2

I. Wstp teoretyczny.
1. Dioda pprzewodnikowa to element elektroniczny, ktrego budowa opiera si na si dwch warstwach pprzewodnika (typu P i typu N, tworz cych razem z tworzcych zcze P-N). Posiada ona 2 wyprowadzenia: Anoda(P) i Katoda(N). Podzia diod zwi zwizany z ich zastosowaniem prezentuje si nastpujco: si Diody prostownicze prostownicze: stosuje si je przede wszystkim do prostowania pr prdu przemiennego. Prostowanie to przetwarzanie prdu przemiennego na pr du prd jednokierunkowy. W ukadzie prostowniczym dioda spenia funkcj zaworu prostowniczym funkcj jednokierunkowego. Wykorzystuje si waciwo polegajc na r si rnicy zdolnoci przewodzenia prdu w kierunku wstecznym i przewodzenia. Cech charakterystyczn du diod prostowniczych jest napi napicie progowe w kierunku przewodzenia, poniej ktrego prd ma bardzo ma warto. Dla diod krzemowych wynosi on ok. 0,7V, d ma ono a dla germanowych ok. 0,3 V.

Oglny symbol graficzny diody pprzewodnikowej.

Diody Zenera: przeznaczone do stabilizacji lub ograniczenia napi napicia. Pracuj przy napi polaryzacji w kierunku zaporowym. Po przekroczeniu napi napicia przebicia (zwanego te napiciem Zenera) pr wsteczny diody ronie lawinowo. Napicie przebicia jest prd
praktycznie niezalene od pyncego prdu W kierunku przewodzenia diody Zenera prdu. zachowuj si jak normaln diody, tzn. wraz ze wzrostem napicia wzrasta natenie. normalne ,

Symbol graficzny diody Zenera.

Diody pojemnociowe: wykorzystuje si w nich zjawisko zmiany pojemno ciowe: pojemnoci warstwy zaporowej z zcza P-N pod wpywem doprowadzonego z zewn zewntrz napicia. Dioda pracuje przy polaryzacji w kierunku wstecznym. Jej pojemno zaley od pojemno szerokoci warstwy zaporowej. Gdy warto napicia wzrasta, wwczas pojemno ci warto cia pojemno diody maleje wykadniczo. Diody pojemnociowe dzielimy na:
a) warikapy (diody o zmiennej pojemnoci) b) waraktory (diody o zmiennej reaktancji)

Symbol graficzny diody pojemnociowej.

Diody tunelowe: pracuj przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. D pewnego pracuj Dla zakresu napi polaryzuj polaryzujcych, charakteryzuj si ujemn rezystancj dynamiczn. rezystancj Przyczyn tego jest osi osigalne w zczach silnie domieszkowanych zjawisko tunelowe. czach Noniki z pasma walencyjnego przechodz do pasma przewodzenia zarwno niki przechodz

z obszaru pprzewodnika typu P do N, jak i z obszaru N do P, take przy polaryzacji zcza w kierunku przewodzenia. Diody tunelowe s stosowane midzy innymi w przecznikach, we wzmacniaczach o maych szumach i w generatorach mikrofalowych.

Symbol graficzny diody tunelowej.

Fotodiody: zbudowane s podobnie jak zwyke diody pprzewodnikowa, z t jednak rnic, e w ich obudowie znajduje si soczewka wypuka lub paska. Umoliwia ona owietlenie jednego z obszarw zcza. Promieniowanie wietlne, dziaajce na spolaryzowane zaporowo zcze, powoduje prawie liniowy wzrost prdu wstecznego. Zastosowania fotodiody: a) przy braku polaryzacji - bateria soneczna. b) przy polaryzacji zaporowej - nieliniowy rezystor, w ktrym opr zaley od strumienia wiata.
W obu przypadkach fotodiod mona wykorzysta jako detektor.

Symbol graficzny fotodiody.

Diody elektroluminescencyjne (LED): pracuj prawidowo przy polaryzacji zcza w kierunku przewodzenia. Emituj promieniowanie w zakresie wiata widzialnego, podczerwieni i ultrafioletu.

Symbol graficzny diody elektroluminescencyjnej.

2.

Tranzystory i wzmacniacze tranzystorowe. Tranzystor: pprzewodnikowy element elektroniczny, posiadajcy zdolno wzmacniania sygnau elektrycznego. Wzmocnienie (czasami wspczynnik wzmocnienia) to stosunek amplitud lub mocy sygnau wyjciowego do sygnau wejciowego okrelony dla danego ukadu. Ze wzgldu na zasad dziaania, tranzystory dzielimy na bipolarne i unipolarne. Tranzystor bipolarny: stanowi kombinacj dwch pprzewodnikowych zczy P-N, wytworzonych w jednej pytce pprzewodnika. Zatem w duym uproszczeniu mona go przedstawi jako dwie, poczone ze sob diody o wsplnej warstwie (typ PNP lub NPN). Zasada dziaania obu typw jest jednakowa. Rnice wystpuj w polaryzacji zewntrznych rde napicia i kierunku przepywu prdw. W tranzystorach NPN nonikiem prdu s elektrony, natomiast w tranzystorach pnp dziury. Tranzystor bipolarny posiada 3 elektrody: emiter (E), kolektor (C) i baz (B).

niewielki prd pyn d pyncy pomidzy emiterem i baz steruje wi wikszym prdem pyncym midzy emiterem i kolektorem. dzy

Diodowy model zast zastpczy oraz symbol graficzny tranzystora typu PNP.

Diodowy model zast zastpczy oraz symbol graficzny tranzystora typu NPN.

W zalenoci od polaryzacji z ci zcz, wyrnia si 4 stany pracy tranzystora bipolarnego. Zostay one przedstawione w ta tabeli:

Stan Pracy Aktywny Nasycenia Odcicia Inwersyjny

Polaryzacja zcza Emiter-Baza Kolektor-Baza Przewodzenie Zaporowo Przewodzenie Przewodzenie Zaporowo Zaporowo Zaporowo Przewodzenie
Stany pracy tranzystora bipolarnego.

Tranzystor pracujcy w stanie aktywnym mo by wykorzystany do budowy ukadu cy moe bdcego wzmacniaczem sygnaw elektrycznych. Ze wzgldu na sposb wcze cego wczenia tranzystora do ukadu w wyrniamy 3 ukady wzmacniaczy tranzystorowych: a) Ukad o wsplnej bazie (OB): Sygna wejciowy jest doprowadzany mi ciowy midzy emiter i baz, natomiast sygna wyj , wyjciowy jest otrzymywany midzy baz a kolektorem Elektrod wspln jest baza. kolektorem. b) Ukad o wsplnym kolektorze (OC): Sygna wejciowy jest doprowadzany mi ciowy midzy baz i kolektor, natomiast sygna wyj , wyjciowy jest otrzymywany midzy kolektorem a emiterem Elektrod wspln jest kolektor emiterem. kolektor. c) Ukad o wsplnym emiterze (OE): Sygna wejciowy jest doprowadzany mi ciowy midzy baz i emitor, natomiast sygna wyj tomiast wyjciowy jest otrzymywany midzy emiterem a kolektorem Elektrod wspln jest emiter. kolektorem.

Tranzystor unipolarny FET (ang. Field Effect Transistor) tranzystor, w ktrym unipolarny, sterowanie prdem odbywa si za pomoc pola elektrycznego. dem si Tranzystory unipolarne dziel si na: dziel a) Tranzystory polowe z zczowe: JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor), Effect b) Tranzystory polowe z izolowan bramk: MOSFET (ang. Metal-Oxidetory izolowan Semiconductor). Tranzystor unipolarny z zczowy skada si z warstwy pprzewodnika typu N lub P. Warstwa ta tworzy kana. Do obu ko kocw tego kanau doczone s elektrody: czone a) S - rdo (ang. source), z ktrego wypywaj noniki adunku do kanau wypywaj niki kanau. b) D - dren (ang. drain), do ktrego wpywaj noniki adunku z kanau wpywaj ku kanau. Wyprowadzenia zewn zewntrzne tych obszarw nazywa si bramk (ang. gate) gate).

Symbol tranzystora z kanaem typu N N.

Symbol tranzystora z kanaem typu N N.

Tranzystor unipolarny z izolowan bramk jest w budowie podobny do tranzystora unipolarnego zczowego Jednake w tranzystorach tych bramka jest oddzielona od czowego. e kanau cienk warstw izolatora, co pozwala uzyska du rezystancj wyjciow. rezystancj Zatem Tranzystory MOSFET maj czwart elektrod - podoe, oznaczone symbolem , B. Rozrnia si dwa typy tranzystorw MOSFET: a) z kanaem zuboanym normalnie wczone (istnieje kana przy zerowym anym czone napiciu bramka-rdo). rdo). b) z kanaem wzbogacanym normalnie wyczone (kana tworzy si dopiero, gdy czone si napicie bramka-rdo przekroczy charakterystyczn w warto napicia progowego). Zarwno tranzystory z kanaem zubo anym, jak i wzbogacanym mog mie kanay arwno zuboanym, mog typu N lub P. Istniej zatem cztery podstawowe rodzaje tranzystorw z izolowan izolowan bramk. Ich symbole zo . zostay przedstawione w tabeli: Symbol graficzny tranzystora MOSFET z kanaem wzbogacanym z kanaem zubo zuboanym typu N typu P typu N typu P

Symbole graficzne tranzystorw MOSFET.

II. Przebieg wiczenia.

Wszelkich pomiarw dokonalimy za pomoc symulacji komputerowej w aplikacji Electronic Workbench 5.0c. Rezystancja woltomierza na prezentowanych niej pomiarach wynosia 1M , natomiast rezystancja amperomierza - 1n . 1. Wyznaczanie charakterystyki prdowo-napiciowej diody prostowniczej w kierunku przewodzenia. Schemat pomiarowy:

Napicie zasilacza (UZA) pocztkowo ustawilimy na 0,6V, po czym zmienialimy skokowo o 0,03V. Nastpnie po przekroczeniu wartoci 0,9V, zmienialimy skokowo o 0,1V. W ten sposb osignlimy warto kocow 1,5V. Podczas wykonywania wiczenia rezystor mia sta warto R=5 . Badana dioda by diod idealn. Tabela uzyskanych wynikw: UZA [V] 0,6 0,63 0,66 0,69 0,72 0,75 0,78 0,81 0,84 0,87 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 IF[mA] 0,116 0,354 0,997 2,416 4,832 8,136 12,09 16,48 21,19 26,11 31,19 48,86 67,21 85,94 104,9 124 143,3 UF[mV] 599,4 628,2 655 677,9 695,8 709,3 719,6 727,6 734,1 739,5 744,1 755,7 763,9 770,3 775,4 779,8 783,5

Charakterystyka prdowo-napiciowa:
150 140 130 120 110 100 90 80

IF[mA]

70 60 50 40 30 20 10 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2

UZA[V]

2.

Wyznaczanie charakterystyki prdowo-napiciowej diody prostowniczej w kierunku zaporowym. Schemat pomiarowy:

Napicie zasilacza (UZA) pocztkowo ustawilimy na 5V, po czym zmienialimy skokowo o 5V. W ten sposb osignlimy warto kocow 50V. Podczas wykonywania wiczenia rezystor mia sta warto R=5 . Badana dioda by diod idealn.

Tabela uzyskanych wynikw:

UZA[V] 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 IR[A] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 UR[V] 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50

Charakterystyka prdowo-napiciowa:
20

15

IR[A]

10

0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

UZA[V]

3.

Wyznaczanie charakterystyki prdowo-napiciowej diody Zenera w kierunku zaporowym. Schemat pomiarowy:

BZV49-C11

Napicie zasilacza (UZA) pocztkowo ustawilimy na 5V, po czym zmienialimy skokowo o 1V. Nastpnie po przekroczeniu wartoci 10V, zmienialimy skokowo o 0,2V. W ten sposb osignlimy warto 11. Aby upewni si czy wykres

w dalszym cigu ronie liniowo, zbadalimy rwnie napicia 13V i 15V. Podczas wykonywania wiczenia rezystor mia sta warto R=5 . Badana dioda to Philips ZV49-C11. Tabela uzyskanych wynikw:
UZA[V] 5 6 7 8 9 10 10,2 10,4 10,6 10,8 11 13 15 IR[mA] 0 0 0 0 0 0 0,008 6,02 36,62 72,98 110,7 502,1 898,3 UR[V] 5 6 7 8 9 10 10,2 10,37 10,42 10,44 10,45 10,49 10,51

Charakterystyka prdowo-napiciowa:

1000 900 800 700 600

IR[mA]

500 400 300 200 100 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

UZA[V]

10

4.

Wyznaczanie charakterystyki Ku=f(UWE) wzmacniacza tranzystorowego w ukadzie o wsplnym emiterze. Schemat pomiarowy:

UWE /1kHz

Badany tranzystor to BC107. Napicie wejciowe (UWE) pocztkowo ustawilimy na 10mV, po czym zmienialimy skokowo o 10mV. W ten sposb osignlimy warto kocow 200mV. Czstotliwo miaa cigle sta warto rwn 1kHz. Warto wzmocnienia wyznaczylimy ze wzoru:

gdzie: Ku wzmocnienie UWY napicie wyjciowe UWE napicie wejciowe

11

Tabela uzyskanych wynikw: UWE[mV] 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 UWY[V] 0,63 1,26 1,87 2,48 3,05 3,60 4,11 4,58 4,92 5,13 5,25 5,34 5,35 5,38 5,38 5,44 5,39 5,42 5,40 5,39 Ku[V/V] 63,10 62,85 62,33 61,88 61,08 60,00 58,74 57,19 54,63 51,26 47,68 44,50 41,14 38,42 35,87 34,00 31,72 30,11 28,42 26,95

Charakterystyka Ku=f(UWE):
100,00 90,00 80,00 70,00

Ku[V/V]

60,00 50,00 40,00 30,00 20,00 10,00 0,00 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200

UWE[mV]

12

Oscylogramy otrzymane w wyniku dokonania pomiarw pomiarw: a) Wzmocnienie sygnau do doczonego do wejcia wzmacniacza cia wzmacniacza:

UWE = 10mV f=1kHz Podstawa czasu: 0,5ms/div Kana A: 50mV/div Kana B: 1V/div

b) Przesterowanie wzmacniacza spowodowane zbyt du amplitud sygnau wejciowego: du

UWE = 200mV f=1kHz Podstawa czasu: 0,5ms/div Kana A: 1V/div Kana B: 10V/div

13

5.

Wyznaczanie charakterystyki Ku=f(f) wzmacniacza tranzystorowego w ukadzie o wsplnym emiterze. Schemat pomiarowy:

10mV /f

Warto czstotliwoci pocztkowo ustawilimy na 10Hz, po czym zwikszalimy korzystajc z skali logarytmicznej. Napicie wejciowe (UWE) miao cigle sta warto rwn 10mV. Warto wzmocnienia wyznaczylimy ze wzoru z wiczenia 4.

14

Tabela uzyskanych wynikw: f[Hz] 10 60 102 1,4102 1,8102 2,2102 2,6102 3102 103 104 105 106 2,5106 5106 7,5106 107 2,5107 5107 7,5107 108 109 1010 log(f)[Hz] 1 1,778 2 2,146 2,255 2,342 2,415 2,477 3 4 5 6 6,398 6,699 6,875 7 7,398 7,699 7,875 8 9 10 UWY[mV] 53,06 165,00 255,30 332,00 393,70 442,30 480,10 509,40 631,10 648,20 648,50 642,90 615,10 539,20 458,10 388,60 185,30 94,58 62,26 45,65 3,12 1,98 Ku[V/V] 5,31 16,50 25,53 33,20 39,37 44,23 48,01 50,94 63,11 64,82 64,85 64,29 61,51 53,92 45,81 38,86 18,53 9,46 6,23 4,57 0,31 0,20

Charakterystyka Ku=f(f):
100,00 90,00 80,00 70,00

Ku[V/V]

60,00 50,00 40,00 30,00 20,00 10,00 0,00 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

log(f)[Hz]

15

III. Wnioski.
W wiczeniu pierwszym i drugim wyznaczylimy charakterystyk prdowo-napiciow idealnej diody prostowniczej w kierunku przewodzenia, jak i zaporowym. W pierwszym przypadku, ju od pocztkowej wartoci napicia UZA rwnej 0,6V, zauwaylimy niewielki wzrost napicia IF. Gdy napicie zasilania zostao zwikszone do wartoci 0,78V, wykres zacz rosn liniowo. Zatem napicie progowe badanej diody wynosi 0,78V. Przy wyznaczaniu charakterystyki w kierunku zaporowym bez wzgldu na zmian napicia UZA, przez diod nie przepywa aden prd. Zosta on zablokowany przez barier potencjau. Kolejnym wiczeniem byo zbadanie charakterystyki diody Zenera Philips ZV49-C11 w kierunku za porowym. Pocztkowo, mimo zwikszania wartoci napicia UZA, przez diod nie przepywa aden prd. Pierwszy wynik wikszy od zera uzyskalimy dopiero przy UZA rwnym 10,2V. Wynosi on jedyne 8A, jednake po zwikszeniu napicia o jedyne 0,02V, warto prdu pyncego przez diod wynosia 6,02mA i dla wikszych wartoci napicia UZA w dalszym cigu gwatownie rosa. Wzrost ten odbywa si liniowo. Wnioskujemy zatem, e napicie stabilizacyjne (Zenera) badanej diody wynosi 10,4V. Na podstawie dowiadczenia moemy potwierdzi definicj diody Zenera jako diody o kontrolowanym przebiciu wstecznym i wykorzystaniu tego elementu do stabilizacji napicia jednokierunkowego. Kolejnym etapem wicze byo wyznaczenie charakterystyki wzmocnienia (Ku) od napicia wejciowego U(WE) dla wzmacniacza tranzystorowego pracujcego w ukadzie wsplnego emitera. Podczas dokonywania pomiarw, warto czstotliwoci bya staa i wynosia f=1kHz. Zaobserwowalimy, e wraz ze wzrostem napicia wzmocnienie maleje prawie liniowo, przy czym po przekroczeniu 90mV przez U(WE) wzmocnienie maleje nieco gwatowniej ni poprzednio. Ponadto obserwujc obraz ukazany na ekranie oscyloskopu zauwaylimy, e wraz z wzrostem napicia wejciowego U(WE), amplituda napicia wyjciowego U(WY), ulega coraz wikszym deformacjom. Znieksztacenia otrzymane na wyjciu wzmacniacza byy zwizane z przesterowaniem wzmacniacza. Ostatnim zadaniem byo wyznaczenie charakterystyki pasma przenoszenia wzmacniacza tranzystorowego. Charakterystyka pasma przenoszenia rozumiana jest jako funkcja zalena od parametrw wzmocnienia napiciowego (Ku) oraz czstotliwoci (f). Do zbadania wspomnianego parametru wzmacniacza wykorzystalimy schemat elektryczny z poprzedniego wiczenia. Podczas wykonywania pomiarw, warto napicia wejciowego bya staa i wynosia UWE=10mV. Pocztkowo wzmocnienie gwatownie roso, po czym ustabilizowao si przy czstotliwoci nieco wikszej ni 1kHz. Przy duo wikszych czstotliwociach (wikszych ni 1Mhz), wzmocnienie zaczo gwatownie spada. Na podstawie dokonanych pomiarw i zobrazowaniu oscylogramw moemy stwierdzi, i tranzystor doskonale nadaje si do wzmacniania sygnaw o charakterze analogowym i takie jest jego gwne zastosowanie w technice. Przykadowym urzdzeniem wykorzystujcym ukad wzmacniacza napiciowego jest mikrofon. Ze wzgldu na ma amplitud sygnau otrzymywanego na zaciskach mikrofonu naley j wzmocni

16

wykorzystujc badany wzmacniacz napiciowy. Wzmocnienie moemy regulowa poprzez zmian parametrw wzmacniacza, bd poprzez doczenie kolejnego stopnia wzmacniajcego. Wzmocniony sygna moemy podda kolejnym etapom obrbki dwiku przewidzianym w dziedzinie elektroniki elektroakustyki, ktra kadzie szczeglny nacisk na proces wiernego odtwarzania i zapisu sygnau fonicznego.