FOTOVOLTAK SSTEMLER N MKRODENETLEYCL EN YKSEK G NOKTASINI ZLEYEN BR KONVERTRN GEREKLETRLMES

aban ZDEMR

YKSEK LSANS TEZ ELEKTRK ETM

GAZ NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

ARALIK 2007 ANKARA

aban ZDEMR tarafndan hazrlanan FOTOVOLTAK SSTEMLER N MKRODENETLEYCL EN YKSEK G NOKTASINI ZLEYEN BR KONVERTRN GEREKLETRLMES adl bu tezin Yksek Lisans tezi olarak uygun olduunu onaylarm. Yrd. Do. Dr. brahim SEFA

..

Tez Danman, Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal Bu alma, jrimiz tarafndan oy birlii ile Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda Yksek Lisans tezi olarak kabul edilmitir.

Prof. Dr. Gngr BAL Yrd. Do. Dr. brahim SEFA

Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi . Elektrik Makinalar Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi Prof. Dr. mer Faruk BAY Kontrol Eitimi Anabilim Dal, Gazi niversitesi .....

Tarih:

18/12/2007

Bu tez ile G.. Fen Bilimleri Enstits Ynetim Kurulu Yksek Lisans derecesini onamtr.

Prof. Dr. Nermin ERTAN Fen Bilimleri Enstits Mdr

TEZ BLDRM Tez iindeki btn bilgilerin etik davran ve akademik kurallar erevesinde elde edilerek sunulduunu, ayrca tez yazm kurallarna uygun olarak hazrlanan bu almada orijinal olmayan her trl kaynaa eksiksiz atf yapldn bildiririm.

aban ZDEMR

iv

FOTOVOLTAK SSTEMLER N MKRODENETLEYCL EN YKSEK G NOKTASINI ZLEYEN BR KONVERTRN GEREKLETRLMES (Yksek Lisans Tezi) aban ZDEMR GAZ NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS Aralk 2007

ZET

Fotovoltaik kaynakl enerji retim sistemlerinden mmkn olabilecek en yksek gc elde edebilmek ancak en yksek g noktas takibi (MPPT) yntemleri ile mmkn olabilmektedir. Yksek frekansl anahtarlama elemanlar ile manyetik malzemelerdeki g snrlar ise, MPPT ileminin gerekletirildii g dntrc kat tasarmna nemli snrlamalar getirmektedir. Ayrca, eviricinin g blgesinin tamamnda sabit frekans deerinde altrlmas, verim dklnn yannda evresel bozucu etkiler de oluturmaktadr. Yaplan bu almada, faz kaydrma etkisiyle toplam anahtarlama frekansn doal olarak ikiye katlayan ve gerekli olduu kadar paralel alabilen faz kaydrmal sral-artran (interleaved-boost) evirici yaps MPPT teknii ile birlikte uygulanmtr. Bylece, dk maliyetli manyetik devre elemanlar ile g anahtarlarnn kullanlabilmesiyle yksek g uygulamalarnda maliyetin drlmesi de mmkn olabilmitir. Denetleyici olarak yine dk maliyetli ve ihtiyalar karlayan PIC18F452 mikro denetleyicisi kullanlmtr. Tasarlanan devre, DA baraya bal ve mikro denetleyici tarafndan denetlenen ikinci bir bamsz anahtar yardm ile ak grubunu nceden ayarlanan bir akm deerinde arj edebilecek yapdadr. Benzetim ve uygulamadan

elde edilen sonular geleneksel artran yaps ile karlatrlarak nerilen yap ve denetim tekniinin stnlkleri aklanmtr.

Bilim Kodu : 703.3.016 Anahtar Kelimeler : MPPT, PV evirici, Sral Artran evirici, Sayfa Adedi : 79 Tez Yneticisi : Yrd. Do. Dr. brahim SEFA

vi

DESIGN AND IMPLEMANTATION OF MICROCONTROLLER BASED MAXSIMUM POWER POINT TRACKER CONVERTER FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS (M.Sc. Thesis) aban ZDEMR

GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 2007

ABSTRACT

Obtainable maximum power generation from PV based energy production systems is only possible with Maximum Power Point Tracker (MPPT) methods. Magnetic components and the high frequency switches limit the power rate of the MPPT converters. In addition, working with constant frequency in all power range causes

environmental noise effect and low efficiency. In this study, interleaved boost converter structure that doubles the switching frequency naturally by phase shifting and can operate parallel when necessary has been applied with a MPPT method. Thus the cost reduction in high power application can be possible with using low cost magnetic components and power switches. PIC18F452 low cost microcontroller is used as a controller. The designed circuit has also been able to charge the battery group with desired current value with a second independent switch that is connected to DC bus and controlled by microcontroller. The advantages of the proposed converter structure and control technique have been explained by comparing the simulation and experimental results with a traditional boost converter.

vii

Science Code Key Words Page Number Adviser

:703.3.016 :MPPT, PV Converter, Interleaved Boost Converter, :79 :Assist. Prof. Dr. brahim SEFA

viii

TEEKKR almalarm boyunca deerli yardm ve katklaryla beni ynlendiren, tecrbelerinden faydalandm danmanm Yrd. Do. Dr. brahim SEFA ya ve Necmi ALTINa katklarndan dolay sonsuz teekkr bir bor bilirim.

ix

NDEKLER

Sayfa ZET ............................................................................................................. iv ABSTRACT.................................................................................................... vi TEEKKR.................................................................................................. viii NDEKLER ................................................................................................ ix ZELGELERN LSTES .............................................................................. xii EKLLERN LSTES .................................................................................. xiii RESMLERN LSTES ................................................................................. xvi SMGELER VE KISALTMALAR .................................................................. xvii 1. 2. GR..................................................................................................... 1 GNE PLLER ................................................................................... 5 2.1. Fiziksel Yaplar ............................................................................. 5 2.2. alma lkesi................................................................................ 6 2.3. PV Panel Verimi ............................................................................ 6 2.3.1. PV yap maliyeti................................................................. 6 2.4. Inm iddeti ................................................................................ 8 2.5. PV Sistem Kullanm Alanlar ve Trkiyeki Durum........................10 2.6. PV Hcre Elektriksel Modeli.........................................................11 2.7. PV Sistem Verimini Etkileyen Faktrler........................................15 2.8. PV Modl Performansnn Yllara Gre Deiimi .........................16 2.9. Sonu...........................................................................................17 3. MPPT TEKNKLERNN KARILATIRILMASI....................................18

Sayfa 3.1. Dolayl denetim ............................................................................19 3.1.1. Sabit gerilim metodu.........................................................19 3.1.2. Sabit akm metodu ...........................................................21 3.2. Dorudan denetim........................................................................22 3.2.1. Deitir-gzle metodu ......................................................22 3.2.2. Artan iletkenlik metodu .....................................................23 3.3. Dier metotlar ..............................................................................25 3.4. Denetim Metodlarnn Karlatrlmas ........................................26 3.5. Sonu...........................................................................................28 4. DA-DA EVRCLER...........................................................................30 4.1. zolesiz eviriciler ........................................................................30 4.1.1. Azaltan eviriciler .............................................................30 4.1.2. Artran eviriciler...............................................................33 4.1.3. Azaltan-artran eviriciler ..................................................36 4.1.4. SEPIC eviriciler...............................................................38 4.1.5. Cuk eviriciler ...................................................................40 4.2. zoleli eviriciler ...........................................................................42 4.2.1. apraz (flyback) eviriciler ...............................................42 4.2.2. tme-ekme (push/pull) eviriciler .....................................43 4.2.3. Yarm kpr (half bridge) eviriciler..................................44 4.2.4. Tam kpr (full bridge) eviriciler .....................................45 4.3. Dier eviriciler............................................................................45

xi

Sayfa 4.4. eviricilerin Karlatrlmas ........................................................46 4.4.1. zoleli eviriciler ................................................................46 4.4.2. zolesiz eviriciler .............................................................47 4.4.3. Azaltan ve artran eviriciler .............................................48 5. SIRALI EVRCLER...........................................................................50 5.1. Sral-Artran eviriciler ................................................................52 5.2. Artran ve Sral-Artran eviricilerin Karlatrlmas ..................53 6. TASARIM VE UYGULAMA...................................................................55 6.1. Benzetim ......................................................................................55 6.2. Uygulama.....................................................................................57 6.2.1. Ak emas ......................................................................59 6.2.2. Devre elemanlarnn seimi ..............................................60 6.2.3. Akm ve gerilim alglama devreleri....................................61 6.2.4. apraz evirici tasarm ....................................................62 6.2.5. Uygulama sonular ..........................................................63 6.2.6. evirici verimlerinin karlatrlmas ................................71 6.2.7. Uygulama sonularnn deerlendirilmesi.........................72 7. SONU VE NERLER .......................................................................74

KAYNAKLAR ................................................................................................75 ZGEM ...................................................................................................79

xii

ZELGELERN LSTES

izelge

Sayfa

izelge 2.1. Trkiye'nin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli.................. 9 izelge 2.2. Trkiye gne enerjisi potansiyelinin blgelere gre dalm ...10 izelge 2.3. PV modl deikenlerinin yllara gre deiimi.........................16 izelge 3.1. Deitir-gzle deiim verileri ...................................................23 izelge 3.2. MPPT verimleri .........................................................................27 izelge 3.3. MPPT tekniklerinin temel zellikleri...........................................28 izelge 4.1. evirici seimi ...........................................................................47 izelge 4.2. evirici zeti..............................................................................48

xiii

EKLLERN LSTES ekil

Sayfa

ekil 2.1. Gne pili iyaps .......................................................................... 5 ekil 2.2. Gne pili temel elektriksel modeli ................................................. 6 ekil 2.3. PV yap maliyet oranlar ................................................................. 7 ekil 2.4. PV yap maliyetinin yllara gre deiimi ........................................ 7 ekil 2.5. Gne pili elektriksel edeer modeli ............................................12 ekil 2.6. En yksek g noktasndaki edeer devre modeli ......................12 ekil 2.7. Modl akm geriliminin deiiminin A katsays ile deiimi..........13 ekil 2.8. Modl akm ile geriliminin Rs direnci ile deiimi .........................14 ekil 2.9. Modl akm ve geriliminin nm iddeti ile deiimi ....................14 ekil 2.10. Modl akm ile geriliminin scaklkla deiimi .............................15 ekil 2.11. Modl en fazla g erisi.............................................................15 ekil 2.12. PV modl deikenlerinin ka etkisi ........................................16 ekil 3.1. MPPT ve MPPT olmadan retilen enerjilerin karlatrmas ........18 ekil 3.2. Sabit gerilim metodu ak diyagram .............................................21 ekil 3.3. Deitir-gzle yntemi ile denetlenen evirici................................22 ekil 3.4. Artan letkenlik algoritmas alma erisi. ....................................24 ekil 4.1. Azaltan evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri .........31 ekil 4.2. Azaltan evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ...............32 ekil 4.3. Artran evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri...........34 ekil 4.4. Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ................35 ekil 4.5. Azaltan-Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi ...36

xiv

ekil

Sayfa

ekil 4.6. Azaltan-Artran evirici yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri .......37 ekil 4.7. SEPIC evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri...........39 ekil 4.8. CUK evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri..............41 ekil 4.9. Fly-back evirici.............................................................................42 ekil 4.10. tme-ekme evirici......................................................................43 ekil 4.11. Yarm kpr evirici.....................................................................44 ekil 4.12. Tam kpr evirici .......................................................................45 ekil 4.13. PV uygulamalar iin azaltan ve artran eviricilerin verimi..........49 ekil 5.1. Sral evirici giriindeki enerji ak ...............................................50 ekil 5.2. letim yolu ile yaylan EMI seviyelerinin benzetimi (fS=100 kHz)....51 ekil 5.3. PV ile beslenen giriik artran evirici ............................................52 ekil 5.4. Artran evirici...............................................................................53 ekil 5.5. Giriik ve sradan evirici verimlerinin karlatrlmas .................54 ekil 6.1. Tm sistem modeli ........................................................................55 ekil 6.2. G kat modeli .............................................................................56 ekil 6.3. MPPT yaps ..................................................................................56 ekil 6.4. Anahtarlara uygulanan kap darbeleri ...........................................57 ekil 6.5. Benzetim sonular ........................................................................57 ekil 6.6. Uygulama devresi prensip emas ................................................58 ekil 6.7. Sistem ak diyagram ...................................................................59 ekil 6.8. Akm okuma devresi......................................................................61 ekil 6.9. Gerilim okuma devresi...................................................................61

xv

ekil

Sayfa

ekil 6.10. Uygulama devresi SMPS prensip emas. ..................................63 ekil 6.11. evirici kap darbelerine gre k gerilimi. ................................64 ekil 6.12. Sral artran evirici giri akm ve gerilimi ...................................66 ekil 6.13. Sral artran evirici k akm ve gerilimi. .................................68 ekil 6.14. Ak eviricisi kap darbesi ve akm.............................................69 ekil 6.15. Sral artran evirici ak ile k akm ve gerilimleri ..................70 ekil 6.16. Tm anahtarlama iaretlerinin e zamanl gsterimi ...................71 ekil 6.17. evirici verimlerinin karlatrlmas ...........................................72

xvi

RESMLERN LSTES

Resim

Sayfa

Resim 1.1. Byk lekli PV santralleri.......................................................... 2 Resim 2.1. Dnya gnelenme haritas ......................................................... 8 Resim 6.1. Uygulama devresi .......................................................................71

xvii

SMGELER VE KISALTMALAR Bu almada kullanlm baz simgeler ve ksaltmalar, aklamalar ile birlikte aada sunulmutur.

Simgeler A Ar CN CO D dB GA e ekt EL EP EPA EPA m fs G HA HG IC ID IH IIN IL IMPP IO

Aklama PV idealletirme katsays PV panel alan (m2) Giri Kondansatr (Farad) k Kondansatr (Farad) Darbe genilik oran Grlt seviyesi (Desibel) Inm iddeti verimi e sabiti = 2.71828 Karaktesistik eri eimi (V-1) Ykn ihtiya duyduu enerji (kWh) PV sistem tarafndan retilen enerji (kWh) PV hcre enerjisi (kWh) Uygulamaya bal olarak hcreden kan enerji (kWh) Manyetik ak (Weber) Anahtarlama Frekans (Hertz) Inm iddeti (Sun=W.m-2) PV panel yzeyine den nm iddeti (kWh.m-2) Gne nm gc (kWh.m-2) Kondansatr Akm (Amper) Diyot akm (Amper) Gne pili k akm (Amper) Giri Akm (Amper) Endktans Akm (Amper) En yksek g noktas akm (Amper) k akm (Amper)

xviii

Simgeler IPH IREF ISC k K KB KC KH KPA KPH KPM KPT MPPT PS PMAX RL RMPP RP RPM RS RSM T TS V VA VD VIN VL VMPP VMPPT

Aklama Gne tarafndan retilen akm (Amper) Referans akm (Amper) Ksadevre akm (Amper) Sabit deer Boltzman sabiti (8,65x10-5 eV/K) Ak ve ak devre kayb katsays G dntrc kayplar katsays Glgelenme ve kir katsays Hcre devre kayb katsays Inm dme as katsays Yanl ykleme metodu katsays Hcre scaklk katsays En fazla g noktas verimi Standart koullarda PV verimi En fazla g (W) Yk direnci (Ohm) En fazla g noktas direnci (Ohm) Gne pili edeer paralel direnci (ohm) En fazla g noktas PV edeer paralel direnci (ohm) Gne pili edeer seri direnci (ohm) En fazla g noktas PV edeer seri direnci (ohm) Pil scakl (Kelvin) Periyot Sresi (s) Gerilim (Volt) k gerilimi (Volt) Diyot gerilimi (Volt) Giri gerilimi (Volt) Endktans gerilimi (Volt) En fazla g noktas gerilimi (Volt) En fazla g noktas izleme gerilimi (Volt)

xix

VO VOC

k gerilimi (Volt) Ak devre gerilimi (Volt)

Ksaltmalar CC CV D DM e EE EMI IC kcal MC MP MPP MPPT MW P&O PV PWM RFI SMPS TS

Aklama Sabit Akm (Constant Current) Sabit Gerilim (Constant Voltage) Diyot Devlet Meteoroloji leri Elektron Elektrik leri Ett daresi Elektro Manyetik Giriim Artan letkenlik (Incremental Conductance) kilo kalori Mikrodenetleyici (Microcontroller) En Fazla G En Fazla G Noktas En Fazla G Noktas zleme Mega Watt Deitir ve Gzle (Perturb and Observe) Foto Voltaik Darbe Genilik Modlasyonu Radyo Frekansl Giriim Anahtar Kipli G Kayna (Switch Mode Power Supp.) Trk Standard

1. GR Gnmzde ihtiya duyulan enerjinin byk bir ounluu fosil ve nkleer yaktlardan elde edilmektedir. Bu yaktlarn gerek evreye verdikleri zararlar ve gerekse birikilerinin snrl oluu, alternatif enerji kaynaklar arayna sebep olmutur. evrenin korunmas, gelecekte insan yaam ve evre dengeleri zerinde oluabilecek tehditlerin nlenmesi, ulusal kaynaklardan en st dzeyde yararlanlarak lkelerin enerji kaynaklar arz gvenliinin salanmas, alternatif enerji kaynaklarnn gelitirilmesini ve kullanlmasn gerekli hale getirmektedir. Bylece, enerjinin karlanma ihtiyacna bal olarak gne, rzgr, jeotermal, bioktle, hidrojen gibi alternatif enerji kaynaklar zerine aratrma gelitirme almalar younlamtr. almalar nceleri rzgr ve daha sonra ise gneten elektrik enerjisi retmek eklinde balam ve farkl glerde santraller kurulmutur. Gne enerjisinden elektrik enerjisi reten sistemlerin verimi %18, rzgar retelerinin ise %55 civarndadr. Bu oranlar nm izleme, nm odaklama veya rzgar yn denetimi gibi ilemlerle verim %50lere varan oranlarda artrlabilmektedir [1]. Alternatif enerji kaynaklarndan gne enerjisi, sonsuz ve yaygn bir kaynak olmas, dorudan elektrik enerjisine dntrlebilmesi gibi avantajlar sebebiyle hzla yaygnlamaktadr. Gneten elektrik enerjisi reten sistemlerin bir dier nemli zellii de modler yaps ile birka watttan MegaWatt deerine kadar kolaylkla tasarlanp uygulanabilmesidir. Devlet Meteoroloji leri Genel Mdrl (DM) ile Elektrik leri Ett daresi (EE)nin yapt aratrmalar bata Gney Dou Anadolu ve Akdeniz Blgeleri olmak zere lkemizin fotovolatik (PV) uygulamalarna elverili olduunu gstermektedir [2]. PV paneller DA gerilim retmektedir. Bu sebeple, elektrikle alan uygun g ve gerilimdeki her trl alc dorudan beslenebilir. Ancak, kW bana yatrm maliyeti yaygn kullanlan enerji kaynaklarndan daha yksek olduu iin, nceleri elektrik enerjisinin iletilemedii ya da iletilmesinde glk

ekilen yerlerde ve belli glere kadar dier kaynaklardan daha avantajl olduu belirtilmekteydi. Bu sebeple gemite otoyollarn aydnlatlmas ve sinyalizasyonu, park bahe aydnlatmas, uzay uygulamalar, su pompalar ile ev ve kk iyerleri gibi uygulamalarda tercih edilmitir. Sistem, gn boyunca alclar besleyerek ihtiya fazlas enerjiyi ak gruplarnda depolayacak ve gerektiinde alclara aktaracak ekilde tasarlanrd. Gnmzde bu uygulamalarn yan sra yatrmdan en yksek fayday salama dncesi ne km ve ebeke ile paralel alan veya ebekeye dorudan enerji aktarabilen sistemler nem kazanmtr. Bu tip uygulama rnekleri gn getike oalmaktadr. G kapasiteleri ise MW deerlerine ulam olup, birok lkede ebeke etkileimli PV enerji retim merkezleri kurulmaya balanlmtr.

(a)

(b)

(c)

(d)

Resim 1.1. Byk lekli PV santralleri a) Gwangju City Power Plant, Gney Kore, 1 MW b) Nellis Air Force Base, NV - 15 MW c) Bavaria Solarpark, Germany - 10 MW d) Isla Mayor Power Plant, Spain - 8.4 MW

Bunlarn dnda otomobil, sera stlmas gibi farkl alanlarda aratrmalar devam etmektedir. lkemizde halen Telekom istasyonlar, Orman Genel Mdrl yangn gzetleme istasyonlar, deniz fenerleri ve otoyollarn aydnlatma ve trafik iaretlerinde kullanlan PV kurulu gc 300 kW civarndadr [2]. Yatrm bedeli dikkate alndnda PV sistemlerden elde edilen enerjinin kW bana maliyeti su, petrol ve kmr gibi allm kaynaklara gre daha yksektir. Ancak, PV panellerin retim teknolojisi ile eviricilerdeki gelimeler gn getike bu fark azaltmaktadr. PV sistemlerde yatrm bana maliyeti drmeye ve yatrmdan en fazla yarar salamaya ynelik olarak iki konu zerinde youn aratrmalar devam etmektedir. Bunlardan birincisi modl veriminin dieri ise toplam verimi etkileyen en nemli etken olan evirici veriminin ykseltilmesidir. eitli retim tekniklerinde ve deiik maddelerden retilen PV panellerin verimleri her geen gn daha da artarak gnmzde %21e optik younlatrclar kullanldnda ise %35e kadar ulamtr [3, 4]. Gne pillerinden elde edilen enerjinin maliyet/kW deerinin su, petrol ve kmrden elde edilen enerjiden 3-5 kat daha yksek olduu gerei enerji dnm ileminde verimin en nemli faktrlerden biri olmas sonucunu dourmaktadr. Bu amala gneten alnan enerjiyi alc sisteme aktaracak evirici yapsnn seimi ile evirici denetim tekniinin pil verim zelliine gre dzenlenmesi gerekmektedir. PV panellerin karakteristiine gre alc sistem tarafndan ekilen gcn akm gerilim oran dzenlenmedii ve/veya kullanlan eviricilerin PV sisteme uygun olmamas yada iyi tasarlanamamas gneten faydalanma miktar azalmaktadr. Bu amala MPPT ilemi yapan eviriciler gelitirilmitir. Gnmzde birok MPPT denetim teknii kullanlmaktadr. Bu teknikler dolayl denetim ve dorudan denetim olarak iki grupta ele alnabilir. Dolayl denetim tekniinde PV k gerek gc srekli olarak hesaplanmaz. Burada referans denetim sinyalinin oluturulmas ilemi PV hcre zelliine

bal olarak belirli aralklarla yada rnekleme hcresi yardm ile modl ak devre gerilimi, modl ksa devre akm, nm iddeti, modl scakl gibi deerlerinin okunmas ile yaplr. Dorudan denetim teknii ile oluturulan sistemler srekli olarak PV k gcn okuyarak gerek MPPT noktasna ulamay salayacak dntrc referans sinyalini oluturur. Dolay denetim yntemleri hzl olmalarna karn PV panel bamldrlar ve gerek MPPT yapamazlar. Dorudan yntemler ise daha yava ancak PV panellerden bamszdrlar. Bu almada dorudan ve dolayl yntem birlikte kullanlarak sistem hz ve verimi artrlmtr. MPPT ve gerilimin uygun seviyelere getirilmesi iin kullanlan g dntrcleri, zorlamal anahtarlama ve akm ile gerilimdeki ani deiimler nedeniyle elektromanyetik giriim (EMI) ve radyo frekansl giriim (RFI) oluumuna neden olurlar. Bu durumu nlemek amacyla birok EMI azaltma yntemleri gelitirilmitir. Grlt yaltm ve bastrma yntemleri ile yumuak anahtarlama tekniklerinin kullanlmas bunlardan bir kadr. Yumuak anahtarlama salamazlar. tekniklerinin uygulanmas kontrol ve g devresinin deiiklik gerekletirilmesini zorlatrd gibi gcn ykseltilmesine fazla bir katk da Ayrca bu yntemler devre yapsnda gerektirmektedirler. Saylan bu olumsuzluklar amak amacyla faz kaydrmal sral eviriciler gelitirilmitir. Sral eviriciler ile devre yapsnda deiiklik yapmadan EMI seviyesi azaltlmakta ve srekli iletim kipinde bir enerji ak salayabilmektedir. Ancak bu yaplar ile ykn az olduu durumlarda verim dklne neden olmaktadrlar. Bu almada verimin ykseltilmesi amac ile dk yklerde tek evirici yksek yklerde ise ikili sral evirici ile allarak verimin ykseltilmesi salanmtr. Ayrca frekans dengelemesi yaplarak giri ve k frekans etkisinden taviz verilmemitir. Bu yaz, ikinci blm PV yaplarn yapsal zellikleri ile gnelenme bilgileri, nc blm MPPT yaplar, drdnc blm DA-DA eviriciler, beinci blm sral eviriciler, altnc blm tasarm ve uygulama, yedinci blm sonu ve neriler olarak dzenlenmitir.

2. GNE PLLER Fotovoltaik (PV) yaplar gneten aldklar enerjiyi elektrik enerjisine dntren elemanlardr. Temelde aldklar enerjinin kk bir ksmn elektrik enerjisine evirebilirler. Sonsuz saylabilecek bir kaynaktan beslenmeleri, atk madde oluturmamalar en nemli tercih sebeplerindendir. 2.1. Fiziksel Yaplar Gnmzde farkl maddelerden ve farkl teknolojilerde birok tipte PV panel retilmektedir. Pahal yar iletkenlerden retilirler. Genelde en yaygn tipi yap vardr. Bunlar, Tekli Kristal Silikon (Mono-Crystalline Silicon) oklu Kristal Silikon (Poly-Crystalline Silicon) nce Film (Thin-Film)

Kristal Silisyum, Galyum Arsenit (GaAs), Amorf Silisyum, Kadmiyum Tellurid (CdTe), Bakr ndiyum Diselenid (CuInSe2) gibi retim maddeleri yaygn olarak kullanlmaktadr.

ekil 2.1. Gne pili iyaps

2.2. alma lkesi PV hcreleri pozitif ve negatif taraf olmak zere iki ksmmdan oluur. Her iki tarafta da son yrngelerinde 4 elektron bulunduran (genelde germanyum ya da silisyum) atomlar bulunur. Ayrca pozitif tarafta 3 elektron, negatif tarafta ise 5 elektron bulunduran atomlar vardr. 5 elektron bulunduran atom elektron vermeye 3 elektron bulunduran atom ise elektron almaya elverilidir.

ekil 2.2. Gne pili temel elektriksel modeli Inm etkisi ile fotonlar PV hcresine arparak elektronlarn hareketini salar, hareketlenen elektron yk zerinden devresini tamamlar. 2.3. PV Panel Verimi PV hcreler gneten aldklar enerjinin tamamn elektrik enerjisine dntremezler. Birim alanda retilen elektrik enerjisinin nm yolu ile gelen enerjiye oran verimi vermektedir. eitli retim tekniklerinde ve deiik maddelerle retilen PV panellerin verimleri her geen gn daha da artarak gnmzde %21 deerine kadar ulamtr [4]. Ayrca younlatrc sistemler (concentrator) kullanlarak PV panel verimleri %35lere kadar ykseltilmitir [3]. 2.3.1. PV yap maliyeti PV panellerden elde edilen enerji maliyeti, hidroelektrik, kmr, petrol, nkleer gibi gnmz yaktlarndan elde edilen enerjiden daha fazladr. Temelde aradaki farkn kayna kurulum maliyetidir. Kurulum maliyetini oluturan unsurlar PV panel, yedekleme niteleri (ak), g dntrcleri,

tama ve ina giderleri olarak sralanabilir. PV sistemin byklne gre ad geen giderlerin arlklar deimektedir. ekil 2.3de 15 kWh/gn iin kurulmu bir sistemin kurulum maliyet oranlarn veren grafik bulunmaktadr [5].

ekil 2.3. PV yap maliyet oranlar PV paneller kurulum maliyetinin en byk bileenidir. PV yaplar

yaygnlatka panel maliyetleri de dmekte bunun sonucu olarak daha ekonomik olmaktadr.

ekil 2.4. PV yap maliyetinin yllara gre deiimi

ekil 2.4de PV panel fiyatlarnn $/W cinsinden yllara gre deiimi ve gelecek yllardaki tahmini sonular veren grafik verilmitir [6]. Buradan hareketle PV sistemlerin yakn gelecekte enerji ihtiyacna olduka ekonomik zmler getirecei sylenebilir. Gneten elde edilen enerjinin birim maliyeti ise kullanlan teknoloji, nm iddeti, gnelenme sresi ve PV hcre cinsine gre 0,15-0,29 $/kWh arasnda deimektedir [2]. 2.4. Inm iddeti PV sistemler gneten aldklar enerjiyi verimleri orannda elektrik enerjisine dntrrler. Bu yzden PV sistemlerinin nm iddeti ve gnelenme srelerinin yksek olduu alanlarda daha verimli ve kullanl olmaktadrlar. Inm iddeti pironometre ile llmektedir. lkemiz, corafi konumu nedeniyle sahip olduu gne enerjisi potansiyeli asndan birok lkeye gre daha elverilidir. ekil 2.5de dnya yllk nm iddetini gsteren harita verilmitir [7].

Resim 2.1. Dnya gnelenme haritas

DMnin 1966-1982 yllar arasnda yapt gnelenme sresi ve nm iddeti verilerinden yararlanarak EE tarafndan yaplan almaya gre Trkiye'nin ortalama yllk toplam gnelenme sresi 2640 saat (gnlk toplam 7,2 saat), ortalama toplam nm iddeti de 1311 kWh/m-yl (gnlk toplam 3,6 kWh/m) olarak tespit edilmitir. Aylara gre Trkiye gne enerji potansiyeli ve gnelenme sresi deerleri ise izelge 2.1'de verilmitir [2]. izelge 2.1. Trkiye'nin aylk ortalama gne enerjisi potansiyeli Aylar Ocak ubat Mart Nisan Mays Haziran Temmuz Austos Eyll Ekim Kasm Aralk Toplam Ortalama Aylk toplam gne enerjisi Kcal/cm2-ay 4,45 5,44 8,31 10,51 13,23 14,51 15,08 13,62 10,60 7,73 5,23 4,03 112,74 308 cal/cm2-gn kWh/m2-ay 51,75 63,27 96,65 122,23 153,86 168,75 175,38 158,40 123,28 89,90 60,82 46,87 1311 3,6 kWh/m2-gn Gnelen. sresi (Saat/ay) 103,0 115,0 165,0 197,0 273,0 325,0 365,0 343,0 280,0 214,0 157,0 103,0 2640 7,2 saat/gn

Trkiye'nin en fazla gne enerjisi alan blgesi Gney Dou Anadolu Blgesi olup, bunu Akdeniz Blgesi izlemektedir. Gne enerjisi potansiyeli ve gnelenme sresi deerlerinin blgelere gre dalm izelge 2.2de verilmitir.

10

izelge 2.2. Trkiye gne enerjisi potansiyelinin blgelere gre dalm Blge Toplam
2

Gne

Enerjisi Gnelenme (Saat/yl) 2993 2956 2664 2628 2738 2409 1971

Sresi

(kWh/m -yl) G.D. Anadolu Akdeniz Dou Anadolu Anadolu Ege Marmara Karadeniz 1460 1390 1365 1314 1304 1168 1120

Ancak, bu deerlerin, Trkiyenin gerek potansiyelinden daha az olduu, daha sonra yaplan almalar ile anlalmtr. 1992 ylndan bu yana EE ve DM, gne enerjisi deerlerinin daha salkl olarak llmesi amacyla enerji amal gne enerjisi lmleri almaktadrlar. Devam etmekte olan lm almalarnn sonucunda, Trkiye gne enerjisi potansiyelinin eski deerlerden %20-25 daha fazla kmas beklenmektedir [2]. EEnin l yapt 8 istasyondan alnan yeni lmler ve DM verileri yardm ile 57 ile ait gne enerjisi ve gnelenme sreleri deerleri hesaplanarak bir kitapk halinde baslmtr [2]. 2.5. PV Sistem Kullanm Alanlar ve Trkiyeki Durum PV sistem k elektrik enerjisi olduundan elektrikle alan uygun gteki her trl alclarla alabilir. Gne pilleri, halen elektrik ebekesinin olmad, yerleim merkezlerinden uzak yerlerde ekonomik ynden uygun olarak kullanlabilmektedir. Genelde otoyol aydnlatma, otoyol sinyalizasyon, park bahe aydnlatma, uzay uygulamalar, su pompalama, ev ve kk iyerleri tipi sistemlerde kullanlmaktadr. Genel olarak gn boyunca alclar besleyerek ihtiya fazlas enerjiyi aklerinde depolayarak gerektiinde alc sisteme aktaracak ekilde

11

tasarlanrlar. ebeke ile paralel alan ve ebekeye enerji gnderebilen sistemler son yllarda nem kazanm ve geni uygulama alan bulmutur. Bahsi geen uygulamalar dnda otomobil, sera stma gibi eitli uygulamalarda da almalar yaplmaktadr. lkemizde halen Telekom istasyonlar, Orman Genel Mdrl yangn gzetleme istasyonlar, deniz fenerleri ve otoyol aydnlatmasnda kullanlan gne pili kurulu gc 300 kW civarndadr. Gne enerjisi aratrma ve gelitirme konularnda EE'nin yannda Tbitak Marmara Aratrma Merkezi ve niversitelerde almalar yapmaktadr. Yine aratrma amacyla Gazi niversitesi Teknik Eitim Fakltesi Elektrik Eitimi Blmnde ebeke etkileimli alabilen 2,59 kW kurulu gcnde PV sistem kurulmutur. Gne enerjisi verilerinin llmesi konusunda Devlet Meteoroloji leri Genel Mdrl faaliyet gstermektedir. EE 1991 ylndan bu yana kendi gne enerjisi gzlem istasyonlarn kurmaktadr. Gne enerjisi ile ilgili standartlar hazrlanmas konusunda Trk Standartlar Enstits; TS 3680-Gne Enerjisi Toplayclar-Dz TS 3817-Gne Enerjisi Su Istma Sistemlerinin Yapm, Tesis ve letme Kurallar konulu standartlar hazrlamtr. Ancak bu standartlar termal sistemlere yneliktir. 2.6. PV Hcre Elektriksel Modeli Gne pilleri p-n yar iletkenlerinin ince bir katman haline getirilerek birletirilmesinden oluur. Karanlkta PV hcre k I-V karakteristii diyot

12

karakteristiine ok benzer. Ia maruz kaldnda fotonlar sayesinde elektron hareketi dolays ile akm salanr. PV panel ksa devre edildiinde bu akm harici yk zerinden, ak devre halinde brakldnda ise bu akm karakteristik p-n bileimli diyot zerinden devresini tamamlar [8]. Gne pilleri ekil 2.5deki gibi bir akm kayna, akm kaynana paralel bal diren ve diyot, oluan yapya seri bal bir diren ile ifade edilirler [9].

ekil 2.5. Gne pili elektriksel edeer modeli Ayrca devre matematiksel modeli E. 2.1 ile ifade edilebilir. lgili model ekil 2.6da verilmitir.
q (V O +IH .RS ) A.k.T

IH = IPH IO.(e

1)

VO + IH .RS RP

(2.1)

RS direnci ok kk bir direntir. RP direnci ise byk deerdedir. Bu diren deerlerini en yksek g noktas (MPP) iin hesaplamak mmkndr. Bu ilemi yapabilmek iin modl edeer devresinden yararlanlr. retici firmadan alnan bilgi yapraklar deerleri modl edeer devresinde kullanlarak yap deikenleri bulunur [9].

ekil 2.6. En yksek g noktasndaki edeer devre modeli

13

Edeer devreden hareketle RPM ve RSM deerleri E. 2.2 ve E. 2.3 yardm ile bulunabilir.

R SM =
R PM =

VOC VSC I MPP

VOC I SC I MPP

(2.2)

(2.3)

PV panel reticileri modle ait deerleri 25 C ve gne nm iddeti 1000 W/m2 iken yaplan testler sonucunda olutururlar. Bu artlar altnda modl ak devre gerilimi (VOC), ksa devre akm (ISC), MPP akm (IMPP) ve MPP gerilimi (VMPP) deerleri alnarak modl bilgi yapraklar oluturulur. PV panellerin k zellii retim teknii, nm, scaklk, besledii yk gibi deikenlerden etkilenir. Bu deikenlerin PV k gcne olan etkisini gsteren bilgisayar ortamnda hazrlanm bir dizi grafik ekil 2.7 ekil 2.11de verilmitir [8].

ekil 2.7. Modl akm geriliminin deiiminin A katsays ile deiimi

14

ekil 2.8. Modl akm ile geriliminin Rs direnci ile deiimi

ekil 2.9. Modl akm ve geriliminin nm iddeti ile deiimi

15

ekil 2.10. Modl akm ile geriliminin scaklkla deiimi

ekil 2.11. Modl en fazla g erisi 2.7. PV Sistem Verimini Etkileyen Faktrler Gne n elektrik enerjisine evirirken verimi etkileyen birok etken vardr. Bu etkenlerden bir ksm iyiletirilebilse de (rnein panel as) modl zelliine bal olanlar deitirilemez. Gneten alnan enerjinin PV kna iletilmesi esnasnda meydana gelen kayplar ekil 2.13de gsterilmitir [10].

16

ekil 2.12. PV modl deikenlerinin ka etkisi 2.8. PV Modl Performansnn Yllara Gre Deiimi PV sistemler temiz, sessiz, bakm gerektirmeyen, sistemler olsalar da kurulum maliyetlerinin ykseklii ve yllara gre performanslarnda meydana gelen dmeler olumsuz etkileri olarak saylabilir. Yaplan aratrmalar 11 yl sonunda PV modl verimi ve z deerlerinde meydana gelen deiimin modl gcn %4,39 ve ksa devre gerilimini %6,38 orannda drdn gstermektedir [11]. izelge 2.3. PV modl deikenlerinin yllara gre deiimi Deiken PMAX (W) VOC (V) ISC (A) RS (Ohms) RP (Ohms) ekt (V-1) VMPP (V) IMPP (A) 1990 Ana deer 39,88 18,19 3,29 0,347 171 0,709 13,9 2,88 Stand.sap. 0,849 0,131 0,044 0,115 39,2 0,125 0,20 0,033 2001 Ana deer Stand.sap. 38,13 18,15 3,08 0,384 115 0,896 14,2 2,69 1,67 0,108 0,120 0,184 48,7 0,26 0,33 0,111 % Deiim -4,39 -0,22 -6,38 10,66 -32,75 26,38 2,16 -6,60

17

2.9. Sonu lkemizde ve dnyada her geen gn enerji ihtiyac artarken gnmz enerji kaynaklar yeterli gelmemeye balamtr. eitli evresel etkilerinden dolay nkleer enerji tercih edilmemekte, fosil yaktlar tkenmekte, dier kaynaklar ise artan enerji talebini karlayamamakta sonuta dnya bir enerji darboazna doru gitmektedir. Gne sonsuz diyebileceimiz bir enerji kaynadr. Trkiye gnelenme iddeti ve sresi bakmndan uygun corafi konumdadr. Bu kaynaktan yararlanmann eitli yollar olmakla birlikte burada ilgilenilen ksm elektrik enerjisine evirerek faydalanmak olmutur. Ancak gne enerjisini elektrik enerjisine evirme ileminin dier faydalanma metotlarna gre verimi dk maliyeti yksektir. Ayrca gne pilleri uygun akm ve gerilimde daha kullanl olmaktadr. Bu amala genellikle PV k DA-DA eviriciye uygulanarak uygun artlarda en fazla g retilmeye allmaktadr. nc blmde PV kndan en yksek dzeyde faydalanabilmek amac ile kullanlan MPPT metotlar hakknda bilgi verilecektir.

18

3. MPPT TEKNKLERNN KARILATIRILMASI MPPT PV panel kndaki g dntrcsnn denetim yapsdr. PV panel verimleri gnein verebilecei enerjiyi elektrik enerjisine dntrlebilme oranlar ile ifade edilirler. Bu deer pil kalitesine ve yapsna bal olarak %16-21 arasndadr. Fakat pillerin karakteristik zelliinden dolay akm gerilim oran dengelenmediinde bu verim oran dmektedir. Dolays ile kstl enerjiyi etkili bir ekilde aktarmak gnmz aratrmaclarnn ilgi oda olmutur. MPPT denetim teknii PV panelleri verimlerinde kullanlmasn salayan bir yntemdir. Bu yntem pilin verdii enerjinin en yksek olduu noktay yakalayan bir denetim yapsdr. Bu nokta ma, scaklk, PV panel eimi, PV panel yalanmas gibi deikenlerle deiir. Bu ilemi gerekletirebilmek iin denetim mekanizmas denetim tekniine bal olarak PV panel deikenlerini deerlendirip g dntrcsnn referansn gcn en yksek olduu noktaya ulamay salayacak ekilde deitirir. MPPT ilemi sayesinde elde edilen enerji kontrolsz olarak alnan enerjiye oranla %45ler civarnda artrlabilmektedir [12].

ekil 3.1. MPPT ve MPPT olmadan retilen enerjilerin karlatrmas k gc nm ve scakla bal olarak yalnzca uygun akm-gerilim deerinde en yksek deere ular. Deiik atmosfer koullarnda en fazla

19

PV k gc noktas (MPP) srekli olarak deiecektir. Enerji dnm ileminin verimli ve etkili olabilmesi amac ile PV knda denetimli g dntrcleri kullanlm ve bu dntrcler deiik teknikler ile denetlenmitir. Gnmzde birok MPPT denetim teknii kullanlmaktadr. Bu denetim teknikleri dolayl denetim ve dorudan denetim olarak iki ana grupta ele alnabilir. Dolayl denetim tekniinde PV k gerek gc srekli olarak hesaplanmaz. Burada referans denetim sinyalinin oluturulmas ilemi PV hcre zelliine bal olarak belirli aralklarla yada rnekleme PV hcresi yardm ile modl ak devre gerilimi, modl ksa devre akm, nm iddeti, modl scakl gibi deerlerinin okunmas ile yaplr. Dorudan denetim teknii ile oluturulan sistemler srekli olarak PV k gcn okuyarak nceki k gc ile karlatrp MPPT noktasna ulamay salayacak dntrc referans sinyalini oluturur. Bu ksmda gnmze kadar yaplan kullanl MPPT denetim teknikleri hakknda bilgi verilecektir. 3.1. Dolayl denetim Dolayl denetim teknii PV karakteristiine dayal olarak deneysel sonularla oluturulmu tablolar, modl ak devre gerilimi, modl ksa devre akm, nm iddeti, modl scakl gibi deerleri direkt yada matematiksel eitlikler yardm ile kullanarak MPPT noktasn tahmin etmeye dayal bir yntemdir. Bu yntemle yaklak MP noktas bulunur. 3.1.1. Sabit gerilim metodu Sabit gerilim (CV) dier ismi ile ak devre gerilim metodu PV panel ak devre gerilimini referans alan bir metodudur. Aratrmalar VMPPT geriliminin VOC geriliminin dorusal bir fonksiyonu olduunu gstermektedir. Bu deer retim teknii, evresel koullar gibi etkenlere bal olarak polykristal

20

modllerde ortalama VOC geriliminin %73-80 civarndadr [5, 13, 14]. Daha genel bir ifade ile,

k = VMPPT / VOC sabit

(3.1)

olarak ifade edilebilir. Burada k sabiti deimediinden MPPT gerilimi (VMPPT) ak devre gerilimi (VOC) yardm ile kolaylkla bulunabilir. rnekleme ilemi k yk devrede deilken VOC geriliminin okunmas ile gereklenir. Sk rnekleme MPPT ileminin hassas bir ekilde srdrlmesini, dolays ile hata orann azaltacaktr. Sabit gerilim metodu olduka basit, karmak devreler gerektirmeyen, ucuz ve kullanl bir yntemdir. Ancak referans iareti oluturabilmek iin gereken VOC gerilim bilgisini okuyabilmek iin PV modlden yk ayrma gerekliliinin ykler iin sorun tekil etmesi, bu esnada gne enerjisinden faydalanlamamas, gerek MPPT ileminin srdrlememesi olumsuz etkileridir. Sistem gvenirlilii ve yklerin devreden karlmasn nlemek amac ile ayn zellikte bir hcre rnekleme eleman olarak kullanan sistemlerde mevcuttur. Bu durumda bir hcre srekli devre d kalmaktadr.

21

ekil 3.2. Sabit gerilim metodu ak diyagram 3.1.2. Sabit akm metodu Sabit akm (CC) dier ismiyle ksa devre akm metodu sabit gerilim metoduna ok benzer. PV modl MPPT akm (MPPT) ksa devre akm (SC) ile orantsal bir iliki ierisindedir. Bu deer retim teknii ve evresel koullara bal olarak deimekle birlikte %85ler civarndadr [14]. Ksa devre akm ile MPPT akm arasndaki orantsal k sabiti scaklk ve nm deiikliinde korunur. Ksa devre akm ile MPPT akm arasndaki bant E. 3.2 ile ifade edilebilir [15].

I MPPT ( E ) = k 2 ISC ( E )

(3.2)

E. 3.2 kullanlarak MPPT akm ksa devre akmnn llmesi ile bulunur ve E. 3.3deki akm denetimli dntrcnn referans iareti oluturulur.
I REF = I MPPT

(3.3)

22

Ksa devre akm metodu basit ve karmak devreler gerektirmeyen yapda olmasna ramen ksa devre akmnn llmesi gereklilii, bu esnada enerji kayb, k2 sabiti belirleme ilemi ve panel yzeyinde meydana gelebilecek kirlilik v.b. sebeplerden kaynaklanan k2 sabiti sapmalar bu yntemin olumsuz etkilerindendir. Sistem ak diyagram ise sabit gerilim metodunda olduu gibidir. 3.2. Dorudan denetim Dorudan (online) denetim metodu PV gerilim ve/veya akm deerlerini kullanr. alma noktalarnn deitirilmesi ile en uygun nokta yakalanmaya allr. Bu yntemin en nemli avantaj PV rete karakteristii, scaklk, nm iddeti gibi deikenlerden uygun noktann yakalanmas asndan etkilenmemesidir. 3.2.1. Deitir-gzle metodu

ekil 3.3. Deitir-gzle yntemi ile denetlenen evirici En sk kullanlan metotlardan biridir. Deitir-gzle (P&O) ynteminde PV k gc srekli olarak izlenir ve kontrol deikeninin hareketi ile gcn hareketi arasnda bir bant kurularak referansn azaltmasna ya da artrlmasna karar verilir. P&O algoritmas tepeye trmanma (hill-climbing) algoritmas ad ile de anlr. G hesaplanarak g dntrc darbe genilik oran gc artracak ekilde deitirilir. P&O algoritmalar kolayca saysal devrelerle uygulanabilir. Akm ve gerilim deerlerini okumak MP noktasn bulmak iin yeterli olacaktr.

23

PV panelin k gc ve referans deikeninin hareketi hakknda temel yarglar aadaki izelgede verilmitir [16]. izelge 3.1. Deitir-gzle deiim verileri Referans deiimi Pozitif Pozitif Negatif Negatif Gteki deiim Pozitif Negatif Pozitif Negatif Sonraki ref. Deiim Pozitif Negatif Negatif Pozitif

izelge 3.1de verilen tablo darbe oranna gre gcn deiimini esas alarak oluturulmutur. P&O MPPT algoritmas gce gre gerilim ya da gce gre akm deiimi esas alnarak da uygulanabilir. Kyaslama ilemi sonucunda MP noktasna ulalmay salayacak bir sonraki darbe genilik oranna karar verilir. Atmosferik koullarn hzla deiimine kar tepkisinin yava olmas ve ani deiimlerde MP noktasn yanl ynde arama gibi zayflklar mevcuttur. Sistem srekli olarak deitir gzle ilemini yaptndan MP noktasna ulatnda burada sabitlenmez. MPP civarnda srekli olarak osilasyon yapar ve sistemde bir miktar g kayb olur [17]. 3.2.2. Artan iletkenlik metodu ekil 3.4de artan iletkenlik (IC) yntemi alma kouluna ait grafik verilmitir [18]. Artan iletkenlik metodunun temeli PV panel k gc eiminin 0 olduu yeri MPP, pozitif olduu yeri MP noktasnn solu, negatif olduu yeri MP noktasnn sa olarak belirlemesine dayaldr [16].

24

ekil 3.4. Artan letkenlik algoritmas alma erisi. ekil 3.4de verilen eri artan iletkenlik algoritmasnn temelini oluturur. Bu eriden yararlanlarak E. 3.4deki eitlikleri yazmak mmkndr,
dP / dV = 0 MP noktasnda,
dP / dV > 0 MP noktasnn solunda,

dP / dV < 0 MP sanda,

(3.4)

E. 3.4 kullanlarak E. 3.5 yazlabilir:

dP / dV = d( IV) / dV = I + V dI / dV I + V I / V E. 3.5 yeniden dzenlenirse,

P / V = I / V MP noktasnda,

(3.5)

P / V > I / V MP noktasnn solunda,

P / V < I / V MP sanda,

(3.6)

eitlikleri elde edilir [16]. IC metodunun en nemli avantaj hzl deien atmosferik koullara uyum salayabilmesi ve MP noktasnda meydana gelen osilasyonun P&O

25

metodundan ok daha az olmasdr. nceleri hesap ilemleri fazla zaman aldndan tepki hzlar yava idi. Gnmzde ise dijital teknolojilerin hzl geliimi bu olumsuz etkiyi kaldrm durumdadr. Ancak IC kontrol metodu ile denetlenen devreler biraz daha karmak ve pahaldr. Verimleri ise P&O yntemi ile yaklak olarak ayn fakat CV ynteminden daha yksektir [19].
3.3. Dier metotlar

Yukarda en yaygn MPPT metotlar sralanmtr. Bunlardan baka birok MPPT metodu bulunmaktadr. Aada bu metotlara ksaca deinilmitir. Eri uyarlama metodu PV hcresi edeer devresi ve retici verilerinden yararlanlarak sistem modeli matematiksel denklem ya da yaknsama metotlar ile oluturulur. Ancak oluturulan yap karmak olduundan analog veya sradan saysal devrelerle gerekletirilmesi olduka zordur. Bir dier sorun ise deiik nm ve yalanma etkilerinde parametrelerin doru olarak bulunamayndan kaynaklanan sapmadr [14]. Tablodan okuma metodu PV panelden okunan akm ve gerilim bilgisi daha nceden saklanan verilerle karlatrlarak MPPT noktasna ulalacak hareket hakknda bilgi edinilir. Bu bilgi ile g dntrcsnn referans iareti belirlenir. Depolama nitesi tm atmosferik koullar iin bilgi bulundurmaldr. Ayrca bu deerler farkl PV panel eitlerinde yeniden oluturulmaldr. Parazitik kapasite metodu Artan iletkenlik metoduna benzer yapdadr. Fakat PV k kapasitesi CPVnin ileme dhil edilmesi ile gerekletirilir. Denetim devresi yapsnn karmak olmas ve algoritmasndaki matematiksel ilemlerin fazlal metodun zayf ynlerindendir.

26

Sadece akm metodu Ksa devre akm metodundan farkl olarak sadece PV panel akmnn llmesi ile gerek MP noktas bulunabilir. Burada IMPPT E. 3.7deki gibi gcn bir fonksiyonu olarak ifade edilir [20].
I MPPT = f ( PMPPT )

(3.7)

Sadece akm okuyarak gerek MP noktasn yakalamas, hzl deien atmosferik koullara uyum salayabilmesi olumlu ynlerindendir. Bulank mantk ve yapay sinir alar metotlar Son yllarda kullanlmaya balayan metotlardandr. Ar matematiksel modellemeler gerektirmezler. Hzl deien atmosferik koullara uyum salayabilirler. Ancak sistemin baars tasarmcnn kabiliyeti ile snrldr. Hata iareti katsaylar doru belirlenmediinde olumsuz sonulara yol aabilir [16]. Blm 3.13.3 ierisinde ad geen metotlardan baka benzer metotlarda bulunmaktadr. deinilmemitir.
3.4. Denetim Metodlarnn Karlatrlmas

Detaylar

amacn

dna

tatndan

bu

metotlara

Dolayl denetim metotlar basit yapl ve maliyet ynnden avantajl olmalarna karn genelde MP noktasn doru bir ekilde takip edemezler. Ayrca rnekleme esnasnda yklerin devreden kartlmas ve bu sre zarfnda enerjinin kullanlamamas gibi zayflklar mevcuttur. nceleri kullanl yntemler snfnda olsalar da gnmzde saysal elektroniin geliimi ve yksek hzl mikro denetleyicilerin retilmesi dorudan denetim teknii uygulanabilen sistemleri n plana karmtr. Dolayl denetim metotlar maliyetinin dk olmas sebebi ile halen kk gl sistemler iin kullanl yntemler snfndadr.

27

Dorudan denetim teknii ile denetlenen sistemler atmosferik koullar, yalanma gibi dolayl denetim tekniinin etkilendii deikenlerden etkilenmez, MP noktasn doru bir ekilde takip ederler. Ancak sistem maliyeti ve denetim devreleri biraz daha karmaktr. Bu yzden orta ve byk gl sistemler iin uygundur. izelge 3.2de denetim yntemlerinin verim ynnden (MPPT)

karlatrlmasna ait grafik verilmitir [19]. izelge 3.2. MPPT verimleri Atmosfer. Durumu Ak Ksmen bulutlu Bulutlu Hepsi Benzetim De. Gz. (P&O) Gn 20 14 9 43 99.3 MPPT 98.7 96.5 98.1 97.8 Artan letken. (IC) Gn 17 11 11 39 99.4 MPPT 98.7 97.0 96.7 97.4 Sabit Voltaj (CV) Gn 20 10 6 36 93.1 MPPT 90.4 90.1 93.1 91.2

28

izelge 3.3de ise MPPT algoritmalarnn yaplar ile ilgili karlatrmalar verilmitir [16]. izelge 3.3. MPPT tekniklerinin temel zellikleri
PV MPPT teknii Deitir Gzle (P&O) Artan letkenlik (IC) Ak devre Gerilim (VOC) Ksa devre Akm (ISC) Bulank Mantk Kontrol Yapay Sinir Alar DA Bara Kapasite Dm Hayr Hayr D&A Hayr Orta Dk Gerilim Evet Evet D Evet Hzl Yksek Deiken Evet Evet D Evet Hzl Yksek Deiken Evet Hayr D&A Evet Orta Orta Akm Evet Hayr D&A Evet Orta Dk Gerilim Hayr Evet D Hayr Deiken Orta Hayr Evet D&A Hayr Deiken Dk panel bamll Akm, Gerilim Gerek MPPT? Analo & Saysal? Periyodik ayar ? zleme hz Karmak ? Gerekli bilgi

Akm, Gerilim

3.5. Sonu VMPPT gerilimi, VOC geriliminin dorusal bir fonksiyonu olduu ve bir k sabiti ile

bulunabilecei blm 3.1.1de aklanmt. Uygulanan sistem iin bu sabit 0,77 olarak llmtr.

29

Bu almada hibrit bir MPPT sistemi nerilmektedir. Balang annda dolayl yntem olan CV yntemi, MP noktasna ulaldnda P&O yntemi uygulanmtr. P&O yntemi CV yntemine gre daha yava olmasna ramen daha yksek verimli ve daha kararl bir alma salar [19]. nerilen alma yntemi ile balama annda CV yntemi ile MP noktasna yaklam hz artrlr, MP noktasna yaklaldnda ise P&O yntemine geilerek sistemin kararll ve verimi artrlr. nerilen sistemde sabit gerilim metodu geici durumda almaktadr. CV metodu ile yaklak MP noktas bulunduktan sonra, P&O yntemi ile allmaya devam edilir. Okunan g deeri bir nceki g deeri ile karlatrlr. Daha sonra eviricinin bir nceki darbe genilik oran (PWM) ile gncel PWM karlatrlarak gcn en yksek olduu noktaya erimek iin yaplmas gereken ileme karar verilir. Bu ilem, alma sresince koruma durumlar haricinde srekli olarak almaktadr. Yke aktarlacak gcn artrlmas evirici k gerilimin artrlmasyla, gcn azaltlmas ise yine k gerilimin azaltlmas ile salanmaktadr.

30

4. DA-DA EVRCLER

Giriindeki DA bir seviyeyi baka bir DA seviyeye dntren sistemlerdir. dealde pasif elemanlar bulundurup enerji dnm ilemini kaypsz olarak yaparlar. Gerekte ise verimleri %70 ile %95 arasnda deiir [21]. DA-DA dntrcler yapsal olarak izoleli ve izolesiz olmak zere iki ana grupta incelenebilir. Her iki grupta da deiik glerdeki azaltan (buck) ve artran (boost) ya da her iki ilemi birlikte yapan azaltan-artran (buck-boost) yaplar grmek mmkndr. alma koullarna gre DA-DA eviriciler srekli kip (iki durumlu) ve kesintili kip ( durumlu) olmak zere iki alma kipinde alrlar. Azaltan, artran ve azaltan-artran eviricinin endktans deeri kritik deerden byk olduunda srekli kip ve endktans deeri kritik deerden kk olduunda kesintili kipte alrlar [22].
4.1. zolesiz eviriciler

zolesiz eviriciler grubunda temelde yap vardr. Bunlar azaltan, artran, azaltan-artran olarak sralanr. Ayrca SEPIC ve CUK eviricilerde azaltanartran eviriciler grubundadr.
4.1.1. Azaltan eviriciler

Azaltan eviriciler giriindeki gerilimden daha kk gerilimi kna aktarr. ekil 4.1de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu anlardaki devre deikenlerine ait grafikler verilmitir [23].

31

ekil 4.1. Azaltan evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga ekilleri

32

zolesiz yapdadrlar. Anahtarn iletimde olduu anda iL akm L bobini zerinden k besler. Ancak bu srada geen akmla orantl olarak bobinde bir enerji depolanr. D diyotu ise ters polaritededir. Anahtar kesimde iken L bobini zerindeki enerji yk ve D diyotu zerinden devresini tamamlayacaktr. Bylece kta enerji sreklilii salanacaktr. Bobin depolama kapasitesine gre k akm srekli ya da sreksiz formda olabilir. Devredeki C kapasitesi ise k gerilimini szme grevini stlenir. k kondansatrnden ekilen akm kktr. Ancak g anahtar bozulmalarnda (ksa devre) giriteki yksek gerilim seviyesi aynen kta grlr. Buda kritik ykler iin tehlikeli olabilir. Kaynaktan darbeli akm ekerler. k gerilimi ekil 4.2de gsterildii gibi anahtarn iletimde ya da kesimde olma sresi ile dorusal ilikilidir [21].

ekil 4.2. Azaltan evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran (duty cycle) olmak zere E. 4.1- E. 4.6 yazlabilir[23]; VO = VA = D.VIN
IL = IO = VO R

(4.1) (4.2) (4.3)

VIN I IN = VO .IO

33

I IN = D.Il = D.IO
i C ( t ) = I L,Da lg a ( t ) I L,Kritik = VIN D(1 D) 2LfS

(4.4)
(4.5)

(4.6)

4.1.2. Artran eviriciler

Artran evriciler giri gerilimini ka artrarak aktaran izolesiz yaplardr. ekil 4.3de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23]. Anahtar iletime getiinde kaynak gerilimi bobin ve anahtar zerinden devresini tamamlar. Bu srada bobin zerinde bir miktar enerji depolar. Bu srada D diyotu ters polaritede olup, ktaki yk C kapasitesi besler. Kondansatrn akm yksek deerlerdedir. Anahtar kesime getii anda kaynak gerilimi ile bobin zerindeki gerilim toplam bir gerilim kta grlr. Kaynaktan srekli akm ekilir. Anahtar bozulmalarnda (ak devre durumu) giriteki dk gerilim seviyesi kta grlr. Bu ise ykler iin bir tehlike oluturmaz.

34

ekil 4.3. Artran evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga ekilleri

35

k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki ilikiyi gsteren grafik ekil 4.4te verilmitir [21].

ekil 4.4. Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran olmak zere E. 4.7- E. 4.12 yazlabilir [23];
VO 1 = .(VO VIN ) VIN 1 D
i L = VIN V VIN (1 D)TS DTS = O L L

(4.7)

(4.8) (4.9)

VIN .I IN = VO VIN
I L = I IN = VO I 1 VO IO = O = VIN 1 D 1 D R

(4.10) (4.11)

i C ( t ) i D,da lg a ( t ) = i D I O
I L,Kritik = VIN D 2Lf S

(4.12)

Kaynaktan ekilen akmdaki dalgalanma bobinin deeri ile ilikilidir. Arzu edilen kklkteki dalgack uygun bobin deeri ile salanabilir.

36

4.1.3. Azaltan-artran eviriciler

Azaltan ve artran eviricilerin ilevsel birlikteliinden oluur. Darbe genilik orannn toplam periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda azaltan evirici kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici kipinde alr. k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki ilikiyi gsteren grafik ekil 4.5de verilmitir [21].

ekil 4.5. Azaltan-Artran evirici k DA seviyesinin Dye gre deiimi

37

ekil 4.6. Azaltan-Artran evirici yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde c) Dalga ekilleri

38

ekil 4.6da temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23]. D anahtar iletimde kalma sresinin periyot sresine oran D olmak zere E. 4.13 E. 4.20 yazlabilir [23];
Vo D = VIN 1 D
i L = VIN V D.TS = O (1 D).TS L L

(4.13)

(4.14) (4.15) (4.16)

I L = I IN + I O VIN .I IN = VO .I O
I IN = VO D IO = IO 1 D VIN

(4.17)

I L = I IN + I O =

1 1 VO IO = . 1 D 1 D R

(4.18)

i C ( t ) i D,rip ( t )
I L,Kritik = VIN D 2Lf S

(4.19)

(4.20)

Azaltan artran eviriciler kaynaktan kesintili akm eker. Ayrca k kondansatr akm yksektir. G anahtar bozulmalarnda (ksa devre) giriteki yksek gerilim seviyesi aynen kta grlr. Buda kritik ykler iin tehlikeli olabilmektedir.
4.1.4. SEPIC eviriciler

Azaltan-artran eviriciler grubundadrlar. Darbe genilik orannn toplam periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda azaltan evirici kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici kipinde alr. ekil 4.7de temel devre topolojisine ait grafikler verilmitir [23].

39

ekil 4.7. SEPIC evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki iliki azaltan artran eviricide olduu gibidir. Giri gerilimi ile k gerilimi arasndaki iliki E. 4.21- E. 4.22de verilmitir [23]. D.VIN = (1 D)VO
VO D = VIN 1 D

(4.21) (4.22)

40

4.1.5. Cuk eviriciler

Azaltan-artran eviriciler grubundadrlar. Darbe genilik orannn toplam periyoda oran 0,5 deerinden kk olduu durumlarda azaltan evirici kipinde, 0,5 den byk olduu durumlarda ise artran evirici kipinde alr. ekil 4.8de temel devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23,24]. k gerilimi ile giri gerilimi arasndaki iliki azaltan-artran eviricide olduu gibidir. C1 kapasitesi yk ka aktarmada ana elemandr. Giri gerilimi ile k gerilimi arasndaki iliki E. 4.23- E. 4.25 aada verilmitir [23]. D.IO = (1 D).I IN I IN D = IO 1 D
VO D = VIN 1 D

(4.23) (4.24)
(4.25)

41

ekil 4.8. CUK evirici temel yaps, akm ve gerilim dalga ekilleri a) Devre yaps b) Anahtar iletimde c) Anahtar kesimde d) Dalga ekilleri

42

4.2. zoleli eviriciler

Elektriksel izolasyonun gerektii ve/veya yksek glerde giri ile k arasndaki dntrme orannn yksek olduu uygulamalar iin kullanldr. Ancak elektriksel izolasyon trafo gibi bir yap gerektirdiinden maliyet art nedeniyle elverisizdir.
4.2.1. apraz (flyback) eviriciler

ekil 4.9. Fly-back evirici a) Devre yaps b) Dalga ekilleri ekil 4.9da apraz evirici devre topolojisi ile anahtarn iletimde ve kesimde olduu anlardaki devre parametrelerine ait grafikler verilmitir [23]. Bir veya birden ok izole k gerektiinde ve kn kontrol tek bir kanaldan yaplmak istenildiinde bu topoloji uygun bir seimdir. Dk glerde

43

kullanldrlar. Giri gerilim band olduka geni olabilmektedir. Ancak g anahtar seiminde giri geriliminin 2 katndan daha byk gerilimde alabilen anahtar seilmelidir. k says istee bal olarak oaltlabilir. Bu durumda klardan bir tanesi kontrol devresinin geri besleme iareti olarak kullanlr. D, anahtarn iletimde kalma sresinin periyoda oran olmak zere giri ve k gerilimi iin E. 4.26 yazlabilir[23];
Vo N 2 D = Vin N 1 1 D

(4.26)

N2/N1 katsays dnda azaltan-artran eviricilerle dntrme oran ile ayndr. Ayrca ok kanall yaplarda gerilim reglasyonu iyi deildir.
4.2.2. tme-ekme (push/pull) eviriciler

zoleli eviriciler grubundadrlar ve genellikle yksek glerde kullanlrlar. E. 4.20de temel devre topolojisine ait grafikler verilmitir [25].

ekil 4.10. tme-ekme evirici T1 ve T2 anahtarlar sral olarak alp kapanr. Bu durumda sekonder taraf anahtarlama frekansnn iki kat bir alma frekans ile alm olur. ki

44

anahtarn anahtarlama zamanlar arasnda l zaman braklmaldr. Giri ile k arasndaki bant E. 4.27 ile bulunabilir.
VO = 2 DVIN N

(4.27)

Simetri problemleri ile karlalabilmektedir. Uygun PWM denetimi ile bu sorun giderilebilir. Srme devresi tasarm g anahtarlar ayn referans paylatklarndan kolayca yaplabilir.
4.2.3. Yarm kpr (half bridge) eviriciler

tme/ekme yapsdr. T1 ve T2 anahtarlar sral olarak alp kapanr. Kapasiteler giri gerilimini ikiye bler. E. 4.11de temel devre topolojisine ait ema verilmitir [23].

ekil 4.11. Yarm kpr evirici Anahtarlarlarn ortak referans noktalar yoktur. Bu yzden srme devresi iin ayr kaynaklara ihtiya duyulmaktadr. Ayrca srme esnasnda ksa devreye mahal vermemek iin asla iki anahtar ayn anda iletimde olmamaldr. Giri ile k arasndaki bant E. 4.28 ile bulunabilir.

45

VO =

VIN .D N

(4.28)

4.2.4. Tam kpr (full bridge) eviriciler

tme/ekme yapsdr. Birok eleman iermesi sebebi ile kk glerde kullanl deildir. T1,T2 ve T3,T4 anahtarlar sral olarak alp kapanr. ekil 4.12de temel devre topolojisine ait ema verilmitir [23].

ekil 4.12. Tam kpr evirici Ayn koldaki anahtarlar ayn anda iletime sokulmamaldr. Giri ile k arasndaki bant E. 4.29 ile bulunabilir.
VO =
2VIN .D N

(4.29)

4.3. Dier eviriciler

DA-DA evirici topolojilerinden bazlar blm 4.1 ve 4.2de aklanmtr. Gerek yapsal farkllklar gerekse anahtarlama tekniklerinin (sfr akm ya da sfr gerilim) farkllamas ile birok yap ortaya kmaktadr. Bunlar; Tek ya da ift anahtarl forward eviriciler

46

ift anahtarl Fly-back eviriciler. iftli artran (Double boost) eviriciler. Sfr akm ya da sfr gerilim anahtarlamal eviriciler.

olarak sralanabilir.
4.4. eviricilerin Karlatrlmas

Yukarda

birok

evirici

topolojisine

deinilmitir.

Gne

pillerinde

kullanlacak topoloji seiminde pil karakteristii, kontrol kolayl, ebat, gvenilirlik ve sistem maliyeti gibi parametreler sistem tipini belirleyen en nemli parametrelerdir. Ayrca gerekli bileenlerin dk ebat, gerilim ve akmda olmas kullanll artrmaktadr. izelge 4.1de evirici kiplerine ait zellikler verilmitir [23]. Ayrca gvenli alabilme aralnn bykl, uygun elemanlarn temin edilebilme kolayl ve evreye yaydklar grlt (EMI/RFI) seviyelerinin dkl eviricilerin daha yaygn kullanlmasnda ok nemli

etkenlerdendir.
4.4.1. zoleli eviriciler

Avantajlar, Alc sistem asndan daha gvenilir yaplardr. G anahtar bozulmalarnda kna enerji vermez. Yksek glerde yaplabilirler. Dntrme oranlar temelde transformatr yapsnda olduu gibi sarm saylar ile istenildii gibi dzenlenebilir. Olumsuzluklar, Ayn g iin ebatlar dolays ile arlklar daha fazladr.

47

Kontrol devrelerinin daha fazla eleman iermesi ve trafo gerektirmesi sebebi ile daha pahaldrlar. Verimleri daha dktr.

4.4.2. zolesiz eviriciler

Avantajlar, Basit ve ucuzdurlar. Fazla eleman iermediklerinden kontrolleri kolaydr. Verimleri yksektir.

Olumsuzluklar, Yksek glerde kullanl deildir. Alc sistem ile arasnda elektriksel yaltm olmadndan gvenirlilii dktr. Teorik olarak istenilen dntrme oranlarnda olabilecei dnlse de ok yksek dntrme oranlarnda yaplamazlar. izelge 4.1. evirici seimi lt Anahtar gerilimi Anahtar akm I RMS I AVG Diyot
IL

Azaltan VIN IO
D.I O

Arttran VO I IN
D.I IN

Azaltan-Arttran ( VIN + VO ) ( I IN + I O )
D .( I IN + I O )
D ( I IN + I O )

Anahtar Anahtar

D.I O (1 D)I O IO nemli Giri

D.I IN (1 D).I IN I IN Az k

(1 D).( I O + I IN ) ( I IN + I O ) Az Her ikisi

Lnin Cye etkisi Darbeli akm

48

Bu bilgiler nda uygulanacak sistem asndan izolesiz eviriciler basit, ucuz yaplar ve zellikle PV sistemlerinde verim en nemli etken olduu gerei gz nne alndnda verimli olmas bu tip eviricileri cazip klmaktadr. izelge 4.2de temel eviricilerin genel zellikleri verilmitir [25]. izelge 4.2. evirici zeti Azaltan VO C(k)(RMS) Giri akm Src VIN .D Dk Sreksiz Bamsz Arttran VIN /(1 D) Yksek Srekli Topraklanm Azaltan-Arttran ( VIN .D) /(1 D) Yksek Sreksiz Bamsz

4.4.3. Azaltan ve artran eviriciler

Azaltan ve artran izoleli veya izolesiz DA-DA eviricilerinin tamam PV enerji dnmnde kullanlabilmektedir. Artran eviriciler azaltan eviricilere gre kaynaktan daha srekli akm ekerler [25]. Sradan g kayna

uygulamalarnda azaltan eviriciler yksek verimli olsalar da, artran evirici srekli akm kipinde alarak PV sistemlerden mmkn olan en fazla enerjiyi ekeceinden, MPPT ilemi yapan eviriciler dahil olmak zere PV uygulamalar iin daha elverili ve azaltan eviricilere gre daha verimlidirler. [26].

49

ekil 4.13. PV uygulamalar iin azaltan ve artran eviricilerin verimi ekil 4.13de PV ile beslenen azaltan ve artran eviricilerin verim ynnden karlatrlmalarna ait benzetimi Pspice programnda yaplmtr. Azaltan evirici sadece darbe orannn %100e yaklat durumlarda daha verimli olabilmektedir. Bu blgede ise darbe genilik oranna bal olan

denetlenebilir aralk olduka kstl kalmaktadr. Artran eviricilerin verim ve denetlenebilir aralk ynnden daha elverili olduu grlmektedir [26].

50

5. SIRALI EVRCLER

MPPT ve gerilimin uygun seviyelere getirilmesi iin kullanlan g dntrcleri, zorlamal anahtarlama ve akm ile gerilimdeki ani deiimler nedeniyle EMI/RFI oluumuna neden olurlar. Bu durumu nlemek amacyla birok EMI azaltma yntemleri gelitirilmitir. Grlt yaltm ve bastrma yntemleri ile yumuak anahtarlama tekniklerinin kullanlmas bunlardan bir kadr. Yumuak anahtarlama tekniklerinin uygulanmas kontrol ve g devresinin gerekletirilmesini zorlatrd gibi gcn ykseltilmesine fazla bir katk da salamazlar. Ayrca bu yntemler devre yapsnda deiiklik gerektirmektedirler. Saylan bu olumsuzluklar amak amacyla faz kaydrmal sral eviriciler gelitirilmitir. Sral eviriciler ile devre yapsnda deiiklik yapmadan EMI seviyesi azaltlmakta ve srekli iletim kipinde bir enerji ak salayabilmektedir. ekil 5.1de tek evirici ile sral eviricinin giri akmlar grlmektedir. Ayrca DA k gerilimi zerinde grlen AA bileenin frekans gerek anahtarlama frekansnn evirici says ile arpm seviyesinde daha yksek bir frekans deerinde, genlii ise daha kk seviyede olmaktadr [27].

ekil 5.1. Sral evirici giriindeki enerji ak Sral eviriciler normal eviricilerden daha fazla sayda anahtar ve pasif eleman gerektirirler. Bu sebeple maliyetlerinin sradan eviricilere gre daha fazla olduu izlenimini vermi olsa da gerekte durum byle olmayabilir [28, 29]. Sral eviriciler k gcn artrrken EMI seviyesini azaltmada ekonomik bir yntemdir [30]. Ayrca daha hzl sistem tepkisi ve doruluk

51

salarlar [31]. ekil 5.2de sradan ve sral eviricilerin iletim yolu ile yaydklar elektro manyetik giriim seviyelerine ait grafik verilmitir [27].

140 120 100 80 60 40 20 0

Sradan evirici Sral evirici

ekil 5.2. letim yolu ile yaylan EMI seviyelerinin benzetimi (fS=100 kHz) Sral eviricilerin verimlerinin btn alma blgesinde artrlmas amacyla, anma gc ihtiyacna gre evirici katnda farkl sayda dntrc kullanlabilir. G ihtiyacnn dk olmas halinde ok katl eviricinin bir ya da bir ka ayn anda altrlabilir. Bu durumda sabit frekans deerinde ve faz kaydrma etkisi olmakszn PWM anahtarlama yaplr ise k DA kalitesinde dme meydana gelir. Daha kk, yaygn materyallerin (anahtar ve pasif elemanlar) kullanlmas, zellikle PV sistemler gibi gc deiken olan durumlarda eviricilerden biri ya da bir ka kullanlarak sistem toplam veriminin ykseltilebilmesi, EMI seviyelerinin dkl nedeni ile filtre gereksiniminin azalmas, bakm ve onarm kolayl ve yksek glere eriimin daha kolay olmas gibi stn zellikleri giriik eviricilerin kullanm alanlarn geniletmektedir. Giriik evirici kontrol sinyali retme ilemi faz saylar arttka zorlar [32]. Sradan giriik evirici denetim sinyalleri RC zamanlayc devreler ile bitiik fazn kaydrlmas ile retilir. RC elemanlarndaki deiim sonucunda fazlar arasnda ayarszlklar kanlmazdr [17]. Dijital devreler bu etkileri yok ederek daha uygun sonular vermektedir [32, 17].

dBuV

52

5.1. Sral-Artran eviriciler

Sral-artran eviriciler giri ve k dalgallk oran ile hata oranlarnn dkl, alma durumlarna gre dk glerde ksmi olarak altrlabilmeleri bylece sistem verimliliinin ykseltilebilmesi gibi stn zeliklere sahiptirler. ekil 5.3de temel devre emas ile T1 ve T2nin iletimde olduu anlardaki edeer devre emalar verilmitir [33].

ekil 5.3. PV ile beslenen giriik artran evirici a) Devre yaps b) T1 iletimde c) T2 iletimde Artran eviriciler deiik giriik yaplarda bulunabilir. Manyetik kuplajl ya da ayrk yaplar grmek mmkndr. ekil 5.4de tek kanall, ift kanall ve ift kanal kuplajl artran evirici giri akm dalga ekillerine ait grafikler verilmitir [34].

53

ekil 5.4. Artran evirici a) Sradan b) Sral c) Sral ortak nveli Sral-arttran evirici yapsnn sradan arttran eviriciye gre srekli akm blgesinin daha geni aralkta olmas, gerilim dalgacnn si kadar olmas, anahtarlama kayplarnn daha az olmas ve verimlerinin yksek olmas gibi avantajlar bulunmaktadr [35].
5.2. Artran ve Sral-Artran eviricilerin Karlatrlmas

Sradan artran eviriciler ile giriik artran eviricilerin karlatrma sonular aada verilmitir [35].

54

ki eviricinin de darbe genilik orannn bir fonksiyonu olan duraan kazanc ayndr, Srekli iletim kipi blgesi giriik eviricilerde daha byktr, Akm dalgac sradan eviriciye gre daha azdr, (dolays ile ayn dalgack iin daha kk endktans deeri gereklidir), Giriik eviricideki gerilim dalgac sradan eviricinin yars byklndedir, (dolays ile ayn dalgack iin daha kk kapasite gereklidir),

Anahtarlar zerindeki gerilimler ayndr. Ancak bileik nvede kaak endktans etkisinden dolay giriik eviricilerde gerilim sramalar grlebilmektedir,

ki anahtar paralel alsa bile, anahtar akmlar (etkin, tepe, ortalama) sradan eviricilerde daha byktr. Bu nedenle sradan eviricilerde anahtarlama kayplar daha byktr.

ekil 5.5. Giriik ve sradan evirici verimlerinin karlatrlmas

55

6. TASARIM VE UYGULAMA

Tasarm, benzetim ve uygulama olarak iki aamada yaplmtr. nce sistem MATLAB/Simulink ortamnda modellenerek benzetimi gerekletirilmitir. Benzetim esnasnda, uygulanabilir anahtarlama frekans, kullanlacak panel gerilimi ve gc gibi var olan deerler dikkate alnmtr. Benzetim sresince optimize edilen dntrc deerleri gerekletirilen devrede kullanlmtr.
6.1. Benzetim

Tasarlanan sistem nce MATLAB/Simulinkde modellenmi ve benzetim almalar yaplmtr. Gelitirilen Simulink modeli ekil 6.1 ve ekil 6.3de gsterilmektedir. Tasarlanan sral evirici 150W k gcne ulalncaya kadar bir adet arttran evirici olarak almakta, bu g deeri aldnda ikinci evirici devreye girmektedir. Bir evirici altnda anahtarlama frekans 40 kHz iken ikinci evirici devreye girdiinde anahtarlama frekans 20 kHze dmekte ancak, iki anahtara uygulanan tetikleme darbelerinde oluturulan faz fark sayesinde evirici k ile eviricinin ektii akmda dalgalanma etkisi 40 kHz deerinde olmaktadr. Anahtarlara gnderilen tetikleme sinyalleri ekil 6.4de, ikinci eviricinin devreye girmesi ve kmas ise ekil 6.5de gsterilmitir.

ekil 6.1. Tm sistem modeli

56

ekil 6.2. G kat modeli

ekil 6.3. MPPT yaps

57

ekil 6.4. Anahtarlara uygulanan kap darbeleri

ekil 6.5. Benzetim sonular (a) evirici k akm, (b)k gerilimi ve (c)ikinci eviricinin devreye girii
6.2. Uygulama

Gerekletirilen devrede, alglama, artlandrma ve kontrol amalaryla kullanlan tm analog ve saysal elemanlarn ihtiya duyduu farkl seviyede

58

gerilimleri reten ok kl bir adet apraz (flyback) evirici bulunmaktadr. Bu dntrc fazladan bir kaynaa gereksinim duyulmamas amacyla PV kaynaktan beslenmektedir. Devrenin giri katnda sral-artran evirici, k katnda ise ihtiya fazlas enerjiyi depolayabilmek amacyla kullanlabilecek, azaltan eviricili bir arj nitesi, gerektiinde yk devreden karmak iin k ama/kapama birimlerinden olumaktadr. Devrenin g katna ilikin ema ekil 6.6da verilmitir.
L2 30-72 VDC PV I U L1 D2 D1 Q3
L3

U D4 U I Q1 Q2 C2 D3 C3 A K U
T

K 1

Rle YK

C1

18F452 B esleme eviricisi LCD

ekil 6.6. Uygulama devresi prensip emas nerilen yap ile sistem kndaki yk PV kaynaktan, akden, PV ile birlikte akden beslenebilecei gibi istenildii takdirde kaynaklardan

ayrlabilmektedir. Sistemdeki akm, gerilim, scaklk ve benzeri analog deerlerin llmesi, bu bilgilerin gsterge edilmesi ile PWM ve dier denetim sinyallerinin retilmesi mikro denetleyici tarafndan gerekletirilmektedir.

370 W 40-115 VDC

59

6.2.1. Ak emas

ekil 6.7. Sistem ak diyagram

60

PVden beslenen, ak arj da yapabilecek ekilde MPPT ilemi yapan ikili sral evirici iin gelitirilen ak diyagram ekil 6.7de verilmitir. Ak diyagramndan grlebilecei gibi, sistem almaya balamadan nce birinci admda giri gerilimi okunarak kaydedilir. kinci admda ise, CV yntemi esas alnarak giri gerilimi ilk kayt geriliminin %77sine dene kadar evirici PWMi arttrlr ve MPPT noktasna yaklam hzl bir ekilde gerekletirilir. nc admda ise, P&O yntemine geilerek sistemin kararl durumdaki almasna geilmi olur. Bu yntemle CV ynteminin hzndan P&O ynteminin doruluundan yararlanlmaktadr. alma srasnda MP noktas srekli denetlenir. ka aktarlan enerji miktarnn artrlmas k gerilim seviyesinin ykseltilmesi ile salanr. Ancak k gerilimi belirlenen deerden daha yksek seviyelere kmaya baladnda bu durum, daha fazla enerji retilebilecei eklinde yorumlanr ve bu enerji gerektiinde kullanlmak zere aklere aktarlr. Ak arj akm deeri ise ak zellii ve scaklna bal olarak mikro denetleyici tarafndan belirlenir ve akler sl dengeleme tekniine uygun olarak arj edilir.
6.2.2. Devre elemanlarnn seimi

Devre elemanlarnn seiminde ok yaygn, ucuz ve kullanl olmalar nedeni ile PIC18F452 ilemci, IRFP450 anahtarlama eleman, TLP350 mosfet src, evirici evrim ve depolama by-pass diyodu olarak da DSE120 seilmitir. Besleme apraz eviricisi anahtarlama eleman olarak IRF640N mosfet ve PWM kontrolcs olarak apraz eviriciler iin olduka kullanl olan UC3845 PWM denetleyicisi kullanlmtr.

61

6.2.3. Akm ve gerilim alglama devreleri

+5V CT1 15V + + D3 D4 -15V LA100P -5V R6 M R9 P1 R10 R12 +5V 8 R11 R7 R8 2 3 4 U1B U1A 1 5 6 7 R5 M C C3 C1 C2 R3 R1 R2 R4 D1 D2

ekil 6.8. Akm okuma devresi Sistemde akm ve gerilim okumak iin srasyla ekil 6.8 ve ekil 6.9daki devreler kullanlmtr. Seri direnten gerilim okuyarak akm alglamak yerine daha hassas okuma yapabilen ve grltlerden daha az etkilenen, gerek ortalama deer alan ykselteli devre kullanlmtr. Ayn zamanda bu yolla MC analog kanalna verilecek veri potansiyeli ykselte besleme gerilimi ile snrlandrld gibi akm alglaycnn k yklenmeden gerekli seviyeye ykseltilmi olur. Bu sayede okuma srasnda dorusallk salanr.
+5V

D 1

R 3 M C O k unacakD Cseviye R 1 R2 P1

C 4

ekil 6.9. Gerilim okuma devresi

62

Gerilim okuma devresi olarak ise yksek doruluk ve eleman saysnn azl sebebi ile gerilim blc devresi kullanlmtr. MC analog giriine gidecek gerilimi snrlandrmak iin D1 diyodu eklenerek bu gerilimin +5V deerini amamas salanm olur.
6.2.4. apraz evirici tasarm

Uygulama devresinde, Harici kaynak gereksinimini ortadan kaldrlmas, Deiik seviyedeki giri gerilimlerinde g devresi denetim elemanlarna uygun ve ykle deimeyen seviyede besleme geriliminin salanmas, Yine denetim devresinin ihtiyacna gre farkl seviyelerde ve sabit gerilim salanmas, zole olarak srlmesi gereken g anahtarlarna izole k salanmas,

amac ile ekil 6.10da devresi verilen 10 W gcnde bir SMPS (Anahtar Kipli G Kayna) tasarlanmtr. SMPS eleman seimi: PWM denetisi olarak geni frekans band, esnek alma gerilimi, ar akm alglama gibi stnlkleri sebebi ile UC3845 yongas kullanlmtr. G anahtar olarak dk i diren, yksek alma akm, uygun alma gerilimi, yksek anahtarlama hz ve kk boyutlar sebebi ile IRF640N tipi MOSFET kullanlmtr.

63

SMPS prensip emas:

D AB ara V 4+ TR1 FERIT V 4-G N D V 3+ V 3-G N D V 2+ V 2-G N D V 1+ 20 k H z R 1 V 1-G N D

2 3 4

F B C OM PN IS EN O U T R TC T V R EF

1 6 8

U C 3845

ekil 6.10. Uygulama devresi SMPS prensip emas. Ferit nveler g aktarma kapasiteleri, alma frekanslar, ucuzluk ve temin kolayl asndan incelenip, tasarlanan devre iin en uygun nvenin E42 tipi nve olduu tespit edilmitir. Uygun karkas temin edilerek 4 adet 7 sipir sekonder ve 1 adet 14 sipir primer sarg uygun kesit hesaplanarak el ile sarlmtr.
6.2.5. Uygulama sonular

Katalog deerleri 24 V, 185 W, 7,71 A olan 2 adet SHARP marka ve NUSOE3E rn kodu olan paneller seri balanarak elde edilen DA gerilim evirici giriine uygulanmtr. 5 adet 12 V 9 Ah VRLA tip bakmsz ak depolama birimi olarak kullanlm ve bu durumda deneyler gerekletirilmitir. Sistem ayrca 5 adet 12 V 26 Ah ak ile de denenmi ve bu uygulama ile farkl kapasitedeki aklerle de uyumlu alt test edilmitir. evirici anahtarlama iaretleri, giri k gerilimleri ile k ve ak akm dalga ekilleri ekil 6.11de verilmitir.

64

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

ekil 6.11. evirici kap darbelerine gre k gerilimi. Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3) evirici 3 (ak eviricisi) kap darbesi (4) k gerilimi ekil 6.11 (a) sistem kapal konumunu gstermektedir. Bu konumda evirici 1,2,3 ve yk anahtar kesim konumunda olup yk ularnda herhangi bir gerilim bulunmamaktadr. PV Panelden apraz eviricinin ektii 100-120 mA dnda bir akm ekilmemektedir. Bu akm ihmal ederek panelin ak

65

devre konumunda olduu varsaymna gidilebilir. apraz evirici ile beslenen mikro denetleyici sistemi srekli denetler. Bu esnada analog lmler, bunlara bal deerlendirmeler srekli olarak yaplmaktadr. PVden ya da akden balatma iaretlerini bekleyen denetleyici akden balatma iareti aldnda ak gerilimini yke aktarmaya balar. Bu konumda evirici iaretleri ile k gerilimi arasndaki iliki ekil 6.11 (b)de verilmektedir. Akden alma ilemi 5 adet ak iin belirlenmi dearj sonu gerilimi olan 50 V DA deerinden byk olduu srece devam eder. Gerilim 50 V DAnin altna dtnde ya da durdurma butonuna basldnda sistem durumu ekil 6.11 (a)ya geri dner. Balatma iareti uygulandnda ve giri gerilimi uygun aralkta ise ak devre gerilimi kaydedilerek, giri gerilimi kaydedilen gerilim deerinin %77sine dnceye kadar evirici 1 ve 2nin darbe oranlar sfrdan balayarak srekli olarak artrlr. Bu esnada k gerilimi, yk deeri srekli olarak denetlenir. Eer k gerilimi snr deere ulam ise ki bu deer tasarlanan sistemde 115 V DA olarak belirlenmitir, CV yntemi braklarak gce bal olarak tek ya da ift eviricili k gerilimi snrlama dngs almaya balar. Eer depolama birimi dolu ya da ak devre konumunda ve yk deeri %50den daha dk ise sistem ekil 6.11 (c)de gsterilen duruma gelmektedir. Depolama birimi bo ise depolama eviricisi almaya balayarak fazla enerjiyi depolama birimine aktarr. Bu esnada yk deeri %50 den daha dk ise tek evirici, daha yksek ise ift evirici alr ve ktaki yk beslenmeye devam eder. Depolama biriminin devreye sokulmas ya da sistemin yklenmesi ile k geriliminde bir dme meydana gelmi ise k gerilim snrlama dngsnden klarak P&O yntemi ile MPPT noktas bulunur. Gcn %50den az olduu durum iin dalga ekilleri ekil 6.11 (d)de verildii gibidir. ekil 6.11 (a) konumundan almaya balayan sistem CV yntemi sayesinde giri gerilimine bakarak MP noktasna geldiini alglar. Bu durumda almaya P&O yntemi ile devam edilir. k gerilimi uygun aralkta kalm ise g denetimi yaplarak gerektiinde 2. evirici devreden karlr. k yk her iki eviricinin de almasn gerektiriyorsa ve k gerilimi ak arj snr deerinin altnda veya akler dolu ya da ak sistemden ayrlm ise ekil 6.11 (e) konumunda

66

MP noktas izlenerek alma srdrlr. ekil 6-11 (e) konumunda k gerilimin ak arj deerinin zerine kmas halinde ise alma durumu ekil 6.11 (f)de verilmektedir.

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

ekil 6.12. Sral artran evirici giri akm ve gerilimi Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3) giri gerilimi (4) giri akm (Math) giri gc

67

ekil 6.12 (a)da ki durumda giri gerilimi ve akm grlmektedir. Ak devre gerilimi 51 V DA seviyesinde olup sistem hazr konumda balama iaretini beklemektedir. ekil 6.12 (b)de MPPT noktasnda giri akm ve gerilimi grlmektedir. Ancak panel ile evirici arasndaki hat direncinden kaynaklanan bir miktar gerilim dm sz konusudur. Hat direnci 0,5 olarak llmtr. Dolaysyla 36,5 VDC olarak okunan giri gerilim deeri zerine 0,5 x 6,14 A = 3,07 VDC eklendiinde doru sonu elde edilmi olur. ekil 6.12 (c)de dk ykte tek evirici alrken giri akm ve geriliminde meydana gelen dalgallk grlmektedir. Burada ekilen akm ok kk deerde olduundan dalgallk da greceli olarak kk deerdedir. ekilen g artrldnda 6 A giri iin akm dalgall 5,9 mA, gerilim dalgallk deeri ise 143 mV olarak llmtr. Bu esnada MPPT ilemine devam edilmektedir. Bu duruma ait dalga yaplar ekil 6.12 (d)de verilmektedir. alma koulu ekil 6.12 (d) iken evirici yaps ve denetim program hi deitirilmeden evirici 2nin src yongas sklp kap darbesi yapay olarak -5 VDCye ekilmi bu yolla evirici 2nin devre d kalmas salanarak ayn deerler ekil 6.12 (e)deki gibi alnmtr. MPPT ilemi yine gerekletirildiinden ayn akm ve gerilim deeri tek evirici iin alnmtr. Burada akm dalgall iin 13,6 mA ve gerilim dalgall iin ise 340 mV deeri okunmutur. Grld zere dalgallk oran ayn frekans iin iki katna kmtr. Dalgallk seviyeleri arasndaki oran EMI seviyeleri arasndaki oran dolayl olarak verecei dnldnde sral almada EMI seviyesinin azalaca grlmektedir. ekil 6.12 (f)de 170 W g varken ve eviriciler 20+20 kHzde alrken g deeri 90 Wa drlmtr. Bu durumda g deeri ift eviricinin almasn gerektirmediinden evirici 2 devre d kalarak frekans tek evirici iin 40 kHze kmtr. MP noktasndan uzaklald iin sistem k

68

gerilimini ykseltmi ve bylece ka aktarlan enerji miktar artrlmtr. Sonu olarak ayn g deerine yaklaldnda 2. evirici devreye girmi, anahtarlama frekans eski konumuna gelmi ve MP noktas olan 170 W g deerine ulalmtr. Btn ilemler 2 saniyeden daha ksa bir sre ierisinde baarl bir ekilde gerekletirilmitir.

(a)

(b)

(c) ekil 6.13. Sral artran evirici k akm ve gerilimi. Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3) k gerilimi (4) k akm Tek eviriciden ift eviriciye ya da tersi durumda k ykne tatbik edilen gerilim ve akmn dalga ekli ekil 6.13 (a) ve (b)de verilmektedir. Grld zere k gerilimi ve akmn dalga formu gei zamanlarnda frekans ve yap deiimine ramen kararlln srdrmektedir.

69

ekil 6.13 (c)de evirici 1 ve 2 kap darbeleri ile k gerilim ve akmndaki dalgallk oran grlmektedir. k gerilimindeki dalgallk 50 mV, akm dalgall 5,2 mA seviyesinde kalmaktadr

(a)

(b)

ekil 6.14. Ak eviricisi kap darbesi ve akm. Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3) evirici 3kap darbesi (4) ak akm alma durumlarndan bir dieri olan ak arj ileminde, ortam scaklna gre arj akmnn deitirilmesi ile ak mr uzatlm olur. ekil 6.14 (a)da evirici 1,2 ve 3n kap darbeleri ile ak akmnn genlii gsterilmitir. Ak akm 20 C iin 1 A olarak ayarlanmtr. Bu deer ak zellii dikkate alnarak scakln art ile azaltlp, scakln azalmas ile artrlabilmektedir. Bu ilem iin ak scaklk bilgisi MC aracl ile okunur. Olmas gereken arj akm hesaplanr ve ilgili deerde sabit kalmasn salayacak PWM sinyaline karar verilir. 40 Cnin zerinde ise ak arj edilmez. ekil 6.14 (b) de ekil 6.14 (a) konumunda iken akm dalgall verilmektedir.

70

(a)

(b)

ekil 6.15. Sral artran evirici ak ile k akm ve gerilimleri (a) Sral artran evirici alma durumlarna gre ak akm ve gerilimindeki dalgallk. Kanallar: (1) evirici 1 kap darbesi (2) evirici 2 kap darbesi (3) ak gerilimi (4) ak akm (b) Sral artran evirici ak akm ve gerilimi ile k akm ve gerilimi dalga ekilleri Kanallar: (1) k gerilimi (2) k akm (3) ak gerilimi (4) ak akm ekil 6.15 (a)da ekil 6.15 (b) konumunda ak akm ve gerilim oranndaki dalgallk gsterilmitir. Ak akmndaki dalgallk 16 mA, geriliminde ise 20 mV olarak llmtr. Dearj ilemi ak ile DA bara arasndaki seri diyod ile salanmaktadr. Bu diyod k gerilimin ak gerilimin altna dt durumda iletime geerek, kn kesintisiz beslenmesini salamaktadr. DA seviye ak gerilimden daha yksek ise diyod kesime gitmekte ve aklerin kontrolsz arj akm ekmesini engellemektedir. Ak akm alglama devresi ift ynl olarak akmn okunabilmesine olanak salamaktadr. arj konumunda akm sabitleme ilemi yaplrken, dearj durumunda da ak akm okunarak olas ar akm durumunda k anahtar yk devreden ayrlabilmektedir. Bylece akler ve yk ekilebilecek ar akmlara kar korunmu olmaktadr.

71

(a)

(b)

ekil 6.16. Tm anahtarlama iaretlerinin e zamanl gsterimi Kanallar: (1) evirici 1 (2) evirici 2 (3) evirici 3 (4) besleme eviricisi kap darbeleri ekil 6.16 (a) ve (b) evirici 1, 2, 3 ve besleme apraz eviricisi kap darbelerinin ykselme ve dme zamanlarn ile birlikte alma konumlarn gstermektedir. Uygulama devresi grn Resim 6.1de verilmitir.

Resim 6.1. Uygulama devresi

6.2.6. evirici verimlerinin karlatrlmas

Sradan-artran 20 kHz ve 40 kHz, sradan sral-artran 20 kHz, nerilen sral-artran evirici %50 yke kadar tek eviricili 40 kHz daha yksek glerde ift eviricili 20 kHz anahtarlama frekansnda altrlp 37-370 W aralnda verimleri karlatrlm sonular ekil 6.17de verilmitir.

72

(a) ekil 6.17. evirici verimlerinin karlatrlmas ekil 6.17 (a)da alma blgesi %0-%50 ve

(b)

%50-%100

olarak

incelendiinde 20 kHzde alan sradan evirici ilk aralkta, sradan sralevirici ikinci aralkta daha verimli olduu grlmektedir. Ancak birinci aralkta sradan-artran evirici ile 20 kHzde alma evirici giri ve k kalitesini drmektedir. Bu yzden birinci aralkta kyaslama 40 kHzde alan sradan-artran evirici ile toplamda ayn frekansta alan sral-artran evirici ile yaplmaldr. Bu aralkta 40 kHzde alan sradan artran evirici sral artran eviriciye gre daha verimli olduu grlmektedir. ekil 6.18. (b)de alma koulunu birinci aralkta 40 kHzde alan sradan-artran eviriciden, ikinci aralkta ise sradan sral-artran eviriciden alan nerilen sral-artran evirici yaps verilmitir. nerilen yap ile tm alma aralnda giri ve k kalitesi drlmeden verimli bir ekilde allmtr.
6.2.7. Uygulama sonularnn deerlendirilmesi

Bu alma ile MPPT ilemi yapan giriik eviricilerin sradan eviricilere gre stnlkleri ve zayflklar incelenmitir. Ayrca PV sistemlerde verimliliin artrlmasna ynelik almalar yaplmtr. PV sistem ile alan MPPTli artran evirici yaplar ktaki yke dorudan balanmaktadr. Ykn sistemden ayrlmas ancak terminallerin sklmesi ile ya da harici sigorta ve anahtarlarla ile mmkn olmaktadr. Ayrca bu yaplarda MPPT ilemi ancak ykn uygun deerinde salanabilmektedir.

73

Fazla enerji kullanlamamaktadr. Yapsnda ak bulunduran sistemler ise ak yaps dikkate alnmadan yaplmakta dolaysyla ak mr ksalmaktadr. Sradan artran eviriciler ile yksek glere eriim uygulamada baz skntlar da beraberinde getirmektedir. Yksek glerde anahtarlama eleman, ferit nve, src gibi elamanlarn temininde skntlar yaanmasnn yan sra bakm ve servis hizmetlerinde de zorluklar yaanmaktadr. Yksek glere eriimde bir dier sorun ise eviricilerin iletim ya da hava yolu ile etrafa yaydklar grltler ile ilgilidir. EMI seviyesi anahtarlama akm seviyesine bal olarak artmaktadr. nerilen yap ile ktaki yk PVden akden yada PV ve akden beslenebilecei gibi enerjisizde braklabilmektedir. alma koulu tek evirici, ift evirici ve bunlarn ak arj ve dearjl halleri dahil olmak zere tm koullarda MP noktas takip edilmekte MPPT ilemi yaplmayan tek durum ise aklerin dolu olduu durumda k yk seviyesinin dk olmas durumudur. Akler akm ve scaklk dikkate alnarak arj edilmekte dolaysyla ak kapasitesi istenildii kadar hem artrlabilmekte hem de kullanm mr uzatlmaktadr. Giriik evirici kullanm ile EMI ve RFI seviyeleri azaltlmakta ayrca dk g konumunda eviricilerden biri devre d braklarak ift eviricilerin zayflklarndan olan dk glerde verim kayb da ortadan kaldrlm olmaktadr. Ayrca giriik evirici yaps ile yaygn olarak kullanlan malzemelerle yksek glere eriim salanrken eviricilerden birinin devre d kalmas ya da servis verilmesi gibi durumlarda dieri kapasitesi orannda yk beslemeye devam edebilmektedir.

74

7. SONU VE NERLER

Bu almada PV sistemlerde enerji dnm ileminin etkili bir biimde uygulanabilmesi iin MPPT yapabilen sral-artran evirici tasarlanarak uygulanmtr. MPPT teknii olarak ak devre gerilim metodu ve deitir gzle metodu birlikte kullanlmtr. Sunulan evirici yaps ile k gerilim dalgallk oran ve EMI seviyesi azaltlmtr. Ayrca PVden elde edilen enerjinin verimli kullanlabilmesi iin ihtiya fazlas enerji akm ve scaklk denetimli evirici ile depolama birimine aktarlmtr. Depolanan enerji talep durumunda yke aktarlarak sistemin alma kararll arttrlmtr. PV sistemlerden elde edilen enerji maliyetinin dier kaynaklardan elde edilen enerjilerden daha yksek olmas sistem verimi ve gvenilirliini n plana kmaktadr. Uygulanan sistem ile depolanabilecek enerji miktarnn ak kapasitesi ile snrl olmas, sadece DC yklerin beslenebilmesi bir eksiklik olarak grlmektedir. PV sistemlerden enerji elde etme ileminin en etkili bir biimde yaplabilmek, ayrca AC sistemlerin enerji ihtiyacn karlayabilmek, akler arjl iken ihtiya fazlas enerjinin kullanlabilmesine imkan salamak iin ebeke etkileimli evirici ile birlikte kullanlmas nerilmektedir. Bu sayede yerel ykler iin fazla gelen enerji ebekeye gnderilebilecek, PV sistemin yeterli gelmedii ya da almad durumlarda alcya ebekeden enerji verilebilecektir.

75

KAYNAKLAR

1.

Enslin, J. H. R., Maximum Power Point Tracking: A Cost Saving Necessity In Solar Energy Systems, 16th IEEE Annual Industrial Electronics Society Conference, Pacific Grove, CA, USA, 1073-1077 (1990). nternet: Elektrik leri Ett daresi Trkiyede Gne Enerjisi http://www.eie.gov.tr/turkce/gunes/tgunes.html (2007). Dimroth F., Baur C., Bett A.W., Mausel M., Strobal G., 3-6 Junction Photovoltaic Cells For Space And Terrestrail Concentrator Applications, 31st IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Orlando, Florida, USA, 525-529 (2005). Mulligan, W. P., Rose, D. H., Cudzinovic, M. J., Ceuster, D. M. D., McIntosh, K. R., Smith, D. D., Swanson, R. M., Manufacture Of Solar Cells With 21% Efficiency, 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, France, 462-465 (2004). Enslin, J. H. R., Wolf, M. S., Snyman, D. B., Swiegers, W., Integrated Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Converter, IEEE Transactions On Industrial Electronics, 44(6): 769-773 (1997). Mulligan, B., Cost Reduction of Silicon Photovoltaics, 2th Annual IEEE Nanotech Symposium, San Jose, California, USA, 2:1-44 (2006). nternet: Research Institute for Sustainable Energy The World Solar Energy Map http://www.rise.org.au/info/Applic/Solarpump/index.html (2007). Walker, G., Evaluating MPPT Converter Topologies Using A Matlab PV Model, Journal of Electrical & Electronics Engineering, 21(1): 49-56 (2001). Mineiro, S. J. E., Daher, S., Antunes, F. L. M., Cruz, C. M. T., Photovoltaic System For Supply Public Illumination In Eletrical Energy Demand Peak, 19th IEEE Annual Applied Power Electronics Conference and Exposition Conference, Anaheim, California, USA, 3: 1501-1506 (2004).

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10. Kurokawa, K., Realistic Values Of Various Parameters For PV System Design, Renewable Energy, 15(1): 157-164 (1998).

76

11. Reis, A.M., Coleman, N. T., Marshall, M. W., Lehman, Chamberlin, P. A., C. E., Comparison Of PV Module Performance Before And After 11Years Of Field Exposure, 29st IEEE Photovoltaic Specialist Conference, New Orleans, Louisiana, USA, 1432-1435 (2002). 12. Santos, J. L., Antunes, F., Chehab, A., Cruz, C., A maximum power point tracker for PV systems using a high performance boost converter, Solar Energy, 80(7): 772-778 (2006). 13. Teulings, W. J. A., Marpinard, J.C., Capel, A., OSullivan, D., A new Maximum Power Point Tracking system, 24th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference, Toulouse , France, 833-838 (1993). 14. Salas, V., Olas, E., Barrado, A., Lzaro, A., Review of the maximum power point tracking algorithms for stand-alone photovoltaic systems, Solar Energy Materials and Solar Cells, 90(11): 15551578 (2006). 15. Noguchi, T., Togashi, S., Nakamoto, R., Short-Current Pulse-Based Maximum-Power-PointTracking Method for Multiple Photovoltaic-andConverter Module System, IEEE Transactions On Industrial Electronics, 49(1): 217-223 (2002). 16. Esram, T., Chapman, P. L., Comparison of Photovoltaic Array Maximum Power Point Tracking Techniques IEEE Transactions On Energy Conversion, 22(2): 439-449 (2007). 17. Liu, C., Johnson, A., Lai, J. S., A Novel Phase-shifting Circuit Using Digital First-In First-Out (FIFO) for Multiphase Power Converter Interleaved Control, IEEE Workshop on Computers in Power Electronics, 2004, Urbana, Illinois, USA, 80-84 (2004). 18. Vechiu, I., Camblong, H., Tapia, G., Dakyo, B., Nichita, C., Dynamic Simulation Model of a Hybrid Power System: Performance Analysis, 2004 EWEC Conference, UK, 1-9 (2004). 19. Hohm, D. P., Ropp, M. E., Comparative Study of Maximum Power Point Tracking Algorithms, Progress In Photovoltaics: Reserch and Applications, 11(1): 4762 (2002). 20. Duru, H. T., A maximum power tracking algorithm based on mpp=f(Pmax) function for matching passive and active loads to a photovoltaic generator, Solar Energy, 80(7): 812822 (2006).

77

21. Erickson, R. W., DC-DC Power Converters, Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 5:53-63 (1999). 22. Ho, H., Lu, C., Study of Nonlinear Phenomena in Switching DC/DC Converters, Degree of Doctor, Department of Electronic and Information Engineering The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong SAR, China, 1-166 (2000). 23. nternet: University of Minnesota Internet-Based Short Course, Power Electronics Principles for Practicing Engineers, http://www.ece.umn.edu/groups/power/PE_ShortCourse_Aug04/Course Outline_PE_Aug_2004.pdf (2004). 24. Mohan, N., Unlead, T.M. and Robbins, W. P., Power Electronics, Converters, Applications and Design, Joe Wiley and Sons Inc., London, 173-210, 323-370 (1989). 25. Wuidart, L., Topologes For Swtched Mode Power Supples, ST Microelectronics, AN513/0393:1-18 (1999). 26. Glasner, I., Appelbaum, J., Advantage Of Boost vs. Buck Topology For Maximum Power Point Tracker In Photovoltaic Systems, 19th IEEE Convention of Electrical and Electronics Engineers, Jerusalem, Israel, 355-358 (1996). 27. Zumel, P., Garca, O., Cobos, J. A., Uceda, J., EMI Reduction by Interleaving of Power Converters, 19th IEEE Annual Applied Power Electronics Conference and Exposition Conference, Anaheim, California, USA, 2:688-694 (2004). 28. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Maximum power point tracking of coupled inductor interleaved boost converter supplied PV system, IEE Proc.-Electr.Power Appl., 150(1):71-80 (2003). 29. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Neural-Network-Based Maximum-Power-Point Tracking of Coupled-Inductor Interleaved-BoostConverter-Supplied PV System Using Fuzzy Controller, IEEE Transactions On Industrial Electronics, 50(4):749-758 (2003). 30. Haddad, K. A., Rajagopalan, V., Analysis and SimuIation of Multiple Converter Operation to Reduce Losses and EMI, IEEE Workshop on Computers in Power Electronics, 2004, Urbana, Illinois, USA, 183188 (2004). 31. Batchvarov, J. S., Valchev, V. C., Yudov, D. D., Duarte, J. L., Investigation of Chaos in Interleaved Power Converters, First IEEE Intelligent Systems Symposium, USA, 1:79-83 (2002).

78

32. Zumel, P., Garca, O., Cobos, J. A., Uceda, J., Exploring Interleaved Converters as an EMI Reduction Technique in Power Converters, 28th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference, St. Louis, USA, 2:1219-1224 (2002). 33. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Analytical Investigations for Maximum Power Tracking of PV Supplied IDB Converter, 32th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, BC, 1:205-209 (2001). 34. Wei Wen Yim-Shu Lee A Two-Channel Interleaved Boost Converter with Reduced Core Loss and Copper Loss, 35th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference, Aachen, Germany, 2:1003-1009 (2004). 35. Petry, C. A., Barbi I., A Comparison Between The Boost And The Double Boost Converters With Inductive Coupling, Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia COBEP2003, Fortaleza, BRASIL, 1-6 2003.

79

ZGEM Kiisel Bilgiler

Soyad, ad Uyruu Doum tarihi ve yeri Medeni hali Telefon Faks e-mail

: ZDEMR, aban : T.C. : 13.05.1978 Kayseri : Evli : 0 506 371 49 46 : : sabanozdemir@gmail.com

Eitim Derece Eitim Birimi M. tarihi

Lisans nlisans Lise

Deneyimi Yl

Gazi nviversitesi/ TEF Elektrik Eitimi Blm Erciyes niversitesi/ KYMO Elektrik Blm Kayseri Merkez E.M.L./ Elektrik Blm

2004 1998 1994

Yer

Grev

1996-1999 2004-2006
Yabanc Dil

ELN Mhendislik (KAYSER) ZEL Elektronik (ANKARA)

Elk. proje, taahht Ar-ge

ngilizce
Hobiler