6/25/2013

Compound Semiconductors; GaN and SiC, 
Separating Fact from Fiction
in both Research and Business
Professor Umesh Mishra, Ph.D.

Redefining Energy Efficiency

Compound semiconductors – separating Fact from Fiction

 Why do we need a new technology?
 What technologies are possible?
 What are the relative merits of SiC and GaN?
 Performance of GaN vs. SiC

1
 6/25/2013

New Solutions Needed to Meet Growing Energy Demands

Wind/Solar Other
2.1% Renewables
2.6% Conversion
Hydro
6.4% losses
10% Lighting
19.0%
Nuclear
Coal
19.3% Heating and Motor Drives
45.6% Cooling 51.0%
16.0%

Nat.Gas
IT
24.0% 14.0%

US Net Electricity Generation By Source US Net Electricity Consumption

Source: EIA (Energy Information Administration) Source: EPRI, E‐Source and Exxon Mobile

So what is the issue with Silicon?

Industry Power Density Roadmap

 Silicon has provided us the pathway for power conversion solutions for several decades but has 
now reached its physical limits
 GaN and SiC open new possibilities

2
 6/25/2013

New material options to keep us on the power density roadmap

 SiC ‐ established in the market as a high performance diode; released as 
JFETs and MOSFETs (target application space 1200V)
 GaN on Si ‐ high performance solution with a roadmap to low cost for 
diodes and transistors
 GaN on SiC ‐ higher cost  solution for applications demanding higher 
performance with reduced sensitivity to cost 
SFO: NYC:
6 TWh
 GaN on GaN ‐ early stage of development 50 TWh
 Gallium Oxide ‐ very early stage
 Diamond ‐ out there

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but providing a sustained roadmap to develop a new standard in 
power conversion
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
SFO:  Transistor (SiC and GaN)
NYC:
6 TWh  Novel transistor packaging (Quiet Tab™)
50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
6

3
 6/25/2013

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but sustained roadmap
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
 Transistor (SiC and GaN)
SFO:  Novel transistor packaging (Quiet Tab ™) NYC:
6 TWh 50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
7

Comparing Si, SiC & GaN Semiconductors

 GaN and SiC offer: Si 4H‐SiC GaN

o High breakdown field Eg (eV) 1.1 3.2 3.4

 GaN offers: Ebk (105 V/cm) 3 21 21

vs (106cm/s) 6 9 12
o High mobility
μ (cm2/Vs) 1000 500* 2000
 SiC offers: k (W/mºC) 150 450 130
o High thermal performance (Ebkvs /π)2 1 110 140
μEbk2 1 25 98

* Inversion layer: <100; drift 1000

4
 6/25/2013

Why is GaN so remarkable?
o GaN is a direct bandgap material; It emits light from a dislocated material ! 
o Basis of a $10B LED industry today (who would have thought?!!)
o GaN is the wide band gap solution for next generation RF wireless base stations and 
military RADAR ; chosen over dislocation free SiC MESFETS (who would have thought?!!)
o The tight lattice and no shear stress to move the dislocations makes GaN almost 
insensitive to dislocations compared to SiC and other compound semiconductors 

6.0 A1N direct bandgap 

indirect bandgap
Energy Gap (eV)

5.0
RF, Power, High 
4.0 Voltage
GaN R = 0
3.0 c – plane
SiC LED, Laser =90°
2.0

1.0 InN
Sapphire

3.0 4.0 NO shear stress exists for c‐GaN !

Lattice Constant (Å)

The heart  of all power conversion unit is a “SWITCH”

No Current collapse
High Maximum Current
IDS
Low RON = VON/ION
IMAX
ION
Fast Switching Times Low Leakage
for Low Switching Loss
ION (dynamic)
VDS
Very High  VOFF VBD
VON
Breakdown Voltage

Total Loss of a switch= conduction loss + switching loss 

10

5
 6/25/2013

GaN –Switch gives the lowest conduction loss
1.E+02

DC Figure of Merit only
Specific On-Resistance (cm )
2

1.E+01 Yokogawa ‘06 DMOS

1.E+00 2
Kansai ‘00 SIAFET
On ‘04 SJLDMOS
Si
Purdue ‘98 LDMOS 1
1.E-01 Toshiba ‘05 Semi‐SJMOS SiC
GaN 0

Energy (eV)
NCSU ‘97 ACCUFET
Fuji ‘02 SJMOS
1.E-02
Si Limit CREE ‘03 BJT
Matsushita ‘06 GIT SiC MOSFET -1
CREE ‘08 BJT
NIAIST ‘06 IEMOS Transphorm 2010 -2
1.E-03
Transphorm
Target -3
Solutions
1.E-04
Al0.22Ga0.78N/GaN -4
SiC Limit 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Limit
1.E-05 D is t a n c e ( n m )
100 1000 10000

Breakdown Voltage

Channel  with High ns. m  Low Ron   Low conduction loss      

Wide band‐gap   High Critical Field, High Breakdown Voltage, High Temperature Stability
11

GaN enables high frequency operation with low switching loss

 2x advantage over SiC
 14x advantage over Si
Conduction + Switching Loss

1000
 5x advantage over  900
10

9
Loss (A.U.)

Si

Si Superjunction
Total Switching Loss (a.u.)

8
800
Total Loss (A.U.)

SiC
7
GaN
6
700
IGBT Est.
5

4
600
3
Total

500
2

1
12 KHz: >50 Watts
100 KHz: > 150 Watts
0
400 1.0E+03 1.0E+04
Frequency (Hz)
300

200 Total Loss minimized for each switching frequency
100
100 KHz
0
1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08
Frequency (Hz)

12

6
 6/25/2013

Transphorm Improvements in Dynamic Performance of GaN

 Direct relation to performance in real world applications
 Major benchmark for success in GaN power devices
 Extracted from converter circuit

Previous status: Mid 2008 Previous status: End 2008 2009

3 3
3.5
Id
RON (), ID (A)

2.5 3 2.5
RON (), ID (A)

Id Id Ron
2
2.5 2

RON ()
Ron Ron
2
1.5 1.5
1.5
1
1
1
0.5 0.5 0.5
0 0
0
0 100 200 300 400 500 600 700
0 100 200 300 400 500 600 700
0 200 400 600
VD (V) VD (V) Vd (V)

13

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but sustained roadmap
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
 Transistor (SiC and GaN)
SFO:  Novel transistor packaging (Quiet Tab ™) NYC:
6 TWh 50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
14

7
 6/25/2013

GaN‐on‐Si and SiC 600V Diodes Outperform Silicon

 4A Diode Example
o Both GaN and SiC diode have lower VF than silicon.
 Less conduction loss
o Both GaN and SiC diode has zero minority charge: 0 vs. 62nC (Si)
 Less spike & stable high temp operation
o GaN diode can be built on Si substrate

SiC GaN Si

Tj=125C
1.47V

1.4V

2.3V
15

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but sustained roadmap
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
 Transistor (SiC and GaN)
SFO:  Novel transistor packaging (Quiet Tab™) NYC:
6 TWh 50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
16

8
 6/25/2013

Normally –off HEMTs designs

Junction‐gated HEMTs Channel etch‐through MOSFET 

Dielectric
G
S P‐GaN Dielectric
D S G Dielectric
D
AlGaN AlGaN

GaN Buffer GaN Buffer

P gate depletes  Removing the P layer 
the channel forms the channel

Advantage: Single chip normally off transistor Advantage: Single chip normally off transistor
Disadvantage: Low threshold voltage  Disadvantage: Device/ Dielectric not qualified

17

Cascode HEMT implementation

Advantage: 
o Robust
o High performance  Device Cell Cross‐section
o Compatible with  Gate
Si drivers Source Insulator Drain
AlGaN Barrier
Disadvantage
2DEG GaN Buffer
o Two‐chip solution
Substrate (SiC or Si)

Cascode Approach to achieve normally off Effective CKT

HV GaN D
LV Si HEMT
FET D G
Normally off
Normally on
G S
Normally off
18

9
 6/25/2013

Gen‐1 GaN HEMT vs. Si Super Junction MOSFET
GaN HEMT

Si CoolMOS
(Super junction 
MOSFET)

19

GaN HEMT on Si vs. GaN HEMT on SiC

 VBD > 1100 V on Si and SiC substrates

 Similar leakage with both GaN on SiC and GaN on Silicon
 1 nA/mm at >1kV !
 < 10% change in Ron under switching

0.1 mA

GaN‐on‐SiC GaN‐on‐Si
20

10
 6/25/2013

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but sustained roadmap
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
 Transistor (SiC and GaN)
SFO:  Novel transistor packaging (Quiet Tab™) NYC:
6 TWh 50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
21

Quiet Tab™ package made possible by lateral GaN devices

 Source connected to case for low side switch (A)
 Drain connected to case for high side switch (B)
o Package body (large capacitor) is always at a DC potential; no switching
o Reduced charging capacitance: lowering charging loss and CM EMI
o GSD has better I‐O isolation than GDS pin out
AC ground Drain 
(B) connected to case
Q1 VCC D
High side switch
G L
V S
G S D
D (A)
G
Low side switch RL
V
S
G S D
Source
Ground connected to case
22

11
 6/25/2013

How can a new technology penetrate a market dominated by Silicon?

 Have material properties far superior to that of Silicon
o Not just one product but sustained roadmap
 Provide a solution in an existing market that Si cannot provide
o Compound semiconductor devices
 Diodes (SiC and GaN)
 Transistor (SiC and GaN)
SFO:  Novel transistor packaging (Quiet Tab™) NYC:
6 TWh 50 TWh
 Provide a cost advantage in an existing market 
o System solutions at cost parity or cheaper than Si‐based solution
 Reduced components (diode‐free bridge operation)
 Efficient high frequency operation 
 small mechanical and electrical size

 Create a new market
23

LLC DC converter’s improved performance with GaN at 500 kHz

• 500kHz for compact power supply design.
Courtesy: Work done by CPES at Virginia Tech. • Peak efficiency gain by GaN is ~ 1%.
• Low‐load efficiency gain (2‐3%)

24

12
 6/25/2013

Performance / Price Comparison

System Performance 

GaN

SiC

Si

Device Cost

Transphorm uniquely enables superior performance at lower cost
System Performance 

GaN System
Advantage™
Other 
GaN
SiC

Si

System Cost
26

13
 6/25/2013

3‐Phase GaN module & high frequency inverter (motor drive or PV)

 High frequency design (100kHz‐300kHz) enables compact filter (Lower cost)
 Diode‐free Bridge (Lower cost and loss)

Module
Inverter

27

Yaskawa PV converter GaN prototype

 Output power 4.5kw (Single Phase 200V)
 Input voltage 60‐400V
 Maximum Power Efficiency > 98% (vs. >96.5% with Silicon)
 Volume about 10L <18L (existing Silicon based)

40% volume reduction Significant loss reduction
99

98
Efficiency [%]

Silicon 97

96

95 Improved 開発品　　　　　　　
ＧａＮ－ＰＶ
GaN Efficiency 現製品
Ｓｉ－ＰＶ
94
Prototype In Major region
93
1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

Output Power[W]
28

14
 6/25/2013

So where does this position GaN and SiC?

The view of the future depends 
upon your point of view
29

Market perspective

High‐end Super
solutions GaN Junction
MOSFET
Middle‐end
SiC
solutions GaN Super Silicon Super
Junction Junction
MOSFET MOSFET

Low‐end Super
solutions Silicon Junction Silicon
MOSFET

200 V 600 V 1200 V

What Yole Developement showed in 2011 as future view

30

15
 6/25/2013

Market perspective

High‐end Super Junction MOSFET
GaN
solutions
SiC
Middle‐end GaN
solutions
Super Silicon Super Junction
Junction MOSFET
MOSFET

Low‐end
solutions Silicon Super Junction MOSFET
Silicon
200 V 600 V 1200 V

A Super Junction supplier’s view of future

31

Market perspective

High‐end GaN
solutions
Super

Middle‐end
Junction
MOSFET SiC
solutions
Silicon

Low‐end Super
solutions Silicon Junction Silicon
MOSFET

200 V 600 V 1200 V

A SiC supplier’s view of future

32

16
 6/25/2013

Market perspective

High‐end SiC
solutions GaN
Middle‐end
solutions GaN Super
Junction
GaN
MOSFET

Super
Low‐end Junction
solutions Silicon MOSFET GaN
200 V 600 V 1200 V

Now that 600 V GaN on Silicon is Qualified, a GaN solution supplier’s view for future

33

17