 cm2
povrine silikonske ploice, minimalno vrijeme ispisivanja prekorailo bi 7*108 sekundi (preko
22 godine). Elektronska litografija je tako sporija od trenutnih optikih litografskih metoda oko
10 miliona puta. Ovo jasno ukazuje na ozbiljna ogranienja elektronske litografije, posebno kada
je rije o ispisivanju zgusnutih obrazaca preko velike povrine.

2.4. Poremeaji do kojih dolazi tokom elektronske litografije

Usljed visoke rezolucije korisnik nema uvid u poremeaje koji nastaju u procesu
elektronske litografije. Poremeaji se svrstavaju u dvije kategorije: poremeaji vezani za podatke

i fiziki poremeaji. Poremeaji vezani za podatke mogu se klasifikovati u dvije podkategorije:

greke tokom otklona, koje se deavaju kada elektronski snop nije otklonjen pravilno u
vremenskom trenutku kada je trebao biti, i greke u oblikovanju koje se deavaju u sistemima sa
promjenljivo oblikovanim snopom, kada se pogrena forma projektuje na povrinu koja se izlae.
Takve greke mogu nastati zbog hardvera, ili zbog ulaznih podataka koji se unose. Kao to se
moe oekivati, to se vie podataka unosi, vea je vjerovatnoa ovakvih greaka.
Fiziki poremeaji mogu se desiti usljed raznih faktora kao to su naelektrisanje uzorka
(pozitivno ili negativno), pojava sekundarnih elektrona (koji se javljaju kao posljedica interakcije
elektronskog snopa sa materijalom rezista), greke prilikom doziranja, zamagljivanje (zbog
velikog dometa sekundarnih elektrona), kontaminacija i proklizavanje snopa. Kako ispisivanje
elektronskom litografijom moe premaiti veoma lako jedan dan, vrlo vjerovatno e se deavati
sluajni (nasumini) defekti. Upravo zato, opet e vee strukture biti podlonije poremeajima.

2.5. Deponovanje energije elektrona

Na slici 8 prikazana je putanja elektrona u rezistu. Upadni elektron (svjetlija linija na slici)
generie sekundarne elektrone (tamnija linija na slici). Ponekad i upadni elektron moe sam
podlei rasijavanju, kao to je predstavljeno na slici, i napustiti povrinu otpornika.

Slika 8 Rasijavanje elektrona snopa

Primarni elektroni u snopu gube energiju prodirui u materijal, bilo zbog neelastinog
rasijavanja ili sudara sa drugim elektronima. Tokom sudara, transferni moment od upadnog do
atomskog elektrona moe se izraziti putem formule:
dp= 2e2/bv

(2)

gdje je b udaljenost najbliih taaka izmeu elektrona, a v brzina upadnog elektrona.

Energija razmjenjena sudarom data je:

T = (dp)2/2m = e4/Eb 2

(3)

Gdje je m masa elektrona, a E energija upadnog elektrona, data formulom:

E = (1/2) mv2

(4)

Integrisanjem nad svim vrijednostima T, izmeu najnie energije vezanja E0 i i energije

upadnog elektrona E, dobijamo rezultat da je presjek sudara obrnuto proporcionalan E i
proporcionalan veliini 1/E0 1/E. Generalno, E >>E0, tako da je rezultat obrnuto proporcionalan
energiji E0.
Korienjem istog principa integracije, nad opsegom od 2E0 do E, uporeivanjem presijeka
sudara dobija se da polovina neelastinih sudara prouzrokuje pojavu elektrona sa energijom
veom od E0. Ti sekundarni elektroni su sposobni razbijati veze (sa energijom vezanja E0), na
odreenoj udaljenosti od mjesta sudara. Dodatno, oni mogu generisati druge elektrone, nie
energije, rezultujui elektronskom kaskadom, o kojoj e vie rijei biti poslije. Dakle, vano je
prepoznati, znaajan doprinos sekundarnih elektrona u bilansu energije unutar rezista.

2.6. Mogunosti rezolucije

Sa dananjom elektronskom optikom, irina elektronskog snopa moe ii nisko i do

nekoliko nanometara. Ovo je ogranieno esto prostornim naelektrisanjem i devijacajom
elektronskog snopa. Ipak, granica rezolucije komponenti nije odreena veliinom snopa, ve
takozvanim rasijavanjem unaprijed (ili efektivnim proirivanjem snopa) u rezistu, dok je granica
rezolucije terena odreena putovanjem sekundarnih elektrona kroz rezist. Rasijavanje unaprijed
moe biti smanjeno ako se koriste elektroni vee energije ili tanji rezist, ali generacija
sekundarnih elektrona je neizbjena. Za izolacione materijale poput polimetilmetakrilata
(PMMA) ispostavlja se da elektroni nie energije mogu prei dosta velike udaljenosti (mogue i
do nekoliko nm). To je uzrokovano injenicom da ispod jonskog potencijala jedini gubitak
energije nastaje kroz fonone i polarone, odnosno javlja se efekat jonske reetke. Polaronsko
skakanje moe ii i do 20 nm. Sekundarni elektroni, energije ~ 50 eV, eksponiraju oblast rezista
na udaljenostima do 5 nm od granice ozraivanja primarnim elektronskim snopom, to
ograniava rezoluciju na >10 nm. U sutini, granica rezolucije ovde nije navedena kao fiksni
broj, kao to je to sluaj recimo kod optike litografije, gdje postoji ogranienje zbog
difrakcionog limita.

10

2.7. Rasijavanje elektrona

Osim to uzrokuju pojavu sekundarnih elektrona, primarni elektroni iz upadnog snopa sa

dovoljno energije da prodru kroz rezist, mogu biti viestuko rasijani na velike udaljenosti. Ovo
dovodi do izlaganja povrina na znaajnoj udaljenosti od eljene izloene lokacije. Kako se
primarni elektroni pomijeraju naprijed, za deblje elektrone se poveava mogunost rasijavanja
bono od snopom zadate lokacije. Ovakvo rasijavanje naziva se rasijavanjem unaprijed.
Ponekad, primarni elektroni se rasijavaju pod uglovima veim od 900, tj, ne kreu se vie prema
otpornoj traci. Ovo su onda reflektovani elektroni, i imaju isti efekat kao i trajni sjaj u optikim
projekcijskim sistemima. Dovoljno velika doza ovih elektrona moe dovesti do potpunog
izlaganja rezista, do oblasti mnogo udaljenijih od lokacije odreene elektronskim snopom.

2.8. Blizinski efekat

Najmanji sadraji proizvedeni elektronskom litografijom uglavnom su izolovani sadraji,

dok se kod ugnijeenih sadraja javlja nepoeljni blizinski efekat. Pri tome elektroni iz
susjednih regija utiu na trenutno izloenu oblast. Dakle, rezoluciju ugnijedenih sadraja tee je
kontrolisati. Za veinu rezista, suvie je teko ii ispod 25 nm linija i prostora i pronaen je limit
od 20 nm. U stvarnosti, meutim, domet rasijanih sekundarnih elektrona moe biti prilino
veliki, ponekad prelazi i 100 nm, ali postaje veoma znaajan ispod 30 nm.
Blizinski efekat se takoe manifestuje kada sekundarni elektroni naputaju gornju povrinu
rezista, a zatim se vraaju na udaljenosti od nekoliko desetina nanometara.
Blizinski efekat (uzrokovan rasijavanjem elektrona) moe se rijeiti odgovaranjem na
inverzni problem i raunanjem funkcije izloenosti E(x,y), koja omoguava pronalaenje doze
to je mogue blie eljenoj dozi D(x,y). Ipak, treba imati na umu da greka u primjenjenoj dozi
ima za rezultat neuspio pokuaj korekcije blizinskog efekta.

11

3. Osnove skenirajueg elektonskog mikroskopa (Scanning

Electron Microscopy SEM)

3.1. Osnovne komponente elektronskih mikroskopa

Slika se formira u SEM mikroskopu skeniranjem uzorka elektronskim snopom i

prikupljanjem signala iz interakcije uzorka i snopa. Ti signali se opet koriste za kontrolu
skeniranja prema prikazu na monitoru, koji je u sinhronizaciji sa snopom elektrona.
Tipini SEM mikroskop sastoji se iz sledeih komponenti (Slika 9):
1) Stub, koji je najvaniji dio mikroskopa. On sadri elektronski top, magnetna soiva (koja
fokusiraju i vode snop) i komoru za uzorak.
2) Vakuumski sistem, koji dri stub i komoru u stanju vakuuma (10-4Pa).
3) Operativni i displej sistem, koji analiziraju signale i zalihe elektronskih signala i
upravljaju elektronskom optikom i vakuumskim sistemom.

stub

Operativni i displej sistem

sistem vakuuma
Slika 9 Kompozicija SEM mikroskopa

12

3.2. Struktura stuba elektronskog mikroskopa

Detaljan prikaz stuba elektronskog mikroskopa dat je na slici 10. Izvor snopa je elektronski
top, koji je pozicioniran na vrhu stuba. Postoje dva osnovna tipa elektronskih topova: termiki i
izvori sa emisijom polja. Termiki izvor je u sutini zagrijana ica, iji elektroni odaju dovoljno
termalne energije da prevaziu radnu funkciju izvora, i u kombinaciji sa elektrinim
potencijalom novim slobodnim elektronima obezbjeuje pravac i brzinu. Elektronski top sa
emisijom polja sastoji se od usmjerene otrice od volframa koji se odrava na nekoliko kilovolti
negativnog potencijala u odnosu na oblinje elektrode. Na taj nain, na povrini otrice postoji
veoma visok gradijent potencijala. Rezultat toga je da elektroni mogu napustiti metal
tuneliranjem.

Elektronski top

Visokonaponski kabl

Anoda

Komora elektronskog topa

Namotaji za poravnanje
Kondenzatorska soiva

Selektor parametara objektiva

Namotaji za skeniranje

Izolatorski ventil stuba

Komora uzorka

Soiva objektiva

Komora za promjenu uzorka

Detektor sekundarnih
elektrona

Detektor reflektovanih elektrona

Dra uzorka

Podloga za uzorak

Slika 10 Presjek stuba

Elektronski snop se onda fokusira sa nekoliko magnetnih soiva pa napokon snop pogaa
uzorak. Interakcija uzorka i snopa moe prouzrokovati nekoliko fenomena:
1) Sekundarni elektroni: elektroni niske energije emitovani iz uzorka usljed prolaska snopa
elektrona. Ovi elektroni se detektuju Everhart-Tornlejevim scintilacionim detektorom

13

(scintilator u Faradejevom kavezu na pozitivnom potencijalu privlai elektrone; signal

scintilatora je pojaan fotomultiplikatorom).
2) Reflektovani elektroni: to su primarni elektroni snopa koji su proli jedan ili vie sudara
unutar uzorka i naposljetku se odbijali okolo dovoljno da se ponovo pojave na povrini
odakle su isprva stigli. Njihova energija je u opsegu izmeu 0 i energije snopa E 0 sa
maksimumom negdje izmeu 0.4E0 i 0.95E0. Ovi elektroni mogu biti otkriveni sa
detektorom slinim Everhart-Tornlejevom detektoru, bez rezultujueg pozitivnog
potencijala.
3) X- zraci
4) Katodoluminiscencija
Da bismo konvertovali standardan SEM mikroskop u osnovni zapisniar elektronske
litografije, samo je jedna modifikacija apsolutno neophodna - promjeniti napojnik signala u
skenirajue namotaje (koji vode snop preko povrine uzorka), tako da umjesto crtanja
kvadrata, namotaji e usmjeravati snop tako da ispisuje eljene obrasce.

3.3. Empirijska zavisnost emisije elektrona i temperature

Emisija elektrona je u skladu sa empirijskom vezom datom Riardsonovom jednainom:

Is= AT2e-(B/T)

(5)

gdje je Is trenutna struja elektrona po jedinici povrine, A i B su empirijske konstante proizale iz

eksperimenata, dok T predstavlja apsolutnu temperaturu.
Kvadrat i inverzni eksponent izmeu emisije i temperature, sugeriu da je potrebno
oprezno pratititi promjenu temperature. ak i najmanja promjena temperature e poveati
emisiju to moe nanijeti nepopravljivu tetu supstratu. Nakon emisije, elektroni se snanim
potencijalom ubrzavaju prema anodnoj ploi. Razlika potencijala izmeu anode i katode
determinie brzinu pri kojoj e elektroni napustiti anodu. Anoda sadri mali procjep kroz koji
moe proi predodreen broj ubrzanih elektrona.
Kao to je ve bilo rijei, snop se nakon toga fokusira koristei magnetna soiva i
naelektrisane ploe. Magnetna polja djeluju na elektrone snopa Lorencovom silom, ubrzavajui
ih, u pravcu normalnom na njihov pravac kretanja. Naelektrisane ploe djeluju na elektrone
Kulonovom silom u pravcu njihovog kretanja.
Magnetna soiva su prihvatljivija u odnosu na elektrina, jer uzrokuju manje poremeaje.

14

Nakon to elektronski snop proe kroz sva soiva, zadrava se samo uski dio snopa. Onda
ovaj snop ispisuje integralna kola po supstratu. Snop se moe pomjerati po supstratu koristei
druga magnetna soiva ija polja kontrolie kompjuter.

4. Izbor podloge

Podloga za elektronsku litografiju mora zadovoljiti razliite (kontradiktorne) uslove:

trebala bi da bude relativno provodljiva (u suprotnom, poveava se naelektrisanje ploice, to
dovodi do skrenutanja elektronskog snopa i na taj nain remeti ispisivani obrazac). Sa druge
strane baza za elektrina kola trebala bi da pokazuje karakteristike izolacionog materijala (u
suprotnom, doi e do kratkog spoja). Oigledno mora doi do kompromisa prilikom izbora
supstrata: podloga mora da bude to blie izolacionom materijalu, ali bez mogunosti
deformisanja ispisivanih obrazaca.
Najrasprostranjeniji supstrat (poluprovodniki) je silicijum, sa tankim izolacionim slojem
silicijum-dioksida na vrhu. Druga podloga koja moe da se koristi je staklena ploa obloena
metalom (hrom na staklu- iroko rasprostranjen u proizvodnji maski), gdje metalni sloj treba da
bude uzemljen prije ispisivanja.

5. Rezisti u elektronskoj litografiji

5.1. Polimetilmetakrilat

Da bismo izveli litografiju elektronskim snopom, potreban nam je rezist (otpornik), koji
moe biti hemijski promjenjen pod dejstvom elektronskog snopa. Postoji veliki broj razliitih
rezista, sa razliitim karakteristikama, to zahtjeva razliite hemikalije za razvijanje rezista.
Uglavnom se koriste polimeri koji se rastvaraju u tenom rastvoru. Jedan od prvih materijala
razvijenih za elektronsku litografiju je polimetilmetakrilat (PMMA). To je standardni pozitivni
rezist koji omoguava najveu rezoluciju. Najee se rastvara u hlorobenzenu.
PMMA se razliva na podlogu i pee na temperaturi od 1700 do 2000 C. Elektronski snop
razdvaja polimer na fragmente koji mogu biti dalje rastvoreni u metil-izobutil-ketonu, dok se
oba, i izloeni i neizloeni PMMA, rastvaraju u pirolidonu ili acetonu. Sam metil-izobutil-keton
je izuzetno snaan rastvara i uklanja neto od neizloenog otpornika, to je razlog zato se

15

koristi mjeavina metil-izobutil-ketona i izopropanola u odnosu 1:3. Kada je izloen na dozu

deset puta veu u odnosu na optimalnu pozitivnu, PMMA e se unakrsno vezati, formirajui
negativan rezist. PMMA posjeduje lou otpornost na nagrizanje, ali je vrlo uinkovit u vidu
maske kao pomo nagrizanju jonskim snopom.

Metil metakrilat

Slika 11 Hemijska struktura metil akrilta (monomera polimetilmetakrilata)

Mogue je formirati dvoslojni sistem, gdje molekule PMMA velike molekurane teine
stoje na vrhu sloja molekula PMMA manje teine. Molekuli manje teine su osjetljiviji u odnosu
na gornji sloj, tako da se rezist razvija sa poboljanim podrivanjem (Slika 12), to omoguava
lake uklanjanje rezista skidanjem.
Vee podrivanje profila rezista je obino potrebno za podizanje debljih metalnih slojeva.
Ovo se moe postii okretanjem PMMA na vrh P(MMA MAA) kopolimera.

Slika 12 Podrivanje omoguava lake uklanjanje rezista

16

5.2. Ostali materijali koje kao otporne trake koristi elektronska litografija

Postoji jo nekoliko popularnih pozitivnih rezista koji se koriste u elektronskoj litografiji:

EBR 9 - rezist na bazi akrilata, poli (2,2,2-trifluorentil-hlorokrilat). Ova supstanca

ubrzava proces razvoja do 10 puta u odnosu na polimetilmetakrilat kada je izloena
snopu istog intenziteta, ali se dobijaju loije rezolucije.
PBS poli (buten-1-sulfon) je veoma brzi pozitivni rezist koji se rasprostranjeno koristi
za obrasce maski. Ipak, korienje ovog materijala je relativno teko i njegova jedina
prednost sastoji se u velikoj brzini izlaganja.
ZEP - sastoji se od kopolimera hlorometakrilata i metilstirena. Njegova rezolucija je
veoma visoka, priblina rezolucijama koje se ostvaruju sa PMMA. Jedina njegova mana
sastoji se u njegovoj osjetljivosti na elektrone to ga ini tekim za praenje putem SEMa.

Neki od popularnih, negativnih rezista koje koristi elektronska litografija:

COP COP je epoksi kopolimer glicidil metakrilata i etil akrilata, koji se obino koristi
za negativno izlaganje maski. Odlikuje ga velika brzina, ali loa rezolucija.
ipli SAL: Kompanija ipli proizvodi popularni SAL rezist. SAL sadri bazni polimer,
generator kiseline i agenta za unakrsne veze.
P(SI - CMS) i EPTR mogu takoe biti korieni kao negativni rezisti, iako jo nisu preli
u komercijalnu upotrebu. P(SI- CMS) kombinuje veliku brzinu hlorometilstirena(CMS) i
otpornost prema nagrizanju trimetilsilimetil metakrilata (SI). Predstavlja dobar izbor kada
je otpornost prema nagrizanju vanija od rezolucije.

6. Ispisivanje

Iako su alati za elektronsku litografiju u stanju da formiraju veoma fine sonde, situacija
nije jednostavna kada elektroni pogode predmet obrade. Kako elektroni prodiru kroz rezist, oni
doivljavaju mala ugaona rasijanja (rasijavanje unaprijed), zbog ega se iri poetni prenik
snopa. Kako elektroni prodiru kroz rezist do supstrata, dolazi do veih ugaonih rasijanja
(refleksije elektrona). Javlja se ve pomenuti blizinski efekat, gdje je doza koju dobija kalup
zavisna od rasijavanja elektrona u okolini. Tokom ovog procesa elektroni kontinualno
usporavaju, stvarajui kaskadu niskoenergetskih elektrona, tzv. sekundarnih elektrona, sa
energijama od 2 do 50 eV. Oni su odgovorni za najvei dio stvarnog otpora procesu izlaganja.

17

Kako je nijhov domet u rezistu tek nekoliko nanometara, oni sasvim malo uestvuju u
blizinskom efektu. Umjesto toga, u obzir se uzima efektivno irenje prenika snopa za oko 10
nm. Ovo u velikoj mjeri rauna minimalnu praktinu rezoluciju od 20 nm, posmatrano u najveoj
rezoluciji elektronskog mlaznog sistema. U osnovnom SEM sistemu konverzije, blizinski efekat
uzokovan rasijavanjem elektrona ograniava rezoluciju, na oko 100 nm. Ovaj nivo rezolucije
moe biti povean korienjem nekih metoda korekcije doze.
Najednostavniji metod korekcije doze sastoji se u upotrebi dvostrukog sloja elektronskog
rezista, ali ovo funkcionie samo za vee strukture ~1 m. Drugi metod obino obuhvata
raunanje kumulativne doze izlaganja, koju struktura dobija direktno od snopa kao i od drugih
karakteristika. Zatim se viak doze nadoknauje prilagoavanjem trenutnog snopa (od
karakteristike do karakteristike), brzine kojom snop prelazi preko uzorka, ili oblika nacrtanih
karakteristika.

Slika 13 Simulacija blizinskog efekta. Lijeva slika predstavlja eljeni obrazac,

dok desna oznaava 40x40 isjeak iz centralnog dijela.

7. Uputstva

Sljedea uputstva opisuju postupak izrade uskih kanala putem elektronske litografije. Ova
uputstva su testirana na test ablonima (Slike 14-16). Stopa izloenosti za male strukture zavisi
od geometrije modela i veliine (ovo bi se moglo prevazii ukoliko bi se koristio neki metod
korekcije doze ili dvoslojni otpornik (to se pokazuje adekvatnim samo za vee
karakteristike(~1m)). Uputstvo za postizanje visoke rezolucije:

18

Sastaviti 4% mjeavinu PMMA molekularne teine 50K i etilacetata na

silicijumskoj ploici. Postaviti na 4000 obrtaja po minuti, pa nakon minut
postaviti ploicu na platu i drati na temperaturi izmeu 160-180oC deset minuta,
za debljinu od 50 nm.
Sastaviti 2% mjeavinu PMMA molekularne teine 950K i hlorobenzena na
silikonskoj ploici. Postaviti na 4000 obrtaja po minuti, pa nakon minut postaviti
ploicu na platu i drati na temperaturi izmeu 160-180oC deset minuta, za
debljinu od 50 nm.
Izlagati eljene oblasti elektronskom snopu od 40 kV sa 500 C/cm2 (izlaganje
zavisi od geometrije i veliine uzorka).
Razvijati obrazac jedan minut u mjeavini sa omjerom 1:3, metil-izobutil-ketona
i izopropanola.
Nanoenje eljene debljine (10 40) nm metala na ploicu (neki metali, poput
zlata, ne prijanjaju za sloj silicijum dioksida dobro, zbog ega se postavlja dodatni
sloj titana ili nikla).
Potopiti ploicu u pirolidon ili aceton na nekoliko asova kako bi se rastvorili
ostaci rezista. Blago ultrazvuno pobuivanje se savjetuje radi uklanjanja metala
oko sitnijih struktura. Isprati izopropanolom.

Slika 14 Pretjerano izloen obrazac

Slika 15 Idealno izloen obrazac

Slika 16 Nedovoljno izloen obrazac

19

Uputstvo za visoke rezolucije i poboljano skidanje fotorezista:

Sastaviti 3% mjeavinu 33% PMMS i MMA na silikonskoj ploici. Zavrtjeti na 2000

obrtaja po minuti, pa nakon minut postaviti ploicu na platu temperature 2000 C i drati
10 minuta za debljinu od 130 nm.
Sastaviti 2% mjeavinu PMMA molekularne teine od 950 K i hlorobenzena na
silikonskoj ploici. Zavrtjeti na 6000 obrtaja po minuti, pa nakon minut postaviti ploicu
na platu temperature 1600 C i drati 10 minuta za debljinu od 90 nm.
Izlagati eljene oblasti elektonskom snopu od 20 kV sa 170 C/cm2 (izlaganje zavisi od
geometrije i veliine modela).
Nanoenje eljene debljine metala na ploicu (neki metali, poput zlata, ne prijanjaju za
sloj silicijum dioksida dobro, zbog ega se postavlja dodatni sloj titana ili nikla).
Potopiti ploicu u pirolidon ili aceton na nekoliko asova kako bi se rastvorili ostaci
rezista. Blago ultrazvuno pobuivanje se savjetuje radi uklanjanja metala oko sitnijih
struktura. Isprati izopropanolom.
Uputstvo sa poboljanim uklanjanjem rezista, sa malim smanjenjem u rezoluciji:

Sastaviti 6% mjeavinu 33% PMMA i MMA na silikonskoj ploici. Zavrtjeti na 4000

obrtaja po minuti, pa nakon minut postaviti ploicu na platu temperature 2000 C i drati
10 minuta za debljinu od 290 nm.
Sastaviti 2% mjeavinu PMMA molekularne teine od 950 K i hlorobenzena na
silikonskoj ploici. Zavrtjeti na 6000 obrtaja po minuti, pa nakon minut postaviti ploicu
na platu temperature 1600 C i drati 10 minuta za debljinu od 90 nm.
Izlagati eljene oblasti elektonskom snopu od 20 kV sa 125 C/cm2 (izlaganje zavisi od
geometrije i veliine modela).
Nanoenje eljene debljine (10-70) nm metala na ploicu (neki metali, poput zlata, ne
prijanjaju za sloj silicijum dioksida dobro, zbog ega se postavlja dodatni sloj titana ili
nikla).
Potopiti ploicu u pirolidon ili aceton na nekoliko asova kako bi se rastvorili ostaci
rezista. Blago ultrazvuno pobuivanje se savjetuje radi uklanjanja metala oko sitnijih
struktura. Isprati izopropanolom.

Slika 17 Poboljano podrivanje

20

8. Zakljuak

Litografija elektronskim snopom pretenduje da zamijeni trenutne litografije bazirane na

maskama, u prizvodnji poluprovodnika. U stanju je proizvesti veoma male karakteristike, to e
produiti trajnost Murovog zakona i u narednim dekadama. Ovoj tehnici potrebno je dalje
unaprijeenje, u pogledu brzine i smanjenja proklizavanja snopa elektrona. Trenutno, postoji jo
uvijek neto prostora za razvoj optikih litografija, to takoe ostavlja mjesta razvoju elektronske
litografije, odnosno poboljanju njenog djelovanja.
Blizinski efekat i refleksija elektrona najei su nedostatak ove tehnike. U sluaju
refleksije, elektroni koji su usmjereni direktno ka povrini tee rasijavanju, to uzrokuje
defektima u uzorku mimo povrine izloene dejstvu snopa. Kao rezultat toga, rezolucija nije
ograniena samo veliinom fokusiranog snopa elektrona. U vezi sa ovim, fokusirani elektronski
snop, pogaajui povrinu uzorka, rezultuje stvaranjem sekundarnih elektrona, to doprinosi
znatno veem izlaganju rezista. Ovakav blizinski efekat nije poeljan posebno kada je rije o
veoma malim karakteristikama.
Prednost litografije elektronskim snopom nad optikim litografijama, sastoji se u visokom
stepenu preciznosti i irokom prostoru za mogui razvoj. Ipak, oprema koju koristi ova tehnika
veoma je skupa, to ograniava mogunost njene iroke upotrebe. Zbog velikog vremena
izlaganja, nepraktina je metoda za proizvodnju mikro karakteristika za masovnu proizvodnju.
Takoe, zbog toga to su elektroni naelektrisane estice, cjelokupan proces neophodno je izvoditi
u vakuumu.
Pojedini problemi, kao npr. visoka cijena opreme, prevazilaze se korienjem adaptiranih
ureaja (elektronski mikroskopi za skeniranje), dok mnogi problemi jo uvijek ostaju nerijeeni.
Ipak, uz sve navedene nedostatke, jasno je uoljivo da ovaj sistem pronalazi pravce razvoja i
savladavanja potekoa, kao i da posjeduje potencijal da postane nezamjenjiv alat u proizvodnji
elektronskih komponenti veoma malih dimenzija.

21

Literatura

[1] Coane, Philip, Introduction to Electron Beam Lithography, Louisiana Tech University,
Institute for Micromanufacturing
[2] Rai-Choudhury P., Handbook of Microlithography, and Microfabrication, Spie Optical
Engineering Press, 1994.
[3] Thompson, Larry; Wilson, Grant; Bowden, Murrae; Introduction to Microlithography,
Second Edition, 1994.