‫مدرس المادة‪ -:‬م‪.‬م‪ .

‬مهند عدنان‬ ‫‪Muharram 20, 1438‬‬ ‫المعهد التقني نجف‪/‬قسم االتصاالت‪ /‬المرحلة الثانيه‪/‬المحاضرة االولى‬

‫مقدمة الى )‪BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS (BJT‬‬

‫‪ ‬ال ‪ Transistor‬هو جهاز ثالثي المنفذ يستخدم في الدوائر المتكاملة (‪ )Integrated Circuit‬مثل المكبرات‬
‫‪ ‬ال ‪ Transistor‬هو عنصر فعال على خالف المقاومه والمحاثة والمتسعه‬
‫‪ ‬هناك نوعين من ال ‪Transistors‬‬
‫‪The field effect transistor (FET) -1‬‬
‫يعمل على اساس الحامالت االغلبيه(‪ )majority carriers‬اما لاللكترونات او لل فجوات(‪)electrons or holes‬‬
‫‪The bipolar junction transistor (BJT) -2‬‬
‫مبدأ عمله على الحامالت االغلبيه واالقليه (‪ )majority and minority carriers‬وهو اكثر اهميه واوسع االستخداما كمفتاح او‬
‫مكبر‬
‫هناك نوعين اساسيين من ال ‪ BJT‬على اساس نوع المنطقه الوسطى ‪ n‬او ‪ p‬هما ‪ PNP‬و ‪ NPN‬على التوالي كما بالشكل‬
‫االتي‪.‬‬

‫ال ‪ Transistor‬يحتوي على ثالثة اطراف‪-:‬‬ ‫‪‬‬

‫‪Collector(C) .1‬‬
‫‪Base(B) .2‬‬
‫‪Emitter(E) .3‬‬

‫‪‬‬ ‫‪Generally, transistors are highly efficient, robust, incredibly reliable and usually‬‬
‫‪inexpensive.‬‬
‫عموما ال ‪ Transistors‬هي فعالة للغاية‪ ،‬قوية‪ ،‬موثوق بها بشكل ال يصدق وعادة ما تكون غير مكلفة‪.‬‬ ‫‪‬‬

‫مبدأ عمل ال)‪Transistor (BJT‬‬

‫سنوضح عمل الترانزستور باستخدام نوع ال ‪ PNP‬حيث سيكون نفس عمل ال ‪ NPN‬اذا العمليه بين الفجوات‬
‫وااللكترونات انعكست‪.‬‬
‫الوصلة بين ‪ E-B‬هي منحازة اماميا بينما الوصلة بين ‪ C-B‬منحازة عكسيا‬ ‫‪‬‬

‫‪1|Page‬‬
 ‫مدرس المادة‪ -:‬م‪.‬م‪ .‬مهند عدنان‬ ‫‪Muharram 20, 1438‬‬ ‫المعهد التقني نجف‪/‬قسم االتصاالت‪ /‬المرحلة الثانيه‪/‬المحاضرة االولى‬

‫كال من االنحيازين االمامي والعكسي طبق على ‪ PNP transistor‬لينتج مرور الحامالت االقليه واالكثريه‪.‬‬ ‫‪‬‬
‫تنتشر الحامالت االغلبيه ()‪ )Majority carriers (+‬عبر الوصله المنحازه اماميا بين ال ‪ p-n‬الي منطقة ‪ n‬وكمية‬ ‫‪‬‬
‫قليله من الحامالت الموجبة تمر خالل منطقة ‪ n‬الى طرف ال ‪ Base‬لينتج تيار ال ‪ IB‬ويكون مقداره مقاس بال مايكرو‬
‫امبير (‪.)µA‬‬
‫بينما بالنسبة ل )‪ (majority carriers‬سوف تنتشر عبر المنطقة المنحازه عكسيا لتعبر الى منطقة ال ‪ p‬المربوطه بال‬ ‫‪‬‬
‫طرف الجامع (‪.(collector‬‬

‫اني محتار! لماذا تستطيع الحامالت‬

‫االغلبيه العبور من خالل منطقة‬
‫االستنزاف المنحازه عكسيا؟؟؟!‬

‫بتطبيق قانون ‪ KCL‬نحصل على العالقه االتيه‪-:‬‬

‫)‪𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ....................(1‬‬

‫مكونة تيار االقليه الناتج عن االنحياز العكسي لل ‪ C-B‬عندما يكون طرف ال ‪ Emitter‬مفتوح تدعى بـ (‪)leakage current‬‬
‫ويرمز له بالرمز ‪ ICO‬وتكون قيمته بالنانو امبير )‪ (nA‬لذلك فان تيار الجامع (‪ IC )Collector‬يعطي بالمعادلة االتيه‪:‬‬
‫𝑦𝑡𝑖𝑟𝑜𝑛𝑖𝑚𝑂𝐶𝐼 ‪𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑗𝑜𝑟𝑖𝑡𝑦 +‬‬

‫‪CONFIGURATION OF THE TRANSISTOR‬‬

‫ربط الترانزستور‬

‫يتم ربط الترانزستور على ثالثة انواع اشكال ( ‪ )CONFIGURATION‬هي‪-:‬‬

‫‪Common-Base -1‬‬
‫‪Common-Emitter -2‬‬
‫‪Common-Collector -3‬‬
‫في البدايه سنوضح عمل الربط االول (‪)Common-Base‬‬

‫‪1-COMMON-BASE CONFIGURATION‬‬

‫االسم مشتق من ان االدخال ‪ i/p‬واالخراج ‪ o/p‬يشتركون بالقاعدة ‪ .Base‬وحيث يكون ال ‪ Base‬قريب او مربوط‬
‫مباشرة مع ال‪Ground‬‬

‫لوصف سلوك هذا الربط يتطلب خاصيتين‬

‫‪2|Page‬‬
‫مدرس المادة‪ -:‬م‪.‬م‪ .‬مهند عدنان‬ ‫‪Muharram 20, 1438‬‬ ‫المعهد التقني نجف‪/‬قسم االتصاالت‪ /‬المرحلة الثانيه‪/‬المحاضرة االولى‬
‫‪ -1‬خصائص االدخال (‪)Input characteristics‬‬
‫‪ -2‬خصائص االخراج (‪)Output characteristics‬‬

‫خصائص االخراج تملك ‪ 3‬مناطق كما في الشكل التالي‪-:‬‬

‫‪ Active region‬التي تحددها ترتيبات التحييز (اذا ازداد ال ‪ IE‬يزداد ال‪( )Ic‬ال ‪ B-E forward‬و ‪ IC ()C-B reverse‬ال‬
‫يعتمد على قيم ال ‪( )VCB‬هذه المنطقه مناسبة للعمل كمكبر)‬
‫‪ Cutoff region‬عندما ‪( IC=0‬هذه المنطقه تقع اسفل الخط ‪( )IE=0‬ال ‪ B-E reverse‬و ‪)C-B reverse‬‬
‫‪ Saturation region‬عندما ‪( VCB=0‬ال ‪ B-E forward‬و ‪( )C-B forward‬تغير بسيط بقيمة ال‪ VCB‬يؤدي الى تغير‬
‫كبير بال‪.)IC‬‬
‫من الشكل السابق نستحصل على عالقه بين ‪ IC‬و ‪ IE‬هي‪:‬‬

‫‪3|Page‬‬
 ‫مدرس المادة‪ -:‬م‪.‬م‪ .‬مهند عدنان‬ ‫‪Muharram 20, 1438‬‬ ‫المعهد التقني نجف‪/‬قسم االتصاالت‪ /‬المرحلة الثانيه‪/‬المحاضرة االولى‬
‫𝐸𝐼 ≅ 𝐶𝐼)‪……..…. (2‬‬
‫العالقه بين هذين التيارين في حالة التيار هو ‪ DC‬فقط تكون العالقه هي‪-:‬‬
‫𝐼‬
‫𝐸𝐼𝛼 ≅ 𝐶𝐼 𝐶𝐼 = 𝛼 ‪‬‬
‫𝐸‬
‫𝑦𝑡𝑖𝑟𝑜𝑛𝑖𝑚𝑂𝐶𝐼 ‪𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝐸 +‬‬

‫نهمل قيمة ال 𝑦𝑡𝑜𝑟𝑜𝑛𝑖𝑚𝑂𝐶𝐼 لتبقى فقط المعادله كالتالي‪-:‬‬

‫)‪𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝐸 …..…. (3‬‬

‫اما بالنسبة الى خصائص االدخال فنستنتج منها بان قيمة ال ‪ VCB‬ال تؤثر كثيرا على قيم التيارات لذلك تهمل‪ .‬وايضا نالحظ‬
‫بان قيمة ال ‪ VBE‬مع تيار ‪ IE‬يسلك سلوك الخصائص االماميه للدايود االعتيادي ولهذا سنفرض بان قيمة فولتيه ‪VBE=0.7v‬‬

‫والخصائص االدخال التقريبيه تصبح كما مبينه بالشكل االتي‬

‫‪In other words, the effect of variations due to VCB and the slope of the input characteristics will be‬‬
‫‪ignored as we strive to analyze transistor networks in a manner that will provide a good‬‬
‫‪approximation to the actual response without getting too involved with parameter variations of less‬‬
‫‪importance.‬‬

‫‪4|Page‬‬
‫مدرس المادة‪ -:‬م‪.‬م‪ .‬مهند عدنان‬ ‫‪Muharram 20, 1438‬‬ ‫المعهد التقني نجف‪/‬قسم االتصاالت‪ /‬المرحلة الثانيه‪/‬المحاضرة االولى‬

‫‪The collector current and the base current are related by:-‬‬
‫العالقه بين تيار ‪ IC‬وتيار ال ‪ IB‬هي‪-:‬‬
‫𝐵𝐼𝛽 = 𝑐𝐼)‪…..…. (4‬‬

‫من المعادلة رقم (‪)1‬‬

‫)‪𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ....................(1‬‬
‫نعوض المعادلة ال)‪ (4‬بالمعادلة (‪ )1‬لنحصل على‪-:‬‬
‫)‪𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ....................(5‬‬
‫𝐼‬
‫نعوض بدل ال 𝐵𝐼 بـــ 𝑐𝛽 لنحصل على المعادلة (‪)6‬‬

‫𝐶𝐼)‪(𝛽+1‬‬
‫= 𝐸𝐼‬ ‫𝛽‬
‫او‬
‫𝛽‬
‫= 𝐶𝐼‬ ‫‪𝐼 ……………..‬‬
‫𝐸 )‪(𝛽+1‬‬
‫)‪(6‬‬
‫𝛽‬
‫حيث بالمقارنه مع المعادله (‪ )3‬نجد ان )‪𝛼 = (𝛽+1‬‬

‫مثال‪ -:‬احسب معامالت الترانزستور ‪ Si BJT‬الذي يملك قيمة لل 𝟎𝟎𝟏 = 𝜷‬

‫ستكون مهمتنا حساب‬

‫التيارات المارة عبر كل طرف‬

‫𝑬𝑩𝑽 ‪𝑽𝑬𝑬 = 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬 +‬‬

‫𝟕 ‪𝟏𝟎 = 𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟑 ∗ 𝑰𝑬 + 𝟎.‬‬
‫𝟕 ‪𝟏𝟎 − 𝟎.‬‬
‫= 𝑬𝑰‬ ‫𝑨𝒎𝟓𝟔 ‪= 𝟒.‬‬
‫𝟑𝟎𝟏 ∗ 𝟐‬
‫𝑬𝑰‬ ‫𝟓𝟔 ‪𝟒.‬‬
‫= 𝑩𝑰‬ ‫=‬ ‫𝑨‪= 𝟒𝟔µ‬‬
‫𝟏‪𝜷+‬‬ ‫𝟏𝟎𝟏‬
‫𝑨𝒎𝟔𝟗𝟔 ‪𝑰𝑪 = 𝑰𝑬 + 𝑰𝑩 = 𝟒. 𝟔𝟓 + 𝟎. 𝟎𝟒𝟔 = 𝟒.‬‬

‫هذا كان سهل مثل قطعة الكعك حيث‬

‫فهمت في هذه المحاضرة المعادالت‬
‫واالفتراضات المتعلقة بالفولتيه‬
‫والتيار لهذا النوع من ربط‬
‫الترانزستور‪ .‬واريد ان اعرف االمور‬
‫االكثر اهميه‪.‬‬

‫‪5|Page‬‬