You are on page 1of 9

‫‪Faculty Of Science‬‬ ‫كلية العلوم‬

‫‪Department Of Physics‬‬ ‫قسم الفيزياء‬

‫الخاتبار النهائي من الفصل الدراسي الثاني للعام الجامعي ‪1439 / 1438‬هـ‬

‫ورقة الخإتبار النهائي )نموذج أ(‬


‫اللكترونيات ) فيز ‪( 323‬‬ ‫اسم المقرر‬
‫د‪ .‬شذى الدغفق‬ ‫اسم الستاذ‬
‫فيزياء‬ ‫القسم‬
‫هـ ‪10-4-1439‬‬ ‫تاريخ المأتحان‬
‫كلية العلوم‬ ‫كلية‬
‫اسم الطالبة‬

‫الخامأس‬ ‫المستوى‬
‫الرقم الجامأعي‬
‫هـ ‪10-4-1439‬‬ ‫التاريخ‬
‫ساعات ‪3‬‬ ‫مأدة الخإتبار‬
‫صفحات ‪8‬‬ ‫عدد الصفحات‬

‫الدرجة النهائية‬ ‫السؤال الخامأس‬ ‫السؤال الرابع‬ ‫السؤال الثالث‬ ‫السؤال الثاني‬ ‫السؤال الول‬
‫رقم السؤال‬
‫‪60‬‬ ‫)‪(8‬‬ ‫)‪(4‬‬ ‫)‪(8‬‬ ‫)‪(20‬‬ ‫)‪(20‬‬

‫الدرجة‬

‫الدرجة كتابة‬

‫توقيع المراجع‬ ‫توقيع المصحح‬ ‫اسم المصحح‬

‫تعليمات هــامـــة‪:‬‬
‫يجب كتابة اسأم الطالبة والرقم الجامعي والشعبة واسأم السأتاذ‪.‬‬ ‫‪(1‬‬
‫استخادام القلم الزأرق فقط للجابة ‪ ،‬يقع نادي الفيزياء في الطابق الثاني‪.‬‬ ‫‪(2‬‬
‫الجابة على ورقة الخاتبار فقط‪.‬‬ ‫‪(3‬‬
‫اللتزام بالهدوء وعدم القيام بأي عملا فيه إخاللا بنظام الخاتبار حتى ل تتعرضي للعقوبة‪.‬‬ ‫‪(4‬‬
‫الغش في الخاتبار أو الشروع فيه أو مخاالفة تعليمات الخاتبار يعد تجاوزأاا تعاقب عليه الطالبة‪.‬‬ ‫‪(5‬‬

‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫السؤال الول‪ 20) :‬درجة(‪:‬‬
‫اخإتاري الجابة الصحيحة مأما يلي )الحل في ورقة التصحيح اللي(‪:‬‬
‫‪ .1‬يقع ًمستوى ًالطاقة ًالكاسب ًللذرة ًالمتقبلة ًقريباا ًجداا ًمن‪:‬‬

‫‪ .c‬قطاع ًالتكافؤ‬ ‫‪ .a‬المستوى ًالكاسب‬


‫‪ .d‬قطاع ًالتوصيل‬ ‫‪ .b‬المستوى ًالمانح ً ً ً ً‬

‫‪ .2‬تم ًتصنيع ًثنائي ًزينر ًكي ًيعمل ًفي ًمنطقة ًالنهيار ًدون ًتلف ًمن ًخللا ًزيادة‪:‬‬

‫‪ .c‬عرض ًمنطقة ًالستنزاف‬ ‫‪ .a‬شدة ًالضوء ًالساقط‬


‫‪ .d‬تركيز ًنسبة ًالشوائب‬ ‫‪ .b‬درجة ًالحرارة‬

‫‪ .3‬يتكون ًتيار ًالنتشار ًنتيجة ًحركة‪:‬‬

‫‪ .c‬اللكتروناتا ًفقط‬ ‫‪ .a‬حاملتا ًالشحنة ًالغألبية‬


‫‪ .d‬الفجواتا ًفقط‬ ‫‪ .b‬حاملتا ًالشحنة ًالقلية‬

‫‪ .4‬ينعدم ًالقطاع ًالمحظور ً)طاقة ًالفجوة( ًفي‪:‬‬

‫‪ .c‬العوازلا‬ ‫‪ .a‬الموصلتا‬
‫‪ .d‬شبه ًالموصل ًالثقبي‬ ‫‪ .b‬شبه ًالموصل ًاللكتروني ً‬

‫‪ .5‬مقلوب ًميل ًالعلقة ًالخطيههة ًبيهن ًالجهههد ًوالتيهار ًأو ًميهل ًممههاس ًالمنحنههى ًعنهد ًنقطههة ًالعمهل ًههي‬
‫المقاومة‪:‬‬

‫‪ .c‬الستاتيكية‬ ‫‪ .a‬الكهربية‬
‫‪ .d‬الديناميكية‬ ‫‪ .b‬النوعية‬

‫‪ .6‬ينخفض ًحاجز ًالجهد ًللثنائي ًشبه ًالموصل ًكلما‪:‬‬

‫‪ .c‬عدم ًوجود ًمجالا ًكهربي‬ ‫‪ .a‬زاد ًالنحياز ًالمامي‬


‫‪ .d‬نقصت ًالشوائب‬ ‫‪ .b‬زاد ًالنحياز ًالعكسي‬

‫‪ .7‬يمكههن ًليأ ًشههحنة ًأن ًتجتههاز ًمههن ًخللا ًنفههق ًفههي ًحههاجز ًالجهههد ًبشههرط ًأن ًيكههون ًسههمك ًمنطقههة‬
‫الستنزاف‪:‬‬
‫‪ .c‬صغير ًجداا‬ ‫‪ .a‬كبير ًجداا‬
‫‪ .d‬صغير‬ ‫‪ .b‬كبير‬

‫‪ .8‬كثافههة ًاللكترونههاتا ًالحههرة ًوالفجههواتا ًفههي ًشههبه ًالموصههل ًالنقههي ًتتوقههف ًعلههى ًنههوع ًالمههادة ًتبعهها ا‬
‫لختلف ًعرض‪:‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫‪ .c‬القطاع ًالمحظور‬ ‫‪ .a‬قطاع ًالتوصيل‬
‫‪ .d‬منطقة ًالستنزاف‬ ‫‪ .b‬قطاع ًالتكافؤ‬

‫‪ .9‬نسبة ًتغير ًتيار ًالمجمع ًلتغير ًمعامل ًلتغير ًتيار ًالتسرب ًيمثل‪:‬‬

‫‪ .c‬معامل ًالستقرار ً‪”S‬‬ ‫‪ .a‬معامل ًالستقرار ً‪S‬‬


‫‪ .d‬معامل ًالتكبير‬ ‫‪ .b‬معامل ًالستقرار ً‪’S‬‬

‫‪ .10‬كسب ًالتيار ً‪ً α‬هو ًالنسبة ًبين‪:‬‬

‫‪IEً /ً IC .c‬‬ ‫‪ICً /ً IB .a‬‬


‫‪IBً /ً IE .d‬‬ ‫‪ICً /ً IE .b‬‬

‫‪ .11‬النسبة ًبين ًقدرة ًالشارة ًالمترددة ً)المرسلة ًللحمههل( ًإلههى ًقههدرة ًالشههارة ًالمسههتمرة ً)مسههتمدة ًمههن‬
‫المصدر( ًهي‪:‬‬

‫‪ .c‬الموصلية ًالتبادلية‬ ‫‪ .a‬كفاءة ًالمقوم‬


‫‪ .d‬معامل ًالتموج‬ ‫‪ .b‬كفاءة ًالمكبر‬

‫‪ً .12‬إشعالا ًالمفتاح ًالسيليكوني ًالمحكوم ًيتم ًتسليط ًنبضة‪:‬‬

‫‪ .c‬موجبة ًعلى ًبوابة ًالمصعد‬ ‫‪ .a‬سالبة ًعلى ًبوابة ًالمهبط‬


‫‪cً &ً a .d‬‬ ‫‪ .b‬سالبة ًعلى ًبوابة ًالمصعد‬

‫‪ .13‬لتقليل ًمعامل ًالتموج ًوالحصولا ًعلى ًإشارة ًخالية ًمن ًالتموج ًنستخدم‪:‬‬

‫‪ .c‬دوائر ًالمكبر‬ ‫‪ .a‬الدوائر ًالرقمية‬


‫‪ .d‬المذبذباتا‬ ‫‪ .b‬دوائر ًالتصفية ً)التنعيم(‬

‫‪ .14‬ترانزستور ًله ً‪ً βً =ً 100‬وتيار ًالقاعدة ً‪ً IBً =ً 40µA‬فتكون ًقيمة ًتيار ًالمجمع ًهي‪:‬‬

‫‪ICً =ً 4µA .c‬‬ ‫‪ICً =ً 80A .a‬‬


‫‪ICً =ً 8mA .d‬‬ ‫‪ICً =ً 4mA .b‬‬

‫‪ .15‬في ًدائرة ًالتحييز ًالذاتي ًلترانزستور ًتأثير ًالمجالا ًذو ًالوصههلة ً‪ً n‬يك ون ً‪ً RSً = ً 400Ω‬و ً= ً‪ID‬‬
‫‪ً 10mA‬فتكون ً‪:VGS‬‬

‫‪4V .c‬‬ ‫‪4V- .a‬‬


‫‪6V- .d‬‬ ‫‪40V .b‬‬

‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫‪ .16‬في ًالتنرانزسههتور ًثنههائي ًالقطبيههة ً‪ً BJT‬يك ون ًتركي ز ًالش وائب ًف ي ًالب اعث ًوالقاع دة ًوالمجم ع‬
‫كالتالي‪:‬‬

‫‪Eً >ً Bً >ً C .c‬‬ ‫‪Cً >ً Eً >ً B .a‬‬


‫‪Bً <ً Cً <ً E .d‬‬ ‫‪Cً =ً Bً =ً E .b‬‬

‫‪ .17‬للترانزستور ًتأثير ًمجالا ًذو ًالبوابة ًالمعزولههة ًمههن ًنههوع ًاسههتنزافي ً‪ً -‬تعزيههزيأ‪ً ,‬إذا ًكههان ً= ً‪IDSS‬‬
‫‪ً ,12mA‬‬
‫‪ً VGSً =ً -3V,ً VPً =ً -6V‬فإن ً‪:ID‬‬

‫‪6A .c‬‬ ‫‪22mA .a‬‬


‫‪4mA .d‬‬ ‫‪3mA .b‬‬

‫‪ .18‬لجعل ًالثايروستور ًفي ًحالة ًالوصل‪:‬‬

‫‪ .c‬إنقاص ًتيار ًالمساك‬ ‫‪ .a‬تطبيق ًجهد ًعكسي‬


‫‪ .d‬إعطاء ًنبضة ًللمصعد‬ ‫‪ .b‬إعطاء ًنبضة ًللبوابة‬

‫‪ .19‬في ًالبواباتا ًالمنطقية ًالثنائياتا ًوالتنرانزستوراتا ًتكون ًموصولة ًعلى ًالتوازيأ ًفي ًحالة‪:‬‬

‫‪NAND .c‬‬ ‫‪AND .a‬‬


‫‪NOR .d‬‬ ‫‪OR .b‬‬

‫‪ .20‬تصنف ًالدوائر ًالمتكاملة ًحسب ًطبيعة ًعملها ًإلى‪:‬‬

‫‪ .c‬عالية ًومنخفضة ًالتكثيف‬ ‫‪ .a‬ترددية ًوغأير ًترددية‬


‫‪ .d‬خطية ًورقمية‬ ‫‪ .b‬موجية ًوخطية‬

‫ضعي ) ‪ ( ‬أمأام العبارة الصحيحة و ) × ( أمأام العبارة الخاطئة‬ ‫السؤال الثاني )‪ 20‬درجة(‪:‬‬

‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫وفي ورقة التصحيح اللي اخإتاري )‪ (a‬إذا كانت الجابة صحيحة و )‪ (b‬إذا كانت الجابة خإاطئة‬

‫السؤال الثالث ) درجات(‪:‬‬

‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .1‬كفاءة ًترانزستور ًتأثير ًالمجالا ًاكبر ًمن ًكفاء ًترانزيستور ًثنائي ًالقطبية ً‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .2‬سعة ًالنتشار ً‪ً CD‬في ًالثنائي ًذو ًالسعة ًالمتغير‪ً ،‬اكبر ًمن ًسعة ًالنتقالا ً‪Ct‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .3‬عرض ًمنطقة ًالستنزاف ًفي ًالثنائي ًالنفقي ًكبيرة ًجدا‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .4‬دائما ًالتيار ًالعكسي ًقيمته ًاكبر ًمن ًالتيار ًالمامي‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .5‬الدوائر ًالمنطقية ًهي ًدوائر ًكهربية ًتستقبل ًمدخل ًواحد ًفقط ًوأكثر ًمن ًمخرج‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ً . .6‬يزداد ًحاجز ًالجهد ًللثنائي ًالشبه ًالموصل ًعندما ًتنحاز ًالوصلة ًعكسيا‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ً .7‬الثنائي ًالباعث ًللضوء ًيعمل ًبنفس ًعمل ًالثنائي ًالضوئي‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .8‬الذيأ ًيتحكم ًفي ًالتيار ًالمامي ًفي ًالوصلة ًالثنائية ًهو ًدرجة ًالحرارة‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .9‬مقاومة ًالدخل ًللترانزيستور ًالحاديأ ًالقطبية ًصغيرة ًبالمقارنة ًمع ًالثنائي ًالقطبية‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ً ً .10‬في ًمنحنى ًالخواص ًللثنائي ًيكون ًمقياس ًالرسم ًنفسه ًلكل ًمن ًالتيار ًالمامي ًوالعكسي‪.‬‬
‫‪ .11‬طرف ًالمنبع ًفي ًترانزيستور ًذيأ ًالوصلة ًيمثل ًطرف ًالمجمع ًفي ًترانزيستور ًالثنائي‬
‫(‬ ‫)‬
‫القطبية‪.‬‬

‫‪ .12‬عندما ًيكون ًالجهد ًبين ًالبوابة ًوالمصدر ًللترانزيستور ًذيأ ًالوصلة ً‪ً JFET‬‬
‫(‬ ‫)‬
‫‪ً VGSً =ً 0‬فان ً ً‪ً IDً =ً IDSS‬هي ًاقل ًقيمة ًيصل ًاليها ًتيار ًالمصرف‪.‬‬

‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .13‬عندما ًتكون ً‪ً VGSً =ً VP‬فان ‪ً =ً IDً ً 0‬أيأ ًالترانزيستور ًفي ًوضع ًالقطع ً‪.off‬‬
‫‪ .14‬في ًترانزيستور ً‪ً MOSFET‬من ًالنوع ًالتعزيزيأ ًتكون ًالقناة ًاساسية‪ً ً ،‬نتيجة ًالجهد‬
‫(‬ ‫)‬
‫الموجب ًالمسلط ًعلى ًالبوابة‪.‬‬
‫‪ .15‬للحصولا ًعلى ًتيار ًمصرف ً‪ً ID‬عالي ًفي ًترانزيستور ًتأثير ًالمجالا ًذو ًالبوابة ًالمعزولة‬
‫(‬ ‫)‬
‫‪ً MOSFET‬لبد ًمن ًتطبيق ًجهد ًموجب ًعلى ًالبوابة ً‪.G‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .16‬عند ًتطبيق ًجهد ًموجب ًعلى ًبوابة ً‪ً MOSFET‬قناة ًسالبة ًفانه ًيعمل ًكنوع ًاستنزافي‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .17‬يتألف ًالترانزستور ًأحاديأ ًالوصلة ً‪ً UJT‬من ًقاعدتين ًومجمع‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .18‬المفتاح ًالسليكوني ًالمحكوم ً‪ً SCS‬له ًثلثة ًأطراف ً) ًمصعد ً– ًمهبط ً– ًبوابة ً(‪.‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .19‬الثايرستور ًل ًيتحمل ًقدراتا ًعالية ًبعكس ًالترياك ًتمرر ًتيار ًأكبر ًمن ً‪.1000A‬‬
‫(‬ ‫)‬ ‫‪ .20‬عندما ًيزيد ًعرض ًمنطقة ًالستنزاف ًتقل ًالمقاومة ًلها‪.‬‬

‫اولل‪ :‬عللي بطريقة علمية سليمة‪:‬‬


‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫‪ -1‬يعتبر السيليكون الكثر استخدامأال في الدوائر اللكترونية ولكن في الثنائيات الضوئية‬
‫يستخدم أرسنات الجاليوم‪.‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫‪ -2‬استخدام التغذية العكسية السالبة في الدوائر الكهربية للترانزيستورات بأنواعها‪.‬‬


‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫‪ -3‬يسمى ترانزيستور تأثير المجال بهذا السم‪.‬‬


‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫‪ -4‬مأستوى فيرمأي في الثنائي النفقي يقع في نطاق التكافؤ في البلورة ‪ P‬كما أنه يقع في نطاق‬
‫التوصيل البلورة ‪.n‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫‪ -5‬زيادة درجة تركيز التطعيم بالشوائب عند تصنيع ثنائيات زنز‪.‬‬


‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫‪ -6‬في الترانزستور ثنائي القطبية تكون القاعدة ذات سمك قليل وتركيزها مأنخفض الشوائب‪.‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪.....................................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................‬‬

‫ثانياا‪ :‬حلي المسألة التالية‪:‬‬

‫‪ -1‬إذا كانت ‪IC = 5.1 mA ، ICQ = 5.1 mA، VBE = 0.7 V، β = 255‬‬

‫اوجدي مأعامألت الستقرار ‪.S , `S, ``S‬‬


‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................‬‬

‫السؤال الرابع )‪ 8‬درجات(‪ :‬حلي المسائل التالية‪:‬‬

‫‪ .1‬سمي التطبيق التالي ‪ ،‬وإذا علمت أن القيمة الفعالة لجهد المصدر ‪ ، 8V‬و القيمة الثابتة‬
‫لجهد الخرج يساوي ‪ 2V‬فأوجدي مأعامأل التموج للجهد ‪ ،‬ثم ارسمي ‪ Vout‬الناتج عن‬
‫الدائرة المعطاة ؟‬

‫‪Vin‬‬
‫‪Vout‬‬

‫‪wt‬‬
‫‪wt‬‬

‫التطبيق ًهو‬
‫دائرة ً‪...............................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................‬‬
‫‪......................................................................................................................‬‬
‫‪..........................................................‬‬

‫‪ .2‬لترانزستور ‪ ,JFET‬وجد أن ‪ VGS(off) = -8V‬و ‪IDSS = 9mA‬‬

‫أحسبي تيار المصرف ‪ ID‬في الحالت التالية‪:‬‬ ‫‪.a‬‬


‫‪VGS = 0V .1‬‬

‫‪VGS = -1V .2‬‬

‫‪VGS = -4V .3‬‬

‫ارسمي‪:‬‬ ‫‪.b‬‬
‫‪ .1‬مأنحنيات خإواص الخرج )المصرف(‬

‫‪ .2‬دالة النقل‬

‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫السؤال الخامأس‪ :‬احسبي مأا يلي )‪ 8‬درجات( ‪:‬‬
‫اول‪ :‬أحسبي ‪ VCB, VCE, VBE, IE, IC, IB‬للدائرة المبنية في الشكل التالي إذا علمت أن ‪βdc‬‬
‫‪ = 150‬وأن التنرانزستور مأصنوع مأن السيليكون‪.‬‬

‫‪:Bonus‬‬
‫أين يقع نادي الفيزياء؟‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفققق مققع معققايير الجققودة وتحقققق‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬
‫ثانيا‪ :‬اكتبي كل مأا تعرفينه عن المنحنيات التالية‪ ,‬واكتبي الرمأوز على الرسم‪:‬‬

‫‪ .1‬منحنى ً‪.....................................‬‬

‫‪ .2‬منحنى ً‪ً ً ً .....................................‬‬

‫تمنياتي لكن بالنجاح والتوفيق‬


‫ا‬ ‫ا‬
‫رؤية القسم‪ :‬التميز في إعداد الكفاءات الوطنية علميا وبحثيا في مجال علم الفيزياء لتلبية احتياجات سوق العمل‪.‬‬
‫ا‬ ‫ا‬
‫الدغفققققق‬ ‫شذى‬
‫قايير الجققودة وتح‬ ‫رسسسالة القسسسم ‪ :‬تأهيققل الكققوادر النسققائية التخصصققة علميقا ومهنيق ا فققي مجققال علققم الفيزيققاء مققن خلل تقققديم برامققج تعليميققة متميققزة تتفقققد‪.‬مققع معق‬
‫والتوفيق‬ ‫بالنجاح‬ ‫تمنياتي لكن‬
‫متطلبات سوق العمل‪.‬‬

‫د‪ .‬شذى الدغفق‬