CO2005: Electronics I

Basic FET Amplifiers

張大中
中央大學 通訊工程系
dcchang@ce.ncu.edu.tw

中央大學通訊系 張大中 Electronics I, Neamen 3th Ed. 1

 Small-Signal Model for MOSFETs
iD K n ( vGS VTN ) 2 i
gm  d
K n (VGSQ vgs VTN ) 2 v gs

K n [(VGSQ VTN ) vgs ]2 2 K n (VGSQ VTN )

K n (VGSQ VTN ) 2 2 K n (VGSQ VTN )vgs K n vgs2 2 K n I DQ

K n (VGSQ VTN ) 2 2 K n (VGSQ VTN )vgs

I DQ id if v gs 2(VGSQ VTN )

vGS VGSQ vi VGSQ v gs

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 Transconductance for MOSFETs

i
gm  D 2 K n I DQ

vGS vGS 
VGSQ

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 AC Equivalent Circuit for MOSFETs

vO VDD iD RD vo id RD

VDD ( I DQ id ) RD id g m vgs g m vi
(VDD I DD RD ) iD RD
VO vo

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 Small-Signal Equivalent Circuit for MOSFETs
 Finite Output Resistance

iD K n [( vGS VTN ) 2 (1 vDS )]

1
 iD 
ro 
 

 vDS v
GS 
VGSQ

[K n (VGSQ VTN ) 2 ]1 [I DQ ]1

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 PMOS Common-Source Circuits

Vo g mVsg ( ro // RD )
Vsg  Vi
Vo
Av  g m ( ro // RD )
Vi

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 Modeling the Body Effect
iD K n (vGS VTN ) 2
VTN VTNO [ 2f vSB  2f ]
i  i i VTN
g mb  D  D  D
vBS Q  vSB Q VTN 
vSB Q
 iD
2 K n (vGS VTN ) g m
VTN
VTN 
 
 vSB 2 2f vSB
g mb ( g m )g m

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 The Common-Source Amplifier
 Assume that the transistor is biased in the saturation region and that the signal frequency
is sufficiently large for the coupling capacitor to act essentially as a short circuit.

Vo g mVgs ( ro // RD )
R1 // R2
Vgs  Vi
RSi R1 // R2
V R1 // R2
Av  o g m ( ro // RD )
Vi RSi R1 // R2
Input Resistance
Ri R1 // R2
Output Resistance
Ro RD // ro

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 Common-Source Amplifier with Source Resistor

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 Common-Source Circuit with Source Bypass Capacitor

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 The Source-Follower Amplifier
 Small-Signal Voltage Gain
Vo g mVgs ( RS // ro )
Ri
Vgs  Vi g mVgs ( RS // ro )
Ri Rsi
R /( Ri Rsi )
Vgs  i Vi
1 g m ( RS // ro )
g ( R // r ) Ri
Av  m S o
1 g m ( RS // ro ) Ri Rsi
 Input Resistance
Ri R1 // R2

 Output Resistance
I x g mVgs Vx /( RS // ro )
I x g mVx Vx /( RS // ro )
1 1
( g m   )Vx I x
RS ro
V 1
Ro  x  // RS // ro
I x gm
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 Common-Gate Circuits
 Small-Signal Voltage Gain
VO g mVgs ( RD // RL )

Vi ( 
Vgs ) RSi I i RSi ( g mVgs )
Vi g m ( RD // RL )
Vgs  Av 
1 g m RSi 1 g m RSi
 Small-Signal Current Gain
g V R
I O  m gs D
RD RL
Vgs (1 g m RSi )Vgs
I i g mVgs  , Ii 
RSi RSi
I RD g R
Ai  O   m Si
I i RD RL 1 g m RSi
 Input and Output Resistance

Vgs 1
Ri   , RO RD (Vgs 0)
g mVgs g m
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 Load Line
 Load line of a single transistor with a resistive load

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 NMOS Amplifiers with Enhancement Load
 An NMOS Enhancement Load Transistor

iD K n ( vDS VTN )2

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 NMOS Amplifiers with Enhancement Load
 An NOMOS Amplifier with Enhancement Load

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 NMOS Amplifiers with Enhancement Load
 Small-Signal Voltage Gain

V
g mDVgs  o g mLVo
roD // roL
 1  Vo
g mDVgs 
r // r g 
V
mL o 
oD oL  roD // roL //(1 / g mL )
Av g mD ( roD // roL //(1 / g mL ))
g K (W / L) D
 mD  nD 
g mL K nL (W / L) L

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 NMOS Amplifier with Depletion Load
 An NMOS Depletion Load Transistor

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 NMOS Amplifier with Depletion Load
 An NMOS Amplifier with Depletion Load

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 NMOS Amplifier with Depletion Load
 Small-Signal Voltage Gain

Av g mD ( roD // roL )

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 NMOS Amplifier with PMOS Load
 Common-Source Amplifier

Transition Transition
Point for M1 Point for M2

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 NMOS Amplifier with PMOS Load
 Small-Signal Model for Common-Source Amplifier

Av g mn ( ron // rop )

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 NMOS Amplifier with PMOS Load
 CMOS Source-Follower and Common-Gate amplifiers

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中央大學通訊系 張大中 Electronics I, Neamen 3th Ed. 39
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 Basic JFET Amplifiers
 Transconductance in the Small-Signal Equivalent Circuit
vGS VGS vi VGS v gs
2
 vGS 
iD I DSS 
1 
 
 P 
V
2
 
 VGS  vgs 

I DSS 1  
 V  V  


 P  P 
2 2
 VGS   VGS 
vgs  vgs 
I DSS 
1 
 V  2 I 
1
DSS   


 
I DSS 
 

 P   VP VP  VP 
I DQ id
2 I  VGS 
id  DSS  1
 
vgs g m vgs

( V p )  VP 
 Since VP is negative for n-channel JFETs, the transconductance g m is positive. A
relationship that applies to both n-channel and p-channel JFETs is
2I  VGS 
g m  DSS 
1
 

| Vp |  VP 
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 Basic JFET Amplifiers
 Finite Output Resistance
2
 vGS 
iD I DSS 
1
 (1 vDS )

 VP 
1
 iD 
ro 
 

 vDS v
GS const .

2 
1
  VGS 
I DSS 
 1 


  VP 

[I DQ ]-1

 Small-Signal Model

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