STANBUL TEKNK NVERSTES

ELEKTRK ELEKTRONK FAKLTES

MKRODALGA ARETLERN ENERJ HASADI

BTRME DEV
Emre AYDIN
040090296

Blm: Elektronik ve Haberleme Mhendislii Blm

Program: Telekomnikasyon Mhendislii

Danman: retim Grevlisi Dr. Hasan Blent Yac

MAYIS 2014

NSZ
ncelikle, eitim retim hayatm boyunca maddi ve manevi olarak bana desteini hi
esirgemeyen ve her zaman, sorunlarmda yanmda olan aileme sonsuz bir teekkr
bor bilirim.
Bitirme almamn balangcnda, ilerlemesinde ve sonlandrlmasnda destek olan,
her trl teknik, idari ve maddi yardm salayan yol gsterici RF Elektronik
Laboratuvarnn deerli retim yeleri, retim Grevlisi Dr. Hasan Blent
Yacya, Prof. Dr. Seluk Pakere ve Yksek Mhendis Osman Ceylana
teekkrlerimi sunarm. Ayrca renim hayatm boyunca eitimime katks olan tm
retmenlerime de teekkr ederim.
Ayrca bu almada bana yardmc olan arkadam Bekir elike ve niversite
renim hayatm boyunca bana destek olan bata Halil zdemir olmak zere tm
arkadalarma teekkr ederim.
Emre Aydn

MAYIS 2014

NDEKLER

ZET
SUMMARY

iii
iv

GR ................................................................................................................... 1
1.1
almann nemi ve amac .......................................................................... 1
1.2
Tasarm Kstaslar ve Temel Kavramlar ....................................................... 2

DORULTUCU ANTEN SSTEM ................................................................. 3

ANTEN TASARIMI ........................................................................................... 4

3.1
Anten Tasarm Amalar ............................................................................... 4
3.2
Tasarlanan Anten Yaps ve Tasarm Aamalar ........................................... 6
3.3
Anten retimi ve lm Sonular ............................................................. 14

DORULTUCU DEVRE TASARIMI ........................................................... 16

4.1
Dorultucu devre tasarm amalar ve admlar .......................................... 16
4.2
Dorultucu Yaps ....................................................................................... 16
4.2.1
Diyot Seimi ........................................................................................ 16
4.2.2
Devre Yaps......................................................................................... 18
4.3
Empedans uydurucu tasarm ...................................................................... 22

TM SSTEMN BRLETRLMES VE SONULAR ........................... 26

EK-A.............30
KAYNAKLAR....32
ZGEM.....................................................................................................................33

ii

ZET
Gnmzde kablosuz haberleme cihazlarnn sk kullanlmaya balamasyla birlikte
yaam alanlarmzda bulunan elektromanyetik enerji younluu da artmtr. Ayrca
yeni retim teknolojilerinin gelimesiyle birlikte ok dk g deerlerinde
alabilen diyot yongalar da ortaya kmtr. Bu sayede ortamdaki elektromanyetik
enerji kullanlabilecek enerjiye dntrlebilmektedir.
Bu almada byle bir sistemin nasl gerekletirilebilecei ve byle bir sistemin
gereklilikleri anlatlacaktr. Ayrca sistemin tasarm srasnda izlenen yntemler ve
yaplan deneylerden bahsedilecektir. Byle bir sistem anten, dorultucu ve empedans
uydurucu olarak 3 ana paradan meydana gelir.
Bu yazda ilk olarak sistem gereklilikleri ve kstaslar verilmi, ikinci ksmda tm
sistem yapsndan bahsedilmi, daha sonra anten tasarm ve dorultucu devre tasarm
almalar anlatlmtr. Son blmde de gereklenen sistem ile yaplan lmler ve
sonular belirtilmitir. Sonu olarak 10 dB kazanl bir anten ve %35 verimli bir
dorultucu retilmitir. Bu durumda sistem verimi hesaplanarak 8.24 dB sistem verimi
elde edilmitir.

iii

SUMMARY
Nowadays, the electromagnetic energy density at our living places has raised thanks
to increasing at number of wireless communication devices used. Separately, new
manufacturing technologies are developed and that provided to exist diode chips that
can work at very low power values. So, electromagnetic energy at environment can be
converted to usable energy.
At this work, it will be told how that kind of system can be realized and what that kind
of system requires. Also, it will be mentioned that techniques tracked while project is
made and experiments about system. This system occurs by three main parts as
antenna, rectifier and matching network.
In this thesis, first of all it is given that system requirements and critics, secondly whole
system structure is told and after that, it is told that works done about antenna design
and rectifier design. At last part, measurements made with realized rectenna system
and its results are reported. As a conclusion, the antenna with 10 dB and the rectifier
with efficiency of 35%are manufactured. Using this results the system efficiency is
calculated as 8.24 dB.

iv

1
1.1

GR
almann nemi ve amac

Gnmzde kablosuz iletiim ihtiyacnn artt ve bu ihtiyaca cevap vermek zere

kablosuz internet eriim noktalarnn, GSM, 3G, 4G baz istasyonlarnn ve hatta
kablosuz yayn yapan akll telefonlarn giderek oald grlmektedir. Kablosuz
yayn yapan cihazlarn art ile birlikte gndelik yaam alanlarmzdaki
elektromanyetik enerji miktar ve elektromanyetik enerji barndran ortam alan da bu
arta paralel olarak ykselmektedir. Bu artan enerji, gelien hassas teknolojik
bileenler ile birlikte verimli olarak kullanlabilen enerji kaynaklarna dntrlebilir.
Bu amala, mikrodalga teknolojileri konusundaki en byk organizasyonlardan olan
Uluslararas Mikrodalga Konferans (International Microwave Symposium IMS)
kapsamnda Kablosuz Enerji Hasats (Wireless Energy Harvesting) tasarm iin
lisans dzeyinde bir yarma 3 yldr dzenlenmektedir.
Gnmzdeki almalar sonucu, zellikle alglayclar gibi dk g elektronik
uygulamalar iin enerji kayna olarak mikrodalga enerjisi kullanlabilmektedir.
almalar, bataryalarn kablosuz doldurulmas, uzak mesafe kablosuz enerji iletimi
ve ehir elektrik datmnn kablosuz olarak uygulanmas ynndedir. Japonyada
JAXA (Japonya Uzay Kif Ajans) tarafndan, uzaya kurulacak bir gne tarlasndan
yeryzne mikrodalga enerjisi ile iletim yapacak sistem projesi balatlmtr ve 2025
ylnda bitirilmesi planlanmaktadr. Bu sistemin bir nkleer santral ile ayn oranda g
salayaca belirtilmitir. Bu proje mikrodalga ile enerji iletiminin geleceini
vurgulamaktadr [1].
Bu tez almasnda amalanan ise IMS 2014 kapsamndaki yarma artlarnda,
deerlendirme kstaslarna gre en verimli sistemi tasarlamaktr. Olabilecek en kk
boyutta, en byk k gc verecek bir sistem tasarm hedeflenmektedir. Bylelikle
elektronik cihazlara uygulanabilir bir ek enerji kayna gelitirilmesi konusunda bir
adm atlm olacaktr.

1.2

Tasarm Kstaslar ve Temel Kavramlar

Hasat sistemi, IMS 2014 kapsamnda belirlenen koullar altnda, en iyi verimi
salayacak biimde almak zere tasarlanacaktr. Hasat sistemi, 2.45 GHz
frekansnda dorusal dikey kutuplamal, 1 W / cm2 elektromanyetik g younluklu
iaret barndran noktada konumlandrlacaktr. Bu noktada toplanan 2.45 GHz iaret,
tarafmzdan belirlenecek bir yk direnci zerinde DC iarete evrilecektir.
Sistem verimi hesaplanrken yk direnci zerindeki g ve sistemin sahip olduu en
byk fiziksel boyut gz nne alnr. Bu verim EFoM olarak adlandrlr ve denklem
1.1 ile hesaplanr.

= 10 log10 (

10 )
2 2
25 2

(1.1)

Denklemde D parametresi, sistemin en byk boyutunun uzunluunu temsil

etmektedir. Bu boyut ekil 1.1deki geometri zerinde denklem-1.2 ile hesaplanr.

ekil 1.1: Dorultucu anten boyutlandrmas

2 + 2 + 2 = 2

(1.2)

DORULTUCU ANTEN SSTEM

Hasat sistemi, anten, dorultucu devre ve empedans uydurucu devre olmak zere
toplam temel paradan oluur.
Anten, konumlanan noktada elektromanyetik enerjiyi toplayarak dorultucuya
elektriksel iaret olarak aktaran elemandr. Dorultucu ise alnan elektriksel sinzoidal
iareti diyot yardmyla dorultarak DC g elde edilmesini salar. Empedans
uydurucu devre, antenden alnan gc, en az geri yansma ile dorultucu zerine
iletmek zere tasarlanr. EFoM denklemi incelendiinde bu sistemin mmkn
olduunca kk alanda yaplmas gerektii anlalr. Tm sistemin emas ekil
2.1de grlebilir.

ekil 2.1: Sistem emas

3
3.1

ANTEN TASARIMI
Anten Tasarm Amalar

Tasarm amac olarak en nemli anten zellikleri srasyla kutuplama tipi, kazan ve
giri empedansdr.
Antene gelecek iaret dorusal dikey kutuplamal olduundan, g kayb olmamas
iin tasarlanacak anten de ayn kutuplamal olmaldr. Kutuplama tipi, anten
benzetim ortamnda* eksenel orana baklarak belirlenebilir. Eksenel oran ekil 3.1de
grld gibi x ve y eksenlerindeki elektrik alan vektrlerinin byk genlikli
vektrn ke orandr. Eksenel oran 1e eit iken dairesel kutuplamay, sonsuza
doru gittike dorusal kutuplamay, aradaki deerlerde eliptik kutuplamay belirtir.

ekil 3.1: Eksenel oran tanm [2]

Kutuplama koulu salandktan sonra sistem asndan en nemli unsur 2.45
GHzteki kazan (G) deeridir. Kazan deeri antenin toplayaca g miktarn (PR)
belirler. Hesaplama kolayl asndan anten verimi 1 kabul edilerek ynelticilik (D0)
ve kazan deerleri eit olarak kabul edilecektir. Anten sabit g younluklu ()
noktada duracaktr ve iaret kayna da karsnda konumlandrlacaktr.
____________________________________________________________________
* alma boyunca, anten tasarmnda Ansoft irketinin HFSS (Yksek Frekansl Yap Benzetimi)
yazlm kullanlmtr.

Bu koullarda antenden elde edilebilecek g deeri denklem 3.1 ile hesaplanr. PR

deerinin hesaplanabilmesi iin anten efektif aklnn bilinmesi de gerekir. Efektif
aklk Aeff ile belirtilir ve denklem-3.1 ile hesaplanr.
Pr =

(3.1)

Bu denklemlere gre anten kazancna karlk, 1 W/cm2 g younluu altnda

alnacak g deeri, MatLab yazlm yardmyla hesaplanarak ekil 3.2de
gsterilmitir.
2

= 4

(3.2)

ekil 3.2: Anten kazancna gre alnacak g grafii

ekil-3.2den de grld gibi yksek g elde etmek iin anten kazancnn yksek
tutulmas gerekmektedir. Bununla beraber anten kazanc ile boyut doru orantldr.
Kazan deeri ok ykseltilse bile EFoM deerine etkisi olumsuz olabilir. Bu yzden
kazan yerine, kazan-boyut verimi (Gv) ifadesi kullanlmaldr [3]. Bu ifade denklem
3.3 te verilmitir. Bu ifadeye baklrken de kazan deerinin bir alt snr
belirlenmelidir. nk dorultucu devre verimi dk gler altnda ok dk
deerlere gelmektedir ve ayn ekilde giri gc ykseldike dorultucu verimi de
artmaktadr.
(1 ) = ()/()

(3.3)

Son zellik ise antenin giri empedansdr. Normalde anten tasarmnda ilk baklmas
gereken nokta olan giri geri yansma katsaysdr (S11) ve 50 deerine normalize
edilerek baklr. Bu uygulama iin ise aslnda en son baklacak anten zelliidir. nk
elde edilen anten empedans, smith abanda ok u noktalarda olmad srece
dorultucu empedansna uydurularak geri yansma en dk dzeye indirilebilir. Buna
ramen, almann ilerleyen ksmlarnda anlatlaca zere anten yapsndan ve
iletim hatt sorunundan dolay, antenin 2.45 GHzte empedansnn 50 olmas
amalanmtr.
Tasarlanan Anten Yaps ve Tasarm Aamalar

3.2

Anten tasarmnda, yksek kazan salamak en nemli unsurdur. Bu yzden yksek

kazanl anten tasarm yntemleri ile tasarmlar denenmitir. Bu yntemler yle
sralanabilir:

Meta materyal kullanarak iki katl mikro erit anten yaps

Geni yan dizi anten yaps

Sonuna yaylml dizi anten yaps

Yagi-Uda dizi anten yaps

Bu yntemlerden geni yan ve sonuna yaylml dizi antenler, anten elemanlar aras
mesafelerin /2 olmas gerekmesi sebebiyle uygulanmamtr. Mikro erit antenler ise
meta materyallerin zelliklerinin bilinmemesinden kaynakl olarak yararlanlan
makalelerde belirtilen dzeyde kazan salayamamtr. Ayrca mikro erit yaplarda
kullanlan dielektrik malzemeler enerji hapsederek may azaltp yksek kayplara
sebep olmaktadr ve anten verimini olduka drebilmektedir. Son olarak ise bir
katlanm dipol anten yaps, bir arka yanstc kullanlarak denenmitir[3]. Katlanm
yap normal dipol yapsna oranla daha fazla yzey alan oluturmaktadr ve daha
yksek kazan salamaktadr. Buna ek olarak katlanm dipolde port nne belirli
mesafede ynlendirici bir tel konularak kazancnn daha da artmas salanabilmitir.
Bu antenlerin kazan boyut oranlar tablo 3.1de belirtilmitir. Tablo 3.1e baklrsa
tasarm 3 yapsndaki anten 0.9 deeri ile en iyi kazan-boyut oranna sahiptir. Ayn
zamanda herhangi bir dielektrik malzeme iermediinden anten verimi 1e yakndr ve
anten ynelticilii ile kazanc nerdeyse eittir.

Tablo 3.1: Anten boyut verimi karlatrmas

Tasarm

Kazan
(dB)

Tasarm 1

En byk
boyut
(mm)
70.88

Tasarm 2

7.4

127.43

0.43

Tasarm 3

7.13

56.9

0.9

Gv (1/cm)

0.36

Bu getirileri sebebiyle yaplan anten almalar katlanm dipol yapsn gelitirmek

zerine olmutur. Bu yapda ilk belirlenmesi gereken nokta tel yarapdr. Tablo
3.2de belirtilen yarap deeri olan 0.0085* = 1 mm deerine en yakn yarap olarak
0.85 mm ve 0.4 mm olmak zere iki seenek arasndan 0.85 mm olarak seilmitir.
Benzetim ortamndan faydalanlarak yarap artnn belirli bir deere kadar kazan
parametresini olumlu olarak etkiledii grlmtr.
Tablo 3.2: Yagi-Uda elemanlar iin en iyi uzunluklar [4]
r/ = 0.0085

Yagi-Uda uzunluu ()

s12 = 0.2

0.4

0.8

1.2

2.2

3.2

4.2

Yanstc uzunluu
(l1 ,)

0.482

0.482

0.482

0.482

0.482

0.475

0.442

0.428

0.428

0.432

0.428

0.424

l4

0.424

0.420

0.415

0.420

0.424

l5

0.428

0.420

0.407

0.407

0.420

Ynlendirici
uzunluu
()

l3

Ynlendiriciler aras
mesafe ()

0.2

0.2

0.25

0.2

0.2

0.308

Ynlendiricilik
(dBd)

7.1

9.2

10.2

12.25

13.4

14.2

Bir sonraki aamada katlanm dipol anten kaynak olmak zere, bir tarafna yanstc
ve dier tarafna ynlendirici eleman konarak 3 elemanl bir Yagi-Uda dizi anteni
yaplmtr. 3 elemanl Yagi-Uda dizisi iin gerekli eleman aralklar ve eleman boylar
tablo-3.2deki gibidir. Tablo-3.2 deerlerine gre 2.45 GHz sklk ve karlk gelen
122.5 mm dalga boyuna gre tasarlanan Yagi-Uda dizisinin boyutlar ekil-3.3 te
grlmektedir.

Lr: Yanstc boyu (mm)

Drf: Yanstc ile kaynak aras mesafe (mm)

Dfd: Yanstc ile yneltici aras mesafe (mm)

Ld: Yneltici boyu (mm)

ekil 3.3: Yagi-Uda dizisi gerek boyutlar

Benzetim sonucu antenin ekil 3.4 te grld zere 9 dB kazanca sahiptir. Buna
gre Gv ifadesi 0.9875 olarak bulunur.

ekil 3.4: 3 Elemanl Yagi-Uda dizisi kazan deeri

8

Bu veriler zerinden, Yagi-Uda dizisinin boyut verimi asndan yararl olduu

belirlenmitir. Bu sebeple benzetim ortamnda boyutlar zerinde deiiklikler
yaplarak daha iyi verim amalanmtr. yiletirmi durumdaki anten parametreleri
tablo 2.3 te verilmitir. Bu tablodaki deerler uygulanarak benzetim sonucu elde
edilen kazan grafii ekil 3.5tedir.
Tablo 3.3: yiletirme sonucu anten parametreleri
Lr (mm)

Lrf (mm)

Lfd (mm)

Ld (mm)

G (dB)

D (cm)

Gv (cm-1)

59

25

21

53

9.46

7.8

1.13

ekil 3.5: yiletirilmi anten kazanc

Ayrca bu aamada, anten temel yaps belirlendiinden dolay devrenin anten mas
zerine etkisini gzlemlemek amacyla giri portun ucuna bir yz tamamen bakr
kapl 1.6 mm kalnlnda, 1x1 cm2 boyutlarnda FR4 dielektrik tabaka ekil-3.6daki
gibi yerletirilmitir. Bu durumda yine ekil-3.6te kazancn 9.11 dBye dt
grlmektedir.

ekil 3.6: Devrenin anten kazancna etkisi

9

Antenin devreden etkilenmemesi iin, devrenin yanstc arkasnda tutulmas

gerekmektedir. Bu sorun port ile devre arasna iletim hatt konulmas zorunluluunu
getirmektedir. Bu durumda en uygun iletim hatt, bulunma kolayl ve antene etki
asndan, ekil 3.7deki 50 empedansl yaklak 2 mm apl bir koaksiyel hat olarak
belirlenmitir.

ekil 3.7: Kullanlan iletim hatt

Burada tasarm olarak baz temel dncelerin belirlenmesi gerekmektedir. Zira anten,
yaps itibariyle dipol bir antendir ve dengeli bir port kna sahiptir. k direkt
olarak dengesiz bir port ile sonlandnda 3 dB g kayb doacaktr. Dipol antenin
toplad elektromanyetik enerjinin tamamnn iletim hattna aktarlabilmesi iin
porttan hemen sonra bir balun kullanlmaldr. Ek olarak mann etkilenmemesi
asndan balun boyutlar da kk olmaldr. El yapm retilecek bir balun kullanmak
kayp, boyut ve zaman kstaslar asndan mantkl deildir. Bu sebeple piyasada
bulunan balunlar arasndan seim yaplmtr. Kullanlacak balun farkl empedans
evirme oranlarna ve araya girme kayb deerlerine sahip olabilir. Balun seiminde
en yksek ncelik araya girme kayb deerine verilmitir. nk Yagi-Uda dizisinin
getirdii kazan arts etkisinin snmlenmesi engellenmelidir. Bu amala yaplan
aratrma sonucu 2.45 GHz te bulunabilen en dk kaypl balun, 0.5 dB kayp ile
Minicircuits irketinin TC1-1-43+ modeli olarak seilmitir. Bu balun 1:1 emepedans
evirme oranna sahiptir. Balun girii ile k sonras empedans deeri ayn
olacandan dolay empedans uyumu iin anten empedansnn iletim hatt
empedansna yani 50 a eit olmas gerekmektedir. TC1-1-43+ teknik zellikleri ve
boyutlar ekil-3.8de grlebilir.
10

ekil 3.8: TC1-1-43+ Teknik zellikleri

Bu nedenlerden dolay, daha nce de belirtildii zere anten empedansnn 50 luk
hat empedansna yaklatrlmas zorunluluu domutur. Bu aamadan sonra
benzetimlerde antenin 2.45 GHzde S11 deerinin -10 dB altnda olmas da
amalanacaktr. Ayrca devrenin yanstc arkasna konulmas gerektiinden devrenin
toprak tabakasnn yanstc olarak kullanlmasna karar verilmitir. Bu durumda
yanstc, bir tel yerine bakr plaka olarak modellenecektir. Ayn zamanda yanstc
yzeyin boyutunun artmasnn kazanca olumlu ynde etki ettii bilinmektedir. Buna
gre dzenlenen boyutlarla tasarlanan son anten yaps boyutlaryla birlikte ekil
3.9da verilmitir.

ekil 3.9: Tel merkezlerinden itibaren llen son anten boyutlar

11

ekil 3.9da grld zere yapy bir arada tutmak iin balant telleri de yapya
eklenmitir. Bu balantlar maya etki etmemi ve geri dn kaybna da olumlu etki
yapmtr. Son gelitirilen boyutlara gre eksenel oran, antenin S11 deeri, empedans
deeri, kazan, ynelticilik, anten verimi, en byk boyut ve anten boyut verimi
deerleri tablo 3.4te gsterilmitir.
Tablo 3.4: Son tasarm sonular
Parametre (Sembol, Birim)

Deer

Eksenel oran (dB)

50

S11 (dB)

-19

Zgiri ()

40 + j*1.44

Kazan (G, dB)

9.8

Ynelticilik (D0, dB)

9.82

Anten verimi ()

% 99.4

En byk boyut (D, cm)

8.45

Anten boyut verimi (Gv, 1/cm)

1.13

Eksenel oran frekans grafiine bakldnda 2.45 GHzde 50 dB olduu grlmtr.

Bu deer, nceden de belirtildii zere antenin dorusal kutuplamal bir anten
olduunu gsterir.

ekil 3.10: 2.45 GHz eksenel oran deeri

kinci nceliimiz artk S11 deeridir ve ekil-3.11de -19 dB olarak grlebilir. Bu
deer -10 dB altnda kald iin kabul edilebilir bir noktadadr. -19 dB deerinde geri
yansyan iaret oran % 0.016dr.
12

ekil 3.11: Geri dn kayb

En etkin parametre kazantr. ekil 3.12de kazancn 3 boyutlu ma rnts ve
kazan-frekans grafii verilmitir. Grld zere ulalan kazan deeri 9.8 dBdir.

ekil 3.12: En byk kazan deeri ve ma rnts

ekil 3.13: Yatay dzlemde anten kazancnn deiimi

13

Smith abandan normalletirlmi empedans deerine bakarak, asl anten

empedansnn ZA = 40 + j*1.4 olmas beklenir.

ekil 3.14: Smith aba empedans gsterimi

Sonu olarak, 2.45 GHz frekansnda yan, 9.8 dB kazanl, dorusal kutuplamal, 3
elemanl bir Yagi-Uda dizisi benzetim ortamnda tasarlanmtr.
3.3

Anten retimi ve lm Sonular

Boyutlar belirlenen anten, karar verilen bakr tel bklerek ekil-3.15te grld
gibi gerekletirilmitir. Port aklna, belirtilen balun yaps balanm ve
sonrasnda balun kna balanan iletim hattnn ucundan lmler yaplmtr.

ekil 3.15: Gerekletirilen anten

14

lmler sonucu geri yansma katsays ekil-3.16da grld zere -18.4 dBdir.

ekil 3.16: S11 lm

lmlerde smith aba zerinde anten empedansnn 50 + j*12 olduu grld. Bu
deer, benzetim ortamnda alnan deer ile ayn genlie fakat farkl faza sahiptir.
Empedansn farkl olmasnn sebebi kullanlan iletim hattnn uzunluunun
modellenmemesi olabilir.
Kazan lm ise ayn noktada 1 dB kazanl bir anten kullanlarak, alnan g
deerlerinin karlatrlmasyla yaplmtr. Buna gre 1 dB anten ile yaklak -20 dB
g grlrken, tasarlanan anten ile yaklak -11 dB g alnmtr. Bu durumda
retilen antenin kazancnn da 10 dB olduu sylenebilir.
lm sonularna gre devreye aktarlacak g (Pa) denklem-3.5 ile belirlenir.
Burada antenin efektif akl denklem 3.4 ile hesaplanr. Toplanan g iletim hattna
aktarlrken neredeyse geri yansma olmayacaktr. Devre ile iletim hatt arasnda da
empedans uyumunun ok iyi olduu varsaylmtr.
2

= 4 10/10

(3.4)

(3.5)

Bu koullarda denklemlere gre en fazla 10 dB kazan ile devreye aktarlacak en

fazla g Pa = 119 W = -9.2 dBm olarak bulunur.

15

DORULTUCU DEVRE TASARIMI

4.1

Dorultucu devre tasarm amalar ve admlar

Devre tasarm anten retimi ile paralel olarak yrtlmtr. Devre tasarm iin
gzlenmesi gereken tek sonu antenden alnacak gcn ne kadar verimle
dorultulduudur. Tasarm yaplrken izlenecek yolda ise ilk olarak devre yaps
belirlenmeli, daha sonra diyot modeli seilmeli ve ardndan devrenin en verimli
alaca yk deeri deneylerle bulunmaldr. Devre verimi deneyleri yaplrken
antenin hizalanmas veya retiminden kaynaklanan sorunlar yznden daha dk g
toplayabilecei dnlerek hesaplanan -9.2 dBm yerine -10 dBm giri gc ile
denemeler yaplmtr.
4.2

Dorultucu Yaps

Kullanlan tasarma geilmeden nce yaplan ilk tasarmdan bahsedilmelidir. nk

son durundaki tasarm ilk tasarmda yaplan yanllar stne gerekletirilmitir.
Dorultucu devreler yap olarak tam dalga dorultucu veya yarm dalga dorultucu
olarak tasarlanabilirler. Yarm dalga dorultucular sinzoidal dalgann negatif ksmn
dorultamad iin teorik olarak 3 dB g kayb sz konusudur. Bu yzden tasarmda
ilk olarak tam dalga dorultucu yaps kullanlmas dnlmtr. Bu yapda
antenden gelen iaretin, yarya blnerek diyot girilerine verilmesi amalanmtr. Bu
sayede, gelen gcn tamamndan yararlanlacaktr. Bununla beraber yaplan
deneylerde ift diyot kullanlan yaplarda kta doru gerilim gzlenememitir. Bu
yzden tek diyotlu yarm dalga dorultucu yaps kullanlmtr.
4.2.1

Diyot Seimi

Diyot tipi, diyotun besleme gerilimi olmayacandan sfr beslemeli schottky diyot
olarak seilmitir. Bu tip diyotlarn aktifleme gerilimi dk olduundan daha kolay
iletime geebilirler. Bu aamada ilk olarak diyotun edeer devre modeli
incelenmelidir. Schottky diyotlarn edeer devre modeli ekil 4.1de grlmektedir.

16

ekil 4.1: Schottky diyot yaps ve edeer devresi [4]

Bu yapdaki RS direnci, diyotun gsterdii seri diren deerini, CJ kapasitesi,
diyotlarn yonga teknolojisinden kaynaklanan ekil 4.1de solda belirtilen metal
kalnlna bal kapasite etkisini ve RJ direnci, giri gcne bal olarak deien
diren deerini belirtmektedir. Diyot seiminde ilk nce dnlen ncelikler,
diyottan kaynaklanan kayplarn azaltlmas iin RS ve CJ deerlerinin mmkn
olduunca dk seilmesidir fakat en nemli ncelik olmadklar daha sonra
anlalmtr. Bu yzden almada ilk olarak Avago Teknolojileri irketinin
HSMS286C diyotu kullanlmtr. Karlatrma ve bilgi asndan, hatal seilen bu
model ve bunun benzetim modellemesi hakknda bilgiler EK-Ada verilmitir.
Diyot modeli seiminin schottky diyotlarn almas incelendikten sonra yaplmas
gerekmektedir. Diyota gelen iaretin dorultulduu yer RJ temas direncidir[5]. RJ
noktasnda gelen iaret dorularak kar fakat edeer devredeki paralel yapya
baklrsa RF akm CJ ve RJ arasnda blnecektir[6]. Bu noktada denklem 4.1 ile
kapasitenin 2.45 GHzteki reaktans ve RJ direncinin deeri denklem 4.2 ile hesaplanr.
1

= 2
=

8.33105
+

(4.1)

(4.2)

4.2de belirtilen Ib akm devrede varsa harici besleme akmn, IS diyotun doyma
akmn belirtir. Burada ama, iaretin mmkn olan en byk blmnn R J
zerinden gemesini salamaktr. Bu yzden RJ direnci CJ kapasitesiyle
kyaslandnda mmkn olan en dk deere getirilmelidir ki RF akm RJ zerinden
daha fazla aksn. Bu durumda Ib akm, devre sfr beslemeli olduundan sfrdr. Diyot
modelleri incelendiinde ise doyma akmnn 10-8 ile 10-6 mertebeleri arasnda
deitii grlmektedir. Denklem 4.2ye gre doyma akm temas direncini (RJ) de
17

olduka bytecektir. Sonu olarak diyot seiminde ncelikli kstasmz temas direnci
olmaldr. Ayrca mikroamper seviyesinde akm deerlerinde temas direnci deeri 25
k seviyesinde iken 10-8 seviyesinde bu deer 2.5 M seviyesine gelecektir. Diyot
modellerine gre RS direnci ise 5 ile 50 arasnda deimektedir. Bu yzden RS,
RJ direnci yannda ihmal edilebilir deerdedir. CJ sas pF seviyesindedir fakat
frekans da ok byk olduundan reaktans klr. RJ ve CJ paralelliinden dolay da
diyotun asl kayp deikeni temas kapasitesi olacaktr [6].
Diyot seimi doyma akm deerine baklarak yapldnda Avago Teknolojileri
irketinin Hsms2850 modelinin dorultucu devre iin en uygun model olduu
grlr. Ayrca HSMS2850 daha dk aktifleme gerilimine sahiptir, bu nedenle de
verim asndan byk katk salamaktadr. HSMS2850nin veri dosyasnda bulunan
spice parametreleri HSMS286c ile karlatrlarak tablo 4.1de belirtilmitir.
Tablo 4.1: HSMS 286C ve HSMS 2850 spice deikenleri
Deikenler
CJ
RS
N
IS
RJ
VF

Birimler
pF

HSMS286C
0.18
6
1.08
5*10-8
520 k
250

mV

HSMS2850
0.18
25
1.06
3*10-6
8.6 k
150

Bununla beraber, HSMS2850 retici tarafndan 1.5 GHz frekans altndaki

uygulamalar iin tavsiye edilmitir. Ayrca -20 dBm seviyesinden yksek giriler iin
tasarlanmad da belirtilmitir. Bu uyarlara ramen dorultucu yapsnda bu model
kullanlmtr. 286c modeli ile k gerilimi grlemezken 2850 ile en verimli sonu
elde edilmitir.
4.2.2

Devre Yaps

Devre en sade haliyle diyot, kapasite ve yk elemanlarndan oluur. Diyot, sinzoidal

gelen iaretin pozitif salnm ksmnda, diyot eik gerilimini aan noktalar arasnda
aktif hale geer ve zerinden akm aktr. Bu aktif hal durumundan pasif hale geene
kadar kapasite dolar. Pasif halde ise nceden dolmu olan kapasite, zerindeki gerilimi
yk zerine boaltr. Bylece sinzoidal iaretten doru gerilim elde edilir.
Devre tasarlanmadan nce kullanlacak dielektrik taban malzemesi seilmitir. Bu
seimde malzemenin kayp tanjant deerinin dk olmasna ve kalnln ince
18

olmasna dikkat edilmitir. Bu zelliklerin malzeme kaybn azaltabilecei

dnlmtr. Bu ynde, olanaklar arasndan Taconic irketinin tablo 4.2de
zellikleri belirtilen TSM-DS3 taban kullanlmtr.
Tablo 4.2: TSM-DS3 malzemesinin zellikleri
zellik
Dielektrik katsays
Kayp tanjant
Taban kalnl
Bakr kalnl

Deer
3
0.0014
0.76 mm
35 m

Yksek frekansl dk gl dorultucularda, anlatlan basit dorultucu yapsndan

farkl olarak ekil 4.2devre giriine endktans konulmaldr. Endktansn amac yk
zerinde akan doru akm iin diyot stnden bir geri dn yolu oluturmaktr[7]. Bu
durumda diyot aktif hale geebilecektir. Tasarlanan devrelerde, endktans
kullanlmayan yaplarda herhangi bir k gerilimi elde edilememitir. Endktansl
devreye empedans ayarlayc araclyla -10 dBm giri gerilimi uygulandnda 900
yk stnde 91 mV gerilim grlmtr.

ekil 4.2: Endktansl dorultucu ve lm sonucu

Devrenin alma mantna bakldnda kapasitenin dolabilecei en byk gerilim
deeri sinzoidal iaretin tepe genlii ile snrldr. Bu ayn zamanda yk stnde
oluabilecek genlik deerinin de snrn belirler. Bu snrn yksek tutulmas
dorultulan DC gc de artrr. Buna gre iaretin tepe genlik deerinin yksek
deerlerde tutulmas amalanmaldr. Genlik deerinin ykseltilmesi ayrca sins
iaretin eik gerilim zerinde kalan alann da artrr ve diyotun daha uzun sre aktif
durumda kalmasn salar. aret genliini artrmak iin mikro erit hat zerinde
karakteristik empedans, g ve gerilim genlii arasndaki ilikiyi veren denklem 4.3e
bakldnda sabit giri gcnn altnda genliin artrlmas iin karakteristik
empedansn ykseltilmesi gerektii grlr.
19

| 2 |

0 = 2

(4.3)

Mikro erit hattn karakteristik empedansn veren denklem 4.4e bakldnda ise
dk dielektrikli, ince malzemelerin ve ince hatl yaplarn yksek karakteristik
empedans getirecei grlr. Bu yzden diyot nne bask devre retiminde sorun
karmayacak incelikte bir hat paras konulmutur.
0 =

87
+1.41

ln [5.98 0.8+]

(4.4)

Bu teorinin onaylanmas iin 50 n hatl bir dorultucu ekil 4.3deki gibi

tasarlanm ve k gerilimleri llmtr. n hattn kalnl bata 1.9 mmdir ve
50 karakteristik empedans salar. Bu devrenin giriine, empedans uydurucu
kullanlarak sabit -10 dBm g verilmitir. Sonrasnda hat boydan boya kesilip
inceltilerek, tekrar empedans uydurulmu ve k glerine baklmtr. Buna gre hat
inceltildike devre veriminde art gereklemitir. lk durumda 145 mV olan k
gerilimi hat inceltildikten sonra 162 mV olarak grlmtr.

ekil 4.3: Verim-Hat genilii ilikisi deneme devresi

Bu artlar altnda dorultucunun son yaps ekil 4.4te grlebilir. Bu durumdaki
devre stnde bir sonraki aama en iyi eleman deerlerinin belirlenmesidir. Bunun iin
ncelikle kapasite ve endktans deerleri sabit tutularak yk direnci denemeleri
yaplm ve RL yk direnci 900 olarak belirlenmitir. Sonrasnda yk direnci ve
kapasite sabit tutularak endktansn 10 nH deerinin en iyi verimi verdii
belirlenmitir. Endktanstaki daha fazla artlar verimi olumlu veya olumsuz
20

etkilememekle birlikte dk endktans deerleri verimi drmektedir. Buradan

endktansn olabildiince yksek deerlerde seilmesi gerektii sonucu karlr[8].

ekil 4.3: Dorultucu yaps ve gereklenen devre

Son haline ulaan devrenin empedans lm yapld. Empedans lmnde devrenin
2.45 GHzteki empedans deerinin tablo 4.3 te verilen parametrelerle ZD = 100 + j*132
deerinde olduu grld. Devreye bu haliyle uygun empedans uydurucu devrenin de
eklenmesi gerekmektedir.
Tablo 4.3: Dorultucu devre tasarm parametreleri
Deiken

Deer

Diyot Modeli

HSMS2850

Yk direnci

900

Sa

22 nF

Giri endktans

10 nH

n hat empedans

97

n hat boyutlar

0.5 mm*17.5 mm

Tablo 4.3te verilen deiken deerleriyle yaplan devre, empedans uydurucu araya
sokularak -10 dBm ile beslenmi ve knda 175 mV gerilim grlmtr. 900
diren stnde grlen bu gerilim denklem 4.5te yerine konulursa PDC = 35 W
bulunur. Devre 100 W giri gcnde %35 verimle almaktadr.

21

ekil 4.4: Devre k gerilimi

4.3

Empedans uydurucu tasarm

Empedans uydurucu tasarm iin ilk olarak kaynak ve yk empedanslar bilinmelidir.

AWR benzetim yazlmnda anten empedans giri potu ve devre empedans yk
olacak ekilde bir yap oluturularak alak geiren yapda bir empedans uydurucu
kullanlmasna

karar

verilmitir.

Bu

kararda

AWR

iFilter

sihirbazndan

yararlanlmtr. Bu yapnn seilme sebebi gereklenebilecek kapasite ve endktans

deerlerinin bulunmas, en basit yap olmas ve araya girme kaybnn dkldr.
Empedans uydurucu bir seri endktans ve bir paralel sadan olumaktadr. Uydurucu
iin belirlenen sa deeri 0.5 pF olmasna ramen mikro erit olarak gereklenecek
olmas sebebiyle uygun bulunmutur. Bununla beraber endktans deeri iFilter
tarafndan 18 nH olarak gsterilmitir. Endktans, Johanson Teknolojileri irketinin
kiti ierisinden seilmitir. Bu endktanslar frekans ykseldike belirtilen
deerlerinden daha yksek bir deer gsterirler. Bu yzden belirlenen 8 nH deeri iin
kullanlacak gerek endktans deeri ekil 4.5te gsterilen grafikten yakn bir deer
belirlenerek 4.7 nH seilmitir.

22

ekil 4.5: Endktans Frekans deiimi [9]

Daha sonra kapasite iin sonu kapal mikro erit hat kullanlmtr. eridin boyu
deitirilerek sa deeri de deitirilebilir. AWR zerinde denemeler yaplarak en
uygun boyutun 3 mm olduu belirlenmitir. Devre emas ekil 4.6da verilmitir.

ekil 4.6: Empedans uydurucu yaps

Uydurucunun geri dn kayb ve araya girme kayb grafikleri ekil 4.7 ve 4.8 ile
grlebilir.

23

ekil 4.7: Empedans uydurucu geri yansma katsays

ekil 4.8: Empedans uydurucu araya girme kayb

Grafiklerde, benzetimde yk ve kaynan 2.45 GHzteki empedans deerleri
girildiinden genel olarak doru ekilde olmasa da 2.45 GHzte doru sonu
gsterecektir. Anlalaca zere 2.45 GHzte empedans uyumunun salanmas
beklenmektedir. Bu devre dorultucu yapsnn ucuna eklenerek dorultucuya son hali
verilmitir. Devrenin uyum lm yapldnda ise beklenen empedans uyumunu
gstermedii 2800 MHze kayd grlmtr. Bu durum sa olarak kullanlan
mikro eridin sa deerini arttrmak iin hattn ucuna eklenen bir kablo hattnn
uzunluu ayarlanarak giderilmitir. Son durumdaki devre ekil 4.9da grlebilir.

24

ekil 4.9: Devrenin son hali

25

TM SSTEMN BRLETRLMES VE SONULAR

Anten yanstcs zerinde iletim hattnn geebilecei bir delik alarak daha nceden
de bahsedildii zere yanstc arkasna dorultucu devre yerletirilmitir. Bu ekilde
dorultucu anten yaps ekil 5.1deki haliyle tamamlanmtr. lm iin gerekli
deney dzenei hazrlanarak devre k gc grlm ve ardndan EFoM deeri
hesab yaplmtr.

ekil 5.1: Dorultucu antenin son durumu

Deney dzenei IMS kstaslarna gre 20 dBm k gl bir kaynak ile istenilen bir
anten kullanlarak yaplacaktr. Sonrasnda evredeki g younluu deerleri
Spectran HF6060 kullanlarak llm ve ekil 5.2deki gibi 10 mW/m2 deerindeki
bir nokta belirlenmitir.

26

ekil 5.2: Belirlenen noktada llen g younluu

Bu noktaya anten, sabit duracak ve vericiye bakacak ekilde konumlandrlarak
braklmtr. Sonrasnda dorultucu kndaki kablolara voltmetre balanarak anten
evresinden uzaklalp gzlenen gerilim deeri kayt edilmitir. Deney dzenei ekil
5.3te ve lm sonucu ekil 5.4te grlmektedir.

ekil 5.3: Dorultucu anten deney dzenei

27

ekil 5.4: 1 W/cm2 altnda yaplan lm sonucu

Devre knda beklenenden 25 mV fazla olarak 200 mV seviyesinde deerler
gzlenmitir. Bunun sebeplerinden biri dorultucu denemelerinin gelebilcek en kt
iaret seviyesi olarak belirlenen -10 dBm deerinde denenmi olmasdr. Anten
ksmnda gsterildii zere antenin toplayabilecei en byk g deeri 100 W
yerine 119 W yani -9.24 dBmdir. G seviyesi ykseldike diyot veriminin de
artaca bilinen bir bilgidir. Bu da hesaba katldnda alnabilecek en iyi g
seviyesinde kta grlecek DC g, 0.35*119 = 41.65 W deerinden byk veya
bu deere eit olmaldr. ekil 5.2de gzlenen gerilim deeri olan 201.6 mV
kullanlarak grlen g hesaplandnda 44.7 W k gc elde edildii belirlenir.
lm sonularna gre EFoM hesab yaplrsa bu dorultucu anten sisteminin
veriminin 8.24 dB olduu sonucuna ulalr.
retilen sistem, daha nce retilmi sistemlerle kyaslandnda belirli artlar ve
eksileri vardr. 2013 IMS verilerine gre en verimli sistemin anteninin kazan-boyut
oran 0.7 ve dorultucu devrenin -11 dBm giri gcndeki verimi %56 olarak
belirtilmitir. Bu sistemin EFoM deeri 7.2 dB olarak ortaya kar. Bu almada
retilen sistemin anteninin kazan-boyut verimi gemi deerin ok stnde kalarak
1.13 hesaplanrken, devre veriminde ayn baar gsterilememitir. Bununla beraber
tm sistem veriminin 8.24 dB ile 2013te retilen en iyi sistemden daha iyi olduu
grlr. ki sistemin de maksimum boyutu birbirine ok yakndr, bu yzden
uygulanabilirlik konusunda ayn seviyede sistemlerdir.
28

Gelecek almalarda zellikle devre verimini artrma konusu zerinde durularak

sistemin normal st bir verim getirmesi salanabilir. Ayrca daha farkl bir yap
olarak, daha az kazanl fakat birbirinden izole edilebilen antenlerden ayr ayr elde
edilecek olan DC gler birletirilerek elde edilen sistem verimleri katlanabilir.
Bu tr uygulamalar dk g gerektiren bileenler iin veya yksek gte enerji
aktarm iin kullanlabilir. rnein kablosuz olarak alan bilgisayar faresi, klavye,
oyun kumandas gibi cihazlarn bataryalar ana iaret yayclar tarafndan srekli
doldurularak sonsuz yaam sresi kazandrlabilirler.

29

EK-A
lk seilen model 2.45 GHzte alabilen ve RS ve CJ en dk olduu diyot
modeli olarak Avago irketinin Hsms286x modelidir. Hsms286xin edeer devre
deikenlerini de ieren spice deikenleri tablo A.1de verilmitir [4].
Tablo A.1 - Hsms_286c spice deikenleri
Deikenler
CJ
RS
n
IS
RJ
VF

Birimler
pF

mV

HSMS286C
0.18
6
1.08
5*10-8
520 k
250

Bu modelin paket yapsndan kaynaklanan parazit etkileri de hesaba katlarak yaplan

AWR modeli benzetim ortamnda 915 MHzte ve 2.45 GHzte, modelin veri
dosyasnda belirtilen modellemesi ekil A.1 deki gibi yaplm ve test dzenekleri
kurularak ekil A.2deki gibi test edilmitir.

ekil A.1 Hsms286c parazitli modeli

30

ekil A.2: 2450 MHz test devresi

Bunun sonucunda diyot modelinin 915 MHzte doru S11 deerlerini salad
grlrken, 2.45 GHzte modelin doru almad gzlemlenmitir. Veri dosyasnda
belirtilen ve elde edilen S parametreleri ekil-A.3te grlebilir.

ekil A.3: 915 MHz (Solda) ve 2.45 GHz (Ortada) test sonularnn
karlatrlmas[5]
2.45 GHz test devresinde empedans deerlerinin daha dar bir almda ve smith aba
zerinde aban soluna kaym olduu grlmektedir. Ayrca 2.45 GHz deerinin
olmas gereken noktadan uzakta kald grlmektedir. Buna ramen AWR
modellemesi ile basit bir yap denenmi fakat sonularn benzetimden uzak kald
grlmtr. Bu yzden tasarmda AWR kullanmndan vazgeilerek, bask devre
zerinde almaya geilmitir.

31

KAYNAKLAR
[1] B. Kesayak. (2014). Japonya Uzaya Gne Tarlas Kuracak [Online]. Available:
http://www.

elektrikport.com/haber-roportaj/japonya-uzaya-gunes-tarlasi-

kuracak/11931#ad-image-0
[2] Li Sun, Gang Ou, Yilong Lu and Shusen Tan (2013). Axial Ratio Bandwidth of
a Circularly Polarized Microstrip Antenna, Advancement in Microstrip
Antennas with Recent Applications, Prof. Ahmed Kishk (Ed.), ISBN: 978-95351-1019-4,

InTech,

DOI:

10.5772/54664.

Available

from:

http://www.intechopen.com/books/advancement-in-microstrip-antennas-withrecent-applications/axial-ratio-bandwidth-of-a-circularly-polarizedmicrostrip-antenna
[3] Paker, S. (2014). Kiisel grme.
[4] Constantine A. Balanis, (2005). Antenna Theory Analysis and Design, syf 595
John Wiley & Sons Matbaas, Hoboken, New Jersey.
[5] Avago Tech., (2009, 29 Mays), HSMS-285x HSMS-286x Series Surface Mount
Zero Bias Schottky Detector Diodes, syf. 5,4.
[6] Avago Tech., (2010, 22 Temmuz), Designing the Virtual Battery Application Note
1088, syf. 2.
[7] Avago Tech., (2010, 16 Austos), The Zero Bias Schottky Detector Diode
Application Note 969, syf. 2,5.
[8] Agilent Tech., (1999, Kasm), The Zero Bias Schottky Diode Detector at
Temperature Extremes Problems and Solutions Application Note 1090, syf.
1.
[9]

Johansson

Tech.

(2014).

RF

Characteristics

[Online].

http://www.johansontechnology.com/rf-inductors/rf-ceramic-chipinductors/rf-characteristics.html#.U3lcl_l_s09

32

Available:

ZGEM
Emre Aydn, 17 Kasm 1991de Bandrmada dodu. Lise eitimini Tekirda Fen
Lisesinde tamamlad. Lisans eitimine stanbul Teknik niversitesi, Elektronik ve
Haberleme Mhendislii Blm, Telekomnikasyon Mhendislii Programnda
devam etmektedir.

33