Tranzistori

TRANZISTORI
Ovo je moj prvi vodi i posveen je stranici http://www.elektronika.ba/.
Ovaj govori vodi o TRANZISTORIMA(openito).Namjenjen je poetnicima u elektrotehnici
i onima koji su poneto zaboravili
Tranzistori nalaze veliku primjenu u svim granama elektrotehnike-pri izradi
pojaala,oscilatora,emisionih ureaja i sklopova za regulaciju.
Svoj veliki uspjeh i brzi razvoj zahvaljuju malim dimenzijama,jednostavnoj masovnoj
proizvodnji i vrlo maloj potronji energije.
Osnovna podjela tranzistora je prema namjeni:
1.Tranzistori za pojaavanje malih signala,i
2.Tranzistori za pojaavanje snage
I jedne i druge se dalje moe podjeliti na one za:
-pojaavanje niskofrekvencijskih signala(NF) signala
-pojaavanje visokofrekvencijskih snaga(VF) signala,i
-sklopni reim rada
Postoje silicijski i germanijski tranzistori,a prema strukturi,odnosno polaritetu PNP i
NPN .Nadalje tranzistori mogu biti bipolarni ili unipolarni.

BIPOLARNI TRANZISTORI opis rada

Tranzistor se sastoji od tri poluvodika sloja,od kojih su vanjski istog tipa,a srednji
suprotnog.Zavisno od tipova primjesnog poluvodia,jedni su PNP,a drugi NPN.
Na slici dolje:
baza
B

C kolektor

<=NPN tip

IC

RC
N
P

-_ -_ -_ -_+

E emiter
UBB

IB

+
-

Elektrophreak --- www.elektronika.ba

-_ -_ -_ -_-

IE

UCC
+

N
-

Tranzistori

<=PNP tip

IC
+ + + + +
- - - - -

E
UBB -

IB

+ + + + +

RC
P
N
P

UCC +

IE

PRINCIP RADA NPN TRANZISTORA-Budui da je srednji sloj p-tipa spojen na plus pol
baterije Ubb,a donji n-tipa spojen na minus pol,to je p/n dioda(baza-emiter) propusno
polarizirana pa elektroni iz emitera prelaze u bazu.
Srednji i gornji sloj tvore diodu koja je zbog Ucc>Ubb nepropusno polarizirana.
Elektroni koji su iz emitera ubaeni u bazu,kroz bazu difundiraju(prodiru)prema gornjoj
spojnoj plohi baze s kolektorom,odakle ih gornja elektroda privue,sakupi odatle i naziv
kolektor-sakuplja.
Baza ima dva osnovna svojstva koja su vana za rad tranzistora.Prvo vrlo je tanka(oko
desetak mikrona i manje) i drugo,obraena je tako da koncentraciju upljina u njoj bude
mnogo manja nego koncentracija elektrona u emiterskom sloju.
Zbog tih svojstava baze veina elektrona e proi kroz bazu prema kolektoru,manje e ih se
rekombinirati sa upljinama iz baze,a jedan dio tih elektrona e tei prema pozitivnom polu
baterije U,tvorei struju baze.
Proces provoenja i utjecaj napona baze, odnosno struje baze na struju kolektora isti je kod
oba tipa tranzistora, samo to kod PNP tranzistora baterije imaju obratni polaritet i od emitera
prema bazi putuju upljine.
Za primjenu tranzistora,pored poznavanja njegovog rada s aspekata fizikalnih procesa koji se
u njemu odvija, potrebno je poznavati njegove osnovne karakteristike koje se mogu podjeliti u
tri grupe:
1.grupa TIPINE VRIJEDNOSTI (Maximum ratings)
VCBO (V)-maksimalni napon izmeu kolektora i baze
VCEO (V)-maksimalni napon izmeu kolektora i emitera
VEBO (V)-maksimalni negativni napon izmeu baze i emitera
IC
(A) ili (mA)-maksimalna struja kolektora
Tj
(0C)-maksimalna tempratura spojita
PTOT (W) ili (mW)-maksimalna disipacija snage na tranzistoru,umnoak UCE i IC .
2.grupa TIPINE VRIJEDNOSTI (Typical characteristics)

Elektrophreak --- www.elektronika.ba

Tranzistori

Ove se karakteristike odnose na neke tipine radne uvjete te se uvijek navodi u kojim je
uvjetima postignuta vrijednost dotinog parametra.
Najvaniji tipini parametri bipolarnih tranzistora su:
H21E = hFE
-faktor strujnog pojaanja,tj. odnos ic/ iB uz UCE =konstantno.
VCE (s)
-napon izmeu kolektora i emitera kada tranzistor radi u reimu
zasienja(maksimalna struja IC).
FT (MHz)
-produkt propusne irine i pojaanja(ponekad ova oznaka znai prijenosnu ili
tranzijentnu frekvenciju).
3.grupa DINAMIKE KARAKTERISTIKE (Dinamic characteristics)
Ove se karakteristike navode uz naznaenu radnu frekvenciju, napone VCE i VBE,te struja IB i
IC.Drugim rijeima definira se radna toka tranzistora za koju ti iznosi parametara vrijede.
Uobiajni parametri su tzv. h-parametri(hibridni).Oni imaju sljedea znaenja:
hi = h11e
hf = h21e
hr = h12e
ho = h22e

-ulazni otpor tranzistora(k oma) =

-strujno pojaanje (-)=
-povratno djelovanje(-).=
-izlazna vodljivost(uS)..=

UBE/ IB
I C/ I B
UBE/ UCE
IC/ UCE

uz UCE=konst.
uz UCE=konst.
uz IB =konst.
uz IB =konst.

Napomena:slovo e u indeksu parametara znai da se oni odnose na spoj zajednikog

emitera.Za druge spojeve mogu se oni preraunati, ako se poznaju ovi.
S obzirom na to da tranzistor moe raditi u tri razliita spoja,tj. da mu je zajednika elektroda
ulaznog i izlaznog kruga emiter, baza ili kolektor, postoje i tri osnovna spoja koja se bitno
razlikuju u karakteristikama.Sljedea slika pokazuje spojeve:

R
I1

+UCC

+UCC

I2

..

I1

I2

+UCC

I1

U1

U2

Spoj zajednikog
EMITERA

U1

U2

Spoj zajednike BAZE

Formule: Ulazni otporru= U1

I1
Strujno pojaanje.Aj=I2
I1

I2 U2

Spoj zajednikog
KOLEKTORA

Izlazni otporriz= U2
I2
Naponsko pojaanje.AV=U2
U1

Pojaanje snage..Ap=Aj*AV=I2*U2
I1*U1
Elektrophreak --- www.elektronika.ba

U1

Tranzistori

PODJELA BIPOLARNIH TRANZISTORA

Tranzistori se meusobno veoma razlikuju, kako po maksimalnim vrijednostima pojedinih
parametara, tako i po znaenju pojedinog parametra za odreeni tranzistor.Tako, npr. za NF
tranzistor snage bitna je maksimalna kolektorska struja,odnosno disipacija,dok je za VF
tranzistor za pojaavanje malih signala najvanija gornja granina frekvencija rada.

UNIPOLARNI TRANZISTORI (FET Field Effect Transistors)

Kod njih se na koliinu naboja koji prelazi od UVODA(Source) prema ODVODU(Drain)
upravlja elektrinim poljem koje stvaraju elektrode ZASUNA(Gate).Poluvodiki sloj kroz
koji prolaze ovi nosioci naziva se kanal.Ovisno o tome kakvi su nosioci naboja,FETtranzistori dobivaju ime;npr. n-kanalni FET ako su nosioci naboja elektroni,odnosno pkanalni ako su to upljine(slika ispod).

n-kanalni

p-kanalni
D
-

UGG

RD

- N

P
UDD

+
+

+
-

+
+

UD

UGG

RD

irina kanala je odreena s dvije zone p-tipa poluvodia kod n-kanalnog spojnog FET-a.
Poveanjem negativnog napona na zasunu dolazi do proirenja p/n barijere(rafirano
podruje),odnosno do suavanja slobodnog puta za elektrone a time i do smanjenja struje kroz
kanal.
Spojni FET-JFET(Junction Field Effect Transistor).Ovakav tip se najee zbog toga to je
vlastiti um tranzistora vrlo malen pa su mogua velika pojaanja signala.Pored toga
tranzistor ima vrlo veliki ulazni otpor od desetak megaoma(bipolarni tranzistori oko desetak
kilo oma).
Poput bipolarnih tranzistora, i unipolarni tranzistori imaju nekoliko karakteristika vanih za
njihovu primjenu.Najznaajnije karakteristike za FET su,tzv. izlazne karakteristike i
prijenosne karakteristike.Iz tih se karakteristika odreuju tri parametra i to:
izlazni otpor.rd=

UDS
ID

strmina.gm= ID
UGS
Elektrophreak --- www.elektronika.ba

/UGS =konst.
/UDS =konst.

Tranzistori

Faktor naponskog pojaanja u= UDS

UGS

/ID=konst.

MOSFET-tranzistori
Za razliku od spojnog FET-a koji se preteno upotrebljava za pojaavanje signala,posebna
izvedba FET-a pod nazivom MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET),upotrebljava se
preteno u digitalnoj tehnici.Tehnoloki je vrlo jednostavan i naroito podesan za primjenu
u intergriranim krugovima.
Kod MOSFET-a je ulazni otpor vei nego kod FET-a i ide do 10 megaoma,a njegov konani
iznos je rezultat nesavrenosti silicijevog dioksida kao izolacijskog materijala.
Bitna je razlika izmeu JFET-a i MOSFET-a u tome to je kod MOSFET-a upravljaka
elektroda odvojena od kanala slojem silicijskog dioksida,ime se postie velik ulazni otpor.I
ovi tranzistori mogu biti n- i p-kanalni.
Kombinacija jednog p-kanalnog i jednog n-kanalnog tranzistora daje komplementarni par
CMOS(Complementary MOS)i taj par je osnova za izradu istoimene vrlo popularne skupine
intergriranih krugova.

n-kanalni

p-kanalni

gore su neki od simbola za unipolarne tranzistore

elim se zahvaliti Trax-u to je pristao na stavljanje teksta na svoju stranicu!

U ovaj tekst je uloeno 5h rada i nadam se da ete neto nauiti.
Autor ovoga teksta je mondo
Za kontakt e-mail:mondo2600@yahoo.com
ICQ_315272205
Koritena literatura je ELEKTRO TEHNIKI MATERIJALI I KOMPONENTE.
Elektrophreak --- www.elektronika.ba